JPH07110917A - 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッド及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH07110917A JPH07110917A JP25798293A JP25798293A JPH07110917A JP H07110917 A JPH07110917 A JP H07110917A JP 25798293 A JP25798293 A JP 25798293A JP 25798293 A JP25798293 A JP 25798293A JP H07110917 A JPH07110917 A JP H07110917A
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- JP
- Japan
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- core
- thin film
- intermediate core
- magnetic head
- coil
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気ギャップ層を挟む上下のコアは同一実効
トラック幅を有する薄膜磁気ヘッドを提供する。 【構成】 オーバエッチングにより第２中間コア１０が
形成され、磁気ギャップ層９を挟む上方の第２中間コア
１０と下方の第２中間コア６との位置ずれはなく、同一
実効トラック幅が形成される。そして、オーバエッチン
グにより第１コイル７もエッチングされ膜減りを生じ、
このままだと、断線や抵抗の増加となる。そこで、膜減
り分を無電解メッキにて後付けして補充する。
トラック幅を有する薄膜磁気ヘッドを提供する。 【構成】 オーバエッチングにより第２中間コア１０が
形成され、磁気ギャップ層９を挟む上方の第２中間コア
１０と下方の第２中間コア６との位置ずれはなく、同一
実効トラック幅が形成される。そして、オーバエッチン
グにより第１コイル７もエッチングされ膜減りを生じ、
このままだと、断線や抵抗の増加となる。そこで、膜減
り分を無電解メッキにて後付けして補充する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気ディスク装置等の磁
気記録再生装置に搭載される薄膜磁気ヘッド及びその製
造方法に関する。
気記録再生装置に搭載される薄膜磁気ヘッド及びその製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】高記録密度に伴うマルチトラック化等に
対応すべく、薄膜形成技術、フォトリソグラフィ技術、
エッチング（イオンミリング）等のＩＣの製作技術を利
用した薄膜磁気ヘッドの製作が行われている。薄膜磁気
ヘッドの一般的な構造は、基板上に下側コア及び上側コ
アを設けるとともに、下側コアと上側コアとの間に磁気
ギャップ層を介在せしめたものとなっているが、磁気飽
和や磁束漏れを防止し得る構造として本出願人は先に特
開平３−５８３０８号として図１７に示すような上側コ
ア１００と下側コア１０１との磁気的な接続を中間コア
１０２，１０３を介して行う構造のものを提案した。
対応すべく、薄膜形成技術、フォトリソグラフィ技術、
エッチング（イオンミリング）等のＩＣの製作技術を利
用した薄膜磁気ヘッドの製作が行われている。薄膜磁気
ヘッドの一般的な構造は、基板上に下側コア及び上側コ
アを設けるとともに、下側コアと上側コアとの間に磁気
ギャップ層を介在せしめたものとなっているが、磁気飽
和や磁束漏れを防止し得る構造として本出願人は先に特
開平３−５８３０８号として図１７に示すような上側コ
ア１００と下側コア１０１との磁気的な接続を中間コア
１０２，１０３を介して行う構造のものを提案した。
【０００３】上記の薄膜磁気ヘッドにあっては磁気ギャ
ップ層１０４を挟む中間コア１０２，１０３を別々にエ
ッチングして形成しているので、フォトリソグラフィ時
のアライメント誤差やエッチングの加工誤差等によって
媒体との対向面側から見て中間コア１０２と中間コア１
０３とに位置ずれが生じ、この位置ずれによって磁気漏
