JP2009146520A - 磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】主磁極加工後のフレアポイント近傍に湾曲部がなく、浮上面におけるトラック幅のバラツキが小さな垂直磁気記録ヘッドを得る。
【解決手段】主磁極を、一定幅を有し浮上面から素子高さ方向に向かって延びるトラック、トラックの素子高さ方向に連結されトラックよりも大きな幅を有する第２フレア、及び第２フレアの素子高さ方向に連結され素子高さ方向に次第に幅が広がる部分を有する第１フレアを有する形状とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、磁気ディスク装置等の記録・再生に用いられる磁気ヘッド及びその製造方法に関するものである。

磁気ディスク装置では、記録媒体上の情報を磁気ヘッドによって読み書きする。磁気ディスクの単位面積当たりの記録容量を大きくするためには、面記録密度を向上する必要がある。面内磁気記録方式では、記録されるビット長が小さくなると、媒体の磁化の熱揺らぎのために面記録密度を上げられない問題があり、この問題を解決する方法として、媒体に垂直な方向に磁化信号を記録する垂直磁気記録方式が採用されている。

垂直磁気記録においても面記録密度の向上のためには、トラック密度と線記録密度を向上させることが重要である。垂直磁気記録ヘッドにおいて高い線記録密度を達成するには、ヘッドからの磁界勾配を向上することが必須になる。この高磁界勾配を達成する方法として、特許文献１などに、主磁極のトレーリング側に非磁性層を介して磁性層を配置するトレーリングシールド構造が提案されている。

また、高記録密度化には、高いトラック密度を実現するために主磁極のトラック幅を狭小化することが必要である。この狭トラック化では、トラック幅と共にトラック厚も同様に縮小することが必須であり、浮上面におけるトラック面積が著しく低下するので記録磁界の確保が重要になる。この狭トラック化に伴う記録磁界低下を補う方法として、一番効果的な方法はフレアハイトを小さくすることである。そのためには、フレアポイントの制御が必須となる。例えば、特許文献２には、エッチング速度の遅いバッファ層や非磁性層をストッパ層として使用した一連のパターニング工程を経て、主磁極のフレアポイント位置を規定する方法が開示されている。反面、十分な記録磁界を発生させるためにフレアハイトを短くしながら、フレアからの余分な漏れ磁場を抑制する記録ヘッドの例が、特許文献３に開示されている。このような、漏れ磁界を制御する方法として、主磁極の側面に非磁性層を介して磁性層を配置するサイドシールド構造が提案されている。さらに、特許文献４には、主磁極の先端部を除く領域をレジストでマスクして、主磁極先端のみを所望の幅に細らせ、更にそのマスクを用いてサイドシールドをフレアに沿って形成する方法が提案されている。このサイドシールド構造の場合、トレーリングシールド構造と組み合わせて用いられることが周知である。例えば、特許文献５には、トレーリングシールドとサイドシールドを組み合わせたトレーリングサイドシールド構造が提案されている。

特開２００５−１２２８３１号公報 特開２００４−１３９６６３号公報 特開２００５−２８５３０６号公報 特開２００７−１２８５８１号公報 ＵＳ２００２／０１７６２１４ Ａ１

上述のように、磁気記録ヘッドにおける記録磁界制御のために、主磁極構造及びシールド構造が検討されている。特に、高記録密度用の垂直磁気記録ヘッドでは、狭トラック化に伴う記録磁界の確保が重要である。そのため、特許文献２に示される磁気ヘッドの主磁極は、フレアポイントの位置ずれを防止して、フレアハイトの精度を向上する構造になっている。特許文献２の方法は、最初に形成したフレアポイントの位置を保持する製造方法であり、フレアポイントは固定される。しかしながら、主磁極はフレアポイントから後方に大きく広がるため、後方に広がるフレアが浮上面に近接するのでフレアからの漏れ磁界が書き広がりの原因になる。

