JPH06119612A - 磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
磁気ヘッド及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH06119612A JPH06119612A JP2740792A JP2740792A JPH06119612A JP H06119612 A JPH06119612 A JP H06119612A JP 2740792 A JP2740792 A JP 2740792A JP 2740792 A JP2740792 A JP 2740792A JP H06119612 A JPH06119612 A JP H06119612A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- thin film
- thin
- film coil
- magnetic head
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気ヘッドの巻線を半導体微細加工技術を用
いて薄膜コイルとし、バッチ処理を容易にし、また、加
工精度を向上させて、磁路を従来と比較して１／２〜１
／５に短くし、結果として、磁気抵抗を下げ、出力及び
効率の向上を図る。 【構成】 磁性薄膜２が形成された一対の基板１，１を
有し、これらの基板１，１が磁性薄膜部２，２を対向さ
せてギャップ部を形成し、一方の基板上に薄膜コイル７
０が形成されている。この薄膜コイル７０は、高融点金
属又はＮｉ−Ｆｅ合金から成る密着層と、該密着層の上
に形成された導電層２２，２８と、さらに、その上に形
成された高融点金属、Ａｌ又はＮｉ−Ｆｅ合金から成る
密着層との三層構造となっており、この薄膜コイルを形
成した方の基板は他方の基板より大きい。薄膜コイル７
０のリード線取り出し部３５の構造は薄膜コイルとＡｕ
又はＡｌの積層構造となっている。
いて薄膜コイルとし、バッチ処理を容易にし、また、加
工精度を向上させて、磁路を従来と比較して１／２〜１
／５に短くし、結果として、磁気抵抗を下げ、出力及び
効率の向上を図る。 【構成】 磁性薄膜２が形成された一対の基板１，１を
有し、これらの基板１，１が磁性薄膜部２，２を対向さ
せてギャップ部を形成し、一方の基板上に薄膜コイル７
０が形成されている。この薄膜コイル７０は、高融点金
属又はＮｉ−Ｆｅ合金から成る密着層と、該密着層の上
に形成された導電層２２，２８と、さらに、その上に形
成された高融点金属、Ａｌ又はＮｉ−Ｆｅ合金から成る
密着層との三層構造となっており、この薄膜コイルを形
成した方の基板は他方の基板より大きい。薄膜コイル７
０のリード線取り出し部３５の構造は薄膜コイルとＡｕ
又はＡｌの積層構造となっている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ヘッド及びその製
造方法、より詳細には、ビデオテープレコーダ等の磁気
記録再生装置において、情報の記録再生等に用いられる
磁気ヘッド及びその製造方法に関するものである。
造方法、より詳細には、ビデオテープレコーダ等の磁気
記録再生装置において、情報の記録再生等に用いられる
磁気ヘッド及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来技術】近年、磁気記録の高密度化に伴って、メタ
ルテープのような高保磁力媒体が主流になっている。こ
のため磁気ヘッドに使用されているコア材料も高い飽和
磁束密度を有するものが要求されている。
ルテープのような高保磁力媒体が主流になっている。こ
のため磁気ヘッドに使用されているコア材料も高い飽和
磁束密度を有するものが要求されている。
【０００３】そこで、図１２に示すように、非磁性材料
から成る基板１に、例えば、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金等
の高い飽和磁束密度を有する軟磁性合金から成る薄膜２
を設けた構成の薄膜積層ヘッドが使用されている。上記
基板１としては、図において、上部側の端面が磁気テー
プの摺動面となることから、例えば、結晶化ガラス等の
耐摩耗性の優れた材料が選定されている。
から成る基板１に、例えば、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金等
の高い飽和磁束密度を有する軟磁性合金から成る薄膜２
を設けた構成の薄膜積層ヘッドが使用されている。上記
基板１としては、図において、上部側の端面が磁気テー
プの摺動面となることから、例えば、結晶化ガラス等の
耐摩耗性の優れた材料が選定されている。
【０００４】次に、上記のような磁気ヘッドの製造工程
を図面を用いて詳述する。まず、図１３（１）に示すよ
うに、精度１０００程度のブレードを用いたダイシング
加工によって、結晶化ガラス基板１に断面形状が略Ｖ字
状の連続した溝５を形成した後、これら溝５の表面に真
