JPH0782614B2 - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
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- JPH0782614B2 JPH0782614B2 JP25912486A JP25912486A JPH0782614B2 JP H0782614 B2 JPH0782614 B2 JP H0782614B2 JP 25912486 A JP25912486 A JP 25912486A JP 25912486 A JP25912486 A JP 25912486A JP H0782614 B2 JPH0782614 B2 JP H0782614B2
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- terminal portion
- film
- thin film
- magnetic head
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3176—Structure of heads comprising at least in the transducing gap regions two magnetic thin films disposed respectively at both sides of the gaps
- G11B5/3179—Structure of heads comprising at least in the transducing gap regions two magnetic thin films disposed respectively at both sides of the gaps the films being mainly disposed in parallel planes
- G11B5/3183—Structure of heads comprising at least in the transducing gap regions two magnetic thin films disposed respectively at both sides of the gaps the films being mainly disposed in parallel planes intersecting the gap plane, e.g. "horizontal head structure"
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、いわゆるハードディスクの駆動装置等に搭載
される薄膜磁気ヘッドに関し、詳細には外部接続端子部
の形成方法の改良に関する。
される薄膜磁気ヘッドに関し、詳細には外部接続端子部
の形成方法の改良に関する。
本発明は、薄膜磁気ヘッドを製造するに際し、 予め、基板上の絶縁層に端子部を埋込み形成し、この上
に薄膜形成技術にて電磁変換部を形成した後、保護膜を
形成し、上記端子部上の保護膜を除去して外部接続用端
子を露出させることにより、 ヘッド作成中における外部接続用端子の損傷をなくそう
とするものである。
に薄膜形成技術にて電磁変換部を形成した後、保護膜を
形成し、上記端子部上の保護膜を除去して外部接続用端
子を露出させることにより、 ヘッド作成中における外部接続用端子の損傷をなくそう
とするものである。
一般に、磁気テープや磁気ディスク等の磁気記録媒体に
情報を高密度に記録する装置として薄膜磁気ヘッドが知
られている。
情報を高密度に記録する装置として薄膜磁気ヘッドが知
られている。
上記薄膜磁気ヘッドは、磁気コア材としてFe−Al−Si系
合金等の磁性合金薄膜を使用しているので高周波数領域
での実効透磁率が高く、しかも飽和磁束密度が高いこと
より記録再生効率に優れていること、ギャップ長のコン
トロールが容易で狭ギャップ化が可能であること、ヘッ
ドの先端部（デプス近傍）が薄く急峻な記録磁界が形成
できるので高密度記録に適していること、ウエハ上に多
数のヘッド素子を一括形成するため均質なヘッドを大量
生産できること、等の利点を有しており、高密度記録に
好適な磁気ヘッドとして実用化されている。
合金等の磁性合金薄膜を使用しているので高周波数領域
での実効透磁率が高く、しかも飽和磁束密度が高いこと
より記録再生効率に優れていること、ギャップ長のコン
トロールが容易で狭ギャップ化が可能であること、ヘッ
ドの先端部（デプス近傍）が薄く急峻な記録磁界が形成
できるので高密度記録に適していること、ウエハ上に多
数のヘッド素子を一括形成するため均質なヘッドを大量
生産できること、等の利点を有しており、高密度記録に
好適な磁気ヘッドとして実用化されている。
ここで、上記薄膜磁気ヘッドを作成するには、通常、以
下の手法が採用されている。すなわち、先ず、第２図
（Ａ）に示すように、基板（101）上の絶縁層（102）上
