JPH08335303A - 多チャンネル磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 コイルの断線や短絡が無く、充分なギャップ
精度を確保することが可能で、クロストークが少ない多
チャンネル磁気ヘッド及びその製造方法を提供する。 【構成】 本発明の多チャンネル磁気ヘッドは、アジマ
ス角が互いに同一の複数の磁気ヘッドが接合一体化され
たものである。ここで、各磁気ヘッドは、基板上に金属
磁性膜が形成されてなる一対の磁気コア半体が、金属磁
性膜間に磁気ギャップが形成されるように突き合わされ
て構成される。そして、これらの磁気コア半体の突き合
わせ面には、コイル形成用の凹部が形成されており、こ
の凹部内に薄膜工程によって薄膜コイルが形成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、金属磁性膜により磁路
を構成してなる磁気ヘッドを複数接合一体化した多チャ
ンネル磁気ヘッド及びその製造方法に関するものであ
り、特に、コイルを薄膜工程によって形成してなる多チ
ャンネル磁気ヘッド及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ビデオテープレコーダ（以下、ＶＴＲと
いう。）用の磁気ヘッドとしては、フェライト等からな
る磁気コアの磁気ギャップ形成面に金属磁性膜が成膜さ
れた磁気ヘッド、すなわちメタル・イン・ギャップ型磁
気ヘッドや、非磁性セラミックス等で金属磁性膜等を挟
み込んだ形の磁気ヘッド、すなわち積層型磁気ヘッド等
が使用されている。しかし、今後の高画質化やデジタル
化等に対応するためには、より高周波域で良好な電磁変
換特性を示すことが必要であり、しかも、小さなドラム
上に複数の磁気ヘッドが搭載できなければならない。

【０００３】しかしながら、上述のようなメタル・イン
・ギャップ型磁気ヘッドは、インピーダンスが大きいた
め、高周波域での使用には適していない。また、上述の
ような積層型磁気ヘッドは、高密度記録化のためにトラ
ック幅を減少させると、磁路を構成する金属磁性膜の厚
さを減少させる必要があるため、再生効率が低下してし
まう。また、積層型磁気ヘッドでは、磁気ヘッドの複数
化にも限界がある。

【０００４】そこで、高周波対応の磁気ヘッドとして、
例えば、特開昭６３−２３１７１３号公報に記載される
ような磁気ヘッド、すなわち、金属磁性膜で構成される
磁路を通常のＶＴＲ用磁気ヘッドよりも小さくすると共
に、磁気ギャップ形成面に薄膜コイルを薄膜工程を用い
て形成した磁気ヘッドが提案されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構造を採用すると、薄膜コイルを形成した磁気コア
に対して突き合わされる対向側の磁気コアに、薄膜コイ
ルに対応する空間を機械加工等の手段によって設ける必
要がある。そして、このような空間を設けると、磁気記
録媒体摺動面に開口部が形成されてしまうので、後から
ガラス等によって不要な空間を充填する必要が生じる。
したがって、このような磁気ヘッドでは、上記空間への
ガラス充填工程が不可欠である。しかし、このとき薄膜
コイル部分にも溶融したガラスが流れるため、薄膜コイ
ルに断線や短絡等の問題が生じる恐れがある。

【０００６】また、このような構造の磁気ヘッドでは、
薄膜コイルを作製する際に、基板の磁気ギャップ形成面
に損傷を与えたり、応力が加わる恐れがあることから、
ギャップ精度の確保が難しい等の問題もある。したがっ
て、この磁気ヘッドを、厳しいギャップ精度が要求され
る多チャンネル磁気ヘッドに適用することは難しい。

【０００７】また、多チャンネル磁気ヘッドにおいて
は、各磁気ヘッド間のクロストークが問題となってお
り、このクロストークの軽減が大きな課題となってい
る。

【０００８】そこで、本発明は、従来のこのような実情
に鑑みて提案されたものであり、薄膜コイル形成後のガ
ラス充填工程が不要で、薄膜コイルの断線や短絡の恐れ
のない、信頼性の高い多チャンネル磁気ヘッド及びその
製造方法を提供することを目的とする。

【０００９】また、本発明は、磁気ギャップ形成面に損
傷を与えたり、応力が加わる恐れがなく、充分なギャッ
プ精度を確保することが可能な多チャンネル磁気ヘッド
及びその製造方法を提供することも目的とする。

【００１０】さらに、本発明は、各磁気ヘッド間のクロ
ストークが少なく、高密度記録に好適な多チャンネル磁
気ヘッド及びその製造方法を提供することも目的とす
る。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに完成された本発明に係る多チャンネル磁気ヘッド
は、複数の磁気ヘッドを接合一体化してなる多チャンネ
ル磁気ヘッドであって、各磁気ヘッドのアジマス角が互
いに略同一であり、各磁気ヘッドは、基板上の少なくと
も記録媒体対向面の近傍部に金属磁性膜が形成されてな
る一対の磁気コア半体が突き合わされ、前記金属磁性膜
間に磁気ギャップが形成されてなり、少なくとも一方の
磁気コア半体の突き合わせ面には、コイル形成用の凹部
が形成されるとともに、この凹部内に薄膜工程によって
形成されたコイルが配されていることを特徴とするもの
である。

【００１２】また、本発明に係る多チャンネル磁気ヘッ
ドの製造方法は、金属磁性膜を成膜した一対の基板の突
き合わせ面にそれぞれガラスを充填して平坦化する工程
と、少なくとも一方の基板の突き合わせ面にコイル形成
領域に対応してイオンミリングによって凹部を形成する
工程と、前記凹部内に導体膜を成膜し、フォトリソグラ
フィ技術によってパターニングしてコイルを形成する工
程と、コイル及び凹部を覆うように絶縁膜を成膜し、突
き合わせ面表面を研磨して平坦化する工程と、前記一対
の基板をギャップ材を介して突き合わせて磁気ヘッドブ
ロックを作製する工程と、複数の磁気ヘッドブロック
を、各磁気ヘッドブロックの磁気ギャップのアジマス角
が略同一となるように接合一体化する工程と、接合一体
化された複数の磁気ヘッドブロックを、所定のアジマス
角及びトラック間距離となるように切断する工程とを有
することを特徴とするものである。