空蒸着又はスパッタ法等によって、前述の磁性薄膜２が
形成される。
を図面を用いて詳述する。まず、図１３（１）に示すよ
うに、精度１０００程度のブレードを用いたダイシング
加工によって、結晶化ガラス基板１に断面形状が略Ｖ字
状の連続した溝５を形成した後、これら溝５の表面に真
空蒸着又はスパッタ法等によって、前述の磁性薄膜２が
形成される。
【０００５】その後は、図１３（２）に示すように、各
溝５上に低融点ガラス３が充填され、次いで、図１３
（３）に示すように、上記低融点ガラス３の表面が各溝
５の表面側の頂点部に達するまで研磨されて平面状の研
磨面８が形成され、全体が片側コアブロックとして作製
される。
溝５上に低融点ガラス３が充填され、次いで、図１３
（３）に示すように、上記低融点ガラス３の表面が各溝
５の表面側の頂点部に達するまで研磨されて平面状の研
磨面８が形成され、全体が片側コアブロックとして作製
される。
【０００６】次いで、図１４（１）に示すように、上記
片側コアブロックにおける上記の研磨面８側に断面台形
の凹入溝形状のコイル巻線用窓６が、また、上記研磨面
８とは反対側の面に断面コ字形のコイル巻線用窓７がそ
れぞれ形成される。その後、上記研磨面８上にＳｉＯ2
等の非磁性ギャップ材が真空蒸着又はスパッタ法等によ
り形成され、片側コアブロック１０1（１０2）として完
成される。
片側コアブロックにおける上記の研磨面８側に断面台形
の凹入溝形状のコイル巻線用窓６が、また、上記研磨面
８とは反対側の面に断面コ字形のコイル巻線用窓７がそ
れぞれ形成される。その後、上記研磨面８上にＳｉＯ2
等の非磁性ギャップ材が真空蒸着又はスパッタ法等によ
り形成され、片側コアブロック１０1（１０2）として完
成される。
【０００７】上述のようにして、各コイル巻線用窓６，
７に非磁性ギャップ材が形成された片側コアブロック１
０1は、図１４（２）に示すように、同様に形成された
他の片側コアブロック１０2と、研磨面８同士が対面す
ると共に各溝５の平滑面に沿って研磨面へと延びる各磁
性薄膜２が同一の直線上に位置する状態で加圧固定さ
れ、相互に接合されて、コアブロック１０3として形成
される。その後、上記コアブロック１０3を溝の幅に合
わせてＡにて示す幅で切り出すと、図１４（３）に示す
ヘッドチップ１０が作製される。
７に非磁性ギャップ材が形成された片側コアブロック１
０1は、図１４（２）に示すように、同様に形成された
他の片側コアブロック１０2と、研磨面８同士が対面す
ると共に各溝５の平滑面に沿って研磨面へと延びる各磁
性薄膜２が同一の直線上に位置する状態で加圧固定さ
れ、相互に接合されて、コアブロック１０3として形成
される。その後、上記コアブロック１０3を溝の幅に合
わせてＡにて示す幅で切り出すと、図１４（３）に示す
ヘッドチップ１０が作製される。
【０００８】その後、上記ヘッドチップ１０は、ベース
板に接着、固定され、さらに、コイル巻線、テープ研磨
が施されて、磁気ヘッドとして完成される。また、薄膜
磁気ヘッドに於いて薄膜でコイルを形成するものもあ
る。なお、図１２は、コイル９が巻回されている磁気ヘ
ッドを示している。
板に接着、固定され、さらに、コイル巻線、テープ研磨
が施されて、磁気ヘッドとして完成される。また、薄膜
磁気ヘッドに於いて薄膜でコイルを形成するものもあ
る。なお、図１２は、コイル９が巻回されている磁気ヘ
ッドを示している。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上記方法で作製される
磁気ヘッドに於いては、Ｃｕ線を用いてコイル巻線を形
成することになるが、Ｃｕ線の太さは４０〜５０μφで
あり、出力、インダクタンスの点から巻数は１０〜２０
ターンとなる。
磁気ヘッドに於いては、Ｃｕ線を用いてコイル巻線を形
成することになるが、Ｃｕ線の太さは４０〜５０μφで
あり、出力、インダクタンスの点から巻数は１０〜２０
ターンとなる。
【００１０】従って、巻線用窓の寸法は、溝加工精度及
び溶着精度を考慮すると、３００〜５００μ×５０〜１
００μ必要となる。そのため、磁路が長くなり、磁気抵
抗が増加し、出力、効率が低下する問題があった。
び溶着精度を考慮すると、３００〜５００μ×５０〜１
００μ必要となる。そのため、磁路が長くなり、磁気抵
抗が増加し、出力、効率が低下する問題があった。
【００１１】また、２つのブロックを加圧固定してガラ
ス溶着する工程において、溶着条件を下げると、ガラス
間の密着不良が発生し、逆に溶着条件を上げると、ガラ
スが流れて巻線用窓にガラスが埋まって、不良が発生
し、溶着条件を厳格に制御する必要があった。
ス溶着する工程において、溶着条件を下げると、ガラス
間の密着不良が発生し、逆に溶着条件を上げると、ガラ
スが流れて巻線用窓にガラスが埋まって、不良が発生
し、溶着条件を厳格に制御する必要があった。
【００１２】従来の薄膜磁気ヘッドの場合、硬い基板上
に巻線が形成されるが、薄膜積層ヘッドの場合、低融点
ガラス上に巻線を形成する必要があり、また、ガラス溶