に下部磁性膜（103），コイル導体（104），上部磁性膜
（105）をそれぞれ中間絶縁膜（106）を介して積層し電
磁変換部（107）を形成するとともに、上記コイル導体
（104）と連続して端子部（108）を形成する。その後、
上記電磁変換部（107）や端子部（108）を覆うように保
護膜（109）を被着した後、上記端子部（108）上の保護
膜（109）を除去し端子溝（109a）を設け、上記端子部
（108）を露出させる。
下の手法が採用されている。すなわち、先ず、第２図
（Ａ）に示すように、基板（101）上の絶縁層（102）上
に下部磁性膜（103），コイル導体（104），上部磁性膜
（105）をそれぞれ中間絶縁膜（106）を介して積層し電
磁変換部（107）を形成するとともに、上記コイル導体
（104）と連続して端子部（108）を形成する。その後、
上記電磁変換部（107）や端子部（108）を覆うように保
護膜（109）を被着した後、上記端子部（108）上の保護
膜（109）を除去し端子溝（109a）を設け、上記端子部
（108）を露出させる。
続いて、第２図（Ｂ）に示すように、上記端子溝（109
a）内にCu等の導電性金属（110）を充填した後、上記保
護膜（108）等の表面に対してポリッシング加工を施し
平坦化する。そして、このポリッシング面に露出した導
電性金属を外部接続用端子部（112）としている。
a）内にCu等の導電性金属（110）を充填した後、上記保
護膜（108）等の表面に対してポリッシング加工を施し
平坦化する。そして、このポリッシング面に露出した導
電性金属を外部接続用端子部（112）としている。
ところで、上記第２図（Ａ）及び第２図（Ｂ）に示す従
来の方法では、外部接続用端子部（108）を形成するた
めに、保護膜（109）を形成後、湿式エッチングやドラ
イエッチング等を用いて端子溝（109a）を形成してい
る。したがって、このエッチング加工は、端子部（10
8）が露出したところで確実に終了しなくればならず、
高精度なエッチング技術が要求されている。すなわち、
このエッチング量が多過ぎても少な過ぎても、外部の駆
動回路と電磁変換部（107）との信号の授受が不安定と
なってしまい、高信頼性の薄膜磁気ヘッドが得難い。
来の方法では、外部接続用端子部（108）を形成するた
めに、保護膜（109）を形成後、湿式エッチングやドラ
イエッチング等を用いて端子溝（109a）を形成してい
る。したがって、このエッチング加工は、端子部（10
8）が露出したところで確実に終了しなくればならず、
高精度なエッチング技術が要求されている。すなわち、
このエッチング量が多過ぎても少な過ぎても、外部の駆
動回路と電磁変換部（107）との信号の授受が不安定と
なってしまい、高信頼性の薄膜磁気ヘッドが得難い。
かかる状況より、例えば上記端子部（108）の材料にエ
ッチングされ難い材料を用いる等の工夫がなされている
が、端子部（108）の損傷を確実に回避することは難し
くこの改善が望まれている。
ッチングされ難い材料を用いる等の工夫がなされている
が、端子部（108）の損傷を確実に回避することは難し
くこの改善が望まれている。
そこで、本発明は上述の実情に鑑みて提案されたもので
あり、端子部の損傷が全くなく、高信頼性の薄膜磁気ヘ
ッドを容易に作成できる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提
供することを目的とする。
あり、端子部の損傷が全くなく、高信頼性の薄膜磁気ヘ
ッドを容易に作成できる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提
供することを目的とする。
上述の目的を達成するために、本発明の薄膜磁気ヘッド
の製造方法は、基板上の絶縁層に端子溝を形成し、次
に、上記端子溝内に導電性金属を充填して端子部を形成
し、その後、上記絶縁層上に薄膜形成技術にて下部磁性
膜，コイル導体，上部磁性膜をそれぞれ中間絶縁膜を介
して順次積層して電磁変換部を形成するとともに、上記
コイル導体の引き出し部を上記端子部上にまで延在せし
め、次いで、上記電磁変換部上に保護膜を形成した後、
上記端子部上の保護膜を除去することにより該端子部を
外部接続用端子とすることを特徴とするものである。
の製造方法は、基板上の絶縁層に端子溝を形成し、次
に、上記端子溝内に導電性金属を充填して端子部を形成
し、その後、上記絶縁層上に薄膜形成技術にて下部磁性
膜，コイル導体，上部磁性膜をそれぞれ中間絶縁膜を介
して順次積層して電磁変換部を形成するとともに、上記
コイル導体の引き出し部を上記端子部上にまで延在せし
め、次いで、上記電磁変換部上に保護膜を形成した後、
上記端子部上の保護膜を除去することにより該端子部を
外部接続用端子とすることを特徴とするものである。
本発明では、予め基板上の絶縁層に端子部を埋設した
後、薄膜形成技術にて電磁変換部を形成し、さらに保護
膜を積層し、その後上記端子部上の保護膜を除去して外
