JPH07176021A

JPH07176021A - 磁気抵抗効果型磁気ヘッド

Info

Publication number: JPH07176021A
Application number: JP31960193A
Authority: JP
Inventors: Yasunari Tajima; 康成田島; Takao Imagawa; 尊雄今川; Susumu Soeya; 進添谷; Shigeru Tadokoro; 茂田所; Eiji Ashida; 栄次芦田; Moriaki Fuyama; 盛明府山; Tetsuo Kobayashi; 哲夫小林
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1993-12-20
Filing date: 1993-12-20
Publication date: 1995-07-14

Abstract

(57)【要約】【目的】再生感度を向上させると同時にバルクハウゼ
ンノイズを低減する。また、磁気ヘッドの構造を安定に
形成することにある。【構成】磁気抵抗効果を用いて磁気信号を電気信号に
変換する磁気抵抗効果膜４０と、この磁気抵抗効果膜４
０に信号を検出するための電流を流す一対の電極６０
と、磁気抵抗効果膜４０の磁区を制御するための磁区制
御膜４５とを備え、磁気抵抗効果膜４０と磁区制御膜４
５の間の感磁部に、磁気抵抗効果膜４０と磁区制御膜４
５の間の磁気的な結合を分離するための分離膜３２と、
分離膜３２を被覆する磁気抵抗効果膜３４からなる多層
膜３０を配置した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁気抵抗効果を用いて
磁気信号を電気信号に変換する磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ドに関する。

【０００２】

【従来の技術】磁気抵抗効果を用いて磁気信号を電気信
号に変換するためには磁気抵抗効果膜が用いられる。磁
気抵抗効果膜を用いるにあたっては、磁気抵抗効果膜の
中に生ずる磁壁を無くすことが有効と考えられ、以下に
示す様な技術が考えられている。磁気抵抗効果膜の片
側全面に反強磁性膜を設け、この反強磁性膜と磁気抵抗
効果膜との界面で生じる磁気的な結合を利用する技術
（米国特許第4103315号）や磁気抵抗効果膜の上側両端
部にＦｅＭｎ合金などの反強磁性体で構成される磁区制
御層を形成し、この反強磁性膜と磁気抵抗効果膜との界
面で生じる交換結合を利用する技術（米国特許第466368
5号）などである。交換結合を詳細に説明すると、反強
磁性膜と強磁性膜との界面付近における反強磁性のスピ
ンの向きに強磁性膜のスピンの向きを一致させることを
いい、その結果、強磁性膜に付与される縦バイアス磁界
の大きさを結合磁界という。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、磁気
抵抗効果膜を利用して磁気信号を電気信号に変換する際
に発生するバルクハウゼンノイズの低減に有効である。
しかし、以下に示すような問題点がある。

【０００４】磁気抵抗効果膜の片側全面に直接接して反
強磁性膜が形成される米国特許第4103315号の場合、磁
気抵抗効果膜には強い縦バイアス磁界が付与される。そ
の結果、バルクハウゼンノイズは完全に抑止できるもの
の、結合磁界が大きすぎるために、磁気抵抗効果膜内の
磁気モーメントが回転しにくくなり、磁気抵抗効果膜を
用いた磁気抵抗効果型磁気ヘッドの磁気応答特性、例え
ば感度が劣化する。

【０００５】また、磁気抵抗効果膜の上側両端部にＦｅ
Ｍｎ合金などの反強磁性体で構成される磁区制御層を形
成する米国特許第4663685号の場合、耐食性に劣る導電
性反強磁性体を利用しているため、加工の際に特殊な処
理等を必要とし、磁気ヘッドを製作し難い。

