JP2853675B2 - 磁気抵抗効果型読み取り変換器及びその製造方法 - Google Patents
磁気抵抗効果型読み取り変換器及びその製造方法Info
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- JP2853675B2 JP2853675B2 JP25908996A JP25908996A JP2853675B2 JP 2853675 B2 JP2853675 B2 JP 2853675B2 JP 25908996 A JP25908996 A JP 25908996A JP 25908996 A JP25908996 A JP 25908996A JP 2853675 B2 JP2853675 B2 JP 2853675B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体に記
録された信号情報を磁気抵抗効果を用いて読み取る磁気
抵抗効果型読み取り変換器（以下、「ＭＲ変換器」とい
う。）及びその製造方法に関する。
録された信号情報を磁気抵抗効果を用いて読み取る磁気
抵抗効果型読み取り変換器（以下、「ＭＲ変換器」とい
う。）及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】かかるＭＲ変換器では、バルクハウゼン
ノイズの抑制及び動作領域の線形性保持のため、２種類
のバイアス磁界が印加される。その１つは、磁気抵抗効
果膜（以下、「ＭＲ膜」という。）の磁化容易軸方向に
対して垂直な方向に印加される横バイアス磁界である。
この横バイアス磁界を発生する横バイアス膜は、ＭＲ膜
に非磁性膜を介して設置される。もう一つは、ＭＲ膜の
磁区安定性制御のために印加される縦バイアス磁界であ
る。この縦バイアス磁界を発生する縦バイアス膜は、Ｍ
Ｒ膜の両端部に設置される。
ノイズの抑制及び動作領域の線形性保持のため、２種類
のバイアス磁界が印加される。その１つは、磁気抵抗効
果膜（以下、「ＭＲ膜」という。）の磁化容易軸方向に
対して垂直な方向に印加される横バイアス磁界である。
この横バイアス磁界を発生する横バイアス膜は、ＭＲ膜
に非磁性膜を介して設置される。もう一つは、ＭＲ膜の
磁区安定性制御のために印加される縦バイアス磁界であ
る。この縦バイアス磁界を発生する縦バイアス膜は、Ｍ
Ｒ膜の両端部に設置される。
【０００３】縦バイアス磁界を印加する方法としては、
Ｎｉ−Ｆｅ合金からなる強磁性材料の上にＭｎ−Ｆｅ合
金若しくはＮｉ−Ｍｎ合金からなる反強磁性材料を積層
し、強磁性膜と反強磁性膜との交換結合により縦バイア
ス磁界を印加するもの、又は、縦バイアス膜としてＣｏ
−Ｃｒ−Ｐｔ合金からなる硬質磁性膜により縦バイアス
磁界を印加するものが知られている（特開平３−１２５
３１１号公報、特開平７−５７２２３号公報）。
Ｎｉ−Ｆｅ合金からなる強磁性材料の上にＭｎ−Ｆｅ合
金若しくはＮｉ−Ｍｎ合金からなる反強磁性材料を積層
し、強磁性膜と反強磁性膜との交換結合により縦バイア
ス磁界を印加するもの、又は、縦バイアス膜としてＣｏ
−Ｃｒ−Ｐｔ合金からなる硬質磁性膜により縦バイアス
磁界を印加するものが知られている（特開平３−１２５
３１１号公報、特開平７−５７２２３号公報）。
【０００４】前記公報では、ＭＲ膜及び横バイアス膜
（Ｓｏｆｔ Ａｄｊａｃｅｎｔ Ｌａｙｅｒ。以下、
「ＳＡＬ膜」という。）がＭＲ変換器の能動領域にのみ
形成されており、その能動領域の両端部に縦バイアス膜
が設置されている。これらの構成ではＭＲ膜及びＳＡＬ
膜と縦バイアス膜とが電気的及び磁気的に接続されてい
ることが必要である。前記公報では、能動領域のＭＲ
膜、非磁性膜、ＳＡＬ膜をフォトレジストからなるステ
ンシルマスクによりカバーし、カバーされていない部分
をイオンミリングによりエッチングし、さらにそのステ
ンシルマスクを用いて縦バイアス磁界を提供するための