れ（フリンジング）が生じ、記録にじみやクロストーク
の原因になる。
ップ層１０４を挟む中間コア１０２，１０３を別々にエ
ッチングして形成しているので、フォトリソグラフィ時
のアライメント誤差やエッチングの加工誤差等によって
媒体との対向面側から見て中間コア１０２と中間コア１
０３とに位置ずれが生じ、この位置ずれによって磁気漏
れ（フリンジング）が生じ、記録にじみやクロストーク
の原因になる。
【０００４】一方、磁気ギャップ層を挟む上下の磁気コ
アの実効トラック幅を同一にする手法として、特開昭６
３−１０８５１３号公報、特開平２−５６７１１号公
報、特開平２−２５４６１１号公報或いは特開平３−１
４７５０８号公報に開示されるように、磁気ギャップ層
を挟む上下２層の磁気コアを同一のパターンで同時にエ
ッチングするオーバエッチング（ポールトリミング）が
知られている。
アの実効トラック幅を同一にする手法として、特開昭６
３−１０８５１３号公報、特開平２−５６７１１号公
報、特開平２−２５４６１１号公報或いは特開平３−１
４７５０８号公報に開示されるように、磁気ギャップ層
を挟む上下２層の磁気コアを同一のパターンで同時にエ
ッチングするオーバエッチング（ポールトリミング）が
知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のオーバエッチン
グを中間コアを有する薄膜磁気ヘッドの製造に適用した
場合を図１８乃至図２０に従って説明する。図１８は基
板１１０上に絶縁層１１１を形成し、この絶縁層１１１
上に絶縁層１１２で平坦化された下側コア１０１を設
け、この下側コア１０１上に絶縁層１１３で平坦化され
た第１中間コア１０３を設け、絶縁層１１３内に第１コ
イル１１４を形成した段階までを示している。
グを中間コアを有する薄膜磁気ヘッドの製造に適用した
場合を図１８乃至図２０に従って説明する。図１８は基
板１１０上に絶縁層１１１を形成し、この絶縁層１１１
上に絶縁層１１２で平坦化された下側コア１０１を設
け、この下側コア１０１上に絶縁層１１３で平坦化され
た第１中間コア１０３を設け、絶縁層１１３内に第１コ
イル１１４を形成した段階までを示している。
【０００６】この後、図１９に示すように絶縁層１１
３、第１中間コア１０３上に磁気ギャップ層１１５を形
成し、この磁気ギャップ層１１５の一部をエッチングに
より除去し、更にこの上に第２中間コアとなる層をスパ
ッタリング等により形成し、この後オーバエッチングに
て第２中間コアとなる層、磁気ギャップ層１１５及び第
１中間コア１０３を同時にエッチングすれば図２０
（ｂ）に示すように第１中間コア１０３と第２中間コア
１０２との位置ずれを防止し、実効トラック幅を同一に
することができる。
３、第１中間コア１０３上に磁気ギャップ層１１５を形
成し、この磁気ギャップ層１１５の一部をエッチングに
より除去し、更にこの上に第２中間コアとなる層をスパ
ッタリング等により形成し、この後オーバエッチングに
て第２中間コアとなる層、磁気ギャップ層１１５及び第
１中間コア１０３を同時にエッチングすれば図２０
（ｂ）に示すように第１中間コア１０３と第２中間コア
１０２との位置ずれを防止し、実効トラック幅を同一に
することができる。
【０００７】しかしながら、上記のようにオーバエッチ
ングを行うと、図２０（ａ）に示すように第１コイル１
１４も同時にエッチングされ、薄くなって断線や抵抗の
増加などコイルとして機能しなくなる。
ングを行うと、図２０（ａ）に示すように第１コイル１
１４も同時にエッチングされ、薄くなって断線や抵抗の
増加などコイルとして機能しなくなる。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決すべく本
発明は、上側コア、下側コア及びこれらの間に介在する
１以上の中間コアにて磁気回路を構成するとともに上側
コアと中間コアの間、下側コアと中間コアの間或いは中
間コア間に磁気ギャップ層を形成した薄膜磁気ヘッドに
おいて、前記磁気ギャップ層を挟む上下のコアに同一実
効トラック幅を形成するとともに、この同一実効トラッ
ク幅となっている部分と厚み方向において重なる位置に
コイルを設けた。
発明は、上側コア、下側コア及びこれらの間に介在する
１以上の中間コアにて磁気回路を構成するとともに上側
