JPS6168717A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
- Publication number
- JPS6168717A JPS6168717A JP18953584A JP18953584A JPS6168717A JP S6168717 A JPS6168717 A JP S6168717A JP 18953584 A JP18953584 A JP 18953584A JP 18953584 A JP18953584 A JP 18953584A JP S6168717 A JPS6168717 A JP S6168717A
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- JP
- Japan
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- film
- insulating film
- point
- interlayer insulating
- gap
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は薄膜磁気ヘッドの製造方法に関し、特に層間絶
縁膜によるクラッシュを防止し得る薄膜磁気ヘッドの製
造方法に関する。
縁膜によるクラッシュを防止し得る薄膜磁気ヘッドの製
造方法に関する。
磁気記録密度を高めるためには、記録媒体、磁気ヘッド
−媒体間隔等を改善する他、磁気ヘッドを薄膜化する必
要がある。しかし、磁気ヘッドだけに関して見ると、従
来のフェライト・コアを用いた磁気ヘッドでは、高記録
密度化はそろそろ限界である。フェライトの透磁率がｌ
ＯＭＨｚを超えると急激に低下し、狭くなるトラック幅
に合わせて機械加工することが困難ｉなる等のためであ
る。
−媒体間隔等を改善する他、磁気ヘッドを薄膜化する必
要がある。しかし、磁気ヘッドだけに関して見ると、従
来のフェライト・コアを用いた磁気ヘッドでは、高記録
密度化はそろそろ限界である。フェライトの透磁率がｌ
ＯＭＨｚを超えると急激に低下し、狭くなるトラック幅
に合わせて機械加工することが困難ｉなる等のためであ
る。
これに対し、薄膜磁気ヘッドに用いられるパーマロイは
、高周波透磁率が高く、飽和磁束密度もフェライトに比
べて格段に大きいため、薄膜磁気ヘッドは本質的に高密
度記録に適している。
、高周波透磁率が高く、飽和磁束密度もフェライトに比
べて格段に大きいため、薄膜磁気ヘッドは本質的に高密
度記録に適している。
薄膜磁気ヘッドを製造するには、基板上にパーマロイ薄
膜（下部磁極）を形成しギャップ絶縁膜を形成した後、
無機層間絶縁膜を介して単層スパイラルコイルを形成し
、その上に有機層間絶縁膜を重ね、さらにその上にパー
マロイ薄膜（上部磁ｐｉ）を形成し、上部保護膜を被覆
した後、上記各磁極を所定のギャップ深さにまで研磨す
る。
膜（下部磁極）を形成しギャップ絶縁膜を形成した後、
無機層間絶縁膜を介して単層スパイラルコイルを形成し
、その上に有機層間絶縁膜を重ね、さらにその上にパー
マロイ薄膜（上部磁ｐｉ）を形成し、上部保護膜を被覆
した後、上記各磁極を所定のギャップ深さにまで研磨す
る。
従来、■スライダー複数ヘッド素子構造の薄膜磁気ヘッ
ドにおいては、薄膜磁気ヘッドを１個ずつギャップ深さ
加工することはせず、複数ヘッドを含むブロックごとに
加工している。このため。
ドにおいては、薄膜磁気ヘッドを１個ずつギャップ深さ
加工することはせず、複数ヘッドを含むブロックごとに
加工している。このため。
ブロック内の複数ヘッド間にバラツキが生じ、ギャップ
深さゼロ位置点に差が生じてしまう。
深さゼロ位置点に差が生じてしまう。
ところで、磁気ヘットの性能（記録密度）を向上させる
ためには、ギャップ深さを極力小さくする必要があるが
、ｉ膜磁気ヘッドには層間絶縁膜として有機樹脂が用い
られているため、これがトランク面に露出する危険性が
ある。すなわち、ギャップ深さ寸法を小さくするために
ヘッド先端からギャップ深さゼロ位置までの距離は出来
る限り短く加工され、かつ上記１スライダー複数ヘツト
素子構造の場合、製造バラツキによりギヤツブ深ゼロ位
置までの距離はゼロまたはマイナスになり、有機樹脂の
