JP2953401B2 - 磁気抵抗効果型複合ヘッドの製造方法 - Google Patents

磁気抵抗効果型複合ヘッドの製造方法

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JP2953401B2
JP2953401B2 JP8264232A JP26423296A JP2953401B2 JP 2953401 B2 JP2953401 B2 JP 2953401B2 JP 8264232 A JP8264232 A JP 8264232A JP 26423296 A JP26423296 A JP 26423296A JP 2953401 B2 JP2953401 B2 JP 2953401B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、再生用の磁気抵抗
効果型ヘッド（以下、「ＭＲヘッド」という。）と記録
用のインダクティブヘッド（以下、「ＩＤヘッド」とい
う。）とからなる磁気抵抗効果型複合ヘッド（以下、
「ＭＲ複合ヘッド」という。）を製造する方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録媒体の小型化及び大容量化にと
もなって、読み取り用磁気ヘッドと磁気記録媒体の相対
速度が小さくなってきている。そのため、再生出力が速
度に依存しないＭＲヘッドへの期待が高まっている。こ
のＭＲヘッドについては、「ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．ｏ
ｎ Ｍａｇｎ，．ＭＡＧ７（１９７０） １５０」にお
いて「Ａ Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ Ｒ
ｅａｄｏｕｔ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ」として論じられ
ている。
【０００３】最も実用的なＭＲヘッドは、ＩＤヘッドと
ともに用いられるＭＲ複合ヘッドである。ＭＲヘッド
は、図示しないが、二枚の対向する磁気シールド膜Ｓ
１，Ｓ２と、磁気シールド膜Ｓ１，Ｓ２間にあって絶縁
体からなる磁気的分離層を介して存在する磁気抵抗効果
素子とからなる。ＩＤヘッドは、図示しないが、磁気シ
ールド膜Ｓ２からなる磁極Ｐ１と、磁極Ｐ１の磁気抵抗
効果素子と反対側に設けられた磁極Ｐ２と、磁極Ｐ１，
Ｐ２によって絶縁体を介して挟まれたコイルと、磁極Ｐ
１，Ｐ２間に設けられた磁気ギャップＧとからなる。
【０００４】しかしながら、このＭＲ複合ヘッドでは、
記録中にかなり大きいサイドフリンジ磁界が生じる。こ
のサイドフリンジ磁界は、磁極Ｐ１が磁極Ｐ２に比べて
幅広なため、磁極Ｐ２の幅で規定される幅を超えた磁極
Ｐ１の部分への磁束の漏れによって生じる。そして、こ
のサイドフリンジ磁界は、達成できる最小トラック幅を
制限するために、トラック密度の上限を制限する。よっ
て、上記のＭＲ複合ヘッドを用いて高密度記録を達成す
るためには、このサイドフリンジ磁界を小さくすること
が必要である。従来の記録再生用のＩＤヘッドでは、磁
極Ｐ１，Ｐ２の、媒体と対向する面（エアベアリング
面、以下「ＡＢＳ面」という。）におけるトラック幅を
規定するおのおのの側面が、実質的に一致するように形
成されていたため、サイドフリンジ磁界が最小に抑えら
れていた。しかしながら、ＭＲ複合ヘッドでは、トラッ
ク幅を規定する磁極Ｐ２の幅に対して、磁極Ｐ１の幅は
ＭＲ素子をシールドするための機能を必要とするために