また、特許文献３の方法は、主磁極形状を２段階に絞るため、最後方の広いフレアからの漏れ磁界を防止することができる。しかし、現状における加工後の主磁極の形状は、フレアポイント近傍が矩形ではなく湾曲している。その湾曲の影響は、フレアポイントから浮上面の方向に約６０ｎｍに及んでいる。そのため、フレアハイト位置の規定が難しいと共に、フレアハイト位置の変動がトラック幅を大きく変動させる問題が生じる。さらに、そのトラック幅の変動は、フレアハイトが小さくなるほど大きくなる傾向がある。ちなみに、面記録密度３００Ｇｂ／ｉｎ²では、フレアハイトは７０ｎｍ以下の短フレアハイトとする必要があり、浮上面加工によるフレアハイトのバラツキが、そのままトラック幅を大きく変動させることになる。

特許文献４の方法によれば、主磁極先端部を細くするマスクを使って、フレアに沿ったサイドシールドを自己整合で形成することができるので、主磁極との位置関係を一定に保つことができる。しかしながら、主磁極の先端部を加工するマスクは、通常のレジストを使用しているため、フレアポイントの形状を矩形にすることが難しいと共に、トレーリングシールドが同時に形成されないので、トレーリングシールドとサイドシールドの合わせ精度が問題になる。

本発明は、フレアポイントの位置を高精度に制御し、かつそれによりトラック幅の変動を防止した主磁極形状を有する垂直磁気記録用の記録ヘッドを提供することを目的とする。

本発明の垂直磁気記録ヘッドの主磁極構造を図１に示す。本発明の垂直磁気記録ヘッドの主磁極は、一定の幅Twwを持つトラックと、トッラクの後方に連結され、トラックよりも大きな幅Twfを有する第２フレアと、更にこの第２フレアの後方に連結され、素子高さ方向に向かって幅が次第に広がる第１フレアを有する。トラックと第１フレアの間に第２フレアを設けることにより、トラック形成時の湾曲を防止してフレアポイントを精度よく形成することができ、フレアハイトの精度向上を図ることができる。

本発明によると、フレアポイントを正確に決めることができ、さらに、加工後のトラックにはフレアポイント近傍の湾曲部がなくなり、短フレアハイトにおいてもトラック幅の変動を抑制することができるので、安定した磁気特性が得られ、高歩留まりが達成できる。

以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。

図２は磁気記録再生装置の概念図であり、図２（ａ）は平面図、図２（ｂ）は断面図である。磁気記録再生装置は、モータによって回転駆動される磁気ディスク１上に、アーム２の先端に固定された磁気ヘッド３によって磁化信号の記録、再生を行う。アーム２は、アクチュエータ５によってディスク半径方向に駆動され、記録あるいは再生されるトラック上に位置決めされる。磁気ヘッド３を駆動する記録信号あるいは磁気ヘッドから送出される再生信号は信号処理回路３４によって処理される。

図３に、アーム２を振ることによって、磁気ヘッド３を磁気ディスク１上で動かしたときの概略図を示す。このとき、図に示すようにスキュー角が発生する。スキュー角の範囲は±１６°程度である。このスキュー角度に対応して、浮上面におけるヘッドの主磁極は、逆台形形状が必要である。

図４は、磁気ヘッド及び垂直記録の概略図である。磁気ヘッドは垂直記録ヘッド４１と再生ヘッド４２からなる。垂直記録ヘッド４１は、磁気ディスク１の記録層４３に記録するための磁界を発生するヘッドであり、主磁極１２、ヨーク１４、補助磁極１１、及び主磁極と補助磁極が作る磁気回路に鎖交する薄膜コイル９を備える単磁極ヘッドである。再生ヘッド４２は、磁気ディスク１の記録層４３に書き込まれた情報を読み取るためのヘッドであり、一対の再生シールド１６、１７に挟まれた再生素子１５を備える。記録ヘッドの主磁極１２から出た磁界は、磁気ディスク１の記録層４３、軟磁性裏打ち層４４を通り、補助磁極１１に入る磁気回路を形成し、記録層４３に磁化信号４を記録する。このとき、ディスク回転方向との関係から、主磁極１２の上面（トレーリング側）及び側面の形状が記録磁界分布に大きな影響を及ぼす。主磁極１２の上面と側面には、非磁性層１９を介して、トレーリングサイドシールド２６が設けられている。

