JPH06259717A

JPH06259717A - 磁気ヘッド及びその製造方法

Info

Publication number: JPH06259717A
Application number: JP6615593A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Omori; 広之大森; Tetsuya Yamamoto; 哲也山元; Yasunari Sugiyama; 康成杉山
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1993-03-02
Filing date: 1993-03-02
Publication date: 1994-09-16

Abstract

(57)【要約】【目的】薄膜コイルの断線や短絡を防止し、十分なギ
ャップ精度を確保する。【構成】基板上の少なくとも記録媒体対向面の近傍部
に金属磁性膜が形成される一対の磁気コアを突き合わせ
て金属磁性膜間に磁気ギャップが形成される磁気ヘッド
の少なくとも一方の磁気コアの突き合わせ面にコイル形
成用の凹部を形成し、該凹部内に薄膜工程によるコイル
を形成する。また、上記のような磁気ヘッドを製造する
に際しては、金属磁性膜の形成される一対の基板の突き
合わせ面にガラスを充填して平坦化し、少なくとも一方
の基板の突き合わせ面にコイル形成領域に対応してイオ
ンミリングにより凹部形成し、フォトリソ技術によって
コイルを形成し、コイル及び凹部を覆って絶縁膜を形成
して平坦化し、上記一対の基板をギャップ材を介して突
き合わせて製造する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、金属磁性膜により磁路
を構成してなる磁気ヘッド及びその製造方法に関するも
のであり、特にコイルを薄膜工程により形成してなる磁
気ヘッド及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＶＴＲ用の磁気ヘッドとして、フェライ
トよりなる磁気コアの磁気ギャップ形成面に金属磁性膜
を成膜した，いわゆるメタル・イン・ギャップ型の磁気
ヘッドや、非磁性セラミックで金属磁性膜を挟み込んだ
形の積層型ヘッド等が使用されているが、今後の高画質
化、デジタル化等に対応するためには、より高周波域で
良好な電磁変換特性を示すことが必要であり、しかも小
さなドラム上に複数の磁気ヘッドが搭載できなければな
らない。

【０００３】しかしながら、前述のメタル・イン・ギャ
ップ型の磁気ヘッドでは、インピーダンスが大きく、高
周波域での使用は適さない。また、積層型ヘッドの場合
は、高密度記録化によるトラック幅の減少に伴い磁路を
構成する金属磁性膜の厚さを減少させる必要があり、再
生効率が低下し、ヘッドの複数化にもある程度の限界が
ある。

【０００４】そこで、高周波対応の磁気ヘッドとして、
例えば特開昭６３−２３１７１３号公報に記載されるよ
うに、通常のＶＴＲ用ヘッドよりも金属磁性膜で構成さ
れる磁路を小さくし、且つ薄膜工程を用いて磁気ギャッ
プ形成面に薄膜コイルを形成した磁気ヘッドが提案され
ている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構造を採用すると、薄膜コイルを形成した磁気コア
に対して突き合わされる対向側の磁気コアに、前記薄膜
コイルに対応して空間を設ける必要がある。

【０００６】前述のような空間を機械加工等の手段によ
って設けると、当然のことながら、磁気記録媒体摺動面
に開口部が形成されてしまい、ガラス等で充填する必要
が生ずる。したがって、前記空間へのガラス充填工程が
不可欠であるが、このとき薄膜コイル部分にも溶融した
ガラスが流れるため、断線や短絡等の問題が生ずる虞れ
がある。あるいは、薄膜コイルを作成するに際して、基
板の磁気ギャップ形成面に損傷を与えたり応力が加わる
虞れがあることから、ギャップ精度の確保が難しい等の
問題がある。