Ｐ２に比べて非常に広い幅を有する。この幅の相違が磁
極Ｐ２の幅を越えて横方向にのびるサイドフリンジ磁界
をもたらす。
【０００５】このサイドフリンジ磁界を従来の記録再生
用のＩＤヘッドのように低減する方法が特開平７−２６
２５１９号公報に開示されている。この方法では、図６
に示すように、ＭＲ複合ヘッドにおいて、ＩＤヘッドの
第一の磁極８０と磁気ギャップ膜８２との間に、第二の
磁極８４の側面と一致し磁気的に磁極８０と連続な第三
の磁極８６を設ける。これによって、記録磁界が磁極８
４，８６間に発生するため、サイドフリンジが従来の記
録再生用のＩＤヘッド並みに抑制される。
【０００６】第三の磁極８６を形成する方法は図７の通
りである。ＭＲヘッドの一方の磁気シールド膜を兼ねる
第一の磁性層８０’上に非磁性層８２’を形成し、フォ
トレジストからなるフレーム８８ａ，８８ｂで規定され
たフレームメッキ処理により所定の幅を持つ第二の磁性
層８４’を形成し、磁性層８４’をマスクとしてイオン
ビームミリングにより磁性層８０’を所望の深さエッチ
ングし、磁極８０，８６，８４及び磁気ギャップ膜８２
を形成する。このとき、イオンビームの入射角度を最適
に設定することによって、磁極８６，８４の側面を、磁
極８０と垂直とすることができる。そして、磁極８６を
所望の高さとすることによって、実質的に記録磁束は第
二の磁極８４と第三の磁極８６間で規定され、サイドフ
リンジが従来のＩＤヘッド並みに抑制される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記公報に開示されて
いるＭＲ複合ヘッドの製造方法では、磁極８６を形成す
るためにイオンビームミリングを駆使している。このと
き、磁性層８４’がマスクとしての機能を果たすため、
イオンビームミリングの進行に伴って磁性層８４’の膜
厚が減少する。すなわち、所望の磁極８６を形成すると
同時に所望の磁極８４を得るためには、イオンビームミ
リングによる磁性層８４’の膜厚減少を見込んで磁性層
８４’を形成する必要がある。上記公報に開示されてい
るＭＲ複合ヘッドの製造方法では、フレームメッキ処理
による磁性層８４’の形成のために、フレーム８８ａ，
８８ｂの高さを従来に比べて大幅に高くする必要があっ
た。すなわち、イオンビームミリング後の磁極８４はミ
リング前の磁性層８４’に比べ大幅に膜厚が減少するた
め、記録特性を十分に確保するためには、イオンビーム
ミリング前の磁性層８４’を相当分厚くしなければなら
ない。このときに十分な磁性層８４’厚を確保するため
にフレーム８８ａ，８８ｂを高くすると、フレーム８８
ａ，８８ｂの間隔を狭くすることが困難となる。上記公
報ではこの限界を２μｍとしている。すなわち、上記公
報に開示された方法では、トラック幅２μｍ以下の高密
度記録を実現するＭＲ複合ヘッドの実現が困難であっ
た。
【０００８】
【発明の目的】本発明は、以上に述べたトラック幅の下
限をさらに改善し、さらなる高密度記録を実現するＭＲ
複合ヘッドの製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】図７に示した従来の製造
方法では、磁性層８４’をマスクとしての磁極８６をイ
オンミリングにより形成する際に、磁気ギャップ膜８２
をもイオンビームミリングでパタン化している。磁気ギ
ャップ膜８２となる非磁性層８２’は通常アルミナで形
成されている。このアルミナのミリング速度は磁性層８
４’よりも遅く、磁極８６を形成するためのイオンビー
ムミリングを行う前に、非磁性層８２’を除去するため
に多大なイオンビームミング時間を費やしていた。すな