【０００６】本発明の目的は、再生感度を向上させると
同時に、バルクハウゼンノイズを低減することにある。

【０００７】また、磁気ヘッドの構造を安定に形成する
ことにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的は、磁気抵抗効
果を用いて磁気信号を電気信号に変換する第１の磁気抵
抗効果膜と、該第１の磁気抵抗効果膜に電流を流す一対
の電極と、前記磁気抵抗効果膜に密着して磁区を制御す
る磁区制御膜とを備えた磁気抵抗効果型磁気ヘッドにお
いて、前記一対の電極が配置された感磁部で前記第１の
磁気抵抗効果膜と前記磁区制御膜の間に、磁気的な結合
を分離する分離膜と、該分離膜を被覆する第２の磁気抵
抗効果膜とからなる多層膜を配置したことにより達成さ
れる。

【０００９】上記目的は、磁気抵抗効果を用いて磁気信
号を電気信号に変換する第１の磁気抵抗効果膜と、該第
１の磁気抵抗効果膜に電流を流す一対の電極と、前記磁
気抵抗効果膜に密着して磁区を制御する磁区制御膜とを
備えた磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、前記一対の
電極が配置された感磁部で前記第１の磁気抵抗効果膜と
前記磁区制御膜の間に、磁気的な結合を分離する分離膜
と、該分離膜を被覆する第２の磁気抵抗効果膜とからな
る多層膜を複数配置したことにより達成される。上記
目的は、磁気抵抗効果を用いて磁気信号を電気信号に変
換する磁気抵抗効果膜と、該磁気抵抗効果膜に電流を流
す一対の電極と、前記磁気抵抗効果膜に密着して磁区を
制御する磁区制御膜とを備えた磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ドにおいて、前記一対の電極が配置された感磁部におけ
る前記磁気抵抗効果膜の厚さが感磁部以外で前記磁区制
御膜と密着している部分の前記磁気抵抗効果膜の厚さよ
りも厚いことにより達成される。

【００１０】

【作用】上記構成は、多層膜を分離膜と磁気抵抗効果膜
の繰り返しからなる積層形態とすることで、それぞれの
磁気抵抗効果膜の反磁界を小さくすることができ、感磁
部の磁気抵抗効果膜の感度を向上させることができる。

【００１１】また、連続積層させた多層膜中に、分離膜
を有することにより、磁区制御膜との磁気的な結合を分
離された磁気抵抗効果膜の感磁部では、磁気抵抗効果膜
の異方性磁界の増加がない。そのため、磁気抵抗効果素
子の磁気応答特性が低下することはなく、再生感度を向
上させることができる。

【００１２】連続積層させた多層膜のうち、少なくとも
１つの膜に磁気抵抗効果膜を有することにより、感磁部
の磁気抵抗効果膜の総厚さよりも、感磁部以外で磁気抵
抗効果膜と磁区制御膜が直接接している領域の磁気抵抗
効果膜の厚さを薄くすることができる。該領域では磁気
抵抗効果膜の膜厚が薄いほどより強い縦バイアス磁界が
付与され、磁気抵抗効果膜の感磁部にも適度な縦バイア
ス磁界を付与でき、磁気抵抗効果膜の感磁部に磁壁が発
生するのを抑制するので、磁壁の不規則な移動が原因で
あるバルクハウゼンノイズを低減できる。

【００１３】また、多層膜が磁気抵抗効果膜と分離膜の
二層からなり、さらに該分離膜を上記磁区制御膜側に有
するとする。その場合、感磁部の磁気抵抗効果膜の総厚
さを変えることなく、感磁部以外で磁気抵抗効果膜と磁
区制御膜が直接接している領域の磁気抵抗効果膜の厚さ
を薄くすることができる。該領域では磁気抵抗効果膜の
膜厚が薄いほどより強い縦バイアス磁界が付与され、磁
気抵抗効果膜の感磁部にも適度な縦バイアス磁界を付与
でき、磁気抵抗効果膜の感磁部に磁壁が発生するのを抑
制するので、磁壁の不規則な移動が原因であるバルクハ
ウゼンノイズをを低減できる。