【０００７】そこで本発明は、前述の従来のものの有す
る欠点を解消すべく提案されたものであって、空間への
ガラスの流し込みが不要で、薄膜コイルの断線や短絡の
虞れのない磁気ヘッド及びその製造方法を提供すること
を目的とする。また、本発明は、磁気ギャップ形成面に
損傷を与えたり応力が加わる虞れがなく、十分なギャッ
プ精度を確保することが可能な磁気ヘッド及びその製造
方法を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明の磁気ヘッドは、基板上の少なくとも記録
媒体対向面の近傍部に金属磁性膜が形成されてなる一対
の磁気コア半体を突き合わせ、前記金属磁性膜間に磁気
ギャップを形成してなる磁気ヘッドにおいて、少なくと
も一方の磁気コア半体の突き合わせ面には、コイル形成
用の凹部が形成されるとともに、この凹部内に薄膜工程
によって形成されたコイルが配されていることを特徴と
するものである。

【０００９】また、本発明の磁気ヘッドの製造方法は、
金属磁性膜を成膜した一対の基板の突き合わせ面にそれ
ぞれガラスを充填して平坦化する工程と、少なくとも一
方の基板の突き合わせ面にコイル形成領域に対応してイ
オンミリングによって凹部を形成する工程と、前記凹部
内に導体膜を成膜し、フォトリソ技術によりパターニン
グしてコイルを形成する工程と、コイル及び凹部を覆っ
て絶縁膜を成膜し、突き合わせ面表面を研磨して平坦化
する工程と、前記一対の基板をギャップ材を介して突き
合わせる工程とを有することを特徴とするものである。

【００１０】

【作用】本発明の磁気ヘッドにおいては、コイルの形状
に応じた形状の凹部がバックギャップの周囲に形成さ
れ、この凹部内にコイルが形成されているので、磁気記
録媒体摺動面に不要な開口部（孔）が形成されることが
なく、ガラスを充填する必要がない。したがって、ガラ
スの充填による薄膜コイルの断線や短絡等が解消され
る。

【００１１】また、本発明の製造方法においては、予め
イオンミリングによって形成した凹部内にコイルを形成
した後、突き合わせ面（すなわち磁気ギャップ形成面）
を平坦化しているので、ギャップ精度が十分に確保され
る。

【００１２】

【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて、図面を参照しながら詳細に説明する。

【００１３】本実施例の磁気ヘッドは、金属磁性膜を各
磁気コアの磁気ギャップ形成面に対して斜めに成膜し、
磁気ギャップを挟んで一直線状に連なるように構成して
なるものである。この実施例においては、各磁気コアの
磁気ギャップ形成面にそれぞれ凹部が形成され、この中
に薄膜コイルが形成されているが、構成をより明確なも
のとするため、先ずその製造方法から説明する。

【００１４】本実施例の磁気ヘッドを製造するには、先
ず、図１に示すように、平板状の基板１を用意する。こ
の基板１は、フェライト等の磁性材料よりなるものであ
ってもよいが、例えばマルチチャンネル化したときのク
ロストークの防止を図るという点や、磁気ヘッドのイン
ピーダンスを下げるという点から、チタン酸カリウム等
の非磁性材料であることが好ましい。

【００１５】勿論、前記チタン酸カリウムに限らず、各
種非磁性材料が使用可能であり、例示するならば、チタ
ン酸カルシウム、チタン酸バリウム、酸化ジルコニウム
（ジルコニア）、アルミナ、アルミナチタンカーバイ
ド、ＳｉＯ₂、ＭｎＯ−ＮｉＯ混合焼結材、Ｚｎフェラ
イト、結晶化ガラス、高硬度ガラス等が挙げられる。

【００１６】次に、図２に示すように、上記基板１の一
主面１ａ上に対して溝加工を施す。この溝加工は、この
後の工程で成膜される金属磁性膜が基板１の磁気ギャッ
プ形成面である前記一主面１ａに対して斜めに成膜され
るように設けられるものであっる。したがって、各溝２
は、所定の傾斜面２ａをもってデプス方向に平行に形成
される。

【００１７】前述の溝加工を施した後、図３に示すよう
に、金属磁性膜３を前記溝２内（特に前記傾斜面２ａ
上）を含めて基板１の一主面１ａ上全面に成膜する。こ
の金属磁性膜３の成膜方法としては、真空蒸着やスパッ
タリング等、各種薄膜形成プロセスが採用可能である。