【００１３】

【作用】本発明においては、コイルの形状に応じた形状
の凹部がバックギャップの周囲に形成され、この凹部内
にコイルが形成されているので、磁気記録媒体摺動面に
不要な開口部が形成されるようなことがなく、コイル形
成後にガラスを充填する必要がない。したがって、ガラ
スの充填による薄膜コイルの断線や短絡等が解消され
る。

【００１４】また、本発明においては、予めイオンミリ
ングによって形成した凹部内にコイルを形成した後、突
き合わせ面（すなわち磁気ギャップ形成面）を平坦化し
ているので、多チャンネル化した場合にもギャップ精度
が充分に確保される。

【００１５】

【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、本発
明は以下の実施例に限定されるものではなく、本発明の
要旨を逸脱しない範囲で、形状、材質、寸法等を任意に
変更することが可能であることは言うまでもない。

【００１６】本実施例の多チャンネル磁気ヘッドは、複
数の磁気ヘッドが接合一体化されてなる。ここで、各磁
気ヘッドは、金属磁性膜が各磁気コアの磁気ギャップ形
成面に対して斜めに成膜され、この金属磁性膜が磁気ギ
ャップを挟んで一直線状に連なるように各磁気コアが接
合一体化されてなる。

【００１７】本実施例の多チャンネル磁気ヘッドにおい
ては、各磁気ヘッドを構成する磁気コアの磁気ギャップ
形成面にそれぞれ凹部が形成され、この中に薄膜コイル
が形成されているが、その構成をより明確なものとする
ために、その製造方法から説明する。

【００１８】この磁気ヘッドを製造する際は、先ず、図
１に示すように、平板状の基板１を用意する。この基板
１は、フェライト等の磁性材料からなるものであっても
よいが、例えば、多チャンネル化したときのクロストー
クの防止を図るという点や、磁気ヘッドのインピーダン
スを下げるという点から、チタン酸カリウム等の非磁性
材料からなるものであることが好ましい。ただし、基板
１の材料としては、チタン酸カリウムに限らず、各種非
磁性材料が使用可能であり、例示するならば、チタン酸
カルシウム、チタン酸バリウム、酸化ジルコニウム（ジ
ルコニア）、アルミナ、アルミナチタンカーバイド、Ｓ
ｉＯ₂ 、ＭｎＯ−ＮｉＯ混合焼結材、Ｚｎフェライト、
結晶化ガラス、高硬度ガラス等が挙げられる。

【００１９】次に、図２に示すように、基板１の一主面
１ａに溝加工を施す。この溝加工によって形成される複
数の溝２は、後工程で成膜される金属磁性膜が磁気ギャ
ップ形成面である主面１ａに対して斜めに成膜されるよ
うに設けられるものである。したがって、これらの溝２
は、所定の傾斜面２ａを持つようにデプス方向に平行に
形成される。

【００２０】次に、図３に示すように、基板１の主面１
ａ上の全面に、金属磁性膜３を成膜する。ここで、金属
磁性膜３は、前工程で形成された溝２内（特に溝２の傾
斜面２ａ上）にも成膜される。この金属磁性膜３の成膜
方法としては、真空蒸着やスパッタリング等の各種薄膜
形成プロセスが採用可能である。

【００２１】また、上記金属磁性膜３の材質としては、
高飽和磁束密度を有し、良好な軟磁気特性を有するもの
であれば如何なるものであってもよく、例えば、Ｆｅ−
Ａｌ−Ｓｉ系合金、Ｆｅ−Ａｌ系合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃ
ｏ系合金、Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ系合金、Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ
−Ｒｕ系合金、Ｆｅ−Ａｌ−Ｇｅ系合金、Ｆｅ−Ｇａ−
Ｇｅ系合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｇｅ系合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｓ
ｉ−Ａｌ系合金、Ｆｅ−Ｎｉ系合金等の結晶質合金等が
使用可能である。或いは、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉのうちの１
以上の元素と、Ｐ，Ｃ，Ｂ，Ｓｉのうちの１以上の元素
とからなる合金、又はこれを主成分とし、Ａｌ，Ｇｅ，
Ｂｅ，Ｓｎ，Ｉｎ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔｉ，Ｍｎ，Ｃｒ，Ｚ
ｒ，Ｈｆ，Ｎｂ等を含んだ合金等に代表されるメタル−
メタロイド系アモルファス合金や、Ｃｏ，Ｈｆ，Ｚｒ等
の遷移金属と希土類元素を主成分とするメタル−メタル
系アモルファス合金等の非晶質合金等も使用可能であ
る。

【００２２】次に、図４に示すように、基板１に形成さ
れた溝２内にガラス４を充填し、その後、表面を平坦化
する。

【００２３】次に、図５に示すように、先に形成された
溝２と直交する方向に溝加工を施し、複数の第２の溝
５、及び複数の第３の溝６を形成する。ここで、第２の
溝５は、通常のバルク型の磁気ヘッドの巻線溝に相当す
るものであり、先に成膜した金属磁性膜３のフロントデ
プス及びバックデプスを規定し、この金属磁性膜３によ
って構成される磁路を閉ループとするために形成される
ものである。一方、第３の溝６は、最終的に磁気ヘッド
を製造したときに不要となる金属磁性膜３を除去するた
めに設けられるものである。

