JP2000123314A - 磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板とガラスとの反応を防止しながら、磁気
ヘッドの磁気記録媒体との摺動部における偏摩耗の発生
を防ぐことにより、電磁変換特性を良好なものとする。 【解決手段】 基板上に金属磁性薄膜が斜めに成膜され
るとともに、薄膜コイルが形成された凹部を有し、ガラ
スにより突合せ面が平坦化されてなる一対の磁気コア半
体を備え、金属磁性薄膜の突合せ面同士が非磁性薄膜を
介して対向するように、これら磁気コア半体が突き合わ
されて磁気ギャップが形成された磁気ヘッドにおいて、
基板は、ＣａＯ、ＴｉＯ₂及びＮｉＯを主成分とする第
１の非磁性体と、ＣａＴｉＯ₃を主成分とする第２の非
磁性体とから形成されてなり、第２の非磁性体が突合せ
面に臨むように配されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、金属磁性薄膜によ
り磁気コアを形成した磁気ヘッド及びその製造方法に関
し、詳しくは、金属磁性薄膜を形成して磁路を短くする
ことによってインピーダンスを小さくした磁気ヘッド及
びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】磁気ヘッドは、例えばビデオテープレコ
ーダ（以下、ＶＴＲという。）等の磁気記録再生装置に
搭載されて、磁気記録媒体に対して情報信号の記録及び
／又は再生（以下、記録再生という。）を行うものであ
る。

【０００３】磁気ヘッドにおいては、単結晶フェライト
等からなる一対の磁気コア半体のそれぞれの磁気ギャッ
プ形成面に金属磁性薄膜を成膜し、この一対の磁気コア
半体を磁気ギャップ形成面を突き合わせて接合一体化し
てなる、いわゆるメタル・イン・ギャップ（ＭＩＧ）型
磁気ヘッドや、非磁性セラミック基板で金属磁性薄膜を
挟み込んだ形の、いわゆる積層型磁気ヘッドが提案さ
れ、実用化されている。

【０００４】磁気ヘッドは、磁気記録の分野における記
録信号の高密度化やデジタル化に対応するために、より
高周波帯域で良好な電磁変換特性を示すことができるも
のが望まれている。また、ＶＴＲ用の磁気ヘッドとして
は、小さなドラムに複数個搭載して装置の小型化・高性
能化に対応するために、小型化されることが望まれてい
る。

【０００５】上述したＭＩＧ型磁気ヘッドは、インピー
ダンスが大きく高周波帯域での使用に適さない。また、
積層型磁気ヘッドは、記録信号の高密度化によるトラッ
ク幅の減少に伴い、磁路を構成する金属磁性薄膜の膜厚
を減少させる必要があるため、再生効率が低下してしま
う上に、ヘッドの小型化にも限界がある。

【０００６】そこで、磁気ヘッドにおいては、高周波帯
域で良好な電磁変換特性を示すことのできる磁気ヘッド
として、例えば特開平６−２５９７１７号公報「磁気ヘ
ッド及びその製造方法」に記載されているように、金属
磁性薄膜を形成して磁路を短くすることによってインピ
ーダンスを小さくした、いわゆるバルク薄膜型磁気ヘッ
ドが提案されている。

【０００７】バルク薄膜型磁気ヘッドは、基板上に金属
磁性薄膜が斜めに成膜されるとともに、薄膜コイルが形
成された凹部を有し、非磁性材料により突合せ面が平坦
化されてなる一対の磁気コア半体を備え、金属磁性薄膜
の突合せ面同士が非磁性薄膜を介して対向するようにこ
れら磁気コア半体が突き合わされて磁気ギャップが形成
されてなる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
磁気ヘッドの製造での歩留りを向上させるには、磁気コ
アとして金属磁性薄膜が形成された磁気コア半体となる
非磁性基板の溝に、ガラスを完全に充填する必要があ
る。そのため、充填されるガラスとしては、融点の低い
低融点ガラスが用いられている。しかしながら、磁気ヘ
ッドにおいては、このような低融点ガラスが用いられて
いるために、非磁性基板と低融点ガラスとが反応し、こ
の非磁性基板又は低融点ガラスの強度が劣化してしま
い、このことが磁気ヘッド製造時における歩留り低下の
原因となっていた。

【０００９】また、ヘッドの良好な電磁変換特性を得る
ためには、作製工程中に生じる低融点ガラスの残留応力
を出来るだけ低くする必要があり、金属磁性薄膜及び低
融点ガラスに適した熱膨張係数を有する非磁性基板を用
いる必要がある。

【００１０】そのため、本出願人らは、この低融点ガラ
スとの反応を防止する非磁性基板を用いて磁気ヘッドを
作製することを提案している。

【００１１】しかしながら、このような磁気ヘッドに
は、磁気記録媒体を長時間走行させた際、磁気ヘッドの
磁気記録媒体との摺動部に偏摩耗が発生し、電磁変換特
性が大幅に低下するといった問題がある。

【００１２】そこで、本発明はこのような従来の実情に
鑑みて提案されたものであり、基板とガラスとの反応を
防止しながら、磁気ヘッドの磁気記録媒体との摺動部に
おける偏摩耗の発生を防ぐことにより、電磁変換特性を
良好なものとした磁気ヘッドを提供するとともに、その
製造方法を提供することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】この目的を達成する本発
明に係る磁気ヘッドは、基板上に金属磁性薄膜が斜めに
成膜されるとともに、薄膜コイルが形成された凹部を有
し、ガラスにより突合せ面が平坦化されてなる一対の磁
気コア半体を備え、金属磁性薄膜の突合せ面同士が非磁
性薄膜を介して対向するように、これら磁気コア半体が
突き合わされて磁気ギャップが形成された磁気ヘッドに
おいて、基板は、ＣａＯ、ＴｉＯ₂及びＮｉＯを主成分
とする第１の非磁性体と、ＣａＴｉＯ₃を主成分とする
第２の非磁性体とから形成されてなり、第２の非磁性体
が突合せ面に臨むように配されていることを特徴とす
る。

【００１４】以上のように構成された本発明に係る磁気
ヘッドによれば、磁気コア半体となる基板を形成するＣ
ａＯ、ＴｉＯ₂及びＮｉＯを主成分とする第１の非磁性
体に対して、ＣａＴｉＯ₃を主成分とする第２の非磁性
体が、金属磁性薄膜及びガラスが形成された磁気コア半
体の突合せ面に臨むように配されたことから、磁気記録
媒体を走行させた際、この磁気コア半体となる基板と金
属磁性薄膜との間の偏摩耗の発生が防止され、電磁変換
特性が良好なものとなる。

