JPH05143925A

JPH05143925A - 磁気ヘツド及びその製造方法

Info

Publication number: JPH05143925A
Application number: JP32832891A
Authority: JP
Inventors: Seiichi Ogata; 誠一小形
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1991-11-18
Filing date: 1991-11-18
Publication date: 1993-06-11

Abstract

(57)【要約】【構成】金属磁性薄膜５９，６２と磁気コア基板５
８，６１よりなる一対の磁気コア半体６０，６３により
閉磁路が構成されてなる磁気ヘッドにおいて、上記金属
磁性薄膜５９，６２は磁気ギャップｇ₂に対して斜交し
て突き合わされ、これら突合わせ面間に磁気ギャップｇ
₂を形成し、且つ上記金属磁性薄膜５９，６２の磁気ギ
ャップ形成面５９ａとこれと対向する磁気コア半体６３
のコア端面６３ａ，６３ｂとのなす角度θ₅，θ₆のう
ち大きい方をオーバーライト側に配する。【効果】サイドイレーズによるグレーゾーンの発生が
抑えられ、十分なＳ／Ｎを確保することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えばディジタルＶＴ
Ｒ（ディジタルビデオテープレコーダ）等に使用して有
用な磁気ヘッド及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、カラービデオ信号をディジタル化
して磁気テープ等の記録媒体に記録するディジタルＶＴ
Ｒ（ディジタルビデオテープレコーダ）としては、放送
局用のＤ１フォーマットのコンポーネント形のディジタ
ルＶＴＲ及びＤ２フォーマットのコンポジット形のディ
ジタルＶＴＲが実用化されている。

【０００３】ところが、これらディジタルＶＴＲは、共
に放送局用に使用されることを前提として設計されてい
るため、画質最優先とされ、１サンプルが例えば８ビッ
トにＡ／Ｄ変換されたディジタルカラービデオ信号を実
質的に圧縮することなしに記録するようになされてい
る。このため、上述のディジタルＶＴＲでは、データの
記録密度としては約０．４９×１０⁵ｂｉｔ／ｍｍ²程
度であり、テープ幅１９ｍｍの磁気テープを用いた場合
でも高々１．５時間程度の再生時間しか得られず、民生
用のＶＴＲとして使用するには適当でない。

【０００４】一方、例えば、５μｍのトラック幅に対し
て記録波長０．５μｍの信号を記録するようにすれば、
８×１０⁵ｂｉｔ／ｍｍ²の記録密度を実現することが
でき、記録情報量を再生歪みが少ないような形で圧縮す
る方法を併用することによって、テープ幅が８ｍｍ或い
はそれ以下の幅狭の磁気テープを使用しても長時間の記
録再生が可能となる。

【０００５】この場合、長時間の記録再生を実現するた
めには、一対の磁気ヘッドを用いて磁気テープの記録ト
ラックに同時に記録再生する方法を採用し、且つ民生用
のビデオテープレコーダ等で採用されているガードバン
ドの無いいわゆるベタ書きのアジマス記録を採用する必
要がある。さらに、トラック幅５μｍの記録再生を行う
ためには、再生時のトラッキングを８ｍｍのビデオテー
プレコーダ等で採用されている隣接するトラックの信号
を拾いながら記録再生するＡＴＦ（オートトラッキン
グ）方式を採用する必要がある。

【０００６】かかるＡＴＦ方式を採用して記録再生を行
う場合には、例えば図１９に示すように互いに異なるア
ジマス角を有する磁気ギャップｇ₁，ｇ₂を有した一対
の磁気ヘッド１０１，１０２をヘッド走行方向に相対向
して所定のギャップ間距離ＧＬを持って近接配置し、且
つ各トラックが一部重なるように磁気ギャップｇ₁，ｇ
₂位置をトラックピッチ方向に所定距離ずらして配置す
るようにする。なお、記録トラックを５μｍとするに
は、ＡＴＦを考慮して各磁気ヘッド１０１，１０２のト
ラック幅を７μｍ程度とすることが望ましい。

【０００７】上述のように配置した磁気ヘッドによる記
録パターンは、図２０に示すように、先行する磁気ヘッ
ド１０２で記録された磁気テープ１０３上の記録トラッ
ク１０４の一部（同図中斜線で示す部分、以下これをオ
ーバーライト部１０６と称する。）が後続する磁気ヘッ
ド１０１の記録トラック１０５によって重ね書き（オー
バーライト）され、結果として図２１に示すようにトラ
ックピッチ５μｍを持って記録されることになる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところで、ディジタル
画像信号を高密度に記録再生するには、磁気ギャップ部
に透磁率の高い強磁性金属材料よりなる金属磁性薄膜を
配し、且つ疑似ギャップの影響を考慮して金属磁性薄膜
を斜めに突合わせてなる磁気ヘッドを使用することが望
ましい。かかるヘッドの構成としては、例えば図２２に
示すように、磁気コア基板１０７，１０８の対向部を斜
めに切り欠き、この斜めに切り欠かれた一方の傾斜面１
０７ａ，１０８ａにのみ金属磁性薄膜１０９，１１０を
被着し、これら斜め膜の金属磁性薄膜１０９，１１０同
士の突合わせ面に磁気ギャップｇを形成するようにす
る。

【０００９】ところが、上述の磁気ヘッドを用いた場合
には、製造工程上金属磁性薄膜１０９，１１０の突合わ
せ不良から生ずるトラック幅方向へのずれにより、重ね
書きされるオーバーライト側にずれた金属磁性薄膜１０
９，１１０のエッジより漏洩磁束が発生する。すなわ
ち、図２３に示すように、金属磁性薄膜１０９，１１０
がトラック幅方向にずれると、磁気ギャップ形成面とこ
れと対向するコア端面とのなす角度θが鋭角となり、そ
の金属磁性薄膜１１０のエッジ１１０ａより漏洩磁束が
発生する。特に、上記角度θが鋭角の場合、漏洩磁界の
大きさが強くなる。

【００１０】このため、上記オーバーライト部１０６で
の強い漏洩磁界によって、図２４に示すように、先行す
る磁気ヘッド１０２で記録されたトラック幅の記録トラ
ック１０４の一部が消去（サイドイレーズ）されてしま
う。以下、サイドイレーズされた同図中斜線で示す領域
をグレーゾーン１１１と称する。この結果、グレーゾー
ン１１１が大きくなり、十分なＳ／Ｎが確保できなくな
る。特に、５μｍという狭幅のトラックに対して１μｍ
消去されると、再生出力はそれだけで２ｄＢも低下する
ことになり、できる限りグレーゾーン１１の拡大を抑え
る必要がある。

【００１１】そこで本発明は、かかる従来の実情に鑑み
て提案されたものであって、サイドイレーズによるグレ
ーゾーンの発生を極力抑え、十分なＳ／Ｎを確保するこ
とが可能な磁気ヘッド及びその製造方法を提供すること
を目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明は、金属磁性薄膜と磁気コア基板よりなる
一対の磁気コア半体により閉磁路が構成されてなる磁気
ヘッドにおいて、上記金属磁性薄膜は磁気ギャップに対
して斜交して突き合わされ、これら突合わせ面間に磁気
ギャップを形成し、且つ上記金属磁性薄膜の突合わせ面
となる磁気ギャップ形成面とこれと対向する磁気コア半
体のコア端面とのなす角度のうち大きい方がオーバーラ
イト側に配されることを特徴とするものである。

