KR100314168B1 - 자기헤드및그제조방법 - Google Patents

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스기야마야스나리
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이데이 노부유끼
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Abstract

본 발명은 자기헤드 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명의 자기헤드는 기판상의 최소한 자기기록매체 대향면의 근방부에 금속자성막이 형성되는 1쌍의 자기코어 반체(半體)를 맞대고, 금속자성막사이에 자기갭이 형성되는 자기헤드에 있어서, 최소한 한쪽의 자기코어 반체의 맞댐면에 코일형성용의 요부(凹部)를 형성하고, 이 요부내에 박막공정에 의한 코일을 형성한다.
또한, 본 발명의 다채널자기헤드는 자기갭의 아지머스각이 서로 다른 복수의 자기헤드를 접합일체화한 다채널자기헤드에 있어서, 각 자기헤드는 기판상의 최소한 자기기록매체대향면의 근방부에 금속자성막이 형성되는 1쌍의 자기코어 반체를 맞대고, 금속자성막사이에 자기갭이 형성되고, 최소한 한쪽의 자기코어 반체의 맞댐면에 코일형성용의 요부가 형성되는 동시에, 이 요부내에 박막공정에 의해 코일이 형성되어 있다. 본 발명은 또한 상기 자기헤드 및 다채널자기헤드의 제조방법이 개시되어 있다.

Description

자기헤드 및 그 제조방법
본 발명은 금속자성막에 의해 자로(磁路)를 구성하여 이루어지는 자기헤드 및 그 제조방법에 관한 것이며, 특히 코일을 박막공정에 의해 형성하여 이루어지는 자기헤드 및 그 제조방법에 관한 것이다.
VTR 용의 자기헤드로서, 페라이트로 이루어지는 자기코어의 자기갭형성면에 금속자성막을 성막(成膜)한, 이른바 메탈인갭(metal-in-gap)형의 자기헤드와, 비자성 세라믹으로 금속자성막을 사이에 둔 형의 적층형 헤드 등이 사용되고 있으나, 금후의 고화질화, 디지탈화 등에 대응하기 위해서는 보다 고주파역에서 양호한 전자(電磁)변환특성을 나타내는 것이 필요하며, 또한 작은 드럼상에 복수의 자기헤드가 탑재되지 않으면 안 된다.
그러나, 전술한 메탈인갭형의 자기헤드는 임피던스가 크고, 고주파역에서의 사용에는 적합하지 않다. 또한, 적층형 헤드의 경우는, 고밀도 기록화에 의한 트랙폭의 감소에 따라서 자로를 구성하는 금속자성막의 두께를 감소시킬 필요가 있으며, 재생효율이 저하하고, 자기헤드의 복수화에도 어느 정도의 한계가 있다.
그래서, 고주파 대응의 자기헤드로서, 예를 들면 일본국 특개소63(1988)-231713호 공보에 기재된 바와 같이, 통상의 VTR 용 헤드보다 금속자성막으로 구성되는 자로를 작게 하고, 또한 박막공정을 이용하여 자기갭형성면에 박막코일을 형성한 자기헤드가 제안되어 있다.
그러나, 이와 같은 구조를 채용하면, 박막코일을 형성한 자기코어에 대해 대면하는 대향측의 자기코어에 상기 박막코일에 대응하여 공간을 형성할 필요가 있다.
전술한 바와 같은 공간을 기계가공 등의 수단에 의해 형성하면, 당연한 것이지만, 자기기록매체 슬라이드면에 개구부가 형성되어 버려서, 유리등으로 충전할 필요가 생긴다.
따라서, 상기 공간에 대한 유리충전공정이 불가결하지만, 이 때 박막 코일부분에도 용융된 유리가 흐르므로, 단선이나 단락 등의 문제가 발생할 염려가 있다.
또는, 박막코일을 작성함에 있어서, 기판의 자기갭형성면에 손상을 주거나응력이 가해질 염려가 있으므로, 갭정밀도의 확보가 곤란하다는 등의 문제가 있다. 따라서, 엄격한 갭정밀도가 요구되는 다채널자기헤드에 종래기술을 적용하는 것은 곤란하다.
그래서, 본 발명은 전술한 종래의 것이 가지는 결점을 해소하기 위해 제안된 것이며, 공간에의 유리의 유입을 요하지 않고, 박막코일의 단선이나 단락의 염려가 없는 신뢰성이 높은 자기헤드 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 자기갭형성면에 손상을 주거나 응력이 가해질 염려가 없고,충분한 갭정밀도를 확보하는 것이 가능한 자기헤드 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
전술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 자기헤드는 기판상의 최소한 자기기록매체 대향면의 근방부에 금속자성막이 형성되어 이루어지는 1쌍의 자기코어 반체(半體)를 맞대고, 상기 금속자성막사이에 자기갭을 형성하여 이루어지는 자기헤드로서, 최소한 한쪽의 자기코어 반체의 맞댐면에는 코일형성용의 요부(凹部)가 형성되는 동시에, 이 요부내에 박막공정에 의해 형성된 코일이 배설되어 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 자기헤드의 제조방법은 금속자성막을 성막한 1쌍의 기판의 맞댐면에 각각 유리를 충전하여 평탄화하는 공정과, 최소한 한쪽의 기판의 맞댐면에 코일형성영역에 대응하여 이온밀링에 의해 요부를 형성하는 공정과, 상기 요부내에 도체막을 성막하고, 포토리소그라피기술에 의해 패터닝하여 코일을 형성하는 공정과, 코일 및 요부를 덮어서 절연막을 성막하고, 맞댐면표면을 연마하여 평탄화하는 공정과, 상기 1쌍의 기판을 갭재를 통해 맞대는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 다채널자기헤드는 자기갭의 아지머스각이 서로 다른 복수의 자기헤드를 접합일체화하여 이루어지는 다채널자기헤드에 있어서, 각 자기헤드는 기판상의 최소한 자기기록매체 대향면의 근방부에 금속자성막이 형성되어 이루어지는 1쌍의 자기코어 반체를 맞대고, 상기 금속자성막사이에 자기갭을 형성하여 이루어지고, 최소한 한쪽의 자기코어 반체의 맞댐면에는 코일형성용의 요부가 형성되는동시에, 이 요부내에 박막공정에 의해 형성된 코일이 배설되어 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 다채널자기헤드의 제조방법은 금속자성막을 성막한 1쌍의 기판의 맞댐면에 각각 유리를 충전하여 평탄화하는 공정과, 최소한 한쪽의 기판의 맞댐면에 코일형성영역에 대응하여 이온밀링에 의해 요부를 형성하는 공정과, 상기 요부내에 도체막을 성막하고, 포토리소그라피기술에 의해 패터닝하여 코일을 형성하는 공정과, 코일 및 요부를 덮어서 절연막을 성막하고, 맞댐면의 표면을 연마하여 평탄화하는 공정과, 상기 1쌍의 기판을 갭재를 통해 맞대어 기본 자기헤드블록을 얻는 공정과, 복수의 기본 자기헤드블록을 겹쳐서 소정의 각도를 가지고 절단하며, 자기갭이 절단면에 대해 소정의 각도를 가진 경사자기헤드블록을 형성하는 공정과, 자기갭의 절단면에 대한 각도가 서로 다른 복수의 경사자기 헤드블록 또는 경사자기혜드블록과 기본 자기헤드블록을 접합일체화하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서는, 코일의 형상에 상응한 형상의 요부가 백갭의 주위에 형성되고, 이 요부내에 코일이 형성되어 있으므로, 자기기록매체슬라이드면에 불필요한 개구부(구멍)가 형성되지 않고, 유리를 충전할 필요가 없다. 따라서, 유리의 충전에 의한 박막코일의 단선이나 단락 등이 해소된다.
또한, 본 발명에 있어서는, 미리 이온밀링에 의해 형성한 요부내에 코일을 형성한 후, 맞댐면 (즉 자기갭형성면)을 평탄화하고 있으므로, 다채널화한 경우에도 갭정밀도가 충분히 확보된다.
이상의 설명으로부터도 명백한 바와 같이, 본 발명에 의하면 유리의 유입이 불필요하므로, 박막코일의 단선이나 단락의 염려가 없는 자기헤드 및 다채널자기헤드를 제공하는 것이 가능하다.
또한, 본 발명에 의하면, 코일형성후에 자기갭 형성면을 평탄화하고 있으므로, 자기갭형성면에 손상을 주거나 응력이 가해질 염려가 없고, 충분한 갭정밀도를 확보하는 것이 가능하다.
다음에, 본 발명을 적용한 구체적인 실시예에 대하여, 도면을 참조하면서 상세히 설명한다.
본 실시예의 자기헤드는 금속자성막을 각 자기코어의 자기갭 형성면에 대해 경사지게 성막(成膜)하고, 자기갭을 사이에 두고 일직선형으로 이어지도록 형성하여 이루어지는 자기헤드를 구성단위(각 채널자기헤드)로 하는 것이다.
이 실시예에 있어서는, 각 자기헤드를 구성하는 자기코어의 자기갭 형성면에 각각 요부(凹部)가 형성되고, 이 중에 박막코일이 형성되어 있으나, 그 구성을 보다 명확한 것으로 하기 위해, 먼저 그 제조방법부터 설명한다.
본 실시예의 자기헤드를 제조하는데는, 먼저 제1도에 나타낸 바와 같이 평판형의 기판(1)를 준비한다.