【００１４】また、この場合に分離膜としてＴａ等の磁
気抵抗効果膜の磁気特性を改善する下地膜を選ぶことが
出来、磁気抵抗効果膜の比抵抗を低下させ通電寿命を延
長させることが可能になる。

【００１５】そして、感磁部の磁気抵抗効果膜の厚さ
が、感磁部以外で磁気抵抗効果膜と磁区制御膜が直接接
して形成されている領域の磁気抵抗効果膜の厚さよりも
厚いとする。その場合、磁区制御膜と直接接して形成さ
れている部分の磁気抵抗効果膜には、強い縦バイアス磁
界が付与され、磁気抵抗効果膜の感磁部にも適度な縦バ
イアス磁界を付与でき、磁気抵抗効果膜の感磁部に磁壁
が発生するのを抑制するので、磁壁の不規則な移動が原
因であるバルクハウゼンノイズを低減できる。

【００１６】磁気抵抗効果膜と磁区制御膜の間の感磁部
に連続積層された多層膜を用いことによって上記多層膜
を所定の位置に形成する際に、酸化等、外的環境に影響
を受けやすい分離膜を多層膜中の下層に形成しておくこ
とで、特性を損なうことなく磁気ヘッドを製作できる。

【００１７】また、外的環境に影響を受けやすい分離膜
を、表面に出さないことで、汚染等による特性のばらつ
きのない磁気抵抗効果型磁気ヘッドを作成することがで
きる。

【００１８】

【実施例】以下、本発明の実施例を図により説明する。

【００１９】まず、本実施例の構成を説明する。

【００２０】図１は本発明の実施例の構成を説明する斜
視図である。

【００２１】図２は図１を磁気記録媒体に対向する面か
ら見た拡大断面図である。

【００２２】本図に示すように磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ド１は、ジルコニアなどの、セラミック基板１０１上に
アルミナ膜５を形成し、その上に下部シールド膜１０
と、この下部シールド１０の上に形成される下部ギャッ
プ膜２０と、この下部ギャップ膜２０の上に形成される
磁区制御膜４５と、この磁区制御膜４５の上に連続積層
された分離膜３２と磁気抵抗効果膜３４からなる多層膜
３０と、この多層膜３０上に多層膜３０の配置されてい
ない磁区制御膜４５の所定の領域を覆って形成される磁
気抵抗効果膜４０と、この磁気抵抗効果膜４０上に配置
されるシャント膜５０とソフト膜５５と、このソフト膜
５５の上に形成される１対の信号検出電極６０と、上記
各膜を覆うように形成される上部ギャップ膜７０と、こ
の上部ギャップ膜７０の上側に形成される上部シールド
膜８０とから構成される。そして、磁気抵抗効果膜９０
は磁気抵抗効果膜４０と磁気抵抗効果膜３４から構成さ
れている。

【００２３】これらの構成要素のうち本発明の特徴は、
磁気抵抗効果膜４０と磁区制御膜４５の間に連続積層さ
せた多層膜３０にある。多層膜とは、組成の違う二つ以
上の膜の積層からなるものを意味し、連続積層とはスパ
ッタリング法等で膜を作成する場合に、途中大気中に取
り出すことなく連続的に積層を行なうことをいう。

【００２４】次に、本実施例の動作を説明する。

【００２５】上部シールド膜８０、下部シールド膜１０
は、磁気抵抗効果膜９０に信号以外の磁界が影響するこ
とを防止し、磁気抵抗効果型磁気ヘッド１の信号分解能
を高める。上部シールド膜８０、下部シールド膜１０の
材料は、ＮｉＦｅ合金、ＮｉＣｏ合金、Ｃｏ系の非晶質
合金などの軟磁性であり、その膜厚はおよそ０．５〜３
μｍの範囲が望ましい。