【００１３】さらに本発明は、第１の斜面を有する第１
の溝を基板に複数形成する工程と、上記第１の溝の間に
第１の斜面の傾斜角度とは異なる傾斜角度の第２の斜面
を有する第２の溝を形成する工程と、これら第１の溝及
び第２の溝を含めて基板上に強磁性金属薄膜を被着形成
した後、上記斜面上に成膜された金属磁性薄膜の端面が
磁気ギャップ形成面として露出するまで該金属磁性薄膜
を平面研磨する工程と、上記第１の斜面及び第２の斜面
に近接してトラック幅を規制するための第３の溝を形成
する工程とによりヘッドコアブロックを作製し、第１の
斜面上の金属磁性薄膜と第２の斜面上の金属磁性薄膜の
端面同士を相対向させてヘッドコアブロック同士を接合
した後、ヘッドチップに切り出すことを特徴とするもの
である。

【００１４】

【作用】本発明にかかる磁気ヘッドにおいては、磁気ギ
ャップ形成面とこれと対向する磁気コア半体のコア端面
とのなす角度のうち大きい方をオーバーライト側に配し
ているので、オーバーライト側における金属磁性薄膜の
エッジ部からの漏洩磁束はこれと反対側の金属磁性薄膜
のエッジ部からの漏洩磁束よりも小さなものとなり、サ
イドイレーズによるグレーゾーンの発生が抑えられる。

【００１５】一方、本発明の製法においては、第１の斜
面を有する第１の溝の間にこの第１の斜面と異なる傾斜
角度とした第２の斜面を有する第２の溝を形成した後、
これら第１の溝及び第２の溝７７を含めて基板上に金属
磁性薄膜を被着形成する。その後、基板上の金属磁性薄
膜を平面研磨すると、第１の斜面上に形成される金属磁
性薄膜の端面の長さと、第２の斜面上に形成される金属
磁性薄膜の端面の長さとが異なって形成される。そし
て、これら端面長さの異なる金属磁性薄膜同士を相対向
させるようにして一対のヘッドコアブロックを突合わせ
れば、互いに異なる傾斜角度とされた斜面上の金属磁性
薄膜同士が磁気ギャップに対して斜交して設けられる。

【００１６】

【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて図面を参照しながら詳細に説明する。本実施例は、
記録情報量を再生歪みの少ない形で圧縮し、トラック幅
５μｍ以下とし記録波長０．５μｍで８×１０⁵ｂｉｔ
／ｍｍ²以上の高密度記録を持って、ビットエラーレー
トの少ない形でテープ幅８ｍｍ以下の幅狭の磁気テープ
に対して、本発明にかかる磁気ヘッドによりディジタル
画像信号の長時間記録再生を可能とした例である。

【００１７】先ず、記録情報量を再生歪みの少ない形で
圧縮する方法について説明する。この方法は、入力ディ
ジタル画像信号を複数の画素データからなるブロック単
位のデータに変換してブロック化し、該ブロック化され
たデータをブロック単位に圧縮符号化し、該圧縮符号化
されたデータをチャンネル符号化し、該チャンネル符号
化されたデータを回転ドラムに装着された上述の磁気ヘ
ッドによって磁気テープに記録するものである。以下、
記録側の構成と再生側の構成とに分けて説明する。

【００１８】図１は記録側の構成全体を示すものであ
り、１Ｙ、１Ｕ、１Ｖでそれぞれ示す入力端子に、例え
ばカラービデオカメラからの三原色信号Ｒ，Ｇ，Ｂから
形成されたディジタル輝度信号Ｙ、ディジタル色差信号
Ｕ、Ｖが供給される。この場合、各信号のクロックレー
トはＤ１フォーマットの各コンポーネント信号の周波数
と同一とされる。すなわち、それぞれのサンプリング周
波数が１３．５ＭＨｚ、６．７５ＭＨｚとされ、且つこ
れらの１サンプル当たりのビット数が８ビットとされて
いる。したがって、入力端子１Ｙ、１Ｕ、１Ｖに供給さ
れる信号のデータ量としては、約２１６Ｍｂｐｓとな
る。この信号のうちブランキング時間のデータを除去
し、有効領域の情報のみを取り出す有効情報抽出回路２
によってデータ量が約１６７Ｍｂｐｓに圧縮される。

【００１９】有効情報抽出回路２の出力のうちの輝度信
号Ｙが周波数変換回路３に供給され、サンプリング周波
数が１３．５ＭＨｚからその３／４に変換される。この
周波数変換回路３としては、例えば間引きフィルタが使
用され、折り返し歪みが生じないようになされている。
周波数変換回路３の出力信号がブロック化回路５に供給
され、輝度データの順序がブロックの順序に変換され
る。ブロック化回路５は、後段に設けられたブロック符
号化回路８のために設けられている。

【００２０】図３は、符号化の単位のブロックの構造を
示す。この例は、３次元ブロックであって、例えば２フ
レームに跨がる画面を分割することにより、同図に示す
ように（４ライン×４画素×２フレーム）の単位ブロッ
クが多数形成される。なお、図３において実線は奇数フ
ィールドのラインを示し、破線は偶数フィールドのライ
ンを示す。

【００２１】また、有効情報抽出回路２の出力のうち、
２つの色差信号Ｕ、Ｖがサブサンプリング及びサブライ
ン回路４に供給され、サンプリング周波数がそれぞれ
６．７５ＭＨｚからその半分に変換された後、２つのデ
ィジタル色差信号が互いにライン毎に選択され、１チャ
ンネルのデータに合成される。したがって、このサブサ
ンプリング及びサブライン回路４からは線順次化された
ディジタル色差信号が得られる。このサブサンプリング
及びサブライン回路４によってサブサンプル及びサブラ
イン化された信号の画素構成を図４に示す。図４中、○
は第１の色差信号Ｕのサブサンプリング画素を示し、△
は第２の色素信号Ｖのサンプリング画素を示し、×はサ
ブサンプルによって間引かれた画素の位置を示す。

【００２２】サブサンプリング及びサブライン回路４の
線順次化出力信号がブロック化回路６に供給される。ブ
ロック化回路６では一方のブロック化回路５と同様に、
テレビジョン信号の走査の順序の色差データがブロック
の順序のデータに変換される。このブロック化回路６
は、一方のブロック化回路５と同様に、色差データを
（４ライン×４画素×２フレーム）のブロック構造に変
換する。そしてこれらブロック化回路５及びブロック化
回路６の出力信号が合成回路７に供給される。

【００２３】合成回路７では、ブロックの順序に変換さ
れた輝度信号及び色差信号が１チャンネルのデータに変
換され、合成回路７の出力信号がブロック符号化回路８
に供給される。このブロック符号化回路８としては、後
述するようにブロック毎のダイナミックレンジに適応し
た符号化回路（ＡＤＲＣと称する。）、ＤＣＴ（Ｄｉｓ
ｃｒｅｔｅＣｏｓｉｎｅＴｒａｎｓｆｏｒｍ）回路
等が適用できる。ブロック符号化回路８の出力信号がフ
レーム化回路９に供給され、フレーム構造のデータに変
換される。このフレーム化回路９では、画素系のクロッ
クと記録系のクロックとの乗り換えが行われる。