【００２４】次に、図６に示すように、第２の溝５及び
第３の溝６内に再びガラス４を充填し、その後、表面を
平坦化する。

【００２５】次に、図７に示すように、先に形成された
溝２と平行に溝加工を施し、複数の第４の溝７、及び複
数の第５の溝８を形成する。ここで、第４の溝７は、溝
２の傾斜面２ａ上に成膜された金属磁性膜３の一端縁と
接するように形成され、金属磁性膜３の突き合わせ幅、
すなわちトラック幅を規制する。一方、第５の溝８は、
溝２内の金属磁性膜３のうち、溝２の底面に存在する不
要な金属磁性膜３を除去するために設けられる。

【００２６】次に、図８に示すように、第４の溝７及び
第５の溝８内に再びガラス４を充填し、その後、表面を
平坦化する。

【００２７】以上の工程により、基板１上に金属磁性膜
３からなる磁路部分が形成される。ここで、図９に、個
々の磁気ヘッドに対応する部分を拡大して示す。そし
て、以下、この図９に示す領域内に形成される薄膜コイ
ルの形成方法について説明する。

【００２８】図１０は、図９と同様に、個々の磁気ヘッ
ドに対応して基板１を部分的に拡大して示すものであ
る。そして、図１１Ａは、図１０中の破線で囲まれた矩
形領域Ｄをさらに拡大して示す平面図であり、図１１Ｂ
は、図１１Ａの破線位置での断面図である。なお、図面
のＡとＢの関係は、以下の図１２乃至図２３、及び図２
８乃至図３５においても同様である。

【００２９】図１１Ａに示すように、磁気ギャップ形成
面には、金属磁性膜３が分断された形で臨んでいる。そ
して、図１１Ａにおいて中央に位置している部分がバッ
クギャップ部３ａとなり、溝５によってバックギャップ
部３ａから分断された部分がフロントギャップ部３ｂと
なる。ここで、バックギャップ部３ａ及びフロントギャ
ップ部３ｂはいずれも、図１１Ｂに示すように、基板１
上に斜めに成膜されている。また、バックギャップ部３
ａの周囲には、各溝に充填されたガラス４が露呈してい
る。

【００３０】そして、薄膜コイルを形成する際には、先
ず、図１２に示すように、概ね薄膜コイルの外形形状に
対応して、フォトレジスト層９をフォトリソグラフィ技
術を用いて形成する。

【００３１】次に、図１３に示すように、イオンミリン
グ等の手法によって選択的にエッチングを行い、薄膜コ
イルの外形形状に対応する凹部１０を形成する。

【００３２】ここで、各種基板を２時間イオンミリング
したときに形成される凹部の深さと、凹部の底面の表面
粗さの一例を以下に示す。

【００３３】 基板： TiO-CaO 単結晶MnZnフェライト SiO-PbO-BOガラス 深さ： 2.0μｍ 2.2μｍ 4.3μｍ 粗さ： 50nm 20nm 10nm このように、ガラスをエッチングする場合には、深く精
度良く凹部を形成できる。そして、本実施例において
は、イオンミリング等によってエッチングが施されるの
は、ガラス４の部分であるため、凹部１０は精度良く形
成される。

【００３４】なお、凹部１０を形成する手法としては、
イオンミリングの他、化学的エッチング、反応性イオン
エッチング、パウダービームエッチング等の手法を用い
てもよい。これらの手法は、被エッチング部の原子を、
物理的に、或いは化学的に剥離するもので、被エッチン
グ部が多結晶である場合には、結晶粒の違いによって剥
離速度が異なるため、底面が平坦な凹部を形成すること
は難しいが、被エッチング部がガラス等のような非晶質
である場合には、底面が平坦な凹部を形成することがで
きる。なお、機械的な加工は、必要な部分だけに凹部を
形成することが難しいため、凹部１０の形成には不適で
ある。

【００３５】以上のように凹部１０を形成した後、図１
４に示すように、凹部１０内を含む全面に良導体金属膜
１１を成膜し、さらにこの良導体金属膜１１上に、薄膜
コイルの形状に応じたパターン形状のフォトレジスト層
１２を形成する。ここで、良導体金属膜１１は、スパッ
タリングや蒸着、或いはメッキ等の手法により、Ａｕ，
Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌ等を成膜することによって形成する。

【００３６】次に、フォトレジスト層１２をマスクとし
て、良導体金属膜１１をイオンミリング等の手法によっ
てエッチングし、図１５に示すように、渦巻き状の薄膜
コイル１３を形成する。ここで、薄膜コイル１３は、ガ
ラス４に設けた凹部１０内に、バックギャップ部３ａを
囲むように形成される。なお、本実施例では、薄膜コイ
ル１３を単層構造としたが、多層構造とすることも可能
である。

【００３７】次に、薄膜コイル１３の所定の位置に接点
電極を形成する。接点電極は、基板１同士を突き合わせ
たときに、両方の基板１に形成された薄膜コイル１３同
士を電気的に接続するために必要なもので、薄膜コイル
１３と同様な工程によって形成される。ただし、接点電
極は、磁気ギャップ形成面の研磨時に研磨されるので、
摩耗特性が良く、耐蝕性に優れた材料で形成することが
必要であり、例えば、Ｃｒ，Ｔｉ，Ｗ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｎ
ｂ等の材料が適している。

【００３８】図１６は、接点電極用金属膜１４の成膜工
程を示すもので、このように接点電極用金属膜１４を全
面に成膜した後、フォトレジスト層１５を形成し、薄膜
コイル１３を形成したときと同様に、イオンミリング等
の手法によって選択的にエッチングし、図１７に示すよ
うな接点電極１６を、薄膜コイル１３の接続部分に形成
する。

