JPH05242417A

JPH05242417A - 複合型磁気ヘッド

Info

Publication number: JPH05242417A
Application number: JP7573292A
Authority: JP
Inventors: Yoshito Ikeda; 義人池田; Mineo Yorizumi; 美根生頼住
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1992-02-28
Filing date: 1992-02-28
Publication date: 1993-09-21

Abstract

(57)【要約】【構成】一対の磁気コア半体５８，５９及び６７，６
８が突き合わされて閉磁路を構成してなる一対の磁気ヘ
ッド５６，５７を相対向して隣接配置した複合型磁気ヘ
ッドにおいて、上記一対の磁気ヘッド５６，５７の相対
向する側の各磁気コア半体５９，６８が、それぞれ金属
磁性薄膜６４，７３をその膜厚方向より非磁性材料から
なる基板６５，７５と、非磁性材料とフェライトからな
る複合基板６６，７４とで挾み込んで構成し、上記各磁
気コア半体５９，６８の複合基板６６，７４を、相対向
しないように上記金属磁性薄膜６４，７３を挾んで反対
側に配置した。【効果】隣接クロストークの低減を図ることができ、
再生効率を大幅に向上させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えばディジタルビデ
オテープレコーダ等に使用して有用な複合型磁気ヘッド
に関する。

【０００２】

【従来の技術】磁気記録において大量のデータを一時に
記録再生する場合には、例えば図４０に示すように、互
いに異なるアジマス角とされた磁気ギャップｇ₁，ｇ₂
を有した一対の磁気ヘッド５０１，５０２を、同図中矢
印Ｘ方向で示すヘッド走行方向に所定の間隔で隣接配置
し、これら磁気ヘッド５０１，５０２で図４１に示す磁
気テープ５０３の記録トラックに同時に記録再生する方
法が有効である。この場合、２つの磁気ヘッド５０１，
５０２のヘッド走行方向における磁気ギャップｇ₁，ｇ
₂のギャップ間距離ＧＬは、長時間記録再生及びアフタ
ーレコーディグを考慮すると、なるべく小さい方がよ
い。

【０００３】ところが、上記磁気ヘッド５０１，５０２
のギャップ間距離ＧＬを小さくすると、磁路を構成する
フェライト等からなる磁気コア５０４，５０５及び５０
６，５０７のうち相対向する磁気コア５０５，５０７の
対向距離Ｌが近接するために、当該磁気ヘッド５０１，
５０２間の隣接クロストークが大きくなってしまう。す
なわち、これら磁気ヘッド５０１，５０２が近づくこと
によって、一方の磁気ギャップｇ₁から発生した磁束が
他方の磁気ギャップｇ₂に入り込み、当該他方の磁気ギ
ャップｇ₂の記録再生信号と相互干渉（クロストーク）
を起こすことになる。その結果、記録再生信号が劣化
し、良好な記録再生が行えなくなることになる。また、
相対向する磁気コア５０５，５０７のコア幅が狭くなる
ため、コア断面積が確保できなくなり、再生効率が低下
する。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】そこで本発明は、かか
る従来の技術的な課題に鑑みて提案されたものであっ
て、隣接クロストークの低減が図れる再生効率に優れた
複合型磁気ヘッドを提供することを目的とするととも
に、幅狭の磁気テープに対して高記録密度でディジタル
画像信号の長時間記録再生が行える複合型磁気ヘッドを
提供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明は、一対の磁気コア半体が突き合わされて
閉磁路を構成してなる一対の磁気ヘッドを相対向して隣
接配置した複合型磁気ヘッドにおいて、上記一対の磁気
ヘッドの相対向する側の各磁気コア半体が、それぞれ金
属磁性薄膜をその膜厚方向より非磁性材料からなる基板
と、非磁性材料とフェライトからなる複合基板とで挾み
込んで構成されてなり、上記各磁気コア半体の非磁性材
料とフェライトからなる複合基板が、相対向しないよう
に上記金属磁性薄膜を挾んで反対側に配置されているこ
とを特徴とするものである。

【０００６】また、本発明は、上述の複合型磁気ヘッド
において、フェライトをＮｉ−Ｚｎフェライトとするこ
とを特徴とするものである。

【０００７】

【作用】本発明に係る複合型磁気ヘッドにおいては、相
対向して隣接配置した一対の磁気ヘッドの互いに対向す
る各磁気コア半体が金属磁性薄膜とフェライト及び非磁
性材料とからなるコア材料で構成され、且つその相対向
する磁気コア半体のフェライトが対向しないように金属
磁性薄膜を挾んで反対側に配置されているため、フェラ
イト同士の対向間距離の増大によって、これら磁気ヘッ
ドの隣接クロストークが低減するとともに、コア断面積
の確保が図れる。したがって、本発明の複合型磁気ヘッ
ドによれば、大幅に再生効率が向上し、信号ノイズ比
（Ｃ／Ｓ比）が高まる。

【０００８】また、フェライトにＮｉ−Ｚｎフェライト
を用いれば、該Ｎｉ−Ｚｎフェライトは高周波数領域に
おいて透磁率が高いので、高い再生効率が得られる。

【０００９】

【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて図面を参照しながら詳細に説明する。実施例１本実施例は、記録情報量を再生歪みの少ない形で圧縮
し、例えばヘッドのトラック幅を８μｍ以下とし記録波
長０．５μｍで５×１０⁵ｂｉｔ／ｍｍ²以上の高記録
密度を持って、ビットエラーレートの少ない形でテープ
幅８ｍｍ以下の幅狭の磁気テープに対して互いに異なる
向きのアジマス角を有する一対の磁気ヘッドを相対向し
て隣接配置した複合型磁気ヘッドにより、ディジタル画
像信号の長時間記録再生を可能とした例である。

【００１０】先ず、記録情報量を再生歪みの少ない形で
圧縮する方法について図面を参照しながら説明する。こ
の方法は、入力ディジタル画像信号を複数の画素データ
からなるブロック単位のデータに変換してブロック化
し、該ブロック化されたデータをブロック単位に圧縮符
号化し、該圧縮符号化されたデータをチャンネル符号化
し、該チャンネル符号化されたデータを回転ドラムに装
着された本実施例の磁気ヘッドによって磁気テープに記
録するものである。以下、記録側の構成と再生側の構成
とに分けて説明する。

【００１１】図１は記録側の構成全体を示すものであ
り、１Ｙ、１Ｕ、１Ｖでそれぞれ示す入力端子に、例え
ばカラービデオカメラからの三原色信号Ｒ，Ｇ，Ｂから
形成されたディジタル輝度信号Ｙ、ディジタル色差信号
Ｕ、Ｖが供給される。この場合、各信号のクロックレー
トはＤ１フォーマットの各コンポーネント信号の周波数
と同一とされる。すなわち、それぞれのサンプリング周
波数が１３．５ＭＨｚ、６．７５ＭＨｚとされ、且つこ
れらの１サンプル当たりのビット数が８ビットとされて
いる。したがって、入力端子１Ｙ、１Ｕ、１Ｖに供給さ
れる信号のデータ量としては、約２１６Ｍｂｐｓとな
る。この信号のうちブランキング時間のデータを除去
し、有効領域の情報のみを取り出す有効情報抽出回路２
によってデータ量が約１６７Ｍｂｐｓに圧縮される。

【００１２】有効情報抽出回路２の出力のうちの輝度信
号Ｙが周波数変換回路３に供給され、サンプリング周波
数が１３．５ＭＨｚからその３／４に変換される。この
周波数変換回路３としては、例えば間引きフィルタが使
用され、折り返し歪みが生じないようになされている。
周波数変換回路３の出力信号がブロック化回路５に供給
され、輝度データの順序がブロックの順序に変換され
る。ブロック化回路５は、後段に設けられたブロック符
号化回路８のために設けられている。

【００１３】図３は、符号化の単位のブロックの構造を
示す。この例は、３次元ブロックであって、例えば２フ
レームに跨がる画面を分割することにより、同図に示す
ように（４ライン×４画素×２フレーム）の単位ブロッ
クが多数形成される。なお、図３において実線は奇数フ
ィールドのラインを示し、破線は偶数フィールドのライ
ンを示す。

【００１４】また、有効情報抽出回路２の出力のうち、
２つの色差信号Ｕ、Ｖがサブサンプリング及びサブライ
ン回路４に供給され、サンプリング周波数がそれぞれ
６．７５ＭＨｚからその半分に変換された後、２つのデ
ィジタル色差信号が互いにライン毎に選択され、１チャ
ンネルのデータに合成される。したがって、このサブサ
ンプリング及びサブライン回路４からは線順次化された
ディジタル色差信号が得られる。このサブサンプリング
及びサブライン回路４によってサブサンプル及びサブラ
イン化された信号の画素構成を図４に示す。図４中、○
は第１の色差信号Ｕのサブサンプリング画素を示し、△
は第２の色素信号Ｖのサンプリング画素を示し、×はサ
ブサンプルによって間引かれた画素の位置を示す。

【００１５】サブサンプリング及びサブライン回路４の
線順次化出力信号がブロック化回路６に供給される。ブ
ロック化回路６では一方のブロック化回路５と同様に、
テレビジョン信号の走査の順序の色差データがブロック
の順序のデータに変換される。このブロック化回路６
は、一方のブロック化回路５と同様に、色差データを
（４ライン×４画素×２フレーム）のブロック構造に変
換する。そしてこれらブロック化回路５及びブロック化
回路６の出力信号が合成回路７に供給される。