着の温度に耐えうる構造にする必要がある。
に巻線が形成されるが、薄膜積層ヘッドの場合、低融点
ガラス上に巻線を形成する必要があり、また、ガラス溶
着の温度に耐えうる構造にする必要がある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】基板に形成された軟磁性
薄膜を有し、一対の上記基板がそれぞれの軟磁性薄膜を
対向させてギャップ部を形成してなる磁気ヘッドにおい
て、一方の上記基板上に薄膜コイルが形成されている。
この場合、薄膜コイルは高融点金属（Ｔｉ，Ｎｂ，Ｗ，
Ｔａ，Ｃｒ）又はＮｉ−Ｆｅ合金から成る密着層上に導
電層（Ｃｕ，Ａｕ）が形成され、さらに、その上に密着
層として、高融点金属、Ａｌ又はＮｉ−Ｆｅ合金が形成
されている。また、薄膜コイルのリード線取り出し部分
の構造を薄膜コイル（導電層）とＡｕ又はＡｌ（リード
電極）との積層構造としている。
薄膜を有し、一対の上記基板がそれぞれの軟磁性薄膜を
対向させてギャップ部を形成してなる磁気ヘッドにおい
て、一方の上記基板上に薄膜コイルが形成されている。
この場合、薄膜コイルは高融点金属（Ｔｉ，Ｎｂ，Ｗ，
Ｔａ，Ｃｒ）又はＮｉ−Ｆｅ合金から成る密着層上に導
電層（Ｃｕ，Ａｕ）が形成され、さらに、その上に密着
層として、高融点金属、Ａｌ又はＮｉ−Ｆｅ合金が形成
されている。また、薄膜コイルのリード線取り出し部分
の構造を薄膜コイル（導電層）とＡｕ又はＡｌ（リード
電極）との積層構造としている。
【００１４】更に、基板の表面に略Ｖ字状の複数の溝を
形成し、各溝の一方の溝壁面に沿って軟磁性薄膜と層間
絶縁膜とを交互に積層して磁性薄膜部を設け、その後、
一方の基板上には導電層（Ｃｕ又はＡｕ）から成る薄膜
コイルを形成し、他方の基板には溝を形成し、一対の上
記基板を各々の磁性薄膜部がギャップ部を挟んで直線上
に連なるように互いに接合させて磁気ヘッドを製造す
る。
形成し、各溝の一方の溝壁面に沿って軟磁性薄膜と層間
絶縁膜とを交互に積層して磁性薄膜部を設け、その後、
一方の基板上には導電層（Ｃｕ又はＡｕ）から成る薄膜
コイルを形成し、他方の基板には溝を形成し、一対の上
記基板を各々の磁性薄膜部がギャップ部を挟んで直線上
に連なるように互いに接合させて磁気ヘッドを製造す
る。
【００１５】
【作用】巻線を半導体微細加工技術を用いて、薄膜コイ
ルとしているので、バッチ処理が容易であり、また、加
工精度が向上するため、従来技術と比較して磁路が１／
２〜１／５に短くでき、結果として、磁気抵抗が低下
し、出力及び効率の向上が図れる。
ルとしているので、バッチ処理が容易であり、また、加
工精度が向上するため、従来技術と比較して磁路が１／
２〜１／５に短くでき、結果として、磁気抵抗が低下
し、出力及び効率の向上が図れる。
【００１６】また、薄膜コイルを、密着層と、該密着層
の上に形成されたＣｕ又はＡｕの導電層と、該導電層の
上に形成された密着層との３層構造としているので、コ
アブロック同志を溶着する時のコイル間のショート及び
拡散による抵抗値の増大を防止することができる。
の上に形成されたＣｕ又はＡｕの導電層と、該導電層の
上に形成された密着層との３層構造としているので、コ
アブロック同志を溶着する時のコイル間のショート及び
拡散による抵抗値の増大を防止することができる。
【００１７】また、薄膜コイルのリード取り出し部分の
構造を薄膜コイルの上にさらにＡｌ又はＡｕを形成して
リード電極を構成しており、また、薄膜コイルを形成し
たブロックを大きくしてあるので、溶着後にワイヤーボ
ンディング法を用いることができ、さらには、溶着工程
の熱処理後であっても、リードの取り出しが可能とな
る。
構造を薄膜コイルの上にさらにＡｌ又はＡｕを形成して
リード電極を構成しており、また、薄膜コイルを形成し
たブロックを大きくしてあるので、溶着後にワイヤーボ
ンディング法を用いることができ、さらには、溶着工程
の熱処理後であっても、リードの取り出しが可能とな
る。
【００１８】さらに、溶着時のガラス埋まりを考慮する
必要がなくなり溶着条件の範囲が大きくなり、歩留りの
向上が図れる。
必要がなくなり溶着条件の範囲が大きくなり、歩留りの
向上が図れる。
【００１９】
【実施例】本発明に係る磁気ヘッド及び磁気ヘッドの製
造方法について、以下、図面を用いて、詳細に説明す
る。図１（１）に、本発明の一実施例における磁気ヘッ
ドチップの斜視図を示す。また、図１（２）に、図１
（１）の（II）−（II）線断面構造図を示す。なお、図
１において、７０は本発明によって形成された薄膜コイ
ル、３５はリード線取り出し端子部、２２，２８はコイ
ルである。
造方法について、以下、図面を用いて、詳細に説明す
る。図１（１）に、本発明の一実施例における磁気ヘッ
ドチップの斜視図を示す。また、図１（２）に、図１
（１）の（II）−（II）線断面構造図を示す。なお、図
１において、７０は本発明によって形成された薄膜コイ
ル、３５はリード線取り出し端子部、２２，２８はコイ
ルである。