【００２６】この上部シールド膜８０、下部シールド膜
１０に隣接して配置される上部ギャップ膜７０、および
下部ギャップ膜２０は磁気抵抗効果素子と、上部シール
ド膜８０および下部シールド膜１０を電気的、磁気的に
隔離し、酸化珪素、アルミナなどの非磁性絶縁物などよ
りなる。上部ギャップ膜７０、および下部ギャップ膜２
０の膜厚は、磁気抵抗効果型磁気ヘッド１の再生分解能
に影響するため、通常０．１〜０．４μｍの範囲が望ま
しい。

【００２７】一対の信号検出電極６０間の距離は、０．
５〜１０μｍの範囲が望ましい。また、磁気抵抗効果膜
９０の信号検出電極６０間を感磁部といい、この部分で
磁気信号の読み取りを行なう。信号検出電極６０は、磁
気抵抗効果膜９０に充分な電流、例えば１×１０⁶〜２
×１０⁷Ａ／ｃｍ²を流すため、通常、電気抵抗が小さい
Ｃｕ、Ａｕ、Ｎｂ、Ｔａなどの薄膜が用いられる。

【００２８】磁気抵抗効果膜９０は、ＮｉＦｅ合金、Ｎ
ｉＣｏ合金、ＮｉＦｅＣｏ合金のような、磁化の方向に
よって電気抵抗が変化する強磁性膜で形成される。その
膜厚は、約０．０１〜０．０４５μｍが望ましい。

【００２９】シャント膜５０、ソフト膜５５は、磁気信
号を線形の電気信号とするため、磁気抵抗効果膜９０に
横バイアス磁界を印加する機能をもつ。

【００３０】シャント膜５０は、磁気抵抗効果膜９０を
高感度とするのに充分なレベルに、横バイアス磁界を印
加する働きを行なう。このバイアス印加方向は、磁区制
御膜４５によって付与される方向と垂直である。横バイ
アス磁界を印加するために、シャント膜を用いる方法を
シャントバイアス法という。シャントバイアス法におい
ては、シャント膜として、磁気抵抗効果膜９０上に、Ｔ
ｉ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗなどの薄い金属膜を形成す
る。通常その膜厚は、約０．０１〜０．０４μｍであ
る。また、シャント膜５０に流れる電流によって横バイ
アス磁界が変化するので、シャント膜５０の膜厚ととも
に、比抵抗も調整することが必要である。この比抵抗の
値は、通常、磁気抵抗効果膜９０の比抵抗の値の１〜４
倍程度である。

【００３１】このシャントバイアス法以外に、磁気抵抗
効果膜９０を高感度とするのに充分なレベルに、横バイ
アス磁界を印加する方法として、例えば、ソフト膜バイ
アス法がある。

【００３２】ソフト膜バイアス法は、非磁性層を介し
て、磁気抵抗効果膜に隣接して、軟磁気特性を有する強
磁性膜を形成し、磁気抵抗効果膜に流れる電流によって
発生する磁界を効率よく、磁気抵抗効果膜に印加する方
法である。ソフト膜５５としては、ＮｉＦｅＲｕ，Ｎｉ
ＦｅＴａ，ＮｉＦｅＲｈ，ＣｏＺｒＣｒ，ＭｎＺｎフェ
ライトなどの材料が用いられる。

【００３３】これらの方法は単独で用いてもよいが、図
１のようにシャント膜５０（非磁性膜）の上にソフト膜
５５を形成した複合バイアス法が効果的であり、本実施
例にかかわる、磁気抵抗効果型磁気ヘッド１において
は、複合バイアス法を採用した。磁区制御膜４５は磁
気抵抗効果膜４０における磁壁の発生を抑止するため、
磁気抵抗効果膜４０の長さ方向の縦バイアス磁界を印加
するために特別に設けられた膜である。磁区制御膜４５
としては、強磁性膜あるいは反強磁性膜がよく、さらに
磁気抵抗効果膜４０への検出電流分流比を高めるため、
酸化物膜が望ましい。磁区制御効果のある酸化物膜は、
外部磁界に対する安定度、ブロッキング温度、作成し易
さから反強磁性酸化ニッケル（ＮｉＯ）が望ましい。ブ
ロッキング温度とは、高温になると反強磁性膜はある温
度以上で常磁性となり、この温度以上では、反強磁性膜
と強磁性膜の界面で生じる磁気的な結合である交換結合
が消失する温度のことをいう。