【００１６】合成回路７では、ブロックの順序に変換さ
れた輝度信号及び色差信号が１チャンネルのデータに変
換され、合成回路７の出力信号がブロック符号化回路８
に供給される。このブロック符号化回路８としては、後
述するようにブロック毎のダイナミックレンジに適応し
た符号化回路（ＡＤＲＣと称する。）、ＤＣＴ（Ｄｉｓ
ｃｒｅｔｅＣｏｓｉｎｅＴｒａｎｓｆｏｒｍ）回路
等が適用できる。ブロック符号化回路８の出力信号がフ
レーム化回路９に供給され、フレーム構造のデータに変
換される。このフレーム化回路９では、画素系のクロッ
クと記録系のクロックとの乗り換えが行われる。

【００１７】フレーム化回路９の出力信号がエラー訂正
符号のパリティ発生回路１０に供給され、エラー訂正符
号のパリティが生成される。パリティ発生回路１０の出
力信号がチャンネルエンコーダ１１に供給され、記録デ
ータの低域部分を減少させるようなチャンネルコーディ
ングがなされる。チャンネルエンコーダ１１の出力信号
が記録アンプ１２Ａ，１２Ｂと回転トランス（図示は省
略する。）を介して一対の磁気ヘッドチップ１３Ａ，１
３Ｂに供給され、磁気テープに記録される。なお、オー
ディオ信号と、ビデオ信号とは別に圧縮符号化され、チ
ャンネルエンコーダ１１に供給される。

【００１８】上述の信号処理によって、入力のデータ量
２１６Ｍｂｐｓが有効走査期間のみを抽出することによ
って約１６７Ｍｂｐｓに低減され、さらに周波数変換と
サブサンプル、サブラインとによってこれが８４Ｍｂｐ
ｓに減少される。このデータは、ブロック符号化回路８
で圧縮符号化することにより、約２５Ｍｂｐｓに圧縮さ
れ、その後のパリティ、オーディオ信号等の付加的な情
報を加えて、記録データ量としては３１．５６Ｍｂｐｓ
となる。

【００１９】次に、再生側の構成について図２を参照し
ながら説明する。図２において磁気ヘッドチップ１３
Ａ，１３Ｂからの再生データが回転トランス及び再生ア
ンプ１４Ａ，１４Ｂを介してチャンネルデコーダ１５に
供給される。チャンネルデコーダ１５において、チャン
ネルコーディングの復調がされ、チャンネルデコーダ１
５の出力信号がＴＢＣ回路（時間軸補正回路）１６に供
給される。このＴＢＣ回路１６において、再生信号の時
間軸変動成分が除去される。ＴＢＣ回路１６からの再生
データがＥＣＣ回路１７に供給され、エラー訂正符号を
用いたエラー訂正とエラー修整とが行われる。ＥＣＣ回
路１７の出力信号がフレーム分解回路１８に供給され
る。

【００２０】フレーム分解回路１８によって、ブロック
符号化データの各成分がそれぞれ分離されるとともに、
記録系のクロックから画素系のクロックへの乗り換えが
なされる。フレーム分解回路１８で分離された各データ
がブロック複号回路１９に供給され、各ブロック単位に
原データと対応する復元データが複号され、複号データ
が分配回路２０に供給される。この分配回路２０で複号
データが輝度信号と色差信号に分離される。輝度信号及
び色差信号がブロック分解回路２１，２２にそれぞれ供
給される。ブロック分解回路２１，２２は、送信側のブ
ロック化回路５，６とは逆に、ブロックの順序の複号デ
ータをラスター走査の順に変換する。

【００２１】ブロック分解回路２１からの複号輝度信号
が補間フィルタ２３に供給される。補間フィルタ２３で
は、輝度信号のサンプリングレートが３ｆｓから４ｆｓ
（４ｆｓ＝１３．５ＭＨｚ）に変換される。補間フィル
タ２３からのディジタル輝度信号Ｙは出力端子２６Ｙに
取り出される。

【００２２】一方、ブロック分解回路２２からのディジ
タル色差信号が分配回路２４に供給され、線順次化され
たディジタル色差信号Ｕ，Ｖがディジタル色差信号Ｕ及
びＶにそれぞれ分離される。分配回路２４からのディジ
タル色差信号Ｕ，Ｖが補間回路２５に供給され、それぞ
れ補間される。補間回路２５は、復元された画素データ
を用いて間引かれたライン及び画素のデータを補間する
もので、補間回路２５からはサンプリングレートが２ｆ
ｓのディジタル色差信号Ｕ及びＶが得られ、出力端子２
６Ｕ，２６Ｖにそれぞれ取り出される。

【００２３】ところで上述のブロック符号化回路８とし
ては、ＡＤＲＣ（ＡｄａｐｔｉｖｅＤｙｎａｍｉｃＲ
ａｎｇｅＣｏｄｉｎｇ）エンコーダが用いられる。こ
のＡＤＲＣエンコーダは、各ブロックに含まれる複数の
画素データの最大値ＭＡＸと最小値ＭＩＮを検出し、こ
れら最大値ＭＡＸ及び最小値ＭＩＮからブロックのダイ
ナミックレンジＤＲを検出し、このダイナミックレンジ
ＤＲに適応した符号化を行い、原画素データのビット数
よりも少ないビット数により、再量子化を行うものであ
る。ブロック符号化回路８の他の例としては、各ブロッ
クの画素データをＤＣＴ（ＤｉｓｃｒｅｔｅＣｏｓｉ
ｎｅＴｒａｎｓｔｏｒｍ）した後、このＤＣＴで得ら
れた係数データを量子化し、量子化データをランレング
ス・ハフマン符号化して圧縮符号化する構成を用いても
よい。

【００２４】ここでは、ＡＤＲＣエンコーダを用い、さ
らにマルチダビングした時にも画質劣化が生じないエン
コーダの例を図５を参照しながら説明する。図５におい
て、入力端子２７に例えば１サンプルが８ビットに量子
化されたディジタルビデオ信号（或いはディジタル色差
信号）が図１の合成回路７より入力される。入力端子２
７からのブロック化データが最大値，最小値検出回路２
９及び遅延回路３０に供給される。最大値，最小値検出
回路２９は、ブロック毎に最小値ＭＩＮ、最大値ＭＡＸ
を検出する。遅延回路３０からは、最大値及び最小値が
検出されるのに要する時間、入力データを遅延させる。
遅延回路３０からの画素データが比較回路３１及び比較
回路３２に供給される。

【００２５】最大値，最小値検出回路２９からの最大値
ＭＡＸが減算回路３３に供給され、最小値ＭＩＮが加算
回路３４に供給される。これらの減算回路３３及び加算
回路３４には、ビットシフト回路３５から４ビット固定
長でノンエッジマッチング量子化した場合の１量子化ス
テップ幅の値（△＝１／１６ＤＲ）が供給される。ビッ
トシフト回路３５は、（１／１６）の割算を行うよう
に、ダイナミックレンジＤＲを４ビットシフトする構成
とされている。減算回路３３からは（ＭＡＸ−△）のし
きい値が得られ、加算回路３４からは（ＭＩＮ＋△）の
しきい値が得られる。これらの減算回路３３及び加算回
路３４からのしきい値が比較回路３１，３２にそれぞれ
供給される。なお、このしきい値を規定する値△は、量
子化ステップ幅に限らず、ノイズレベルに相当する固定
値としてもよい。

【００２６】比較回路３１の出力信号がＡＮＤゲート３
６に供給され、比較回路３２の出力信号がＡＮＤゲート
３７に供給される。ＡＮＤゲート３６及びＡＮＤゲート
３７には、遅延回路３０からの入力データが供給され
る。比較回路３１の出力信号は、入力データがしきい値
より大きい時にハイレベルとなり、したがってＡＮＤゲ
ート３６の出力端子には、（ＭＡＸ〜ＭＡＸ−△）の最
大レベル範囲に含まれる入力データの画素データが抽出
される。一方、比較回路３２の出力信号は、入力データ
がしきい値より小さい時にハイレベルとなり、したがっ
てＡＮＤゲート３７の出力端子には、（ＭＩＮ〜ＭＩＮ
＋△）の最小レベル範囲に含まれる入力データの画素デ
ータが抽出される。

【００２７】ＡＮＤゲート３６の出力信号が平均化回路
３８に供給され、ＡＮＤゲート３７の出力信号が平均化
回路３９に供給される。これらの平均化回路３８，３９
は、ブロック毎に平均値を算出するもので、端子４０か
らブロック周期のリセット信号が平均化回路３８，３９
に供給されている。平均化回路３８からは、（ＭＡＸ〜
ＭＡＸ−△）の最大レベル範囲に属する画素データの平
均値ＭＡＸ´が得られ、平均化回路３９からは（ＭＩＮ
〜ＭＩＮ＋△）の最小レベル範囲に属する画素データの
平均値ＭＩＮ´が得られる。平均値ＭＡＸ´から平均値
ＭＩＮ´が減算回路４１で減算され、減算回路４１から
ダイナミックレンジＤＲ´が得られる。

【００２８】また、平均値ＭＩＮ´が減算回路４２に供
給され、遅延回路４３を介された入力データから平均値
ＭＩＮ´が減算回路４２において減算され、最小値除去
後のデータＰＤＩが形成される。このデータＰＤＩ及び
修整されたダイナミックレンジＤＲ´が量子化回路４４
に供給される。この実施例では、量子化に割り当てられ
るビット数ｎが０ビット（コード信号を転送しない）、
１ビット、２ビット、３ビット、４ビットの何れかとさ
れる可変長のＡＤＲＣであって、エッジマッチング量子
化がなされる。割り当てビット数ｎは、ブロック毎にビ
ット数決定回路４５において決定され、ビット数ｎのデ
ータが量子化回路４４に供給される。

