JPH1131308A - Ｍｒ複合ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents

Ｍｒ複合ヘッドおよびその製造方法

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JPH1131308A
JPH1131308A JP9182279A JP18227997A JPH1131308A JP H1131308 A JPH1131308 A JP H1131308A JP 9182279 A JP9182279 A JP 9182279A JP 18227997 A JP18227997 A JP 18227997A JP H1131308 A JPH1131308 A JP H1131308A
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upper magnetic
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Hiroshi Furusawa
宏 古澤
Mitsugi Yamazawa
貢 山沢
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NEC Ibaraki Ltd
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NEC Ibaraki Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 サイドフリンジを最小化し、オフトラック性
能を改善するため、同一面内に位置合わせされた側壁を
有するＭＲ複合ヘッドにおいて、媒体に信号を記録する
際に必要な磁界を発生させるだけの厚さを有し、その幅
が２μｍ以下である上磁極を有するＭＲ複合ヘッドを提
供する。 【解決手段】 上磁極５の幅５ｗよりもわずかに広い幅
１ｗを有し、記録ギャップ厚さ３ｔ以上の高さ１ｈを有
する下磁極兼上シールド台座部１を記録ギャップ３を形
成する前に形成することにより、記録ギャップ角部４の
厚さが薄くなることを利用して、上磁極５をマスクにし
て、上磁極５と同じ幅で上磁極５と同一面１０内に位置
合わせされた側壁を持つ下磁極兼上シールド台座部１の
切り欠き部８をイオンミリングにて形成する際の上磁極
５の厚さの減少量を減らす。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、位置合わせされた
磁極端を有するＭＲ複合ヘッドおよびその製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】磁気ディスク装置では、記憶媒体である
磁気ディスク媒体と、この磁気ディスク媒体の高速回転
に伴って生じる空気軸受け効果によって浮上支持される
浮動スライダに搭載された電磁変換素子を備える磁気ヘ
ッドとを用いてデータの読み書きを行っている。
【０００３】ところで、近年のパーソナルコンピュータ
等への内蔵記憶装置として、あるいは外部記憶装置とし
ての需要は飛躍的に増加しており、磁気ディスク装置に
対しては小型化，高速化および高記録密度化への強い要
請がある。
【０００４】このため、磁気ディスク装置の主要部であ
る磁気ヘッド，磁気ディスク媒体，位置決めサーボおよ
び信号処理等については高性能化のための改善がはから
れているが、特に、磁気ヘッドにおいては、これまで１
つの電磁変換素子により書き込み（記録）と読み出し
（再生）を行っていたのに対し、最近では、データ書き
込みには、従来方式によるインダクティブ素子を用い、
また、データの読み出しには、出力が磁気ディスク媒体
との相対速度に依存しない磁気抵抗効果を利用したＭＲ
素子を用い、それらを一体化して１つの浮動スライダに
搭載した、いわゆる記録再生分離型のＭＲ複合ヘッドを
用いるのが主流になりつつある。
【０００５】このＭＲ複合ヘッドは、半導体の製造プロ
セスと同様のフォトリソグラフィや微細加工技術を利用
して製造されるが、例えば、特開平７−２６２５１９号
公報には、ＭＲ複合ヘッドおよびその製造方法に関する
技術が開示されている。
【０００６】ここで、従来のＭＲ複合ヘッドおよびその
製造方法について図面を参照して説明する。図５は、従
来のＭＲ複合ヘッドおよびその製造方法の一例を示す図
であって、ＭＲ複合ヘッドにおいて、空気軸受け面に露
出するＭＲ複合ヘッドの磁極端の形状をその製造工程順
に示したものである。
【０００７】従来のＭＲ複合ヘッドは、記録中に発生す
るサイドフリンジ磁界を低減するため、上磁極と同じ幅