이 기판(1)은 페라이트 등의 자성재료로 이루어지는 것이라도 되지만, 예를 들면 멀티채널화하였을 때의 크로스토크의 방지를 도모한다는 점이나, 자기헤드의 임피던스를 내린다는 점에서, 티탄산칼륨 등의 비자성재료인 것이 바람직하다.
물론, 상기 티탄산칼륨에 한정되지 않고, 각종 비자성재료가 사용가능하며,예시한다면, 티탄산칼슘, 티탄산바륨, 산화지르코늄(지르코니아), 알루미나, 알루미나티탄카바이드, SiO2, MnO-NiO 혼합소결재, Zn 페라이트, 결정화유리, 고경도유리 등을 들 수 있다.
다음에, 제2도에 나타낸 바와 같이, 상기 기판(1)의 1주면(主面)(1a)상에 대해 홈가공처리를 한다. 이 홈가공은 다음의 공정에서 성막되는 금속자성막이 기판(1)의 자기갭 형성면인 상기 1주면 (1a)에 대해 경사지게 성막되도록 형성되는 것이다. 따라서, 각 홈(2)은 소정의 경사면 (2a)을 가지고 깊이방향으로 평행으로 형성된다.
전술한 홈가공을 한 후, 제3도에 나타낸 바와 같이, 금속자성막(3)을 상기 홈(2)내(특히 상기 경사면(2a)위)를 포함하여 기판(1)의 1주면(1a)상 전체면에 성막한다.
이 금속자성막(3)의 성막방법으로서는, 진공증착이나 스퍼터링 등, 각종 박막형성 프로세스가 채용가능하다.
또한, 상기 금속자성막(3)의 재질로서는, 고포화자속밀도를 가지고, 양호한 연자기(軟磁氣)특성을 가진 것이면 어떠한 것이라도 좋으며, 예를 들면 Fe-Al-Si 계합급, Fe-Al 계 합금, Fe-Si-Co 계 합금, Fe-Ga-Si 계 합금, Fe-Ga-Si-Ru 계 합금, Fe-Al-Ge 계 합금, Fe-Ga-Ge 계 합금, Fe-Si-Ge 계 합금, Fe-Co-Si-Al 계 합금, Fe-Ni 계 합금 등의 결정질합금 등을 들 수 있다.
또는, Fe, Co, Ni 중의 1 이상의 원소와 P, C, B, Si 중의 1이상의 원소로이루어지는 합금, 또는 이것을 주성분으로 하여 Al, Ge, Be, Sn, In, Mo, W, Ti, Mn, Cr, Zr, Hf, Nb 등을 포함한 합금 등으로 대표되는 메탈-메탈로이드계 아몰퍼스합금이나, Co, Hf, Zr 등의 천이(遷移)금속과 희토류(希土類)원소를 주성분으로 하는 메탈-메탈계 아몰퍼스합금 등의 비정질(非晶質)합금도 사용가능하다.
이어서, 제4도에 나타낸 바와 같이, 기판(1)에 형성된 홈(2)내에 유리(4)를 충전하여 표면을 평탄화한 후, 제5도에 나타낸 바와 같이, 상기 홈(2)과는 직교하는 방향으로 제2의 홈(5) 및 제3의 홈(6)을 절삭가공한다.
상기 제2의 홈(5)은, 이른바 통상의 벌크형의 자기헤드의 권선홈에 상당하는 것으로서, 먼저 성막한 금속자성막(3)의 프론트뎁스(depth) 및 백뎁스를 규정하고, 이 금속자성막(3)에 의해 구성되는 자로를 페루프로 하기 위해 형성되는 것이다. 한편, 제3의 홈(6)은 최종적으로 자기헤드를 조립하였을 때에 불필요하게 되는 금속자성막(3)을 제거하기 위해 형성되는 것이다.
상기 제2의 홈(5) 및 제3의 홈(6)을 절삭가공한 후, 제6도에 나타낸 바와 같이, 다시 유리(4)를 충전하여, 상면(1a)에 대해 평탄화가공을 한다.
다음에, 제7도에 나타낸 바와 같이, 앞의 홈(2)과 평행으로 제4의 홈(7) 및 제5의 홈(8)을 절삭가공한다. 여기서, 제4의 홈(7)은 상기 경사면(2a)상에 성막된 금속자성막(3)의 일단에지와 접하도록 형성되고, 금속자성막(3)의 맞댐폭 즉 트랙폭을 규제한다. 또한, 제5의 홈(8)은 상기 홈(2)내의 금속자성박막(3)중, 홈(2)의 저면에 존재하는 불필요한 금속자성막(3)을 제거하기 위해 형성된다.
상기 제4의 홈(7) 및 제5의 홈(8)을 절삭가공한 후, 제8도에 나타낸 바와 같이, 다시 유리(4)를 이들 홈(7),(8)내에 충전하여, 평탄화한다.
이상의 공정에 의해, 금속자성막(3)에 의한 자성부분이 형성되는 것이다. 제 9도는 개개의 자기헤드에 대응하여 상기 기판(1)을 부분적으로 확대하여 나타낸 것이며, 다음에 이 제9도에 나타낸 영역내에서의 코일의 형성방법에 대하여 설명한다.
제10도는 상기 제9도와 같이 개개의 자기헤드에 대응하여 상기 기판(1)을 부분적으로 확대하여 나타낸 것으로서, 제10A도는 백갭부 근방의 사시도이고, 제10B도는 제10A도의 4각형영역을 다시 확대하여 나타낸 평면도 및 파선위치에서의 단면도이다.
제10B도에 나타낸 바와 같이, 자기갭 형성면에는 금속자성막(3)이 분단된 형태로 면하고 있으며, 중앙에 위치하는 부분이 백갭부(3a)이며, 홈(5)에 의해 이 백갭부로부터 분단된 부분이 프론트갭부(3b)이다. 어느 부분이나 제10B도에 나타낸 바와 같이, 기판(1)상에 경사지게 성막되어 있다.
또한, 백갭부(3a)의 주위에는 각 홈에 충전한 유리(4)가 노출되어있다.
그래서, 먼저 제11도에 나타낸 바와 같이, 대략 코일의 외형형상에 대응하여, 레지스트층(9)을 포토리소그라피기술에 의해 형성한다.
그 후, 제12도에 나타낸 바와 같이, 이온밀링 등의 수법에 의해 선택적 에칭을 행하여, 코일의 외형형상에 대응하는 요부(10)를 형성한다.
여기서, 상기 이온밀링에 의한 에칭이 실시되는 것은 유리(4)이므로, 요부(10)는 정밀도 양호하게 형성된다.
각종 기판을 2시간 이온밀링한 후의 요부(10)의 깊이의 저면의 표면거칠기를 다음에 나타낸다.
코일부분의 요부(10)를 깊고 정밀도 양호하게 형성하는데는, 유리를 사용하는 것이 좋다는 것을 알 수 있다.
또한, 상기 요부(10)를 형성하는 수법으로서는, 상기 이온밀링 외에, 화학에칭법, 반응성 이온에칭, 파우더빔 에칭 등을 들 수 있다. 이들 수법은 피에칭부의 원자를 물리적, 화학적으로 박리하는 것으로서, 피에칭부가 다결정일 경우에는, 결정립(結晶粒)의 상위에 따라서 박리속도가 다르고, 평탄하게 요부(10)를 형성하기는 어려우나, 유리 등의 비정질이면 평탄한 요부(10)를 형성할 수 있다.
기계적인 가공으로는, 필요한 부분만에 공간(요부)을 형성하는 것은 어렵다.
상기 요부(10)를 형성한 후, 이 요부(10)내를 포함하는 전체면에 양도체(良導體)금속막(11)을 성막하고, 제13도에 나타낸 바와 같이, 코일형상에 상응한 패턴형상으로 레지스트층(12)을 형성한다.
상기 양도체금속막(11)은 스퍼터링이나 증착 등의 수법에 의해, 예를 들면 Au, Ag, Cu, Al 을 성막함으로써 형성한다. 또는, 도금법애 의해 형성해도 된다.
다음에, 제14도에 나타낸 바와 같이, 상기 레지스트층(12)을 마스크로 하여, 상기 양도체금속막(11)을 이온밀링 등의 수법에 의해 에칭하여, 와권형(觸卷形)의코일(13)을 형성한다.
이 때, 상기 코일(13)은 유리(4)에 형성한 요부(10)내에 형성되고, 또한 백갭부(3a)를 에워싸고 형성된다. 또한, 본 예에서는, 코일(13)을 단층으로 하였으나, 다층으로 하는 것도 가능하다.
이어서, 코일(13)의 소정의 위치에 접점전극을 형성한다. 접점전극은 기판(1) 끼리를 맞대었을 때에, 양 기판(1)에 형성된 코일(13)끼리를 전기적으로 접속하기 위해 필요한 것으로서, 코일(13)과 같은 공정에 의해 형성할 수 있다.
단, 접점전극은 자기갭 형성면의 연마시에 연마되므로, 연마특성이 좋고 내식성(耐蝕性)이 높은 재료로 형성할 필요가 있으며, 예를 들면 Cr, Ti, W, Mo, Ta, Nb 등이 적합하다.
제15도는 접점전극용 금속막(14)의 성막공정을 나타낸 것으로서, 이 접점전극용 금속막(14)을 전체면에 성막한 후, 레지스트층(15)을 형성하고, 코일(13)과 같이 이온밀링에 의해 제16도에 나타낸 바와 같은 접점전극(16)을 코일(13)의 접속부분에만 형성한다.