【００２９】可変長ＡＤＲＣは、ダイナミックレンジＤ
Ｒ´が小さいブロックでは、割り当てビット数ｎを少な
くし、ダイナミックレンジＤＲ´が大きいブロックで
は、割り当てビット数ｎを多くすることで、効率の良い
符号化を行うことができる。すなわち、ビット数ｎを決
定する際のしきい値をＴ１〜Ｔ４（Ｔ１＜Ｔ２＜Ｔ３＜
Ｔ４）とすると、（ＤＲ´＜Ｔ１）のブロックは、コー
ド信号が転送されず、ダイナミックレンジＤＲ´の情報
のみが転送され、（Ｔ１≦ＤＲ´＜Ｔ２）のブロック
は、（ｎ＝１）とされ、（Ｔ２≦ＤＲ´＜Ｔ３）のブロ
ックは、（ｎ＝２）とされ、（Ｔ３≦ＤＲ´＜Ｔ４）の
ブロックは、（ｎ＝３）とされ、（ＤＲ´≧Ｔ４）のブ
ロックは、（ｎ＝４）とされる。

【００３０】かかる可変長ＡＤＲＣではしきい値Ｔ１〜
Ｔ４を変えることで、発生情報量を制御すること（いわ
ゆるバッファリング）ができる。したがって、１フィー
ルド或いは、１フレーム当たりの発生情報量を所定値に
することが要求されるこの発明のディジタルビデオテー
プレコーダのような伝送路に対しても可変長ＡＤＲＣを
適用できる。

【００３１】発生情報量を所定値にするためのしきい値
Ｔ１〜Ｔ４を決定するバッファリング回路４６では、し
きい値の組（Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４）が複数例えば３
２組用意されており、これらのしきい値の組がパラメー
タコードＰｉ（ｉ＝０、１、２・・・・３１）により区
別される。パラメータコードＰｉの番号ｉが大きくなる
に従って、発生情報量が単調に減少するように設定され
ている。ただし、発生情報量が減少するに従って、復元
画像の画質が劣化する。

【００３２】バッファリング回路４６からのしきい値Ｔ
１〜Ｔ４が比較回路４７に供給され、遅延回路４８を介
されたダイナミックレンジＤＲ´が比較回路４７に供給
される。遅延回路４８は、バッファリング回路４６でし
きい値の組が決定されるのに要する時間、ＤＲ´を遅延
させる。比較回路４７では、ブロックのダイナミックレ
ンジＤＲ´と各しきい値とがそれぞれ比較され、比較出
力がビット数決定回路４５に供給され、そのブロックの
割り当てビット数ｎが決定される。量子化回路４４で
は、ダイナミックレンジＤＲ´と割り当てビット数ｎと
を用いて遅延回路４９を介された最小値除去後のデータ
ＰＤＩがエッジマッチングの量子化により、コード信号
ＤＴに変換される。量子化回路４４は、例えばＲＯＭで
構成されている。

【００３３】遅延回路４８、５０をそれぞれ介して修整
されたダイナミックレンジＤＲ´、平均値ＭＩＮ´が出
力され、さらにコード信号ＤＴとしきい値の組を示すパ
ラメータコードＰｉが出力される。この例では、一旦ノ
ンエッジマッチ量子化された信号が新たにダイナミック
レンジ情報に基づいて、エッジマッチ量子化されている
ためにダビングした時の画像劣化は少ないものとされ
る。

【００３４】次に、上述のチャンネルエンコーダ１１及
びチャンネルデコーダ１５について説明する。チャンネ
ルエンコーダ１１においては、図６に示すように、パリ
ティ発生回路１０の出力が供給される適応型スクランブ
ル回路で、複数のＭ系列のスクランブル回路５１が用意
され、その中で入力信号に対し最も高周波成分及び直流
成分の少ない出力が得られるようなＭ系列が選択される
ように構成されている。パーシャルレスポンス・クラス
４検出方式のためのプリコーダ５２で、１／１−Ｄ
²（Ｄは単位遅延用回路）の演算処理がなされる。この
プリコーダ５２の出力を記録アンプ１２Ａ，１３Ａを介
して磁気ヘッドチップ１３Ａ，１３Ｂにより、記録再生
し、再生出力を再生アンプ１４Ａ，１４Ｂによって増幅
するようになされている。

【００３５】一方、チャンネルデコーダ１５において
は、図７に示すように、パーシャルレスポンス・クラス
４の再生側の演算処理回路５３は、１＋Ｄの演算が再生
アンプ１４Ａ，１４Ｂの出力に対して行われる。また、
いわゆるビタビ複号回路５４においては、演算処理回路
５３の出力に対してデータの相関性や確からしさ等を用
いた演算により、ノイズに強いデータの複号が行われ
る。このビタビ複号回路５４の出力がディスクランブル
回路５５に供給され、記録側のスクランブル処理によっ
て並び変えられたデータが元の系列に戻されて原データ
が復元される。この実施例において用いられるビタビ複
号回路５４によって、ビット毎の複号を行う場合より
も、再生Ｃ／Ｎ換算が３ｄＢで改良が得られる。

【００３６】次に、上述の方法によってチャンネル符号
化されたデータを磁気テープに記録する本実施例にかか
る複合型磁気ヘッドについて説明する。本実施例の複合
型磁気ヘッドは、図８及び図９に示すように、同一のヘ
ッドベース（図示は省略する。）上に互いに異なるアジ
マス角θ₁，θ₂を有する一対の磁気ヘッド５６，５７
が相対向して隣接配置されることにより構成され、これ
ら磁気ヘッド５６，５７により同時に磁気テープに対し
て記録再生するように構成されている。なお、上記磁気
ヘッド５６，５７は、前述の図１及び図２に示す磁気ヘ
ッドチップ１３Ａ，１３Ｂに相当するものである。

【００３７】先ず、これら磁気ヘッド５６，５７のう
ち、一方の磁気ヘッド５６を例にとって説明する。上記
磁気ヘッド５６は、第１の磁気コア半体５８と第２の磁
気コア半体５９とからなり、これら磁気コア半体５８，
５９が突き合わされて閉磁路を構成するようになってい
る。第１の磁気コア半体５８は、主コアとなる金属磁性
薄膜６０と補助コアとなる一対の磁気コア基板６１，６
２からなり、上記金属磁性薄膜６０をその膜厚方向より
これら一対の磁気コア基板６１，６２で挾み込むことに
より形成されている。上記金属磁性薄膜６０は、高周波
数領域での渦電流損失を回避する目的で、例えばＳｉＯ
₂等からなる薄膜の非磁性絶縁層を介してセンダスト等
よりなる薄膜の金属磁性層を何層にも積層してなる積層
膜構造とされている。本実施例では、金属磁性層を２層
とした。

【００３８】上記金属磁性薄膜６０に用いられる金属磁
性材料としては、高飽和磁束密度を有し且つ軟磁気特性
に優れた強磁性材料が使用される。かかる強磁性材料と
しては、例えば、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金、Ｆｅ−Ａｌ
系合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃｏ系合金、Ｆｅ−Ｎｉ系合金、
Ｆｅ−Ａｌ−Ｇｅ系合金、Ｆｅ−Ｇａ−Ｇｅ系合金、Ｆ
ｅ−Ｓｉ−Ｇｅ系合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｓｉ−Ａｌ系合金
等の強磁性金属材料、或いはＦｅ−Ｇａ−Ｓｉ系合金、
さらには上記Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ系合金の耐蝕性や耐摩耗
性の一層の向上を図るために、Ｆｅ，Ｇａ，Ｃｏ（Ｆｅ
の一部をＣｏで置換したものを含む。），Ｓｉを基本組
成とする合金に、Ｔｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍ
ｏ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｕ，Ｏｓ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｒｅ，Ｎｉ，
Ｐｂ，Ｐｔ，Ｈｆ，Ｖの少なくとも一種を添加したもの
等が挙げられる。

【００３９】また、強磁性非晶質合金、いわゆるアモル
ファス合金（例えば、Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｏの一つ以上の元
素とＰ，Ｃ，Ｂ，Ｓｉの一つ以上の元素とからなる合
金、またはこれを主成分としＡｌ，Ｇｅ，Ｂｅ，Ｓｎ，
Ｉｎ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔｉ，Ｍｎ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｈ，Ｎｂ等
を含んだ合金等のメタル−メタロイド系アモルファス合
金、或いはＣｏ，Ｈｆ，Ｚｒ等の遷移元素や希土類元素
等を主成分とするメタル−メタル系アモルファス合金）
等も使用される。

【００４０】中でも、５×１０⁵ｂｉｔ／ｍｍ²以上の
高記録密度を可能なものとなすことから、特に飽和磁束
密度が１４ｋＧ以上のものがより好適であり、例えば飽
和磁束密度１４．５ｋＧのＦｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ系合
金が好ましい。このような高飽和磁束密度を有する強磁
性材料を使用すれば、高抗磁力の磁気テープに対しても
磁気飽和を生じることなく記録が行える。なお、これら
強磁性材料の膜付け方法としては、真空薄膜形成技術、
例えば蒸着法，スパッタリング法，イオンプレーティン
グ法等が採用できる。

【００４１】一方、磁気コア基板６１，６２は、上記金
属磁性薄膜６０をその膜厚方向よりその全面を覆うに足
る大きさの平板として形成されている。かかる磁気コア
基板６１，６２のうち、一方の磁気コア基板６１は、例
えばセラミックス等の非磁性材料のみからなる非磁性基
板となっている。これに対して他方の磁気コア基板６２
は、非磁性材料とフェライトとを組合わせた複合基板と
なされている。すなわち、かかる磁気コア基板６２は、
磁気ギャップｇ₁が呈する磁気記録媒体摺接面を構成す
るフロントコア部分６２ａが非磁性材料とされ、バック
コア部分６２ｂがフェライトとなっている。本実施例で
は、第１の磁気コア半体５８の対向面に形成されるコイ
ルを巻装するための断面矩形状をなす巻線溝６３の中途
部を境として、非磁性材料とフェライトとに分けた。な
お、図８及び図９中、Ｎは非磁性材料を示し、Ｍはフェ
ライトを示すものとする。