一部が表面に露出することがある。
ためには、ギャップ深さを極力小さくする必要があるが
、ｉ膜磁気ヘッドには層間絶縁膜として有機樹脂が用い
られているため、これがトランク面に露出する危険性が
ある。すなわち、ギャップ深さ寸法を小さくするために
ヘッド先端からギャップ深さゼロ位置までの距離は出来
る限り短く加工され、かつ上記１スライダー複数ヘツト
素子構造の場合、製造バラツキによりギヤツブ深ゼロ位
置までの距離はゼロまたはマイナスになり、有機樹脂の
一部が表面に露出することがある。
ヘットを構成する他の材料に比べ有機樹脂の硬度は小で
あり、また温湿度の変化による膨張率も大であるため、
有機樹脂が露出すると樹脂表面が周囲の温湿度変化によ
り突出し、そのため磁気ヘットがディスク表面にクラッ
シュして信号破壊を起こすという欠点がある。
あり、また温湿度の変化による膨張率も大であるため、
有機樹脂が露出すると樹脂表面が周囲の温湿度変化によ
り突出し、そのため磁気ヘットがディスク表面にクラッ
シュして信号破壊を起こすという欠点がある。
なお、公知例としては、特開昭５８−ＩＬＬ１１６号、
特開昭５８−９８８２２号公報等がある。
特開昭５８−９８８２２号公報等がある。
本発明の目的は、上記従来技術の欠点を改善し。
層間絶縁膜である有機層間樹脂膜によるクラッシュを防
止し得る薄膜磁気ヘットの製造方法を毘供することにあ
る。
止し得る薄膜磁気ヘットの製造方法を毘供することにあ
る。
上記目的を達成するため、本発明は、少なくとも下部磁
性体、ギャップ層、無機層間絶縁膜、導体コイル、有機
層間絶縁膜、上部磁性体を積層してなる薄膜磁気ヘッド
の製造過程において、前記無機層開維＃ｌＩｉをギャッ
プ長分の段差が形成されるようエツチングし、当該段差
の上段部に前記有機層間絶縁膜を積層し、当該有機層間
絶縁膜をマスクとして前記無機層間絶縁膜を前記下部磁
性体が露出するまでエツチングすることにより、前記無
機層間絶縁膜の一部を前記ギャップ層とすることに特徴
がある。
性体、ギャップ層、無機層間絶縁膜、導体コイル、有機
層間絶縁膜、上部磁性体を積層してなる薄膜磁気ヘッド
の製造過程において、前記無機層開維＃ｌＩｉをギャッ
プ長分の段差が形成されるようエツチングし、当該段差
の上段部に前記有機層間絶縁膜を積層し、当該有機層間
絶縁膜をマスクとして前記無機層間絶縁膜を前記下部磁
性体が露出するまでエツチングすることにより、前記無
機層間絶縁膜の一部を前記ギャップ層とすることに特徴
がある。
以下１本発明の構成を一実施例により詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例による薄膜磁気ヘッドの製造
過程を示す図である。
過程を示す図である。
まず、第１図（ａ）に示すように、セラミック基板ｌ上
にアルミナ等からなる下地絶縁膜２．パーマロイからな
る下部磁性・体３を順次形成する。次に、アルミナ（Ａ
、９２０３）膜４を２μｍ、スパッタリング法により形
成する。
にアルミナ等からなる下地絶縁膜２．パーマロイからな
る下部磁性・体３を順次形成する。次に、アルミナ（Ａ
、９２０３）膜４を２μｍ、スパッタリング法により形
成する。
次に第１図（ｂ）に示すように、ヘッド先端部となる部
分（Ｄ点近傍）のアルミナ（ＡｕｚＯ３）４をギャップ
長分の厚膜だけ残すようエツチングする。エツチング方
法は、ドライ式でもウェット式でも良い。例えば、ポジ
型ホトレジスト２μｍ（１２０°Ｃボストベーク）をマ
スク材として、アルゴンイオンミリングを用い、ガス圧
１，６ｘｔ。
分（Ｄ点近傍）のアルミナ（ＡｕｚＯ３）４をギャップ
長分の厚膜だけ残すようエツチングする。エツチング方
法は、ドライ式でもウェット式でも良い。例えば、ポジ
型ホトレジスト２μｍ（１２０°Ｃボストベーク）をマ
スク材として、アルゴンイオンミリングを用い、ガス圧
１，６ｘｔ。
−” Ｔ ｏ ｒ ｒ 、加速電圧５００Ｖ、イオン入
射角３０度の条件で約６０分間エツチングすれば良い。
射角３０度の条件で約６０分間エツチングすれば良い。
このアルミナ（Ａ Ｑ ２０３）膜４は、ギャップ層お
よび無機層間絶縁膜として機能する。
よび無機層間絶縁膜として機能する。
更に、第１図（ｃ）に示したように、アルミナ（Ａ Ｑ
２０３ ）膜４の上に導体コイル５．有機層間絶縁膜