【００２４】フレーム化回路９の出力信号がエラー訂正
符号のパリティ発生回路１０に供給され、エラー訂正符
号のパリティが生成される。パリティ発生回路１０の出
力信号がチャンネルエンコーダ１１に供給され、記録デ
ータの低域部分を減少させるようなチャンネルコーディ
ングがなされる。チャンネルエンコーダ１１の出力信号
が記録アンプ１２Ａ，１２Ｂと回転トランス（図示は省
略する。）を介して一対の磁気ヘッドチップ１３Ａ，１
３Ｂに供給され、磁気テープに記録される。なお、オー
ディオ信号と、ビデオ信号とは別に圧縮符号化され、チ
ャンネルエンコーダ１１に供給される。

【００２５】上述の信号処理によって、入力のデータ量
２１６Ｍｂｐｓが有効走査期間のみを抽出することによ
って約１６７Ｍｂｐｓに低減され、さらに周波数変換と
サブサンプル、サブラインとによってこれが８４Ｍｂｐ
ｓに減少される。このデータは、ブロック符号化回路８
で圧縮符号化することにより、約２５Ｍｂｐｓに圧縮さ
れ、その後のパリティ、オーディオ信号等の付加的な情
報を加えて、記録データ量としては３１．５６Ｍｂｐｓ
となる。

【００２６】次に、再生側の構成について図２を参照し
ながら説明する。図２において磁気ヘッドチップ１３
Ａ，１３Ｂからの再生データが回転トランス及び再生ア
ンプ１４Ａ，１４Ｂを介してチャンネルデコーダ１５に
供給される。チャンネルデコーダ１５において、チャン
ネルコーディングの復調がされ、チャンネルデコーダ１
５の出力信号がＴＢＣ回路（時間軸補正回路）１６に供
給される。このＴＢＣ回路１６において、再生信号の時
間軸変動成分が除去される。ＴＢＣ回路１６からの再生
データがＥＣＣ回路１７に供給され、エラー訂正符号を
用いたエラー訂正とエラー修整とが行われる。ＥＣＣ回
路１７の出力信号がフレーム分解回路１８に供給され
る。

【００２７】フレーム分解回路１８によって、ブロック
符号化データの各成分がそれぞれ分離されるとともに、
記録系のクロックから画素系のクロックへの乗り換えが
なされる。フレーム分解回路１８で分離された各データ
がブロック複号回路１９に供給され、各ブロック単位に
原データと対応する復元データが複号され、複号データ
が分配回路２０に供給される。この分配回路２０で複号
データが輝度信号と色差信号に分離される。輝度信号及
び色差信号がブロック分解回路２１，２２にそれぞれ供
給される。ブロック分解回路２１，２２は、送信側のブ
ロック化回路５，６とは逆に、ブロックの順序の複号デ
ータをラスター走査の順に変換する。

【００２８】ブロック分解回路２１からの複号輝度信号
が補間フィルタ２３に供給される。補間フィルタ２３で
は、輝度信号のサンプリングレートが３ｆｓから４ｆｓ
（４ｆｓ＝１３．５ＭＨｚ）に変換される。補間フィル
タ２３からのディジタル輝度信号Ｙは出力端子２６Ｙに
取り出される。

【００２９】一方、ブロック分解回路２２からのディジ
タル色差信号が分配回路２４に供給され、線順次化され
たディジタル色差信号Ｕ，Ｖがディジタル色差信号Ｕ及
びＶにそれぞれ分離される。分配回路２４からのディジ
タル色差信号Ｕ，Ｖが補間回路２５に供給され、それぞ
れ補間される。補間回路２５は、復元された画素データ
を用いて間引かれたライン及び画素のデータを補間する
もので、補間回路２５からはサンプリングレートが２ｆ
ｓのディジタル色差信号Ｕ及びＶが得られ、出力端子２
６Ｕ，２６Ｖにそれぞれ取り出される。

【００３０】ところで上述のブロック符号化回路８とし
ては、ＡＤＲＣ（ＡｄａｐｔｉｖｅＤｙｎａｍｉｃＲ
ａｎｇｅＣｏｄｉｎｇ）エンコーダが用いられる。こ
のＡＤＲＣエンコーダは、各ブロックに含まれる複数の
画素データの最大値ＭＡＸと最小値ＭＩＮを検出し、こ
れら最大値ＭＡＸ及び最小値ＭＩＮからブロックのダイ
ナミックレンジＤＲを検出し、このダイナミックレンジ
ＤＲに適応した符号化を行い、原画素データのビット数
よりも少ないビット数により、再量子化を行うものであ
る。ブロック符号化回路８の他の例としては、各ブロッ
クの画素データをＤＣＴ（ＤｉｓｃｒｅｔｅＣｏｓｉ
ｎｅＴｒａｎｓｔｏｒｍ）した後、このＤＣＴで得ら
れた係数データを量子化し、量子化データをランレング
ス・ハフマン符号化して圧縮符号化する構成を用いても
よい。

【００３１】ここでは、ＡＤＲＣエンコーダを用い、さ
らにマルチダビングした時にも画質劣化が生じないエン
コーダの例を図５を参照しながら説明する。図５におい
て、入力端子２７に例えば１サンプルが８ビットに量子
化されたディジタルビデオ信号（或いはディジタル色差
信号）が図１の合成回路７より入力される。入力端子２
７からのブロック化データが最大値，最小値検出回路２
９及び遅延回路３０に供給される。最大値，最小値検出
回路２９は、ブロック毎に最小値ＭＩＮ、最大値ＭＡＸ
を検出する。遅延回路３０からは、最大値及び最小値が
検出されるのに要する時間、入力データを遅延させる。
遅延回路３０からの画素データが比較回路３１及び比較
回路３２に供給される。

【００３２】最大値，最小値検出回路２９からの最大値
ＭＡＸが減算回路３３に供給され、最小値ＭＩＮが加算
回路３４に供給される。これらの減算回路３３及び加算
回路３４には、ビットシフト回路３５から４ビット固定
長でノンエッジマッチング量子化した場合の１量子化ス
テップ幅の値（△＝１／１６ＤＲ）が供給される。ビッ
トシフト回路３５は、（１／１６）の割算を行うよう
に、ダイナミックレンジＤＲを４ビットシフトする構成
とされている。減算回路３３からは（ＭＡＸ−△）のし
きい値が得られ、加算回路３４からは（ＭＩＮ＋△）の
しきい値が得られる。これらの減算回路３３及び加算回
路３４からのしきい値が比較回路３１，３２にそれぞれ
供給される。なお、このしきい値を規定する値△は、量
子化ステップ幅に限らず、ノイズレベルに相当する固定
値としてもよい。

【００３３】比較回路３１の出力信号がＡＮＤゲート３
６に供給され、比較回路３２の出力信号がＡＮＤゲート
３７に供給される。ＡＮＤゲート３６及びＡＮＤゲート
３７には、遅延回路３０からの入力データが供給され
る。比較回路３１の出力信号は、入力データがしきい値
より大きい時にハイレベルとなり、したがってＡＮＤゲ
ート３６の出力端子には、（ＭＡＸ〜ＭＡＸ−△）の最
大レベル範囲に含まれる入力データの画素データが抽出
される。一方、比較回路３２の出力信号は、入力データ
がしきい値より小さい時にハイレベルとなり、したがっ
てＡＮＤゲート３７の出力端子には、（ＭＩＮ〜ＭＩＮ
＋△）の最小レベル範囲に含まれる入力データの画素デ
ータが抽出される。