わち、この非磁性層８２’を除去するためのミリング時
間を無くすることができれば、磁性層８４’の膜厚を大
幅に薄くすることができ、よって、フレーム８８ａ，８
８ｂの高さを低くすることができる。このことは、フレ
ーム８８ａ，８８ｂの間隔をさらに狭くできることに直
結しており、すなわち、より高密度記録のＭＲ複合ヘッ
ドの実現を可能とする。
【００１０】本発明では、以上述べた、磁気ギャップ膜
をパタン化する方法として反応性イオンエッチング（以
下、「ＲＩＥ」という。）を導入する。この方法を実現
するために、第二の磁極（磁極８４）の材料をエッチン
グせずに磁気ギャップ膜の材料のみをエッチングするＲ
ＩＥを適用する。例えば、第二の磁極をＮｉＦｅ合金に
よって形成する場合、ギャップ膜をＳｉＯ2 とすること
によって、ＣＦ4 ガスによるＲＩＥでＳｉＯ2 を選択的
にエッチングすることができる。この方法はまた、磁気
ギャップ膜に隣接して飽和磁化の大きい磁極材料を適用
し、記録効率の高いＩＤヘッドを実現する場合にも適用
できる。
【００１１】以上のＭＲ複合ヘッドの第二の磁極の幅
は、従来の下限である２μｍを下回る１μｍ程度に狭く
できるので、さらなる高密度記録を実現するＭＲ複合ヘ
ッドを提供できる。これは、第三の磁極を形成するイオ
ンビームミリング工程において、多大な時間を要してい
た磁気ギャップ膜のミリング時間が無くなったことか
ら、第二の磁極となる磁性層の膜厚を薄くすることが可
能となったので、第二の磁極を形成するためのフレーム
高さを低くすることが可能となったことによる。
【００１２】
【発明の実施の形態】［実施例１］図１及び図２を用い
て実施例１を説明する。図１はＭＲ複合ヘッドを媒体と
対向するＡＢＳ面から見た断面図である。
【００１３】本実施例のＭＲ複合ヘッドは、ＭＲヘッド
１０の一方の磁気シールド膜を兼ねる平面状の第一の磁
極１２上に、第三の磁極１４、磁気ギャップ膜１６及び
第二の磁極１８がこの順に凸状に積層されてＩＤヘッド
２０が形成されたものであり、磁気ギャンプ膜１６がＳ
ｉＯ2 からなるものである。
【００１４】ＭＲヘッド１０は、磁極１２、他方の磁気
シールド膜１０１、アルミナ膜１０２，１０３、中央領
域１０４、端部領域１０５，１０６等から構成されてい
る。磁極１２及び磁気シールド膜１０１は、ＮｉＦｅ合
金（パーマロイ）により形成され、膜厚は磁気シールド
膜１０１が２μｍ、磁極１２が３μｍである。これらの
磁極１２、磁気シールド膜１０１間に、感磁部である中
央領域１０４と、中央領域１０４に電流と縦バイアス磁
界とを供給する端部領域１０５，１０６が形成されてい
る。中央領域１０４は、ＭＲ効果を有する膜厚１０ｎｍ
のＮｉＦｅ膜、ＮｉＦｅ膜に横バイアス磁界をかけるた
めの膜厚１５ｎｍのＣｏＺｒＭｏ膜、及びＮｉＦｅ膜と
ＣｏＺｒＭｏ膜とを磁気的に分離するための膜厚７ｎｍ
のＴａ膜を、磁気シールド膜１０１側からＣｏＺｒＭ
ｏ、Ｔａ、ＮｉＦｅの順に積層したものである。中央領
域１０４の幅は０．８μｍである。端部領域１０５，１
０６は、中央領域１０４と電気的に接合しており、中央
領域１０４のＮｉＦｅ膜に縦バイアス磁界を供給するＣ
ｏＰｔＣｒ膜１０５ｃ，１０６ｃと、中央領域１０４に
電流を供給するＡｕ膜１０５ｄ，１０６ｄとからなる。
ＣｏＰｔＣｒ膜１０５ｃ，１０６ｃの膜厚は２５ｎｍで
ある。以上の中央領域１０４及び端部領域１０５，１０
６からなるＭＲ素子は、アルミナ膜１０２，１０３で絶
縁されている。アルミナ膜１０３の膜厚は９０ｎｍ、ア
ルミナ膜１０２の膜厚は６５ｎｍである。