상기 접점전극(16)을 형성한 후, 제17도에 나타낸 바와 같이, 상기 요부(10)내를 코일(13)의 보호막으로 되는 절연막(17)에 의해 메우고, 제18도에 나타낸 바와 같이, 백갭부(3a), 프론트갭부(3b) 및 접점전극(16)이 노출될 때까지 연마하여 평탄화한다. 이때, 절연막(l7)에는 SiO2나 AlzO3등의 절연재료를 사용하면 된다.
다음에, 제19도에 나타낸 바와 같이, 갭형성막 및 갭접착용 유리막으로 이루어지는 비자성막(18)을 성막하고, 다시 그 위에 포토레지스트층(19)을 코팅한다.
그리고, 상기 포토레지스트층(19)에 대해 패턴노광 및 현상을 행하며, 상기 접점전극(16)에 대응하는 위치의 포토레지스트층(19)을 제거히여 개구부(19a)를 형성한다.
이어서, 제20도에 나타낸 바와 같이, 상기 포토레지스트층(19)에 형성하여 개구부(19a)에 면한 비자성막(18)을 이온밀링 등의 수법에 의해 에칭제거하고, 개구부(18a)를 형성하여 접점전극(16)을 노출시킨다.
또한, 제21도에 나타낸 바와 같이, 이 위에 Au 박막(20)을 성막하고, 이번에는 집점전극(16)에 대응하는 부분에만 레지스트층(21)을 형성한다. 그리고, 상기 레지스트층(21)을 마스크로 하여, 이온밀링 등의 수법에 의해 상기 Au 박막(20)을 에칭한다. 이로서, 제22도에 나타낸 바와 같이, 자기헤드블록(23)을 완성하기 위해 접점전극(16)상에 Au 전극(22)이 형성된다.
이와 같이 하여 형성된 자기헤드블록(23),(23)끼리를 제23도에 나타낸 바와 같이 맞대어, 가압하면서 적당한 온도로 접착하여, 제24도에 나타낸 바와 같이, 접합일체화한다. 이때, 코일(13)이 형성된 요부(10)내는 절연막(17)에 의해 보호되어 있으며, 유리가 유입되는 일은 없으므로, 불의의 단선이나 단락이 발생하는 일은 없다.
또한, 이 자기헤드블록(23),(23)끼리의 맞댐에 있어서는, 한쪽의 자기헤드블록(23)의 후단측을 짧게 절단하고, 다른 쪽의 자기헤드블록(23)상에 형성한 코일(13)의 인출전극이 외부에 노출되도록 설정한다.
접합일체화한 블록의 제24도의 x-x 선에 있어서의 단면을 제25도에 나타낸다. 코일(13)의 접점전극(16)간은 상기 Au 전극(22)에 의해 전기적으로 접속되어 있다.
또한, 슬라이싱가공(칩절단)에 의해 각 자기헤드칩(24)단위로 잘라낸 상태를 제26도에 나타낸다.
이 자기헤드칩(24)에 있어서는, 각 자기갭 형성면에 형성된 요부(10)에 코일(13)이 형성되어 있으며, 뒤에서 권선을 행할 필요가 없다.
또한, 자기갭 형성면은 코일(13)을 형성한 후에 연마에 의해 평탄화되어 있으므로, 응력이 남거나 상처가 남거나 하는 일이 없고, 충분한 갭 정밀도가 확보된다.
각 자기헤드의 제조방법으로서는, 이상의 예에 한정되는 것은 아니고, 예를 들면 전술한 예에 있어서는 갭접합을 유리막에 의해 행하고 있으나, 이른바 금접합(금의 확산접합)에 의해 행해도 된다.
다음에, 금의 확산접합에 의한 자기헤드의 제조공정에 대하여, 도면을 참조하면서 설명한다.
또한, 제12도에 나타낸 공정까지는 앞의 실시예와 같으므로, 그 이후의 공정에 대하여 설명한다.
본 실시예에서는, 유리(4)에 코일의 외형형상에 상응한 요부(10)를 형성한 후, 제27도에 나타낸 바와 같이 양도체금속막(31) 및 접점전극용 금속막(32)을 순차성막하고, 그 위에 코일패턴에 따라서 패터닝된 포토레지스트층(33)을 형성한다.
다음에, 제28도에 나타낸 바와 같이, 상기 포토레지스트층(33)을 마스크로하여 이온밀링을 행하고, 상기 양도체금속막(31) 및 접점전극용 금속막(32)을 코일형상으로 에칭한다.
그후, 제29도에 나타낸 바와 같이, 상기 요부(10)를 메우는 형으로 보호막으로 될 절연막(33)을 성막하고, 제30도에 나타낸 바와 같이, 표면연마를 행하여 평탄화한다.
이어서, 제31도에 나타낸 바와 같이, 접점전극부분 및 백갭부(3a), 또는 코일형성영역을 제외한 주변영역에 포토레지스트층(34)을 형성하고, 코일형상의 접점전극용 금속막(32)의 표면 및 유리(4)를 얕게 이온밀링한다. 이로써, 제32도에 나타낸 바와 같이, 얕은 요부가 형성되고, 코일형성영역이 자기갭 형성면으로부터 약간 후퇴된다.
다음에, 제33도에 나타낸 바와 같이, 갭형성용의 비자성금속막(35)과 Au 박막(36)을 순차 성막하고, 다시 이 위에 앞의 포토레지스트층(34)과 동일한 패턴형상으로 포토레지스트층(37)을 형성한다.
상기 비자성금속막(35) 및 Au 박막(36)은 금의 확산접합을 위해 형성되는 것이다. 갭을 금의 확산접합으로 행할 경우, 접점전극의 부분과 갭접착부분에 금을 성막하여 접합하면 되므로, 공정이 간략화된다. 또한, 갭을 금의 확산접합으로 행할 경우, 갭면과 금과의 접착을 양호하게 하기 위해, 본 예와 같이 비자성 금속막(35)을 베이스로 사용하는 것이 바람직하다. 비자성금속막(35)의 재질로서는 Ti, Cr, V, Al, Ta, Nb, Zr, Hf, Mo, W 등을 들 수 있다.
전술한 비자성금속막(35) 및 Au 박막(36)은 상기 포토레지스트층(37)을 마스크로 하여, 제34도에 나타낸 바와 같이, 이온밀링 등의 수법에 의해 소정의 패턴으로 패턴에칭한다.
끝으로, 전술한 공정에 의해 얻어지는 자기코어블록(38),(38)끼리를 제35도에 나타낸 바와 같이 맞대어, 제36도에 나타낸 바와 같이 가압접착한다.
이 가압접착에 의해, 갭접합이 행해지는 동시에, 제37도에 나타낸 바와 같이 코일형상의 접점전극용 금속막(32)의 접점부분이 비자성금속막(35) 및 Au 박막(36)에 의해 전기적으로 접속된다.
이상의 공정에 의해, 앞의 실시예와 같이 박막형의 코일이 내장된 자기헤드를 얻을 수 있다. 이 자기헤드에 있어서도, 코일의 단선이나 단락의 염려는 없고, 또한 갭접합을 금의 확산에 의해 행하고 있으므로, 공정을 간략화할 수 있고, 또한 고온에서의 열처리가 불필요하므로, 금속자성막(3)의 자기특성을 유지하는 것이 가능하다.
다음에, 전술한 수법에 의해 재작된 자기코어블록(23) 또는 자기코어블록(38)을 사용하여 멀티채널헤드를 작성한다. 다음에, 이 멀티채널헤드의 제작수순에 대하여 설명한다.
멀티채널헤드를 재작하는데는, 1종류의 자기코어블록을 사용하여 제작하는 방법과, 급속자성막(3)의 경사방향이 다른 2종류의 자기코어블록을 사용하여 제작하는 방법이 있다. 또한, 헤드의 채널수도 다양한 변화가 고려되지만, 여기서는 대표적 예로서 2 채널헤드 및 4 채널헤드의 제작방법에 대하여 설명한다.
최초에, 1종류의 자기코어블록을 사용하여 2채널헤드를 제작하는 방법에 대하여 설명하면, 제38도에 나타낸 바와 같이, 먼저 복수의 자기헤드부(42)가 형성된 자기헤드블록(41)(앞의 자기코어블록(23) 또는 자기코어블록(38)에 상당함)을 준비한다.
이어서, 제39도에 나타낸 바와 같이, 복수의 자기헤드블록(41)을 소정의 피치씩 어긋내면서 접착한다. 이때, 자기헤드블록(41)의 폭을 t1, 어긋내는 거리를 t2, 각 자기헤드부(42)의 트랙의 피치를 t로 한다.
이어서, 접착에 의해 일체화된 자기헤드블록(41)을 소정의 각도 x 로 절단한다. 이때의 각도 x 와 자기헤드블록(41)의 폭 t1, 어긋내는 거리 t2와는, tanx = t1/t2라는 관계를 만족하도록 한다.
이로써, 제40도에 나타낸 제1의 멀티헤드블록(43)이 얻어지지만, 얻어지는 멀티헤드블록(43)에 있어서는, 자기갭에 소정의 각도가 부여되어 있고, 또한 그 트랙피치 t' 는 t'= t1/Sin x 를 만족시킨다.