【００４２】一方、第２の磁気コア半体５９も第１の磁
気コア半体５８と同じく、金属磁性薄膜６４と一対の磁
気コア基板６５，６６からなり、上記金属磁性薄膜６４
をその膜厚方向よりこれら一対の磁気コア基板６５，６
６によって挾み込むことにより形成されている。かかる
金属磁性薄膜６４は、やはり先のものと同じく、高周波
数領域での渦電流損失を回避するために、例えばＳｉＯ
₂等からなる薄膜の非磁性絶縁層を介してセンダスト等
よりなる薄膜の金属磁性層を積層してなる積層膜構造と
されている。そして、ここでの磁気コア基板６５，６６
は、長時間記録再生及びアフターレコーディグを考慮し
てそのヘッド走行方向でのコア長さが短くなされている
他は、先の磁気コア基板６１，６２と同様に、一方の磁
気コア基板６５が非磁性基板とされ、他方の磁気コア基
板６６が非磁性材料とフェライトとを組合わせた複合基
板となっている。

【００４３】上記のようにして構成された第１の磁気コ
ア半体５８と第２の磁気コア半体５９とは、相対向する
突合わせ面に呈する金属磁性薄膜６０，６４の端面同士
がギャップ膜（図示は省略する。）を介して突き合わさ
れることによって、これら金属磁性薄膜６０，６４間に
記録再生ギャップとして動作する磁気ギャップｇ₁を構
成している。このときの磁気ギャップｇ₁のトラック幅
Ｔｗ₁は、金属磁性薄膜６０，６４を除く磁気記録媒体
摺接面がいずれも非磁性材料とされていることから、当
該金属磁性薄膜６０，６４の膜厚によって規制されてい
る。つまり、金属磁性薄膜６０，６４の膜厚が上記磁気
ギャップｇ₁のトラック幅Ｔｗ₁となっている。

【００４４】また、上記磁気ギャップｇ₁は、他方の磁
気ヘッド５７からの隣接クロストークを低減するため
に、磁気テープの摺動方向と直交する方向に対して時計
回り方向に所定のアジマス角θ₁を持って設けられてい
る。このときのアジマス角θ₁の角度は、隣接クロスト
ークを考慮して１０度以上とすることが望ましく、本実
施例では２０度とした。また、上記磁気ギャップｇ₁の
トラック幅Ｔｗ₁は、ＡＴＦ（オートトラッキング）の
場合、隣接するトラックの信号を拾いながら記録再生す
るので、磁気テープ上のトラックピッチＰより＋０μｍ
〜＋３μｍ広くすることが望ましい。本実施例では、磁
気テープ上のトラックピッチＰを５μｍとすることか
ら、上記磁気ギャップｇ₁のトラック幅Ｔｗ₁を７μｍ
とした。

【００４５】他方の磁気ヘッド５７も同様の構成で、第
３の磁気コア半体６７と第４の磁気コア半体６８とから
なり、これら磁気コア半体６７，６８が突き合わされて
閉磁路を構成するようになっている。かかる第３の磁気
コア半体６７は、主コアとなる金属磁性薄膜６９と補助
コアとなる一対の磁気コア基板７０，７１からなり、上
記金属磁性薄膜６９をその膜厚方向よりこれら一対の磁
気コア基板７０，７１で挾み込むことにより形成されて
いる。上記金属磁性薄膜６９も先の磁気ヘッド５６と同
様に、ＳｉＯ₂等よりなる薄膜の非磁性絶縁層を介して
センダスト等よりなる薄膜の金属磁性層を何層にも積層
してなる積層膜構造とされている。

【００４６】そして、上記金属磁性薄膜６９を挾み込む
磁気コア基板７０，７１のうち、一方の磁気コア基板７
１は、セラミックス等の非磁性材料のみからなる非磁性
基板とされ、他方の磁気コア基板７０は、非磁性材料と
フェライトとを組合わせた複合基板となされている。か
かる複合基板とされる磁気コア基板７０は、磁気ギャッ
プｇ₂が呈する磁気記録媒体摺接面を構成するフロント
コア部分が非磁性材料とされ、バックコア部分がフェラ
イトとなっている。本実施例では、第３の磁気コア半体
６７の対向面に形成される巻線溝７２の中途部を境とし
て、非磁性材料とフェライトとに分けた。

【００４７】一方、第４の磁気コア半体６８も第３の磁
気コア半体６７と全く同じ構成で、金属磁性薄膜７３と
一対の磁気コア基板７４，７５からなり、上記金属磁性
薄膜７３をその膜厚方向よりこれら一対の磁気コア基板
７４，７５によって挾み込むことにより形成されてい
る。かかる金属磁性薄膜７３は、やはり先のものと同じ
く、高周波数領域での渦電流損失を回避するために、例
えばＳｉＯ₂等からなる薄膜の非磁性絶縁層を介してセ
ンダスト等よりなる薄膜の金属磁性層を積層してなる積
層膜構造とされている。そして、上記磁気コア基板７
４，７５は、長時間記録再生及びアフターレコーディグ
を考慮してそのヘッド走行方向でのコア長さが短くなさ
れている他は、先の磁気コア基板７０，７１と同様に、
一方の磁気コア基板７５が非磁性基板とされ、他方の磁
気コア基板７４が非磁性材料とフェライトとを組合わせ
た複合基板となされている。なお、複合基板とされる他
方の磁気コア基板７４は、フロントコア部分が非磁性材
料とされ、バックコア部分がフェライトとなされてい
る。

【００４８】そして特に本実施例では、相対向して隣接
配置される一対の磁気ヘッド５６，５７における相対向
する側の各磁気コア半体５９，６８の複合基板とされる
磁気コア基板６６，７４が、互いに相対向しないように
金属磁性薄膜６４，７３を挾んで反対側に配置されてい
る。つまり、一方の磁気ヘッド５６の第２の磁気コア半
体５９の複合基板とされる磁気コア基板６６が、これと
相対向する磁気ヘッド５７の第４の磁気コア半体６８の
非磁性基板とされる磁気コア基板７５と相対向するよう
になっている。そして、他方の磁気ヘッド５７の第４の
磁気コア半体６８の複合基板とされる磁気コア基板７４
が、これと相対向する磁気ヘッド５６の第２の磁気コア
半体５９の非磁性基板とされる磁気コア基板６５と相対
向するようになっている。このように、上記一対の磁気
ヘッド５６，５７の対向する側に設けられる磁気コア半
体５９，６８を構成するフェライトが対向しないように
金属磁性薄膜６４，７３を挾んで反対側に配置されてい
るので、これらフェライト間距離の増大によって、近接
配置される互いの磁気ヘッド５６，５７からの隣接クロ
ストークが大幅に低減する。また、本例のように、互い
の磁気ヘッド５６，５７の対向面を構成する磁気コア材
が非磁性材料とフェライトからなるため、磁気コア断面
積が確保され、再生効率の低下が生じない。なお、対向
面を構成する磁気コアが全て非磁性材料である場合に
は、再生効率が悪くなる。

【００４９】上記のようにして構成された第３の磁気コ
ア半体６７と第４の磁気コア半体６８とは、相対向する
突合わせ面に呈する金属磁性薄膜６９，７３の端面同士
がギャップ膜（図示は省略する。）を介して突き合わさ
れることによって、これら金属磁性薄膜６９，７３間に
記録再生ギャップとして動作する磁気ギャップｇ₂を構
成している。このときの磁気ギャップｇ₂のトラック幅
Ｔｗ₂は、金属磁性薄膜６９，７３を除く磁気記録媒体
摺接面が同様にいずれも非磁性材料とされていることか
ら、当該金属磁性薄膜６９，７３の膜厚によって規制さ
れている。つまり、金属磁性薄膜６９，７３の膜厚が上
記磁気ギャップｇ₂のトラック幅Ｔｗ₂となっている。

【００５０】また、上記磁気ギャップｇ₂は、先の磁気
ヘッド５６からの隣接クロストークを低減するために、
磁気テープの摺動方向と直交する方向に対して反時計回
り方向に所定のアジマス角θ₂を持って設けられてい
る。このときのアジマス角θ₂の角度は、隣接クロスト
ークを考慮して１０度以上とすることが望ましく、本実
施例では２０度した。また、ここでの磁気ギャップｇ₂
のトラック幅Ｔｗ₁は、やはり先の磁気ヘッド５６と同
様の観点から、磁気テープ上のトラックピッチＰより＋
０μｍ〜＋３μｍ広くすることが望ましい。本実施例で
は、上記磁気ギャップｇ₂のトラック幅Ｔｗ₁を７μｍ
とした。

【００５１】そして、上述のように構成された一対の磁
気ヘッド５６，５７は、互いの傾斜された対向面５６
ａ，５７ａを突合わせる形で同一のヘッドベース上に隣
接配置されて、いわゆるダブルアジマスと称される複合
型磁気ヘッドとなる。これら磁気ヘッド５６，５７は、
図９中矢印Ｙで示すトラックピッチ方向に、これら磁気
ヘッド５６，５７によって記録される図１０で示す磁気
テープ７６上のトラックピッチＰと等し段差ＤＡを持っ
て設けられている。なお、ここに言う段差ＤＡは、トラ
ックピッチ方向における各磁気ヘッド５６，５７の磁気
ギャップｇ₁，ｇ₂のトラック幅方向でのヘッドベース
側の端部間距離を指す。また、ここでの段差ＤＡは、磁
気テープ７６上のトラックピッチＰを５μｍ以下とする
ことから、これに合わせて上記段差ＤＡを５μｍ以下と
する。本実施例では、トラックピッチＰを５μｍとする
ので、上記段差ＤＡをこれに合わせて５μｍとした。