部接続用端子部としているので、この接続用端子部を露
出させるための保護膜除去工程は上記端子部の深さの範
囲内の自由度をもって行うことができる。したがって、
上記外部接続用端子部が損傷され導通不良等が発生する
心配がない。
後、薄膜形成技術にて電磁変換部を形成し、さらに保護
膜を積層し、その後上記端子部上の保護膜を除去して外
部接続用端子部としているので、この接続用端子部を露
出させるための保護膜除去工程は上記端子部の深さの範
囲内の自由度をもって行うことができる。したがって、
上記外部接続用端子部が損傷され導通不良等が発生する
心配がない。
以下、本発明を適用した薄膜磁気ヘッドの製造方法の一
実施例を図面に従って詳細に説明する。
実施例を図面に従って詳細に説明する。
本発明により薄膜磁気ヘッドを作成するには、先ず、第
１図（Ａ）に示すように、例えばチタン際バリウムやチ
タン酸カルカウム等よりなる基板（１）上にSiO2の絶縁
層（２）を積層した後、該絶縁層（２）に対してエッチ
ングを施し端子溝（３）を形成する。なお、上記基板
（１）は磁気回路部を保護するためのいわゆるスライダ
部材として作用する。
１図（Ａ）に示すように、例えばチタン際バリウムやチ
タン酸カルカウム等よりなる基板（１）上にSiO2の絶縁
層（２）を積層した後、該絶縁層（２）に対してエッチ
ングを施し端子溝（３）を形成する。なお、上記基板
（１）は磁気回路部を保護するためのいわゆるスライダ
部材として作用する。
上記端子溝（３）の形成手段としては、エッチング液を
用いた湿式エッチング、あるいはRIE（反応イオンエッ
チグ）等のドライエッチング等が挙げられ、この溝深さ
Ｌは、絶縁層（２）の厚さの範囲内で形成すれば良く、
かなりの自由度をもって加工できる。また、上記端子溝
（３）の溝深さＬは、後述の外部接続端子部形成工程の
加工自由度を左右するものであり、ある程度の溝深さＬ
を確保する必要がある。なお、上記基板（１）に非導電
性材料を用いた場合には、基板（１）まで上記端子溝
（３）が到達しても何等支障はない。
用いた湿式エッチング、あるいはRIE（反応イオンエッ
チグ）等のドライエッチング等が挙げられ、この溝深さ
Ｌは、絶縁層（２）の厚さの範囲内で形成すれば良く、
かなりの自由度をもって加工できる。また、上記端子溝
（３）の溝深さＬは、後述の外部接続端子部形成工程の
加工自由度を左右するものであり、ある程度の溝深さＬ
を確保する必要がある。なお、上記基板（１）に非導電
性材料を用いた場合には、基板（１）まで上記端子溝
（３）が到達しても何等支障はない。
次に、第１図（Ｂ）に示すように、上記端子溝（３）内
に例えばCuやAl等の導電性金属（４）を充填する。
に例えばCuやAl等の導電性金属（４）を充填する。
上記導電性金属（４）の充填方法としては、従来と同様
に無電解メッキ法等の湿式法や、スパッタリング法等の
物理的手法が挙げられる。さらに、本発明においては、
この段階では磁性薄膜等の熱的影響が大きい層を形成し
ていないので、導電性ペーストを充填後、高温下のもと
で焼成する方法も採用できる。このように焼成タイプの
導電性ペーストの使用が可能となることにより、この充
填工程に要する時間を大幅に短縮できる。
に無電解メッキ法等の湿式法や、スパッタリング法等の
物理的手法が挙げられる。さらに、本発明においては、
この段階では磁性薄膜等の熱的影響が大きい層を形成し
ていないので、導電性ペーストを充填後、高温下のもと
で焼成する方法も採用できる。このように焼成タイプの
導電性ペーストの使用が可能となることにより、この充
填工程に要する時間を大幅に短縮できる。
続いて、第１図（Ｃ）に示すように、上記絶縁層（２）
及び導電性金属（４）の表面全体に対してポリッシング
加工を施し鏡面状態に仕上げる。ここで、上記端子溝
（３）内に充填された導電性金属が端子部（５）を構成
する。
及び導電性金属（４）の表面全体に対してポリッシング
加工を施し鏡面状態に仕上げる。ここで、上記端子溝
（３）内に充填された導電性金属が端子部（５）を構成
する。
次いで、第１図（Ｄ）に示すように、上記ポリッシング
面上に下部磁性膜（６），コイル導体（７），上部磁性
膜（８）をそれぞれ層間隔絶縁膜（９）を介して順次積
層することにより、作動ギャップｇを形成してなる電磁
変換部（10）を形成する。これら各膜（６），（７），
（８），（９）はスパッタリング等の真空薄膜形成技術
で所定膜厚に成膜した後、フォトリソグラフィ技術等の
微細加工技術を用いて所定形状にパターニングすること
により得られる。
面上に下部磁性膜（６），コイル導体（７），上部磁性
膜（８）をそれぞれ層間隔絶縁膜（９）を介して順次積
層することにより、作動ギャップｇを形成してなる電磁
変換部（10）を形成する。これら各膜（６），（７），
（８），（９）はスパッタリング等の真空薄膜形成技術
で所定膜厚に成膜した後、フォトリソグラフィ技術等の
微細加工技術を用いて所定形状にパターニングすること
により得られる。