【００１５】また、この目的を達成する本発明に係る磁
気ヘッドの製造方法は、ＣａＯ、ＴｉＯ₂及びＮｉＯを
主成分とする第１の非磁性基板と、突合せ面側となるＣ
ａＴｉＯ₃を主成分とする第２の非磁性基板とを接合一
体化して基板を形成した後、基板上に金属磁性薄膜を斜
めに成膜するとともに、ガラスにより突合せ面を平坦化
し、このガラスに形成した凹部に薄膜コイル及び外部接
続端子を形成して一対の磁気コア半体を作製し、金属磁
性薄膜の端面同士を非磁性薄膜を介して対向するよう
に、これら磁気コア半体を突き合わせて磁気ギャップを
形成することを特徴とする。

【００１６】以上のように本発明に係る磁気ヘッドの製
造方法によれば、予め、ＣａＯ、ＴｉＯ₂及びＮｉＯを
主成分とする第１の非磁性基板と、突合せ面側となるＣ
ａＴｉＯ₃を主成分とする第２の非磁性基板とを接合一
体化して基板を形成しているので、いわゆるバルク薄膜
型磁気ヘッドの通常の作製工程により磁気ヘッドを作製
することができ、製造装置の大幅な変更や、生産効率の
低下を最小限に抑えることができる。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら詳細に説明する。本発明の実施
の形態として示す磁気ヘッド１は、図１乃至図３に示す
ように、金属拡散接合により接合された一対の磁気コア
半体２、３から構成されている。

【００１８】この一対の磁気コア半体２、３は、Ｃａ
Ｏ、ＴｉＯ₂及びＮｉＯを主成分とする第１の非磁性体
４と、ＣａＴｉＯ₃を主成分とする第２の非磁性体５と
から形成されてなる非磁性基板６と、この非磁性基板６
の傾斜面６ａ上に形成された金属磁性薄膜７と、この非
磁性基板６上に金属磁性薄膜７を覆うように形成された
低融点ガラス８とからそれぞれ形成されている。また、
一対の磁気コア半体２、３は、少なくとも一方に、励磁
用／誘導起電圧検出用の薄膜コイル９が形成されてな
る。（なお、図２においては、薄膜コイル９の図示を省
略する。）磁気ヘッド１においては、一対の磁気コア半
体２、３が非磁性薄膜であるギャップ材Ｇを介して接合
された状態で、金属磁性薄膜７が磁気コア１０を形成す
る。磁気ヘッド１は、図中矢印Ａで示す方向に磁気記録
媒体が摺動することにより、磁気記録媒体に記録された
信号磁界を磁気コア１０が再生又は信号磁界を磁気コア
１０が磁気記録媒体に記録して動作する。

【００１９】また、この磁気ヘッド１は、磁気記録媒体
との当たり状態を調節するために、磁気記録媒体との摺
動面１１が、磁気記録媒体の摺動方向Ａと平行に、円弧
状に形成される。また、この磁気ヘッド１は、磁気記録
媒体との接触面積を調節するために、当たり幅規制溝１
２が形成されている。この当たり幅規制溝１２は、磁気
記録媒体の摺動方向Ａと平行に、磁気ヘッド１の両側面
に形成されている。

【００２０】この磁気ヘッド１において、金属磁性薄膜
７は、非磁性基板６上に所定の角度を以て斜めに形成さ
れた傾斜部６ａ上に形成されている。このため、磁気コ
ア１０は、金属磁性薄膜７が形成された一対の磁気コア
半体２、３がギャップ材Ｇを介して接合されると、磁気
記録媒体の摺動方向Ａに対して斜めに配されることとな
る。

【００２１】金属磁性薄膜７においては、その断面形状
が略コ字状を呈するように形成されている。すなわち、
金属磁性薄膜７は、磁気コア半体２、３の突き合わされ
る面側の端面の略中心部に凹部７ａを有する。

【００２２】このため、金属磁性薄膜７は、磁気コア半
体２、３の突合せ面２ａ、３ａに前後方向に分断されて
低融点ガラス８から露出する、前部突合せ面１３と後部
突合せ面１４とを有することとなる。そして、一方の磁
気コア半体２の前部突合せ面１３と、他方の磁気コア半
体３の前部突合せ面１３とは、ギャップ材Ｇを介して突
き合わされてフロントギャップ１５を構成する。また、
一方の磁気コア半体２の後部突合せ面１４と、他方の磁
気コア半体３の後部突合せ面１４とは、ギャップ材Ｇを
介して突き合わされてバックギャップ１６を構成する。

【００２３】また、金属磁性薄膜７は、磁気コア半体
２、３の突合せ面２ａ、３ａに、後部突合せ面１４を略
中心とした薄膜コイル９が内部に形成されたコイル形成
用凹部１７を有する。このコイル形成用凹部１７には、
後部突合せ面１４の近傍にコイル接続用端子１８が形成
されている。薄膜コイル９は、このコイル形成用凹部１
７内に形成されて、中心側の端部がコイル接続用端子１
８に接続されている。

【００２４】コイル接続用端子１８は、一対の磁気コア
半体２、３の突合せ面２ａ、３ａと同一面を構成するよ
うにそれぞれ高さ調節されて形成されている。そして、
磁気ヘッド１においては、一対の磁気コア半体２、３が
接合されると、一対のコイル接続用端子１８も接合され
ることとなる。これにより、この磁気ヘッド１において
は、一対の磁気コア半体２、３が接合されると、一対の
薄膜コイル９が電気的に接続されることとなる。

【００２５】また、薄膜コイル９の外周側の端部は、磁
気記録媒体の摺動面１１とは反対側へ導出されている。
一対の磁気コア半体２、３には、磁気記録媒体との摺動
面１１とは反対側に、外部接続用端子１９がそれぞれ形
成されている。そして、薄膜コイル９の外周側の端部
は、この外部接続用端子１９と接続されている。

【００２６】これら外部接続用端子１９は、磁気ヘッド
１の側面に露出することによって、外部と薄膜コイル９
とを電気的に接続することができる。これら一対の外部
接続用端子１９は、一対の磁気コア半体２、３を接合し
た際に短絡を発生させないように、一対の磁気コア半体
の２、３における高さが異なる位置にそれぞれ形成され
ている。