【００５２】そしてさらに、これら磁気ヘッド５６，５
７は、図９中矢印Ｘで示すヘッド走行方向に磁気テープ
７６上の各記録トラック７７，７８の画像信号領域７７
ａ，７８ａと第１及び第２の音声信号領域７７ｂ，７７
ｃ，７８ｂ，７８ｃの間に配されるインターブロックギ
ャップ領域７７ｄ，７７ｅ，７８ｄ，７８ｅの長さＬと
トラック間段差Ｄの距離との和より短いギャップ間距離
ＧＬを持って設けられている。インターブロックギャッ
プ領域７７ｄ，７７ｅ，７８ｄ，７８ｅとは、画像信号
領域７７ａ，７８ａと、アフターレコーディグが可能な
第１及び第２の音声信号領域７７ｂ，７７ｃ，７８ｂ，
７８ｃとに挟まれたアフターレコーディグが可能な又は
不可能な、或いは映像信号等が記録されていない領域を
いう。なお、ここに言うギャップ間距離ＧＬは、ヘッド
走行方向における各磁気ヘッド５６，５７の磁気ギャッ
プｇ₁，ｇ₂のトラック幅Ｔｗ₁，Ｔｗ₂のセンター間
距離を指す。

【００５３】また、ここでのギャップ間距離ＧＬは、ア
フターレコーディグを考慮して設定され、例えばインタ
ーブロックギャップ領域７７ｄ，７７ｅ，７８ｄ，７８
ｅの長さＬが２５０μｍである場合には、約２００μｍ
とされる。また、上記ギャップ間距離ＧＬは、長時間記
録再生の観点から画像信号領域７７ａ，７８ａの確保と
ヘッド効率の観点から相対向する磁気コア半体５９，６
８のコア断面積の確保とを考慮して決められる。

【００５４】このように構成されてなる磁気ヘッドにお
いては、上記ヘッドベース毎回転ドラムに取付けられ
る。そして、上記回転ドラムが回転走査され、当該回転
ドラムの周面に沿って相対的に移送する磁気テープ７６
上に上記複合型磁気ヘッドによって図１０に示す如く記
録パターンが形成される。このとき、本例では、同一の
ヘッドベース上に配した一対の磁気ヘッド５６，５７を
ヘッド走行方向に画像信号領域７７ａ，７８ａと音声信
号領域７７ｂ，７７ｃ，７８ｂ，７８ｃの間に配される
インターブロックギャップ領域７７ｄ，７７ｅ，７８
ｄ，７８ｅの長さＬとトラック間段差Ｄの距離との和よ
り短いギャップ間距離ＧＬを持って設けているので、ア
フターレコーディグを良好に行うことができる。

【００５５】すなわち、先行する磁気ヘッド５６の磁気
ギャップｇ₁が第１の音声信号領域７７ｂに到達したと
きには、他方の磁気ヘッドチップ５７の磁気ギャップｇ
₂は画像信号領域７８ａと第１の音声信号領域７８ｂ間
に設けられるインターブロックギャップ領域７８ｄ内に
あることになり、この状態で音声信号の記録状態に入れ
ば、音声信号のアフターレコーディグを行う際の画像の
乱れを防止することができる。したがって、アフターレ
コーディグを良好に行うことが可能となる。なお、第１
の音声信号領域７７ｂ，７８ｂにはアフターレコーディ
グを行わず、第２の音声信号領域７７ｃ，７８ｃにのみ
アフターレコーディグする場合は、この第１の音声信号
領域７７ｂ，７８ｂがインターブロックギャップ領域と
なる。

【００５６】この他、上記ギャップ間距離ＧＬを上記磁
気テープ７６上のトラック間段差Ｄと同じ寸法とするこ
とによっても、同様にアフターレコーディグを良好に行
うことができる。

【００５７】またさらに、本実施例の磁気ヘッドでは、
同一のヘッドベース上に隣接配置した２つの磁気ヘッド
５６，５７によって上記磁気テープ７６に対して同時に
記録再生を行うので、テープ幅８ｍｍ以下とした磁気テ
ープ７６に対して記録密度５×１０⁵ｂｉｔ／ｍｍ²以
上で記録再生しても、異常トラックパターンによるビッ
トエラーレートが高くなることなくディジタル画像信号
の長時間記録再生が可能となる。

【００５８】例えば、互いにアジマス角の異なる２つの
磁気ヘッドを回転ドラムに１８０度相対向して配置し、
同様にして記録密度５×１０⁵ｂｉｔ／ｍｍ²で８ｍｍ
幅の磁気テープ７６に対して記録再生した場合には、回
転ドラムの偏心等により先行する磁気ヘッドチップによ
って記録された信号が、後続の磁気ヘッドチップにより
その一部が消去されるという異常トラックパターンが発
生する。したがって、消去されずに残る信号量に比べて
消去される信号量の割合が大きくなり、十分な再生出力
が得られずにビットエラーレートが非常に高くなってし
まう。本実施例によれば、同一のヘッドベース上に２つ
の磁気ヘッド５６，５７が配置されていることから、回
転ドラムの偏心等があってもこれら磁気ヘッド５６，５
７で記録される記録トラック７７，７８は共に同一方向
に傾き、他方の記録トラックに必要以上オーバーラップ
するようなことがない。したがって、十分な再生出力が
得られ、ビットエラーレートが高くならない。

【００５９】ところで、上述の複合型磁気ヘッドを作製
するには、以下のようにして行う。先ず、図１１に示す
ように、平板状をなす非磁性材料よりなる非磁性基板７
９とＭｎ−Ｚｎフェライトよりなるフェライト基板８０
を複数用意する。そしてこれら非磁性基板７９とフェラ
イト基板８０の両面に順次、Ｃｒよりなる膜とＡｕより
なる膜をそれぞれ積層する形で成膜する。

【００６０】上記Ｃｒ膜とＡｕ膜よりなる積層膜８１
は、上記非磁性基板７９とフェライト基板８０とを接合
するためのものである。ここでのＣｒ膜とＡｕ膜の膜厚
は、通常数百Å〜数千Åの範囲とされ、本例ではその膜
厚はいずれも５００Åとした。なお、最上ブロックられ
る非磁性基板７９の上端面７９ａには、上記積層膜８１
は成膜しない。

【００６１】次に、図１２に示すように、上記非磁性基
板７９とフェライト基板８０とを互いの積層膜８１を突
合わせ面として交互に重ね合わせ、これら積層体に２５
ｋｇｆ／ｃｍ²程度の圧力を加えて２００〜３００℃程
度の低温で熱処理する。なお、このときの熱処理雰囲気
は、これら非磁性基板７９とフェライト基板８０との接
合強度をより高めるためにその真空度を１０^-5Ｔｏｏｒ
程度とする。

【００６２】この結果、これら非磁性基板７９とフェラ
イト基板８０とは、上記Ａｕ同士の低温熱拡散によって
接合される。上記Ａｕを用いた低温熱拡散接合は、高融
点ガラスの融着温度（５５０℃）に比較してかなり低温
であるため、特にフェライトが高温加熱による熱膨張に
起因する歪みの影響を受けない。したがって、フェライ
トの持つ磁気特性が劣化するようなことがない。また、
このＡｕによる低温熱拡散は、低温であるにも拘わらず
接合強度は高く、以後の磁気ヘッドの作製加工にも十分
耐え得るものである。

【００６３】次に、上記接合基板に対して図１２中線ａ
−ａ及び線ｂ−ｂで示す位置でスライシング加工を施
し、図１３に示す非磁性材料とフェライトとが交互に積
層された平板状の複合基板８２を作製する。次いで、上
記複合基板８２の一主面上にセンダストよりなる薄膜の
金属磁性層８３を形成した後、ＳｉＯ₂よりなる非磁性
絶縁層８４を積層し、さらにこの上にセンダストよりな
る薄膜の金属磁性層８５を形成する。

【００６４】この結果、図１４に示すように、非磁性絶
縁層８４を一対の金属磁性層８３，８５でサンドイッチ
してなる積層型の金属磁性薄膜８６が形成される。

【００６５】次に、上記金属磁性薄膜８６上と、この金
属磁性薄膜８６が形成されていない複合基板８２の裏面
に、それぞれＣｒとＡｕよりなる積層膜８７を形成す
る。次いで、図１５に示すように、上記複合基板８２と
略同サイズの非磁性材料からなる非磁性基板８８を作製
し、この基板８２の両面にそれぞれＣｒとＡｕよりなる
積層膜８９を形成する。

【００６６】そして、上記複合基板８２と非磁性基板８
８とを、図１６に示すように、交互に重ね合わせ、上記
積層膜８７，８９同士の低温熱拡散によって接合一体化
する。

【００６７】次に、上記接合ブロックに対して図１６中
線ｃ−ｃ及び線ｄ−ｄで示す位置でアジマス角だけ傾け
てスライシング加工を施し、図１７に示すような磁気コ
ア半体基板９０を作製する。次いで、上記磁気コア半体
基板９０に対してコイルを巻装するための巻線溝９１と
ガラス溝９２を、作製するヘッド数に応じて上記金属磁
性薄膜８６と直交する方向に形成する。

【００６８】巻線溝９１は、断面略コ字状の溝として形
成し、磁気ギャップのデプスを規制する役目をする傾斜
面９１ａが非磁性基板７９とフェライト基板８０とに跨
がるようにして形成する。つまり、上記巻線溝９１の傾
斜面９１ａの中途部に非磁性基板７９とフェライト基板
８０の界面がくるように、上記巻線溝９１を形成する。
一方、ガラス溝９２は、上記非磁性基板７９とフェライ
ト基板８０の界面をセンターとして断面コ字状をなす溝
として形成する。