그래서, 갭에 각도가 부여된 멀티헤드블록(43)의 트랙피치 t' 와 절단전의 자기헤드블록(41)의 트랙피치 t 가 같아지도록 자기헤드블록(41)의 폭 t1, 어긋내는 거리 t2를 설정한다.
한편, 또 하나의 자기헤드블록(41)에 대하여는 제41도에 나타낸 바와 같이, 접착면을 헤드간 거리가 소정의 거리로 되도록 연삭하여, 제2의 멀티헤드블록(44)으로 한다. 상기 연삭을 행한 상태(멀티헤드블록(44))를 제42도에 나타낸다.
그리고, 제43도에 나타낸 바와 같이, 앞의 제1의 멀티헤드블록(43)과 제2의 멀티헤드블록(44)을 겹쳐서 접착하고, 접착한 블록을 정해진 각도 y로 절단한다.
이상에 의해 얻어지는 자기헤드를 제44도에 나타낸다. 완성된 헤드칩(45)의 각 트랙의 아지머스각도는 각도 y 와 각도 y-x 로 되고, 예를 들면 x 를 40도, y를 20도로 하면, +20도의 아지머스각도를 가진 자기헤드(46)와 -2O도의 아지머스각도를 가진 자기헤드(47)의 2개의 자기헤드로 이루어지는 2 채널헤드를 제작할 수 있다.
이때의 헤드슬라이드면의 형상은 각 자기헤드(46),(47)에서 금속자성막(3)의 경사각도가 크게 다르다.
이와 같은 문제는 금속자성막(3)의 경사방향이 다른 2종류의 자기헤드블록을 사용함으로써 해결할 수 있다. 그래서, 다음에 2종류의 자기헤드블록을 사용하여 2 채널헤드를 제작하는 방법에 대하여 설명한다.
금속자성막(3)의 경사방향이 다른 2 종류의 자기헤드블록을 사용하여 2 채널헤드를 제작한 경우, 슬라이드면에서 보았을 때에 각 자기헤드에 있어서의 금속자성막(3)의 경사가 다른 2 종류의 2 채널헤드의 제작이 가능하다.
즉, 처음에 기판에 경사지게 홈을 넣는 방향에 따라서 다르며, 홈의 각도가 예를 들면 45도일때, 헤드를 슬라이드면에서 보았을 때 갭면에 대해 금속자성막(3)이 반시계회전방향으로 45도 경사지는 경우와, 시계회전방향으로 45도 경사지는 경우가 있다.
전자의 제작방법은 다음과 같다.
먼저, 제1의 멀티헤드블록의 제작방법은 앞의 1종류의 자기헤드블록을 사용한 경우와 동일하고, 제38도∼제40도에 나타낸 공정에 따라서 제1의 멀티헤드블록(43)을 제작한다.
다음에, 제45도에 나타낸 바와 같이, 앞의 자기헤드블록(41)과는 금속자성막(3)의 경사방향이 다른 자기혜드블록(51)을 준비하고, 그 접착면을 헤드간 거리가 소정의 거리로 되도록 연삭하여, 제2의 멀티헤드블록(52)으로 한다. 상기 연삭을 행한 상태(멀티헤드블록(52))를 제46도에 나타낸다.
그리고, 제47도에 나타낸 바와 같이, 앞의 제1의 멀티헤드블록(43)과 제2의 멀티헤드블록(52)과를 겹쳐서 접착하고, 접착한 블록을 정해진 각도로 절단한다.
이로써, 제48도에 나타낸 바와 같이, 헤드를 슬라이드면에서 보았을 때 갭면에 대해 금속자성막(3)이 반시계회전방향으로 45도 경사진 2채널 헤드가 얻어진다.
한편, 후자의 제작방법은 다음과 같다.
먼저, 제2의 멀티헤드블록의 제작방법은 전술한 예와 같으며, 제45도에 나타낸 자기헤드블록(51)의 접착면을 연삭하여 제46도에 나타낸 제2의 멀티헤드블록(52)을 얻는다.
다음에, 제49도에 나타낸 바와 같이, 복수의 자기헤드블록(41)을 소정의 피치씩 어긋내면서 순차 접착하고(단, 어긋내는 방향이 앞의 제39도에 나타낸 예와는 역임), 접착면에 대해 시계회전방향으로 각도 x 만큼 경사지게 절단하여, 멀티헤드블록(53)을 얻는다.
그리고, 제50도에 나타낸 바와 같이, 이들 제1의 멀티헤드블록(53)과 제2의 멀티헤드블록(52)을 겹쳐서 접착하고, 접착한 블록을 정해진 각도로 절단한다.
이로써, 제51도에 나타낸 바와 같이, 헤드를 슬라이드면에서 보았을 때 갭면에 대해 금속자성막(3)이 시계회전방향으로 45도 경사진 2채널 헤드가 얻어진다.
이상, 2채널 헤드의 제작방법에 대하여 설명하였으나, 전술한 각 방법에 의해 얻어지는 2채널 헤드는 각각 특징이 있다. 예를 들면, 제44도에 나타낸 2채널 헤드는 준비할 자기헤드블록이 1종류로 되므로 제조를 간략화할 수 있고, 제48도에 나타낸 2채널 헤드는 자기기록매체의 자화의 방향에 대해 헤드의 자속의 흐름이 스트레이트이므로 기록효율이 좋고, 제51도에 나타낸 2채널 헤드는 헤드간의 거리를 작게 해도 자기코어의 크기를 비교적 크게 할 수 있다.
다음에, 4채널 헤드의 제작방법에 대하여 설명한다.
4채널 헤드는 제작하는데는, 앞의 1종류의 자기헤드블록을 사용한 제작방법의 경우와 동일한 공정에 따라서, 제1의 멀티헤드블록과 제2의 멀티헤드블록을 각각 2개 준비한다. 단, 제1의 멀티헤드블록의 한쪽 및 제2의 멀티헤드블록의 한쪽은 헤드간 거리에 상응하여 양면을 연삭한다.
이와 같이하여 준비한 제1의 멀티헤드블록(61)을 제52도에, 제2의 멀티헤드블록(62)을 제53도에, 제3의 멀티헤드블록(63)을 제54도에, 제4의 멀티헤드블록(64)을 제55도에 각각 나타낸다.
이어서, 이들 제1 내지 제4의 멀티헤드블록(61),(62),(63),(64)을 제56도에 나타낸 바와 같이 접착하고, 소정의 각도로 절단하여 제57도에 나타낸 4채널헤드(65)를 얻는다.
그런데, 멀티채널헤드에서는, 헤드끼리 근접하면 헤드간의 크로스토크가 문제로 되지만, 전술한 방법에 따라서 멀티채널헤드를 제작할 경우, 멀티헤드블록끼리를 접착할 때에, 접착면에 미리 자성막이나 금속막을 성막하거나, 또는 접착시에 자성박(磁成箔)이나 금속박을 사이에 넣음으로써, 크로스토크를 감소시킬 수 있다. 단, 자성막이나 자성박을 사용한 경우에는, 저주파에서 고주파까지 크로스토크의 감소의 효과가 크지만, 헤드의 인덕턴스가 상승한다. 또한, 금속막이나 금속박을 사용한 경우에는 크로스토크의 감소의 효과는 고주파에 한하지만, 인덕턴스의 증가는 적다.
전술한 멀티채널자기헤드는 디지탈화상신호를 압축하여 기록재생하는 기록재생장치에 사용하여 적합하다. 그래서, 다음에 기록정보량을 재생왜곡이 적은 형으로 압축하는 방법에 대하여 설명한다.
이 방법은 입력디지탈화상신호를 복수의 화소데이터로 이루어지는 블록단위의 데이터로 변환하여 블록화하고, 이 블록화된 데이터를 블록단위로 압축부호화하고, 이 압축부호화된 데이터를 채널부호화하고, 이 채널부호화된 데이터를 회전드럼에 장착된 본 실시예의 자기헤드에 의해 자기테이프에 기록하는 것이다. 다음에, 기록측의 구성과 재생측의 구성으로 나누어 설명한다.
제59도는 기록측의 구성전체를 나타내는 것이며, (131Y),(131U),(131V)로 각각 나타낸 입력단자에, 예를 들면 컬러비디오카메라로부터의 3원색 신호 R, G, B로 형성된 디지탈휘도신호 Y, 디지탈색차신호 U, V 가 공급된다. 이 경우, 각 신호의클록레이트는 D1 포맷의 각 콥포넌트신호의 주파수와 동일하게 된다. 즉, 각각의 샘플링주파수가 13.5MHz, 6.75MHz로 되며, 또한 이들 1샘플당 비트수가 8비트로 되어 있다. 따라서, 입력단자(131Y),(131U),(131V)에 공급되는 신호의 데이터량으로서는, 약 216Mbps 로 된다. 이 신호중 블로킹시간의 데이터를 제거하고, 유효영역의 정보만을 취출하는 유효정보추출회로(2)에 의해 데이터량이 167Mbps 로 압축된다.
유효정보추출회로(132)의 출력중의 휘도신호 Y 가 주파수변환회로(133)에 공급되고, 샘플링주파수가 13.5MHz 에서 그 3/4 으로 변환된다. 이 주파수변환회로(133)로서는, 예를 들면 서브샘플링필터가 사용되고, 절반(折返)왜곡이 생기지 않도록 되어 있다. 주파수변환회로(133)의 출력신호가 블록화회로(135)에 공급되어서, 휘도데이터의 순서가 블록의 순서로 변환된다. 블록화회로(135)는 후단(後段)에 설치된 블록부호화회로(138)를 위해 설치되어 있다.