図５は、主磁極形状を示す図であり、図５（ａ）は従来の主磁極の理想的な形状の模式図、図５（ｂ）は従来の方法で作製した主磁極平面の走査型電子顕微鏡像である。図５（ｂ）に示されているように、主磁極のフレアポイント近傍は、直線と直線が交わる理想的な形状にならず湾曲する。その湾曲の影響は、フレアポイントから６０ｎｍ程度である。そこで、図５（ｃ）に示す本発明の主磁極形状のように、フレア近傍に第２フレアを設けることにより、従来のフレアポイント近傍の湾曲部の影響をなくし、浮上面からフレアポイントまでのトラック幅を均一にする。

図６は、図５（ｂ）に示す従来の主磁極形状と、図５（ｃ）に示した本発明の主磁極形状から、トラック幅（Tww）が６０ｎｍ、第２フレア幅（Twf）が１４０ｎｍとした時の、フレアハイトとトラック幅のバラツキの関係を計算で求めた図である。横軸はフレアハイトの設定値で、縦軸はトラック幅のバラツキを示している。なお、バラツキを計算するにあたって、主磁極のフレアポイント近傍の加工形状は図５（ｂ）に示した湾曲を用いた。トラック幅のバラツキは、フレアハイト設定値に対して浮上面加工が設定値±２５ｎｍで形成される時の、トラック幅の最大と最小の差で示している。図から明らかなように、本発明の主磁極形状により、フレアハイトの設定値に対するトラック幅のバラツキが大きく改善されることが分かる。

図７と図８は、本発明の主磁極形状について、計算機シミュレーションによる記録磁界分布の計算結果を示す図である。計算では、図１に示した主磁極のトラック幅（Tww）が６０ｎｍ、トラックの厚さが１２０ｎｍ、第２フレアハイト（Ly）が６０ｎｍ、主磁極の浮上面は逆台形形状であり、主磁極のトレーリング面と側面とのなす角度は８２度とした。また、第１フレアは第１フレアポイントから４５度の広がり角とした。

図７は、第２フレアの幅（Twf）と記録磁界特性の関係を示す図である。また、図８は、第２フレアの長さ（Lyf）と記録磁界特性の関係を示す図である。記録磁界特性は、記録磁界の最大値（最大記録磁界）と、記録媒体に情報を書き込む幅（記録幅）と、記録媒体に情報を書き込む際の隣接情報に影響を及ぼす幅（イレース幅）を示している。上記主磁極の計算条件では、図７によると、第２フレアの幅が狭いと記録磁界が小さくなり、反対に広くなると記録磁界が大きくなることが示されている。この図から、第２フレアの幅は、従来の主磁極形状で得られる記録磁界の９５％以上が確保され、且つイレース幅が増加しない条件として、１３０〜１４０ｎｍが適正であることが分かる。上述の計算結果は主磁極のトラック幅が６０ｎｍの場合であり、上記結果をもとにトラックの幅（Tww）に対して、第２フレアの幅（Twf）は、その割合から ２.２Tww＜Twf＜２.４Tww であることが望ましい。
また、図８によると、第２フレアの長さ（Lyf）が短いと記録磁界が大きくなり、反対に長くなると記録磁界が小さくなることが示されている。この図から、第２フレアの長さは、図７と同様に４０〜６０ｎｍが適正であることが明らかである。上述の計算結果は主磁極のトラック幅が６０ｎｍ、Twfが１２０ｎｍの場合であり、上記結果をもとにTwfに対して第２フレアの長さ（Lyf）は、その割合から ０.３Twf＜Lyf＜０.５Twf であることが望ましい。