で側壁が同一垂直面上に位置合わせされた記録ギャップ
と下磁極兼上シールドの台座部とを有している。
【０００８】また、従来のＭＲ複合ヘッドの製造方法で
は、上磁極と同じ幅に記録ギャップと下磁極兼上シール
ドの台座部分を形成するために、まず、イオンミリング
および化学エッチングを用いて記録ギャップを上磁極の
幅に画定し、次に、イオンミリングにて上磁極をマスク
として下磁極兼上シールドに上磁極と同じ幅で上磁極側
面と同一垂直面上に位置合わせされた側面を持つ下磁極
兼上シールドの台座部分を形成する方法をとる。
【０００９】図５（ａ）〜同図（ｃ）は、記録ギャップ
を上磁極の幅に画定する際にイオンミリングを用いる場
合の製造方法を示したものであって、まず、下磁極兼上
シールド２２の上に記録ギャップ２３を形成した後、上
磁極２４をフレームメッキ法により記録ギャップ２３の
上に形成し、上磁極２４付近以外をフォトレジスト２６
によりカバーしたのち、イオンミリングにより記録ギャ
ップ２３を上磁極の幅に画定する。
【００１０】ここで、記録ギャップ２３がイオンミリン
グにより削られる速度は、上磁極２４が削られる速度よ
りも小さいため、記録ギャップ２３を上磁極の幅に画定
する際に上磁極２４の厚さ（高さ）は大幅に減少する。
すなわち、図５（ａ）は、記録ギャップ２３がイオンミ
リングにより削り取られる前の状態を示し、図５（ｂ）
は、上磁極８をマスクとして記録ギャップ２３をイオン
ミリングにより画定した後の状態を示している（図中の
鎖線はエッチングによって削り取られる部分を表す）。
そして、図５（ａ）に示す工程から図５（ｂ）の示す工
程に進むと、上磁極２４の厚さが薄くなっていることが
判る。
【００１１】次に、図５（ｃ）を参照して、下磁極兼上
シールド２２に上磁極２４の幅で上磁極２４の側面２４
ｓと同一垂直面に位置合わせされた下磁極兼上シールド
台座部２１を、上磁極２４をマスクにしてイオンミリン
グにて形成する。その際に、上磁極２４の厚さはさらに
減少する。
【００１２】すなわち、図５（ｂ）は、下磁極兼上シー
ルド２２に上磁極２４の側面と同一垂直面に位置合わせ
された下磁極兼上シールド台座部２１を、上磁極２４を
マスクにしてイオンミリングにて画定する前の状態であ
り、図５（ｃ）は、上磁極２４をマスクにして下磁極兼
上シールド２２に下磁極兼上シールド台座部２１を画定
した後の状態を示している。
【００１３】また、図５（ｃ）において、上磁極２４の
側壁２４ｓと記録ギャップ２３の側壁２３ｓと下磁極兼
上シールド台座部２１の側壁２１ｓとは、同一面２５内
に位置合わせされている。同様にして、図中、反対側
（左側）のそれぞれの側壁についても、同一面内に位置
合わせされている。
【００１４】次に、図６は、従来のＭＲ複合ヘッドおよ
びその製造方法の別の例を示す図であって、図６（ａ）
〜同図（ｃ）は、図５の場合と同様に、空気軸受け面に
露出するＭＲ複合ヘッドの磁極端の形状をその製造工程
順に示したものである。
【００１５】図６（ａ）〜同図（ｃ）を参照すると、ま
ず、下磁極兼上シールド３２の上に記録ギャップ３３を
形成した後、上磁極３４をフレームメッキ法により記録
ギャップ３３の上に形成し、次に、化学エッチングによ
り記録ギャップ３３を上磁極３４の幅に画定する。
【００１６】この場合、記録ギャップ３３はエッチング
されるが、上磁極３４はエッチングされないような化学
エッチング液を選択することができるので、上磁極３４
の厚さ（高さ）は減少しない。続いて、下磁極兼上シー
ルド３２に上磁極３４の幅で上磁極３４の側面と同一垂
直面に位置合わせされた下磁極兼上シールド台座部３１
を、上磁極３４をマスクにしてイオンミリングにて形成
する。その際に、上磁極３４の厚さは減少する（図中の
鎖線はエッチングによって削り取られる部分を表す）。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のＭＲ複
合ヘッドの製造方法では、ＭＲ複合ヘッドが磁気記録媒
体に信号を記録する際に、上磁極が十分な磁界を発生さ
せるために必要となる厚さよりも上磁極膜厚が薄くなっ
てしまうという欠点がある。
【００１８】その理由として、サイドフリンジ磁界の低
減のために記録ギャップおよび下磁極兼上シールドの台
座部分をイオンミリングにて形成する場合は、あらかじ
めイオンミリングの際のマスクとなる上磁極を、イオン
ミリングにより厚さが減る分だけ厚く形成する必要があ
るが、そのためには上磁極をフレームメッキ法により形
成するためのフォトレジスト膜厚を、必要となる上磁極
の膜厚よりも厚く、かつ、上磁極の所望の幅に形成する
必要があるが、高密度対応となって上磁極の幅が小さく