제61도는 부호화의 단위블록의 구조를 나타낸다. 이 예는 3차원 블록으로서, 예를 들면 2프레임에 걸친 화면을 분할함으로써, 이 도면에 나타낸 바와 같이(4라인×4화소×2프레임)의 단위블록이 다수 형성된다. 또한, 제61도에 있어서 실선은 홀수필드의 라인을 나타내고, 파선은 짝수필드의 라인을 나타낸다.
또한, 유효정보추출회로(132)의 출력중, 2개의 색차신호 U, V 가 서브샘플링 및 서브라인회로(134)에 공급되고, 샘플링주파수가 각각 6.75MHz 에서 그 절반으로 변환된 후, 2개의 디지탈색차신호가 서로 라인마다 선택되고, 1채널의 데이터로 합성된다. 따라서, 이 서브샘플링 및 서브라인회로(134)로부터는 선순차화된 디지탈색차신호가 얻어진다. 이 서브샘플링 및 서브라인회로(134)에 의해 서브샘플 및 서브라인화된 신호의 화소구성을 제62도에 나타낸다. 제62도중, O은 제1의 색차신호 U의 서브샘플링화소를 나타내고, △은 제2의 색소신호 V의 샘플링화소를 나타내고, X는 서브샘플링에 의해 샘플링된 화소의 위치를 나타낸다.
서브샘플링 및 서브라인회로(134)의 선순차화 출력신호가 블록화회로(136)에 공급된다. 블록화회로(136)에서는, 한쪽의 블록화회로(135)와 같이 텔레비전신호의 주사의 순서의 색차데이터가 블록의 순서의 데이터로 변환된다. 이 블록화회로(136)는 한쪽의 블록화회로(135)와 같이 색차데이터를 (4라인×4화소×2프레임)의 블록구조로 변환한다. 그리고, 이들 블록화회로(135) 및 블록화회로(136)의 출력신호가 합성회로(137)에 공급된다.
합성회로(137)에서는, 블록의 순서로 변환된 휘도신호 및 색차신호가 1채널의 데이터로 변환되고, 합성회로(137)의 출력신호가 블록부호화회로(138)에 공급된다. 이 블록부호화회로(138)로서는, 후술하는 바와 같이 블록마다의 다이나믹레인지에 적응한 부호화회로(ADRC 라고 함), DCT(Discrete Cosine Transform)회로등을 적용할 수 있다. 블록부호화회로(138)의 출력신호가 프레임화회로(139)에 공급되고, 프레임구조의 데이터로 변환된다. 이 프레임화회로(139)에서는, 화소계의 클록과 기록계의 클록과의 전환이 행해진다.
프레임화회로(139)의 출력신호가 에러정정부호의 패리티발생회로(140)에 공급되고, 에러정정부호의 패리티가 생성된다. 패리티발생회로(140)의 출력신호가 채널엔코더(141)에 공급되고, 기록데이터의 저역부분을 감소시키기 위한 채널코딩이이루어진다. 채널엔코더(141)의 출력신호가 기록엠프(142A),(142B)와 회전트랜스(도시는 생략함)를 통해 1쌍의 자기헤드(143A),(143B)에 공급되어서, 자기테이프에 기록된다. 또한, 오디오신호와 비디오신호와는 별개로 압축부화화 되어서, 채널엔코더(141)에 공급된다.
전술한 신호처리에 의하여, 입력의 데이터량 216 Mbps 이 유효주사기간만을 추출함으로써 약167 Mbps 로 저감되고, 또한 주파수변환과 서브샘플, 서브라인에 의해 이것이 84 Mbps 로 감소된다. 이 데이터는 블록부호화회로(138)에서 압축부호화함으로써, 약 25MbPS 로 압축되고, 그 후의 패리티, 오디오신호등의 부가적인 정보를 가하여, 기록데이터량으로서는 31.56 Mbps 로 된다.
다음에, 재생측의 구성에 대하여 제60도를 참조하면서 설명한다.
제60도에 있어서, 자기헤드(143A),(143B)로부터의 재생데이터가 회전트랜스 및 재생앰프(144A),(144B)를 통해 채널디코더(145)에 공급된다, 채널디코더(145)에 있어서, 채널코딩이 복조되어, 채널디코더(145)의 출력신호가 TBC 회로(시간축 보정회로)(146)에 공급된다. 이 TBC 회로(146)에 있어서, 재생신호의 시간축변동성분이 제거된다. TBC 회로(146)로부터의 재생데이터가 ECC 회로(147)에 공급된다. 에러정정부호를 사용한 에러정정과 에러수정이 행해진다. ECC 회로(147)의 출력신호가 프레임분해회로(148)에 공급된다.
프레임분해회로(148)에 의하여, 블록부호화데이터의 각 성분이 각각 분리되는 동시에, 기록계의 클록으로부터 화소계의 클록으로의 전환이 이루어진다. 프레임분해회로(148)에서 분리된 각 데이터가 블록복호회로(149)에 공급되고, 각 블록단위로 원데이터와 대응하는 복원데이터가 복호되어, 복호데이터가 분배회로(150)에 공급된다. 이 분배회로(150)에서 복호데이터가 휘도신호와 색차신호로 분리된다. 휘도신호 및 색차신호가 블록분해회로(151),(152)에 각각 공급된다.
블록분해회로(151),(152)는 송신측의 블록화회로(135),(136)와는 역으로, 블록의 순서의 복호데이터를 래스터주사의 순으로 변환한다.
블록분해회로(151)로부터의 복호휘도신호가 보간필터(153)에 공급된다. 보간 필터(153)에서는, 휘도신호의 샘플링레이트가 3fs 로부터 4fs(4fs = 13.5MHz)로 변환된다. 보간필터(153)로부터의 디지탈휘도신호 Y 는 출력단자(156Y)에 취출된다.
한편, 블록분해회로(152)로부터의 디지탈색차신호가 분배회로(154)에 공급되고, 선순차화된 디지탈색차신호 U,V 가 디지탈색차신호 U 및 V 로 각각 분리된다. 분배회로(154)로부터의 디지탈색차신호 U,V 가 보간회로(155)에 공급되어, 각각 보간된다. 보간회로(155)는 복원된 화소데이터를 사용하여 샙플링된 라인 및 화소의 데이터를 보간하는 것으로서, 보간회로(155)로부터는 샘플링레이트가 2fs의 디지탈색차신호 U 및 V가 얻어지고, 출력단자(156U),(156V)에 각각 취출된다.
그런데, 상기 블록부호화회로(138)로서는, ADRC(Adaptive Dynamic Range Coding) 엔코더가 사용된다. 이 ADRC 엔코더는 각 블록에 포함되는 복수의 화소데이터의 최대치 MAX 와 최소치 MIN 를 검출하고, 이들 최대치 MAX 및 최소치 MIN 로부터 블록의 다이나믹레인지 DR 를 검출하고, 이 다이나믹레인지 DR 에 적응한 부호화를 행하고, 원화소데이터의 비트수보다 적은 비트수에 의하여, 재양자화를 행하는 것이다. 블록부호화회로(138)의 다른 예로서는, 각 블록의 화소데이터를DCT(Discrete Cosine Transform)한 후, 이 DCT 로 얻어진 계수데이터를 양자화하여, 양자화데이터를 런렝스허프만(run-length Huffman)부호화하여 압축 부호화하는 구성을 이용해도 된다.
여기서는, ADRC 엔코더를 사용하여, 다시 멀티더빙한 때에도 화질열화가 생기지 않는 엔코더의 예를 제63도를 참조하면서 설명한다.
제63도에 있어서, 입력단자(157)에 예를 들면 1샘플이 8비트로 양자화된 디지탈비디오신호(또는 디지탈색차신호)가 제59도의 합성회로(137)로부터 입력된다. 입력단자(157)로부터의 블록화데이터가 최대치, 최소치검출회로(159)및 지연회로(160)에 공급된다. 최대치, 최소치검출회로(159)는 블록마다 최소치 MIN, 최대치 MAX 를 검출한다. 지연회로(160)로부터는 최대치 및 최소치가 검출되는데 요하는 시간, 입력데이터를 지연시킨다. 지연회로(160)로부터의 화소데이터가 비교회로(161) 및 비교회로(162)에 공급된다.
최대치, 최소치검출회로(159)로부터의 최대치 MAX 가 감산회로(163)에 공급되고, 최소치 MIN 가 가산회로(164)에 공급된다. 이들 감산회로(163) 및 가산회로(164)에는, 비트시프트회로(165)로부터 4비트 고정길이로 논에지(non-edge)매칭양자화한 경우의 1양자화 스탭폭의 값(△ = 1/16DR)이 공급된다. 비트시프트회로(165)는 (1/16)의 제산(除算)을 행하도록 다이나믹레인지 DR 를 4비트시프트하는 구성으로 되어 있다. 감산회로(163)로부터는 (MAX-△)의 임계치가 얻어지고, 가산회로(164)로부터는 (MIN+△)의 임계치가 얻어진다. 이들 감산회로(163)및 가산회로(164)로부터의 임계치가 비교회로(161),(162)에 각각 공급된다. 또한, 이임계치를 규정하는 값△은 양자화 스텝폭에 한하지 않고, 노이즈레벨에 상당하는 고정치로 해도 된다.