【００１８】また、上記金属磁性膜３の材質としては、
高飽和磁束密度を有し、良好な軟磁気特性を有するもの
であれば如何なるものであってもよく、例えば、Ｆｅ−
Ａｌ−Ｓｉ系合金、Ｆｅ−Ａｌ系合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃ
ｏ系合金、Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ系合金、Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ
−Ｒｕ系合金、Ｆｅ−Ａｌ−Ｇｅ系合金、Ｆｅ−Ｇａ−
Ｇｅ系合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｇｅ系合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｓ
ｉ−Ａｌ系合金、Ｆｅ−Ｎｉ系合金等の結晶質合金等が
挙げられる。

【００１９】あるいは、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉのうちの１以
上の元素とＰ，Ｃ，Ｂ，Ｓｉのうちの１以上の元素とか
らなる合金、またはこれを主成分としＡｌ，Ｇｅ，Ｂ
ｅ，Ｓｎ，Ｉｎ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔｉ，Ｍｎ，Ｃｒ，Ｚｒ，
Ｈｆ，Ｎｂ等を含んだ合金等に代表されるメタル−メタ
ロイド系アモルファス合金や、Ｃｏ，Ｈｆ，Ｚｒ等の遷
移金属と希土類元素を主成分とするメタル−メタル系ア
モルファス合金等の非晶質合金も使用可能である。

【００２０】次いで、図４に示すように、基板１に形成
された溝２内にガラス４を充填し、表面を平坦化した
後、図５に示すように、前記溝２とは直交する方向に第
２の溝５及び第３の溝６を切削加工する。

【００２１】前記第２の溝５は、いわば通常のバルク型
の磁気ヘッドの巻線溝に相当するものであって、先に成
膜した金属磁性膜３のフロントデプス及びバックデプス
を規定し、この金属磁性膜３によって構成される磁路を
閉ループとするために形成せされるものである。一方、
第３の溝６は、最終的に磁気ヘッドを組み立てたときに
不要となる金属磁性膜３を除去するために設けられるも
のである。

【００２２】上述の第２の溝５及び第３の溝６を切削加
工した後、図６に示すように、再びガラス４を充填し
て、上面１ａに対して平坦化加工を施す。

【００２３】次に、図７に示すように、先の溝２と平行
に第４の溝７及び第５の溝８を切削加工する。ここで、
第４の溝７は、前記傾斜面２ａ上に成膜された金属磁性
膜３の一端縁と接するように形成され、金属磁性膜３の
突き合わせ幅，すなわちトラック幅を規制する。また、
第５の溝８は、前記溝２内の金属磁性薄膜３のうち、溝
２の底面に存在する不要な金属磁性膜３を除去するため
に設けられる。

【００２４】前記第４の溝７及び第５の溝８を切削加工
した後、図８に示すように、再びガラス４をこれら溝
７，８内に充填し、平坦化する。以上の工程により、金
属磁性膜３による磁路部分が形成されるわけである。図
９は、個々の磁気ヘッドに対応して前記基板１を部分的
に拡大して示すものであり、以下、この図９に示す領域
内でのコイルの形成方法について説明する。

【００２５】図１０は、前記図９と同様、個々の磁気ヘ
ッドに対応して前記基板１を部分的に拡大して示すもの
であり、図１０Ａは矩形領域をさらに拡大して示す平面
図、図１０Ｂは図１０Ａの破線位置での断面図である。
（以下の図面でも同様）

【００２６】図１０Ａに示すように、磁気ギャップ形成
面には、金属磁性膜３が分断された形で臨んでおり、中
央に位置する部分がバックギャップ部３ａであり、溝５
によりこのバックギャップ部から分断された部分がフロ
ントギャップ部３ｂである。いずれの部分も、図１０Ｂ
に示すように、基板１上に斜めに成膜されている。ま
た、バックギャップ部３ａの周囲には、各溝に充填した
ガラス４が露呈している。

【００２７】そこで、先ず、図１１に示すように、概ね
コイルの外形形状に対応して、レジスト層９をフォトリ
ソ技術により形成する。しかる後、図１２に示すよう
に、イオンミリング等の手法により選択的エッチングを
行い、コイルの外形形状に対応する凹部１０を形成す
る。