【００３４】ＡＮＤゲート３６の出力信号が平均化回路
３８に供給され、ＡＮＤゲート３７の出力信号が平均化
回路３９に供給される。これらの平均化回路３８，３９
は、ブロック毎に平均値を算出するもので、端子４０か
らブロック周期のリセット信号が平均化回路３８，３９
に供給されている。平均化回路３８からは、（ＭＡＸ〜
ＭＡＸ−△）の最大レベル範囲に属する画素データの平
均値ＭＡＸ´が得られ、平均化回路３９からは（ＭＩＮ
〜ＭＩＮ＋△）の最小レベル範囲に属する画素データの
平均値ＭＩＮ´が得られる。平均値ＭＡＸ´から平均値
ＭＩＮ´が減算回路４１で減算され、減算回路４１から
ダイナミックレンジＤＲ´が得られる。

【００３５】また、平均値ＭＩＮ´が減算回路４２に供
給され、遅延回路４３を介された入力データから平均値
ＭＩＮ´が減算回路４２において減算され、最小値除去
後のデータＰＤＩが形成される。このデータＰＤＩ及び
修整されたダイナミックレンジＤＲ´が量子化回路４４
に供給される。この実施例では、量子化に割り当てられ
るビット数ｎが０ビット（コード信号を転送しない）、
１ビット、２ビット、３ビット、４ビットの何れかとさ
れる可変長のＡＤＲＣであって、エッジマッチング量子
化がなされる。割り当てビット数ｎは、ブロック毎にビ
ット数決定回路４５において決定され、ビット数ｎのデ
ータが量子化回路４４に供給される。

【００３６】可変長ＡＤＲＣは、ダイナミックレンジＤ
Ｒ´が小さいブロックでは、割り当てビット数ｎを少な
くし、ダイナミックレンジＤＲ´が大きいブロックで
は、割り当てビット数ｎを多くすることで、効率の良い
符号化を行うことができる。すなわち、ビット数ｎを決
定する際のしきい値をＴ１〜Ｔ４（Ｔ１＜Ｔ２＜Ｔ３＜
Ｔ４）とすると、（ＤＲ´＜Ｔ１）のブロックは、コー
ド信号が転送されず、ダイナミックレンジＤＲ´の情報
のみが転送され、（Ｔ１≦ＤＲ´＜Ｔ２）のブロック
は、（ｎ＝１）とされ、（Ｔ２≦ＤＲ´＜Ｔ３）のブロ
ックは、（ｎ＝２）とされ、（Ｔ３≦ＤＲ´＜Ｔ４）の
ブロックは、（ｎ＝３）とされ、（ＤＲ´≧Ｔ４）のブ
ロックは、（ｎ＝４）とされる。

【００３７】かかる可変長ＡＤＲＣではしきい値Ｔ１〜
Ｔ４を変えることで、発生情報量を制御すること（いわ
ゆるバッファリング）ができる。したがって、１フィー
ルド或いは、１フレーム当たりの発生情報量を所定値に
することが要求されるこの発明のディジタルビデオテー
プレコーダのような伝送路に対しても可変長ＡＤＲＣを
適用できる。

【００３８】発生情報量を所定値にするためのしきい値
Ｔ１〜Ｔ４を決定するバッファリング回路４６では、し
きい値の組（Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４）が複数例えば３
２組用意されており、これらのしきい値の組がパラメー
タコードＰｉ（ｉ＝０、１、２・・・・３１）により区
別される。パラメータコードＰｉの番号ｉが大きくなる
に従って、発生情報量が単調に減少するように設定され
ている。ただし、発生情報量が減少するに従って、復元
画像の画質が劣化する。

【００３９】バッファリング回路４６からのしきい値Ｔ
１〜Ｔ４が比較回路４７に供給され、遅延回路４８を介
されたダイナミックレンジＤＲ´が比較回路４７に供給
される。遅延回路４８は、バッファリング回路４６でし
きい値の組が決定されるのに要する時間、ＤＲ´を遅延
させる。比較回路４７では、ブロックのダイナミックレ
ンジＤＲ´と各しきい値とがそれぞれ比較され、比較出
力がビット数決定回路４５に供給され、そのブロックの
割り当てビット数ｎが決定される。量子化回路４４で
は、ダイナミックレンジＤＲ´と割り当てビット数ｎと
を用いて遅延回路４９を介された最小値除去後のデータ
ＰＤＩがエッジマッチングの量子化により、コード信号
ＤＴに変換される。量子化回路４４は、例えばＲＯＭで
構成されている。

【００４０】遅延回路４８、５０をそれぞれ介して修整
されたダイナミックレンジＤＲ´、平均値ＭＩＮ´が出
力され、さらにコード信号ＤＴとしきい値の組を示すパ
ラメータコードＰｉが出力される。この例では、一旦ノ
ンエッジマッチ量子化された信号が新たにダイナミック
レンジ情報に基づいて、エッジマッチ量子化されている
ためにダビングした時の画像劣化は少ないものとされ
る。

【００４１】次に、上述のチャンネルエンコーダ１１及
びチャンネルデコーダ１５について説明する。チャンネ
ルエンコーダ１１においては、図６に示すように、パリ
ティ発生回路１０の出力が供給される適応型スクランブ
ル回路で、複数のＭ系列のスクランブル回路５１が用意
され、その中で入力信号に対し最も高周波成分及び直流
成分の少ない出力が得られるようなＭ系列が選択される
ように構成されている。パーシャルレスポンス・クラス
４検出方式のためのプリコーダ５２で、１／１−Ｄ
²（Ｄは単位遅延用回路）の演算処理がなされる。この
プリコーダ５２の出力を記録アンプ１２Ａ，１３Ａを介
して磁気ヘッドチップ１３Ａ，１３Ｂにより、記録再生
し、再生出力を再生アンプ１４Ａ，１４Ｂによって増幅
するようになされている。

【００４２】一方、チャンネルデコーダ１５において
は、図７に示すように、パーシャルレスポンス・クラス
４の再生側の演算処理回路５３は、１＋Ｄの演算が再生
アンプ１４Ａ，１４Ｂの出力に対して行われる。また、
いわゆるビタビ複号回路５４においては、演算処理回路
５３の出力に対してデータの相関性や確からしさ等を用
いた演算により、ノイズに強いデータの複号が行われ
る。このビタビ複号回路５４の出力がディスクランブル
回路５５に供給され、記録側のスクランブル処理によっ
て並び変えられたデータが元の系列に戻されて原データ
が復元される。この実施例において用いられるビタビ複
号回路５４によって、ビット毎の複号を行う場合より
も、再生Ｃ／Ｎ換算が３ｄＢで改良が得られる。

【００４３】次に、上述の方法によってチャンネル符号
化されたデータを磁気テープに記録するための磁気ヘッ
ドについて説明する。本実施例では、ディジタル画像情
報の長時間記録再生を可能となすために、図８に示すよ
うに、一対の磁気ヘッド５６，５７を所定の位置関係を
持って対向配置させ、これら磁気ヘッド５６，５７によ
り磁気テープに対して同時に記録再生を行う。なお、上
記磁気ヘッド５６，５７は、前述の図１及び図２に示す
磁気ヘッド１３Ａ，１３Ｂに相当するものである。

【００４４】先ず、これら磁気ヘッド５６，５７のう
ち、一方の磁気ヘッド５６を例にとって説明する。上記
磁気ヘッド５６は、図９に示すように、強磁性酸化物材
料よりなる磁気コア基板５８及びこの磁気コア基板５８
に真空薄膜形成技術により被着形成される金属磁性薄膜
５９から構成される第１の磁気コア半体６０と、同様に
強磁性酸化物材料よりなる磁気コア基板６１及び金属磁
性薄膜６２より構成される第２の磁気コア半体６３と
が、上記金属磁性薄膜５９，６２同士を突合わせ面とし
て融着ガラス６４により接合一体化されて構成されてい
る。