【００３４】磁区制御膜４５の材料としては、上記Ｎｉ
Ｏの他、ヘマタイトでも使用できる。さらに、ＮｉＯに
Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉの磁性元素や希土類磁性元素Ｃｅ，Ｐ
ｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅ
ｒ，Ｔｍを添加しても良い。

【００３５】分離膜３２の材料としては、Ａｌ，Ｔｉ，
Ｃｕ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｗ，Ｖ，Ｃｒ，Ｒｈ，Ｒｕ，
Ｚｒ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉ
ｒ，Ａｕ，アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃），酸化珪素（Ｓｉ
Ｏ₂），チタニア（ＴｉＯ₂），ハフニア（ＨｆＯ₂），
ジルコニア（ＺｒＯ₂），カーボン（Ｃ）などがよい。
さらに、上記金属元素を組み合わせた２元系以上の非磁
性合金膜としてもよい。さらに、上記酸化物、及びカー
ボンに第３元素を添加した材料で構成してもよい。さら
に、Ａｌ₂Ｏ₃，ＳｉＯ₂，ＴｉＯ₂，ＨｆＯ₂，ＺｒＯ₂な
どは絶縁性を示すので、これらを分離膜３２として用い
ることにより磁気抵抗効果膜９０に通電できる電流密度
を大きくでき、磁気抵抗効果型磁気ヘッドを高感度とす
るのに有利である。本実施例にかかわる多層膜３０の
膜厚は、１〜３０ｎｍの範囲が望ましい。図１に示すよ
うに、磁気抵抗効果膜４０は、多層膜３０の上方に形成
される。磁気抵抗効果膜４０は、多層膜３０に乗り上げ
て形成されるため、多層膜３０の膜厚が大の場合には、
磁気抵抗効果膜４０に段切れが生じてしまう。このた
め、多層膜３０は薄い方が望ましく、厚くても３０ｎｍ
以下とすることが望ましい。さらに端部からのバイアス
磁界を有効に伝えるためには、磁気抵抗効果膜４０の膜
厚を多層膜３０の膜厚より大とするほうが望ましい。