【００２０】前述の従来工程と同様、精度１０００程度
のブレードを用いたダイシング加工によって、図２
（１）に示すように、結晶化ガラス基板１に断面形状が
略Ｖ字状の連続した溝５を形成した後、これら溝５の表
面に真空蒸着又はスパッタ法等によって、前述の磁性薄
膜２が形成される。
のブレードを用いたダイシング加工によって、図２
（１）に示すように、結晶化ガラス基板１に断面形状が
略Ｖ字状の連続した溝５を形成した後、これら溝５の表
面に真空蒸着又はスパッタ法等によって、前述の磁性薄
膜２が形成される。
【００２１】ここで、磁性薄膜２は、高周波領域での特
性向上（損失改善）のため、軟磁性薄膜（センダスト合
金膜）と層間絶縁膜（ＳｉＯ2，ＳｉＯ，Ａｌ2Ｏ3，Ｓ
ｉ3Ｎ4等）とを交互に成膜して所定の膜厚（トラック幅
に相当する寸法）を有する積層構造の磁性薄膜部とな
る。
性向上（損失改善）のため、軟磁性薄膜（センダスト合
金膜）と層間絶縁膜（ＳｉＯ2，ＳｉＯ，Ａｌ2Ｏ3，Ｓ
ｉ3Ｎ4等）とを交互に成膜して所定の膜厚（トラック幅
に相当する寸法）を有する積層構造の磁性薄膜部とな
る。
【００２２】その後は、図２（２）に示すように、各溝
５上に低融点ガラス３が充填され、次いで、図２（３）
に示すように、上記低融点ガラス３の表面が各溝５の表
面側の頂点部に達するまで、研磨され、平面状の研磨面
８が形成され、全体が片側コアブロックとして作製され
る。
５上に低融点ガラス３が充填され、次いで、図２（３）
に示すように、上記低融点ガラス３の表面が各溝５の表
面側の頂点部に達するまで、研磨され、平面状の研磨面
８が形成され、全体が片側コアブロックとして作製され
る。
【００２３】次いで、上記片側コアブロック上の研磨面
８側に薄膜コイルを形成する。図３（１）に、図２
（３）のＡ−Ｂ，Ｃ−Ｄ，Ａ−Ｅ，Ｃ−Ｆ断面で切断し
たチップについて、完成した薄膜コイルの斜視図を、ま
た、図３（２）に図３（１）のニ−ハ線の断面構造をに
示す。
８側に薄膜コイルを形成する。図３（１）に、図２
（３）のＡ−Ｂ，Ｃ−Ｄ，Ａ−Ｅ，Ｃ−Ｆ断面で切断し
たチップについて、完成した薄膜コイルの斜視図を、ま
た、図３（２）に図３（１）のニ−ハ線の断面構造をに
示す。
【００２４】次に、図３（１）のイ−ロ断面図の薄膜コ
イルの形成方法についてドライエッチング法（実施例
１）及び選択メッキ法（実施例２）を例に説明する。
イルの形成方法についてドライエッチング法（実施例
１）及び選択メッキ法（実施例２）を例に説明する。
【００２５】
【実施例１】 （ドライエッチング法）図４〜図６は、本発明による薄
膜コイル成形方法（ドライエッチング法）の一実施例を
説明するための図で、まず、図４（１）に示すように、
軟磁性膜２の上にスパッタ法、ＥＢ蒸着法等により絶縁
層２１（Ａｌ2Ｏ3，ＳｉＯ2，ＳｉＯ，Ｓｉ3Ｎ4）を形
成した後、導電層２２をスパッタ法、ＥＢ蒸着法等によ
り形成する。上記導電層２２は３層構造とする。即ち、
高融点金属（Ｔｉ，Ｎｂ，Ｗ，Ｔａ，Ｃｒ）又はＮｉ−
Ｆｅ合金膜から成る３００Å〜０.３μの膜厚の密着層
上に導電層（Ｃｕ，Ａｕ）が１μ〜５μ（膜厚）形成さ
れ、さらに、その上に密着層として、高融点金属、Ａｌ
又はＮｉ−Ｆｅ合金膜が５００Å〜０.３μ形成され
る。
膜コイル成形方法（ドライエッチング法）の一実施例を
説明するための図で、まず、図４（１）に示すように、
軟磁性膜２の上にスパッタ法、ＥＢ蒸着法等により絶縁
層２１（Ａｌ2Ｏ3，ＳｉＯ2，ＳｉＯ，Ｓｉ3Ｎ4）を形
成した後、導電層２２をスパッタ法、ＥＢ蒸着法等によ
り形成する。上記導電層２２は３層構造とする。即ち、
高融点金属（Ｔｉ，Ｎｂ，Ｗ，Ｔａ，Ｃｒ）又はＮｉ−
Ｆｅ合金膜から成る３００Å〜０.３μの膜厚の密着層
上に導電層（Ｃｕ，Ａｕ）が１μ〜５μ（膜厚）形成さ
れ、さらに、その上に密着層として、高融点金属、Ａｌ
又はＮｉ−Ｆｅ合金膜が５００Å〜０.３μ形成され
る。
【００２６】次に、導電層２２を加工するために、図４
（２）に示すように、導電層２２の上にフォトレジスト
２３をパターニングし、このフォトレジスト２３をマス
クにして導電層２２を加工する。導電層２２を加工する
方法として、例えば、イオンシーリング装置を用いて、
導入ガス、純Ａｒ又はＡｒ＋Ｏ2，４００〜１ＫＶ，０.
３〜０.６Ａの条件で、導電層（Ｃｕ，Ａｕ）のエッチ
ング速度を４００〜１０００Å／分、密着層のエッチン
グ速度を１０〜１００Å／分の値として加工する。導電
層２２を加工後、図４（３）（Ａ）及び（Ｂ）に示すよ
うに、フォトレジスト２３を酸素プラズマ又はロゾリン
IV等の剥離液を用いて除去する（図４（３）（Ａ）は、
図４（３）（Ｂ）のイ−ロ線断面図、同（Ｂ）は導電層
２２の平面パターン図である。）。
（２）に示すように、導電層２２の上にフォトレジスト
２３をパターニングし、このフォトレジスト２３をマス
クにして導電層２２を加工する。導電層２２を加工する
方法として、例えば、イオンシーリング装置を用いて、
導入ガス、純Ａｒ又はＡｒ＋Ｏ2，４００〜１ＫＶ，０.