【００２７】なお、金属磁性薄膜７は、単一層からなる
金属磁性層７ｂにより構成されてもよいが、金属磁性層
７ｂと非磁性層７ｃとを交互に積層した構成とすること
が望ましい。このことにより、磁気ヘッド１は、より高
周波領域において、感度が高いものとすることができ
る。ここでは、図３に示すように、３層の金属磁性層７
ｂを有する構成とした。

【００２８】以上のように構成された磁気へッド１は、
磁気記録媒体に記録された磁気信号を再生する際に、磁
気記録媒体からの信号磁界がフロントギャップ１５の周
辺に印加される。そして、印加される信号磁界の方向が
変化することによって、磁気コア１０に流れる磁束の方
向が変化する。その結果、磁気ヘッド１では、電磁誘導
が起こり、薄膜コイル９に所定の電流が流れる。

【００２９】また、この磁気ヘッド１を用いて磁気記録
媒体に磁気信号を記録する際には、薄膜コイル９に対し
て所定の電流が供給される。そして、この磁気ヘッド１
では、薄膜コイル９から発生する磁界により磁気コア１
０に所定の磁束が流れる。これにより、この磁気ヘッド
１では、フロントギャップ１５を挟んで漏れ磁界を発生
する。磁気ヘッド１は、この漏れ磁界を磁気記録媒体に
印加することにより磁気信号を記録する。

【００３０】ここで、図４に示すように、低融点ガラス
８との反応を防止する非磁性基板６として、ＣａＯ、Ｔ
ｉＯ₂及びＮｉＯを主成分とする第１の非磁性体４のみ
からなるセラミック基板を用いて作製された磁気ヘッド
においては、この基板内にＮｉＴｉＯ₃相２０やＣａＴ
ｉＯ₃相といった２種類以上の固相が密に混合した組織
として存在している。

【００３１】このような磁気ヘッドにおいては、例えば
５０℃、湿度２０％といった高温低湿環境下で磁気記録
媒体を長時間走行させると、この基板内のＮｉＴｉＯ₃
相２０と、他のＣａＴｉＯ₃相、この磁気コア半体に形
成された金属磁性薄膜７及び低融点ガラス８との間に段
差等が生じる、いわゆる偏摩耗が発生する。

【００３２】この偏摩耗の発生は、磁気ギャップＧと走
行する磁気記録媒体との間に空隙が生じてしまうことか
ら、この磁気ギャップの磁気記録媒体に対する磁気強度
が弱くなり、磁気ヘッドの電磁変換特性を大幅に低下さ
せる。特に、このような磁気ヘッドにおいては、基板内
のＮｉＴｉＯ₃相２０と金属磁性薄膜７との距離が近い
ほど、大きな磁気変換特性の低下が見られた。

【００３３】そこで、本発明に係る磁気ヘッド１におい
ては、図３に示すように、磁気コア半体２、３となる非
磁性基板６を形成するＣａＯ、ＴｉＯ₂及びＮｉＯを主
成分とする第１の非磁性体４に対して、ＣａＴｉＯ₃を
主成分とする第２の非磁性体５が、金属磁性薄膜７及び
低融点ガラス８が形成された磁気コア半体２、３の突合
せ面２ａ、３ａに臨むように配されている。

【００３４】これにより、磁気記録媒体を走行させた
際、この非磁性基板６内のＮｉＴｉＯ₃相２０と、他の
ＣａＴｉＯ₃相、この磁気コア半体２、３に形成された
金属磁性薄膜７及び低融点ガラス８との間に、段差等が
生じるのを防ぐことができる。したがって、磁気ヘッド
１は、磁気記録媒体との摺動面１１における偏摩耗の発
生を防ぐことができ、良好な電磁変換特性を得ることが
できる。

【００３５】次に、上述した磁気ヘッド１を作製する際
の製造方法について説明する。

【００３６】先ず、上述した上述した磁気ヘッド１とし
た際の磁気コア半体２、３となる基板２１を作製する。

【００３７】基板２１を作製するに際しては、図５に示
すように、ＣａＯ、ＴｉＯ₂及びＮｉＯを主成分とす
る、例えば、厚さ２ｍｍ程度の略平板状とされた第１の
非磁性基板２２と、ＣａＴｉＯ₃を主成分とする、例え
ば、厚さ１ｍｍ程度の略平板状の第２の非磁性基板２３
とを用意する。また、基板２１を作製するに際しては、
第１の非磁性基板２２の長さ及び幅よりも小さくなされ
た第２の非磁性基板２３を用い、例えば、第１の非磁性
基板２２の長さ及び幅を３２ｍｍとし、第２の非磁性基
板２３の長さ及び幅を３０ｍｍとした。

【００３８】第１の非磁性基板２２としては、その組成
がＣａＯ：１５〜４５ｍｏｌ％、ＴｉＯ₂：４０〜８０
ｍｏｌ％、ＮｉＯ：５〜３０ｍｏｌ％であり、且つ熱膨
張率が１００×１０^-7〜１３０×１０^-7Ｋ^-1である非磁
性材料からなる基板を用いることが好ましい。

【００３９】ＣａＯの含有量を１５ｍｏｌ％以上とし、
ＴｉＯ₂の含有量を８０ｍｏｌ％未満としたのは、Ｃａ
Ｏの含有量が１５ｍｏｌ％未満の場合及びＴｉＯ₂の含
有量が８０ｍｏｌ％を越える場合に、熱膨張係数が上述
した金属磁性薄膜７のそれよりもかなり小さくなってし
まうからである。また、ＣａＯの含有量を４５ｍｏｌ％
未満とし、ＴｉＯ₂の含有量を４０ｍｏｌ％以上とした
のは、ＣａＯの含有量が４５ｍｏｌ％を越える場合及び
ＴｉＯ₂の含有量が４０ｍｏｌ％未満の場合に、上述し
た非磁性材料に気孔が多く発生してしまうからである。

【００４０】次に、図６に示すように、これら第１の非
磁性基板２２と第２の非磁性基板２３とを固相反応によ
り接合一体化する。これにより、第１の非磁性体と第２
の非磁性体とを強固に接合一体化することができる。

【００４１】また、第１の非磁性基板２２と第２の非磁
性基板２３とをこれら接合面に形成されたＡｕ等の金属
薄膜を低温金属拡散させることにより接合一体化しても
よい。さらに、第１の非磁性基板２２と第２の非磁性基
板２３とをこれら接合面に形成された非磁性薄膜であ
る、例えば接着剤や、水ガラス等を用いて接合一体化し
てもよい。