コアと中間コアの間、下側コアと中間コアの間或いは中
間コア間に磁気ギャップ層を形成した薄膜磁気ヘッドに
おいて、前記磁気ギャップ層を挟む上下のコアに同一実
効トラック幅を形成するとともに、この同一実効トラッ
ク幅となっている部分と厚み方向において重なる位置に
コイルを設けた。
【０００９】
【作用】オーバエッチング加工により磁気ギャップ層を
挟む上下のコアに同一実効トラック幅を形成し、またオ
ーバエッチング加工にて膜減りした分のコイルを無電解
メッキ等によって補填する。
挟む上下のコアに同一実効トラック幅を形成し、またオ
ーバエッチング加工にて膜減りした分のコイルを無電解
メッキ等によって補填する。
【００１０】
【実施例】以下に本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方
法を工程順に図１乃至図１６に従って説明する。尚、図
１０及び図１１は本願発明の主要な工程を示す図である
ので、図９までと同一方向の断面図を（ａ）に、媒体と
の対向面を（ｂ）に示す。
法を工程順に図１乃至図１６に従って説明する。尚、図
１０及び図１１は本願発明の主要な工程を示す図である
ので、図９までと同一方向の断面図を（ａ）に、媒体と
の対向面を（ｂ）に示す。
【００１１】本発明にあっては先ず図１に示すように、
ＡlＴiＣやＣaＴiＣ等の基板１上にＡl2Ｏ3、ＺrＯ2、
ＴiＯ2、ＳiＯ2等の絶縁層２（厚さ５μｍ）を形成す
る。基板１自体が絶縁体である場合には絶縁層２を形成
しなくてもよい。次いで、図２に示すように絶縁層２の
上に下側コアとなるＣo系磁性層３ａ（厚さ４〜５μ
ｍ）を形成する。形成方法は例えばスパッタリング等の
蒸着法を用いる。
ＡlＴiＣやＣaＴiＣ等の基板１上にＡl2Ｏ3、ＺrＯ2、
ＴiＯ2、ＳiＯ2等の絶縁層２（厚さ５μｍ）を形成す
る。基板１自体が絶縁体である場合には絶縁層２を形成
しなくてもよい。次いで、図２に示すように絶縁層２の
上に下側コアとなるＣo系磁性層３ａ（厚さ４〜５μ
ｍ）を形成する。形成方法は例えばスパッタリング等の
蒸着法を用いる。
【００１２】この後、図３に示すように磁性層３ａの上
にフォトレジストをスピンコートし、このフォトレジス
ト膜をフォトリソグラフィ工程で所定形状にパターンニ
ングを施してマスクＭとし、次いで、図４に示すように
マスクＭを介してエッチング（イオンミリング）を施し
て下側コア３を形成し、図５に示すようにマスクＭをア
ッシングにて除去し、更に図６に示すように絶縁層４を
形成した後に機械的に研磨して平坦化する。
にフォトレジストをスピンコートし、このフォトレジス
ト膜をフォトリソグラフィ工程で所定形状にパターンニ
ングを施してマスクＭとし、次いで、図４に示すように
マスクＭを介してエッチング（イオンミリング）を施し
て下側コア３を形成し、図５に示すようにマスクＭをア
ッシングにて除去し、更に図６に示すように絶縁層４を
形成した後に機械的に研磨して平坦化する。
【００１３】次いで、前記図１乃至図６に示したと同様
の工程を経て図７に示すように絶縁層５で平坦化された
第１中間コア６を下側コア３の上に形成する。そして、
第１中間コア６を平坦化している絶縁層５にフォトリソ
グラフィー工程とＣＨＦ3ガスを用いたＲＩＥ（反応性
イオンエッチング）等によってコイル状の溝とボンディ
ングパッドとを形成し、次いで図８に示すように前記溝
内にＣu等の導電性材料を被着して、溝以外の箇所に付
着した導電性材料を機械研磨等で除去し、第１コイル７
とボンディングパッド９とを形成する。
の工程を経て図７に示すように絶縁層５で平坦化された
第１中間コア６を下側コア３の上に形成する。そして、
第１中間コア６を平坦化している絶縁層５にフォトリソ
グラフィー工程とＣＨＦ3ガスを用いたＲＩＥ（反応性
イオンエッチング）等によってコイル状の溝とボンディ
ングパッドとを形成し、次いで図８に示すように前記溝
内にＣu等の導電性材料を被着して、溝以外の箇所に付
着した導電性材料を機械研磨等で除去し、第１コイル７
とボンディングパッド９とを形成する。
【００１４】この後図９に示すように、絶縁層５にて平
坦化された第１中間コア６上に絶縁性の磁気ギャップ層
８（厚さ０．３μｍ）を形成するとともにボンディング
パット部９も形成するとともに、バックギャップ部とボ
