JPS60258715A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
- Publication number
- JPS60258715A JPS60258715A JP11402384A JP11402384A JPS60258715A JP S60258715 A JPS60258715 A JP S60258715A JP 11402384 A JP11402384 A JP 11402384A JP 11402384 A JP11402384 A JP 11402384A JP S60258715 A JPS60258715 A JP S60258715A
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- Japan
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- insulating film
- film
- head
- thin film
- magnetic head
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の利用分野）
本発明は、薄膜磁気ヘッドの製造方法に関し、特に耐ク
ラツシユ性に好適な層間絶縁膜を有する薄膜磁気ヘッド
の製造方法に関する。
ラツシユ性に好適な層間絶縁膜を有する薄膜磁気ヘッド
の製造方法に関する。
磁気記録密度を高めるためには、記録媒体や、ヘッド・
媒体間隙等を改善する他、ヘッドを薄膜ヘッドに変更す
る必要がある。従来のフェライト・コアを用いたヘッド
では、フェライトの透磁率が１０ Ｍ Ｈｚを越えると
急激に低下し７、また狭くなるトラック幅に合わせてヘ
ッドを加工することが困剥となる。こねに対し、薄膜ヘ
ッドに用いられるパーマロイは高周波透磁率が高く、飽
和磁束密度もフェライトに比べて格段に大きい。
媒体間隙等を改善する他、ヘッドを薄膜ヘッドに変更す
る必要がある。従来のフェライト・コアを用いたヘッド
では、フェライトの透磁率が１０ Ｍ Ｈｚを越えると
急激に低下し７、また狭くなるトラック幅に合わせてヘ
ッドを加工することが困剥となる。こねに対し、薄膜ヘ
ッドに用いられるパーマロイは高周波透磁率が高く、飽
和磁束密度もフェライトに比べて格段に大きい。
第１［シ！は、従来の薄膜磁気ヘッドの断面図である。
薄膜磁気ヘッドを製造するには、基板Ｆにパーマロイ薄
膜（下部磁極）３を形成し、ギャップ絶縁膜４を形成し
た後、無機絶縁膜５を介して単層スパイラル・コイル６
を形成し、その上にフォトレジスト膜（有機絶縁膜）７
を重ねて、その上にパーマロイ薄膜（上部磁極）８を形
成し、上部保霞脆を被覆して完成する。１１は、磁気デ
ィスク円板である。−・ラドは、コンタクト・スタート
・ストップ（ＣＳＳ）方式であるため、円板１１が回転
を始めると浮上する。
膜（下部磁極）３を形成し、ギャップ絶縁膜４を形成し
た後、無機絶縁膜５を介して単層スパイラル・コイル６
を形成し、その上にフォトレジスト膜（有機絶縁膜）７
を重ねて、その上にパーマロイ薄膜（上部磁極）８を形
成し、上部保霞脆を被覆して完成する。１１は、磁気デ
ィスク円板である。−・ラドは、コンタクト・スタート
・ストップ（ＣＳＳ）方式であるため、円板１１が回転
を始めると浮上する。
従来より薄膜ヘッドを１個ずつ加工することはせず、複
数ヘッドを含むブロックごとに加工している。したがっ
て、ブロック内の複数ヘッド間にバラツキが生じ、ギャ
ップ深さゼロ位置点（第１図のＡ点）に差が生じてしま
う。
数ヘッドを含むブロックごとに加工している。したがっ
て、ブロック内の複数ヘッド間にバラツキが生じ、ギャ
ップ深さゼロ位置点（第１図のＡ点）に差が生じてしま
う。
ところで、磁気ヘッドの性能を向上させるためＫは、ギ
ャップ深さくトラック面からＡ点までの距離）を極力小
さくしなければならないが、第１図に示すように、薄膜
磁気ヘッドには層間絶縁膜７として有機樹脂が用いられ
ているため、これがトラック面に露出する危険性がある