なるに従い、このようなフォトレジストの形成は困難と
なっている。
【００１９】まず、前者（従来例１）の場合、図５
（ａ）〜同図（ｃ）に示すように、記録ギャップ２３を
上磁極２４の幅に画定するために、イオンミリングによ
り記録ギャップを削る方法を用いると、記録ギャップ２
３がイオンミリングにより削られる速度は、上磁極２４
が削られる速度よりも小さいため、記録ギャップ２３を
上磁極２４の幅に画定する際に上磁極２４の厚さは大幅
に減少する。すなわち、図５（ａ）から図５（ｂ）に進
むに従って、上磁極２４の厚さが大幅に薄くなる。
【００２０】次に、下磁極兼上シールド２２に上磁極２
４の幅で上磁極２４の側面２４ｓと同一面２５に位置合
わせされた下磁極兼上シールド台座部２１を、上磁極２
４をマスクにしてイオンミリングにて形成する。その際
に、上磁極２４の厚さはさらに減少する。このため、磁
気記録媒体に信号を記録する際に記録に十分な磁界を発
生するために必要な上磁極の厚さが確保できなくなる場
合がある。
【００２１】特に、上磁極２４の幅が２ミクロン（μ
ｍ）以下となると、フレームメッキにより形成できる上
磁極２４の厚さは５μｍ程度が最大であり、この場合に
記録ギャップ２３および下磁極兼上シールド台座部２１
の部分を上磁極２４をマスクとしてイオンミリングを行
うと、上磁極２４の膜厚は３μｍ以下となり、必要とな
る膜厚４μｍよりも薄くなるという問題がある。
【００２２】次に、後者（従来例２）の場合の製造方法
では、記録ギャップの側壁および下磁極兼上シールド台
座部分の側壁が上磁極の側壁と同一面上に形成できない
という問題があることである。
【００２３】その理由は、上述した前者（従来例１）の
問題点を回避するために、記録ギャップを上磁極の幅
で、かつ上磁極の側壁と同一垂直面内に側壁ができるよ
う化学エッチングにより形成しようとする場合には、化
学エッチング速度のばらつきにより、記録ギャップ膜の
側壁が上磁極の側壁と同一面となった時点でエッチング
を停止するのは困難であるからである。
【００２４】すなわち、図６（ａ）〜同図（ｃ）に示す
ように、記録ギャップ３３を上磁極３４の幅に画定する
ために、化学エッチングにより記録ギャップ３３を削る
方法を用いると、化学エッチング液による記録ギャップ
３３のエッチング速度のばらつきにより、上磁極３４の
側面３４ｓと同一面３７ａ，同一面３７ｂ内まで記録ギ
ャップ３３の側面が達した際に、化学エッチングを停止
することが困難で、図６（ｂ）に示すように、上磁極３
４の側面３４ｓと同一面３７ａよりも外側に記録ギャッ
プ３３の側面がはみ出てしまうエッチング残り３５や、
上磁極３４の側面３４ｓと同一面３７ｂよりも内側まで
記録ギャップ３３の側面が後退してしまうオーバーエッ
チング３６が発生する。
【００２５】次に、上磁極３４をマスクとして下磁極兼
上シールド３２に上磁極３４の側壁３４ｓと同一面３７
ａ，３７ｂを有する台座部分をイオンミリングにより形
成するが、エッチング残り３５の部分では、はみ出た記
録ギャップ３３がマスクとなるため、下磁極兼上シール
ド台座部３１の側壁３１ｓ（図中左側）は、図６（ｃ）
に示すように、上磁極３４の側壁３４ｓと同一面３７ａ
よりも外側の面３８に形成される。このため、サイドフ
リンジ磁界の低減がなされないという問題が生じる。
【００２６】さらに、記録ギャップ３３のオーバーエッ
チング３６の発生した部分では、下磁極兼上シールド台
座部３１の側壁３１ｓは、上磁極３４の側壁３４ｓと同
一面３７ａ，３７ｂに形成できるが、記録ギャップ３３
のオーバーエッチング３６の箇所がその後の工程におい
ても埋め込まれずに穴となって残り、その穴を通して保
護膜により覆われた素子部分まで異物が入り込み、素子
が腐食する恐れがある。
【００２７】本発明の目的は、上述した課題を解決し上
磁極の側壁および下磁極兼上シールド台座部の側壁が同
一面上となるように位置合わせを行い、特に、高密度磁
気記録に必要となる上磁極の幅が２μｍ以下であるＭＲ
複合ヘッドおよびその製造方法を提供することにある。
【００２８】
【課題を解決するための手段】本発明のＭＲ複合ヘッド
は、空気軸受け面を有する浮動スライダと、この浮動ス
ライダの空気流出端の側面に下シールド，下シールドギ
ャップ，ＭＲ素子，上シールドギャップ，下磁極兼上シ
ールド，記録ギャップ，コイル，コイル絶縁層，および
上磁極を順次積層してなるＭＲ複合ヘッドにおいて、前
記下磁極兼上シールド上の前記空気軸受け面を含む部分
に前記上磁極よりも広い幅で台座を形成し、この台座の
前記空気軸受け面を含む近傍の側壁を前記上磁極の側壁
と同一面を形成するように切り欠かれた形状を有するこ
とを特徴とする。