図９及び図１１に、本発明の主磁極の製造方法の一例を断面図で示す。図９（ａ）は、図４中に示した再生ヘッドとヨーク１４等を積層した基板上に、主磁極となる第１磁性層１２をウエハ全面に形成したところを示す。第１磁性膜１２は、厚さ１２０ｎｍのＦｅＣｏ膜を用いた。図９（ｂ）は、第１磁性層１２上に、厚さ３００ｎｍのアルミナＡｌ₂Ｏ₃膜である第１非磁性層１９を形成し、その後、第１レジストパターン２０を形成したところを示す。図９（ｃ）は、第１のレジストパターン２０をマスクに用いて、第１非磁性層１９と第１磁性層１２を順次、エッチングし、更にエッチングに用いた第１のレジストパターン２０を除去したところを示す。このエッチングにより、第１磁性層１２の幅は１４０ｎｍにしている。この段階で、第１フレアが形成されると共に、第２フレアの浮上面側部分を除く形状が規定される。

次に、図１０の平面図に示すように、全体に膜厚６０ｎｍの第２非磁性層２１を形成した後、第１フレアと第２フレアに対応する領域の上に更に第２のレジストパターン２２を形成する。なお、第２非磁性層２１は膜厚を６０ｎｍとしたが、主磁極をＡｒイオンミリングにより逆台形に加工する際に、第１フレア及び第２フレアが消失しない膜厚４０ｎｍ以上あればよい。また、第２のレジストパターンは、トラックと第２フレアの境界となるべき直線上に端部がくるようにして、第２フレアに対応する部分及び第１フレアの上を覆うように形成する。

図１１（ａ）は、図１０に対応する断面図である。ここで、図１１の左側の図は図１０に示したウエハのＡ−Ａ’断面に相当する図であり、図１１の右側の図はＢ−Ｂ’断面に相当する図である。図１１（ａ）において、第２のレジストパターン２２は、下層に厚いポリイミド材料を形成した後、その上にシリコン含有のレジストパターンを形成し、上層のシリコン含有のレジストパターンをマスクとして、下層の厚いポリイミド材料を酸素ガス中でリアクティブイオンエッチングしてパターニングする、いわゆる多層マスクを採用している。これは、主磁極の段差の上で、直線のマスクを形成し、フレアポイントの位置を制御するためである。

図１１（ｂ）は、第２のレジストパターン２２をマスク材として、第２非磁性層２１をエッチングしたところを示す。このエッチングでは、第２非磁性層２１をトラックとなる領域のみで選択的に取り除いている。この第２非磁性層２１としては、アルミナＡｌ₂Ｏ₃及びシリコン酸化膜ＳｉＯ₂が適用可能である。第２非磁性層２１のエッチングは、ＣＨＦ₃、ＣＦ₄及びその混合ガス中でのリアクティブイオンエッチングにより行なう。また、第２非磁性層２１がアルミナＡｌ₂Ｏ₃の場合、アルカリ溶液を用いたエッチングにて行なうことも可能である。

図１１（ｃ）は、第２のレジストパターン２２を除去した後、第１非磁性層１９と第２非磁性層２１をマスク材として、第１磁性層をイオンミリングしたところを示す。このイオンミリングには、ウエハ周方向の入射角度を制限したエッチングを用いた。イオンの入射角度はウエハの法線方向から７０度の角度で、周方向の角度は、図１２に示す０度を中心として、±９５度である。また、この第１磁性膜１２のイオンミリングでは、第１磁性層１２の幅（主磁極のトラック幅）を目標の６０ｎｍにすると共に断面形状を逆台形に形成する。この時、第２フレアに対応する第１磁性層１２の領域は第２非磁性層２１で被覆しているので、図９（ｃ）のイオンミリングで形成したトラック幅である１４０ｎｍを保つ。ここで、この時の平面図を図１３に示す。ミリングにより、主磁極の先端部に最も細いトラックを形成すると共に、第２フレアポイントが形成される。この第２フレアポイントが本発明の実効的なフレアポイントである。