【００４５】上記第１の磁気コア半体６０を構成する磁
気コア基板５８は、例えばＭｎ−ＺｎフェライトやＮｉ
−Ｚｎフェライト等の強磁性酸化物材料よりなり、第２
の磁気コア半体６３との対向面に記録信号を供給し或い
は磁気テープからの再生信号を取り出すコイルを巻回さ
せるためのコイル巻線溝（図示は省略する。）を有して
いる。上記コイル巻線溝は、断面略台形状をなす溝とし
て磁気テープとの対接面となる磁気コア基板５８の磁気
記録媒体対接面近傍部に設けられ、その磁気記録媒体対
接面側の傾斜面でこの磁気ヘッド５６の磁気ギャップｇ
₂のデプスを規制するようになっている。

【００４６】そして、上記磁気コア基板５８の上記第２
の磁気コア半体６３との対向部は、磁気ギャップｇ₂に
対して斜めに切り欠かれた斜面５８ａと磁気ギャップｇ
₂のトラック幅Ｔｗ₂を規制するトラック幅規制溝５８
ｂとによって平面形状が尖頭状となされている。上記斜
面５８ａは、磁気ギャップｇ₂を形成する金属磁性薄膜
５９の磁気ギャップ形成面５９ａに対してなす角度θ₄
なる傾斜角度を持って傾斜されている。一方、トラック
幅規制溝５８ｂは、磁気ギャップ形成面５９ａと略直交
する切り立った面とこれと直交する面とからなってい
る。なお、本実施例では、上記斜面５８ａの磁気ギャッ
プ形成面５９ａに対するなす角度θ₄を３０度とした。

【００４７】一方、金属磁性薄膜５９は、例えばセンダ
スト等の強磁性金属材料よりなり、上記磁気コア基板５
８の斜面５８ａに沿って磁気記録媒体対接面よりこれと
反対側のバック面に亘って連続した膜として被着形成さ
れている。なお、この金属磁性薄膜５９の磁気ギャップ
形成面５９ａは、当該磁気ギャップｇ₂にアジマスを付
与するために時計回り方向にθ₂なる角度で傾斜されて
いる。

【００４８】上記金属磁性薄膜５９には、高飽和磁束密
度を有し且つ軟磁気特性に優れた強磁性金属材料が使用
される。かかる強磁性金属材料としては、Ｆｅ−Ａｌ−
Ｓｉ系合金、Ｆｅ−Ａｌ系合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃｏ系合
金、Ｆｅ−Ｎｉ系合金、Ｆｅ−Ａｌ−Ｇｅ系合金、Ｆｅ
−Ｇａ−Ｇｅ系合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｇｅ系合金、Ｆｅ−
Ｃｏ−Ｓｉ−Ａｌ系合金等の強磁性金属材料、或いはＦ
ｅ−Ｇａ−Ｓｉ系合金、さらには上記Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ
系合金の耐蝕性や耐摩耗性の一層の向上を図るために、
Ｆｅ，Ｇａ，Ｃｏ（Ｆｅの一部をＣｏで置換したものを
含む。），Ｓｉを基本組成とする合金に、Ｔｉ，Ｃｒ，
Ｍｎ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｕ，Ｏｓ，Ｒ
ｈ，Ｉｒ，Ｒｅ，Ｎｉ，Ｐｂ，Ｐｔ，Ｈｆ，Ｖの少なく
とも一種を添加したものであってもよい。

【００４９】また、強磁性非晶質合金、いわゆるアモル
ファス合金（例えば、Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｏの一つ以上の元
素とＰ，Ｃ，Ｂ，Ｓｉの一つ以上の元素とからなる合
金、またはこれを主成分としＡｌ，Ｇｅ，Ｂｅ，Ｓｎ，
Ｉｎ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔｉ，Ｍｎ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｈ，Ｎｂ等
を含んだ合金等のメタル−メタロイド系アモルファス合
金、或いはＣｏ，Ｈｆ，Ｚｒ等の遷移元素や希土類元素
等を主成分とするメタル−メタル系アモルファス合金）
等も使用される。

【００５０】これら強磁性金属材料の中でも、８×１０
⁵ｂｉｔ／ｍｍ²以上の高記録密度を可能なものとなす
ことから、特に飽和磁束密度が１４ｋＧ以上のものがよ
り好適であり、例えば飽和磁束密度１４．５ｋＧのＦｅ
−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ系合金が好ましい。このような高飽
和磁束密度を有する強磁性材料を使用すれば、高抗磁力
の磁気テープに対しても磁気飽和を生じることなく記録
が行える。

【００５１】なお、上記強磁性金属材料の膜付け方法と
しては、真空薄膜形成技術、例えば蒸着法，スパッタリ
ング法，イオンプレーティング法等が挙げられる。

【００５２】一方、第２の磁気コア半体６３を構成する
磁気コア基板６１は、先の第１の磁気コア半体６０と同
様に強磁性酸化物材料からなり、該磁気コア基板５８と
略同一形状として形成されている。すなわち、上記磁気
コア基板６１の第１の磁気コア半体６０との対向部は、
磁気ギャップｇ₂に対して斜めに切り欠かれた斜面６１
ａと磁気ギャップｇ₂のトラック幅Ｔｗ₂を規制するト
ラック幅規制溝６１ｂとによって平面形状が尖頭状とな
されている。上記斜面６１ａは、磁気ギャップｇ₂を形
成する金属磁性薄膜５９の磁気ギャップ形成面５９ａに
対してなす角度θ₃なる傾斜角度を持って傾斜されてい
る。一方、トラック幅規制溝６１ｂは、磁気ギャップ形
成面５９ａと略直交する切り立った面とこれと直交する
面とからなっている。なお、本実施例では、上記斜面６
１ａの磁気ギャップ形成面５９ａに対するなす角度θ₃
を４５度とした。

【００５３】一方、金属磁性薄膜６２は、先の第１の磁
気コア半体６０の金属磁性薄膜５９と同様にセンダスト
等の強磁性金属材料からなり、上記磁気コア基板６１の
斜面６１ａに沿って磁気記録媒体対接面よりこれと反対
側のバック面に亘って連続した膜として被着形成されて
いる。なお、先の金属磁性薄膜５９の磁気ギャップ形成
面５９ａにおける端面幅Ｗ₂は、これと対向する金属磁
性薄膜６２の端面幅Ｗ₁よりも大きくなされている。

【００５４】そして、上記のようにして構成されてなる
第１の磁気コア半体６０と第２の磁気コア半体６３と
は、互いの金属磁性薄膜５９，６２同士をギャップ膜
（図示は省略する。）を介して突き合わせ、それぞれの
トラック幅規制溝５８ｂ，６１ｂ内に融着ガラス６４を
充填させることにより接合一体化されている。この結
果、これら金属磁性薄膜５９，６２の突合わせ面にトラ
ック幅Ｔｗ₂とされたアジマス角θ₂を有した磁気ギャ
ップｇ₂が形成される。上記磁気ギャップｇ₂のトラッ
ク幅Ｔｗ₂は、磁気ギャップ部における対向幅の小さい
第２の磁気コア半体６３の金属磁性薄膜６２によって規
制されている。すなわち、第２の磁気コア半体６３の金
属磁性薄膜６２の端面幅Ｗ₁が上記磁気ギャップｇ₂の
トラック幅Ｔｗ₂となる。