【００３９】次に、図１８に示すように、凹部１０内を
薄膜コイル１３の保護膜となる絶縁膜１７によって埋め
る。ここで、絶縁膜１７には、例えば、ＳｉＯ₂ やＡｌ
₂Ｏ₃等の絶縁材料を使用すればよい。

【００４０】次に、図１９に示すように、バックギャッ
プ部３ａ、フロントギャップ部３ｂ及び接点電極１６が
露出するまで表面を研磨して平坦化する。

【００４１】次に、図２０に示すように、ギャップ形成
及びギャップ接着用のガラス膜からなる非磁性膜１８を
成膜し、さらにこの上にフォトレジスト層１９をコーテ
ィングする。その後、フォトレジスト層１９に対してパ
ターン露光及び現像を施し、接点電極１６に対応する位
置のフォトレジスト層１９を除去して、フォトレジスト
層１９に開口部１９ａを形成する。

【００４２】次に、フォトレジスト層１９に形成された
開口部１９ａに臨む非磁性膜１８を、イオンミリング等
の手法によってエッチングし、図２１に示すように、開
口部１８ａを形成して接点電極１６を露出させる。

【００４３】次に、図２２に示すように、Ａｕ薄膜２０
を成膜し、さらにこの上にフォトレジスト層２１を形成
する。ここで、フォトレジスト層２１は、接点電極１６
に対応する部分にのみ形成する。そして、このフォトレ
ジスト層２１をマスクとして、イオンミリング等の手法
によってＡｕ薄膜２０をエッチングする。これにより、
図２３に示すように、接点電極１６上にＡｕ電極２２が
形成される。

【００４４】次に、このように形成された磁気コアブロ
ックを２つ用意し、図２４に示すように、２つの磁気コ
アブロック２３ａ，２３ｂを突き合わせる。ここで、一
方の磁気コアブロック２３ａには、後工程で各磁気ヘッ
ド単位に切り出したときに、他方の磁気コアブロック２
３ｂ上に形成した薄膜コイル１３の引き出し電極が外部
に露呈するように、予め溝２４を形成しておく。

【００４５】そして、これらの磁気コアブロック２３
ａ，２３ｂを加圧しながら適当な温度で接着し、図２５
に示すように、接合一体化する。このとき、薄膜コイル
１３が形成された凹部１０内は、絶縁層１７によって保
護されており、ガラス等が流れ込むようなことはない。
したがって、薄膜コイル１３に不用意な断線や短絡等が
発生するようなことはない。

【００４６】このように接合一体化されたブロックの図
２５中ｘ−ｘ線における断面を図２６に示す。この図２
６に示すように、一方の磁気コアブロック２３ａの薄膜
コイル１３の接点電極１６と、他方の磁気コアブロック
２３ａの薄膜コイル１３の接点電極１６と間は、Ａｕ電
極２２によって電気的に接続されている。

【００４７】次に、このように接合一体化されたブロッ
クにスライシング加工を施して、図２７に示すように、
各磁気ヘッド２５単位に切り出す。

【００４８】このように形成された磁気ヘッド２５にお
いては、磁気ギャップ形成面に形成された凹部１０内に
薄膜コイル１３が既に形成されているので、後から巻線
を施す必要がない。また、この磁気ヘッド２５の磁気ギ
ャップ形成面は、薄膜コイル１３を形成した後に研磨さ
れて平坦化されているので、特定の箇所に応力が集中し
たり、損傷が生じたりするようなことがない。したがっ
て、この磁気ヘッド２５では、充分なギャップ精度が確
保される。

【００４９】なお、磁気ヘッドの製造方法は、以上のよ
うな方法に限定されるものではなく、例えば、上述の例
ではギャップ形成面の接合をガラス膜を用いて行ってい
るが、この接合を金接合、すなわち金の拡散接合等によ
って行うようにしてもよい。

【００５０】そこで、以下に、金の拡散接合を適用した
磁気ヘッドの製造方法について説明する。なお、金の拡
散接合を適用して磁気ヘッドを製造する際も、図１３に
示した工程までは、先の実施例と同様であるので、以下
の説明では、それ以降の工程について説明する。

【００５１】金の拡散接合を適用して磁気ヘッドを製造
する際は、上述の例と同様にガラス４に薄膜コイルの外
形形状に応じた凹部１０を形成し、その後、図２８に示
すように、良導体金属膜３１及び接点電極用金属膜３２
を順次成膜し、この上に薄膜コイルのパターンに応じて
パターニングされたフォトレジスト層３３を形成する。

【００５２】次に、フォトレジスト層３３をマスクとし
てイオンミリング等を施し、図２９に示すように、良導
体金属膜３１及び接点電極用金属膜３２をコイル形状に
エッチングする。

【００５３】次に、図３０に示すように、保護膜となる
絶縁層３３を、凹部１０を埋めるように成膜し、その
後、図３１に示すように、表面を研磨を施して平坦化す
る。

【００５４】次に、図３２に示すように、接点電極部分
と、バックギャップ部と、コイル形成領域を除く周辺域
とにフォトレジスト層３４を形成し、コイル形状の接点
電極金属膜３２の表面等を、イオンミリング等の手法に
よって浅くエッチングする。これにより、図３３に示す
ように、浅い凹部が形成され、コイル形成領域が磁気ギ
ャップ面から若干後退する。

【００５５】次に、図３４に示すように、ギャップ形成
用の非磁性金属膜３５とＡｕ薄膜３６を順次成膜し、さ
らにこの上に、先のフォトレジスト層３４と同様なパタ
ーン形状にて、フォトレジスト層３７を形成する。