ここで、上記コイル導体（７）をパターニングする際
に、該コイル導体（７）から延在形成するように引き出
し部（11）を上記端子部（５）上にまで形成する。この
結果、上記コイル導体（７）は端子部（５）と導通され
たことになる。なお、上記電磁変換部（10）の構造や製
法は、従来公知の種々の構造や手法が採用できる。
に、該コイル導体（７）から延在形成するように引き出
し部（11）を上記端子部（５）上にまで形成する。この
結果、上記コイル導体（７）は端子部（５）と導通され
たことになる。なお、上記電磁変換部（10）の構造や製
法は、従来公知の種々の構造や手法が採用できる。
次に、第１図（Ｅ）に示すように、上記電磁変換部（1
0）や端子部（５）等を覆うように例えばAl2O3等よりな
る保護膜（12）を被着形成した後、該保護膜（12）の表
面に対しポリッシング加工を施し平坦化する。なお、本
実施例ではこの保護膜（12）は膜厚30μｍ程度に形成し
た。
0）や端子部（５）等を覆うように例えばAl2O3等よりな
る保護膜（12）を被着形成した後、該保護膜（12）の表
面に対しポリッシング加工を施し平坦化する。なお、本
実施例ではこの保護膜（12）は膜厚30μｍ程度に形成し
た。
以上で、ウエハ状態での加工が完了する。
最後に、第１図（Ｆ）に示すように、複数のヘッドチッ
プに切り出した後、磁気記録媒体対接面（13）を円筒研
磨し作動ギャップｇのデプスを調整する。
プに切り出した後、磁気記録媒体対接面（13）を円筒研
磨し作動ギャップｇのデプスを調整する。
ここで本発明では、上記スライシング加工と同時に、上
記端子部（５）上の保護膜（12）を該端子部（５）の深
さ方向に切削し切欠き部（14）を形成する。なお、この
切欠き部（14）は、引き出し導体（11）あるいは端子部
（５）が露出するように形成する。そして、この露出し
た端子部（５）が外部接続端子部を構成する。
記端子部（５）上の保護膜（12）を該端子部（５）の深
さ方向に切削し切欠き部（14）を形成する。なお、この
切欠き部（14）は、引き出し導体（11）あるいは端子部
（５）が露出するように形成する。そして、この露出し
た端子部（５）が外部接続端子部を構成する。
上記切欠き部（14）形成方法としては、ヘッドチップに
切り出すと同時にダイヤモンドホィールにて保護膜（1
2）を切削除去しても良いし、あるいは湿式エッチング
やドライエッチング等により除去するようにしても良
い。但し、上記切欠き部（14）は、端子部（５）の全体
に亘って形成するのではなく、端子部（５）と引き出し
部（11）との接続部分を一部残すように切欠くことはい
うまでもない。
切り出すと同時にダイヤモンドホィールにて保護膜（1
2）を切削除去しても良いし、あるいは湿式エッチング
やドライエッチング等により除去するようにしても良
い。但し、上記切欠き部（14）は、端子部（５）の全体
に亘って形成するのではなく、端子部（５）と引き出し
部（11）との接続部分を一部残すように切欠くことはい
うまでもない。
この場合、上記端子部（５）の厚みは、端子溝（３）の
溝深さＬを調節することにより、かなりの厚みをもって
形成できるので、上記切欠き部（14）の切削加工の自由
度が増加する。したがって、端子部（５）や引き出し部
（11）の損傷による信頼性劣化の心配がない。また、端
子部（５）材料の選択条件や、加工条件（エッチング
液、エッチング時間等）等が自由に設定できることによ
り、材料コストや製造コストの点でも有利である。
溝深さＬを調節することにより、かなりの厚みをもって
形成できるので、上記切欠き部（14）の切削加工の自由
度が増加する。したがって、端子部（５）や引き出し部
（11）の損傷による信頼性劣化の心配がない。また、端
子部（５）材料の選択条件や、加工条件（エッチング
液、エッチング時間等）等が自由に設定できることによ
り、材料コストや製造コストの点でも有利である。
以上、本発明の一実施例について説明したが、本発明は
この実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨を
逸脱しない範囲内において種々の構造の薄膜磁気ヘッド
に適用できる。
この実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨を
逸脱しない範囲内において種々の構造の薄膜磁気ヘッド
に適用できる。
以上の説明からも明らかなように、本発明では予め基板
上の絶縁層に端子部を埋設し、この上に薄膜形成技術に
て電磁変換部を形成すると同時にコイル導体の引き出し
部を上記端子まで延在形成後、保護膜を形成し、上記端
子部上の保護膜を除去して外部接続用端子を露出させて
いるので、上記外部接続端子部の損傷がなくなる。した
がって、外部駆動回路と薄膜磁気ヘッドとの接続の信頼
性が向上し、ヘッドの信頼性が大幅に向上する。また、
熱的影響を受け易い電磁変換部を形成する前に端子部を
形成していることから、この端子部を焼成タイプの導電
性ペーストで形成することができ、製造時間を大幅に短