本工程のイオンミリングは、厚いレジストパターンをマスクとするのではなく、第１磁性層１２の上に局在した第１非磁性層１９とその上の薄い第２非磁性層２１をマスクとするのが特徴である。そのため、この工程で形成されたトラックのフレアポイント近くの形状は、図５（ｂ）の従来例のように湾曲することなく直線状であり、トラックは浮上面側から第２フレアポイント近くまで同じトラック幅を維持する。また、第２フレアの浮上面側の面は、トラックの側面とほぼ９０゜の角度で交わり、浮上面にほぼ平行な面となる。

上記のようにして、図１に示した形状を有する本発明の主磁極を形成することができる。上記実施例で形成された主磁極は、トラック幅Twwが６０ｎｍ、第２フレア幅Twfが１４０ｎｍである。フレアハイトを５０ｎｍとして浮上面加工したヘッドにおいて、従来の主磁極形成法で作製したヘッドの浮上面における主磁極のトラック幅のバラツキは２５ｎｍ程度であるが、本発明の主磁極形状を採用した本実施例では１０ｎｍ以下と顕著な効果が得られることを確認している。

次に、上記の主磁極の製造方法によれば、従来の主磁極形状で問題になる、フレアからの余分な記録磁界による記録時の書き広がりを抑制するトレーリングサイドシールド構造が、自己整合で形成することが可能となる。

図１４及び図１６は、自己整合でトレーリングサイドシールド構造を形成する工程を示す断面図である。なお、図１４の左側の図は図１３のＡ−Ａ’断面に対応する図であり、右側の図はＢ−Ｂ’断面に対応する図である。

図１４（ａ）は、図１１（ｃ）の工程が終わったウエハ表面に、第３非磁性層２３を形成したところを示す。図１４（ｂ）は、第３非磁性層２３のトレーリング側の厚さを薄くするイオンミリングをしたところを示す。このイオンミリングでは、ウエハ法線方向からのイオン入射角度は、５０度を用いる。このイオンミリング条件によって、主磁極側面の第３非磁性層２３は第１磁性層のトレーリング側の膜厚よりも厚く残る。トラックに対応する領域の第３非磁性層は、トレーリング側が３０ｎｍ、サイド側が１００ｎｍになる。図１４（ｃ）は、トレーリングサイドシールドをメッキで形成するためのメッキ下地膜２４を形成したところを示す。

次に、図１５の平面図に示すように、第１フレアの上と第２フレアの一部にかかるように第３のレジストパターン２５を形成する。このときの断面図が図１６（ａ）である。なお、図１６において、左側の図は図１５のＡ−Ａ’断面に対応する図であり、右側の図はＣ−Ｃ’断面に対応する図である。第３のレジストパターン２５はトレーリングサイドシールドを形成するためのメッキフレームである。

次に、図１６（ｂ）に示すように、軟磁性層２６をメッキする。軟磁性層２６がトレーリングサイドシールドである。図１６（ｃ）は、メッキに用いた第３のレジストパターン２５を除去し、最後に、露出したメッキ下地層２４をエッチングしたところを示す。第１磁性層１２の先端部（トラック）と第２フレアの連結部であるフレアポイントにおいて、第１非磁性層１９は浮上面側が薄く、フレア側が厚くなる。この膜厚は、第１磁性層１２（主磁極）と軟磁性層２６（シールド）との間隔（ギャップ間隔と称す）を決定するものである。このギャップ間隔が狭い部分のシールド効果は大きいので、浮上面からフレアポイントまでが実効的にシールドとして作用する。

