JPH11353618A - 磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents

磁気ヘッド及びその製造方法

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JPH11353618A
JPH11353618A JP15939198A JP15939198A JPH11353618A JP H11353618 A JPH11353618 A JP H11353618A JP 15939198 A JP15939198 A JP 15939198A JP 15939198 A JP15939198 A JP 15939198A JP H11353618 A JPH11353618 A JP H11353618A
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JP
Japan
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magnetic
head
film
recording
magnetic core
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JP15939198A
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English (en)
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Tetsuo Kobayashi
哲夫 小林
Hajime Akimoto
一 秋元
Harunobu Saito
治信 斉藤
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】狭トラック幅においても充分な記録磁界が得ら
れ、記録滲みの少ない良好な記録特性を有する磁気ヘッ
ドを提供すること。 【解決手段】再生ヘッドに隣接して記録ヘッドを配置
し、再生ヘッドの上部磁気シールド膜18と記録ヘッド
の下部磁気コア20とを非磁性膜19で分離して磁気的
結合を遮断し、この磁気コア19の幅をポールハイト部
及びスロートハイト部で2段に絞った磁気ヘッド。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録分野、特
に高密度記録を必要とする磁気ディスク装置に用いられ
る磁気ヘッド及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、高密度記録用ヘッドとして、再生
ヘッドに磁気抵抗効果(MR)を利用し、再生ヘッドに
隣接して記録ヘッドを形成した録再分離型の磁気ヘッド
(以下、MRヘッドという)が用いられるようになって
きている。さらに、今後高密度化を図るために再生ヘッ
ドとして巨大磁気抵抗効果(GMR)を利用した録再分
離ヘッドも使用されつつある。これらの録再分離ヘッド
は、高記録密度化に対応するため、記録再生トラック幅
を小さくする必要があり、面記録密度が5ギガビットを
超える場合には、トラック幅は1μmを切る値まで小さ
くする必要がある。
【0003】このような1μm以下の狭トラック幅の磁
気ヘッドを実現しようとすると、通常のリソグラフィ技
術では、磁気ヘッド素子を形成する工程、特に素子段差
の大きな記録ヘッドの作製する工程における狭トラック
幅の形成が困難になってきている。これが高記録密度化
を実現する上で大きな技術的課題となってきている。
【0004】また、このような高記録密度を実現するに
は、記録にじみの少ないよく確定された記録トラックを
記録媒体上に形成することが必須となり、記録ヘッドと
してはトラック幅寸法が精度良く形成されていることに
加え、上部磁気コア及び下部磁気コアの位置合わせ誤差
及び寸法差が殆ど生じていないことがが要求される。
【0005】このような問題に対し、スライダー加工工
程でスライダーの媒体浮上面側から所望のトラック幅に
トリミング加工した磁気ヘッドが特開平3−29690
7号公報及び特開平5−159236号公報に開示され
ており、狭トラック幅を実現可能とされている。
【0006】この方法によると、集束イオンビームを用
いることによって1μm未満の狭トラック加工も可能で
あり、精度、位置合わせとも良好な磁気ヘッドを実現で