縮できる。
上の絶縁層に端子部を埋設し、この上に薄膜形成技術に
て電磁変換部を形成すると同時にコイル導体の引き出し
部を上記端子まで延在形成後、保護膜を形成し、上記端
子部上の保護膜を除去して外部接続用端子を露出させて
いるので、上記外部接続端子部の損傷がなくなる。した
がって、外部駆動回路と薄膜磁気ヘッドとの接続の信頼
性が向上し、ヘッドの信頼性が大幅に向上する。また、
熱的影響を受け易い電磁変換部を形成する前に端子部を
形成していることから、この端子部を焼成タイプの導電
性ペーストで形成することができ、製造時間を大幅に短
縮できる。
第１図は本発明を適用した薄膜磁気ヘッドの製造方法を
その工程に従って示す概略的な断面図であり、第１図
（Ａ）は端子溝の形成工程を、第１図（Ｂ）は導電性金
属の充填工程を、第１図（Ｃ）はポリッシング工程を、
第１図（Ｄ）は電磁変換部の形成工程を、第１図（Ｅ）
は保護膜形成工程を、第１図（Ｆ）はスライシング加工
工程及び外部接続端子部の露出工程を、それぞれ示す。 第２図は従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す概略的
な断面図であり、第２図（Ａ）は端子溝の形成工程を、
第２図（Ｂ）は外部接続用端子部の形成工程を、それぞ
れ示す。 １……基板 ２……絶縁層 ３……端子溝 ５……端子部 ６……下部磁性膜 ７……コイル導体 ８……上部磁性膜 ９……中間絶縁膜 10……電磁変換部 12……保護膜
その工程に従って示す概略的な断面図であり、第１図
（Ａ）は端子溝の形成工程を、第１図（Ｂ）は導電性金
属の充填工程を、第１図（Ｃ）はポリッシング工程を、
第１図（Ｄ）は電磁変換部の形成工程を、第１図（Ｅ）
は保護膜形成工程を、第１図（Ｆ）はスライシング加工
工程及び外部接続端子部の露出工程を、それぞれ示す。 第２図は従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す概略的
な断面図であり、第２図（Ａ）は端子溝の形成工程を、
第２図（Ｂ）は外部接続用端子部の形成工程を、それぞ
れ示す。 １……基板 ２……絶縁層 ３……端子溝 ５……端子部 ６……下部磁性膜 ７……コイル導体 ８……上部磁性膜 ９……中間絶縁膜 10……電磁変換部 12……保護膜
Claims (1)
- 【請求項１】基板上の絶縁層に端子溝を形成し、 次に、上記端子溝内に導電性金属を充填して端子部を形
成し、 その後、上記絶縁層上に薄膜形成技術にて下部磁性膜，
コイル導体，上部磁性膜をそれぞれ中間絶縁膜を介して
順次積層して電磁変換部を形成するとともに、上記コイ
ル導体の引き出し部を上記端子部上にまで延在せしめ、 次いで、上記電磁変換部上に保護膜を形成した後、 上記端子部上の保護膜を除去することにより該端子部を
外部接続用端子とすることを特徴とする薄膜磁気ヘッド
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25912486A JPH0782614B2 (ja) | 1986-10-30 | 1986-10-30 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25912486A JPH0782614B2 (ja) | 1986-10-30 | 1986-10-30 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63113811A JPS63113811A (ja) | 1988-05-18 |
| JPH0782614B2 true JPH0782614B2 (ja) | 1995-09-06 |
Family
ID=17329650
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25912486A Expired - Fee Related JPH0782614B2 (ja) | 1986-10-30 | 1986-10-30 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0782614B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0289209A (ja) * | 1988-09-26 | 1990-03-29 | Toshiba Corp | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
-
1986
- 1986-10-30 JP JP25912486A patent/JPH0782614B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63113811A (ja) | 1988-05-18 |
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