。すなわち、ギャップ深さを小さくするために、ヘッド
先端からＡ点までの距離αはできる限り短かく加工され
、かつ前述のように１スライダー複数ヘツド素子構造の
場合、製造バラツキにより一部のヘッドの距離αが０に
なり、有機樹脂７が表面に露出することがある。ヘッド
を構成する他の材料に比べ有機樹脂７の硬度は小であり
、また温湿度の変化による膨張率も大であるため、有機
樹脂７が露出すると、樹脂表面が周囲の温湿度の変化に
より突出し、そのため磁気ヘッドがディスク表面にクラ
ッシュして信号破壊を起こすという欠点がある。
ャップ深さくトラック面からＡ点までの距離）を極力小
さくしなければならないが、第１図に示すように、薄膜
磁気ヘッドには層間絶縁膜７として有機樹脂が用いられ
ているため、これがトラック面に露出する危険性がある
。すなわち、ギャップ深さを小さくするために、ヘッド
先端からＡ点までの距離αはできる限り短かく加工され
、かつ前述のように１スライダー複数ヘツド素子構造の
場合、製造バラツキにより一部のヘッドの距離αが０に
なり、有機樹脂７が表面に露出することがある。ヘッド
を構成する他の材料に比べ有機樹脂７の硬度は小であり
、また温湿度の変化による膨張率も大であるため、有機
樹脂７が露出すると、樹脂表面が周囲の温湿度の変化に
より突出し、そのため磁気ヘッドがディスク表面にクラ
ッシュして信号破壊を起こすという欠点がある。
本発明の目的は、このような従来の欠点を改善し、ギャ
ップ深さが小さく、耐クラツシユ性に優れた薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法を提供することにある。
ップ深さが小さく、耐クラツシユ性に優れた薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法を提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明による薄膜磁気ヘッド
の製造方法は、基板Ｆに下部磁性体、ギャップ材、無機
絶縁膜、導体フィル、有機絶縁膜、上部磁性体および保
護膜を順次形成してなる薄膜磁気ヘッドにおいて、前記
有機絶縁膜をマスクとして、前記無機絶縁膜をエツチン
グし、該有機絶縁膜のテーパ角を前記無機絶縁膜に転写
することに特徴かある。
の製造方法は、基板Ｆに下部磁性体、ギャップ材、無機
絶縁膜、導体フィル、有機絶縁膜、上部磁性体および保
護膜を順次形成してなる薄膜磁気ヘッドにおいて、前記
有機絶縁膜をマスクとして、前記無機絶縁膜をエツチン
グし、該有機絶縁膜のテーパ角を前記無機絶縁膜に転写
することに特徴かある。
以下、本発明の実施例を、図面によりイＱ明する。
第２図は、本発明の製造方法により作られた薄膜磁気ヘ
ッドの一部断面図および単層スパイラル・コイルの平面
図である。
ッドの一部断面図および単層スパイラル・コイルの平面
図である。
第２図（ａｌに示すように、本発明のｊ（＋ｊ造方法に
より作らねたヘッドは、基板上に下Ｍｌｊ磁性体３、ギ
ヤツブ打手、無機絶縁膜５、導体コイル６、有機絶縁膜
７および上部磁性体８を順次形成して製造される。これ
は、第１図に示す従来の磁気ヘッドに比べて、材料や積
層順序では何ら異なるところはない。異なっている点は
、従来のヘッドではギャップ深さゼロ位置点Ａが有機樹
脂絶縁膜７の先端罠なっているのに対して、第２図（ａ
）のヘッドでは、ギャップ深さゼロ位置点Ａと有機樹脂
絶縁膜７の先端位置点Ｂとの間が距離γだけＮｉ ｉ］
ていることである。これは、従来のヘッドでは、無機絶
縁膜５の上で有機樹脂絶縁膜７のみに対してエツチング
することによりテーバを得ているが、第２図（ａ）のヘ
ッドでは、有ｍ樹脂絶縁膜７をマスクにして、無機絶縁
膜５をもエツチングし、無機絶縁膜５に対し有機絶縁膜
７と同一のテーバを得ているからである。
より作らねたヘッドは、基板上に下Ｍｌｊ磁性体３、ギ
ヤツブ打手、無機絶縁膜５、導体コイル６、有機絶縁膜
７および上部磁性体８を順次形成して製造される。これ