【００２８】ここで、前記イオンミリングによるエッチ
ングが施されるのは、ガラス４であるため、凹部１０は
精度良く形成される。各種基板を２時間イオンミリング
した後の窪みの深さと底面の表面粗さを以下に示す。基板 TiO-CaO 単結晶MnZnフェライト SiO-PbO-BOガラス深さ 2.0μｍ 2.2μｍ 4.3μｍ粗さ 50nm 20nm 10nm コイル部分の凹部１０を深く精度良く形成するには、ガ
ラスを使用するのが良いことがわかる。

【００２９】なお、前記凹部１０を形成する手法として
は、前記イオンミリングの他、化学エッチング法、反応
性イオンエッチング、パウダービームエッチング等が挙
げられる。これらの手法は、被エッチング部の原子を物
理的、化学的に剥離するもので、被エッチング部が多結
晶である場合には、結晶粒の違いによって剥離速度が異
なり、平坦に凹部１０を形成するのは難しいが、ガラス
等の非晶質であれば、平坦な凹部１０を形成することが
できる。機械的な加工では、必要な部分だけに空間（凹
部）を形成するのは難しい。

【００３０】上記凹部１０を形成した後、この凹部１０
内を含む全面に良導体金属膜１１を成膜し、図１３に示
すように、コイル形状に応じたパターン形状でレジスト
層１２を形成する。前記良導体金属膜１１は、スパッタ
リングや蒸着等の手法により、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃ
ｕ、Ａｌを成膜することにより形成する。あるいは、メ
ッキ法によって形成してもよい。

【００３１】次に、図１４に示すように、前記レジスト
層１２をマスクとして、前記良導体金属膜１１をイオン
ミリング等の手法によってエッチングし、渦巻き状のコ
イル１３を形成する。このとき、前記コイル１３は、ガ
ラス４に設けた凹部１０内に形成され、またバックギャ
ップ部３ａを囲んで形成される。なお、本例では、コイ
ル１３を単層としたが、多層とすることも可能である。

【００３２】次いで、コイル１３の所定の位置に接点電
極を形成する。接点電極は、基板１同士を突き合わせた
ときに、両基板１に形成されたコイル１３同士を電気的
に接続するために必要なもので、コイル１３と同様の工
程により形成することができる。ただし、接点電極は、
磁気ギャップ形成面の研磨時に研磨されるので、摩耗特
性が良く耐蝕性の高い材料で形成することが必要で、例
えばＣｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｎｂ等が適してい
る。

【００３３】図１５は、接点電極用金属膜１４の成膜工
程を示すもので、この接点電極用金属膜１４を全面に成
膜した後、レジスト層１５を形成し、コイル１３と同様
にイオンミリングによって図１６に示すような接点電極
１６をコイル１３の接続部分にのみ形成する。

【００３４】上記接点電極１６を形成した後、図１７に
示すように、前記凹部１０内をコイル１３の保護膜とな
る絶縁膜１７によって埋め、図１８に示すように、バッ
クギャップ部３ａ、フロントギャップ部３ｂ及び接点電
極１６が露出するまで研磨して平坦化する。このとき、
絶縁膜１７には、ＳｉＯ₂やＡｌ₂Ｏ₃等の絶縁材料を
使用すればよい。

【００３５】次に、図１９に示すように、ギャップ形成
膜及びギャップ接着用のガラス膜からなる非磁性膜１８
を成膜し、さらにこの上にフォトレジスト層１９をコー
ティングする。そして、前記フォトレジスト層１９に対
してパターン露光及び現像を施し、上記接点電極１６に
対応する位置のフォトレジスト層１９を除去して開口部
１９ａを形成する。

【００３６】次いで、図２０に示すように、前記フォト
レジスト層１９に形成して開口部１９ａに臨む非磁性膜
１８を、イオンミリング等の手法によりエッチング除去
し、開口部１８ａを形成して接点電極１６を露出せしめ
る。