【００３６】次に、磁気抵抗効果型磁気ヘッド１の具体
的な製造方法について説明する。

【００３７】なお、下記において、薄膜の形成およびパ
ターニングは、スパッタリング法や蒸着、エッチング、
フォトリソグラフィー法を用いて行なうことができる。

【００３８】最初に、下部シールド膜１０とするＮｉＦ
ｅ合金を基板上に２μｍの厚さに形成し、その後、その
上部に下部ギャップ膜２０とするアルミナを０．３μｍ
の厚さに形成する。そして、この下部シールド膜１０と
下部ギャップ膜２０とを所定の形状に加工する。ここ
で、下部シールド膜１０の端部は、図１に示すように、
基板面に対して傾斜するように加工する。これは、下部
シールド膜１０を覆う形に形成される信号検出電極６０
が、下部シールド膜１０の端部で断線するのを防止する
ためである。次に、下部ギャップ膜２０の上側に０．０
４〜０．２μｍの磁区制御層を形成する。その上方に分
離膜３２を０．００１〜０．０２μｍ、続いて磁気抵抗
効果膜３４を０．００１〜０．０１μｍ形成する。そし
て、分離膜３２と磁気抵抗効果膜３４を所定の位置に形
成する。ここで、分離膜３２と磁気抵抗効果膜３４は、
少なくとも感磁部の位置に配置されるようにリフトオフ
法等により形成する。多層膜３０の形成にあたっては、
磁気抵抗効果膜４０の段切れを防止するため、多層膜３
０の両端部にはテーパを付与した方がよい。次に、磁気
抵抗効果膜３４の上方に磁気抵抗効果膜４０としてＮｉ
Ｆｅ合金膜を０．００５〜０．０３μｍの厚さに形成
し、続いて、シャント膜５０としてＮｂ膜を０．０４μ
ｍの厚さに形成し、ソフト膜５５とするＣｏＺｒＮｂ膜
を０．０４μｍの厚さに形成する。その後、イオンミリ
ング法等の手法により、ソフト膜５５，シャント膜５
０，磁気抵抗効果膜４０を図１の形状に一括加工する。
その後、信号検出電極６０とする金とチタンの二層膜を
０．１μｍの厚さに形成した後、加工し、さらに、その
上部に上部ギャップ膜７０とするアルミナを０．３μｍ
の厚さに形成する。次に、上部磁気シールド膜８０とす
るＮｉＦｅ合金膜を２μｍの厚さに形成し、保護膜とし
てアルミナを形成し、磁気抵抗効果型磁気ヘッド１の作
成を完了する。

【００３９】次に、本発明の他の実施例を説明する。

【００４０】図３は本発明の他の実施例の構成を説明す
る断面図である。

【００４１】本図に示すように磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ド２は、ジルコニアなどの、セラミック基板１０１上に
Ａｌ₂Ｏ₃膜５を形成し、この上に下部シールド膜１０と
してＮｉＦｅ膜、下部ギャップ膜２０としてＡｌ₂Ｏ₃膜
を形成した。この上に、磁区制御膜４５としてＮｉＯ膜
を形成し、イオンミリングにより一部を残して除去す
る。この上に、分離膜３２としてＴａ膜、磁気抵抗効果
膜３４としてＮｉＦｅ膜を二度繰り返して連続積層させ
た複数の多層膜３６を形成し、リフトオフ法により一部
を残して除去する。この上に磁気抵抗効果膜４０として
ＮｉＦｅ膜、シャント膜５０としてＮｂ膜、ソフト膜５
５としてＮｉＦｅＮｂ膜を形成し、この磁気抵抗効果膜
４０、シャント膜５０、ソフト膜５５の三層をイオンミ
リング法により図に示したようにストライプ状にパター
ン化した。この上に、Ｎｂ、Ａｕ、Ｃｒの順に積層した
信号検出電極６０を形成し、エッチングを行った。この
上に、上部ギャップ膜７０としてＡｌ₂Ｏ₃膜、上部シー
ルド８０としてＮｉＦｅ膜を形成した。その上に、保護
膜として図示せざるアルミナを形成し、磁気抵抗効果型
磁気ヘッド２の作成を完了する。

【００４２】なお、本実施例においては多層膜３０中の
分離膜３２に金属系の非磁性材料としてＴａを用いた。
分離膜３２と磁気抵抗効果膜３４を、連続積層させるこ
とにより磁気抵抗効果膜３４の特性を向上させることが
できる。具体的には磁気抵抗効果膜３４の比抵抗を下
げ、結晶方位を揃える等の効果があり、それによって出
力を向上させることができる。

【００４３】図４は本発明の実施例の多層膜の特性を説
明する図表である。

【００４４】本図は横軸に分離膜上の磁気抵抗効果膜と
してのＮｉＦｅ膜厚さ、横軸に磁気抵抗効果膜としての
ＮｉＦｅ膜の比抵抗を示す。本図はＴａ膜上にＮｉＦｅ
膜を形成した場合と、ガラス上にＮｉＦｅ膜を形成した
場合とを示し、Ｔａ膜の場合が比抵抗は小さい。

