JPH03147508A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、磁気記録再生装置に使用する薄膜磁気ヘッド
の製造方法に関するものである。

従来の技術 最近、情報産業等、磁気記録分野における記録密度の向
上に伴い狭トラツク化及びマルチトラック化に対応する
薄膜磁気ヘッドが多く用いられ開発が進められている。

上記薄膜磁気ヘッドは薄膜形成技術及びフォトリソグラ
フィ技術を駆使して製造するものである。第３図に従来
の薄膜磁気ヘッドの１トラック分における斜視図を示す
、第３図における薄膜磁気ヘッドは、ガラス或はセラミ
ック等の基板５１と上記基板５１上に形成された下部磁
性層５２及び上部磁性層５３で形成されたコア空隙部に
薄膜コイル５４（以下コイルとする）を数回巻いた構造
となっており、コイル５４中心部からリード部５５への
接続は絶縁層を介しスルーホール５６を形成して行って
いる。第３図中Ｔａは上部磁性層５３の幅であり、Ｔｂ
は下部磁性層５２の幅である。

従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を第４図を用いて説明
を行う、第４図（１）は第３図におけるＸ、−Ｘ、断面
図であり、第４図（Ｉｆ）は第３図におけるＸ、　−Ｘ
４゜断面図である。

以下第４図（ａ）、　（ａ’）〜ｆｆ）、　（ｆ’）の
順序で述べる。

第４図（ａ）、　（ａ’）はガラス或はセラミック等の
基板５１にパーマロイ等からなる下部磁性層５２を形成
した工程を、（ロ）、　（ｂ’）はＳ　Ｌ　０２等から
なる絶縁層５７を介してＡＩ、Ｃｕ等からなるコイル５
４を薄膜形成技術、フォトリングラフィ技術及びイオン
ビームミリング等の微細加工技術を用い形成したものを
各々示す０次にコイル５４の膜厚以上の絶縁層５８を形
成、エッチバック法等を用いて上部の平坦化を行った工
程を（ｃ）、　（ｃ’）に示し、更にスルーホール５６
を上記した各技術を用いて形成後、ＡＩ、Ｃｕ等からな
る接続導体５９を形成した工程を（ｄ）、　（ｄ”）に
示す、　（ｅ）、　（ｅ’）の工程で下部磁性層５２と
上部磁性層５３との接続部であるバックギャップ部６０
及び磁気ギャップ部６１を形成し、上部磁性層５３を形
成した工程を（ｆ）。

（ｆｏ）に示す０次に保護層（図示せず）を形成し、保
護基板（図示せず）接着後チップ化、所定形状に機械加
工を行って薄膜磁気ヘッドが出来る。ここで、薄ｓＭ１
気ヘッドの狭トラツク化に伴う課題について述べる。Ｆ
！膜磁気ヘッドは、上記した工程を経て製造を行うので
あるが、下部磁性層５２゜上部磁性層５３の両磁性層を
別々の工程で形成することから、フォトリソグラフィ技
術における精度により上記両磁性層の相対的な位置が決
定する。

このバラツキを吸収するために従来の薄膜磁気ヘッドの
構成としては、先に形成を行う下部磁性層５２を上部磁
性層５３より広幅とするか、或は基板５１を各トラック
共通の下部磁性層５２とする方法が一般に行われている
。第３図は、Ｔａ＜Ｔｂとなっており前者の例である。

しかしこの場合、上下磁性層幅の寸法差から記録にじみ
を生じクロストークを増大したり、上部磁性層５３のエ
ツジ部分に磁界が集中するため、部分的に磁気飽和をお
こし記録効率の低下を招来するなど狭トラツク化を妨げ
る原因となっていた。

発明が解決しようとする課題 これまで説明してきたように従来の薄膜磁気ヘッドの製
造方法で、上部磁性層５３、下部磁性層５２を別々の工
程で形成するために、上記上部および下部磁性層５３．
５２の幅の相対的な位置関係にずれが生じ、−極端な場
合には上部磁性層５３が下部磁性層５２上からこぼれる
状態となる。

またその解決策として下部磁性層５２の幅を上部磁性層
５３より太き（設定して形成する構成では上下磁性層の
幅に寸法差が生じトラック幅の規制が困難であばかりか
、上記寸法差から記録にじみを生じクロストークが増大
し、また上部磁性層５３のエツジ部分に磁界が集中し、
部分的に磁気飽和をおこして記録効率の低下を招来する
など薄膜磁気ヘッドの狭トラツク化への妨げとなる課題
を有していた。