【００４２】次に、図７に示すように、第１の非磁性基
板２２と第２の非磁性基板２３とを接合一体化した基板
２１の第２の非磁性基板２３側を研削／研磨し、この第
２の非磁性基板２３の厚みを調整する。

【００４３】この場合、第１の非磁性基板２２の長さ及
び幅よりも小さくなされた第２の非磁性基板２３が用い
られていることから、この第１の非磁性基板２２と第２
の非磁性基板２３との接合面を基準として第２の非磁性
基板２３の厚みを高精度に調整することができる。

【００４４】また、互いの長さ及び幅が同じである第１
の非磁性基板２２と第２の非磁性基板２３とが接合一体
化された基板２１を用いる場合には、この第１の非磁性
基板２２と第２の非磁性基板２３とを接合一体化する
際、第２の非磁性基板２３の厚み方向に亘って、例え
ば、切り欠き等の厚み確認用の目印を設けることによ
り、この第１の非磁性基板２２と第２の非磁性基板２３
との接合面を基準として第２の非磁性基板２３の厚みを
高精度に調整することができる。

【００４５】また、第２の非磁性基板２３においては、
その厚みを３００μｍ以下とすることが好ましい。より
好ましくは、１００μｍ以下とすることが好ましい。こ
こでは、第２の非磁性基板２３の厚みが９０μｍとなる
ように平面研削盤を用いて研削した。

【００４６】第２の非磁性基板２３の厚みを３００μｍ
以下としたのは、第２の非磁性基板２３の厚みを３００
μｍ以上とした場合に、上述した磁気ヘッド１とした
際、この磁気ヘッド１における磁気記録媒体との摺動面
１１の摩耗速度が早くなってしまうからである。

【００４７】以上のようして、図８に示すような、Ｃａ
Ｏ、ＴｉＯ₂及びＮｉＯを主成分とする第１の非磁性基
板２２と、ＣａＴｉＯ₃を主成分とする第２の非磁性基
板２３とが接合一体化された基板２１を作製した。

【００４８】なお、基板２１を作製するに際しては、研
削／研磨後にこの基板２１の不要部分を機械加工で除去
したが、作製工程を削減するために、このような処理工
程を必ずしも行う必要はない。

【００４９】次に、図９に示すように、上述したように
作製された基板２１の第２の非磁性基板２３側の主面２
１ａに対して、砥石等により、例えば、約４５度の角度
を有するように複数の磁気コア形成溝２４を平行に形成
する第１の溝加工を施す。そして、基板２１には、磁気
コア形成溝２４が形成されることによって、複数の傾斜
面２１ｂが形成されることとなる。

【００５０】なお、ここで形成される傾斜面２１ｂは、
円形状や多角形状であってもよい。また、傾斜面２１ｂ
は、基板２１の平面に対して２５〜６０度程度の傾斜角
が望ましいが、疑似ギャップ防止やトラック幅精度を考
慮すると、３５〜５０度程度の傾斜角がより好ましい。
また、この第１の溝加工により形成する磁気コア形成溝
２４は、例えば、その深さを１３０μｍとし、幅を１５
０μｍとして形成した。

【００５１】次に、図１０に示すように、基板２１の傾
斜面２１ｂが形成された全面に対して、例えばＢｓ＝
１．５ＴのＦｅ系微結晶膜からなる厚さ４μｍの金属磁
性薄膜２５を成膜する。この成膜工程においては、金属
磁性薄膜２５を、例えば、図示を省略するアルミナから
なる厚さ０．１５μｍの非磁性層を介して３層の金属磁
性材料が積層されてなるように成膜する。

【００５２】金属磁性薄膜２５を成膜するには、上述し
た金属磁性材料以外にも、センダスト（Ｆｅ−Ａｌ−Ｓ
ｉ合金）等の軟磁性を示す材料を使用することができ、
これに類似した合金を使用することができる。具体的に
は、Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ合金、Ｆｅ−Ａｌ合金、Ｆｅ−Ｓｉ
−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ合金、Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ
−Ｒｕ合金、Ｆｅ−Ａｌ−Ｇｅ合金、Ｆｅ−Ｇａ−Ｇｅ
合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｇｅ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｓｉ−Ａｌ
合金、Ｆｅ−Ｎｉ合金等の結晶質合金を使用することが
できる。また、金属磁性材料としては、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎ
ｉのうちの１以上の元素とＰ，Ｃ，Ｂ，Ｓｉのうちの１
以上の元素とからなる合金、又はこれを主成分としＡ
ｌ，Ｇｅ，Ｂｅ，Ｓｎ，Ｉｎ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔｉ，Ｍｎ，
Ｃｒ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ等を含んだ合金等に代表される
メタル−メタロイド系アモルファス合金や、Ｃｏ，Ｈ
ｆ，Ｚｒ等の遷移金属と希土類元素を主成分とするメタ
ル−メタル系アモルファス合金等の非晶質合金を使用す
ることができる。さらに、金属磁性材料としては、窒化
系軟磁性合金又は炭化系軟磁性合金等を使用することが
できる。

【００５３】また、金属磁性薄膜２５を成膜する方法と
しては、マグネトロンスパッタリング法等のスパッタリ
ング法が好適であるが、真空蒸着法、分子線エピタキシ
ー（ＭＢＥ）法等の他のＰＶＤ法（Physical vapor dep
osition method）、又はＣＶＤ法（Chemical vapor dep
osition method）等を用いることができる。

【００５４】また、金属磁性薄膜２５を複数層からなる
ように成膜する場合には、非磁性層として、アルミナを
使用したが、係る材料に限定されるものではなく、Ｓｉ
Ｏ₂及びＳｉＯ等の材料を単独又は混合して使用するこ
とができる。この非磁性層の膜厚は、隣接して配される
金属磁性層間の絶縁を取れる程度とすることが好まし
い。

【００５５】なお、金属磁性薄膜２５においては、複数
層の金属磁性層を有するものに限定されず、単層の金属
磁性層からなるような構成であってもよい。しかしなが
ら、より高周波帯域で高い感度を得るためには、金属磁
性層を複数に分断した積層構造であることが好ましい。
これにより、金属磁性薄膜２５は、渦電流損失が低減さ
れて、より高周波帯域で高い感度を得ることができる。