【００５５】なお、上記磁気ギャップｇ₂に付与するア
ジマス角θ₂は、他方の磁気ヘッド５７の磁気ギャップ
ｇ₁からのクロストークを低減するために、１０度以上
とすることが望ましい。本実施例では、上記磁気ギャッ
プｇ₂のアジマス角θ₂は２０度とした。

【００５６】また、上記磁気ギャップｇ₂のトラック幅
Ｔｗ₂は、ＡＴＦ（オートトラッキング）の場合、隣接
するトラックの信号を拾いながら記録再生するので、磁
気テープ上のトラックピッチＰより＋０μｍ〜＋３μｍ
広くすることが望ましい。なお、磁気ギャップｇ₂のト
ラック幅Ｔｗ₂を余り広げ過ぎると、再生時の隣接クロ
ストークが大きくなってしまうため、上記の範囲が最も
望ましい。具体的には、トラックピッチＰを１０μｍ以
下とするので上記磁気ギャップｇ₂のトラック幅Ｔｗ₂
は１０μｍ〜１３μｍとなる。本実施例では、磁気テー
プ上のトラックピッチＰを５μｍとするため、上記トラ
ック幅Ｔｗ₂を７μｍとした。

【００５７】他方の磁気ヘッド５７も同様の構成で、図
８に示すように、強磁性酸化物材料よりなる磁気コア基
板６５及びこの磁気コア基板６５に被着形成される金属
磁性薄膜６６とからなる第３の磁気コア半体６７と、同
様に強磁性酸化物材料よりなる磁気コア基板６８及び金
属磁性薄膜６９より構成される第４の磁気コア半体７０
とが、上記金属磁性薄膜６６，６９同士を突合わせ面と
して融着ガラス７１により接合一体化されて構成されて
いる。

【００５８】この磁気ヘッド５７においても、先の磁気
ヘッド５６と同様に各磁気コア基板６５，６８の対向部
の形状が磁気ギャップｇ₁を境として略対称形状とされ
ている。すなわち、上記磁気コア基板６５，６８の対向
部は、それぞれ磁気ギャップｇ₁に対して斜めに切り欠
かれた斜面６５ａ，６８ａと磁気ギャップｇ₁のトラッ
ク幅Ｔｗ₁を規制するトラック幅規制溝６５ｂ，６８ｂ
とによって平面形状が尖頭状となされている。そして同
様に、一方の斜面６５ａの傾斜角度が３０度され、他方
の斜面６８ａの傾斜角度が４５度されている。なお、一
方の磁気コア基板６５の第４の磁気コア半体７０との対
向面には、コイルを巻装するための巻線溝（図示は省略
する。）が設けられている。

【００５９】一方、金属磁性薄膜６６，６９も同様に、
上記斜面６５ａ，６８ａに沿って磁気記録媒体対接面よ
りこれと反対側のバック面に亘って連続した膜として被
着形成されている。なお、先の金属磁性薄膜６６の磁気
ギャップ形成面６６ａにおける端面幅は、これと対向す
る金属磁性薄膜６９の端面幅よりも大きなものとなされ
ている。

【００６０】そしてこの磁気ヘッド５７においては、上
記第３の磁気コア半体６７と第４の磁気コア半体７０と
が互いの金属磁性薄膜６６，６９同士をギャップ膜（図
示は省略する。）を介して突き合わせ、それぞれのトラ
ック幅規制溝６５ｂ，６８ｂ内に融着ガラス７１を充填
させることにより接合一体化されている。したがって、
この磁気ヘッド５７においても、これら金属磁性薄膜６
６，６９の突合わせ面にトラック幅Ｔｗ₁とされたアジ
マス角θ₁を有した磁気ギャップｇ₁が形成される。ま
た、上記磁気ギャップｇ₁のトラック幅Ｔｗ₁は、先の
磁気ヘッド５６と同様に磁気ギャップ部における端面幅
の小さい第４の磁気コア半体７０の金属磁性薄膜６９の
端面幅によって規制されている。なお、上記磁気ギャッ
プｇ₁は、先の磁気ヘッド５６の磁気ギャップｇ₂のア
ジマスの向きとは反対向き、すなわち反時計回り方向に
θ₁なる角度で傾斜されている。

【００６１】そして、上述のように構成された一対の磁
気ヘッド５６，５７は、ヘッド走行方向に相対向して所
定の位置関係を持って近接配置され、先行する磁気ヘッ
ド５６で磁気テープに記録した記録パターンの一部を後
続する磁気ヘッド５７で重ね書きして記録再生するよう
に配置される。

【００６２】すなわち、上記一対の磁気ヘッド５６，５
７を、図８中矢印Ｙで示すトラックピッチ方向に、これ
ら磁気ヘッド５６，５７によって記録される図１０で示
す磁気テープ７２上のトラックピッチＰと略等しい段差
ＤＡを持って設ける。なお、ここに言う段差ＤＡは、ト
ラックピッチ方向における各磁気ヘッド５６，５７の磁
気ギャップｇ₁，ｇ₂のトラック幅方向での下端側の端
部間距離を指す。また、上記段差ＤＡは、磁気テープ７
２上のトラックピッチＰを５μｍとするので、上記段差
ＤＡをこれに合わせて５μｍとした。これにより、各磁
気ヘッド５６，５７のトラック幅Ｔｗ₁，Ｔｗ₂がそれ
ぞれ７μｍであることから、これら磁気ヘッド５６，５
７によって記録される記録パターンは２μｍの範囲で重
ね書きされることになる。

【００６３】特に、本実施例では、上記磁気ヘッド５
６，５７の配置についてグレーゾーンの減少を図るため
に、一方の金属磁性薄膜５９，６６の磁気ギャップ形成
面５９ａ，６６ａとこれと対向する磁気コア半体６３，
７０のコア端面６３ａ，６３ｂ及び７０ａ，７０ｂとの
なす角度θ₅，θ₆及びθ₇，θ₈のうち大きい方をオ
ーバーライト側に配する。すなわち、上記角度θ₅，θ
₇がオーバーライト側にくるように配置する。特に、上
記角度θ₅，θ₇を鈍角とすれば、これら金属磁性薄膜
５９，６２及び６６，６９のエッジからの漏洩磁界が弱
くなり、サイドイレーズされるグレーゾーンの発生をよ
り一層抑えることができる。

【００６４】また、本例では、予め金属磁性薄膜５９，
６２，６６，６９の端面幅Ｗ₁，Ｗ₂を異なる寸法に形
成しているので、これら金属磁性薄膜５９，６２，６
６，６９の突合わせ工程を高精度に行う必要がなく、比
較的ラフにトラック位置合わせができる。

【００６５】そしてさらに、これら磁気ヘッド５６，５
７をヘッド走行方向に図１０で示す磁気テープ７２上の
トラック間段差ｄの距離と等しいギャップ間距離ＧＬを
持って対向配置する。なお、ここに言うトラック間段差
ｄは、各記録トラック７３，７４の記録領域のヘッド走
行方向での端部間距離を指す。一方、ギャップ間距離Ｇ
Ｌは、ヘッド走行方向における各磁気ヘッド５６，５７
の磁気ギャップｇ₁，ｇ₂のトラック幅Ｔｗ₁，Ｔｗ₂
のセンター間距離を指す。