【００２９】そして、下磁極兼上シールド上の台座部の
幅が、上磁極の幅よりも０．１μｍから２．０μｍ広
く、下磁極兼上シールド上の台座部の高さが、記録ギャ
ップの厚さの２倍以上であることを特徴とする。また、
下磁極兼上シールド上の台座部の切り欠きの深さが、記
録ギャップの厚さの２倍以上であることを特徴とする。
【００３０】さらに、上磁極の幅が２．０μｍ以下、上
磁極の厚さが４．０μｍ以上、記録ギャップの厚さが
０．１μｍから０．４μｍの範囲にあり、前記上磁極の
側壁と同一面を形成する下磁極兼上シールド台座部の切
り欠き深さが０．２μｍから１．２μｍの範囲にあるこ
とを特徴とする。
【００３１】次に、上磁極の記録ギャップ側に、飽和磁
束密度が上磁極の主材料よりも大きな高飽和磁化材料を
積層することを特徴とし、下磁極兼上シールド上の台座
部の記録ギャップ側に、飽和磁束密度が前記下磁極兼上
シールドの主材料よりも大きな高飽和磁化材料を積層す
ることを特徴とする。
【００３２】続いて、ＭＲ複合ヘッド製造方法は、記録
ギャップを形成する前に、下磁極兼上シールド上の空気
軸受け面を含む近傍に上磁極の幅よりも０．１μｍから
２．０μｍ広い幅で台座を形成し、前記上磁極の形成後
に前記上磁極をマスクとして前記台座をエッチングによ
り形成することを特徴とし、このエッチングとして、イ
オンミリング法を用いることを特徴とする。
【００３３】
【発明の実施の形態】次に、本発明の第１の実施の形態
について、図面を参照して詳細に説明する。
【００３４】図１は、本発明によるＭＲ複合ヘッドの製
造方法の第１の実施の形態を示す図であって、製造工程
に従ってＭＲ複合ヘッド（素子）の空気軸受け面に相当
する側から見た磁極端の形状を表し、図１（ａ）〜図１
（ｅ）は、下磁極兼上シールド２よりも上の形状を製造
工程順に示したものである。また、図１（ｆ）は、ＭＲ
複合ヘッド素子の完成後の空気軸受け面に相当する面か
らみた磁極端の形状を示す図である。
【００３５】ＭＲ複合ヘッドは、まず、下シールド７を
形成し、ＭＲ素子６を形成した後、下磁極兼上シールド
２を形成する（図１（ｆ）を参照）。次に、上磁極５の
幅５ｗよりもわずかに広い幅１ｗを有し、記録ギャップ
厚さ３ｔ以上の高さ１ｈを持つ下磁極兼上シールド台座
部１を形成する（図１（ａ）を参照）。
【００３６】さらに、記録ギャップ３を下磁極兼上シー
ルド２および下磁極兼上シールド台座部１の上に形成す
る。このとき、上磁極兼下シールド２は、下磁極兼上シ
ールド台座部１を有するため、記録ギャップ３は下磁極
兼上シールド台座部１の角部の上すなわち記録ギャップ
角部４の厚さが薄くなる（図１（ｂ）を参照）。
【００３７】次に、下絶縁層，コイルおよび上絶縁層
（図示せず）を形成する。その際に記録ギャップ角部４
の厚さはさらに薄くなる。続いて、上磁極５をフレーム
メッキ法にて形成する（図１（ｃ）を参照）。
【００３８】続いて、上磁極５をマスクにして、イオン
ミリングにより記録ギャップ３および下磁極兼上シール
ド台座部１を上磁極５の幅５ｗと同じ幅で切り欠く（図
１（ｄ）を参照）。
【００３９】ここで、図中の鎖線はエッチングによって
削り取られる部分を表すものとする（以降の図面につい
ても同様）。そして、上磁極５の側壁５ｓおよび記録ギ
ャップ３の側壁３ｓおよび下磁極兼上シールド台座部１
の側壁１ｓが同一面１０内となるように形成する（図１
（ｅ）を参照）。
【００４０】次に、本発明の実施の形態について、図１
（ａ）〜図１（ｅ）を再度参照して詳細に説明する。
【００４１】まず、記録ギャップ３を下磁極兼上シール
ド２の上に形成する前に、上磁極５の幅５ｗよりもわず
かに広い幅１ｗを持つ下磁極兼上シールド台座部１を、
下磁極兼上シールド２の上にフォトレジスト等をマスク
としてイオンミリングにより形成する（図１（ａ）を参
照）。
【００４２】このとき、下磁極兼上シールド台座部１の
幅１ｗを上磁極５の幅５ｗよりもわずかに広い幅で形成
する理由は、上磁極５をフレームメッキ法で形成する際
のフォトレジストフレームの位置に多少のばらつきがあ
っても、フォトレジストフレームの端が下磁極兼上シー
ルド台座部１上に形成されるようにするためである。そ
して、下磁極兼上シールド台座部１の幅１ｗは、前記ば
らつきを考慮すると上磁極５の幅５ｗよりも０．１μｍ
から２．０μｍ広いことが望ましく、特に、１．０μｍ
広い場合が最も望ましい。
【００４３】その理由は、図１（ｃ）〜同図（ｅ）の説
明の際に詳細に述べるが、図１（ｃ）に示すように、記
録ギャップ角部４を上磁極５の側壁の下部横に露出させ
るためである。
【００４４】一方、下磁極兼上シールド台座部１の高さ