きる。しかし、リードヘッドも同時に加工しているた
め、加工時にリード素子部にダメージを与えること、或
いはリードヘッドを加工しない場合でも、位置合わせ時
に素子部の位置検出のためにイオンビームを走査して素
子像を検出する際に、極薄膜で形成されているMR素子
或いはGMR素子を破壊したり特性を劣化させる等のダ
メージを与えてしまうこと、また浮上面に加工による窪
みを生じてしまうために、長時間の動作中にこの窪みに
塵埃等が堆積して摺動信頼性が劣化することなどの問題
があった。
【0007】これを避けるために、素子形成工程(ウエ
ハ工程)で上下部磁気コアのトラック幅寸法を一致させ
る手法が種々開示されており、記録ヘッドを対象にして
エッチング用のマスク材を用いて、一括加工する方法が
特開昭60−133516号公報に、また録再分離ヘッ
ドについて上部磁気コアを犠牲マスクとして下部磁気コ
アをトリミング加工する方法が、特開平9−16122
6号公報や特開平9−326105号公報に開示されて
いる。
【0008】これらの手法を用いると、上部磁気コア幅
と下部磁気コア幅は概略同一寸法に加工でき、上下部磁
気コアの位置合わせ精度も良好な磁気ヘッドを実現でき
るが、トラック幅精度が必要とされる上部磁気コアを犠
牲マスクとして用いたり、上下磁気コアを一括してエッ
チングするために厚膜の専用マスクを用いたりするの
で、サブミクロンの狭トラック幅を形成するには加工精
度が不充分であった。
【0009】さらに重要な問題として、サブミクロンの
狭トラック幅の記録ヘッドでは、従来より知られている
上部磁気コアの形状、すなわち一般にポールハイト部
(この部分の説明は本発明の実施例を示す図5参照)と
呼ばれる位置で所望の狭トラック幅に絞り込む形状とな
り、サブミクロンのトラック幅に絞られた部分の長さが
数μm以上となるため、断面積の小さな磁気コア部がス
ロートハイト部以外にも連続して形成されることにな
る。この断面積の小さな領域での磁化回転動作が端部の
磁化回転のし難さ等により、コイルで発生される起磁力
に対する浮上面に発生させ得る記録磁界が小さくなるた
め、記録ヘッドの効率が劣化してしまう。
【0010】さらに別の問題として、録再分離ヘッドで
下部磁気コアに相当する磁性膜をトリミング加工する
と、下部磁気コアの加工終点部の隅部等から有害な磁壁
が発生して、これが下層の磁気シールド膜に磁壁を発生
させたり、磁化状態を不安定にして記録動作をする度に
再生ヘッドの出力が変動したり波形対称性が変動する等
の問題も生じるという問題もあった。
【0011】特開平9−326105号公報では、後者
の問題に関して、下部磁気コアに近接する磁気シールド
膜の磁化状態を安定化するために、両者の間に非磁性層
を設けて分離し、両磁性膜が磁気的に結合するような非
磁性膜の膜厚に設定して磁化状態を安定化する方法を開
示している。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】上記特開平9−326
105号公報記載の技術は、下部磁気コアと磁気シール
ド膜が磁気的に結合しているために、下部磁気コアの磁
壁或いは磁化状態が近接している再生ヘッドの磁気シー
ルド膜に影響を与えることを防止できず、再生波形の安
定した録再分離ヘッドが得られないという問題があっ
た。
【0013】さらには、集束イオンビームで素子ウエハ
を加工する場合には、位置調整時間とビーム加工時間を
合わせると少なくとも素子当り5〜10秒程度の加工時
間は必要となり、量産ベースでこの技術を用いるために
は、長時間連続して自動で加工を行なうと、時間経過と
ともに加工後の寸法が変わり、精度保障ができないとい
う問題もあった。
【0014】本発明の第1の目的は、狭トラック幅にお
いても充分な記録磁界が得られ、記録滲みの少ない良好
な記録特性を有する磁気ヘッドを提供することにある。
本発明の第2の目的は、記録用磁気コアの磁化状態の不
安定さが再生ヘッドには影響しないような磁気ヘッドの
製造方法を提供することにある。本発明の第3の目的
は、狭トラック幅においても充分な記録磁界が得られ、
再生ヘッドと記録ヘッドの位置合わせずれが少なく、記
録滲みの少ない良好な記録特性を有する磁気ヘッドを歩
留まりよく製造することのできる磁気ヘッドの製造方法
を提供することにある。
【0015】
【課題を解決するための手段】上記第1の目的を達成す