は、第１図に示す従来の磁気ヘッドに比べて、材料や積
層順序では何ら異なるところはない。異なっている点は
、従来のヘッドではギャップ深さゼロ位置点Ａが有機樹
脂絶縁膜７の先端罠なっているのに対して、第２図（ａ
）のヘッドでは、ギャップ深さゼロ位置点Ａと有機樹脂
絶縁膜７の先端位置点Ｂとの間が距離γだけＮｉ ｉ］
ていることである。これは、従来のヘッドでは、無機絶
縁膜５の上で有機樹脂絶縁膜７のみに対してエツチング
することによりテーバを得ているが、第２図（ａ）のヘ
ッドでは、有ｍ樹脂絶縁膜７をマスクにして、無機絶縁
膜５をもエツチングし、無機絶縁膜５に対し有機絶縁膜
７と同一のテーバを得ているからである。
なお、詰２図（ａ）のコイル６は断面のみが示されてい
るが、フィル６を平面で見ると、第２図（ｂ）に示すよ
うに、１層スパイラル巻きになっている。
るが、フィル６を平面で見ると、第２図（ｂ）に示すよ
うに、１層スパイラル巻きになっている。
他の実施例として、多層のスパイラル型あるいは多層ヘ
リカル型、ジグザグ型にすることも可能である。
リカル型、ジグザグ型にすることも可能である。
第３図（ａ）〜（ｄ）は、本発明の一実施例を示す薄膜
磁気ヘッドの製造プロセスの断面図である。
磁気ヘッドの製造プロセスの断面図である。
先ず、第３図（、）に示すように、セラミック基板ｌ上
に絶縁膜（下部保護膜）２、下部磁性体３、ギヤツブ打
手を順次形成した後、無機絶縁膜５であるＳｉｏ！ を
２μｍの厚さに形成する。次に、第３図（ｂ）に示すよ
うに、導体コイル６、有機絶縁膜７を形成する。この有
機絶縁膜７は、通常、スピン塗布と熱硬化を施し、ホト
エツチングを行うことにより第３図（ｂ）に示すような
テーバを得る。
に絶縁膜（下部保護膜）２、下部磁性体３、ギヤツブ打
手を順次形成した後、無機絶縁膜５であるＳｉｏ！ を
２μｍの厚さに形成する。次に、第３図（ｂ）に示すよ
うに、導体コイル６、有機絶縁膜７を形成する。この有
機絶縁膜７は、通常、スピン塗布と熱硬化を施し、ホト
エツチングを行うことにより第３図（ｂ）に示すような
テーバを得る。
次に、第３図（ｃ）に示すように、無機絶縁膜５である
Ｓ ｉＯ８に対し、有機絶縁膜７をマスクとしてエツチ
ングする。エツチングする方法としては、ウェット式で
もドライ式でもよい。ウェット式には、エッチ液に浸す
化学エツチングがあり、ドライ式には、材料を陽極にし
て通電する電解エツチング（電解酸化）、平板電極で放
電してラジカルを作るプラズマ・エツチング、およびＡ
ｒ陽イオンの衝撃で材料な削るイオン・エツチングがあ
る。
Ｓ ｉＯ８に対し、有機絶縁膜７をマスクとしてエツチ
ングする。エツチングする方法としては、ウェット式で
もドライ式でもよい。ウェット式には、エッチ液に浸す
化学エツチングがあり、ドライ式には、材料を陽極にし
て通電する電解エツチング（電解酸化）、平板電極で放
電してラジカルを作るプラズマ・エツチング、およびＡ
ｒ陽イオンの衝撃で材料な削るイオン・エツチングがあ
る。
この場合、 Ｓ１Ｏ，の無機絶縁膜δとギヤツブ打手と
有機絶縁膜７との選択比が適正にとねる方法を選Ｊ：こ
とが望ましい。例えば、Ａｒガスを用いたイオン・ミリ
ングを用いると、ガス圧１．６Ｘ１０−Ｔｏｒｒ、 加
速電圧５００■、イオン入射角３０゜の条件で、４７機
絶縁膜（ＰＩＱ）、無機絶縁膜（Ｓ、０． ） 、ギャ
ップ材（Ａｚ、Ｏ，）のエツチング選択比２＝２：１を
得ることができる。したかって、有機絶縁膜７のテーバ
角は、そのまま無機絶縁膜５に転写される。
有機絶縁膜７との選択比が適正にとねる方法を選Ｊ：こ
とが望ましい。例えば、Ａｒガスを用いたイオン・ミリ
ングを用いると、ガス圧１．６Ｘ１０−Ｔｏｒｒ、 加
速電圧５００■、イオン入射角３０゜の条件で、４７機
絶縁膜（ＰＩＱ）、無機絶縁膜（Ｓ、０． ） 、ギャ
ップ材（Ａｚ、Ｏ，）のエツチング選択比２＝２：１を
得ることができる。したかって、有機絶縁膜７のテーバ
角は、そのまま無機絶縁膜５に転写される。
さらに、第３図（ｄ）に示すように、ギャップ材４のコ
ア接続部エツチングを施した後、上部磁性体８、保紬膜