１ｈは、記録ギャップ厚さ３ｔよりも大きいことが望ま
しい（図１（ａ），（ｃ）を参照）。例えば、記録ギャ
ップ厚さ３ｔが０．１μｍから０．５μｍの範囲にある
場合、下磁極兼上シールド台座部１の高さ１ｈは、０．
１μｍから２μｍの範囲にあることが望ましい。
【００４５】また、特に、下磁極兼上シールド台座部１
の高さ１ｈは、記録ギャップ厚さ３ｔの２倍以上あるこ
とが望ましい。例えば、記録ギャップ厚さ３ｔが０．３
μｍから０．４μｍの場合、下磁極兼上シールド台座部
１の高さ１ｈは１．０μｍ以上であることが望ましい。
【００４６】その理由は、図１（ｅ）の説明の際に詳細
に述べるが、上磁極５と同等の幅で、上磁極５の側壁と
同一面内に位置合わせされた側壁を有する下磁極兼上シ
ールド台座部１の切り欠き部高さ８を記録ギャップ厚さ
３ｔの２倍以上に形成することが容易となるためであ
る。
【００４７】次に、図１（ｂ）に示すように、記録ギャ
ップ３を下磁極兼上シールド２および下磁極兼上シール
ド台座部１の上に形成する。その際、下磁極兼上シール
ド２には下磁極兼上シールド台座部１による段差がある
ため、下磁極兼上シールド台座部１の角部の上の記録ギ
ャップ角部４の厚さ４ｔは、下磁極兼上シールド台座部
１の上の記録ギャップ３よりもその厚さが薄くなる。例
えば、記録ギャップ厚さ３ｔが０．３μｍから０．４μ
ｍの範囲の場合は、記録ギャップ角部４の厚さ４ｔは、
０．２μｍから０．１μｍまで薄くなる。
【００４８】続いて、下絶縁層およびコイルおよび上絶
縁層（図示せず）を形成した後、上磁極５をフレームメ
ッキ法により形成する。上磁極５をフレームメッキ法に
て形成した後、フレームとなったフォトレジストを除去
した後の空気軸受け面側からみた磁極端の形状を図１
（ｃ）に示す。
【００４９】ここで、上磁極５の幅５ｗが２μｍ以下の
場合、上磁極５の厚さ５ｔは、最大５μｍまでしか形成
できない。その理由は、上磁極５をフレームメッキ法を
用いて形成する際に、上磁極５の幅５ｗを２μｍ以下の
幅で形成する際のフレームとなるフォトレジストの膜厚
は、もっとも薄くなる部分で最大５μｍまでしか形成で
きないからである。
【００５０】すなわち、フレームとなるフォトレジスト
の膜厚を、最も薄い部分の膜厚が５μｍ以上となるよう
にすると、上磁極５の幅５ｗとなる部分のフォトレジス
トの厚さが１０μｍ以上となり、上磁極５の幅５ｗが２
μｍ以下に形成できないためである（図示せず）。
【００５１】一方、下絶縁層およびコイルおよび上絶縁
層（いずれも図示せず）を形成する工程で、コイルの形
成の際に実施するイオンミリング加工によって、記録ギ
ャップ角部４の厚さ４ｔは、記録ギャップ厚さ３ｔの１
／５から１／６程度まで薄くなる。例えば、記録ギャッ
プ厚さ３ｔが０．３μｍから０．４μｍの範囲では、記
録ギャップ角部４の厚さ４ｔは０．０８μｍから０．０
５μｍまで薄くなる。
【００５２】その理由は、コイルの形成の際に実施する
イオンミリングは、コイル間の膜を削るために、下磁極
兼上シールド２に対して垂直方向もしくは垂直に近い方
向からイオンビームが入射されるが、その際に、記録ギ
ャップ角部４は、下磁極兼上シールド台座部１があるた
めに、表面の角度が図１（ｂ）に示すように斜めに傾い
た形状となり、イオンビームは、記録ギャップ角部６に
は斜めに入射することになる。
【００５３】ここで、記録ギャップを形成する材料、例
えば、酸化アルミニウムのイオンビーム入射角度に対す
るイオンミリング速度は、垂直方向よりも斜めの方が大
きいので、記録ギャップ角部４は下磁極兼上シールド２
上の記録ギャップよりも多く削り取られるからである。
【００５４】また、図１（ｃ）に示すように、下磁極兼
上シールド台座部１の幅１ｗを、図１（ａ）の説明の際
に述べたように、上磁極５の幅５ｗよりもわずかに広い
幅に形成したので、上磁極５の左右の側壁の下には、記
録ギャップ角部４が露出する。
【００５５】次に、図１（ｄ），図１（ｅ）に示すよう
に、記録ギャップ３および下磁極兼上シールド台座部１
を、上磁極５をマスクとしてイオンミリングにより上磁
極５の幅に画定する。
【００５６】ここで、イオンミリングにより削られる記
録ギャップは、図１（ｃ）に示すように、上磁極５の幅
５ｗよりもわずかに広い幅１ｗにて形成された下磁極兼
上シールド台座部１の角部が上磁極５の下部横にわずか
にはみ出し、記録ギャップ角部４が上磁極５の側壁５ｓ
の下部横に露出する。従って、下磁極兼上シールド台座
部１の上の記録ギャップ厚さ３ｔよりも１／５から１／
６の厚さの記録ギャップ角部４を削り取るのみで、記録
ギャップ３の幅を上磁極５の幅５ｔに画定できる。
【００５７】特に、図１（ａ）の説明の際に述べたよう