るために、本発明の磁気ヘッドは、再生ヘッドに隣接し
て記録ヘッドを配置し、再生ヘッドの一方の磁気シール
ド膜と記録ヘッドの一方の磁気コアとを非磁性膜で分離
して磁気的結合を遮断し、この磁気コアのポールハイト
部のエアベアリング面位置と逆の端部から、スロートハ
イト部のエアベアリング面位置と逆の端部までの幅より
も、磁気コアのスロートハイト部の幅を狭くするように
したものである。
【0016】スロートハイト部とは、一般に言われてい
るように、磁気コアのエアベアリング面位置から、上部
磁気コアと下部磁気コアを磁気ギャップの厚さ以上に上
下に隔離している層間絶縁膜の先端位置までをいう。ま
た、ポールハイト部とは、磁気コアのエアベアリング面
位置から、スロートハイト部を越えて、さらにその先で
磁気コアの幅が拡がる位置までをいう。
【0017】また、上記第2の目的を達成するために、
本発明の磁気ヘッドの製造方法は、再生ヘッドに隣接し
て記録ヘッドを配置し、再生ヘッドの一方の磁気シール
ド膜と記録ヘッドの一方の磁気コアとを非磁性膜で分離
して磁気的結合を遮断した磁気ヘッドの製造方法であっ
て、記録ヘッドの磁気コアパターンを形成し、集束イオ
ンビームを用いてこの磁気コアのポールハイト部の一部
分をエッチングし、スロートハイト部を所望の幅に加工
するようにしたものである。
【0018】このようにして製造すると、イオンビーム
ダメージの受けやすい再生ヘッド素子が露出していない
工程でトリミング加工することができる。
【0019】また、上記第3の目的を達成するために、
本発明の磁気ヘッドの製造方法は、再生ヘッドに隣接し
て記録ヘッドを配置し、再生ヘッドの一方の磁気シール
ド膜と記録ヘッドの一方の磁気コアとを非磁性膜で分離
して磁気的結合を遮断した磁気ヘッドの製造方法であっ
て、再生ヘッド素子のトラック位置と記録ヘッド素子の
トラック位置とのずれ量を予め検出し、この検出された
ずれ量を磁気コアのパターンの中心線に対して補正した
中心線に基づいて、集束イオンビームを用いて、磁気コ
アのポールハイト部の一部分をエッチングし、スロート
ハイト部を所望の幅に加工するようにしたものである。
【0020】
【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明の実施
例を説明する。図1は、本発明の一実施例の録再分離ヘ
ッドの媒体浮上面の形状を示す図である。基板11の上
に、下地膜12、下部磁気シールド膜13、下部ギャッ
プ膜14、MRセンサ膜15、電極膜16、上部ギャッ
プ膜17、上部磁気シールド膜18が形成され、これら
の構造及び製造方法は、従来のMRヘッドの構造及び製
造方法と同じである。ここで、下部磁気コア20を上部
磁気シールド膜18の上に分離膜19を挟んで連続形成
するか、または上部磁気シールド膜18を形成後、分離
膜19及び下部磁気コア20を個別のパターン幅で順次
積層して形成する。
【0021】分離膜としては、非磁性材料であるTi、
Ta、Nb、Cu、NiCu等の金属若しくは合金膜又
はAl23、SiO2、TiO2等の酸化物膜を用い、膜
厚は磁気的に分離させるための必要な厚さである0.2
〜1μmとし、下部磁気コアは、上部磁気シールド膜と
同一の大きさにするか又は所望のトラック幅寸法より1
〜2μm大きく形成しておく。上部磁気シールド膜18
には磁歪定数が零近傍の組成のNiFe膜を用い、膜厚
は1〜2μmとする。一方、下部磁気コアには1.5テ
スラ以上の高飽和磁束密度を有する材料、例えば、45
%Ni−Fe、CoNiFe、Fe系合金膜等を用い、
膜厚は1〜3μmとする。
【0022】次にギャップ膜21、コイル(図示せ
ず)、層間絶縁膜(図示せず)、上部磁気コア22と順
次積層形成する。これらの形成法は従来より開示されて
いる一般的な方法、すなわちスパッタリング又はめっき
法で形成する。このとき、上部磁気コアを形成する工程
では、レジストパターンを形成した段階で、再生素子と
の合わせずれ量が測定できるような専用パターンを用意
しておき、ステッパーを用いる場合にはウエハ内の各露
光ショット毎の合わせずれ量ΔTを測定しておき、デー
タ格納サーバに測定データを格納しておく。
【0023】ここで、上部磁気コアを形成した段階で
は、素子のスロートハイト部は少なくとも分離膜19以
下の膜で覆われており、この工程で集束イオンビーム加
工を行なっても再生素子を劣化させる恐れはない。