【００６９】次に、巻線溝９１及びガラス溝９２が形成
された磁気コア半体基板９０の磁気ギャップ形成面とな
る面を鏡面研磨した後、当該磁気コア半体基板９０を図
１８に示すようにブロック毎に切断する。そして、この
ブロック切断された磁気コア半体ブロック９３の磁気ギ
ャップ形成面となる面に、ギャップ膜としてＳｉＯ₂膜
（図示は省略する。）をスパッタリングによって形成す
る。上記ＳｉＯ₂膜は、その膜厚がギャップ長の約半分
となるようにする。

【００７０】次に、上述のようにして形成した磁気コア
半体ブロック９３と、巻線溝９１及びガラス溝９２を形
成していない磁気コア半体ブロック９４とを、図１９に
示すように、互いの非磁性基板７９，７９同士を相対向
させるようにしてトラック位置合わせしながら突き合わ
せる。

【００７１】次いで、上記巻線溝９１とガラス溝９２内
に丸棒状をなすガラス棒を挿入し、これを溶融する。こ
の結果、上記一対の磁気コア半体ブロック９３，９４同
士は、融着ガラス９５によって接合一体化される。そし
て、この接合一体化された磁気コア半体ブロック９３，
９４より所定のヘッドチップ形状に切り出すことによ
り、前述した磁気ヘッド５６，５７が作製される。その
後、これら磁気ヘッド５６，５７を前述した条件で同一
のヘッドベース上に隣接配置すれば、本実施例の複合型
磁気ヘッドが完成する。

【００７２】実施例２この実施例２の複合型磁気ヘッドは、先の実施例１にお
ける磁気ヘッド５６，５７の相対向する側の第２の磁気
コア半体５９と第４の磁気コア半体６８を構成するそれ
ぞれの磁気コア基板６５，６６及び７４，７５を、金属
磁性薄膜６４，７３を挾んで入れ替えたものである。な
お、この実施例２の各磁気ヘッド５６，５７において
は、先の実施例１の磁気ヘッド５６，５７と同一部材に
ついては同一の符号を付し、その説明は省略するものと
する。

【００７３】上記一方の磁気ヘッド５６においては、第
１の磁気コア半体５８を構成する非磁性材料とフェライ
トからなる磁気コア基板６２に対して非磁性材料のみか
らなる磁気コア基板６５が配置され、第１の磁気コア半
体５８を構成する非磁性材料のみからなる磁気コア基板
６１に対して非磁性材料とフェライトからなる磁気コア
基板６６が配向配置される。同様に、他方の磁気ヘッド
５７においては、第３の磁気コア半体６７を構成する非
磁性材料のみからなる磁気コア基板７１に対して非磁性
材料とフェライトからなる磁気コア基板７４が配置さ
れ、第３の磁気コア半体６７を構成する非磁性材料とフ
ェライトからなる磁気コア基板７０に対して非磁性材料
のみからなる磁気コア基板７５が対向配置される。

【００７４】この実施例２の複合型磁気ヘッドにおいて
は、先の実施例１の複合型磁気ヘッドと同様に、非磁性
材料とフェライトよりなる複合基板たる磁気コア基板６
６，７４が相対向しないように上記金属磁性薄膜６４，
７３を挾んで反対側に配置される構成となるので、隣接
クロストークを低減することができ、しかもコア断面積
を確保することができる。したがって、高抗磁力磁気記
録媒体に対しても十分に記録再生でき、再生効率の低下
が生じない。

【００７５】なお、この実施例２の磁気ヘッド５６，５
７を作製するには、前述した実施例１の磁気ヘッド５
６，５７の作製工程のうち、図１９に示す一対の磁気コ
ア半体ブロック９３，９４同士のトラック位置合わせ工
程において、非磁性基板７９とフェライト基板８０から
なる複合基板が、非磁性材料のみからなる非磁性基板８
８と対向するようにすればよい。

【００７６】実施例３実施例３の複合型磁気ヘッドは、実施例２における各磁
気ヘッド５６，５７の巻線溝６３，７２が設けられる第
１の磁気コア半体５８と第３の磁気コア半体６７を構成
するそれぞれの磁気コア基板６１，６２及び７０，７１
を、いずれも非磁性材料とフェライトからなる複合基板
としたものである。このように、一方の磁気コア半体５
８，６７を構成する磁気コア基板６２，７０をいずれも
非磁性材料とフェライトからなる複合基板とすれば、先
の実施例１及び実施例２に示す各磁気ヘッド５６，５７
におけるコア断面積がより一層増大することになるの
で、当該磁気ヘッド５６，５７の磁気特性の大幅な向上
が期待できる。

【００７７】上述の構成とされる複合型磁気ヘッドを作
製するには、以下の工程に従って行う。先ず、実施例１
の複合型磁気ヘッドを作製する工程の途中で作製した図
１４に示す複合基板８２，すなわち金属磁性薄膜８６上
及びこの金属磁性薄膜８６が形成されていない裏面にＣ
ｒとＡｕよりなる積層膜８７をそれぞれ形成した複合基
板８２を、図２２に示すように、その積層膜８７同士を
突合わせ面として重ね合わせる。

【００７８】そして、これら積層膜８７のＡｕ同士の低
温熱拡散により、上記複数の複合基板８２同士を接合一
体化する。

【００７９】次に、上記接合ブロックに対して図２２中
線ｅ−ｅ及び線ｆ−ｆで示す位置でアジマス角だけ傾け
てスライシング加工を施し、図２３に示すような磁気コ
ア半体基板９６を作製する。次いで、上記磁気コア半体
基板９６に対してコイルを巻装するための巻線溝９１と
ガラス溝９２を、作製するヘッド数に応じて上記金属磁
性薄膜８６と直交する方向に形成する。

【００８０】ここで形成する巻線溝９１は、先の実施例
１と同様に断面略コ字状の溝として形成し、磁気ギャッ
プのデプスを規制する傾斜面９１ａが非磁性基板７９と
フェライト基板８０とに跨がるようにして形成する。つ
まり、上記巻線溝９１の傾斜面９１ａの中途部に非磁性
基板７９とフェライト基板８０の界面がくるように、上
記巻線溝９１を形成する。一方、ガラス溝９２は、上記
非磁性基板７９とフェライト基板８０の界面をセンター
として断面コ字状をなす溝として形成する。

【００８１】次に、巻線溝９１及びガラス溝９２が形成
された磁気コア半体基板９６の磁気ギャップ形成面とな
る面を鏡面研磨した後、当該磁気コア半体基板９６を図
２４に示すようにブロック毎に切断する。そして、この
ブロック切断された磁気コア半体ブロック９７の磁気ギ
ャップ形成面となる面に、ギャップ膜としてＳｉＯ₂膜
（図示は省略する。）をスパッタリングによって形成す
る。上記ＳｉＯ₂膜は、その膜厚がギャップ長の約半分
となるようにする。

【００８２】次に、上述のようにして形成した磁気コア
半体ブロック９７と、前述の実施例１で作製した図１９
に示す巻線溝９１及びガラス溝９２を形成していない磁
気コア半体ブロック９４とを、図２５に示すように、ト
ラック位置合わせしながら突き合わせる。

【００８３】次いで、上記巻線溝９１とガラス溝９２内
に丸棒状をなすガラス棒を挿入し、これを溶融する。こ
の結果、上記一対の磁気コア半体ブロック９４，９７同
士は、融着ガラス９５によって接合一体化される。そし
て、この接合一体化された磁気コア半体ブロック９４，
９７に対して円筒研磨を施した後、巻線ガイド溝（図示
は省略する。）を形成する。

【００８４】そして最後に、図２５中線ｇ−ｇ及び線ｈ
−ｈで示す位置でスライシング加工を施してヘッドチッ
プ形状に切り出すことにより、実施例３の磁気ヘッド５
６，５７が作製される。その後、これら磁気ヘッド５
６，５７を前述した条件で同一のヘッドベース上に隣接
配置すれば、本実施例の複合型磁気ヘッドが完成する。

【００８５】実施例４実施例４は、高周波数領域での再生効率を向上させるた
めに、先の実施例１ないし実施例３における各磁気ヘッ
ド５６，５７に用いたフェライトをＮｉ−Ｚｎフェライ
トとした例である。例えば、フェライトにＭｎ−Ｚｎフ
ェライトを使用した場合には、当該Ｍｎ−Ｚｎフェライ
トのうち多結晶フェライトは変調ノイズが大きく、単結
晶フェライトは摺動ノイズが大きいという欠点があり、
さらには比抵抗が数Ωｃｍと小さいので数ＭＨｚでの透
磁率の劣化が大きく、補助コアとしての性能の劣化があ
る。これに対して、Ｎｉ−Ｚｎフェライトは、比抵抗が
〜１０⁹Ωｃｍと大きく、単結晶Ｍｎ−Ｚｎフェライト
に比べて数ＭＨｚ領域で透磁率が高いので、高い再生効
率が得られる。また、多結晶Ｎｉ−Ｚｎフェライトは、
単結晶Ｍｎ−Ｚｎフェライトに比べて摺動ノイズが小さ
く、しかも多結晶フェライトに比べて変調ノイズが小さ
いので、総合的に高いＣ／Ｎが得られる。

【００８６】実際に、Ｍｎ−Ｚｎフェライトを用いたヘ
ッドとＮｉ−Ｚｎフェライトを用いたヘッドを以下の条
件のもとに作製し、これらＭｎ−Ｚｎフェライト及びＮ
ｉ−Ｚｎフェライトの透磁率の周波数依存性について調
べてみた。試作に使用した単結晶Ｍｎ−Ｚｎフェライト
としては、Ｆｅ₂Ｏ₃，ＺｎＯ，ＭｎＯを組成とし、そ
の割合がＦｅ₂Ｏ₃：ＺｎＯ：ＭｎＯ＝５３：１８：２
９（ｍｏｌ％）なるものを使用した。一方、多結晶Ｎｉ
−Ｚｎフェライトには、Ｆｅ₂Ｏ₃，ＺｎＯ，ＮｉＯを
組成とし、その割合がＦｅ₂Ｏ₃：ＺｎＯ：ＮｉＯ＝５
１：３２：１７（ｍｏｌ％）なるものを使用した。ま
た、金属磁性材料には、Ｆｅ−Ｒｕ−Ｇａ−Ｓｉをその
厚みが６μｍとなるように、３００ÅのＳｉＯ₂膜を介
して３層となるように形成した。また、融着ガラスに
は、Ｐｂ系ガラスを用い、５６０℃の融着温度でガラス
融着した。その結果を図２６に示す。