に、下磁極兼上シールド台座部１の幅１ｗを上磁極５の
幅５ｗよりも０．１μｍから２．０μｍの幅だけ広く形
成することにより、上磁極５の側壁５ｓの下部横に記録
ギャップ角部４を露出させることができる。さらに、下
磁極兼上シールド台座部１の幅１ｗを上磁極５の幅５ｗ
よりも１．０μｍだけ広く形成することにより、最も確
実に上磁極５の側壁５ｓの下部横に記録ギャップ角部４
を露出させることができる。
【００５８】すなわち、記録ギャップ３を形成する前
に、下磁極兼上シールド台座部１を上磁極５の幅５ｗよ
りもわずかに広い幅に形成することにより、下磁極兼上
シールド台座部１上の記録ギャップ厚さ３ｔよりも１／
５から１／６の厚さの記録ギャップ角部４を上磁極５の
側壁５ｓの下部横に露出することができる。従って、上
磁極５をマスクにして記録ギャップ３を上磁極５の幅５
ｗにイオンミリングにて画定する際のイオンミリング時
間を、従来の１／５から１／６に低減でき、それに伴っ
て記録ギャップ３を上磁極５の幅５ｗにイオンミリング
により画定する際の上磁極５の厚さ５ｔの減少量を、従
来の１／５から１／６に低減できる。
【００５９】次に、記録ギャップ３を上磁極５の幅５ｗ
にイオンミリングにて画定した後、引き続いて、イオン
ミリングにより下磁極兼上シールド台座部１を上磁極８
をマスクにして上磁極５の幅５ｗに画定する。
【００６０】図１（ｅ）は、上磁極５をマスクにして記
録ギャップ３および下磁極兼上シールド台座部１を上磁
極５の幅５ｔにイオンミリングにて画定した後の形状を
示す図である。
【００６１】図１（ｅ）を参照すると、上磁極５をマス
クにして記録ギャップ３および下磁極兼上シールド台座
部１をイオンミリングによって画定することにより、上
磁極５の側壁５ｓと記録ギャップ３の側壁３ｓと下磁極
兼上シールド台座部１の切り欠き部の側壁１ｓは、同一
面１０内に形成することができる。同様に、図中、反対
側（左側）のそれぞれの側壁についても、同一面内に形
成することができる。
【００６２】また、図１（ｅ）において、下磁極兼上シ
ールド台座部１と記録ギャップ３を上磁極５をマスクに
して上磁極５の幅５ｔに画定する際に、下磁極兼上シー
ルド台座部１の切り欠き部の高さ８は、記録ギャップ厚
さ３ｔの２倍以上に形成することが望ましい。その理由
は、記録時におけるフリンジング磁界の広がりを低減で
きるからである。
【００６３】次に、上磁極５をマスクにして記録ギャッ
プ３および下磁極兼上シールド台座部１をイオンミリン
グによって画定する際の上磁極５の膜厚の減少量は、記
録ギャップ３を除去する際の減少量と、下磁極兼上シー
ルド台座部１を上磁極５と同じ幅に切り欠く際の減少量
の和となる。記録ギャップ厚さ３ｔが０．３μｍから
０．４μｍの場合、記録ギャップ３を除去する際の上磁
極５の膜厚減少量は、残っている記録ギャップ３の膜厚
（初期値の１／５から１／６）と、記録ギャップの材料
と磁極材料のイオンミリング時のレート比（約２倍）か
ら、およそ０．１から０．２μｍとなる。
【００６４】また、下磁極兼上シールド台座部１を切り
欠く際の上磁極５の膜厚減少量は、切り欠き部の高さ８
を記録ギャップの２倍以上に設定すると０．６μｍから
０．８μｍとなる。従って、初期の上磁極５の膜厚を５
μｍとすると、記録ギャップ３および下磁極兼上シール
ド台座部１をイオンミリングによって画定し、下磁極兼
上シールド台座部１を上磁極５と同じ幅に切り欠いた後
の上磁極５の膜厚は、４．０μｍから４．３μｍとな
る。
【００６５】本発明のＭＲ複合ヘッドの製造方法を用い
ることにより、上磁極５の幅５ｗが２μｍ以下で、上磁
極５の厚さが４．０μｍ以上あり、かつ、記録ギャップ
厚さ３ｔが０．１μｍから０．４μｍの範囲にあり、か
つ記録ギャップ３および下磁極兼上シールド台座部１の
切り欠き部の側壁１ｓが、上磁極５の側壁５ｓと同一面
に位置合わせされ、かつ下磁極兼上シールド台座部１の
切り欠き部の側壁１ｓが、上磁極５の幅５ｗに形成され
た高さが記録ギャップ厚さ３ｔの０．５倍から４倍の範
囲にあるＭＲ複合ヘッドを提供できる。
【００６６】特に、上磁極５の幅５ｗが２μｍ以下であ
り、上磁極５ｔの厚さが４．０μｍ以上あり、かつ記録
ギャップ厚さ３ｔが０．３μｍから０．４μｍの範囲に
あり、かつ、記録ギャップ３および下磁極兼上シールド
台座部１の切り欠き部の側壁１ｓが上磁極５の側壁５ｓ
と同一面に位置合わせされ、かつ、下磁極兼上シールド
台座部１の側壁１ｓが上磁極５の幅５ｗに形成された切
り欠き部の高さ８が、０．６μｍから０．８μｍ以上あ
るＭＲ複合ヘッドを提供できる。
【００６７】図２は、本発明によるＭＲ複合ヘッドの製