비교회로(161)의 출력신호가 AND 게이트(166)에 공급되고, 비교회로(162)의 출력신호가 AND 게이트(167)에 공급된다. AND 게이트(166) 및 AND 게이트(167)에는, 지연회로(160)로부터의 입력데이터가 공급되고, 비교회로(161)의 출력신호는 입력데이터가 임계치보다 클 때에 하이레벨로 되고, 따라서 AND 게이트(166)의 출력단자에는(MAX ∼ MAX-△)의 최대 레벨범위에 포함되는 입력데이터의 화소데이터가 추출된다. 한편, 비교회로(162)의 출력신호는 입력데이터가 임계치보다 작을 때에 하이레벨로 되며, 따라서 AND 게이트(167)의 출력단자에는(MIN ∼ MIN+△)의 최소레벨범위에 포함되는 입력데이터의 화소데이터가 추출된다.
AND 게이트(166)의 출력신호가 평균화회로(168)에 공급되고, AND 게이트(167)의 출력신호가 평균화회로(169)에 공급된다. 이들 평균화회로(168),(169)는 블록마다 평균치를 산출하는 것으로, 단자(170)로부터 블록주기의 리세트신호가 평균화회로(168),(169)에 공급되어 있다. 평균화회로(168)로부터는 (MAX ∼ MAX-△)의 최대 레벨범위에 속하는 화소데이터의 평균치 MAX'가 얻어지고, 평균화회로(169)로부터는 (MIN ∼ MIN+△)의 최소 레벨범위에 속하는 화소데이터의 평균치 MIN'가 얻어진다. 평균치 MAX'로부터 평균치 MIN'가 감산회로(171)에서 감산되고, 감산회로(171)로부터 다이나믹레인지 DR'가 얻어진다.
또한, 평균치 MIN'가 감산회로(172)에 공급되고, 지연회로(173)를 통해 입력데이터로부터 평균치 MIN'가 감산회로(172)에 있어서 감산되어, 최소치 제거후의 데이터 PDI 가 형성된다. 이 데이터 PDI 및 수정된 다이나믹레인지 DR' 가 양자화회로(174)에 공급된다. 이 실시예에서는, 양자화에 할당되는 비트수 n 가 0 비트(코드신호를 전송하지 않음), 1비트, 2비트, 3비트, 4비트중 어느 하나로 되는 가변길이의 ADRC 이며, 에지매칭양자화가 이루어진다. 할당비트수 n 는 블록마다 비트수결정회로(175)에 있어서 결정되고, 비트수 n 의 데이터가 양자화회로(174)에 공급된다.
가변길이 ADRC 는 다이나믹레인지 DR'가 작은 블록에서는 할당비트수 n 를 적게 하고, 다이나믹레인지 DR'가 큰 블록에서는 할당비트수 n 를 많게 함으로써, 효율이 양호한 부호화를 행할 수 있다. 즉, 비트수 n 를 결정할 때의 임계치를 T1∼T4(T1<T2<T3<T4)라고 하면, (DR' < T1)의 블록은 코드신호가 전송되지 않고, 다이나믹레인지 DR' 의 정보만이 전송되고, (T1DR' < T2)의 블록은 (n = 1)로 되고, (T2DR' <T3)의 블록은 ( n = 2)로 되고, (T3DR' < T4)의 블록은 (n = 3)으로 되고, (DR'T4)의 블록은 (n = 4)로 된다.
이러한 가변길이 ADRC 에서는 임계치 T1∼T4 를 변화시킴으로써, 발생정보량을 제어(이른바 버퍼링)할 수 있다. 따라서, 1필드 또는 1프레임 당의 발생정보량을 소정치로 하는 것이 요구되는 이 발명의 디지탈비디오테이프레코더와 같은 전송로에 대해서도 가변길이 ADRC 를 적용할 수 있다.
발생정보량을 소정치로 하기 위한 임계치 T1∼T4를 결정하는버퍼링회로(176)에서는 임계치의 조(T1, T2, T3, T4)가 복수 예를 들면 32조 준비되어 있으며, 이들 임계치의 조가 파라미터코드 Pi(i = 0, 1, 2‥·31)에 의해 구별된다. 파라미터코드 Pi의 번호 i가 커짐에 따라서 발생정보량이 단조(單調)로 감소하도록 설정되어 있다. 단, 발생정보량이 감소함에 따라서 복원화상의 화질이 열화된다.
버퍼링회로(176)로부터의 임계치 T1∼T4 가 비교회로(177)에 공급되고, 지연회로(178)를 개재한 다이나믹레인지 DR'가 비교회로(177)에 공급된다. 지연회로(178)는 버퍼링회로(176)에서 임계치의 조가 결정되는데에 요하는 시간, DR'을 지연시킨다. 비교회로(177)에서는 블록의 다이나믹레인지 DR'와 각 임계치가 각각 비교되고, 비교출력이 비트수결정회로(175)에 공급되어, 그 블록의 할당비트 수 n 가 결정된다. 양자화회로(174)에서는 다이나믹레인지 DR'와 할당비트수 n 를 사용하여 지연회로(179)를 통한 최소치 제거후의 데이터 PDI 가 에지매칭의 양자화에 의해 코드신호 DT로 변환된다. 양자화 회로(174)는 예를 들면 ROM 으로 구성되어 있다.
지연회로(178),(180)를 각각 통해 수정된 다이나믹레인지 DR', 평균치 MIN'가 출력되고, 또한 코드신호 DT 와 임계치의 조를 나타내는 파라미터코드 Pi 가 출력된다. 이 예에서는, 일단 논에지매치양자화된 신호가 새로이 다이나믹레인지정보에 의거하여, 에지매치양자화되어 있으므로 더빙했을 때의 화상열화는 적은 것으로 된다.
다음에, 전술한 채널엔코더(141) 및 채널디코더(145)에 대하여 설명한다.
채널엔코더(141)에 있어서는, 제64도에 나타낸 바와 같이, 패리티발생회로(140)의 출력이 공급되는 적응형 스크램블회로에서 복수의 M 계열의 스크램블회로(181)가 준비되고, 그 중에서 입력신호에 대해 가장 고주파성분 및 직류성분이 적은 출력이 얻어지도록 M 계열이 선택되도록 구성되어 있다. 파셜레스폰스클라스 4검출방식을 위한 프리코더(182)에서 1/1 - D2(D 는 단위지연회로)의 연산처리가 행해진다. 이 프리코더(182)의 출력을 기억앰프(142A),(142B)를 통해 자기헤드(143A),(143B)에 의해 기록재생하고, 재생출력을 재생앰프(144A),(144B)에 의해 증폭하도록 되어 있다.
한편, 채널디코더(145)에 있어서는 제65도에 나타낸 바와 같이, 파셜레스폰스클라스 4의 재생측의 연산처리회로(183)는 1 + D 의 연산이 재생앰프(144A),(144B)의 출력에 대해 행해진다. 또한, 이른바 비트바이비트(bit-by-bit)복호회로(184)에 있어서는, 연산처리회로(183)의 출력에 대하여 데이터의 상관성이나 확실성 등을 사용한 연산에 의하여, 노이즈에 강한 데이터의 복호가 행해진다. 이 비트바이비트복호회로(184)의 출력이 디스크램블회로(185)에 공급되고, 기록측의 스크램블처리에 의해 재배열된 데이터가 원래의 계열로 귀환되어 원데이터가 복원된다. 이 실시예에 있어서 사용되는 비트바이비트복호회로(184)에 의해 비트마다의 복호를 행하는 경우보다 재생 C/N 환산이 3dB 로 개량이 얻어진다.
그리고, 전술한 바와 같이 제작한 2채널헤드를 VTR의 회전드럼에 장착하고, 당해 회전드럼을 회전주사하여 상기 자기테이프(172)에 기록한다. 그러면, 상기 회전드럼의 주위면에 따라서 상대적으로 이송하는 자기테이프(172)상에는 상기 자기헤드(170),(171)에 의해 제58도애 나타낸 바와 같이 기록패턴이 형성된다. 즉, 자기테이프(172)상의 기록트랙(173),(174)은 선행하는 자기갭 g2에서 기록된 기록트랙(173)의 일부가 후속하는 자기갭 g1에서 기록되는 기록트랙(174)에 의해 중첩기입(오버라이트)되고, 결과로서 제58도에 나타낸 바와 같이 트랙피치 P = 5 ㎛ 로 기록되게 된다.
또한, 상기 자기헤드(170),(171)에 의해 기록되는 자기테이프(172)상의 기록트랙(173),(174)은 상기 1쌍의 자기갭 g1,g2의 헤드주행방향에서의 단차(段差) GL 와 같은 단차 d 를 가지고 동시에 기록되게 된다. 따라서, 이들 자기갭 g1, g2은 각각의 기록트랙(173),(174)의 화상영역(173a),(174a) 또는 제1의 음성영역(173b),(174b) 또는 제2의 음성영역(173c),(174c)의 단부에 동시에 도달한다. 이 결과, 음성신호를 후에 기록하는 아프터레코딩을 행하는 경우에는, 다른 신호에 영향을 주지 않고 각 신호의 아프터레코딩을 양호하게 행할 수 있다.