硬質磁性膜をリフトオフにより形成する。このリフトオ
フにより残された縦バイアス膜が能動領域平坦部に被覆
する領域は、０〜０．１μｍの範囲とすることが望まし
いとされている。
（Ｓｏｆｔ Ａｄｊａｃｅｎｔ Ｌａｙｅｒ。以下、
「ＳＡＬ膜」という。）がＭＲ変換器の能動領域にのみ
形成されており、その能動領域の両端部に縦バイアス膜
が設置されている。これらの構成ではＭＲ膜及びＳＡＬ
膜と縦バイアス膜とが電気的及び磁気的に接続されてい
ることが必要である。前記公報では、能動領域のＭＲ
膜、非磁性膜、ＳＡＬ膜をフォトレジストからなるステ
ンシルマスクによりカバーし、カバーされていない部分
をイオンミリングによりエッチングし、さらにそのステ
ンシルマスクを用いて縦バイアス磁界を提供するための
硬質磁性膜をリフトオフにより形成する。このリフトオ
フにより残された縦バイアス膜が能動領域平坦部に被覆
する領域は、０〜０．１μｍの範囲とすることが望まし
いとされている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】信号情報の高密度化に
伴い能動領域の幅が狭くなると、能動領域における縦バ
イアス膜被覆領域の占める割合が大きくなる。これによ
り、縦バイアス磁界の強さが一定以上に強くなると、縦
バイアス磁界はＳＡＬ膜による横バイアス磁界の効果に
支障をきたすような働きを示す。このような状況の下で
は、ＭＲ膜の磁化の回転がスムーズでなくなり、さらに
能動領域端部で磁区が単一化されなくなる。そのため、
前述したＭＲ膜のＲ−Ｈループにはヒステリシスやバル
クハウゼンジャンプが現れ、信号を読み出す際のノイズ
の要因の一つになるという問題点があった。
伴い能動領域の幅が狭くなると、能動領域における縦バ
イアス膜被覆領域の占める割合が大きくなる。これによ
り、縦バイアス磁界の強さが一定以上に強くなると、縦
バイアス磁界はＳＡＬ膜による横バイアス磁界の効果に
支障をきたすような働きを示す。このような状況の下で
は、ＭＲ膜の磁化の回転がスムーズでなくなり、さらに
能動領域端部で磁区が単一化されなくなる。そのため、
前述したＭＲ膜のＲ−Ｈループにはヒステリシスやバル
クハウゼンジャンプが現れ、信号を読み出す際のノイズ
の要因の一つになるという問題点があった。
【０００６】
【発明の目的】そこで、本発明の主たる目的は、能動領
域の幅が狭くなっても、ＭＲ特性に磁気的不安定性が生
じない、ＭＲ変換器及びその製造方法を提供することに
ある。
域の幅が狭くなっても、ＭＲ特性に磁気的不安定性が生
じない、ＭＲ変換器及びその製造方法を提供することに
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係るＭＲ変換器
は、ＭＲ膜に横バイアス磁界を印加するための横バイア
ス膜が非磁性膜を介して前記ＭＲ膜の能動領域に設けら
れ、前記ＭＲ膜に縦バイアス磁界を印加するための縦バ
イアス膜が前記能動領域の両端部に設けられてなるＭＲ
変換器を改良したものである。その改良点とは、次の二
つである。（１）前記横バイアス膜、前記非磁性膜及び
ＭＲ膜が、この順に断面等脚台形状に積層された積層体
となっていること。（２）前記ＭＲ膜の上辺端から前記
縦バイアス膜端縁までの水平距離であるリセス量ｄと、
前記ＭＲ膜の能動領域の幅Ｔｗとの比が、０≦ｄ／Ｔｗ
≦０．１２５の範囲にあること。
は、ＭＲ膜に横バイアス磁界を印加するための横バイア
ス膜が非磁性膜を介して前記ＭＲ膜の能動領域に設けら
れ、前記ＭＲ膜に縦バイアス磁界を印加するための縦バ
イアス膜が前記能動領域の両端部に設けられてなるＭＲ
変換器を改良したものである。その改良点とは、次の二
つである。（１）前記横バイアス膜、前記非磁性膜及び
ＭＲ膜が、この順に断面等脚台形状に積層された積層体
となっていること。（２）前記ＭＲ膜の上辺端から前記
縦バイアス膜端縁までの水平距離であるリセス量ｄと、
前記ＭＲ膜の能動領域の幅Ｔｗとの比が、０≦ｄ／Ｔｗ