【００１５】磁極１２上には、ＭＲ素子の中央領域１０
４と良く目合わせされ、磁極１２と磁気的に連続したＮ
ｉＦｅによる磁極１４を形成する。磁極１４と磁極１２
とでＩＤヘッド２０の一方の磁極を形成し、ＳｉＯ2 の
磁気ギャップ膜１６を介してＮｉＦｅの磁極１８により
他方の磁極を形成する。このとき、磁極１８及び磁極１
４の幅はともに１．１μｍ、厚さは３．５μｍ及び０．
５μｍ、磁気ギャップ膜１６の膜厚は０．２５μｍであ
る。また、ＡＢＳ面から約２μｍ奥にはフォトレジスト
材料によって絶縁されたＣｕコイルが形成され、このコ
イルに電流を流すことによって、ギャップ間に記録磁界
を発生させる。
【００１６】以上の複合型ヘッドの磁極１２より上の部
分の製造方法について、図２を用いて説明する。図２は
製造プロセスをＡＢＳ面から見た断面図である。
【００１７】図２（ａ）は、磁極１２，１４となるＮｉ
Ｆｅ膜１２’上に磁気ギャップ膜１６となるＳｉＯ2 層
１６’をスパッタ成膜し、さらにフォトレジストからな
るフレーム２０ａ，２０ｂを形成した図である。フレー
ム２０ａ，２０ｂは、磁極１８となるＮｉＦｅ膜１８’
を、フレームメッキ処理により形成するためのものであ
る。図２（ａ）には示されていないが、このフレーム２
０ａ，２０ｂを形成する前に、ＡＢＳ面から約２μｍ奥
に、フォトレジスト材料によって絶縁したＣｕコイルを
形成する。図２（ｂ）はフレームメッキにより磁極１８
となるＮｉＦｅ層１８’を形成した図である。図２
（ｃ）はフレーム２０ａ，２０ｂを除去し、ＮｉＦｅ層
１８’をマスクとして、ＳｉＯ2 層１６’をＮｉＦｅ層
１８’と同じ幅にパタン化した図である。このパタン化
の際に、ＳｉＯ2 とＮｉＦｅのエッチングレートに大き
な差を生じさせるＣＦ4 によるＲＩＥを用いた。ＣＦ4
を３０ｓｃｃｍ流し、エッチング室内の真空度を６Ｐａ
とし、高周波プラズマ出力１００Ｗ、直流バイアス電圧
−５００Ｖとすると、ＳｉＯ2 層１６’のエッチング速
度は３５ｎｍ／分であった。このときＮｉＦｅ層１８’
のエッチング速度は１ｎｍ／分であり、２５０ｎｍのＳ
ｉＯ2 層１６’をエッチングする際のＮｉＦｅ層１８’
の膜厚減少はわずか７ｎｍであった。図２（ｄ）（ｅ）
は、さらにＮｉＦｅ層１８’をマスクとしてＮｉＦｅ層
１２’をイオンビームミリングによりエッチングするこ
とにより、磁極１２と、ＮｉＦｅ層１８’の膜厚が減少
してなる磁極１８と、磁極１８と同じ幅を持った磁極１
４とを形成した図である。
【００１８】イオンビームミリングでは、磁極１８のト
ラック幅方向の幅を規定する側面と同一面の側面を持つ
磁極１４を形成する。このとき、イオンビームの入射角
度を３０度として磁極１４の側壁を形成した後に、入射
角度を７０度として磁極１８の側壁の再付着物を除去し
た。磁極１４の側壁は５００ｎｍとし、これだけのミリ
ングを行うために、磁性層１８’は１μｍ膜厚が減少
し、磁極１８の膜厚は３．５μｍとなった。すなわち、
膜厚３．５μｍの磁極１８を得るための磁性層１８’の
膜厚は４．５μｍであり、この磁性層１８’を形成する
ためのフレーム２０ａ，２０ｂの高さは６μｍであり、
このフレーム高さが６μｍと薄くて済むことから、フレ
ーム２０ａ，２０ｂ間の幅は１．１μｍ程度に狭くでき
るようになった。
【００１９】［実施例２］図３及び図４を用いて実施例
２を説明する。ただし、図１又は図２と同一部分は同一
符号を付すことにより重複説明を省略する。図３はＭＲ
複合ヘッドを媒体と対向するＡＢＳ面から見た断面図で
ある。
【００２０】本実施例のＭＲ複合ヘッドは、ＭＲヘッド
１０の磁気シールド膜を兼ねる平面状の第一の磁極１２