【0024】図2は、素子工程の中での前記位置合わせ
データの流れと、加工後の評価データの流れを示したも
ので、データ格納サーバに測定データを格納し、データ
格納サーバを介して集束イオンビーム加工を管理、制御
するようにしている。
【0025】図3は、集束イオンビームを照射する際の
トラック幅方向のビームの位置決めを示した図で、イオ
ンビーム照射領域30の幅Wは上部磁気コアのパターン
エッジを包含するように設定し、トラック端部から非加
工下部コア部への洩れ磁界が広がらないよう必要な寸法
を確保する。
【0026】イオンビームの位置決めに際しては、まず
図4及び図5の磁気ヘッドの平面図に示すように、スロ
ートハイト部を中心にしてイオンビームを走査させて2
次イオン像を取込み、図3に示すように左右のイオンビ
ーム照射領域の内側が上部磁気コアの中心線(X=0)
に対して前記合わせずれ量ΔTを補正して所望の寸法T
wが得られるよう位置決めする。
【0027】合わせずれ量ΔTの値は、ウエハの露光領
域毎にデータを収集してあるため、集束イオンビーム加
工工程では格納サーバからこのデータを受け取って該当
領域の合わせずれ量を補正して位置決め制御する。
【0028】また、スロートハイト方向は、図5に示す
ように、イオンビームによる加工領域31の端部が層間
絶縁膜24の先端位置(Y=0)に合うように位置決め
し、他工程からのデータで補正することなく各素子毎に
前記方法で位置合わせする。この状態で所望の加工深さ
が得られるように加工時間とイオンビーム強度を調節し
ながら加工する。
【0029】上部磁気コアは、従来の方法で形成された
状態では、ポールハイト部で絞られた形状となってお
り、この状態で所望の狭トラック幅に絞り込むとエアベ
アリング面に出現する記録磁界は低下してしまう。
【0030】それに対して本実施例では、このポールハ
イト部の非加工部分の幅は収束イオンビーム加工される
スロートハイト部の幅寸法に対して2倍以上に大きくし
ておき、スロートハイト部で記録媒体のトラック幅に対
応する寸法に絞るように2段で絞る形状を用いるので、
記録磁界を劣化させることなく記録効率の高い記録ヘッ
ドを実現することができる。記録媒体のトラック幅に対
応する寸法とは、記録ヘッドの磁気コアから出る磁束は
記録ヘッドの磁気コア幅より僅かに拡がるので、記録ト
ラック幅より僅かに狭い磁気コア幅をいい、公知のこと
である。
【0031】ここで、加工時は特定数の素子毎、例え
ば、1,000素子毎にイオンビームを走査させて2次
イオン像を取込み、加工後のトラック幅寸法を測定し
て、ずれが生じている場合には、この量を自動補正しな
がら連続的に加工を行なうようにすることもできる(図
2参考)。
【0032】この方法によると、加工後のスロートハイ
ト部はサブミクロンのトラック幅に加工することが可能
である。しかもスロートハイト部のみ所望の狭トラック
幅に絞られた形状になるため、低起磁力でも記録磁界が
得られやすく記録効率の高い録再分離ヘッドが得らる。
この状態のエアベアリング面位置での断面形状を図6に
示す。
【0033】本手法を用いた別の実施例の磁気ヘッドの
エアベアリング面位置での断面形状を図7及び図8に示
す。図7は、下部磁気コア20を加工領域以外にも拡げ
て下部磁気コア20での磁気飽和を防止すると共に、下
部磁気コア20内で集束イオンビーム加工を止めやすく
した例、また図8は分離膜19の膜厚を厚くして、この
膜で加工を止めた例を示している。
【0034】図9及び図10は、上部磁気シールド膜と
下部磁気コアを兼用する従来の構造の磁気ヘッドに集束
イオンビーム加工を行なって狭トラック幅を形成した例
のエアベアリング面位置での断面形状を示す。この場合
には、記録性能は分離膜を用いない構造と同一の性能を
示すが、下部磁気コア部の集束イオンビーム加工部の隅
部から磁壁が発生し易く、これによって上部磁気シール
ド膜18にも磁壁が発生したり、磁区構造が変動したり
する難点があり、再生特性が変動し易くなる。
【0035】集束イオンビームによる加工が終了した後
は、図1に示すように従来の方法と同一の方法で端子
(図示せず)、保護膜23等を形成して素子を完成させ
る。
【0036】この素子が形成されたウエハを用いてスラ
イダ状態に加工し、エアベアリング面を形成した場合に
は、集束イオンビームで加工された箇所は全て連続した