≦０．１２５の範囲にあること。
【０００８】上記の範囲では、ＭＲ膜の能動領域の平坦
部に縦バイアス膜が被覆されることはない。そのため、
能動領域の幅が狭くなっても、能動領域に対する縦バイ
アス膜被覆領域の占める割合は大きくならない。したが
って、ＭＲ特性の磁気的不安定性は生じないので、信号
情報の再生特性が優れたものなる。
部に縦バイアス膜が被覆されることはない。そのため、
能動領域の幅が狭くなっても、能動領域に対する縦バイ
アス膜被覆領域の占める割合は大きくならない。したが
って、ＭＲ特性の磁気的不安定性は生じないので、信号
情報の再生特性が優れたものなる。
【０００９】また、上記の範囲に加え、前記積層体の底
辺と脚とのなす内角（以下、「テーパ角度」という。）
θｔが、５ｄｅｇ≦θｔ≦４０ｄｅｇの範囲にあるもの
としてもよい。この場合は、テーパ接続による電気抵抗
の上昇等の不都合も防げるので、信号情報の再生特性が
より優れたものなる。
辺と脚とのなす内角（以下、「テーパ角度」という。）
θｔが、５ｄｅｇ≦θｔ≦４０ｄｅｇの範囲にあるもの
としてもよい。この場合は、テーパ接続による電気抵抗
の上昇等の不都合も防げるので、信号情報の再生特性が
より優れたものなる。
【００１０】このようなＭＲ変換器は、次の順序で製造
することが、容易性及び確実性の点から好ましい。．
前記横バイアス膜、前記非磁性膜及びＭＲ膜をこの順に
積層する。．このＭＲ膜上に断面Ｔ字状のステンシル
マスクをフォトレジストにより形成する。．このステ
ンシルマスク及びイオンミリングにより前記積層体を形
成する。．この積層体及び前記ステンシルマスク上に
縦バイアス膜を被着する。．当該ステンシルマスクを
リフトオフにより除去する。
することが、容易性及び確実性の点から好ましい。．
前記横バイアス膜、前記非磁性膜及びＭＲ膜をこの順に
積層する。．このＭＲ膜上に断面Ｔ字状のステンシル
マスクをフォトレジストにより形成する。．このステ
ンシルマスク及びイオンミリングにより前記積層体を形
成する。．この積層体及び前記ステンシルマスク上に
縦バイアス膜を被着する。．当該ステンシルマスクを
リフトオフにより除去する。
【００１１】
【発明の実施の形態】図１は、本発明に係るＭＲ変換器
の一実施形態を示す断面図である。図２は、図１のＭＲ
変換器の製造方法の一実施形態を示す断面図である。以
下、これらの図面に基づき説明する。なお、図１及び図
２では、説明の都合上、膜厚方向を拡大して示してい
る。
の一実施形態を示す断面図である。図２は、図１のＭＲ
変換器の製造方法の一実施形態を示す断面図である。以
下、これらの図面に基づき説明する。なお、図１及び図
２では、説明の都合上、膜厚方向を拡大して示してい
る。
【００１２】本実施形態のＭＲ変換器は、ＭＲ膜６に横
バイアス磁界を印加するためのＳＡＬ膜４が非磁性膜５
を介してＭＲ膜６の能動領域１０に設けられ、ＭＲ膜６
に縦バイアス磁界を印加するための縦バイアス膜８が能
動領域１０の両端部１０ａ，１０ｂに設けられてなるも
のである。そして、ＳＡＬ膜４、非磁性膜５及びＭＲ膜
６は、この順に断面等脚台形状に積層された積層体１１
を形成している。縦バイアス膜８の端縁付近は、リセス
構造となっている。
バイアス磁界を印加するためのＳＡＬ膜４が非磁性膜５
を介してＭＲ膜６の能動領域１０に設けられ、ＭＲ膜６
に縦バイアス磁界を印加するための縦バイアス膜８が能
動領域１０の両端部１０ａ，１０ｂに設けられてなるも
のである。そして、ＳＡＬ膜４、非磁性膜５及びＭＲ膜
６は、この順に断面等脚台形状に積層された積層体１１
を形成している。縦バイアス膜８の端縁付近は、リセス
構造となっている。
【００１３】次に、本実施形態のＭＲ変換器の製造方法
について説明する。本実施形態では、ＭＲ変換器がＭＲ
ヘッドの一部として製造される。
について説明する。本実施形態では、ＭＲ変換器がＭＲ
ヘッドの一部として製造される。