造方法の第２の実施例を示す図であって、ＭＲ複合ヘッ
ド素子の空気軸受け面に相当する側から見た磁極端の形
状を製造工程順に表したものである。なお、図中、図１
と形状および機能が同じものについては、同じ符号，名
称を用いるとともに、重複を避けるため説明を省略した
（後述する図３，図４の説明についても同様）。
【００６８】図２は、図１に示す第１の実施例と同様の
製造方法であるが、本実施例の上磁極は、上磁極５ａ，
５ｂと２つの部材から形成されており、記録ギャップ３
側の上磁極５ｂ（図中下部のもの）は、例えば、ニッケ
ル鉄合金よりも飽和磁束密度の大きい材料からなり、具
体的には、コバルト・ニッケル・鉄合金、もしくはコバ
ルト・タンタル・ジルコニウム合金、もしくはコバルト
・ニオブ・ジルコニウム合金、もしくは窒化鉄、もしく
は鉄・アルミ・シリコン合金を用いている。
【００６９】次に、図３は、本発明によるＭＲ複合ヘッ
ドの製造方法の第３の実施例を示す図であって、ＭＲ複
合ヘッド素子の空気軸受け面に相当する側から見た磁極
端の形状を製造工程順に表したものである。
【００７０】図３は、図１に示す第１の実施例と同様の
製造方法であって、上磁極は図２に示す第２の実施例と
同様に、上磁極５ａ，５ｂと２つの部材から構成されて
おり、記録ギャップ３側の上磁極５ｂは、例えば、ニッ
ケル・鉄合金よりも飽和磁束密度の大きい材料からな
り、具体的には、コバルト・ニッケル・鉄合金、もしく
はコバルト・タンタル・ジルコニウム合金、もしくはコ
バルト・ニオブ・ジルコニウム合金、もしくは窒化鉄、
もしくは鉄・アルミ・シリコン合金を用いている。
【００７１】そして、第３の実施例では、さらに、下磁
極兼上シールド台座部１の部分が、上磁極５ｂのよう
に、ニッケル・鉄合金よりも飽和磁束密度の大きい材料
からなる下磁極兼上シールド台座部１ａから構成されて
おり、例えば、コバルト・ニッケル・鉄合金、もしくは
コバルト・タンタル・ジルコニウム合金、もしくはコバ
ルト・ニオブ・ジルコニウム合金、もしくは窒化鉄、も
しくは鉄・アルミ・シリコン合金を用いている。
【００７２】次に、図４は、本発明によるＭＲ複合ヘッ
ドの第４の実施例を示す図であって、ＭＲ複合ヘッドの
空気軸受け面に相当する側から見た磁極端の形状を表し
た図である。
【００７３】図４（ａ）は、図１と同様の製造方法にて
製造されたＭＲ複合ヘッドの空気軸受け面形状であり、
上磁極５と同一の幅に切り欠かれた下磁極兼上シールド
台座部の切り欠き部高さ８が下磁極兼上シールド台座部
高さ１１と異なっており、初期の下磁極兼上シールド台
座部１の幅と上磁極５と同一の幅に切り欠かれた下磁極
兼上シールド台座部１の幅が異なるために角部１２が生
じている。また、下磁極兼上シールド台座部１をイオン
ミリングにより形成する際に生じる下磁極兼上シールド
２の上磁極によるシャドウに伴い、テーパー部１３が生
じている。
【００７４】ここで、図１（ｄ）および図１（ｅ）に示
した上磁極をマスクとして実施するイオンミリングの時
間を、上磁極５の厚さが所望の厚さよりも薄くならない
範囲で長く採ることにより、図４（ｂ）に示すように、
上磁極５と同一の幅に形成された下磁極兼上シールド台
座部１の切り欠き部高さ９を、下磁極兼上シールド台座
部高さ１１に近づけ、下磁極兼上シールド台座部１をイ
オンミリングにより形成する際に生じる下磁極兼上シー
ルド２の上磁極５によるシャドウに伴うテーパー部１３
との間に、図４（ａ）に示すような角部１２を生じない
形状を製造することができる。
【００７５】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、記録ギャ
ップを形成する前に、上磁極の幅よりもわずかに広く、
かつ記録ギャップの厚さ以上の高さを有する下磁極兼上
シールド台座部を形成することにより、下磁極兼上シー
ルド台座部の角部の記録ギャップの厚さを、下磁極兼上
シールド台座部上の記録ギャップの厚さの１／５から１
／６に薄くし、かつ、記録ギャップの角部を上磁極の側
壁の下部横に露出させることができた。
【００７６】具体的には、上磁極をマスクとして記録ギ
ャップを上磁極の幅で上磁極側壁と同一面内に側壁が形
成されるように、イオンミリングにて画定する際のミリ
ング時間を従来の１／５から１／６に低減し、その際の
上磁極の厚さの減少量を従来の１／５から１／６に低減
した。これにより、上磁極をマスクとして記録ギャップ
および下磁極兼上シールド台座部を上磁極の幅で、その
側面が同一面に位置合わせされた形状にイオンミリング
にて形成する際の上磁極の膜厚の減少量を大幅に低減で
きた。
【００７７】また、上磁極の厚さをあらかじめ薄く形成
できることから、上磁極をフレームメッキ法により形成