本発明の目的は上記課題に鑑み、磁気ギャップ１６近傍
における上下磁性層５３．５２の相対的な位置関係を一
敗させることによって、再生効率の向上を実現し、狭ト
ラツク化に対応した薄ＩＩＩ磁気ヘッドの製造方法を提
供しようとするものである。

課題を解決するための手段 上記の目的を達成するために本発明の薄膜磁気ヘッドの
製造方法では、基板上に下部磁性層を上部磁性層より幅
広に設定した所定の寸法で形成し、後工程を順次進め、
（フォトリソグラフィ技術とイオンミリング法を主内容
とする）上部磁性層の形成工程で、上部磁性層の形成と
同時に、下部磁性層を下部磁性層が形成する磁気ギャッ
プ端から１＃ｍ以上の深さでかつコイル平面最上端を越
えない深さまでエツチングする構成とする。

作用 本発明は上記した構成により、磁気ギャップ部近傍にお
ける上下部磁性層の相対的な位置ずれが生じないことか
ら上下部磁性層間における磁束は効率良く流れ、磁界の
もれに起因するクロストーク、また上下部磁性層間の相
対的な位置のずれや寸法差に起因する記録のにじみによ
る再生効率の劣化も生じることなく、そしてトラック幅
も上記磁気ギャップ近傍で容易に規制されるため、狭ト
ラツク化に対応した再生効率の向上を容易に実現できる
。

実施例 以下に本発明の一実施例について図面を参照しながら説
明を行う。第１図に本発明のＦ４　膜［気ヘッドの製造
方法の一実施例として作製した薄１１１ｉｆｆ気ヘッド
の斜視図を示す。第２図（＋）は第１図におけるχ１−
Ｘ２断面図であり、第２図（ＩＩ）は第１図におけるＸ
３−Ｘ４断面図である。

第１図、第２図における１はガラス或はセラミック等の
基板、２は下部磁性層、３は上部磁性層、４はコイル、
５はリード部、６はスルーホール、７および８は絶縁層
、９はコイル４中心部とリード部５を結ぶ接続導体、１
０はバックギャップ部、１１は磁気ギャップ部、１２は
上記下部磁性層の一部を構成、或はスルーホールの埋め
部材である中間磁性層である。

以下、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施例を
第２図（ａ）、　（ａ”）〜（ｅ）、　（ｅ’）の順に
説明する。第２図（ａ）、　（ａ’）はガラス或はセラ
ミック等の基板１にパーマロイ等からなる下部磁性層２
を形成し、上部にＳ　Ｌ　０２等からなる第１の絶縁層
を形成した工程を、（ｂ）、　（ｂ’）には、Ａｕ、Ｃ
ｕ等からなるコイル４を薄膜形成技術フォトリソグラフ
ィ技術およびイオンミリング等の微細加工技術を用いて
形成した後中間磁性層１２を形成した工程を示す、中間
磁性層１２には、下部磁性層２と磁気的に接続して磁路
の一部を構成するもの（以下下部磁性Ｎ２と同一とみな
す）のほか、接続導体９を電気的に接続するためのスル
ーホール６の埋め部材となるものとがある。上記電／磁
的接続を要する部分に対しては、中間磁性層１２の形成
に先立って、第１の絶縁層を局部的に除去する工程が含
まれるが、ここでは図示しない。

次に第２図（Ｃ）、（Ｃ゛）に（ｂ）、（ｂｏ）の工程
終了時における最大段差以上の薄膜のＳｉＯ□等からな
る第２の絶縁層８を形成後、上記第２の絶縁層８の上部
をイオンミリング法等を用いたエツチドツク法、或は機
械研磨を用いて磁気ギャップ部１１に所定膜厚をのこし
て平坦化加工を行った状態を示し、（ｄ）、　（ｄ’）
に上記平坦化加工を行った第２の絶縁Ｎ８の上部に上部
磁性層３の形成を行った工程を示している。第２図（ｅ
）、　（ｅ’）で上部磁性ｌ１Ｉ３を所定形状にイオン
ビーム法等を用いて加工を行った後、コイル４中心部か
らリード部５を接続するＡＩ、Ｃｕ等からなる接続導体
９の形成を行っている。上記、上部磁性１ｉ３の加工で
は、第２図（ｅ）に示すように上部磁性層３の加工と同
時に磁気ギャップ部１０を介して対向する下部磁性Ｎ２
のエツチングをも行う。上記下部磁性層２のエツチング
量は、１μｍ以上であり、コイル４千面の最上部の０．
５μｍ程度上部をエンドポイントとしている。従って、
テープ摺動面側から見た薄膜磁気ヘッドの断面は上記第
２図（ｅ）から磁気ギヤツブ部１１近傍の上下部磁性層
３．２の相対的な位置関係は一致している。上記下部磁
性層２のエツチング量が１μｍ以上あれば磁気ギヤツブ
部１１中の磁界は、はとんど上記磁気ギヤツブ部１１中
におさまり、磁界もれは、極めて小さな領域に限られる
ことから記録のにじみに起因するクロストーク等特性の
劣化を生ずることなしに狭トラツク化へ対応した薄膜磁
気ヘッドの実現ができる。工程としては、上部磁性層３
、接続導体９を形成後、保護層の形成（図示せず）平坦
化加工、チップ化を経て所定の機械加工を行った後組立
て薄膜磁気ヘッドが完成する（いずれも図示せず）。