【００１４】まず、基体１上に、下シールド膜２、ギャ
ップアルミナ膜３、ＳＡＬ膜４、非磁性膜５、ＭＲ膜６
を順次積層する。下シールド膜２は、例えばＮｉＦｅ等
の磁気シールド材料である。続いて、２層レジストを用
いて断面Ｔ字状のステンシルマスク７を形成する（図２
参照）。続いて、イオンミリングにより、ステンシルマ
スク７に覆われていない部分のＳＡＬ膜４、非磁性膜５
及びＭＲ膜６を除去するとともに、能動領域１０の両端
部１０ａ，１０ｂにテーパ角θｔを形成する。続いて、
ステンシルマスク７を除去せずに縦バイアス膜８を成膜
し、最後にステンシルマスク７をリフトオフにより除去
する（図１参照）。
ップアルミナ膜３、ＳＡＬ膜４、非磁性膜５、ＭＲ膜６
を順次積層する。下シールド膜２は、例えばＮｉＦｅ等
の磁気シールド材料である。続いて、２層レジストを用
いて断面Ｔ字状のステンシルマスク７を形成する（図２
参照）。続いて、イオンミリングにより、ステンシルマ
スク７に覆われていない部分のＳＡＬ膜４、非磁性膜５
及びＭＲ膜６を除去するとともに、能動領域１０の両端
部１０ａ，１０ｂにテーパ角θｔを形成する。続いて、
ステンシルマスク７を除去せずに縦バイアス膜８を成膜
し、最後にステンシルマスク７をリフトオフにより除去
する（図１参照）。
【００１５】上記製造工程において、イオンミリングの
入射角度θｍ及びステンシルマスク７の下層レジスト高
さｈを適宜な値に設定することにより、所望のテーパ形
状を形成できる。また、縦バイアス膜８の成膜時にスパ
ッタガス圧を調整することにより、リフトオフ後に残さ
れる縦バイアス膜８を磁気的不安定性を生じさせないよ
うにリセス量ｄで能動領域１０から窪ませること（リセ
ス）ができる。
入射角度θｍ及びステンシルマスク７の下層レジスト高
さｈを適宜な値に設定することにより、所望のテーパ形
状を形成できる。また、縦バイアス膜８の成膜時にスパ
ッタガス圧を調整することにより、リフトオフ後に残さ
れる縦バイアス膜８を磁気的不安定性を生じさせないよ
うにリセス量ｄで能動領域１０から窪ませること（リセ
ス）ができる。
【００１６】図３は、リセス量ｄとＭＲ膜６のヒステリ
シスとの関係を示すグラフである。以下、図１乃至図３
に基づき説明する。
シスとの関係を示すグラフである。以下、図１乃至図３
に基づき説明する。
【００１７】図３に示すデータは、能動領域１０の幅Ｔ
ｗを２μｍ、ステンシルマスク７の下層レジスト高さｈ
を０．２μｍ、イオンミリング時の入射角度θｍを２５
ｄｅｇと一定にした場合のものである。リセス量ｄは、
縦バイアス膜８の成膜時に、スパッタガス圧を調整する
ことにより変化させている。
ｗを２μｍ、ステンシルマスク７の下層レジスト高さｈ
を０．２μｍ、イオンミリング時の入射角度θｍを２５
ｄｅｇと一定にした場合のものである。リセス量ｄは、
縦バイアス膜８の成膜時に、スパッタガス圧を調整する
ことにより変化させている。
【００１８】図３から明らかなように、リセス量ｄが−
０．０５μｍ以下又は＋０．２５μｍ以上の範囲では、
ヒステリシスが増加するので、信号再生時にノイズが増
加することになる。
０．０５μｍ以下又は＋０．２５μｍ以上の範囲では、
ヒステリシスが増加するので、信号再生時にノイズが増
加することになる。
【００１９】図４は、テーパ角度θｔとＭＲ膜６の抵抗
値との関係を示すグラフである。以下、図１、図２及び
図４に基づき説明する。
値との関係を示すグラフである。以下、図１、図２及び
図４に基づき説明する。
【００２０】図４に示すデータは、能動領域１０の幅Ｔ
ｗを２μｍ、ステンシルマスク７の下層レジスト高さｈ
を０．２μｍ、リセス量ｄを＋０．０５μｍと一定にし
た場合のものである。テーパ角度θｔは、イオンミリン
グ時の入射角度θｍを調整することにより変化させてい
る。
ｗを２μｍ、ステンシルマスク７の下層レジスト高さｈ
を０．２μｍ、リセス量ｄを＋０．０５μｍと一定にし
た場合のものである。テーパ角度θｔは、イオンミリン