本発明では、第１磁性層１２にフレアポイントを形成する第２のレジストパターン２２をマスクとして、第１非磁性層１９に段差を形成すると共に、フレアポイントを形成している。そこで、実効的なシールドの長さ（シールドハイト）は、常にフレアハイトと一定の位置関係に形成されることになる。ここで、図１６（ｃ）に示したＡ−Ａ’切断図から明らかなように、第１磁性層１２の周囲を覆う第３非磁性層２３の膜厚は、主磁極のサイド側をトレーリング側よりも厚くすることができる。このように主磁極とトレーリングシールドとの間隔（トレーリング間隔）を、主磁極とサイドシールドとの間隔（サイド間隔）よりも小さくすることによって、記録ヘッドにおける線記録密度をより向上できる。また、主磁極周辺の第２非磁性層は、図１１（ｂ）において第２フレアポイントの浮上面側のみをエッチングしているので、実効的なシールドハイトは、第２非磁性層が薄い領域である第２フレアポイントと一致する。これは、先に記載したトレーリングサイドシールドが、レジストパターン２５の合わせ精度に関係なく、フレアポイントと一定の位置関係で形成（自己整合）が可能であることを示している。本実施例では、主磁極のトラックと第１フレアと第２フレアを一連の連続する工程で形成しているため、トラック、第１フレア、第２フレアは、浮上面と直交する垂線に対してそれぞれ面対称であり、且つそれぞれの対称面が一致している。

本発明の主磁極形状の概要図。 磁気ディスク装置の概略図。 磁気ディスク装置動作時の概略図。 垂直記録の概略図。 （ａ）は従来主磁極の理想形状を示す図、（ｂ）従来主磁極の加工形状を示す図、（ｃ）は本発明の主磁極形状を示す図。 フレアハイトとトラック幅バラツキの関係を示す図。 第２フレアの幅と記録特性の関係を示す図。 第２フレアの長さと記録特性の関係を示す図。 本発明による記録ヘッド製造工程の一例を示す概略図。 本発明による記録ヘッド製造工程の一例を示す概略図。 本発明による記録ヘッド製造工程の一例を示す概略図。 ウエハの周方向のイオンの入射を制限したイオンミリング方法の概念図。 本発明による記録ヘッド製造工程の一例を示す概略図。 自己整合によるトレーリングサイドシールドの形成工程を示す図。 自己整合によるトレーリングサイドシールドの形成工程を示す図。 自己整合によるトレーリングサイドシールドの形成工程を示す図。

符号の説明

１…磁気ディスク
２…アーム
３…スライダー（磁気ヘッド）
４…磁化信号
９…薄膜コイル
１１…補助磁極
１２…第１磁性層（主磁極）
１４…軟磁性層（ヨーク）
１５…再生素子
１６…下部シールド
１７…上部シールド
１９…第１非磁性層
２０…第１レジストパターン
２１…第２非磁性層
２２…第２レジストパターン
２３…第３非磁性層
２４…メッキ下地膜
２５…第３レジストパターン
２６…第２磁性層（トレーリングサイドシールド）
３４…信号処理回路
４１…垂直記録ヘッド
４２…再生ヘッド
４３…記録層
４４…軟磁性裏打ち層

Claims (12)