９を形成することにより、薄膜磁気へラドが完成する。
ア接続部エツチングを施した後、上部磁性体８、保紬膜
９を形成することにより、薄膜磁気へラドが完成する。
このようにして製造された薄膜磁気ヘッドでは、第３図
（、ｌ）のギャップ深さゼロ位置点Ａから８点までギャ
ップ深さ加工をしすぎても、有機絶縁膜７が媒体対向面
に露出することはない。
（、ｌ）のギャップ深さゼロ位置点Ａから８点までギャ
ップ深さ加工をしすぎても、有機絶縁膜７が媒体対向面
に露出することはない。
第４図は、複数ヘッドのブロック加工の具合の説明図で
ある。
ある。
第４ 図（＆） （ｂ）は、ｌスライダの中の２個の薄
膜磁気ヘッド間のギャップ深さゼロ位１１を差を示すも
のである。
膜磁気ヘッド間のギャップ深さゼロ位１１を差を示すも
のである。
例えば、１ウエハ上で３００個程度のヘッド１０を同時
に製造するため、ＸＹ座標りのバラツキが生じ、それら
の中には、第４図Ｃ−１に示すように、２個のうちの一
方が前部に配置ざねる場合もある。
に製造するため、ＸＹ座標りのバラツキが生じ、それら
の中には、第４図Ｃ−１に示すように、２個のうちの一
方が前部に配置ざねる場合もある。
第４図（＆−１）（＆−２）（ａ−３）において、ｃ、
ｃ’、ｃはいずれもギャップ深さゼロ位置差である。こ
のように、ギャップ深さゼロ位ｔｆ点Ｎの位置が、Ｃ，
Ｃ，Ｃの距離だけそれぞれ異なっていても、この距離が
、第２図（ＩＩＬ）に示すＡと８間の距離γの間であれ
ば、有機絶縁膜７が露出して、トラック面にクラッシュ
することはない。通常、距離Ｃ，Ｃ，ＣＧ′ｉ１〜２μ
ｍであって、第４図（ｏ）に示すように、Ｓ１０．の無
機絶縁膜５の膜厚を２μｍ１テーパを４０° とすると
、Ａ Ｂ’間距離γは２．３８μｍとなる。したがって
、製造バラツキによって生ずるギャップ深さゼロ位置差
ｃ、ｃ’。
ｃ’、ｃはいずれもギャップ深さゼロ位置差である。こ
のように、ギャップ深さゼロ位ｔｆ点Ｎの位置が、Ｃ，
Ｃ，Ｃの距離だけそれぞれ異なっていても、この距離が
、第２図（ＩＩＬ）に示すＡと８間の距離γの間であれ
ば、有機絶縁膜７が露出して、トラック面にクラッシュ
することはない。通常、距離Ｃ，Ｃ，ＣＧ′ｉ１〜２μ
ｍであって、第４図（ｏ）に示すように、Ｓ１０．の無
機絶縁膜５の膜厚を２μｍ１テーパを４０° とすると
、Ａ Ｂ’間距離γは２．３８μｍとなる。したがって
、製造バラツキによって生ずるギャップ深さゼロ位置差
ｃ、ｃ’。
Ｃは、ギャップ深さゼロ位［Ａより後退させることがで
きるＭ ２．３８μｍより小さい。
きるＭ ２．３８μｍより小さい。
また、■スライダ２ヘッド素子構造の場合、片 方の薄
膜ヘッドが不機絶縁膜７を露出しているときは、耐クラ
ツシユ性が劣るために不良品となっているが、本実１庫
例では、片方の薄膜ヘッドがギャップ深さゼロ位置より
追い込みすぎても有機樹脂が露出しない。したがって、
高精度なギャップ深さ加工にも適しており、耐クラツシ
ユ性の優れた薄膜磁気ヘッドを高歩留りで得ることがで
きる。
膜ヘッドが不機絶縁膜７を露出しているときは、耐クラ
ツシユ性が劣るために不良品となっているが、本実１庫
例では、片方の薄膜ヘッドがギャップ深さゼロ位置より
追い込みすぎても有機樹脂が露出しない。したがって、
高精度なギャップ深さ加工にも適しており、耐クラツシ
ユ性の優れた薄膜磁気ヘッドを高歩留りで得ることがで
きる。
以上説明したように、本発明によれば、有機絶縁膜をギ
ャップ深さゼロ位置から簡単に後退させることができる
ので、ギャップ深さが小さく、かつ耐クラツシユ性に優
ねた薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
ャップ深さゼロ位置から簡単に後退させることができる
ので、ギャップ深さが小さく、かつ耐クラツシユ性に優
ねた薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
第１図は従来の薄膜磁気ヘッドの断面図、第２図は本発
明の製造方法により作られた薄膜磁気ヘッドの断面構造