グ時の入射角度θｍを調整することにより変化させてい
る。
【００２１】図４から明らかなように、テーパ角度θｔ
がθｔ＞４０ｄｅｇの範囲では、テーパ形状の端部１０
ａ，１０ｂと縦バイアス膜８との接触面積の減少に伴
う、ＭＲ膜６の抵抗値の増加が認められる。
がθｔ＞４０ｄｅｇの範囲では、テーパ形状の端部１０
ａ，１０ｂと縦バイアス膜８との接触面積の減少に伴
う、ＭＲ膜６の抵抗値の増加が認められる。
【００２２】図５は、テーパ角度θｔとＭＲ膜６の半値
幅及びバイアスポイントとの関係を示すグラフである。
以下、図１、図２及び図５に基づき説明する。
幅及びバイアスポイントとの関係を示すグラフである。
以下、図１、図２及び図５に基づき説明する。
【００２３】図５に示すデータは、能動領域１０の幅Ｔ
ｗを２μｍ、ステンシルマスク７の下層レジスト高さｈ
を０．２μｍ、リセス量ｄを＋０．０５μｍと一定にし
た場合のものである。テーパ角度θｔは、イオンミリン
グ時の入射角度θｍを調整することにより変化させてい
る。
ｗを２μｍ、ステンシルマスク７の下層レジスト高さｈ
を０．２μｍ、リセス量ｄを＋０．０５μｍと一定にし
た場合のものである。テーパ角度θｔは、イオンミリン
グ時の入射角度θｍを調整することにより変化させてい
る。
【００２４】図５から明らかなように、テーパ角度θｔ
がθｔ＜５ｄｅｇ及びθｔ＞４０ｄｅｇの範囲では、半
値幅の減少及びバイアスポイントの増加がみられるの
で、再生信号のＳ／Ｎが劣化することがわかる。
がθｔ＜５ｄｅｇ及びθｔ＞４０ｄｅｇの範囲では、半
値幅の減少及びバイアスポイントの増加がみられるの
で、再生信号のＳ／Ｎが劣化することがわかる。
【００２５】図３〜図５に示した例では、能動領域１０
の幅Ｔｗを２μｍに固定し、能動領域１０の両端部１０
ａ，１０ｂへの縦バイアス膜８の被覆量を変化させた場
合のＲ−Ｈ特性の振る舞いについて述べた。しかしなが
ら、記録密度の高密度化に伴い幅Ｔｗがより小さくなる
と、両端部１０ａ，１０ｂへの縦バイアス膜８の被覆量
もそれに応じてより少なくする必要がある。図３に示し
たリセス量ｄを能動領域１０の幅Ｔｗで規格化した値で
示すと、０≦ｄ／Ｔｗ≦０．１２５となる範囲がヒステ
リシスの量が最も小さい値となる。
の幅Ｔｗを２μｍに固定し、能動領域１０の両端部１０
ａ，１０ｂへの縦バイアス膜８の被覆量を変化させた場
合のＲ−Ｈ特性の振る舞いについて述べた。しかしなが
ら、記録密度の高密度化に伴い幅Ｔｗがより小さくなる
と、両端部１０ａ，１０ｂへの縦バイアス膜８の被覆量
もそれに応じてより少なくする必要がある。図３に示し
たリセス量ｄを能動領域１０の幅Ｔｗで規格化した値で
示すと、０≦ｄ／Ｔｗ≦０．１２５となる範囲がヒステ
リシスの量が最も小さい値となる。
【００２６】以上のことから、リセス量ｄが能動領域１
０の幅Ｔｗに対して０≦ｄ／Ｔｗ≦０．１２５の範囲に
あり、かつ、能動領域１０の両端部１０ａ，１０ｂがテ
ーパ形状を有しており、そのテーパ角度θｔが５ｄｅｇ
≦θｔ≦４０ｄｅｇの範囲に設定することにより、ＭＲ
特性に劣化のない最も優れたＭＲ変換器を提供できる。
０の幅Ｔｗに対して０≦ｄ／Ｔｗ≦０．１２５の範囲に
あり、かつ、能動領域１０の両端部１０ａ，１０ｂがテ
ーパ形状を有しており、そのテーパ角度θｔが５ｄｅｇ
≦θｔ≦４０ｄｅｇの範囲に設定することにより、ＭＲ
特性に劣化のない最も優れたＭＲ変換器を提供できる。
【００２７】なお、ＭＲ膜６は、ＮｉＦｅ等の強磁性材
料である。スペーサである非磁性膜５は、Ｔａの他に、
Ｔｉ，Ｓｉ，ＴａＯｘ，Ａｌ０ｘ，ＳｉＯｘ，ＳｉＮ
ｘ，ＴｉＯｘ等でもよい。ＳＡＬ膜４は、ＣｏＺｒＭｏ
の他に、ＮｉＦｅＲｈ，ＮｉＦｅ，ＮｉＦｅＣｏ等の軟
磁性材料であれば同様の効果が得られる。縦バイアス膜
８は、ＣｏＣｒＰｔの他に、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＰｔ等