1. 主磁極と、
   補助磁極と、
   前記主磁極との側面及び前記主磁極と前記補助磁極との間に非磁性層を介して設けられたトレーリングサイドシールドとを備え、
   前記主磁極は、一定幅を有し浮上面から素子高さ方向に向かって延びるトラックと、前記トラックの素子高さ方向に連結され前記トラックよりも大きな幅を有する第２フレアと、前記第２フレアの素子高さ方向に連結され素子高さ方向に次第に幅が広がる部分を有する第１フレアとを有し、
   浮上面と前記第１フレアの間の第１フレアハイトは、浮上面と第２フレアの間の第２フレアハイトよりも大きいことを特徴とする磁気ヘッド。
2. 請求項１に記載の磁気ヘッドにおいて、前記非磁性層は、前記主磁極のトラックに接する領域の厚さが、前記主磁極の前記第１及び第２フレアの一部に接する領域の厚さよりも薄いことを特徴とする磁気ヘッド。
3. 請求項１に記載の磁気ヘッドにおいて、前記非磁性層は、前記主磁極のトレーリング側に接する領域の厚さが、前記主磁極の側面に接する領域の厚さよりも薄いことを特徴とする磁気ヘッド。
4. 請求項１に記載の磁気ヘッドにおいて、前記第２フレアは、前記トラックとの連結部の少なくとも一部が浮上面と平行であることを特徴とする磁気ヘッド。
5. 請求項１に記載の磁気ヘッドにおいて、前記主磁極は、浮上面のトレーリング側の幅がリーディング側の幅より大きいことを特徴とする磁気ヘッド。
6. 請求項１に記載の磁気ヘッドにおいて、前記トラックと第１フレアと第２フレアは浮上面と直交する平面に対してそれぞれ対称であり、且つ前記それぞれの対称面が一致することを特徴とする磁気ヘッド。
7. 請求項１に記載の磁気ヘッドにおいて、前記主磁極の浮上面におけるトレーリング側のトラックの長さをトラック幅（Tww）、浮上面と平行方向の第２フレアの長さを第２フレア幅（Twf）としたとき、２.２Tww＜Twf＜２.６Twwであることを特徴とする磁気ヘッド。
8. 請求項１に記載の磁気ヘッドにおいて、前記主磁極の第２フレアの幅をTwf、第２フレアの長さをLyfとしたとき、０.３Twf＜Lyf＜０.５Twfであることを特徴とする磁気ヘッド。
9. 一定幅を有し浮上面から素子高さ方向に向かって延びるトラック、前記トラックの素子高さ方向に連結され前記トラックよりも大きな幅を有する第２フレア、及び前記第２フレアの素子高さ方向に連結され素子高さ方向に次第に幅が広がる部分を有する第１フレアを有する主磁極を備える磁気ヘッドの製造方法であって、
   主磁極となる磁性層を形成する工程と、
   前記磁性層の上に第１非磁性層を形成する工程と、
   前記第１非磁性層の上に第１のレジストパターンを形成する工程と、
   前記第１のレジストパターンをマスクとして前記磁性層と前記第１非磁性層をパターニングし、主磁極の前記第２フレアに対応する部分と、前記第１フレアを形成する工程と、
   その後、第２非磁性層を形成する工程と、
   前記トラックと第２フレアの境界となるべき直線上に端部がくるようにして、前記第２フレアに対応する部分及び第１フレアの上を覆う第２のレジストパターンを形成する工程と、
   前記第２のレジストパターンをマスクとして、主磁極の前記トラックに対応する部分に存在する前記第２非磁性層をエッチングする工程と、
   前記第１非磁性層と第２非磁性層をマスクとして前記磁性層をエッチングすることにより、前記主磁極のトラックを所望の幅に形成すると共に逆台形の断面形状に形成する工程と
   を有することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
10. 請求項９に記載の気ヘッドの製造方法において、前記主磁極のトラック幅及び断面形状形成の工程では、ウエハの周方向のイオンの入射角度の範囲を制限したミリングを用いることを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
11. 請求項１０に記載の磁気ヘッドの製造方法において、前記ウエハの周方向のイオンの入射角度の範囲は、前記トラックと第２フレアの境界となるべき直線に垂直な方向を基準として±９５度以下であることを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
12. 請求項９に記載の気ヘッドの製造方法において、その後、更に、
    全面に第３非磁性層を形成する工程と、
    前記第３非磁性層のトレーリング側の厚さを薄くする工程と、
    メッキ下地膜を形成する工程と、
    トレーリングサイドシールドを形成するためのメッキフレームとなる第３のレジストパターンを形成する工程と、
    トレーリングサイドシールド用の軟磁性層をメッキする工程と、
    前記第４のレジストパターンを除去する工程と
    を有することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。

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