【００６６】上記ギャップ間距離ＧＬは、画像信号の記
録領域の確保から選定され、例えば５００μｍ以下に設
定される。ギャップ間距離ＧＬが５００μｍ以上である
と、画像信号領域が狭くなり長時間再生に不利となる。
逆に、近すぎると対向する磁気コア基板６１，６８のコ
ア厚が薄くなり、コア断面積の減少によりヘッド効率が
低下する。本実施例では、画像領域の確保とヘッド効率
を考慮して上記ギャップ間距離ＧＬを２００μｍとし
た。

【００６７】そして、上述のように配置された磁気ヘッ
ド５６，５７は、ビデオテープレコーダの回転ドラムに
取付けられ、回転走査されることによって、当該回転ド
ラムの周面に沿って相対的に移送する磁気テープ７２上
に上記磁気ヘッド５６，５７によって図１０に示す如く
記録パターンが形成される。このとき、磁気ヘッド５
６，５７のヘッド走行方向でのギャップ間距離ＧＬと磁
気テープ７２上のトラック間段差ｄとが等しくなるよう
に、単位時間当たりの磁気テープ７２の移送量と磁気ヘ
ッドの回転数が定められる。

【００６８】上記一対の磁気ヘッド５６，５７により記
録される磁気テープ７２上の記録トラック７３，７４
は、先行する磁気ヘッド５６で記録された記録トラック
７４の一部が後続する磁気ヘッド５７の記録トラック７
３によって重ね書き（オーバーライト）され、結果とし
て図１０に示すようにトラックピッチＰ＝５μｍで記録
されることになる。このとき、上記磁気ヘッド５６，５
７の相対向する金属磁性薄膜５９，６２及び６６，６９
のエッジ部より漏洩磁束が発生するが、オーバーライト
側では一方の金属磁性薄膜５９，６６の磁気ギャップ形
成面５９ａ，６６ａとこれと対向する磁気コア半体６
３，７０のコア端面６３ａ，６３ｂ及び７０ａ，７０ｂ
とのなす角度θ₅，θ₆及びθ₇，θ₈のうち大きい方
が配されるため、オーバーライト側に設けられる金属磁
性薄膜５９，６２及び６６，６９のエッジ部からの漏洩
磁束がこれと反対側の金属磁性薄膜５９，６２及び６
６，６９のエッジ部からの漏洩磁束よりも弱くなる。し
たがって、サイドイレーズされるグレーゾーンの発生が
抑制でき、十分なＳ／Ｎを確保することができる。

【００６９】また、上記一対の磁気ヘッド５６，５７に
より記録される磁気テープ７２上の記録トラック７３，
７４は、これら磁気ヘッド５６，５７のヘッド走行方向
でのギャップ間距離ＧＬと等しい段差ｄを持って記録さ
れることになる。したがって、上記各磁気ヘッド５６，
５７は、それぞれの記録トラック７３，７４の画像領域
７３ａ，７４ａ又は音声領域７３ｂ，７４ｂの端部に同
時に到達する。この結果、音声信号を後で記録するアフ
ターレコーディングを行う場合には、他の信号に影響を
与えることなく各信号のアフターレコーディグが良好に
行える。また、一対の磁気ヘッド５６，５７によって同
時に記録再生を行うので、テープ幅８ｍｍ以下とした磁
気テープ７２に対して８×１０⁵ｂｉｔ／ｍｍ²以上の
高密度で記録再生しても、異常トラックパターンによる
ビットエラーレートが高くなることなくディジタル画像
信号の長時間記録再生が可能となる。

【００７０】ところで、上述の磁気ヘッドを作製するに
は、以下のようにして行う。先ず、図１１に示すよう
に、Ｍｎ−Ｚｎフェライト或いはＮｉ−Ｚｎフェライト
等よりなる酸化物磁性材料からなる平板状の基板７５の
一主面７５ａに、断面略Ｖ字状をなす第１の溝７６を回
転砥石等の加工により全幅に亘って所定ピッチで複数平
行に形成する。

【００７１】上記第１の溝７６は、上記基板７５の主面
７５ａに対してなす角度θ₉＝４５度の傾斜角度を持つ
第１の斜面７６ａと、当該主面７５ａに対して直角に切
り立った面７６ｂを有するように形成する。

【００７２】次に、図１２に示すように、上記第１の溝
７６の間に同様に断面略Ｖ字状をなす第２の溝７７を形
成する。上記第２の溝７７は、上記第１の斜面７６ａの
傾斜角度θ₉とは異なる傾斜角度θ₁₀とした第２の斜面
７７ａと、当該主面７５ａに対して直角に切り立った面
７７ｂを有するように形成する。

【００７３】上記第２の斜面７７ａの傾斜角度θ₁₀は、
先の第１の斜面７６ａの傾斜角度θ₉比べて若干緩い３
０度とした。

【００７４】次に、図１３に示すように、上記第１の溝
７６及び第２の溝７７内を含めて基板７５の主面７５ａ
全面に亘ってセンダスト等の強磁性金属材料をスパッタ
リングし、所定膜厚とした金属磁性薄膜７８を形成す
る。本実施例では、金属磁性薄膜７８の膜厚が７μｍと
なるように強磁性金属材料を被着した。次いで、上記主
面７５ａ上に被着形成された金属磁性薄膜７８を平面研
磨して除去し、図１４に示すように第１の斜面７６ａ上
に被着形成される金属磁性薄膜７８ａの端面幅Ｗ₁が７
μｍとなるように、また第２の溝７７上に被着形成され
る金属磁性薄膜７８ｂの端面幅Ｗ₂が１２μｍとなるよ
うに研磨する。

【００７５】なお、この金属磁性薄膜７８ａ，７８ｂの
端面は、磁気ギャップを形成する磁気ギャップ形成面に
なる。

【００７６】次に、図１５に示すように、上記第１の斜
面７６ａ及び第２の斜面７７ａに近接してトラック幅を
規制するための断面略コ字状をなす第３の溝７９を形成
する。第３の溝７９は、第１の斜面７６ａ及び第２の斜
面７７ａに近接してこれら第１の溝７６及び第２の溝７
７と平行となるように形成するとともに、当該第３の溝
７９の切削位置がそれぞれの斜面７６ａ，７７ａ上に形
成される金属磁性薄膜７８ａ，７８ｂの端部７８ａ₁，
７８ｂ₁と略一致するような位置とする。

【００７７】この結果、第１の斜面７６ａ及び第２の斜
面７７ａ上にそれぞれ成膜された金属磁性薄膜７８ａ，
７８ｂの端面幅Ｗ₁，Ｗ₂が、上記第３の溝７９によっ
て規制されることになる。

【００７８】次に、図１６に示すように、コイルを巻装
するための巻線溝８０を基板７５に形成する。上記巻線
溝８０は、第１の溝７６と第２の溝７７に対して略直交
する方向に断面略台形状をなす溝として形成する。この
結果、以上の工程によりヘッドコアブロックが作製され
る。

【００７９】次に、上記基板７５に対して第１の溝７６
と略直交する方向に図１６中線ａ−ａで示す位置でスラ
イシング加工を施し、当該基板７５を二分する。この結
果、図１７に示すような一対のヘッドコアブロック８
１，８２が作製される。次いで、これらヘッドコアブロ
ック８１，８２の金属磁性薄膜７８ａ，７８ｂの端面が
露出する磁気ギャップ形成面となる面を鏡面研磨した
後、一方の磁気ギャップ形成面となる面にギャップ膜を
成膜する。