上に、第三の磁極１４、磁気ギャップ膜１６、第四の磁
極３０及び第二の磁極１８がこの順に凸状に積層されて
インダクティブヘッド２０が形成され、磁極３０が磁極
１８よりも大きな飽和磁化を有し、磁気ギャンプ膜１６
がＳｉＯ2 からなるものである。
【００２１】磁極１２上にはＭＲ素子の中央領域１０４
と良く目合わせされ、磁極１２と磁気的に連続したＮｉ
Ｆｅによる磁極１４を形成する。磁極１４と磁極１２と
で記録ＩＤヘッド２０の一方の磁極を形成し、ＳｉＯ2
による磁気ギャップ膜１６を介して磁極３０及び磁極１
８の積層構造からなる他方の磁極を形成する。磁極３０
は飽和磁化が１５ＫＧ、比抵抗が１００μΩｃｍ、膜厚
０．５μｍのＣｏＴａＺｒ膜であり、磁極１８は膜厚３
μｍのＮｉＦｅ膜である。このとき磁極１８、磁極１４
及び磁極３０の幅はともに１．１μｍ、磁極１４の厚さ
は０．５μｍ、磁気ギャップ膜１６の膜厚は０．２５μ
ｍである。また、ＡＢＳ面から約２μｍ奥にはフォトレ
ジスト材料によって絶縁されたＣｕコイルが形成され、
このコイルに電流を流すことによって、ギャップ間に記
録磁界を発生させる。
【００２２】以上のＭＲ複合ヘッドの磁極１４より上の
部分の製造方法について、図４を用いて説明する。図４
は製造プロセスをＡＢＳ面から見た断面図である。
【００２３】図４（ａ）は、磁極１２，１４となるＮｉ
Ｆｅ層１２’上に、磁気ギャップ膜１６となる膜厚０．
２５μｍのＳｉＯ2 層１６’、及び磁極３０となる膜厚
０．５μｍのＣｏＴａＺｒ層３０’をスパッタ成膜し、
フォトレジストによるフレーム３２ａ，３２ｂを形成し
た図である。フレーム３２ａ，３２ｂは、磁極１８とな
るＮｉＦｅ層１８’をフレームメッキ処理により形成す
るためのものである。図４（ａ）に示されていないが、
フレーム３２ａ，３２ｂを形成する前に、ＡＢＳ面から
約２μｍ奥に、フォトレジスト材料によって絶縁したＣ
ｕコイルを形成する。図４（ｂ）はフレームメッキによ
りＮｉＦｅ層１８’を形成した図である。図４（ｃ）
は、フレーム３２ａ，３２ｂを除去し、ＮｉＦｅ層１
８’をマスクとしてイオンビームミリングによってＣｏ
ＴａＺｒ層３０’をＮｉＦｅ層１８’と同じ幅にパタン
化することにより、磁極３０を形成した図である。この
とき、イオンビームの入射角度を３０度として磁極３０
の側壁を形成した後に、入射角度を７０度としてＮｉＦ
ｅ層１８’の側壁の再付着物を除去した。磁極３０の側
壁はＣｏＴａＺｒ層３０’の膜厚０．５μｍであり、こ
れだけのミリングを行うために、ＮｉＦｅ層１８’は１
μｍ膜厚が減少した。図４（ｄ）は、ＳｉＯ2 層１６’
をＮｉＦｅ層１８’の幅にパタン化することにより、磁
気ギャップ膜１６を形成した図である。このパタン化の
際に、ＳｉＯ2 とＮｉＦｅのエッチングレートに大きな
差を生じさせるＣＦ4 を用いてＲＩＥを行った。ＣＦ4
を３０ｓｃｃｍ流し、エッチング室内の真空度を６Ｐａ
とし、高周波プラズマ出力１００Ｗ、直流バイアス電圧
−５００Ｖとしたとき、ＳｉＯ2 層１６’のエッチング
速度は３５ｎｍ／分であった。このときのＮｉＦｅ層１
８’のエッチング速度は１ｎｍ／分であり、２５０ｎｍ
のＳｉＯ2 層１６’をエッチングする際のＮｉＦｅ層１
８’の膜厚減少はわずか７ｎｍであった。図４（ｅ）
（ｆ）は、さらにＮｉＦｅ層１８’をマスクとしてＮｉ
Ｆｅ層１２’をイオンビームミリングによりエッチング
することにより、ＮｉＦｅ層１８’の膜厚が減少してな
る磁極１８と、磁極１８と同じ幅を持った磁極１４とを
形成した図である。
【００２４】イオンビームミリングでは、磁極１８のト