【００５６】ここで、非磁性金属膜３５及びＡｕ薄膜３
６は、金の拡散接合のために形成されるものである。こ
のように金の拡散接合を行う場合は、接点電極部分とギ
ャップ接着部分に金を成膜して接合すればよく、工程を
簡略化することができる。なお、金の拡散接合を行う場
合には、ギャップ面と金との接着を良くするために、本
例のように非磁性金属膜３５を下地膜として使用するこ
とが好ましい。ここで、非磁性金属膜３５の材質として
は、Ｔｉ，Ｃｒ，Ｖ，Ａｌ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｍｏ，
Ｗ等が挙げられる。

【００５７】次に、図３５に示すように、非磁性金属膜
３５及びＡｕ薄膜３６を、フォトレジスト層３７をマス
クとして、イオンミリング等の手法によって所定のパタ
ーンにエッチングする。

【００５８】次に、このように形成された磁気コアブロ
ックを２つ用意し、図３６に示すように、２つの磁気コ
アブロック３８ａ，３８ｂを突き合わせる。ここで、一
方の磁気コアブロック３８ａには、後工程で各磁気ヘッ
ド単位に切り出したときに、他方の磁気コアブロック３
８ｂ上に形成した薄膜コイルの引き出し電極が外部に露
呈するように、先の実施例と同様に、予め溝２４を設け
ておく。

【００５９】そして、これらの磁気コアブロック３８
ａ，３８ｂを加圧しながら適当な温度で接着し、図３７
に示すように、接合一体化する。このように加圧接着す
ることにより、ギャップ接合が行われると共に、図３７
中ｙ−ｙ線における断面図である図３８に示すように、
一方の磁気コアブロック３８ａの接点電極用金属膜３２
の接点部分と、他方の磁気コアブロック３８ｂの接点電
極用金属膜３２の接点部分とが電気的に接続される。

【００６０】この後、先の実施例と同様に各磁気ヘッド
毎に切り出すことにより、先の実施例と同様に薄膜状の
コイルが内装された磁気ヘッドが得られる。この磁気ヘ
ッドにおいても、磁気ギャップ形成面に形成された凹部
内に薄膜コイルが形成されているので、薄膜コイルに断
線や短絡が生じる恐れはない。また、この磁気ヘッドで
は、ギャップ接合を金の拡散接合によって行っているの
で、工程を簡略することができる。さらに、金の拡散接
合では、高温での熱処理が不要であるため、この磁気ヘ
ッドでは、熱処理によって金属磁性膜の磁気特性が劣化
するようなことがなく、その磁気特性を良好に維持する
ことが可能である。

【００６１】つぎに、以上のような手法によって作製さ
れた磁気コアブロック２３ａ，２３ｂ、又は磁気コアブ
ロック３８ａ，３８ｂを用いて、多チャンネル磁気ヘッ
ドを作製する方法について説明する。ここで、多チャン
ネル磁気ヘッドは、金属磁性膜３の傾斜方向が同一の２
つの磁気コアブロックを用いて作製する。

【００６２】なお、多チャンネル磁気ヘッドのチャンネ
ル数は、様々なバリエーションが考えられるが、ここで
は、代表例として、２チャンネル磁気ヘッド及び４チャ
ンネル磁気ヘッドの製造方法について説明する。

【００６３】２チャンネル磁気ヘッドを作製する際は、
先ず、図３９に示すように、複数の磁気ヘッド部４１が
形成された磁気ヘッドブロックを用意する。ここで、こ
の磁気ヘッドブロックは、先の磁気コアブロック２３ａ
と磁気コアブロック２３ｂの接合体、又は磁気コアブロ
ック３８ａと磁気コアブロック３８ｂの接合体である。

【００６４】そして、図４０に示すように、２本の磁気
ヘッドブロック４２ａ，４２ｂを所定のピッチだけずら
して接着する。ここで、磁気ヘッドブロック４２ａ，４
２ｂは、２本の磁気ヘッドブロック４２ａ，４２ｂ同士
を接合したときに、各磁気ヘッドのギャップ間距離が所
定の長さとなるように、接合面を予め研削しておく。

【００６５】このように２本の磁気ヘッドブロック４２
ａ，４２ｂ同士を接合する際には、磁気ヘッドブロック
４２ａ（又は４２ｂ）のギャップ面と、磁気ヘッドブロ
ック４２ａ，４２ｂ同士の突き合わせ面との間の距離で
あるギャップ端距離Ｔ１、及び２本の磁気ヘッドブロッ
ク４２ａ，４２ｂ同士を接合するときにずらす距離Ｓ
を、所望するギャップ間距離等が得られるように設定す
る。

【００６６】すなわち、磁気ヘッド部４１の近傍を拡大
した図４１に示すように、各磁気ヘッド間のギャップ間
距離をＧ１、アジマス角をθ、トラック幅をＴｗ、トラ
ック間距離をＴｐとしたとき、下記式（１）及び式
（２）に示す関係式を満たすように、ギャップ端距離Ｔ
１及びずらす距離Ｓを設定する。

【００６７】 Ｔ１＝（Ｇ１×ｃｏｓθ）／２ ・・・（１） Ｓ＝（Ｔｗ＋Ｔｐ）×ｃｏｓθ＋Ｇ１×ｓｉｎθ ・・・（２） このように２本の磁気ヘッドブロック４２ａ，４２ｂを
接合することにより、図４２に示すような２チャンネル
磁気ヘッドブロック４３が得られる。

【００６８】次に、所望するアジマス角θが得られるよ
うに、図４２中線ｚ1−ｚ1で示すように、ギャップ面に
対して（９０°−θ）の角度にて、２チャンネル磁気ヘ
ッドブロック４３を切断し、各２チャンネル磁気ヘッド
単位毎に切り出す。