【００８０】かかるギャップ膜には、例えばＳｉＯ₂，
ＺｒＯ₂，Ｔａ₂Ｏ₅，Ｃｒ等よりなる膜が使用され
る。

【００８１】次に、巻線溝８０が形成されたヘッドコア
ブロック８１に対して他方のヘッドコアブロック８２を
図１７中矢印Ｘ方向に回転させ、これらヘッドコアブロ
ック８１，８２にそれぞれ設けられた第１の斜面７６ａ
上の金属磁性薄膜７８ａと第２の斜面７７ａ上の金属磁
性薄膜７８ｂの端面同士を相対向させるようにして重ね
合わせる。

【００８２】この結果、図１８に示すように、互いに斜
交して設けられる金属磁性薄膜７８ａ，７８ｂの突合わ
せ面に、記録再生ギャップとして動作する磁気ギャップ
ｇが形成される。このときの磁気ギャップｇは、突合わ
せ面での端面幅Ｗ₁が狭い金属磁性薄膜７８ａによって
トラック幅Ｔｗが規制される。

【００８３】次に、上記巻線溝８０内にガラス棒を挿入
し、これを溶融して上記第１の溝７６及び第２の溝７７
内に融着ガラス８３を充填する。この結果、上記一対の
ヘッドコアブロック８１，８２は、融着ガラス８３によ
って接合一体化される。そして、接合一体化されたブロ
ックに対して所定の位置でスライシング加工を施し、磁
気記録媒体対接面を円筒研磨するとともに、外形状を切
削して整えれば前述した本実施例の磁気ヘッド５６，５
７が得られる。

【００８４】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の磁気ヘッドによれば、磁気ギャップ形成面とこれと
対向する磁気コア半体のコア端面とのなす角度のうち大
きい方をオーバーライト側に配しているので、オーバー
ライト側における金属磁性薄膜のエッジ部からの漏洩磁
束はこれと反対側の金属磁性薄膜のエッジ部からの漏洩
磁束よりも小さなものとなる。したがって、サイドイレ
ーズによるグレーゾーンの発生を抑えることができ、十
分なＳ／Ｎを確保することができる。

【００８５】一方、本発明の方法においては、磁気ギャ
ップ形成面における端面幅の異なる金属磁性薄膜の端面
同士を突合わせるようにして一対のヘッドコアブロック
を接合した後、磁気ヘッドチップに切り出すようにして
いるので、これら金属磁性薄膜の突合わせ精度を比較的
ラフに行うことができる。したがって、トラック幅ずれ
の無い信頼性の高い磁気ヘッドを歩留りよく製造するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】ディジタル画像情報を再生歪みの少ない形で圧
縮する信号処理部の記録側の構成を示すブロック図であ
る。

【図２】ディジタル画像情報を再生歪みの少ない形で圧
縮する信号処理部の再生側の構成を示すブロック図であ
る。

【図３】ブロック符号化のためのブロックの一例を示す
線図である。

【図４】サブサンプリング及びサブラインの説明に用い
る線図である。

【図５】ブロック符号化回路の一例のブロック図であ
る。

【図６】チャンネルエンコーダの一例の概略を示すブロ
ック図である。

【図７】チャンネルデコーダの一例の概略を示すブロッ
ク図である。

【図８】ディジタル画像情報の長時間記録が可能となる
ように本発明に係る磁気ヘッドを相対向して近接配置し
た状態の正面図である。

【図９】本発明に係る磁気ヘッドの拡大正面図である。

【図１０】図８の磁気ヘッドによってディジタル画像情
報と音声信号が記録された磁気テープのテープフォーマ
ットを示す図である。

【図１１】本発明の製法によって磁気ヘッドを製造する
工程を順次示すもので、第１の溝形成工程を示す斜視図
である。

【図１２】本発明の製法によって磁気ヘッドを製造する
工程を順次示すもので、第２の溝形成工程を示す斜視図
である。

【図１３】本発明の製法によって磁気ヘッドを製造する
工程を順次示すもので、強磁性金属材料被着工程を示す
斜視図である。

【図１４】本発明の製法によって磁気ヘッドを製造する
工程を順次示すもので、強磁性金属材料の平面研磨工程
を示す斜視図である。

【図１５】本発明の製法によって磁気ヘッドを製造する
工程を順次示すもので、第３の溝形成工程を示す斜視図
である。

【図１６】本発明の製法によって磁気ヘッドを製造する
工程を順次示すもので、巻線溝形成工程を示す斜視図で
ある。

【図１７】本発明の製法によって磁気ヘッドを製造する
工程を順次示すもので、ヘッドコアブロックの切断工程
を示す斜視図である。

【図１８】本発明の製法によって磁気ヘッドを製造する
工程を順次示すもので、ヘッドコアブロックの接合工程
を示す斜視図である。

【図１９】従来の一対の磁気ヘッドによりＡＴＦ方式を
採用して磁気テープに対して記録再生を行う例を示す図
である。

【図２０】従来の一対の磁気ヘッドによって磁気テープ
に記録する様子を示す磁気テープのテープフォーマット
を示す図である。

【図２１】従来の一対の磁気ヘッドによって磁気テープ
に記録した状態を示す磁気テープのテープフォーマット
を示す図である。

【図２２】従来の磁気ヘッドの正面図である。

【図２３】従来の磁気ヘッドの磁気ギャップ部を拡大し
て示す要部拡大正面図である。

【図２４】図２２の磁気ヘッドによってサイドイレーズ
された状態を示す磁気テープのテープフォーマットを示
す図である。

【符号の説明】

５６，５７・・・磁気ヘッド５８，６１，６５，６８・・・磁気コア基板５９，６２，６６，６９・・・金属磁性薄膜６３ａ，６３ｂ，７０ａ，７０ｂ・・・コア端面６０・・・第１の磁気コア半体６３・・・第２の磁気コア半体６７・・・第３の磁気コア半体７０・・・第４の磁気コア半体

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】金属磁性薄膜と磁気コア基板よりなる一
対の磁気コア半体により閉磁路が構成されてなる磁気ヘ
ッドにおいて、上記金属磁性薄膜は磁気ギャップに対して斜交して突き
合わされ、これら突合わせ面間に磁気ギャップを形成
し、且つ上記金属磁性薄膜の突合わせ面となる磁気ギャ
ップ形成面とこれと対向する磁気コア半体のコア端面と
のなす角度のうち大きい方がオーバーライト側に配され
ることを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項２】第１の斜面を有する第１の溝を基板に複
数形成する工程と、上記第１の溝の間に第１の斜面の傾
斜角度とは異なる傾斜角度の第２の斜面を有する第２の
溝を形成する工程と、これら第１の溝及び第２の溝を含
めて基板上に強磁性金属薄膜を被着形成した後、上記斜
面上に成膜された金属磁性薄膜の端面が磁気ギャップ形
成面として露出するまで該金属磁性薄膜を平面研磨する
工程と、上記第１の斜面及び第２の斜面に近接してトラ
ック幅を規制するための第３の溝を形成する工程とによ
りヘッドコアブロックを作製し、第１の斜面上の金属磁
性薄膜と第２の斜面上の金属磁性薄膜の端面同士を相対
向させてヘッドコアブロック同士を接合した後、ヘッド
チップに切り出すことを特徴とする磁気ヘッドの製造方
法。