の硬質磁性材料、又は、ＭｎＦｅやＭｎＮｉなどの反強
磁性材料層がＮｉＦｅなどの強磁性材料層をオーバレイ
して接触した構造でも同様の効果が得られる。
料である。スペーサである非磁性膜５は、Ｔａの他に、
Ｔｉ，Ｓｉ，ＴａＯｘ，Ａｌ０ｘ，ＳｉＯｘ，ＳｉＮ
ｘ，ＴｉＯｘ等でもよい。ＳＡＬ膜４は、ＣｏＺｒＭｏ
の他に、ＮｉＦｅＲｈ，ＮｉＦｅ，ＮｉＦｅＣｏ等の軟
磁性材料であれば同様の効果が得られる。縦バイアス膜
８は、ＣｏＣｒＰｔの他に、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＰｔ等
の硬質磁性材料、又は、ＭｎＦｅやＭｎＮｉなどの反強
磁性材料層がＮｉＦｅなどの強磁性材料層をオーバレイ
して接触した構造でも同様の効果が得られる。
【００２８】また、反強磁性層／ピンニング層／中間層
／フリー層の構成で知られるスピンバルブ（ＳＶ）読み
取り変換器においても、磁区制御のために硬質磁性層又
は反強磁性材料層に強磁性層がオーバレイして接触した
バイアス層の形状が必要であり、これらの構成において
も上述したようなテーパ接続を行うことにより同様の効
果が得られる。
／フリー層の構成で知られるスピンバルブ（ＳＶ）読み
取り変換器においても、磁区制御のために硬質磁性層又
は反強磁性材料層に強磁性層がオーバレイして接触した
バイアス層の形状が必要であり、これらの構成において
も上述したようなテーパ接続を行うことにより同様の効
果が得られる。
【００２９】
【発明の効果】請求項１記載のＭＲ変換器によれば、横
バイアス膜、非磁性膜及びＭＲ膜が断面等脚台形状の積
層体となっており、リセス量ｄと能動領域の幅Ｔｗとの
比が０≦ｄ／Ｔｗ≦０．１２５の範囲にあるので、ＭＲ
膜の能動領域の平坦部に縦バイアス膜が被覆されない構
造にできる。そのため、記録密度の向上により能動領域
の幅が狭くなっても、能動領域に対する縦バイアス膜被
覆領域の占める割合は大きくならないことから、ＭＲ特
性の磁気的不安定性を防止できるので、信号情報の再生
特性を向上できる。
バイアス膜、非磁性膜及びＭＲ膜が断面等脚台形状の積
層体となっており、リセス量ｄと能動領域の幅Ｔｗとの
比が０≦ｄ／Ｔｗ≦０．１２５の範囲にあるので、ＭＲ
膜の能動領域の平坦部に縦バイアス膜が被覆されない構
造にできる。そのため、記録密度の向上により能動領域
の幅が狭くなっても、能動領域に対する縦バイアス膜被
覆領域の占める割合は大きくならないことから、ＭＲ特
性の磁気的不安定性を防止できるので、信号情報の再生
特性を向上できる。
【００３０】請求項２記載のＭＲ変換器によれば、テー
パ角度θｔが５ｄｅｇ≦θｔ≦４０ｄｅｇの範囲にある
ことにより、テーパ接続による電気抵抗の上昇等の不都
合も防止でき、信号情報の再生特性をより向上できる。
パ角度θｔが５ｄｅｇ≦θｔ≦４０ｄｅｇの範囲にある
ことにより、テーパ接続による電気抵抗の上昇等の不都
合も防止でき、信号情報の再生特性をより向上できる。
【００３１】請求項３記載のＭＲ変換器の製造方法によ
れば、断面Ｔ字状のステンシルマスクをフォトレジスト
により形成し、このステンシルマスク及びイオンミリン
グにより積層体を形成し、縦バイアス膜を被着後にステ
ンシルマスクをリフトオフすることにより、容易かつ確
実に本発明に係るＭＲ変換器を製造できる。
れば、断面Ｔ字状のステンシルマスクをフォトレジスト
により形成し、このステンシルマスク及びイオンミリン
グにより積層体を形成し、縦バイアス膜を被着後にステ
ンシルマスクをリフトオフすることにより、容易かつ確
実に本発明に係るＭＲ変換器を製造できる。
【図１】本発明に係るＭＲ変換器の一実施形態を示す断
面図である。
面図である。
【図２】図１のＭＲ変換器の製造方法の一実施形態を示
す断面図である。
す断面図である。
【図３】図１のＭＲ変換器における、リセス量とＭＲ膜
のヒステリシスとの関係を示すグラフである。
のヒステリシスとの関係を示すグラフである。