ンディングパット部９の絶縁膜をフォトリソグラフィー
工程とイオンミリング等のエッチング法により除去す
る。
坦化された第１中間コア６上に絶縁性の磁気ギャップ層
８（厚さ０．３μｍ）を形成するとともにボンディング
パット部９も形成するとともに、バックギャップ部とボ
ンディングパット部９の絶縁膜をフォトリソグラフィー
工程とイオンミリング等のエッチング法により除去す
る。
【００１５】上記の工程に続いて、図１０（ａ）、
（ｂ）に示すように、磁気ギャップ層８の上に第２中間
コアとなる磁性層１０ａを形成し、更にこの磁性層１０
ａ表面を所定パターン形状のマスクＭで覆い、この状態
でオーバエッチングを行う。オーバエッチングは図１０
に示した第２中間コアとなる磁性層１０ａを図１１
（ａ）、（ｂ）に示すように、磁気ギャップ層８及び第
１中間コア６の途中まで同時にエッチングする。このオ
ーバエッチングにより第２中間コア１０が形成され、図
１１（ｂ）に示すように、磁気ギャップ層８を挟む上方
の第２中間コア１０と下方の第２中間コア６との位置ず
れはなく、同一実効トラック幅が形成される。
（ｂ）に示すように、磁気ギャップ層８の上に第２中間
コアとなる磁性層１０ａを形成し、更にこの磁性層１０
ａ表面を所定パターン形状のマスクＭで覆い、この状態
でオーバエッチングを行う。オーバエッチングは図１０
に示した第２中間コアとなる磁性層１０ａを図１１
（ａ）、（ｂ）に示すように、磁気ギャップ層８及び第
１中間コア６の途中まで同時にエッチングする。このオ
ーバエッチングにより第２中間コア１０が形成され、図
１１（ｂ）に示すように、磁気ギャップ層８を挟む上方
の第２中間コア１０と下方の第２中間コア６との位置ず
れはなく、同一実効トラック幅が形成される。
【００１６】上記のオーバエッチングにより同一の実効
トラック幅が形成される一方、第１コイル７もエッチン
グされ膜減りを生じ、このままだと、断線や抵抗の増加
となる。そこで、図１２に示すように膜減り分を無電解
メッキにて後付けして補充する。
トラック幅が形成される一方、第１コイル７もエッチン
グされ膜減りを生じ、このままだと、断線や抵抗の増加
となる。そこで、図１２に示すように膜減り分を無電解
メッキにて後付けして補充する。
【００１７】ここで、トータルエッチング時間（Ｔ）、
オーバエッチングの深さ（ｄ1）、コイルの膜減り量
（ｄ2）及びエッチングレートは以下の（数１）の関係
があるので、この（数１）に基づき無電解メッキの時間
等を決定する。
オーバエッチングの深さ（ｄ1）、コイルの膜減り量
（ｄ2）及びエッチングレートは以下の（数１）の関係
があるので、この（数１）に基づき無電解メッキの時間
等を決定する。
【００１８】
【数１】
【００１９】以上の如くして第１コイル７の膜減り分を
無電解メッキにて補充したら、図１３に示すように絶縁
層１１で第２中間コア１０を平坦化し、この後図１４に
示すように第１コイル７と同様の形成手段にて絶縁層１
１内に第２コイル１２を形成する。
無電解メッキにて補充したら、図１３に示すように絶縁
層１１で第２中間コア１０を平坦化し、この後図１４に
示すように第１コイル７と同様の形成手段にて絶縁層１
１内に第２コイル１２を形成する。
【００２０】この後、図１５に示すように、絶縁層１１
で平坦化された第２中間コア１０の上に絶縁膜１３及び
上側コア１４（厚さ４〜５μｍ）を前記したフォトリソ
グラフィ、エッチング等を駆使して形成し、更にバイア
ススパッタ法等によって絶縁層１５を形成し、機械的研
磨により平坦化する。
で平坦化された第２中間コア１０の上に絶縁膜１３及び
上側コア１４（厚さ４〜５μｍ）を前記したフォトリソ
グラフィ、エッチング等を駆使して形成し、更にバイア
ススパッタ法等によって絶縁層１５を形成し、機械的研
磨により平坦化する。
【００２１】そして更に、図１６（ａ）及び（ｂ）に示
すように、スルーホールにＣuのリード線１６を埋設す
るとともに上面に保護膜１７を被覆し、ｂ−ｂ線に沿っ
て切断することで本発明に係る薄膜磁気ヘッドとなる。
すように、スルーホールにＣuのリード線１６を埋設す
るとともに上面に保護膜１７を被覆し、ｂ−ｂ線に沿っ
て切断することで本発明に係る薄膜磁気ヘッドとなる。
【００２２】尚、実施例にあっては第１及び第２の中間