３〜０.６Ａの条件で、導電層（Ｃｕ，Ａｕ）のエッチ
ング速度を４００〜１０００Å／分、密着層のエッチン
グ速度を１０〜１００Å／分の値として加工する。導電
層２２を加工後、図４（３）（Ａ）及び（Ｂ）に示すよ
うに、フォトレジスト２３を酸素プラズマ又はロゾリン
IV等の剥離液を用いて除去する（図４（３）（Ａ）は、
図４（３）（Ｂ）のイ−ロ線断面図、同（Ｂ）は導電層
２２の平面パターン図である。）。
【００２７】次に、図４（４）に示すように、絶縁層２
４を形成後、平坦化を行なう。
４を形成後、平坦化を行なう。
【００２８】ここで、絶縁層２４の平坦化の方法につい
て、図７を用いて説明する。まず、図７（１）に示すよ
うに、導電層２２上にＰ−ＣＶＤ法、スパッタ法、ＴＥ
ＵＳ等により、ＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，ＳｉＯ，Ｓｉ3Ｎ4
等から成る絶縁層２４を形成し、その後、図７（２）に
示すように、フォトレジスト２５を全面に形成して、平
坦化を行なう。
て、図７を用いて説明する。まず、図７（１）に示すよ
うに、導電層２２上にＰ−ＣＶＤ法、スパッタ法、ＴＥ
ＵＳ等により、ＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，ＳｉＯ，Ｓｉ3Ｎ4
等から成る絶縁層２４を形成し、その後、図７（２）に
示すように、フォトレジスト２５を全面に形成して、平
坦化を行なう。
【００２９】次に、図７（３）に示すように、イオンシ
ーリング法、又は、ＲＩＥ（リアクティブ・イオン・エ
ッチング）法を用いて全面エッチングし、絶縁層２４の
平坦化を行う。エッチングする方法としては、イオンシ
ーリング法を用いる場合は、イオンビーム角度を５０〜
７０度の範囲とすると、絶縁層２４とフォトレジスト２
５のエッチング速度がほぼ等しくなり、また、ＲＩＥ法
の場合は、導入ガスとして、例えば、ＣＦ4＋Ｏ2，ＣＨ
Ｆ3＋Ｏ2を用いることにより、絶縁層２４とフォトレジ
スト２５のエッチング速度が等しくなり、平坦化でき
る。
ーリング法、又は、ＲＩＥ（リアクティブ・イオン・エ
ッチング）法を用いて全面エッチングし、絶縁層２４の
平坦化を行う。エッチングする方法としては、イオンシ
ーリング法を用いる場合は、イオンビーム角度を５０〜
７０度の範囲とすると、絶縁層２４とフォトレジスト２
５のエッチング速度がほぼ等しくなり、また、ＲＩＥ法
の場合は、導入ガスとして、例えば、ＣＦ4＋Ｏ2，ＣＨ
Ｆ3＋Ｏ2を用いることにより、絶縁層２４とフォトレジ
スト２５のエッチング速度が等しくなり、平坦化でき
る。
【００３０】次に、もとに戻って、一層目の導電層２２
と二層目の導電層を接続するために、図５（１）に示す
ように、絶縁層２４の一部２７をフォトレジスト２６を
用いてＲＩＥ等でエッチングし、その後、図５（２）
（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、レジスト２６を除去す
る（図５（２）（Ａ）は、図５（２）（Ｂ）のイ−ロ断
面図、図５（２）（Ｂ）は平面図である。）。
と二層目の導電層を接続するために、図５（１）に示す
ように、絶縁層２４の一部２７をフォトレジスト２６を
用いてＲＩＥ等でエッチングし、その後、図５（２）
（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、レジスト２６を除去す
る（図５（２）（Ａ）は、図５（２）（Ｂ）のイ−ロ断
面図、図５（２）（Ｂ）は平面図である。）。
【００３１】次に、図５（３）に示すように、第二層目
となる導電層２８を第一層目と同様な方法で形成し、そ
の後、導電層２８を加工するためのフォトレジスト２９
を形成する。導電層２８のエッチング方法も一層目の導
電層２２と同条件にすれば良い（図５（４）（Ａ）及び
（Ｂ）参照）。また、絶縁層３０の形成方法、平坦化方
法も絶縁層２４と同様にすれば良い（図６（１）参
照）。
となる導電層２８を第一層目と同様な方法で形成し、そ
の後、導電層２８を加工するためのフォトレジスト２９
を形成する。導電層２８のエッチング方法も一層目の導
電層２２と同条件にすれば良い（図５（４）（Ａ）及び
（Ｂ）参照）。また、絶縁層３０の形成方法、平坦化方
法も絶縁層２４と同様にすれば良い（図６（１）参
照）。
【００３２】次に、図６（２）に示すフロント・ギャッ
プ部３２及びバックコア部３３の絶縁層を加工する。加
工方法はフォトレジスト３１をマスクにして、ＲＩＥ法
により絶縁層３０をエッチングし、次いで、図６（３）
（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、レジスト３１を除去す
ることにより、薄膜コイルが完成する。
プ部３２及びバックコア部３３の絶縁層を加工する。加
工方法はフォトレジスト３１をマスクにして、ＲＩＥ法
により絶縁層３０をエッチングし、次いで、図６（３）
（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、レジスト３１を除去す
ることにより、薄膜コイルが完成する。
【００３３】ここで、図３（１）に戻って、薄膜コイル
のリード取り出し部分３５については、図３（２）に示
すように、積層構造とする（図３（１）のハ−ニ断面を
図３（２）に拡大して示す）。即ち、導電層２８上にス
クリーン印刷、メッキ法等により、Ａｕ，Ａｌからなる
導電層３５を１〜１０μ（膜厚）形成する。
のリード取り出し部分３５については、図３（２）に示
すように、積層構造とする（図３（１）のハ−ニ断面を
図３（２）に拡大して示す）。即ち、導電層２８上にス
クリーン印刷、メッキ法等により、Ａｕ，Ａｌからなる
導電層３５を１〜１０μ（膜厚）形成する。
【００３４】
【実施例２】 （選択メッキ法）次に、図８〜図１０を用いて本発明の
薄膜コイル形成方法の他の例（選択メッキ法）について
詳細に説明する。まず、図８（１）に示すように、軟磁
性薄膜２の上にＡｌ3Ｏ3，ＳｉＯ2，ＳｉＯ，Ｓｉ3Ｎ4
等から成る絶縁層５１をスパッタ法、Ｐ−ＣＶＤ法等で
形成し、その後、メッキベース層５２をスパッタ法、Ｅ
Ｂ法等により形成する。具体的には、Ｃｒ，Ｔｉ，Ｎ
ｂ，Ｗ，Ｎｉ−Ｆｅ合金膜から成る密着層を介して、導