【００６９】その後、各２チャンネル磁気ヘッド毎に所
定の研削加工を施して、図４３に示すような、２チャン
ネル磁気ヘッド４４が得られる。この２チャンネル磁気
ヘッド４４の媒体摺動面を上から見た平面図を図４４に
示す。図４４に示すように、この２チャンネル磁気ヘッ
ドは、所定のギャップ間距離Ｇ１及びトラック間距離Ｔ
ｐの２つの磁気ヘッド部４２を有している。

【００７０】以上の工程により、同じアジマス角を持つ
２つの磁気ヘッド部４２を備えた２チャンネル磁気ヘッ
ドが作製される。

【００７１】つぎに、４チャンネル磁気ヘッドの製造方
法について説明する。

【００７２】４チャンネル磁気ヘッドを作製する際に
は、先ず、先の２チャンネル磁気ヘッドの製造方法と同
様の工程によって２チャンネル磁気ヘッドブロックを作
製する。そして、図４５に示すように、２本の２チャン
ネル磁気ヘッドブロック５１，５２を用意する。

【００７３】次に、図４６に示すように、２本の２チャ
ンネル磁気ヘッドブロック５１，５２を所定のピッチだ
けずらして接着する。ここで、各２チャンネル磁気ヘッ
ドブロック５１，５２は、２本の２チャンネル磁気ヘッ
ドブロック５１，５２を接合したときに、各磁気ヘッド
のギャップ間距離が所定の長さとなるように、接合面を
予め研削しておく。

【００７４】なお、このように２本の２チャンネル磁気
ヘッドブロック５１，５２を接合する際には、２チャン
ネル磁気ヘッドブロックを作製するときと同様に、各２
チャンネル磁気ヘッドブロック５１，５２のギャップ面
と、２チャンネル磁気ヘッドブロック５１，５２同士の
突き合わせ面との間の距離や、２本の２チャンネル磁気
ヘッドブロック５１，５２同士を接合するときにずらす
距離等を、所望するギャップ間距離等が得られるように
設定する。

【００７５】次に、このように２本の２チャンネル磁気
ヘッドブロック５１，５２が接合されて作製された４チ
ャンネル磁気ヘッドブロック５３を、所望するアジマス
角θが得られるように、図４６中線ｚ2−ｚ2で示すよう
に、所定の角度にて切断し、各４チャンネル磁気ヘッド
単位毎に切り出す。

【００７６】その後、各４チャンネル磁気ヘッド毎に所
定の研削加工を施して、図４７に示すような４チャンネ
ル磁気ヘッド５４が得られる。

【００７７】ところで、多チャンネル磁気ヘッドでは、
磁気ヘッド同士が近づくと磁気ヘッド間のクロストーク
が問題となる。しかし、上述したように多チャンネル磁
気ヘッドを作製する際には、クロストークを減少させる
ために、各磁気ヘッド間に磁性層や金属層を容易に形成
することができる。すなわち、上述したように多チャン
ネル磁気ヘッドを作製する際には、磁気ヘッドブロック
同士を接合するときや、２チャンネル磁気ヘッドブロッ
ク同士を接合するとき等に、予め接合面に磁性膜や磁性
箔を成膜したり、又は接合時に金属膜や金属箔を挟み込
むことにより、クロストークを減少させることができ
る。

【００７８】ここで、磁性膜や磁性箔を用いたときに
は、低周波から高周波に至るまでクロストークの減少の
効果は大きいが、磁気ヘッドのインダクタンスが上昇す
る。一方、金属膜や金属箔を用いたときには、クロスト
ークの減少の効果は高周波に限られるが、インダクタン
スの増加は少なくて済む。したがって、磁性膜や磁性箔
を用いるか、或いは金属膜や金属箔を用いるかについて
は、磁気ヘッドに要求される仕様に応じて選択すればよ
い。

【００７９】つぎに、多チャンネル磁気ヘッドの磁気記
録媒体への記録方法について、４チャンネル磁気ヘッド
を例にして説明する。

【００８０】この記録方法では、アジマス角が同一の４
つ磁気ギャップを備えた４チャンネル磁気ヘッドを２つ
用いる。そして、先ず、図４８に示すように、第１の４
チャンネル磁気ヘッドＨ１を用いて、トラック幅Ｔｗ
１、トラック間距離Ｔｗ２にて、磁気記録媒体上にデー
タを記録する。このとき、隣接するトラック間距離Ｔｗ
２は、記録するトラックの幅Ｔｗ１以上とする。

【００８１】次に、図４９に示すように、第１の４チャ
ンネル磁気ヘッドＨ１で記録されたトラックの間に、第
２の４チャンネル磁気ヘッドＨ２を用いて、トラック幅
Ｔｗ１、トラック間距離Ｔｗ２にて、磁気記録媒体上に
データを記録する。このときも、隣接するトラック間距
離Ｔｗ２は、記録するトラックの幅Ｔｗ１以上とする。

【００８２】ここで、第１の４チャンネル磁気ヘッドＨ
１のアジマス角と、第２の４チャンネル磁気ヘッドＨ２
のアジマス角とが異なるので、図５０に示すような記録
パターンにて、磁気記録媒体上にデータが記録される。
すなわち、このように２つの４チャンネル磁気ヘッドを
用いることにより、磁気記録媒体上にアジマス記録が行
われる。

【００８３】このように、本実施例の記録方法によれ
ば、２つの４チャンネル磁気ヘッドによって８トラック
記録を行うことが可能となる。また、磁気ギャップを１
つだけ有するシングル磁気ヘッドを用いて多チャンネル
化を図る場合、すなわち複数のシングル磁気ヘッドをド
ラムにマウントして多チャンネル化を図る場合には、ド
ラムに各シングル磁気ヘッドをマウンドする際の調整ず
れによってトラックずれが生じやすいが、本実施例のよ
うに、アジマス角が同一の４つの磁気ギャップが形成さ
れた４チャンネル磁気ヘッドを用いる場合には、予め複
数の磁気ヘッドが一体化された形となっているので、ト
ラックずれが生じるようなことがない。したがって、本
実施例のような多チャンネル磁気ヘッドは、従来の磁気
ヘッドに比べて、特に高密度記録を行うために挟トラッ
ク化を図る上で、非常に有利である。