【００５６】次に、図１１に示すように、金属磁性薄膜
２５が形成された面に対して磁気コア形成溝２４と略直
交する方向に第２の溝加工を施す。この第２の溝加工で
は、所定の大きさの磁気コアに分離するために形成され
る分離溝２６と、この分離溝２６により分離された各磁
気コアに磁気ギャップを形成するための巻線溝２７とを
形成する。

【００５７】また、このとき、傾斜面２１ｂ上に形成さ
れた金属磁性薄膜２５以外の部分、すなわち、磁気コア
形成溝２４の底部に形成された金属磁性薄膜２５を研削
加工により除去する。

【００５８】ここで、分離溝２６は、磁気コアを基板２
１上で前後方向に磁気的に分離して各磁気コアを形成
し、各磁気コアに閉磁路を構成するための溝である。ま
た、この分離溝２６は、図１１の例示では２本形成され
ているが、形成される磁気コア半体２、３の列の数だけ
設ける必要がある。また、この分離溝２６は、前後方向
に並んで配される各磁気コアを磁気的に分離するため、
金属磁性薄膜２５を完全に切断する程度の深さを有する
ように形成される必要がある。ここでは、分離溝２６を
磁気コア形成溝２４の底辺から１５０μｍの深さとし、
すなわち、基板２１の主面２１ａから２８０μｍの深さ
とした。

【００５９】一方、巻線溝２７は、上述した磁気ヘッド
１とした際の金属磁性薄膜７に形成された凹部７ａとな
るものである。したがって、巻線溝２７は、上述した磁
気ヘッド１とした際の前部突合せ面１３と後部突合せ面
１４とを有する磁気コア１０を形成し、コイル形成用凹
部１７を形成するために、金属磁性薄膜２５を切断しな
い程度の深さで形成する必要がある。このため、巻線溝
２７は、その表面に金属磁性薄膜２５の断面が露出して
なる。

【００６０】また、この巻線溝２７は、その形状が前部
突合せ面１３及び後部突合せ面１４の長さに応じて決定
されるが、ここでは、幅を約１４０μｍとし、前部突合
せ面１３の長さが３０μｍとなり、後部突合せ面１４の
長さが８５μｍとなるように形成した。なお、この巻線
溝２７は、金属磁性薄膜２５を切断することのない程度
の深さでよいが、深すぎると磁路長が長くなって磁束伝
達の効率が低下する虞がある。また、巻線溝２７は、そ
の深さが後述する工程で形成される薄膜コイル９の厚み
に依存するが、ここでは、２０μｍとした。

【００６１】さらに、この巻線溝２７は、その形状が限
定されるものではないが、ここでは、前部突合せ面１３
側の側面を、例えば４５度の傾斜面２７ａとした。これ
により、上述した磁気ヘッド１とした際、この磁気ヘッ
ド１の摺動面１１に磁束が集中し、高い記録感度を得る
ことができる。

【００６２】次に、図１２に示すように、磁気コア形成
溝２４、分離溝２６及び巻線溝２７が形成された基板２
１の一主面２１ａに、溶融した、例えばＳｉＯ₂、Ｐｂ
Ｏ、Ｂ₂Ｏ₃及びＢｉ₂Ｏ₃を主成分とし、５２０℃におけ
る粘度が約１０４．５Ｐａ・ｓである低融点ガラス２８
を充填させる。なお、金属磁性薄膜２５においては、５
２０℃の熱処理でＨｃ≦３０Ａ／ｍの軟磁気特性が得ら
れる。

【００６３】低融点ガラス２８を充填するに際しては、
金属磁性薄膜２５が良好な軟磁気特性を示す熱処理温度
で行うことが好ましい。これにより、金属磁性薄膜２５
の熱処理工程と低融点ガラス２８の充填工程とを同時に
行うことができる。

【００６４】低融点ガラス２８としては、金属磁性薄膜
２５の熱処理温度での粘性が、１０²〜１０⁶Ｐａ・ｓで
あるものを使用するが好ましい。さらに好ましくは、粘
性が１０³〜１０⁵Ｐａ・ｓであるものを使用することが
好ましい。

【００６５】ここで、上述した熱処理温度での粘度を１
０²Ｐａ・ｓ以上としたのは、粘度が１０²Ｐａ・ｓに満
たない場合に、この充填工程において金属磁性薄膜２５
との反応が著しくなり、金属磁性薄膜２５の磁気特性を
劣化させてしまうからである。また、上述した熱処理温
度での粘度を１０⁶Ｐａ・ｓ以下としたのは、粘度が１
０⁶Ｐａ・ｓを超えた場合に、基板２１の隅々まで完全
に充填することが困難となってしまうからである。

【００６６】これにより、金属磁性薄膜２５が軟磁気特
性を失うことなく、基板２１の一主面２１ａに形成され
た磁気コア形成溝２４、分離溝２６及び巻線溝２７に、
低融点ガラス２８を完全に充填することができる。

【００６７】その後、この低融点ガラス２８を冷却固化
させ、固化した低融点ガラス２８の表面に対して平坦化
処理を施す。これにより、上述した磁気ヘッド１とした
際の金属磁性薄膜７の前部突合せ面１３及び後部突合せ
面１４が露出することになる。

【００６８】なお、平坦化処理においては、研磨により
露出する金属磁性薄膜７の前部突合せ面１３及び後部突
合せ面１４の露出幅を大きくすると、上述した磁気ヘッ
ド１とした際の薄膜コイル９を内部に形成するためのコ
イル形成用凹部１７を形成する際、この基板２１と低融
点ガラス２８とのエッチングレートが異なることから、
この基板２１と低融点ガラス２８との間に段差が生じる
ことになる。したがって、この平坦化処理においては、
研磨により露出する金属磁性薄膜７の前部突合せ面１３
及び後部突合せ面１４の露出幅を、形成される薄膜コイ
ル９の最内周の幅よりも狭くすることが好ましい。

【００６９】次に、図１３に示すように、固化した低融
点ガラス２８に対して砥石等を用いて研削加工を施すこ
とにより、端子溝２９を形成する。この端子溝２９は、
上述した分離溝２６の直上に位置するように、例えばそ
の幅及び深さを１００μｍとして形成する。そして、こ
の端子溝２９内に、例えばＣｕ等の良導体を鍍金法等に
より充填する。その後、再び平坦化処理を行う。この端
子溝２９に充填されたＣｕ等の良導体は、上述した磁気
ヘッド１とした際の外部接続用端子１９となるものであ
る。