する際のフォトレジストの膜厚を薄くすることができ、
それに伴い上磁極の幅のばらつきを低減できた。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるＭＲ複合ヘッドの製造方法の第１
の実施例を示す図である。
【図２】本発明によるＭＲ複合ヘッドの製造方法の第２
の実施例を示す図である。
【図３】本発明によるＭＲ複合ヘッドの製造方法の第３
の実施例を示す図である。
【図４】本発明によるＭＲ複合ヘッドの製造方法の第４
の実施例を示す図である。
【図５】従来のＭＲ複合ヘッドの構造およびその製造方
法の一例を示す図である。
【図６】従来のＭＲ複合ヘッドの構造およびその製造方
法の別の例を示す図である。
【符号の説明】
１，２１，３１ 下磁極兼上シールド台座部 １ｓ，２１ｓ，３１ｓ 側壁 １ｈ 高さ １ｗ 幅 ２，２２，３２ 下磁極兼上シールド ３，２３，３３ 記録ギャップ ３ｓ，２３ｓ 側壁 ３ｔ 記録ギャップ厚さ ４ 記録ギャップ角部 ４ｔ 厚さ ５，２４，３４ 上磁極 ５ｓ，２４ｓ，３４ｓ 側壁 ５ｗ 幅 ６ ＭＲ素子 ７ 下シールド ８，９ 切り欠き部高さ １０，２５，３７ａ，３７ｂ 同一面 １１ 下磁極兼上シールド台座部高さ １２ 角部 １３ テーパー部 ２６ フォトレジスト ３５ エッチング残り ３６ オーバーエッチング ３８ 外側の面

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 空気軸受け面を有する浮動スライダと、
    この浮動スライダの空気流出端の側面に下シールド，下
    シールドギャップ，ＭＲ素子，上シールドギャップ，下
    磁極兼上シールド，記録ギャップ，コイル，コイル絶縁
    層，および上磁極を順次積層してなるＭＲ複合ヘッドに
    おいて、前記下磁極兼上シールド上の前記空気軸受け面
    を含む部分に前記上磁極よりも広い幅で台座を形成し、
    この台座の前記空気軸受け面を含む近傍の側壁を前記上
    磁極の側壁と同一面を形成するように切り欠かれた形状
    を有することを特徴とするＭＲ複合ヘッド。
  2. 【請求項２】 下磁極兼上シールド上の台座部の幅が、
    上磁極の幅よりも０．１ミクロンから２．０ミクロン広
    いことを特徴とする特許請求の範囲請求項１に記載のＭ
    Ｒ複合ヘッド。
  3. 【請求項３】 下磁極兼上シールド上の台座部の高さ
    が、記録ギャップ層の厚さの２倍以上であることを特徴
    とする請求項１または２に記載のＭＲ複合ヘッド。
  4. 【請求項４】 下磁極兼上シールド上の台座部の切り欠
    きの深さが、記録ギャップの厚さの２倍以上であること
    を特徴とする請求項１，２または３のいずれか１項記載
    のＭＲ複合ヘッド。
  5. 【請求項５】 上磁極の幅が２．０ミクロン以下である
    ことを特徴とする１から４のいずれか１項記載のＭＲ複
    合ヘッド。
  6. 【請求項６】 上磁極の厚さが４．０ミクロン以上、記
    録ギャップの厚さが０．１ミクロンから０．４ミクロン
    の範囲にあり、前記上磁極の側壁と同一面を形成する下
    磁極兼上シールド台座部の切り欠き深さが０．２ミクロ
    ンから１．２ミクロンの範囲にあることを特徴とする請
    求項５記載のＭＲ複合ヘッド。
  7. 【請求項７】 上磁極の記録ギャップ側に、飽和磁束密
    度が上磁極の主材料よりも大きな高飽和磁化材料を積層
    することを特徴とする１から６のいずれか１項記載のＭ
    Ｒ複合ヘッド。
  8. 【請求項８】 下磁極兼上シールド上の台座部の記録ギ
    ャップ側に、飽和磁束密度が前記下磁極兼上シールドの
    主材料よりも大きな高飽和磁化材料を積層することを特
    徴とする請求項１または７記載のＭＲ複合ヘッド。
  9. 【請求項９】 請求項１から８のいずれか１項記載のＭ
    Ｒ複合ヘッド製造方法であって、記録ギャップを形成す
    る前に、下磁極兼上シールド上の空気軸受け面を含む近
    傍に上磁極の幅よりも０．１ミクロンから２．０ミクロ
    ン広い幅で台座を形成し、前記上磁極の形成後に前記上
    磁極をマスクとして前記台座をエッチングにより形成す
    ることを特徴とするＭＲ複合ヘッドの製造方法。
  10. 【請求項１０】 エッチングとして、イオンミリング法
    を用いることを特徴とする請求項９記載のＭＲ複合ヘッ
    ドの製造方法。
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