【図４】図１のＭＲ変換器における、テーパ角度とＭＲ
膜の抵抗値との関係を示すグラフである。
膜の抵抗値との関係を示すグラフである。
【図５】図１のＭＲ変換器における、テーパ角度とＭＲ
膜の半値幅及びバイアスポイントとの関係を示すグラフ
である。
膜の半値幅及びバイアスポイントとの関係を示すグラフ
である。
４ ＳＡＬ膜（横シールド膜） ５ 非磁性膜 ６ ＭＲ膜（磁気抵抗効果膜） ７ ステンシルマスク ８ 縦バイアス膜 １０ 能動領域 １０ａ，１０ｂ 能動領域の端部 １１ 積層体 ｄ リセス量 Ｔｗ 能動領域の幅 θｔ テーパ角度
Claims (3)
- 【請求項１】 磁気抵抗効果膜に横バイアス磁界を印加
するための横バイアス膜が非磁性膜を介して前記磁気抵
抗効果膜の能動領域に設けられ、前記磁気抵抗効果膜に
縦バイアス磁界を印加するための縦バイアス膜が前記能
動領域の両端部に設けられてなる、磁気抵抗効果型読み
取り変換器において、 前記横バイアス膜、前記非磁性膜及び磁気抵抗効果膜
が、この順に断面等脚台形状に積層された積層体となっ
ており、 前記磁気抵抗効果膜の上辺端から前記縦バイアス膜端縁
までの水平距離であるリセス量ｄと、前記磁気抵抗効果
膜の能動領域の幅Ｔｗとの比が、０≦ｄ／Ｔｗ≦０．１
２５の範囲にある、 ことを特徴とする磁気抵抗効果型読み取り変換器。 - 【請求項２】 前記積層体の底辺と脚とのなす内角θｔ
が、５ｄｅｇ≦θｔ≦４０ｄｅｇの範囲にある、 請求項１記載の磁気抵抗効果型読み取り変換器。 - 【請求項３】 前記横バイアス膜、前記非磁性膜及び磁
気抵抗効果膜をこの順に積層し、この磁気抵抗効果膜上
に断面Ｔ字状のステンシルマスクをフォトレジストによ
り形成し、このステンシルマスク及びイオンミリングに
より前記積層体を形成し、この積層体及び前記ステンシ
ルマスク上に縦バイアス膜を被着し、当該ステンシルマ
スクをリフトオフにより除去する、請求項１又は２記載
の磁気抵抗効果型読み取り変換器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25908996A JP2853675B2 (ja) | 1996-09-30 | 1996-09-30 | 磁気抵抗効果型読み取り変換器及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25908996A JP2853675B2 (ja) | 1996-09-30 | 1996-09-30 | 磁気抵抗効果型読み取り変換器及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10105924A JPH10105924A (ja) | 1998-04-24 |
| JP2853675B2 true JP2853675B2 (ja) | 1999-02-03 |
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ID=17329169
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25908996A Expired - Fee Related JP2853675B2 (ja) | 1996-09-30 | 1996-09-30 | 磁気抵抗効果型読み取り変換器及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2853675B2 (ja) |
-
1996
- 1996-09-30 JP JP25908996A patent/JP2853675B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10105924A (ja) | 1998-04-24 |
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