【００７０】次に、図１４に示すように、低融点ガラス
２８に対してエッチング加工を施すことにより上述した
磁気ヘッド１とした際のコイル形成用凹部１７を形成す
る。

【００７１】コイル形成用凹部１７は、後部突合せ面１
４を略中心とする略矩形状として、後部突合せ面１４及
び上述した磁気ヘッド１とした際のコイル接続用端子１
８となる部分を除いてエッチング加工を施すことにより
形成する。また、このコイル形成用凹部１７は、その一
端から端子溝２９に達する溝部１７ａを有している。

【００７２】その後、コイル形成用凹部１７内に上述し
た磁気ヘッド１とした際の薄膜コイル９を薄膜形成す
る。この薄膜コイル９は、一方端部９ａをコイル接続用
端子１８上に配し、後部突合せ面１４を中心とした円を
描くように、多数回巻回された形状を有する。また、こ
の薄膜コイル９は、コイル形成用凹部１７の一端に形成
された溝１７ａ内に引き出され、他方端部９ｂを端子溝
２９に充填された良導体からなる外部接続用端子１９と
電気的に接続する。

【００７３】この薄膜コイル９を形成する際には、先
ず、フォトレジストにより上述したようなコイル形状を
パターニングする。次に、コイル形成用凹部１７にＣｕ
等の良導体を電解鍍金等の手法によって、例えば、３μ
ｍ程度の厚みとなるように薄膜形成する。そして、フォ
トレジストを除去することによって、パターニングされ
たコイル形状とされる薄膜コイル９を形成することがで
きる。なお、この薄膜コイル９を形成するに際して、上
述した電解鍍金法だけでなく、スパッタリング法や蒸着
法等を用いることができる。

【００７４】次に、薄膜コイル９を外気との接触から保
護するための保護層（図示せず。）を形成する。この保
護層は、上述した薄膜コイル９を形成したコイル形成用
凹部１７を埋め込むように形成される。なお、この保護
層は、酸素アッシング処理により除去されないような非
磁性絶縁材料から形成されることが好ましい。

【００７５】具体的には、非磁性絶縁材料として、Ａｌ
₂Ｏ₃、Ｔａ₂Ｏ₅、ＳｉＯ₂、ＺｒＯ₂、ＴｉＯ₂等の酸化
物又はガラス等の無機物が挙げられる。ここでは、保護
膜としては、Ａｌ₂Ｏ₃をスパッタリングにより０．４μ
ｍの厚さで基板２１全面に形成した。このとき、保護膜
は、基板２１の一主面に露出した前部突合せ面１３や後
部突合せ面１４等も覆ってしまうが、後述する工程でこ
れらを覆う部分は除去される。なお、この保護膜は、い
わゆる、マスクスパッタ法やリフトオフ法を用いること
によって、所定の領域のみに形成することも可能であ
る。また、保護膜の形成法としては、スパッタリング法
の他に蒸着法や塗布型ＳｉＯ₂のスピンコーティング等
を挙げることができる。

【００７６】さらに、薄膜コイル９を形成する工程の前
段において、低融点ガラス２８等が露出する基板２１の
一主面に対して、例えばＣｕ、Ａｕ等の下地をスパッタ
リング等により形成してもよい。この下地としては、Ｃ
ｕ，Ａｕに限定されず、薄膜コイル９に用いられる材料
との密着性が良いものであればよい。

【００７７】次に、図１５に示すように、一主面に並列
して臨む前部突合せ面１３を横切るように角状の溝であ
るサイド溝３０を形成する。その後、上述した磁気ヘッ
ドとした際の磁気コア半体２、３が平行に複数列形成さ
れた基板２１を一方の磁気コア半体２と他方の磁気コア
半体３とがそれぞれ一列毎となるように切断して磁気コ
ア半体ブロック３１を形成する。

【００７８】このサイド溝３０は、研削加工により形成
され、例えば、その深さを５０μｍ、幅を４００μｍと
される。このサイド溝３０が形成されると、サイド溝３
０の側面に前部突合せ面１３の一端が露出することとな
る。このサイド溝３０は、後述するように、一対の磁気
コア半体ブロック３１を突き合わせる際に、位置決めの
指標として前部突合せ面１３の上端部を露出させるため
に形成される。

【００７９】そして、このサイド溝３０が形成された
後、一主面に対して研磨加工を施すことにより、この一
主面を鏡面化する。このとき、保護膜により覆われた前
部突合せ面１３や後部突合せ面１４を外方へと露出させ
る。

【００８０】次に、図１６に示すように、一対の磁気コ
ア半体ブロック３１を正確に位置決めして金属拡散接合
を行う。このとき、一対の磁気コア半体ブロック３１
は、接合部に非磁性薄膜としてＡｕのパターニングを施
し、サイド溝３０から臨む前部突合せ面１３の上端部同
士を対向させることによって、正確に位置決めする。

【００８１】このように、サイド溝３０から臨む前部突
合せ面１３の上端部を正確に対向させることにより、後
部突合せ面１４やコイル接続用端子１８を正確に対向さ
せることができる。そして、突き合わせた一対の磁気コ
ア半体ブロック３１に対して所定の温度及び圧力を印加
することにより、金属拡散接合を行う。

【００８２】なお、接合方法としては、Ａｕのパターニ
ングを施して金属拡散接合を行ったが、非磁性薄膜とし
て、例えば接着剤や、水ガラス等を用いて一対の磁気コ
ア半体ブロック３１を接合してもよい。

【００８３】次に、図１７に示すように、接合一体化さ
れた磁気ヘッドブロック３２を個々の上述した磁気ヘッ
ド１となるように分離する。

【００８４】このとき、先ず、磁気ヘッドブロック３２
は、上述した磁気ヘッド１とした際の磁気記録媒体が摺
動する摺動面１１となる表面を露出するために、長手方
向に切断加工する。そして、磁気ヘッドブロック３２
は、この露出した表面に対して、円筒形を呈するように
円筒切削加工を施すことにより、この表面が摺動面１１
となる。その後、磁気ヘッドブロック３２には、上述し
た磁気ヘッド１とした際の当たり幅規制溝１２を研削加
工する。当たり幅規制溝１２は、磁気ヘッドブロック３
２から分離される摺動面１１の両側面に相当する部位に
形成されることになる。