【００８４】なお、以上の例では、トラック間距離Ｔｗ
２をトラック幅Ｔｗ１以上としたが、当然の事ながら、
本発明に係る他チャンネル磁気ヘッドで記録再生する際
には、必ずトラック間距離Ｔｗ２をトラック幅Ｔｗ１以
上としなければならないという訳ではない。

【００８５】また、本発明に係る多チャンネル磁気ヘッ
ドは、従来の多チャンネル磁気ヘッドに比べて、クロス
トークが少なく、高密度記録を行う上で非常に有利であ
る。実際に、先の実施例のように２チャンネル磁気ヘッ
ドを作製し、この２チャンネル磁気ヘッドを用いて先の
記録方法と同様に磁気記録媒体にアジマス記録を行った
ときのクロストークを測定した結果を図５１に示す。こ
の図５１において、縦軸は、周波数２０ＭＨｚ、記録電
流５０ｍＡp-p にてアジマス記録を行ったときのクロス
トークを示しており、横軸は、ギャップ間距離を示して
いる。そして、図５１において、測定結果Ａが、本実施
例の２チャンネル磁気ヘッドを用いてアジマス記録を行
ったときのクロストークであり、測定結果Ｂは、アジマ
ス角の異なる２つ磁気ギャップを備えた２チャンネル磁
気ヘッドを用いてアジマス記録を行ったときのクロスト
ーク、測定結果Ｃは、２つの従来のシングル磁気ヘッド
をドラムにマウントして２チャンネル化した磁気ヘッド
を用いてアジマス記録を行ったときのクロストークであ
る。このように、本発明に係る多チャンネル磁気ヘッド
では、従来の多チャンネル磁気ヘッドに比べて、クロス
トークが非常に少なくなっている。

【００８６】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明においては、薄膜コイルの形成後にガラスを流し込む
ようなことがないため、薄膜コイルに断線や短絡が生じ
る恐れがない。したがって、本発明によれば、信頼性の
高い多チャンネル磁気ヘッドを提供することが可能であ
る。

【００８７】しかも、本発明においては、薄膜コイルの
形成後に磁気ギャップ形成面を平坦化しているので、磁
気ギャップ形成面に損傷が生じたり、不要な応力が加わ
るような恐れがない。したがって、本発明によれば、充
分なギャップ精度を確保することが可能となる。

【００８８】さらに、本発明においては、多チャンネル
磁気ヘッドの各磁気ギャップのアジマス角を同一とし
て、２つの多チャンネル磁気ヘッドを用いてアジマス記
録を行うことにより、クロストークの減少を実現してい
る。したがって、本発明によれば、より高密度な磁気記
録が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】磁気ヘッドブロックの製造工程の一例を工程順
に示すものであり、基板を示す概略斜視図である。

【図２】基板への第１の溝加工工程を示す概略斜視図で
ある。

【図３】金属磁性膜の成膜工程を示す概略斜視図であ
る。

【図４】ガラス充填及び平坦化工程を示す概略斜視図で
ある。

【図５】基板への第２、第３の溝加工工程を示す概略斜
視図である。

【図６】ガラス充填及び平坦化工程を示す概略斜視図で
ある。

【図７】基板への第４、第５の溝加工工程を示す概略斜
視図である。

【図８】ガラス充填及び平坦化工程を示す概略斜視図で
ある。

【図９】図１乃至図８に示した工程により得られたブロ
ックの要部拡大斜視図である。

【図１０】図１乃至図８に示した工程により得られたブ
ロックの要部拡大斜視図である。

【図１１】バックギャップ部近傍の平面図及び断面図で
ある。

【図１２】フォトレジスト層形成工程を示す平面図及び
断面図である。

【図１３】凹部形成工程を示す平面図及び断面図であ
る。

【図１４】良導体金属膜及びフォトレジスト層形成工程
を示す平面図及び断面図である。

【図１５】薄膜コイル形成工程を示す平面図及び断面図
である。

【図１６】接点電極用金属膜形成工程を示す平面図及び
断面図である。

【図１７】接点電極形成工程を示す平面図及び断面図で
ある。

【図１８】絶縁膜形成工程を示す平面図及び断面図であ
る。

【図１９】平坦化工程を示す平面図及び断面図である。

【図２０】非磁性膜及びフォトレジスト層形成工程を示
す平面図及び断面図である。

【図２１】非磁性膜のエッチング工程を示す平面図及び
断面図である。

【図２２】Ａｕ薄膜及びフォトレジスト層形成工程を示
す平面図及び断面図である。

【図２３】Ａｕ電極形成工程を示す平面図及び断面図で
ある。

【図２４】一対の磁気コアブロックの突き合わせ工程を
示す概略斜視図である。

【図２５】一対の磁気コアブロックの接合状態を示す概
略斜視図である。

【図２６】図２５のｘ−ｘ線における要部拡大断面図で
ある。

【図２７】作製された磁気ヘッドの概略斜視図である。

【図２８】磁気ヘッドブロックの製造工程の他の例を工
程順に示すものであり、良導体金属膜、接点電極用金属
膜及びフォトレジスト層形成工程を示す平面図及び断面
図である。