図とスパイラル・フィルの平面図、第３図は本発明の一
実施例を示す薄膜磁気ヘッドの製造プロセスの断面図、
第４−図は複数ヘッドのブロック加工の場合の説明図で
ある。 ｌ：十ラミック基板、２：絶縁膜、３：下部磁性体、４
＝ギヤツプ材、５＝無機絶縁膜、６：導体コイル、７：
有機絶縁膜、８ニ−Ｌ部磁性体、９：保護膜、Ａ：ギャ
ップ深さゼロ位置。 特許出願人 株式会社 日立製作所 代 理 人 弁理士 磯 朽 雅 俊 第１図 第２図 （ａ） 第３図
明の製造方法により作られた薄膜磁気ヘッドの断面構造
図とスパイラル・フィルの平面図、第３図は本発明の一
実施例を示す薄膜磁気ヘッドの製造プロセスの断面図、
第４−図は複数ヘッドのブロック加工の場合の説明図で
ある。 ｌ：十ラミック基板、２：絶縁膜、３：下部磁性体、４
＝ギヤツプ材、５＝無機絶縁膜、６：導体コイル、７：
有機絶縁膜、８ニ−Ｌ部磁性体、９：保護膜、Ａ：ギャ
ップ深さゼロ位置。 特許出願人 株式会社 日立製作所 代 理 人 弁理士 磯 朽 雅 俊 第１図 第２図 （ａ） 第３図
Claims (1)
- α）８板［：に下部磁性体、ギャップ材、無機絶縁膜、
導体コイル、有ｖ４絶縁膜、上部磁性体および保Ｗ！！
膜を順次形成してなる薄膜磁気ヘッドにおいて、前記有
機＃ＩＲ膜をマスクとして、前記無機絶縁膜をエツチン
グし、該有機絶縁膜のテーパ角を１１１１記無機絶縁膜
に転写することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11402384A JPS60258715A (ja) | 1984-06-04 | 1984-06-04 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11402384A JPS60258715A (ja) | 1984-06-04 | 1984-06-04 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60258715A true JPS60258715A (ja) | 1985-12-20 |
Family
ID=14627103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11402384A Pending JPS60258715A (ja) | 1984-06-04 | 1984-06-04 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60258715A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4841624A (en) * | 1987-01-13 | 1989-06-27 | Hitachi, Ltd. | Method of producing a thin film magnetic head |
| JPH03214410A (ja) * | 1990-01-18 | 1991-09-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜磁気ヘッド |
-
1984
- 1984-06-04 JP JP11402384A patent/JPS60258715A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4841624A (en) * | 1987-01-13 | 1989-06-27 | Hitachi, Ltd. | Method of producing a thin film magnetic head |
| JPH03214410A (ja) * | 1990-01-18 | 1991-09-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜磁気ヘッド |
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