【００３７】さらに、図２１に示すように、この上にＡ
ｕ薄膜２０を成膜し、こんどは接点電極１６に対応する
部分にのみレジスト層２１を形成する。そして、前記レ
ジスト層２１をマスクとして、イオンミリング等の手法
により前記Ａｕ薄膜２０をエッチングする。これによ
り、図２２に示すように、接点電極１６上にＡｕ電極２
２が形成されることになる。

【００３８】このようにして形成された磁気ヘッドブロ
ック２３，２３同士を図２３に示すように突き合わせ、
加圧しながら適当な温度で接着し、図２４に示すよう
に、接合一体化する。このとき、コイル１３が形成され
た凹部１０内は、絶縁膜１７によって保護されており、
ガラスが流れ込むことはないので、不用意な断線や短絡
が発生することはない。

【００３９】接合一体化したブロックのｘ−ｘ線におけ
る断面を図２５に示す。コイル１３の接点電極１６間
は、前記Ａｕ電極２２によって電気的に接続されてい
る。最後にスライシング加工（チップ切断）によって図
２６に示すような磁気ヘッドチップ２４に切り出し完成
する。

【００４０】得られる磁気ヘッドチップ２４において
は、各磁気ギャップ形成面に形成された凹部１０にコイ
ル１３が形成されており、後から巻線を施す必要がな
い。また、磁気ギャップ形成面は、コイル１３を形成し
た後に研磨によって平坦化されているので、応力が残っ
たり傷が残ったりすることがなく、十分なギャップ精度
が確保される。

【００４１】以上、本発明を適用した磁気ヘッドの一実
施例について、その製造方法に従って詳細に説明してき
たが、本発明はこれに限定されるものではない。例え
ば、先の実施例においては、ギャップ接合をガラス膜に
よって行っているが、いわゆる金接合（金の拡散接合）
によって行ってもよい。

【００４２】以下、金の拡散接合による磁気ヘッドの製
造工程について、図面を参照しながら説明する。なお、
図１２に示す工程までは先の実施例と同様であるので、
それ以降の工程について説明する。

【００４３】本実施例では、ガラス４にコイルの外形形
状に応じた凹部１０を形成した後、図２７に示すように
良導体金属膜３１及び接点電極用金属膜３２を順次成膜
し、この上にコイルパターンに応じてパターニングされ
たフォトレジスト層３３を形成する。

【００４４】次に、図２８に示すように、前記フォトレ
ジスト層３３をマスクとしてイオンミリングを施し、前
記良導体金属膜３１及び接点電極用金属膜３２をコイル
形状にエッチングする。その後、図２９に示すように前
記凹部１０を埋める形で保護膜となる絶縁膜３３を成膜
し、図３０に示すように、表面研磨を施して平坦化す
る。

【００４５】次いで、図３１に示すように、接点電極部
分及びバックギャップ部３ａ、さらにはコイル形成領域
を除く周辺域にフォトレジスト層３４を形成し、コイル
形状の接点電極用金属膜３２の表面及びガラス４を浅く
イオンミリングする。これにより、図３２に示すよう
に、浅い凹部が形成され、コイル形成領域が磁気ギャッ
プ形成面から若干後退される。

【００４６】次に、図３３に示すように、ギャップ形成
用の非磁性金属膜３５とＡｕ薄膜３６を順次成膜し、さ
らにこの上に先のフォトレジスト層３４と同様のパター
ン形状でフォトレジスト層３７を形成する。

【００４７】前記非磁性金属膜３５及びＡｕ薄膜３６
は、金の拡散接合のために形成されるものである。ギャ
ップを金の拡散接合で行う場合、接点電極の部分とギャ
ップ接着部分に金を成膜し接合すればよく、工程が簡略
化できる。なお、ギャップを金の拡散接合で行う場合、
ギャップ面と金との接着を良くするため、本例のように
非磁性金属膜３５を下地に使用するのが好ましい。非磁
性金属膜３５の材質としては、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ、
Ｔａ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｍｏ、Ｗ等が挙げられる。

【００４８】上述の非磁性金属膜３５及びＡｕ薄膜３６
は、前記フォトレジスト層３７をマスクとして、図３４
に示すように、イオンミリング等の手法によって所定の
パターンにパターンエッチングする。最後に上述の工程
により得られる磁気コアブロック３８，３８同士を図３
５に示すように突き合わせ、図３６に示すように加圧接
着する。