【図２９】薄膜コイル形成工程を示す平面図及び断面図
である。

【図３０】絶縁膜形成工程を示す平面図及び断面図であ
る。

【図３１】平坦化工程を示す平面図及び断面図である。

【図３２】フォトレジスト層形成工程を示す平面図及び
断面図である。

【図３３】浅い凹部形成工程を示す平面図及び断面図で
ある。

【図３４】非磁性金属膜、Ａｕ薄膜及びフォトレジスト
層形成工程を示す平面図及び断面図である。

【図３５】非磁性金属膜及びＡｕ薄膜のエッチング工程
を示す平面図及び断面図である。

【図３６】一対の磁気コアブロックの突き合わせ工程を
示す概略斜視図である。

【図３７】一対の磁気コアブロックの接合状態を示す概
略斜視図である。

【図３８】図３７のｙ−ｙ線における要部拡大断面図で
ある。

【図３９】２チャンネル磁気ヘッドの製造工程の一例を
工程順に示すものであり、使用する磁気ヘッドブロック
を示す概略斜視図である。

【図４０】一対の磁気ヘッドブロックの突き合わせ工程
を示す概略斜視図である。

【図４１】突き合わされた一対の磁気ヘッドブロックの
磁気ヘッド部近傍を拡大して示す概略平面図である。

【図４２】一対の磁気ヘッドブロックが接合された２チ
ャンネル磁気ヘッドブロックを示す概略斜視図である。

【図４３】作製された２チャンネル磁気ヘッドを示す概
略斜視図である。

【図４４】図４３に示す２チャンネル磁気ヘッドの媒体
摺動面を示す平面図である。

【図４５】４チャンネル磁気ヘッドの製造工程の一例を
工程順に示すものであり、一対の２チャンネル磁気ヘッ
ドブロックの突き合わせ工程を示す概略斜視図である。

【図４６】一対の２チャンネル磁気ヘッドブロックが接
合された４チャンネル磁気ヘッドブロックを示す概略斜
視図である。

【図４７】作製された４チャンネル磁気ヘッドを示す概
略斜視図である。

【図４８】第１の４チャンネル磁気ヘッドで記録する様
子を示す模式図である。

【図４９】第１の４チャンネル磁気ヘッドで記録した
後、第２の４チャンネル磁気ヘッドで記録する様子を示
す模式図である。

【図５０】第１及び第２の４チャンネル磁気ヘッドによ
って行われたアジマス記録の状態を示す模式図である。

【図５１】多チャンネル磁気ヘッドで記録したときのク
ロストークの測定結果を示す特性図である。

【符号の説明】

１ 基板 ３ 金属磁性膜 ４ ガラス １０ 凹部 １３ 薄膜コイル １７ 絶縁膜 １８ 非磁性膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 杉山 康成 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数の磁気ヘッドを接合一体化してなる
   多チャンネル磁気ヘッドにおいて、 各磁気ヘッドのアジマス角が互いに略同一であり、 各磁気ヘッドは、基板上の少なくとも記録媒体対向面の
   近傍部に金属磁性膜が形成されてなる一対の磁気コア半
   体が突き合わされ、前記金属磁性膜間に磁気ギャップが
   形成されてなり、 少なくとも一方の磁気コア半体の突き合わせ面には、コ
   イル形成用の凹部が形成されるとともに、この凹部内に
   薄膜工程によって形成されたコイルが配されていること
   を特徴とする多チャンネル磁気ヘッド。
2. 【請求項２】 一対の磁気コア半体の突き合わせ面にそ
   れぞれコイル形成用の凹部が形成されるとともに、これ
   ら凹部内に薄膜工程によって形成されたコイルが配され
   ていることを特徴とする請求項１記載の多チャンネル磁
   気ヘッド。
3. 【請求項３】 各磁気ヘッドの電極引き出し面が外側に
   向けて形成されていることを特徴とする請求項１記載の
   多チャンネル磁気ヘッド。
4. 【請求項４】 各磁気ヘッドの接合界面に磁性膜又は金
   属膜が介在していることを特徴とする請求項１記載の多
   チャンネル磁気ヘッド。
5. 【請求項５】 隣接するトラック間の距離であるトラッ
   ク間距離が、トラック幅以上に離れていることを特徴と
   する請求項１記載の多チャンネル磁気ヘッド。
6. 【請求項６】 第１の多チャンネル磁気ヘッドとして、
   請求項５記載の多チャンネル磁気ヘッドを備えるととも
   に、第２の多チャンネル磁気ヘッドとして、第１の多チ
   ャンネル磁気ヘッドとアジマス角が異なるように設定さ
   れた請求項５記載の多チャンネル磁気ヘッドとを備え、 第１の多チャンネル磁気ヘッドにより、複数のトラック
   に記録するともに、第２の多チャンネル磁気ヘッドによ
   り、第１の多チャンネル磁気ヘッドで記録されたトラッ
   クの間に位置するトラックに記録することを特徴とする
   多チャンネル磁気ヘッド。
7. 【請求項７】 金属磁性膜を成膜した一対の基板の突き
   合わせ面にそれぞれガラスを充填して平坦化する工程
   と、 少なくとも一方の基板の突き合わせ面にコイル形成領域
   に対応してイオンミリングによって凹部を形成する工程
   と、 前記凹部内に導体膜を成膜し、フォトリソグラフィ技術
   によってパターニングしてコイルを形成する工程と、 コイル及び凹部を覆うように絶縁膜を成膜し、突き合わ
   せ面表面を研磨して平坦化する工程と、 前記一対の基板をギャップ材を介して突き合わせて磁気
   ヘッドブロックを作製する工程と、 複数の磁気ヘッドブロックを、各磁気ヘッドブロックの
   磁気ギャップのアジマス角が略同一となるように接合一
   体化する工程と、 接合一体化された複数の磁気ヘッドブロックを、所定の
   アジマス角及びトラック間距離となるように切断する工
   程と、 を有することを特徴とする多チャンネル磁気ヘッドの製
   造方法。