素子の保護膜23で覆われた形になっており、エアベア
リング面には窪み等が生じないので、浮上特性も良好に
維持できる。
【0037】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
再生素子と記録素子との位置合わせ精度が良好な録再分
離ヘッドが実現できる。また、再生ヘッドの磁気シール
ド膜は記録ヘッドの磁気コアと磁気的に完全分離されて
いるので、記録ヘッドの磁気コアの磁化状態の影響を受
けにくく、安定した再生波形が得られるようになる。
【0038】また、本発明によれば、ビーム制御性に優
れた集束イオンビームを用いるため、記録ヘッドのスロ
ートハイト部のみをサブミクロンの狭トラック幅に安定
して加工することができる。また、本発明によれば、各
素子毎に照射位置を制御しながら加工するので、トラッ
ク幅精度が高く、かつ、記録効率の高い録再分離ヘッド
を歩留まりよく製造できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の録再分離ヘッドを示す媒体
浮上面の構造図。
【図2】本発明の素子形成工程を説明する流れ図。
【図3】集束イオンビームを照射する際のトラック幅方
向のビームの位置決めを示す図。
【図4】本発明の一実施例の磁気ヘッドの平面図。
【図5】本発明の一実施例の磁気ヘッドの平面図。
【図6】本発明の一実施例の録再分離ヘッドの集束イオ
ンビーム加工を終了した段階の媒体浮上面の構造図。
【図7】本発明の他の実施例の録再分離ヘッドの集束イ
オンビーム加工を終了した段階の媒体浮上面の構造図。
【図8】本発明のさらに他の実施例の録再分離ヘッドの
集束イオンビーム加工を終了した段階の媒体浮上面の構
造図。
【図9】比較のための録再分離ヘッドの媒体浮上面の構
造図。
【図10】比較のための録再分離ヘッドの媒体浮上面の
構造図。
【符号の説明】
11…基板 12…下地膜 13…下部磁気シールド膜 14…下部ギャップ膜 15…MRセンサ膜 16…電極膜 17…上部ギャップ膜 18…上部磁気シールド膜 19…分離膜 20…下部磁気コア 21…ギャップ膜 22…上部磁気コア 23…保護膜 24…層間絶縁膜 30…イオンビーム走査領域 31…イオンビームによる加工領域

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】再生ヘッドに隣接して記録ヘッドが配置さ
    れた磁気ヘッドにおいて、 上記再生ヘッドの一方の磁気シールド膜と上記記録ヘッ
    ドの一方の磁気コアとは、非磁性膜で分離されて磁気的
    結合が遮断され、 上記磁気コアのポールハイト部のエアベアリング面位置
    と逆の端部からスロートハイト部のエアベアリング面位
    置と逆の端部までの幅よりも、上記磁気コアのスロート
    ハイト部の幅が狭いことを特徴とする磁気ヘッド。
  2. 【請求項2】再生ヘッドに隣接して記録ヘッドが配置さ
    れ、かつ、上記再生ヘッドの一方の磁気シールド膜と上
    記記録ヘッドの一方の磁気コアとが非磁性膜で分離され
    て磁気的結合が遮断された磁気ヘッドを製造する際に、 上記記録ヘッドの磁気コアパターンを形成し、集束イオ
    ンビームを用いて上記磁気コアのポールハイト部の一部
    分をエッチングし、スロートハイト部を所望の幅に加工
    することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
  3. 【請求項3】再生ヘッドに隣接して記録ヘッドが配置さ
    れ、かつ、上記再生ヘッドの一方の磁気シールド膜と上
    記記録ヘッドの一方の磁気コアとが非磁性膜で分離され
    て磁気的結合が遮断された磁気ヘッドを製造する際に、 上記再生ヘッド素子のトラック位置と上記記録ヘッド素
    子のトラック位置とのずれ量を予め検出し、 上記検出されたずれ量を上記磁気コアのパターンの中心
    線に対して補正した中心線に基づいて、集束イオンビー
    ムを用いて、上記磁気コアのポールハイト部の一部分を
    エッチングし、スロートハイト部を所望の幅に加工する
    ことを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
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