【００８５】そして、磁気ヘッドブロック３２、同図Ｂ
−Ｂ線で示す部分で切断することにより、個々の上述し
た磁気ヘッド１に分離する。

【００８６】なお、個々の磁気ヘッド１とするに際して
は、基板２１を一列毎となるように切断して磁気コア半
体ブロック３１とし、この一対の磁気コア半体ブロック
３１を接合一体化した磁気ヘッドブロック３２を切断す
ることにより個々の磁気ヘッド１としたが、基板２１を
個々の磁気コア半体とした後、これら磁気コア半体同士
を接合一体化して個々の磁気ヘッド１としてもよい。

【００８７】以上のように本発明に係る磁気ヘッドの製
造方法によれば、予め、ＣａＯ、ＴｉＯ₂及びＮｉＯを
主成分とする第１の非磁性基板２２と、突合せ面側とな
るＣａＴｉＯ₃を主成分とする第２の非磁性基板２３と
を接合一体化して基板２１を形成しているので、いわゆ
るバルク薄膜型磁気ヘッドの通常の作製工程により磁気
ヘッド１を作製することができ、製造装置の大幅な変更
や、生産効率の低下を最小限に抑えることができる。

【００８８】また、以上のように作製された磁気ヘッド
１では、基板として、ＣａＯ、ＴｉＯ₂及びＮｉＯを主
成分としたセラミック基板のみを用いた磁気ヘッドと同
様に、基板として、ＭｎＯ−ＮｉＯ系セラミック基板を
用いた磁気ヘッドと比べて、低融点ガラスを充填させた
際、この基板２１と低融点ガラス２８との界面付近にお
いて、基板２１と低融点ガラス２８との反応や、それに
よる基板２１と低融点ガラス２８との間に割れのといっ
た不良の発生を防ぐことができる。

【００８９】ここで、上述した磁気ヘッド１と、比較例
として、基板にＣａＯ、ＴｉＯ₂及びＮｉＯを主成分と
したセラミック基板のみを用いた磁気ヘッドとを民生用
ＤｉｇｉｔａｌＶＴＲ（以下、ＤＶＣという。）に搭載
して、５０℃、湿度２０％の環境下で、市販のＤＶＣ用
ＭＥテープを５００時間走行させたところ、基板にＣａ
Ｏ、ＴｉＯ₂及びＮｉＯを主成分としたセラミック基板
のみを用いた磁気ヘッドでは、約１〜３ｄＢの出力低下
が見られた。それに対して、磁気ヘッド１の出力低下
は、１ｄＢ以下であった。

【００９０】また、これらテープ走行後の磁気ヘッドの
摺動面を観察したところ、基板にＣａＯ、ＴｉＯ₂及び
ＮｉＯを主成分としたセラミック基板のみを用いた磁気
ヘッドでは、基板内のＮｉＴｉＯ₃相と、他のＣａＴｉ
Ｏ₃相、この磁気コア半体に形成された金属磁性薄膜及
び低融点ガラスとの間に約５０ｎｍの段差が見られ、基
板内のＮｉＴｉＯ₃相と金属磁性薄膜との距離が近いほ
ど、大きな出力低下が見られた。それに対して、磁気ヘ
ッド１では、このような偏摩耗の発生はなく、良好な電
磁変換特性を示した。

【００９１】また、基板にＣａＯ、ＴｉＯ₂及びＮｉＯ
を主成分としたセラミック基板のみを用いた磁気ヘッド
と、上述した磁気ヘッド１の作製工程において、ＣａＴ
ｉＯ₃を主成分とする第２の非磁性基板２３の厚みを変
えて作製した磁気ヘッドとをＤＶＣに搭載して、−５℃
の環境下で、市販のＤＶＣＭＥテープを１０００時間走
行させたところ、基板にＣａＯ、ＴｉＯ₂及びＮｉＯを
主成分としたセラミックのみを用いた磁気ヘッドと比較
して、第２の非磁性基板２３の厚みが３００μｍ以上の
場合に、摩耗速度が３倍以上であったのに対して、第２
の非磁性基板２３の厚みが１００〜３００μｍの場合
に、１．５倍程度であり、第２の非磁性基板２３の厚み
が１００μｍ以下の場合に、１．２倍以内であった。

【００９２】このことから、ＣａＯ、ＴｉＯ₂及びＮｉ
Ｏを主成分とする第１の非磁性体に対して、ＣａＴｉＯ
₃を主成分とする第２の非磁性体を、金属磁性薄膜及び
低融点ガラスが形成された磁気コア半体の突合せ面に臨
むように配することは、磁気記録媒体を走行させた際、
この磁気コア半体となる基板と金属磁性薄膜との間の偏
摩耗の発生を防止する上で有効であることが明らかにな
った。

【００９３】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明に係
る磁気ヘッドによれば、磁気コア半体となる基板を構成
する、ＣａＯ、ＴｉＯ₂及びＮｉＯを主成分とする第１
の非磁性体に対して、ＣａＴｉＯ₃を主成分とする第２
の非磁性体が、金属磁性薄膜及びガラスが形成された磁
気コア半体の突合せ面に臨むように配されたことから、
磁気記録媒体を走行させた際、この磁気ヘッドの磁気記
録媒体との摺動部における偏摩耗の発生を防ぐことがで
き、良好な電磁変換特性を得ることができる。

【００９４】また、本発明に係る磁気ヘッドの製造方法
によれば、予め、ＣａＯ、ＴｉＯ₂及びＮｉＯを主成分
とする第１の非磁性基板と、突合せ面側となるＣａＴｉ
Ｏ₃を主成分とする第２の非磁性基板とを接合一体化し
て基板を形成しているので、いわゆるバルク薄膜型磁気
ヘッドの通常の作製工程により磁気ヘッドを作製するこ
とができ、製造装置の大幅な変更や、生産効率の低下を
最小限に抑えることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る磁気ヘッドを示す分解斜視図であ
る。