電層として、Ａｕ，Ｃｕ，Ｎｉ−Ｆｅ合金膜を形成す
る。その後、目的の薄膜コイルパターンと逆のパターン
をフォトレジスト５３で形成する。
薄膜コイル形成方法の他の例（選択メッキ法）について
詳細に説明する。まず、図８（１）に示すように、軟磁
性薄膜２の上にＡｌ3Ｏ3，ＳｉＯ2，ＳｉＯ，Ｓｉ3Ｎ4
等から成る絶縁層５１をスパッタ法、Ｐ−ＣＶＤ法等で
形成し、その後、メッキベース層５２をスパッタ法、Ｅ
Ｂ法等により形成する。具体的には、Ｃｒ，Ｔｉ，Ｎ
ｂ，Ｗ，Ｎｉ−Ｆｅ合金膜から成る密着層を介して、導
電層として、Ａｕ，Ｃｕ，Ｎｉ−Ｆｅ合金膜を形成す
る。その後、目的の薄膜コイルパターンと逆のパターン
をフォトレジスト５３で形成する。
【００３５】フォトレジスト５３で逆パターンを形成し
た後、図８（２）に示すように、導体コイルとして、Ａ
ｕ，Ｃｕを選択メッキし、さらに、上部絶縁層との密着
性を向上させるため、Ｎｉ−Ｆｅ合金膜又はＮｉ膜を選
択メッキ５４する。次いで、上記フォトレジスト５３を
除去することにより、図８（３）（Ａ）及び（Ｂ）に示
すように、一層目の薄膜コイルが形成される。
た後、図８（２）に示すように、導体コイルとして、Ａ
ｕ，Ｃｕを選択メッキし、さらに、上部絶縁層との密着
性を向上させるため、Ｎｉ−Ｆｅ合金膜又はＮｉ膜を選
択メッキ５４する。次いで、上記フォトレジスト５３を
除去することにより、図８（３）（Ａ）及び（Ｂ）に示
すように、一層目の薄膜コイルが形成される。
【００３６】次に、図８（４）に示すように、Ａｌ
2Ｏ3，ＳｉＯ2，Ｓｉ3Ｎ4，ＳｉＯ等から成る絶縁層５
５をＰ−ＣＶＤ法、スパッタ法等により形成するか、Ｐ
ＩＱ等の有機膜５５を塗布法により形成、焼成した後、
平坦化処理をする。
2Ｏ3，ＳｉＯ2，Ｓｉ3Ｎ4，ＳｉＯ等から成る絶縁層５
５をＰ−ＣＶＤ法、スパッタ法等により形成するか、Ｐ
ＩＱ等の有機膜５５を塗布法により形成、焼成した後、
平坦化処理をする。
【００３７】次に、第一層目と第二層目の薄膜コイルを
接続するために、図９（１）に示すように、フォトレジ
スト５６をマスクに絶縁層５５の一部５７をエッチング
し、その後、図９（２）に示すように、第二層の薄膜コ
イル用にメッキベース層５８を上記メッキベース層５２
と同様に形成する。
接続するために、図９（１）に示すように、フォトレジ
スト５６をマスクに絶縁層５５の一部５７をエッチング
し、その後、図９（２）に示すように、第二層の薄膜コ
イル用にメッキベース層５８を上記メッキベース層５２
と同様に形成する。
【００３８】上記メッキベース層５８、フォトレジスト
５９により、図９（３）に示すように、第一層目と同様
に、Ｃｕ，Ａｕから成る導電層及び密着層６０を選択メ
ッキした後、図９（４）（Ａ）及び（Ｂ）に示すよう
に、レジスト５９を除去する。
５９により、図９（３）に示すように、第一層目と同様
に、Ｃｕ，Ａｕから成る導電層及び密着層６０を選択メ
ッキした後、図９（４）（Ａ）及び（Ｂ）に示すよう
に、レジスト５９を除去する。
【００３９】次に、図１０（１）に示すように、絶縁層
６１を形成した後、前述の絶縁層５５と同様な方法によ
り、平坦化し、次いで、図１０（２）に示すように、レ
ジスト６２をマスクにフロントギャップ部６３及びバッ
クコア部６４の絶縁層をエッチングする。次いで、フォ
トレジスト６２を除去することにより、図１０（３）
（Ａ）及び（Ｂ）に示す薄膜コイルが完成する。
６１を形成した後、前述の絶縁層５５と同様な方法によ
り、平坦化し、次いで、図１０（２）に示すように、レ
ジスト６２をマスクにフロントギャップ部６３及びバッ
クコア部６４の絶縁層をエッチングする。次いで、フォ
トレジスト６２を除去することにより、図１０（３）
（Ａ）及び（Ｂ）に示す薄膜コイルが完成する。
【００４０】上述の方法により、片側コアブロックの研
磨面側に薄膜コイル７０が形成され、もう一方のコアブ
ロックの研磨面側には、図１１（１）に示すように、凹
形状の溝が形成され、これらコアブロックを、図１１
（２）に示すように、研磨面同士が対面すると共に、各
溝の平滑面に沿って研磨面へと延びる各軟磁性薄膜が同
一直線上に位置する状態で加圧固定して、相互に接合す
ることにより、コアブロックとして形成される。その
後、上記コアブロックを溝の幅に合わせてＢの幅にて切
り出すことで、図１に示したヘッドチップが作製され
る。そして、このヘッドチップはベース板に接着、固定
され、さらにコイルのリード取り出し、テープ研磨が施
されて、磁気ヘッドとして完成される。
磨面側に薄膜コイル７０が形成され、もう一方のコアブ
ロックの研磨面側には、図１１（１）に示すように、凹
形状の溝が形成され、これらコアブロックを、図１１
（２）に示すように、研磨面同士が対面すると共に、各
溝の平滑面に沿って研磨面へと延びる各軟磁性薄膜が同
一直線上に位置する状態で加圧固定して、相互に接合す
ることにより、コアブロックとして形成される。その
後、上記コアブロックを溝の幅に合わせてＢの幅にて切
り出すことで、図１に示したヘッドチップが作製され
る。そして、このヘッドチップはベース板に接着、固定
され、さらにコイルのリード取り出し、テープ研磨が施
されて、磁気ヘッドとして完成される。
【００４１】
【発明の効果】巻線を半導体微細加工技術を用いて、薄
膜コイルとしているので、バッチ処理が容易であり、ま
た、加工精度が向上するため、従来と比較して磁路が１
／２〜１／５に短くでき、結果として磁気抵抗が下が
り、出力及び効率の向上が図れる。
膜コイルとしているので、バッチ処理が容易であり、ま
た、加工精度が向上するため、従来と比較して磁路が１
／２〜１／５に短くでき、結果として磁気抵抗が下が
り、出力及び効率の向上が図れる。
【００４２】また、薄膜コイルを、密着層と、該密着層
上のＣｕ又はＡｕの導電層と、該導電層上の密着層との
３層構造としているので、コアブロック同志の溶着時の
コイル間のショート及び拡散による抵抗値の増大を防止
することができる。
上のＣｕ又はＡｕの導電層と、該導電層上の密着層との
３層構造としているので、コアブロック同志の溶着時の
コイル間のショート及び拡散による抵抗値の増大を防止
することができる。
【００４３】また、薄膜コイルのリード取り出し部分の