ラック幅方向の幅を規定する側面と同一面の側面を持つ
磁極３０を形成し、このとき、イオンビームの入射角度
を３０度として磁極３０の側壁を形成した後に、入射角
度を７０度として磁極１８の側壁の再付着物を除去し
た。磁極１４の側壁は５００ｎｍとし、これだけのミリ
ングを行うために、磁極１８は１μｍ膜厚が減少し、磁
極１８の膜厚は３μｍとなった。すなわち、膜厚３μｍ
の磁極１８を得るためのＮｉＦｅ層１８’の膜厚は５μ
ｍであり、このＮｉＦｅ層１８’を形成するためのフレ
ーム３２ａ，３２ｂの高さは６μｍであり、このフレー
ム高さが６μｍと薄くて済むことから、フレーム３２
ａ，３２ｂ間の幅は１．１μｍ程度に狭く形成できるよ
うになった。
【００２５】［実施例３］図４における第三の磁極１４
の代わりに、高Ｂｓ高比抵抗材料であるＣｏＴａＺｒ層
３４’を用いて第三の磁極３４を形成した場合の製造方
法を図５を用いて説明する。図５は製造プロセスをＡＢ
Ｓ面からの見た断面図である。
【００２６】図５（ａ）は、ＮｉＦｅ層１２’上に、Ｃ
ｏＴａＺｒ層３４’、膜厚０．２５μｍのＳｉＯ2 層１
６’、膜厚０．５μｍのＣｏＴａＺｒ層３０’をスパッ
タ成膜し、さらにフォトレジストによるフレーム３２
ａ，３２ｂを形成した図である。図５（ａ）には示され
ていないが、フレーム３２ａ，３２ｂを形成する前に、
ＡＢＳ面から約２μｍ奥に、フォトレジスト材料によっ
て絶縁したＣｕコイルを形成する。図５（ｂ）はフレー
ムメッキによりＮｉＦｅ層１８’を形成した図である。
図５（ｃ）はフレーム３２ａ，３２ｂを除去し、ＮｉＦ
ｅ層１８’をマスクとして、イオンビームミリングによ
ってＣｏＴａＺｒ層３０’をＮｉＦｅ層１８’と同じ幅
にパタン化することにより磁極３０を形成した図であ
る。このとき、イオンビームの入射角度を３０度として
ＮｉＦｅ層３０’の側壁を形成した後に、入射角度を７
０度としてＮｉＦｅ層１８’の側壁の再付着物を除去し
た。磁極３０の膜厚は０．５μｍであり、これだけのミ
リングを行うために、ＮｉＦｅ層１８’は１μｍ膜厚が
減少した。図５（ｄ）はＳｉＯ2 層１６’をＮｉＦｅ層
１８’の幅にパタン化することにより、磁気ギャップ膜
１６を形成した図である。このパタン化の際に、ＳｉＯ
2 とＮｉＦｅのエッチングレートに大きな差を生じさせ
るＣＦ4 によるＲＩＥを用いた。ＣＦ4 を３０ｓｃｃｍ
流し、エッチング室内の真空度を６Ｐａとし、高周波プ
ラズマ出力１００Ｗ、直流バイアス電圧−５００Ｖとす
ると、ＳｉＯ2 のエッチング速度は３５ｎｍ／分であっ
た。このときのＮｉＦｅのエッチング速度は１ｎｍ／分
であり、２５０ｎｍのＳｉＯ2 をエッチングする際のＮ
ｉＦｅの膜厚減少はわずか７ｎｍであった。図５（ｅ）
（ｆ）は、さらにＮｉＦｅ層１８’をマスクとしてＣｏ
ＴａＺｒ層３４’をイオンビームミリングによりエッチ
ングすることにより、ＮｉＦｅ層１８’の膜厚が減少し
てなる磁極１８と、磁極１８と同じ幅を持った磁極３４
とを形成した図である。
【００２７】イオンビームミリングでは、磁極１８のト
ラック幅方向の幅を規定する側面と同一面の側面を持つ
磁極３４を形成し、かつ、イオンビームの入射角度を３
０度として磁極３４の側壁形成した後に、入射角度を７
０度として磁極１８の側壁の再付着物を除去した。磁極
３４の側壁は５００ｎｍとし、これだけのミリングを行
うために、ＮｉＦｅ層１８’は１μｍ膜厚が減少し、磁
極１８の膜厚は３μｍとなった。すなわち、膜厚３μｍ
の磁極１８を得るためのＮｉＦｅ層１８’の膜厚は５μ
ｍであり、ＮｉＦｅ層１８’を形成するためのフレーム