コア間に磁気ギャップ層を形成した例を示したが、磁気
ギャップ層を下側コアと第１中間コアの間または第２中
間コアと上側コアとの間に設けてもよい。
コア間に磁気ギャップ層を形成した例を示したが、磁気
ギャップ層を下側コアと第１中間コアの間または第２中
間コアと上側コアとの間に設けてもよい。
【００２３】
【発明の効果】以上に説明したように本発明によれば、
薄膜磁気ヘッドの磁気ギャップを挟む上下のコアの実効
トラック幅を同一にしているので、磁束漏れ（フリンジ
ング）による記録にじみやクロストーク等を防止するこ
とができる。また本発明に係る薄膜磁気ヘッドにあって
は、磁気ギャップを挟む上下のコアの実効トラック幅を
同一にする際のコイル層の膜減りを無電解メッキ法等に
て修正するようにしたので、磁気ヘッドの性能低下を阻
止することが出来る。
薄膜磁気ヘッドの磁気ギャップを挟む上下のコアの実効
トラック幅を同一にしているので、磁束漏れ（フリンジ
ング）による記録にじみやクロストーク等を防止するこ
とができる。また本発明に係る薄膜磁気ヘッドにあって
は、磁気ギャップを挟む上下のコアの実効トラック幅を
同一にする際のコイル層の膜減りを無電解メッキ法等に
て修正するようにしたので、磁気ヘッドの性能低下を阻
止することが出来る。
【図１】基板上に絶縁層を形成した状態を示す断面図
【図２】図１で示す工程で形成した絶縁層の上に下側コ
アとなる層を形成した状態を示す断面図
アとなる層を形成した状態を示す断面図
【図３】下側コアとなる層の上にマスクを形成した状態
を示す断面図
を示す断面図
【図４】マスクのパターンに沿って下側コアとなる層を
エッチングした状態を示す断面図
エッチングした状態を示す断面図
【図５】マスクをアッシングにて除去した状態を示す断
面図
面図
【図６】下側コアを平坦化した状態を示す断面図
【図７】平坦化した下側コアの上に平坦化された第１中
間コアを形成した状態を示す断面図
間コアを形成した状態を示す断面図
【図８】第１中間コアを平坦化している絶縁層に第１コ
イルとボンディングパッドとを形成した状態を示す断面
図
イルとボンディングパッドとを形成した状態を示す断面
図
【図９】第１中間コアの上に磁気ギャップ層を形成した
状態を示す断面図
状態を示す断面図
【図１０】（ａ）は磁気ギャップ層の上に第２中間コア
となる層を形成した状態を示す断面図 （ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ方向矢視図
となる層を形成した状態を示す断面図 （ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ方向矢視図
【図１１】（ａ）はオーバミリングにて第２中間コアを
形成した状態を示す断面図 （ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ方向矢視図
形成した状態を示す断面図 （ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ方向矢視図
【図１２】オーバミリングにて膜減りしたコイルを補填
した状態を示す断面図
した状態を示す断面図
【図１３】絶縁膜で第２中間コアを平坦化した状態を示
す断面図
す断面図
【図１４】第２中間コアを平坦化する絶縁膜に第２コイ
ルを形成した状態を示す断面図
ルを形成した状態を示す断面図
【図１５】第２中間コアの上に絶縁膜で平坦化された上
側コアを形成した状態を示す断面図
側コアを形成した状態を示す断面図
【図１６】（ａ）は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの断面
図 （ｂ）は同薄膜磁気ヘッドを媒体との対向面側から見た
図
図 （ｂ）は同薄膜磁気ヘッドを媒体との対向面側から見た
図
【図１７】中間コアを備えた従来の薄膜磁気ヘッドの斜
視図
視図
【図１８】図１７に示した薄膜磁気ヘッドの製作工程の
途中を示す断面図
途中を示す断面図
【図１９】図１８の工程に続く工程を示す断面図
【図２０】（ａ）は図１９の工程に続いてオーバミリン
グを施した場合を示す断面図 （ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ方向矢視図