그리고, 상기 1쌍의 자기갭 g1,g2의 헤드주행방향에서의 단자 GL를 상기 트랙간 단차 d에 일치시키지 않아도 아프터레코딩을 양호하게 행할 수 있다. 예를들면, 선행하는 자기갭 g1이 제1의 음성영역(173b)에 도달했을 때에, 다른 쪽의 자기갭 g2이 화상영역(174a)과 제1의 음성영역(174b)과의 사이에 배설되는 음성신호나 영상신호등이 기록되어 있지 않은 인터갭영역(174d)내에 있도록 하면, 즉 자기갭g1,g2의 헤드주행방향에서의 단차를 제58도에 나타낸 바와 같이 GL'로 함으로써, 이 상태에서 음성신호의 기록상태로 들어가면, 음성신호의 아프터레코딩을 행할 때에 화상의 교란을 방지할 수 있다. 마찬가지로, 한 쪽의 자기갭 g1이 제2의 음성영역 (173c)에 도달했을 때에, 다른 쪽의 자기갭 g2이 제1의 음성영역(174b)과 제2의 음성영역(174c)과의 사이에 배설된 인터갭영역(174e)내에 있으면, 아프터레코딩을 양호하게 행할 수 있다.
또한, 두 자기갭 g1,g2에 의해 동시에 기록재생을 행하므로, 테이프폭 8mm 이하로 한 자기테이프(172)에 대하여 기록밀도 8 ×105bit/mm2이상의 고기록 밀도로 기록재생해도, 이상트랙패턴에 의한 비트에러레이트가 높아지지 않고 디지탈화상신호의 장시간 기록재생이 가능하게 된다.
여기서, 예를 들면 서로 다른 방향의 아지머스각을 가진 2개의 자기헤드를 회전드럼에 180도 서로 대향하여 배치하고, 마찬가지로 8 ×105bit/mm2이상의 고기록밀도로 8mm 폭의 자기테이프(172)에 대해 기록재생한 경우에는, 회전드럼의 편심등에 의해 선행하는 자기헤드에 의해 기록된 트랙과, 180도 서로 대향하여 배치된 후속의 자기헤드에 의해 기록된 트랙이 일부 중첩되는 이상트랙패턴이 발생한다. 그러므로, 선행하는 자기헤드에 의해 기록된 신호의 일부가 소거되어, 충분한 재생출력이 얻어지지 않아서 비트에러레이트가 매우 높아져 버린다.
그러나, 앞의 각 2채널헤드에 있어서는, 1쌍의 자기갭 g1,g2이 소정의 위치관계를 가지고 배치되어 있으므로, 회전드럼의 편심등이 있어도 이들 자기갭 g1,g2에서 기록되는 기록트랙(173),(174)은 모두 동일방향으로 경사지고, 다른 쪽의 기록트랙에 오버랩하는 일이 없다. 따라서, 충분한 재생출력이 얻어지고, 비트에러레이트가 높아지지 않는다.
제1도는 각 자기헤드블록의 제조공정을 공정순으로 나타낸 것이며, 기판을 나타낸 개략사시도.
제2도는 기판에의 제1의 홈가공공정을 나타낸 개략사시도.
제3도는 금속자성막의 성막공정을 나타낸 개략사시도.
제4도는 유리충전공정을 나타낸 개략사시도.
제5도는 기판에의 제2, 제3의 홈가공공정을 나타낸 개략사시도.
제6도는 유리충전공정을 나타낸 개략사시도.
제7도는 기판에의 제4, 제5의 홈가공공정을 나타낸 개략사시도.
제8도는 유리충전 및 평탄화공정을 나타낸 개략사시도.
제9도는 제8도에 나타낸 공정에 의해 얻어진 블록의 요부확대사시도.
제10A도 및 제10B도는 백갭부 근방의 사시도, 평면도 및 단면도.
제11A도 및 제11B도는 포토레지스트층 형성공정을 나타낸 평면도 및 단면도.
제12A도 및 제12B도는 요부형성공정을 나타낸 평면도 및 단면도.
제13A도 및 제13B도는 양도체층 및 포토레지스트층 형성공정을 나타낸 평면도 및 단면도.
제14A도 및 제14B도는 코일형성공정을 나타낸 평면도 및 단면도.
제15A도 및 제15B도는 접점전극용 금속막 형성공정을 나타낸 평면도 및 단면도.
제16A도 및 제16B도는 접점전극 형성공정을 나타낸 평면도 및 단면도.
제17A도 및 제17B도는 절연막 형성공정을 나타낸 평면도 및 단면도.
제18A도 및 제18B도는 평탄화공정을 나타낸 평면도 및 단면도.
제19A도 및 제19B도는 비자성막 형성공정을 나타낸 평면도 및 단면도.
제20A도 및 제20B도는 비자성막 에칭공정을 나타낸 평면도 및 단면도.
제21A도 및 제21B도는 Au 박막 성막공정을 나타낸 평면도 및 단면도.
제22A도 및 제22B도는 Au 전극 형성공정을 나타낸 평면도 및 단면도.
제23도는 자기코어블록 맞댐공정을 나타낸 개략사시도.
제24도는 자기코어블록의 접합상태를 나타낸 개략사시도.
제25도는 제24도의 x-x 선에 있어서의 요부확대단면도.
제26도는 얻어진 자기헤드의 개략사시도.
제27A도 및 제27B도는 각 자기헤드블록의 제조공정의 다른 예를 공정순으로 나타낸 것이며, 양도체금속막, 접점전극용 금속막 및 포토레지스트층 형성공정을 나타낸 평면도 및 단면도.
제28A도 및 제28B도는 코일형성공정을 나타낸 평면도 및 단면도.
제29A도 및 제29B도는 절연막 형성공정을 나타낸 평면도 및 단면도.
제30A도 및 제30B도는 평탄화공정을 나타낸 평면도 및 단면도.
제31A도 및 제31B도는 포토레지스트층 형성공정을 나타낸 평면도 및 단면도.
제32A도 및 제32B도는 접점전극용 금속막 및 유리가 이온밀링된 상태를 나타낸 평면도 및 단면도.
제33A도 및 제33B도는 비자성 금속막, Au 박막 및 포토레지스트층 형성공정을 나타낸 평면도 및 단면도.
제34A도 및 제34B도는 비자성 금속막 및 Au 박막 에칭공정을 나타낸 평면도 및 단면도.
제35도는 자기코어블록의 맞댐공정을 나타낸 사시도.
제36도는 자기코어블록의 가압접착공정을 나타낸 사시도.
제37도는 접점전극용 금속막의 접점부분이 비자성 금속막 및 Au 박막에 의해 전기적으로 접속된 상태를 나타낸 단면도.
제38A도 및 제38도는 1종류의 자기헤드블록을 사용한 2채널 헤드의 제작방법을 공정순에 따라서 나타낸 것이며, 사용하는 자기헤드블록의 개략사시도 및 개략평면도.
제39A도 및 제39B도는 자기헤드블록의 접착공정 및 절단공정을 나타낸 개략사시도 및 개략평면도.
제40A도 및 제40B도는 절단된 제1의 멀티헤드블록을 나타낸 개략사시도 및 개략평면도.
제41A도 및 제41B도는 다른 쪽의 자기헤드블록에 대한 연삭공정을 나타낸 개략사시도 및 개략평면도.
제42A도 및 제42B도는 연삭된 제2의 멀티헤드블록을 나타낸 개략사시도 및개략평면도.
제43A도 및 제43B도는 제1 및 제2의 멀티헤드블록의 접착공정 및 슬라이싱공정을 나타낸 개략사시도 및 개략평면도.
제44A도 및 제44B도는 제작된 2채널 헤드를 나타낸 개략사시도 및 개략평면도.
제45A도 및 제45B도는 1종류의 자기헤드블록을 사용한 2채널 헤드의 제작방법의 다른 예를 공정순에 따라서 나타낸 것이며, 금속자성막의 경사방향이 다른 자기헤드블록의 개략사시도 및 개략평면도.
제46A도 및 제46B도는 연삭된 제2의 멀티헤드블록을 나타낸 개략사시도 및 개략평면도.
제47A도 및 제47B도는 제1 및 제2의 멀티헤드블록의 접착공정 및 슬라이싱공정을 나타낸 개략사시도 및 개략평면도.
제48A도 및 제48B도는 제작된 2채널 헤드를 나타낸 개략사시도 및 개략평면도.
제49A도 및 제49B도는 1종류의 자기헤드블록을 사용한 2채널 헤드의 제작방법의 또 다른 예를 공정순에 따라서 나타낸 것이며, 자기헤드블록의 접착공정 및 절단공정을 나타낸 개략사시도 및 개략평면도.
제50A도 및 제50B도는 제1 및 제2의 멀티헤드블록의 접착공정 및 슬라이싱공정을 나타낸 개략사시도 및 개략평면도.
제51A도 및 제51B도는 제작된 2채널 헤드를 나타낸 개략사시도 및 개략평면도.
제52도는 4채널 헤드의 제작방법을 그 공정순에 따라서 나타낸 것이며, 제1의 멀티헤드블록의 개략사시도.
제 53도는 제2의 멀티헤드블록의 개략사시도.
제 54도는 제3의 멀티헤드블록의 개략사시도.
제 55도는 제4의 멀티헤드블록의 개략사시도.
제 56도는 제1 내지 제4의 멀티헤드블록의 접착공정 및 슬라이싱공정을 나타낸 개략사시도.
제 57A도 및 제57B도는 제작된 4채널 헤드를 나타낸 개략사시도 및 개략평면도.