【００８７】図２６からわかるように、多結晶Ｎｉ−Ｚ
ｎフェライトを用いたヘッド（同図中線Ａで示す。）に
おける当該多結晶Ｎｉ−Ｚｎフェライトの透磁率は、単
結晶Ｍｎ−Ｚｎフェライトを用いたヘッド（同図中線Ｂ
で示す。）における当該単結晶Ｍｎ−Ｚｎフェライトの
透磁率に比べて、数ＭＨｚ領域での多結晶Ｎｉ−Ｚｎフ
ェライトの方が高い値を示していることがわかる。この
結果より、フェライトとしてＮｉ−Ｚｎフェライトを用
いれば、高周波数領域での再生効率を大幅に向上させる
ことができる。

【００８８】また、Ｎｉ−Ｚｎフェライトを用いること
によって、テープスピード３．８ｍ／ｓ，７ＭＨｚにお
ける相対出力も大幅に向上した。例えば、実施例１及び
実施例２の磁気ヘッドでは、Ｍｎ−Ｚｎフェライトを用
いた磁気ヘッドに対して０．５ｄＢ向上し、実施例３の
磁気ヘッドでは１ｄＢも向上した。

【００８９】実施例５実施例５は、多結晶Ｎｉ−Ｚｎフェライトを磁気ギャッ
プ近傍にまで近づけ、当該磁気ギャップの両サイドに非
磁性材料を配することによって、高周波数領域での再生
効率の向上並びに磁気コア断面積の確保により磁気特性
のより一層の向上を図った磁気ヘッドの例である。

【００９０】かかる磁気ヘッドは、図２７に示すよう
に、金属磁性材料及び多結晶Ｎｉ−Ｚｎフェライト並び
に非磁性材料からなる一対の磁気コア半体９８，９９よ
りなり、これら磁気コア半体９８，９９が突合わされる
ことによって閉磁路を構成するようになっている。

【００９１】上記一対の磁気コア半体９８，９９は、主
コアとなる金属磁性薄膜１００，１０１と補助コアとな
る一対の磁気コア基板１０２，１０３及び１０４，１０
５からなり、上記金属磁性薄膜１００，１０１をその膜
厚方向よりこれら一対の磁気コア基板１０２，１０３及
び１０４，１０５で挾み込むことにより形成されてい
る。上記金属磁性薄膜１００，１０１は、前述の実施例
１ないし実施例３と同じく、高周波数領域での渦電流損
失を回避する目的で、例えばＳｉＯ₂等からなる薄膜の
非磁性絶縁層を介してＦｅ−Ｒｕ−Ｇａ−Ｓｉ等よりな
る薄膜の金属磁性層を何層にも積層した積層膜として形
成されている。なお、上記金属磁性薄膜１００，１０１
に使用される金属磁性材料としては、前述した実施例１
のものと同じ材料がいずれも使用できる。

【００９２】一方、磁気コア基板１０２，１０３及び１
０４，１０５は、これら磁気コア半体９８，９９の突合
わせ面の一部を構成する磁気ギャップ近傍部１０２ａ，
１０３ａ及び１０４ａ，１０５ａが非磁性材料とされ、
それ以外の部分１０２ｂ，１０３ｂ及び１０４ｂ，１０
５ｂが多結晶Ｎｉ−Ｚｎフェライトとされた複合基板と
なされている。逆の見方をすれば、磁気ギャップｇの近
傍部分のみが非磁性材料とされ、残りの磁路を構成する
大半の部分が多結晶Ｎｉ−Ｚｎフェライトとされている
ことになる。非磁性材料が設けられる磁気ギャップ近傍
部１０２ａ，１０３ａ及び１０４ａ，１０５ａとは、具
体的には磁気ギャップ形成面から巻線溝１０６，１０７
の磁気ギャップｇのデプスを規制する傾斜面１０６ａ，
１０７ａの中途部までの間のヘッド走行方向における領
域とされる。

【００９３】上記のように構成された一対の磁気コア半
体９８，９９は、相対向する突合わせ面に呈する金属磁
性薄膜１００，１０１の端面同士がギャップ膜（図示は
省略する。）を介して突き合わされることによって、こ
れら金属磁性薄膜１００，１０１間に記録再生ギャップ
として動作する磁気ギャップｇを構成する。このときの
磁気ギャップｇのトラック幅Ｔｗは、磁気ギャップ近傍
の金属磁性薄膜１００，１０１の両サイドが非磁性材料
とされていることから、当該金属磁性薄膜１００，１０
１の膜厚によって規制される。つまり、金属磁性薄膜１
００，１０１の膜厚が上記磁気ギャップｇのトラック幅
Ｔｗとなっている。特に、上記の磁気ヘッドでは、多結
晶Ｎｉ−Ｚｎフェライトが磁気ギャップｇの近傍部分に
まで設けられているので、高周波数領域での再生効率の
向上が図れると同時に、コア断面積の拡大により、磁気
特性が大幅に向上する。

【００９４】上述の磁気ヘッドを作製するには、以下の
ようにして行う。先ず、図２８に示すように、平板状を
なす多結晶Ｎｉ−Ｚｎフェライトよりなるフェライト基
板１０８を作製する。次に、図２９に示すように、上記
フェライト基板１０８の一方の主面１０８ａに断面矩形
状をなす溝１０９を所定ピッチで複数平行となるように
形成する。

【００９５】一方、非磁性基板から上記溝１０９内に嵌
合するに足る大きさとされた非磁性ブロック１１０を形
成する。次いで、図３１に示すように、上記溝１０９内
を含めて上記フェライト基板１０８の主面１０８ａに、
ＣｒとＡｕをそれぞれ順に成膜し、これらＣｒ膜とＡｕ
膜からなる積層膜１１１を形成する。

【００９６】同様に、上記非磁性ブロック１１０の一方
の面にもＣｒ膜とＡｕ膜からなる積層膜１１１を形成す
る。

【００９７】次に、かかる非磁性ブロック１１０を上記
溝１０９内にそれぞれの積層膜１１１を突合わせ面とし
て嵌合させた後、これらに所定の圧力を加えて、２００
℃〜３００℃程度の熱を加える。この結果、図３０に示
すように、これらＡｕ同士による低温熱拡散接合によっ
て、上記非磁性ブロック１１０が溝１０９内に固定され
る。

【００９８】このときの低温熱拡散接合の条件は、先の
実施例１の磁気ヘッド５６，５７を作製したときの条件
と同一の条件が適用できる。しかる後、上記非磁性ブロ
ック１１０が設けられたフェライト基板１０８の主面１
０８ａを平面研磨する。

【００９９】次に、上述の工程を順次繰り返して上記非
磁性ブロック１１０が溝１０９内に固定されたフェライ
ト基板１０８を複数作製する。そしてこれらフェライト
基板１０８の両面１０８ａ，１０８ｂにそれぞれＣｒと
Ａｕを成膜した後、図３２に示すようにして重ね合わせ
る。なお、最上部のフェライト基板１０８の上端面１０
８ａにはＣｒとＡｕは成膜しない。また、最下部のフェ
ライト基板１０８の裏面１０８ｂには、同様にＣｒとＡ
ｕは成膜しない。

【０１００】そして、これらフェライト基板１０８に所
定の圧力を加えて、２００℃〜３００℃程度の熱を加
え、上記Ａｕ同士の低温熱拡散によってこれらフェライ
ト基板１０８同士を接合一体化する。

【０１０１】次に、この接合一体化されたフェライト基
板１０８を上記非磁性ブロック１１０と略直交する方向
にアジマス角を付けてスライシングして、図３３に示す
ような所定形状の磁気コア基板１１２を作製する。次い
で、図３４に示すように、上記磁気コア基板１１２の一
方の面１１２ａにＦｅ−Ｒｕ−Ｇａ−ＳｉとＳｉＯ₂を
順次成膜し、薄膜の金属磁性層を非磁性絶縁層を介して
積層してなる金属磁性薄膜１１３を形成する。

【０１０２】しかる後、上記金属磁性薄膜１１３上と該
金属磁性薄膜１１３が形成されていない磁気コア基板１
１２の裏面１１２ｂにそれぞれＣｒとＡｕを順次成膜し
た後、これら磁気コア基板１１２を図３５に示すように
重ね合わせる。そして、これら磁気コア基板１１２に所
定の圧力を加えて、２００℃〜３００℃程度の熱を加
え、上記Ａｕ同士の低温熱拡散によってこれら磁気コア
基板１１２同士を接合一体化する。

【０１０３】次に、この接合一体化された磁気コア基板
１１２の複合基板を、上記金属磁性薄膜１１３と直交す
る方向に上記非磁性ブロック１１０のエッジにかかるよ
うにして切断する。この結果、図３６に示すような磁気
コア半体基板１１４が作製される。次に、図３７に示す
ように、上記磁気コア半体基板１１４の磁気ギャップ形
成面となる主面１１４ａに対して、コイルを巻装するた
めの巻線溝１１５とガラス溝１１６を形成する。