【００４９】この加圧接着により、ギャップ接合が行わ
れるとともに、図３７に示すようにコイル形状の接点電
極用金属膜３２の接点部分が非磁性金属膜３５及びＡｕ
薄膜３６によって電気的に接続される。最後に、先の実
施例と同様、図３８に示すように各磁気ヘッドチップに
切り出す。

【００５０】以上の工程によって、先の実施例と同様、
薄膜状のコイルが内装された磁気ヘッドを得ることがで
きる。この磁気ヘッドにおいても、コイルの断線や短絡
の虞れはなく、またギャップ接合を金の拡散によって行
っているので、工程を簡略化でき、また高温での熱処理
が不要であるため金属磁性膜３の磁気特性を維持するこ
とが可能である。

【００５１】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明によれば、ガラスの流し込みが不要であるため、薄膜
コイルの断線や短絡の虞れのない磁気ヘッドを提供する
ことが可能である。また、本発明によれば、コイル形成
後に磁気ギャップ形成面を平坦化しているので、磁気ギ
ャップ形成面に損傷を与えたり応力が加わる虞れがな
く、十分なギャップ精度を確保することが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用した磁気ヘッドの第１の実施例の
製造方法を工程順に示すものであり、基板を示す概略斜
視図である。

【図２】基板への第１の溝加工工程を示す概略斜視図で
ある。

【図３】金属磁性膜の成膜工程を示す概略斜視図であ
る。

【図４】ガラス充填工程を示す概略斜視図である。

【図５】基板への第２，第３の溝加工工程を示す概略斜
視図である。

【図６】ガラス充填工程を示す概略斜視図である。

【図７】基板への第４，第５の溝加工工程を示す概略斜
視図である。

【図８】ガラス充填及び平坦化工程を示す概略斜視図で
ある。

【図９】図８に示す工程により得られたブロックの要部
拡大斜視図である。

【図１０】バックギャップ部近傍の平面図及び断面図で
ある。

【図１１】フォトレジスト層形成工程を示す平面図及び
断面図である。

【図１２】凹部形成工程を示す平面図及び断面図であ
る。

【図１３】良導体層及びフォトレジスト層形成工程を示
す平面図及び断面図である。

【図１４】コイル形成工程を示す平面図及び断面図であ
る。

【図１５】接点電極用金属膜形成工程を示す平面図及び
断面図である。

【図１６】接点電極形成工程を示す平面図及び断面図で
ある。

【図１７】絶縁膜形成工程を示す平面図及び断面図であ
る。

【図１８】平坦化工程を示す平面図及び断面図である。

【図１９】非磁性膜形成工程を示す平面図及び断面図で
ある。

【図２０】非磁性膜エッチング工程を示す平面図及び断
面図である。

【図２１】Ａｕ薄膜成膜工程を示す平面図及び断面図で
ある。

【図２２】Ａｕ電極形成工程を示す平面図及び断面図で
ある。

【図２３】磁気コアブロック突き合わせ工程を示す概略
斜視図である。

【図２４】磁気コアブロックの接合状態を示す概略斜視
図である。

【図２５】図２４のｘ−ｘ線における要部拡大断面図で
ある。

【図２６】得られる磁気ヘッドの概略斜視図である。

【図２７】本発明を適用した磁気ヘッドの第２の実施例
の製造方法を工程順に示すものであり、良導体金属膜，
接点電極用金属膜及びフォトレジスト層形成工程を示す
平面図及び断面図である。