構造を薄膜コイル上にＡｌ又はＡｕを積層しており、ま
た、薄膜コイルを形成したブロックを大きくしてあるの
で、溶着後にワイヤーボンディング法を用いることがで
き、さらに、溶着工程の熱処理後であってもリードの取
り出しが可能となる。
構造を薄膜コイル上にＡｌ又はＡｕを積層しており、ま
た、薄膜コイルを形成したブロックを大きくしてあるの
で、溶着後にワイヤーボンディング法を用いることがで
き、さらに、溶着工程の熱処理後であってもリードの取
り出しが可能となる。
【００４４】さらに、チップ切断前にコイルを形成する
ため、溶着時のガラス埋まりを考慮する必要がなく、溶
着条件の範囲が大きくなり、歩留りの向上が図れる。
ため、溶着時のガラス埋まりを考慮する必要がなく、溶
着条件の範囲が大きくなり、歩留りの向上が図れる。
【図１】 本発明の一実施例を示す磁気ヘッドチップの
斜視図及び断面図である。
斜視図及び断面図である。
【図２】 図１に示した磁気ヘッドチップの製造工程に
おける溝形成から、低融点ガラスが平面状に研磨された
基板までの製造工程を説明するための斜視図である。
おける溝形成から、低融点ガラスが平面状に研磨された
基板までの製造工程を説明するための斜視図である。
【図３】 本発明に係る完成した薄膜コイルの斜視図及
び一部断面図である。
び一部断面図である。
【図４】 本発明に係る薄膜コイルの形成工程（ドライ
エッチング法）の一部を説明するための断面図及び平面
図である。
エッチング法）の一部を説明するための断面図及び平面
図である。
【図５】 本発明に係る薄膜コイルの形成工程の図４に
示した工程に続く工程の一部を説明するための断面図及
び平面図である。
示した工程に続く工程の一部を説明するための断面図及
び平面図である。
【図６】 本発明に係る薄膜コイルの形成工程の図５に
示した工程に続く工程を説明するための断面図及び平面
図である。
示した工程に続く工程を説明するための断面図及び平面
図である。
【図７】 本発明に係る薄膜コイルの形成工程に於ける
絶縁層の平坦化工程を示す断面図である。
絶縁層の平坦化工程を示す断面図である。
【図８】 本発明に係る他の薄膜コイルの形成工程（選
択メッキ法）の一部を説明するための断面図及び平面図
である。
択メッキ法）の一部を説明するための断面図及び平面図
である。
【図９】 本発明に係る他の薄膜コイルの形成工程の図
８に示した工程に続く工程の一部を説明するための断面
図及び平面図である。
８に示した工程に続く工程の一部を説明するための断面
図及び平面図である。
【図１０】 本発明に係る他の薄膜コイルの形成工程の
図９に示した工程に続く工程を説明するための断面図及
び平面図である。
図９に示した工程に続く工程を説明するための断面図及
び平面図である。
【図１１】 基板に溝が形成されたコアブロック及び一
対のコアブロックを対面させた状態で接合して得られた
本発明による磁気ヘッドコアブロックの斜視図である。
対のコアブロックを対面させた状態で接合して得られた
本発明による磁気ヘッドコアブロックの斜視図である。
【図１２】 従来技術の磁気ヘッドチップの斜視図であ
る。
る。
【図１３】 従来の磁気ヘッド製造工程の一部を説明す
るための斜視図である。
るための斜視図である。
【図１４】 従来の磁気ヘッド製造工程の一部を説明す
るための斜視図である。
るための斜視図である。
１…基板、２…軟磁性薄膜、３…低融点ガラス、７０…
薄膜コイル（２２…第一層導体コイル、２８…第二層導
体コイル）、３５…薄膜コイルのリード線引出し部分、
２１，２４，３０，５１，５５，６１…絶縁層、３２，
６３…フロントギャップ部、３３，６４…バックコア
部、２３，２５，２６，２９，３１，５３，５６，５
９，６２…フォトレジスト。
薄膜コイル（２２…第一層導体コイル、２８…第二層導
体コイル）、３５…薄膜コイルのリード線引出し部分、
２１，２４，３０，５１，５５，６１…絶縁層、３２，
６３…フロントギャップ部、３３，６４…バックコア
部、２３，２５，２６，２９，３１，５３，５６，５
９，６２…フォトレジスト。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 原 孝則 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 榎本 昭仁 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 磁性薄膜が形成された一対の基板を有
し、該一対の基板がそれぞれの磁性薄膜部を対向させて
ギャップ部を形成してなる磁気ヘッドにおいて、一方の
上記基板上に薄膜コイルが形成されていることを特徴と
する磁気ヘッド。 - 【請求項２】 請求項１において、前記薄膜コイルが、
高融点金属又はＮｉ−Ｆｅ合金から成る密着層と、該密
着層の上に形成された導電層と、さらに、その上に形成
された高融点金属、Ａｌ又はＮｉ−Ｆｅ合金から成る密
着層との三層構造であることを特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項３】 請求項１において、前記薄膜コイルを形
成した方の基板が他方の基板の寸法より大きいことを特
徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項４】 請求項１において、前記薄膜コイルのリ
ード線取り出し部分の構造を、薄膜コイルとＡｕ又はＡ
ｌの積層構造としたことを特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項５】 基板の表面に略Ｖ字状の複数の溝を形成
し、各溝の一方の溝壁面に沿って軟磁性薄膜と層間絶縁
膜とを交互に積層して磁性薄膜部を設け、その後、一方
の基板上には導電層から成る薄膜コイルを形成し、他方
の基板には溝を形成し、次いで、一対の上記基板を各々
の磁性薄膜部がギャップ部を挟んで直線上に連なるよう