【図２】同磁気ヘッドの摺動面を示す要部斜視図であ
る。

【図３】同磁気ヘッドの摺動面を示す要部拡大平面図で
ある。

【図４】比較のために適用した磁気ヘッドの摺動面を示
す要部拡大平面図である。

【図５】本発明に係る磁気ヘッドの製造方法を説明する
ための図であり、接合一体化される第１の非磁性基板と
第２の非磁性基板を示す斜視図である。

【図６】同磁気ヘッドの製造方法を説明するための図で
あり、第１の非磁性基板と第２の非磁性基板とを接合一
体化した状態を示す斜視図である。

【図７】同磁気ヘッドの製造方法を説明するための図で
あり、基板の第２の非磁性基板側を研削／研磨した状態
を示す斜視図である。

【図８】同磁気ヘッドの製造方法を説明するための図で
あり、作製された基板を示す斜視図である。

【図９】同磁気ヘッドの製造方法を説明するための図で
あり、第１の溝加工を施した基板を示す斜視図である。

【図１０】同磁気ヘッドの製造方法を説明するための図
であり、金属磁性薄膜を形成した基板を示す斜視図であ
る。

【図１１】同磁気ヘッドの製造方法を説明するための図
であり、第２の溝加工を施した基板を示す斜視図であ
る。

【図１２】同磁気ヘッドの製造方法を説明するための図
であり、各溝に低融点ガラスを充填した状態の基板を示
す斜視図である。

【図１３】同磁気ヘッドの製造方法を説明するための図
であり、低融点ガラスに端子溝を形成した基板を示す斜
視図である。

【図１４】同磁気ヘッドの製造方法を説明するための図
であり、コイル形成用凹部を形成した基板を示す要部斜
視図である。

【図１５】同磁気ヘッドの製造方法を説明するための図
であり、磁気コア半体ブロックを示す斜視図である。

【図１６】同磁気ヘッドの製造方法を説明するための図
であり、一対の磁気コア半体ブロックを突き合わせる状
態を示す斜視図である。

【図１７】同磁気ヘッドの製造方法を説明するための図
であり、磁気ヘッドブロックを示す斜視図である。

【符号の説明】

１ 磁気ヘッド、２ 一方の磁気コア半体、２ａ 一方
の磁気コア半体の突合せ面、３ 他方の磁気コア半体、
３ａ 他方の磁気コア半体の突合せ面、４ 第１の非磁
性体、５ 第２の非磁性体、６ 非磁性基板、７ 金属
磁性薄膜、８低融点ガラス、９ 薄膜コイル、１０ 磁
気コア、１１ 磁気記録媒体との摺動面、１３ 前部突
合せ面、１４ 後部突合せ面、１５ フロントギャッ
プ、１６バックギャップ、１７ コイル形成用凹部、１
８ コイル接続用端子、１９外部接続用端子、２０、基
板内のＮｉＴｉＯ₃相、２１ 基板、２２ 第１の非磁
性基板、２３ 第２の非磁性基板、２４ 磁気コア形成
溝、２５ 金属磁性薄膜、２６ 分離溝、２７ 巻線
溝、２８ 低融点ガラス、２９ 端子溝、３０サイド
溝、３１ 磁気コア半体ブロック、３２ 磁気ヘッドブ
ロック

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5D093 AA01 AC01 AD05 BB05 CA01 CA07 EA02 JA12 5D111 AA22 BB01 BB12 BB31 BB48 CC21 DD06 FF15 KK07

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に金属磁性薄膜が斜めに成膜され
   るとともに、薄膜コイルが形成された凹部を有し、ガラ
   スにより突合せ面が平坦化されてなる一対の磁気コア半
   体を備え、上記金属磁性薄膜の上記突合せ面同士が非磁
   性薄膜を介して対向するように、これら磁気コア半体が
   突き合わされて磁気ギャップが形成された磁気ヘッドに
   おいて、 上記基板は、ＣａＯ、ＴｉＯ₂及びＮｉＯを主成分とす
   る第１の非磁性体と、ＣａＴｉＯ₃を主成分とする第２
   の非磁性体とから形成されてなり、当該第２の非磁性体
   が上記突合せ面に臨むように配されていることを特徴と
   する磁気ヘッド。
2. 【請求項２】 上記第１の非磁性体においては、その組
   成がＣａＯ：１５〜４５ｍｏｌ％、ＴｉＯ₂：４０〜８
   ０ｍｏｌ％、ＮｉＯ：５〜３０ｍｏｌ％であり、且つ熱
   膨張率が１００×１０^-7〜１３０×１０^-7Ｋ^-1であるこ
   とを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド。
3. 【請求項３】 上記第２の非磁性体においては、その厚
   みが３００μｍ以下であることを特徴とする請求項１記
   載の磁気ヘッド。
4. 【請求項４】 上記ガラスにおいては、上記金属磁性薄
   膜の熱処理温度での粘度が１０²〜１０⁶Ｐａ・ｓである
   ことを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド。
5. 【請求項５】 ＣａＯ、ＴｉＯ₂及びＮｉＯを主成分と
   する第１の非磁性基板と、突合せ面側となるＣａＴｉＯ
   ₃を主成分とする第２の非磁性基板とを接合一体化して
   基板を形成した後、 基板上に金属磁性薄膜を斜めに成膜するとともに、ガラ
   スにより突合せ面を平坦化し、このガラスに形成した凹
   部に薄膜コイル及び外部接続端子を形成して一対の磁気
   コア半体を作製し、 上記金属磁性薄膜の端面同士を非磁性薄膜を介して対向
   するように、これら磁気コア半体を突き合わせて磁気ギ
   ャップを形成することを特徴とする磁気ヘッドの製造方
   法。
6. 【請求項６】 上記基板を、上記第１の非磁性基板と上
   記第２の非磁性基板とを固相反応により接合一体化して
   形成することを特徴とする請求項５記載の磁気ヘッドの
   製造方法。
7. 【請求項７】 上記基板を、上記第１の非磁性基板と上
   記第２の非磁性基板とをこれら突合せ面に形成された非
   磁性薄膜により接合一体化して形成することを特徴とす
   る請求項５記載の磁気ヘッドの製造方法。
8. 【請求項８】 上記基板において、上記第１の非磁性体
   よりも小さくなされた上記第２の非磁性基板を用いるこ
   とにより、当該第１の非磁性基板と当該第２の非磁性基
   板との接合面を基準として当該第２の非磁性基板の厚み
   を調整しながら研削／研磨することを特徴とする請求項
   ５記載の磁気ヘッドの製造方法。
9. 【請求項９】 上記基板において、上記第２の非磁性基
   板の厚み方向に亘って厚み確認用の目印を設けることに
   より、当該第１の非磁性基板と当該第２の非磁性基板と
   の接合面を基準として当該第２の非磁性基板の厚みを調
   整しながら研削／研磨することを特徴とする請求項５記
   載の磁気ヘッドの製造方法。
10. 【請求項１０】 上記第２の非磁性基板においては、そ
    の厚みが３００μｍ以下であることを特徴とする請求項
    ５記載の磁気ヘッドの製造方法。