【０１０４】巻線溝１１５は、断面コ字状の溝として形
成し、磁気ギャップのデプスを規制する役目をする傾斜
面１１５ａが非磁性ブロック１１０とフェライト基板１
０８とに跨がるようにして形成する。つまり、巻線溝１
１５の傾斜面１１５ａの中途部に非磁性ブロック１１０
とフェライト基板１０８の一方の界面がくるように、上
記巻線溝１１５を形成する。一方、ガラス溝１１６は、
巻線溝１１５を挾んで反対側に、上記非磁性ブロック１
１０とフェライト基板１０８の他方の界面とに跨がって
断面コ字状をなす溝として形成する。

【０１０５】次に、巻線溝１１５及びガラス溝１１６が
形成された磁気コア半体基板１１４の磁気ギャップ形成
面となる面を鏡面研磨した後、当該磁気コア半体基板１
１４を図３７中線ｉ−ｉ及び線ｊ−ｊで示す位置でブロ
ック毎に切断する。そして、このブロック切断された磁
気コア半体ブロック１１７の磁気ギャップ形成面となる
面に、ギャップ膜としてＳｉＯ₂膜（図示は省略す
る。）をスパッタリングによって形成する。上記ＳｉＯ
₂膜は、その膜厚がギャップ長の約半分となるようにす
る。

【０１０６】次に、上述のようにして形成した磁気コア
半体ブロック１１７同士を、図３９に示すように相対向
して突合わせ、相対向する巻線溝１１５とガラス溝１１
６内に丸棒状をなすガラス棒を挿入してこれを溶融す
る。この結果、上記一対の磁気コア半体ブロック１１
７，１１７同士は、融着ガラス１１８によって接合一体
化される。

【０１０７】そして、この接合一体化された磁気コア半
体ブロック１１７，１１７を図３９中線ｋ−ｋ及び線ｌ
−ｌで示す位置で所定のチップ厚に切り出すことによっ
て、磁気ヘッドが完成する。

【０１０８】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明に係る複合型磁気ヘッドにおいては、相対向して隣接
配置した一対の磁気ヘッドの互いに対向する各磁気コア
半体が金属磁性薄膜とフェライト及び非磁性材料とから
なるコア材料で構成され、しかもその相対向する磁気コ
ア半体のフェライトが対向しないように金属磁性薄膜を
挾んで反対側に配置されているので、フェライト同士の
対向間距離の増大により、これら磁気ヘッドの隣接クロ
ストークを低減することができるとともに、コア断面積
を十分に確保することができる。したがって、本発明の
複合型磁気ヘッドによれば、再生効率を大幅に向上させ
ることができ、信号ノイズ比（Ｓ／Ｎ比）を高めること
ができる。

【０１０９】また、本発明に係る複合型磁気ヘッドにお
いては、フェライトとしてＮｉ−Ｚｎフェライトを使用
しているので、高周波数領域での透磁率の向上が期待で
きると同時に、摺動ノイズを小さなものとすることがで
きる。したがって、本発明に係る複合型磁気ヘッドによ
れば、再生効率の大幅な向上が図れ、総合的に高いＣ／
Ｎを得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】ディジタル画像情報を再生歪みの少ない形で圧
縮する信号処理部の記録側の構成を示すブロック図であ
る。

【図２】ディジタル画像情報を再生歪みの少ない形で圧
縮する信号処理部の再生側の構成を示すブロック図であ
る。

【図３】ブロック符号化のためのブロックの一例を示す
線図である。

【図４】サブサンプリング及びサブラインの説明に用い
る線図である。

【図５】ブロック符号化回路の一例のブロック図であ
る。

【図６】チャンネルエンコーダの一例の概略を示すブロ
ック図である。

【図７】チャンネルデコーダの一例の概略を示すブロッ
ク図である。

【図８】実施例１の複合型磁気ヘッドの斜視図である。

【図９】実施例１の複合型磁気ヘッドを対接面側より見
た状態を示す要部拡大正面図である。

【図１０】実施例１の複合型磁気ヘッドによってディジ
タル画像情報と音声信号が記録された磁気テープのテー
プフォーマット図である。

【図１１】実施例１の複合型磁気ヘッドを製造する方法
を順次示すもので、非磁性基板とフェライト基板にＣｒ
膜とＡｕ膜をそれぞれ成膜する工程を示す斜視図であ
る。

【図１２】実施例１の複合型磁気ヘッドを製造する方法
を順次示すもので、非磁性基板とフェライト基板の接合
工程を示す斜視図である。

【図１３】実施例１の複合型磁気ヘッドを製造する方法
を順次示すもので、複合基板の切り出し工程を示す斜視
図である。

【図１４】実施例１の複合型磁気ヘッドを製造する方法
を順次示すもので、複合基板に金属磁性薄膜を形成する
工程を示す斜視図である。

【図１５】実施例１の複合型磁気ヘッドを製造する方法
を順次示すもので、非磁性基板にＣｒとＡｕをそれぞれ
順次成膜する工程を示す斜視図である。

【図１６】実施例１の複合型磁気ヘッドを製造する方法
を順次示すもので、複合基板と非磁性基板を接合する工
程を示す斜視図である。

【図１７】実施例１の複合型磁気ヘッドを製造する方法
を順次示すもので、磁気コア半体基板の切り出し工程を
示す斜視図である。

【図１８】実施例１の複合型磁気ヘッドを製造する方法
を順次示すもので、磁気コア半体基板をブロック切断す
る工程を示す斜視図である。

【図１９】実施例１の複合型磁気ヘッドを製造する方法
を順次示すもので、磁気コア半体ブロックの接合工程を
示す斜視図である。

【図２０】実施例２の複合型磁気ヘッドを示す斜視図で
ある。

【図２１】実施例３の複合型磁気ヘッドを示す斜視図で
ある。

【図２２】実施例３の複合型磁気ヘッドを製造する方法
を順次示すもので、複合基板の接合工程を示す斜視図で
ある。

【図２３】実施例３の複合型磁気ヘッドを製造する方法
を順次示すもので、複合基板の切り出し工程を示す斜視
図である。

【図２４】実施例３の複合型磁気ヘッドを製造する方法
を順次示すもので、磁気コア半体基板をブロック切断す
る工程を示す斜視図である。

【図２５】実施例３の複合型磁気ヘッドを製造する方法
を順次示すもので、磁気コア半体ブロックの接合工程を
示す斜視図である。

【図２６】フェライトの透磁率に対する周波数依存性を
示す特性図である。

【図２７】実施例４の磁気ヘッドを示す斜視図である。

【図２８】実施例４の複合型磁気ヘッドを製造する方法
を順次示すもので、多結晶Ｎｉ−Ｚｎフェライトよりな
るフェライト基板の形成工程を示す斜視図である。

【図２９】実施例４の複合型磁気ヘッドを製造する方法
を順次示すもので、溝形成及び非磁性ブロック形成工程
を示す斜視図である。

【図３０】実施例４の複合型磁気ヘッドを製造する方法
を順次示すもので、Ｃｒ及びＡｕを非磁性ブロックとフ
ェライト基板にそれぞれ成膜する工程を示す斜視図であ
る。

【図３１】実施例４の複合型磁気ヘッドを製造する方法
を順次示すもので、非磁性ブロックをフェライト基板に
接合する工程を示す斜視図である。

【図３２】実施例４の複合型磁気ヘッドを製造する方法
を順次示すもので、非磁性ブロックを接合したフェライ
ト基板同士の接合工程を示す斜視図である。

【図３３】実施例４の複合型磁気ヘッドを製造する方法
を順次示すもので、磁気コア基板の切り出し工程を示す
斜視図である。

【図３４】実施例４の複合型磁気ヘッドを製造する方法
を順次示すもので、金属磁性薄膜を形成する工程を示す
斜視図である。

【図３５】実施例４の複合型磁気ヘッドを製造する方法
を順次示すもので、磁気コア基板の接合工程を示す斜視
図である。

【図３６】実施例４の複合型磁気ヘッドを製造する方法
を順次示すもので、磁気コア半体基板の切り出し工程を
示す斜視図である。

【図３７】実施例４の複合型磁気ヘッドを製造する方法
を順次示すもので、巻線溝及びガラス溝形成工程を示す
斜視図である。

【図３８】実施例４の複合型磁気ヘッドを製造する方法
を順次示すもので、磁気コア半体基板をブロック切断す
る工程を示す斜視図である。

【図３９】実施例４の複合型磁気ヘッドを製造する方法
を順次示すもので、磁気コア半体ブロックの接合工程を
示す斜視図である。

【図４０】従来の複合型磁気ヘッドを対接面側より見た
状態を示す要部拡大正面図である。

【図４１】従来の複合型磁気ヘッドによって磁気テープ
に対して同時に記録する状態を示す図である。

【符号の説明】

５６，５７・・・磁気ヘッド５８・・・第１の磁気コア半体５９・・・第２の磁気コア半体６７・・・第３の磁気コア半体６８・・・第４の磁気コア半体６０，６４，６９，７３・・・金属磁性薄膜６１，６２，６５，６６，７０，７１，７４，７５・・
・磁気コア基板６２ａ，６６ａ，７４ａ・・・フロントコア部分（非磁
性材料）６２ｂ，６６ｂ，７４ｂ・・・バックコア部分（フェラ
イト）６３，７２・・・巻線溝

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一対の磁気コア半体が突き合わされて閉
磁路を構成してなる一対の磁気ヘッドを相対向して隣接
配置した複合型磁気ヘッドにおいて、上記一対の磁気ヘッドの相対向する側の各磁気コア半体
が、それぞれ金属磁性薄膜をその膜厚方向より非磁性材
料からなる基板と、非磁性材料とフェライトからなる複
合基板とで挾み込んで構成されてなり、上記各磁気コア半体の非磁性材料とフェライトからなる
複合基板が、相対向しないように上記金属磁性薄膜を挾
んで反対側に配置されていることを特徴とする複合型磁
気ヘッド。
【請求項２】フェライトがＮｉ−Ｚｎフェライトであ
ることを特徴とする請求項１記載の複合型磁気ヘッド。