【図２８】コイル形成工程を示す平面図及び断面図であ
る。

【図２９】絶縁膜形成工程を示す平面図及び断面図であ
る。

【図３０】平坦化工程を示す平面図及び断面図である。

【図３１】フォトレジスト層形成工程を示す平面図及び
断面図である。

【図３２】接点電極金属膜及びガラスがイオンミリング
された状態を示す平面図及び断面図である。

【図３３】非磁性金属膜，Ａｕ薄膜及びフォトレジスト
層形成工程を示す平面図及び断面図である。

【図３４】非磁性金属膜及びＡｕ薄膜エッチング工程を
示す平面図及び断面図である。

【図３５】磁気コアブロックの突き合わせ工程を示す斜
視図である。

【図３６】磁気コアブロックの加圧接着工程を示す斜視
図である。

【図３７】接点電極用金属膜の接点部分が非磁性金属膜
及びＡｕ薄膜によって電気的に接続された状態を示す断
面図である。

【図３８】磁気ヘッドチップを示す斜視図である。

【符号の説明】

１・・・・基板３・・・・金属磁性膜４・・・・ガラス１０・・・凹部１３・・・コイル１７・・・絶縁膜１８・・・非磁性膜

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上の少なくとも記録媒体対向面の近
傍部に金属磁性膜が形成されてなる一対の磁気コア半体
を突き合わせ、前記金属磁性膜間に磁気ギャップを形成
してなる磁気ヘッドにおいて、少なくとも一方の磁気コア半体の突き合わせ面には、コ
イル形成用の凹部が形成されるとともに、この凹部内に
薄膜工程によって形成されたコイルが配されていること
を特徴とする磁気ヘッド。
【請求項２】一対の磁気コア半体の突き合わせ面にそ
れぞれコイル形成用の凹部が形成されるとともに、これ
ら凹部内に薄膜工程によって形成されたコイルが配され
ていることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド。
【請求項３】コイルが凹部内に形成されたガラス層上
に形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項
２記載の磁気ヘッド。
【請求項４】コイル及び凹部を覆う絶縁膜が形成され
ていることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の磁
気ヘッド。
【請求項５】コイルが単層のコイルであることを特徴
とする請求項１又は請求項２記載の磁気ヘッド。
【請求項６】コイルが多層のコイルであることを特徴
とする請求項１又は請求項２記載の磁気ヘッド。
【請求項７】トラック幅規制溝が磁気ギャップの両側
に形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項
２記載の磁気ヘッド。
【請求項８】金属磁性膜が磁気ギャップを挟んで斜め
に連なって配されていることを特徴とする請求項１又は
請求項２記載の磁気ヘッド。
【請求項９】各磁気コア半体に設けられたコイルは、
互いに導通するための接点電極を有することを特徴とす
る請求項２記載の磁気ヘッド。
【請求項１０】接点電極がＴｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎ
ｂ、Ｔａから選ばれる少なくとも１種からなることを特
徴とする請求項９記載の磁気ヘッド。
【請求項１１】コイル及び凹部がコイルの接点電極を
除いて絶縁膜により覆われていることを特徴とする請求
項９記載の磁気ヘッド。
【請求項１２】接点電極の対向面上に金よりなる膜が
形成され、金の拡散接合により接点電極同士が接続され
ていることを特徴とする請求項１０記載の磁気ヘッド。
【請求項１３】磁気ギャップが金の拡散接合により形
成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２記
載の磁気ヘッド。
【請求項１４】金属磁性膜を成膜した一対の基板の突
き合わせ面にそれぞれガラスを充填して平坦化する工程
と、少なくとも一方の基板の突き合わせ面にコイル形成領域
に対応してイオンミリングによって凹部を形成する工程
と、前記凹部内に導体膜を成膜し、フォトリソ技術によりパ
ターニングしてコイルを形成する工程と、コイル及び凹部を覆って絶縁膜を成膜し、突き合わせ面
表面を研磨して平坦化する工程と、前記一対の基板をギャップ材を介して突き合わせる工程
とを有することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１５】金属磁性膜を成膜した一対の基板の突
き合わせ面にそれぞれガラスを充填して平坦化する工程
と、これら両基板の突き合わせ面にコイル形成領域に対応し
てイオンミリングによって凹部を形成する工程と、前記凹部内に導体膜を成膜し、フォトリソ技術によりパ
ターニングしてコイルを形成する工程と、コイル及び凹部を覆って絶縁膜を成膜し、突き合わせ面
表面を研磨して平坦化する工程と、前記一対の基板をギャップ材を介して突き合わせる工程
とを有することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。