【００４５】以上に述べた本実施例の磁気抵抗効果型磁
気ヘッドと、この磁気抵抗効果型磁気ヘッドの位置を制
御する磁気ヘッド位置制御装置と、磁気信号が書き込ま
れた磁気ディスクと、磁気ディスクを回転させるスピン
ドルとにより、再生感度が高くバルクハウゼンノイズの
小さい磁気記録装置が得られる。

【００４６】

【発明の効果】本発明によれば、感磁部の磁気抵抗効果
膜と磁区制御膜の間に、磁気的な結合を分離する分離膜
とこの分離膜を被覆する磁気抵抗効果膜とからなる多層
膜を配置したことにより、再生感度を向上させると同時
に、バルクハウゼンノイズを低減する効果が得られる。

【００４７】また、材質的に不安定な分離膜を磁気抵抗
効果膜で被覆することにより、磁気ヘッドの構造を安定
に形成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例の構成を説明する斜視図であ
る。

【図２】図１を磁気記録媒体に対向する面から見た拡大
断面図である。

【図３】本発明の他の実施例の構成を説明する断面図で
ある。

【図４】本発明の実施例の多層膜の特性を説明する図表
である。

【符号の説明】

１磁気抵抗効果型磁気ヘッド２磁気抵抗効果型磁気ヘッド５アルミナ膜１０下部シ−ルド膜２０下部ギャップ膜３０多層膜３２分離膜３４磁気抵抗効果膜３６複数の多層膜４０磁気抵抗効果膜４５磁区制御膜５０シャント膜５５ソフト膜６０信号検出電極７０上部ギャップ膜８０上部シ−ルド膜９０磁気抵抗効果膜１０１基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者田所茂茨城県日立市大みか町七丁目１番１号株式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者芦田栄次茨城県日立市大みか町七丁目１番１号株式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者府山盛明茨城県日立市大みか町七丁目１番１号株式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者小林哲夫神奈川県小田原市国府津2880番地株式会社日立製作所ストレージシステム事業部内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】磁気抵抗効果を用いて磁気信号を電気信
号に変換する第１の磁気抵抗効果膜と、該第１の磁気抵
抗効果膜に電流を流す一対の電極と、前記磁気抵抗効果
膜に密着して磁区を制御する磁区制御膜とを備えた磁気
抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、前記一対の電極が配置
された感磁部で前記第１の磁気抵抗効果膜と前記磁区制
御膜の間に、磁気的な結合を分離する分離膜と、該分離
膜を被覆する第２の磁気抵抗効果膜とからなる多層膜を
配置したことを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
【請求項２】磁気抵抗効果を用いて磁気信号を電気信
号に変換する第１の磁気抵抗効果膜と、該第１の磁気抵
抗効果膜に電流を流す一対の電極と、前記磁気抵抗効果
膜に密着して磁区を制御する磁区制御膜とを備えた磁気
抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、前記一対の電極が配置
された感磁部で前記第１の磁気抵抗効果膜と前記磁区制
御膜の間に、磁気的な結合を分離する分離膜と、該分離
膜を被覆する第２の磁気抵抗効果膜とからなる多層膜を
複数配置したことを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ド。
【請求項３】磁気抵抗効果を用いて磁気信号を電気信
号に変換する磁気抵抗効果膜と、該磁気抵抗効果膜に電
流を流す一対の電極と、前記磁気抵抗効果膜に密着して
磁区を制御する磁区制御膜とを備えた磁気抵抗効果型磁
気ヘッドにおいて、前記一対の電極が配置された感磁部
における前記磁気抵抗効果膜の厚さが感磁部以外で前記
磁区制御膜と密着している部分の前記磁気抵抗効果膜の
厚さよりも厚いことを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッド。
【請求項４】請求項１から請求項３項のうちの何れか
の請求項に記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッドと、該磁気
抵抗効果型磁気ヘッドの位置を制御する磁気ヘッド位置
制御装置と、磁気信号が書き込まれた磁気ディスクと、
該磁気ディスクを回転させるスピンドルとを備えたこと
を特徴とする磁気記録装置。