に互いに接合させることを特徴とする磁気ヘッドの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2740792A JPH06119612A (ja) | 1992-01-17 | 1992-01-17 | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2740792A JPH06119612A (ja) | 1992-01-17 | 1992-01-17 | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06119612A true JPH06119612A (ja) | 1994-04-28 |
Family
ID=12220230
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2740792A Pending JPH06119612A (ja) | 1992-01-17 | 1992-01-17 | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06119612A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0709828A1 (en) * | 1994-05-09 | 1996-05-01 | Sony Corporation | Magnetic head and its manufacture |
| EP0821347A2 (en) * | 1996-07-25 | 1998-01-28 | Sony Corporation | Magnetic head |
-
1992
- 1992-01-17 JP JP2740792A patent/JPH06119612A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0709828A1 (en) * | 1994-05-09 | 1996-05-01 | Sony Corporation | Magnetic head and its manufacture |
| EP0709828A4 (en) * | 1994-05-09 | 1996-11-13 | Sony Corp | MAGNETIC HEAD AND MANUFACTURING METHOD |
| EP0821347A2 (en) * | 1996-07-25 | 1998-01-28 | Sony Corporation | Magnetic head |
| EP0821347A3 (en) * | 1996-07-25 | 1999-01-27 | Sony Corporation | Magnetic head |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH07201010A (ja) | 磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| US5796564A (en) | Magnetic head having a recessed portion corresponding to a magnetic path and method of manufacturing the same | |
| JPH06119612A (ja) | 磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JPH0628617A (ja) | 磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JP2535819B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JP3135021B2 (ja) | 磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPS6247812A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JP2669965B2 (ja) | 磁気ヘッドの製造方法 | |
| JP2891817B2 (ja) | 磁気ヘッド製造方法 | |
| JP3928237B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JP3302876B2 (ja) | 磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH06259717A (ja) | 磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JP2889072B2 (ja) | 薄膜積層磁気ヘッドチップ及びその製法 | |
| JPH0684141A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPH0676237A (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製法 | |
| JPH08102013A (ja) | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JPH0468683B2 (ja) | ||
| JPH02210608A (ja) | 磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH0438606A (ja) | 積層型磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JPH01169709A (ja) | 積層型磁気ヘッド | |
| JPS5898823A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPH05242412A (ja) | 磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPS62110612A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPS6238517A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPH06139521A (ja) | 薄膜磁気ヘッド |