제 58도는 디지탈화상정보와 음성신호가 기록된 자기테이프의 테이프포맷을 나타낸 도면.
제 59도는 디지탈화상정보를 재생왜곡이 적은 형으로 압축하는 신호처리부의 기록측의 구성을 나타낸 블록도.
제 60도는 디지탈화상정보를 재생왜곡이 적은 형으로 압축하는 신호처리부의 재생측의 구성을 나타낸 블록도.
제61도는 블록부호화를 위한 블록의 일예를 나타낸 선도.
제 62도는 서브샘플링 및 서브라인의 설명을 위한 선도.
제 63도는 블록부호화회로의 일예의 블록도.
제 64도는 채널앤코더의 일예의 개략을 나타낸 블록도.
제 65도는 채널디코더의 일예의 개략을 나타낸 블록도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
(1): 기판, (3): 금속자성막, (4): 유리, (10): 요부, (13): 코일, (17): 절연막 (18): 비자성막.

Claims (25)

  1. 기판상의 최소한 자기기록매체 대향면의 근방부에 금속자성막이 형성되어 이루어지는 1쌍의 자기코어 반체(半體)를 맞대고, 상기 금속자성막사이에 자기갭을 형성하여 이루어지는 자기헤드로서,
    최소한 한쪽의 자기코어 반체의 맞댐면에는 코일형성용의 요부(凹部)가 형성되는 동시에, 이 요부내에 박막공정에 의해 형성된 코일이 배설되어 있는 것을 특징으로 하는 자기헤드.
  2. 제1항에 있어서, 1쌍의 자기코어 반체의 맞댐면에 각각 코일형성용의 요부가 형성되는 동시에, 이들 요부내에 박막공정에 의해 형성된 코일이 배설되어 있는 것을 특징으로 하는 자기헤드.
  3. 제1항에 있어서, 코일이 요부내에 형성된 유리층상에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 자기헤드.
  4. 제1항에 있어서, 코일 및 요부를 덮는 절연막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 자기헤드.
  5. 제1항에 있어서, 코일이 단층의 코일인 것을 특징으로 하는 자기헤드.
  6. 제1항에 있어서, 코일이 다층의 코일인 것을 특징으로 하는 자기헤드.
  7. 제1항에 있어서, 트랙폭규제홈이 자기갭의 양측에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 자기헤드.
  8. 제1항에 있어서, 금속자성막이 자기갭을 사이에 두고 경사지게 이어져 배설되어 있는 것을 특징으로 하는 자기헤드.
  9. 제2항에 있어서, 각 자기코어 반체에 설치된 코일은 서로 도통하기 위한 접점전극을 가지는 것을 특징으로 하는 자기헤드.
  10. 제9항에 있어서, 접점전극이 Ti, Cr, Mo, W, Nb, Ta 로부터 선정되는 최소한 1종으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자기헤드.
  11. 제9항에 있어서,코일 및 요부가 코일의 접점전극을 제외하고 절연막에 의해 덮여 있는 것을 특징으로 하는 자기헤드.
  12. 제10항에 있어서, 접점전극의 대향면상에 금으로 이루어지는 막이 형성되고, 금의 확산접합에 의해 접점전극끼리가 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 자기헤드.
  13. 제1항에 있어서, 자기갭이 금의 확산접합에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 자기헤드.
  14. 금속자성막을 성막한 1쌍의 기판의 맞댐면에 각각 유리를 충전하여 평탄화하는 공정과,
    최소한 한쪽의 기판의 맞댐면에 코일형성영역에 대응하여 이온밀링에 의해 요부를 형성하는 공정과,
    상기 요부내에 도체막을 성막(成膜)하고, 포토리소그라피기술에 의해 패터닝하여 코일을 형성하는 공정과,
    코일 및 요부를 덮어 절연막을 성막하고, 맞댐면표면을 연마하여 평탄화하는 공정과,
    상기 1쌍의 기판을 갭재를 통해 맞대는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자기헤드의 제조방법.
  15. 금속자성막을 성막한 1쌍의 기판의 맞댐면에 각각 유리를 충전하여 평탄화하는 공정과,
    이들 양 기판의 맞댐면에 코일형성영역에 대응하여 이온밀링에 의해 요부를 형성하는 공정과,
    상기 요부내에 도체막을 성막하고, 포토리소그라피기술에 의해 패터닝하여 코일을 형성하는 공정과,
    코일 및 요부를 덮어 절연막을 성막하고, 맞댐면표면을 연마하여 평탄화하는 공정과,
    상기 1쌍의 기판을 갭재를 통해 맞대는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자기헤드의 제조방법.
  16. 자기갭의 아지머스각이 서로 다른 복수의 자기헤드를 접합일체화하여 이루어지는 다채널자기헤드에 있어서,
    각 자기헤드는 기판상의 최소한 자기기록매체 대향면의 근방부에 금속자성막이 형성되어 이루어지는 1쌍의 자기코어 반체를 맞대고, 상기 금속자성막사이에 자기갭을 형성하여 이루어지고,
    최소한 한쪽의 자기코어 반체의 맞댐면에는 코일형성용의 요부가 형성되는 동시에, 이 요부내에 박막공정에 의해 형성된 코일이 배설되어 있는 것을 특징으로 하는 다채널자기헤드.
  17. 제16항에 있어서, 1쌍의 자기코어 반체의 맞댐면에 각각 코일형성용의 요부가 형성되는 동시에, 이들 요부내에 박막공정에 의해 형성된 코일이 배설되어 있는 것을 특정으로 하는 다채널자기헤드.
  18. 제16항에 있어서, 자기갭의 아지머스각이 서로 다른 복수의 자기헤드가 접합 일체화되어 있는 것을 특징으로 하는 다채널자기헤드.
  19. 제12항에 있어서, 1쌍의 자기헤드의 자기갭은 트랙피치방향으로 자기기록매체상의 트랙피치와 대략 같은 단차를 가지며, 또한 자기헤드주행방향으로 화상신호영역과 음성신호영역사이에 배설되는 인터블록갭영역의 길이와 트랙간 단차의 거리와의 합보다 짧은 갭간 거리를 가지고 있는 것을 특징으로 하는 다채널자기헤드.
  20. 제18항에 있어서, 입력디지탈화상신호를 복수의 화소데이터로 이루어지는 블록단위의 데이터로 변환하여 블록화하고, 이 블록화된 데이터를 블록단위로 압축부호화하고, 이 압축부호화된 데이터를 채널부호화하고, 이 채널부호화된 데이터를 자기기록매체에 기록하도록 한 디지탈기록용의 자기 헤드인 것을 특징으로 하는 다채널자기헤드.
  21. 제16항에 있어서, 각 자기헤드의 전극인출면이 외측에 향해 형성되어있는 것을 특징으로 하는 다채널자기헤드.
  22. 제16항에 있어서, 각 자기헤드의 전극인출위치가 자기갭의 깊이방향에 있어서 서로 다른 것을 특징으로 하는 다채널자기헤드.
  23. 제16항에 있어서, 각 자기헤드의 접합계면에 자성막 또는 금속막이 개재되어 있는 것을 특징으로 하는 다채널자기헤드.
  24. 금속자성막을 성막한 1쌍의 기판의 맞댐면에 각각 유리를 충전하여 평탄화하는 공정과,
    최소한 한쪽의 기판의 맞댐면에 코일형성영역에 대응하여 이온밀링에 의해 요부를 형성하는 공정과,
    상기 요부내에 도체막을 성막하고, 포토리소그라피기술에 의해 패터닝하여 코일을 형성하는 공정과,
    코일 및 요부를 덮어서 절연막을 성막하고, 맞댐면의 표면을 연마하여 평탄화하는 공정과,
    상기 1쌍의 기판을 갭재를 통해 맞대어 기본 자기헤드블록을 얻는 공정과,
    복수의 기본 자기헤드블록을 겹쳐서 소정의 각도를 가지고 절단하며, 자기갭이 절단면에 대해 소정의 각도를 가진 경사자기헤드블록을 형성하는 공정과,
    자기갭의 절단면에 대한 각도가 서로 다른 복수의 경사자기헤드블록 또는 경사자기헤드블록과 기본 자기헤드블록을 접합 일제화하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 다채널자기헤드의 제조방법.
  25. 금속자성막을 성막한 1쌍의 기판의 맞댐면에 각각 유리를 충전하여 평탄화하는 공정과,
    이들 양 기판의 맞댐면에 코일형성영역에 대응하여 이온밀링에 의해 요부를 형성하는 공정과,
    상기 요부내에 도체막을 성막하고, 포토리소그라피기술에 의해 패터닝하여 코일을 형성하는 공정과,
    코일 및 요부를 덮어서 절연막을 성막하고, 맞댐면의 표면을 연마하여 평탄화하는 공정과,
    상기 1쌍의 기판을 갭재를 통해 맞대어 기본 자기헤드블록을 얻는 공정과,
    복수의 기본 자기헤드블록을 겹쳐서 소정의 각도를 가지고 절단하며, 자기갭이 절단면에 대해 소정의 각도를 가진 경사자기헤드블록을 형성하는 공정과,
    자기갭의 절단면에 대한 각도가 서로 다른 복수의 경사자기헤드블록 또는 경사자기헤드블록과 기본 자기헤드블록을 접합 일체화하는 공정으로 이루어지는 특징으로 하는 다채널자기헤드의 제조방법.
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