３２ａ，３２ｂの高さは６μｍであり、このフレーム高
さが６μｍと薄くて済むことから、フレーム３２ａ，３
２ｂ間の幅は１．１μｍ程度に狭く形成できるようにな
った。
【００２８】なお、本発明の実施例１〜３の中で、記録
ギャップ膜近傍に形成する高Ｂｓ膜はＣｏＴａＺｒ膜の
みならず、ＦｅＮ系膜、ＦｅＭＬ系膜（ＭはＴａ，Ｚ
ｒ，Ｎｂ，Ｈｆ，Ｍｏ，Ｔｉから選択される少なくとも
一種類の元素、Ｌは窒素、炭素、ホウ素、酸素から選択
される少なくとも一種類の元素）を主たる成分とする高
Ｂｓ膜でも良い。
【００２９】
【発明の効果】本発明に係るＭＲ複合ヘッドの製造方法
によれば、ギャップ膜をＳｉＯ2 とすることによって、
第二の磁極の膜厚の減少をほとんど伴うことなくギャッ
プ膜を形成できるので、第二の磁極を形成する際のフレ
ームの高さを低くできる。その結果、フレームの間隔を
狭くできるので、より微細に第二の磁極等を加工でき
る。したがって、サイドフリンジ磁束を抑制できるとと
もに、例えば２μｍ以下で１μｍ程度までの狭トラック
記録を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るＭＲ複合ヘッドの実施例１を示す
断面図である。
【図２】図１のＭＲ複合ヘッドの製造方法を示す断面図
であり、図２（ａ）から図２（ｅ）の順に工程が進行す
る。
【図３】本発明に係るＭＲ複合ヘッドの実施例２を示す
断面図である。
【図４】図３のＭＲ複合ヘッドの製造方法を示す断面図
であり、図４（ａ）から図４（ｆ）の順に工程が進行す
る。
【図５】本発明に係るＭＲ複合ヘッドの実施例３の製造
方法を示す断面図であり、図５（ａ）から図５（ｆ）の
順に工程が進行する。
【図６】従来のＭＲ複合ヘッドを示す一部を省略した断
面図である。
【図７】図６のＭＲ複合ヘッドの製造方法を示す断面図
であり、図７（ａ）から図７（ｄ）の順に工程が進行す
る。
【符号の説明】
１０ ＭＲヘッド １２ 第一の磁極 １４，３４ 第三の磁極 １６ 磁気ギャップ膜 １８ 第二の磁極 ２０ ＩＤヘッド ２０ａ，２０ｂ，３２ａ，３２ｂ フレーム ３０ 第四の磁極
フロントページの続き (72)発明者 熊谷 一正 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気 株式会社内 (56)参考文献 特開 平８−129715（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−161226（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−55711（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 5/31 G11B 5/39

Claims (9)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 磁気抵抗効果型ヘッドの磁気シールド膜
    を兼ねる平面状の第一の磁極上に、第三の磁極、磁気ギ
    ャップ膜及び第二の磁極がこの順に凸状に積層されてイ
    ンダクティブヘッドが形成された、磁気抵抗効果型複合
    ヘッドにおいて、 第一の磁性層に非磁性層を積層し、この非磁性層に所定
    幅の第二の磁性層を形成し、この第二の磁性層をマスク
    として反応性イオンエッチングを用いて前記非磁性層を
    前記所定幅とすることにより前記磁気ギャップ膜を形成
    し、イオンビームミリングを用いて前記第一の磁性層か
    ら前記第一及び第三の磁極を形成するとともに前記第二