以上の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、従来例における
別々の工程で行っていた上下部磁性層の形成を、−度所
定形状に形成した下部磁性層を上部磁性層形成時に再度
同時−柄加工形成を行うことで、磁気ギャップ部近傍に
おける上下部磁性層の相対的な位置の一致を実現してい
る。従って、位置のずれまたは上下部磁性層の谷幅の寸
法差に起因する磁束のもれ、記録のにじみによるクロス
トークの増大及び上部磁性層のエツジ部に磁界が集中し
部分的磁気飽和を起こすことに起因する記録特性の低下
を防止し、特性の良好な狭トラツク化に対応した薄膜磁
気ヘッドの製造を実現できる。

またトラック幅規制は磁気ギャップ部近傍の磁性層の幅
で決まるため容易に制御でき、上記下部磁性層の加工は
従来の製造方法における上部磁性層の加工をオーバーエ
ツチングする工程とほぼ見なせるため、掻端な工程数の
増加もなく、工程が複雑化することもない。

発明の効果 本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、−度所定形状に
形成した下部磁性層を上部磁性層形成時に磁気ギャップ
部におけるＳｉＯ□等からなる絶縁層を介して再度同時
一括加工形成を行うことで、磁気ギャップ部近傍におけ
る上下部磁性層の相対的な位置の一致を実現している。

従って上記上下部磁性層における相対的な位置のずれ、
谷幅の寸法差に起因する磁束のもれ、記録のにじみによ
るクロストークの増大、及び上部磁性層のエツジ部に磁
界が集中し、部分的磁気飽和をおこすことに起因する記
録効率の低下を防止し、特性の良好な狭トラツク化に対
応した薄膜磁気ヘッドの製造を実現できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施例
における薄膜磁気ヘッドの傾斜図、第２図（＋）は本発
明の薄膜磁気ヘッドの製造方法の各工程で第１図におけ
るＸ、−第２断面図、第２図（ｎ）は同Ｘ、−Ｘ、断面
図、第３図は従来の薄膜磁気ヘッドの斜視図、第４図（
１）は従来の薄膜磁ヘッドの製造方法の各工程で第３図
におけるＸ。 第１断面図、第４図（■）は同Ｘ、−Ｘ４゜断面図であ
る。 ｌ・・・・・・基板、２・・・・・・下部磁性層、３・
・・・・・上部磁性層、４・・・・・・コイル、５・・
・・・・リード部、６・・・・・・スルーホール、７・
・・・・・第１の絶縁層、８・・・・・・第２の絶縁層
、９・・・・・・接続導体、１０・・・・・・パックギ
ャップ部、１１・・・・・・磁気ギャップ部、１２・・
・・・・中間磁性層。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に下部磁性層を形成する工程と、第１の絶
   縁層を形成する工程と上記第１の絶縁層上に導電体で形
   成された数ターンからなる薄膜コイルを形成する工程と
   、上記薄膜コイル上部に第２の絶縁層を形成する工程と
   、上記第２の絶縁層上に上部磁性層を形成する工程を有
   する薄膜磁気ヘッドの製造方法で、上記上部磁性層を所
   定形状に形成時、磁気ギャップ部を介して対向する上記
   下部磁性層を再度同時一括形成することを特徴とする薄
   膜磁気ヘッドの製造方法。
2. （２）上部磁性層と磁気ギャップ部を介して対向し、再
   度同時一括形成を行う上記下部磁性層のエッチング量は
   １μｍ以上であり、上記エッチングのエンドポイントは
   最大上記薄膜コイル平面における最上部面であることを
   特徴とする請求項（１）記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
   法。