グを施した場合を示す断面図 （ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ方向矢視図
１…基板、２，４，５，８，１１，１５…絶縁層、３…
下側コア、６…第１中間コア、７…第１コイル、８…磁
気ギャップ層、１０…第２中間コア、１２…第２コイ
ル、１４…上側コア、１５…バックギャップ部。
下側コア、６…第１中間コア、７…第１コイル、８…磁
気ギャップ層、１０…第２中間コア、１２…第２コイ
ル、１４…上側コア、１５…バックギャップ部。
Claims (2)
- 【請求項１】 上側コア、下側コア及びこれらの間に介
在する１以上の中間コアにて磁気回路を構成するととも
に上側コアと中間コアの間、下側コアと中間コアの間或
いは中間コア間に磁気ギャップ層を形成した薄膜磁気ヘ
ッドにおいて、前記磁気ギャップ層を挟む上下のコアは
同一実効トラック幅を有し、この同一実効トラック幅と
なっている部分と厚み方向において重なる位置にコイル
が設けられていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 請求項１に記載の薄膜磁気ヘッドを製造
する方法において、前記磁気ギャップ層を挟む上下のコ
アを同一パターンで同時にエッチング加工し、この後前
記エッチング加工にて膜減りした分のコイルを補填形成
するようにしたことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25798293A JPH07110917A (ja) | 1993-10-15 | 1993-10-15 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25798293A JPH07110917A (ja) | 1993-10-15 | 1993-10-15 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07110917A true JPH07110917A (ja) | 1995-04-25 |
Family
ID=17313906
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25798293A Pending JPH07110917A (ja) | 1993-10-15 | 1993-10-15 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07110917A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6989964B2 (en) | 2003-06-16 | 2006-01-24 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetic head having a pole piece with a double pedestal structure |
| US7249408B2 (en) | 2004-03-24 | 2007-07-31 | Headway Technologies, Inc. | Method of manufacturing a thin-film magnetic head |
-
1993
- 1993-10-15 JP JP25798293A patent/JPH07110917A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6989964B2 (en) | 2003-06-16 | 2006-01-24 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetic head having a pole piece with a double pedestal structure |
| US7249408B2 (en) | 2004-03-24 | 2007-07-31 | Headway Technologies, Inc. | Method of manufacturing a thin-film magnetic head |
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