    の磁性層から前記第二の磁極を形成する、 ことを特徴とする磁気抵抗効果型複合ヘッドの製造方
    法。
  2. 【請求項２】 前記非磁性層がＳｉＯ2 である、請求項
    １記載の磁気抵抗効果型複合ヘッドの製造方法。
  3. 【請求項３】 前記反応性イオンエッチングの反応ガス
    にＣＦ4 を用いる、請求項２記載の磁気抵抗効果型複合
    ヘッドの製造方法。
  4. 【請求項４】 磁気抵抗効果型ヘッドの磁気シールド膜
    を兼ねる平面状の第一の磁極上に、第三の磁極、磁気ギ
    ャップ膜、第四の磁極及び第二の磁極がこの順に凸状に
    積層されてインダクティブヘッドが形成され、前記第四
    の磁極が前記第二の磁極よりも大きな飽和磁化を有す
    る、磁気抵抗効果型複合ヘッドにおいて、 第一の磁性層に非磁性層及び第二の磁性層をこの順に積
    層し、この第二の磁性層上に所定幅の第三の磁性層を形
    成し、この第三の磁性層をマスクとしてイオンビームミ
    リングを用いて前記第二の磁性層を前記所定幅とするこ
    とにより前記第四の磁極を形成し、前記第三の磁性層を
    マスクとして反応性イオンエッチングを用いて前記非磁
    性層を前記所定幅とすることにより前記磁気ギャップ膜
    を形成し、イオンビームミリングを用いて前記第一の磁
    性層から前記第一及び第三の磁極を形成するとともに前
    記第三の磁性層から前記第二の磁極を形成する、 ことを特徴とする磁気抵抗効果型複合ヘッドの製造方
    法。
  5. 【請求項５】 前記非磁性層がＳｉＯ2 である、請求項
    ４記載の磁気抵抗効果型複合ヘッドの製造方法。
  6. 【請求項６】 前記反応性イオンエッチングの反応ガス
    にＣＦ4 を用いる、請求項５記載の磁気抵抗効果型複合
    ヘッドの製造方法。
  7. 【請求項７】 磁気抵抗効果型ヘッドの磁気シールド膜
    を兼ねる平面状の第一の磁極上に、第三の磁極、磁気ギ
    ャップ膜、第四の磁極及び第二の磁極がこの順に凸状に
    積層されてインダクティブヘッドが形成され、前記第三
    の磁極が前記第一の磁極よりも大きな飽和磁化を有し、
    前記第四の磁極が前記第二の磁極よりも大きな飽和磁化
    を有する、磁気抵抗効果型複合ヘッドにおいて、 第一の磁性層に第二の磁性層、非磁性層及び第三の磁性
    層をこの順に積層し、この第三の磁性層上に所定幅の第
    四の磁性層を形成し、この第四の磁性層をマスクとして
    イオンビームミリングを用いて前記第三の磁性層を前記
    所定幅とすることにより前記第四の磁極を形成し、前記
    第四の磁性層をマスクとして反応性イオンエッチングを
    用いて前記非磁性層を前記所定幅とすることにより前記
    磁気ギャップ膜を形成し、イオンビームミリングを用い
    て前記第一の磁性層及び第二の磁性層から前記第一及び
    第三の磁極を形成するとともに前記第四の磁性層から前
    記第二の磁極を形成する、 ことを特徴とする磁気抵抗効果型複合ヘッドの製造方
    法。
  8. 【請求項８】 前記非磁性層がＳｉＯ2 である、請求項
    ７記載の磁気抵抗効果型複合ヘッドの製造方法。
  9. 【請求項９】 前記反応性イオンエッチングの反応ガス
    にＣＦ4 を用いる、請求項８記載の磁気抵抗効果型複合
    ヘッドの製造方法。
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