６を形成する。導体コイル５はスパンタリング法、メッ
キ法等の手法により形成し、有機層間絶＃［６はスピン
塗布、熱硬化、ホ１〜エツチングの手法により形成する
。ただし、有機層間絶縁［６のテーパ部の下端点Ｂは、
アルミナ（ＡＩＬ２０３）膜４のＤ点より後退させた位
置になるよう形成する。
２０３ ）膜４の上に導体コイル５．有機層間絶縁膜
６を形成する。導体コイル５はスパンタリング法、メッ
キ法等の手法により形成し、有機層間絶＃［６はスピン
塗布、熱硬化、ホ１〜エツチングの手法により形成する
。ただし、有機層間絶縁［６のテーパ部の下端点Ｂは、
アルミナ（ＡＩＬ２０３）膜４のＤ点より後退させた位
置になるよう形成する。
次に第１図（ｄ）に示すように、有機層間絶縁膜６をマ
スクとして、アルミナ（ＡＱｚＯ３）膜４をエツチング
する。この際、ア！レミナ（ＡＱ２０ａ）膜４と有機層
間絶縁膜６のテーパ角が同じになるよう、再考のエツチ
ング速度が同一レベルになるようなエツチング手法を用
いることが望ましい。
スクとして、アルミナ（ＡＱｚＯ３）膜４をエツチング
する。この際、ア！レミナ（ＡＱ２０ａ）膜４と有機層
間絶縁膜６のテーパ角が同じになるよう、再考のエツチ
ング速度が同一レベルになるようなエツチング手法を用
いることが望ましい。
例えば、アルゴンイオンミリング、を用い、ガス圧１．
６ｘ １０−’ Ｔｏ ｒ ｒ、加速電圧５００Ｖ。
６ｘ １０−’ Ｔｏ ｒ ｒ、加速電圧５００Ｖ。
イオン入射角３０度の条件でエツチング′ｊＩシば、ア
ルミナ（Ａ Ｑ ２０３ ）Ｉ漠４と有機層間絶縁１漠
６（１）ｉＱ）のエツチング速度は同一・レベルとなる
。
ルミナ（Ａ Ｑ ２０３ ）Ｉ漠４と有機層間絶縁１漠
６（１）ｉＱ）のエツチング速度は同一・レベルとなる
。
また、エツチング時のエツチング終点は、アルミナ（Ａ
Ｑ ２０３）ＩＩＷ４のＤ点より先端側で下部磁性体
３が露出した点とする。したがって、エツチング後の形
状は、ギャップ深さゼロ位置点ＣからＤ点までは、アル
ミナ（ＡＱ２０３）膜４がギャップ長分残り、ギャップ
層として機能する。有機層間絶縁膜６の先端点Ｂは、ギ
ャップ深さゼロ位置点Ｃより後退した位置となる。Ｃ点
〜Ｂ点問およびＣ点〜Ｄ点間の距離はアルミナ（ＡＱｚ
Ｏ３）膜４の膜厚、ホトマスクの位置合せ等により任意
に選ぶことができる。
Ｑ ２０３）ＩＩＷ４のＤ点より先端側で下部磁性体
３が露出した点とする。したがって、エツチング後の形
状は、ギャップ深さゼロ位置点ＣからＤ点までは、アル
ミナ（ＡＱ２０３）膜４がギャップ長分残り、ギャップ
層として機能する。有機層間絶縁膜６の先端点Ｂは、ギ
ャップ深さゼロ位置点Ｃより後退した位置となる。Ｃ点
〜Ｂ点問およびＣ点〜Ｄ点間の距離はアルミナ（ＡＱｚ
Ｏ３）膜４の膜厚、ホトマスクの位置合せ等により任意
に選ぶことができる。
最後に、第１図（ｅ）に示すように、パーマロイによる
上部磁性体７．保護膜８を形成する。
上部磁性体７．保護膜８を形成する。
この後、ギャップ深さ加工を媒体対向面である入方向か
ら行うと、Ｄ点において、ギャップ層としてのアルミナ
（Ａα２０３）［４が露出する。このＤ点のギャップ深
さゼロ位置点Ｃからの距離を予め測定しておくことによ
り、ギャップ深さ寸法を推ｆｆｌ’ｌすることができる
。例えば、（７点〜「〕点間の距離が３）ｘｍであるな
らば、媒体対向面に露出しているアルミナ（Ａ Ｑ ２
０３）膜・１の膜厚（キャップ長）が１μｍの時、ギャ
ップ深さ寸法は０〜３μｍの間の値であることになる。
ら行うと、Ｄ点において、ギャップ層としてのアルミナ
（Ａα２０３）［４が露出する。このＤ点のギャップ深
さゼロ位置点Ｃからの距離を予め測定しておくことによ
り、ギャップ深さ寸法を推ｆｆｌ’ｌすることができる
。例えば、（７点〜「〕点間の距離が３）ｘｍであるな
らば、媒体対向面に露出しているアルミナ（Ａ Ｑ ２
０３）膜・１の膜厚（キャップ長）が１μｍの時、ギャ
ップ深さ寸法は０〜３μｍの間の値であることになる。
複数ヘッドを含むブロック状でギャップ深さ加工をする
際、各素子間のギャップ深さバラツキがＣ点〜Ｂ点間の
距離より小さければ、有機層間絶縁膜６が媒体対向面に
露出するヘット素子を含むスライダーが発生することは
ない。
際、各素子間のギャップ深さバラツキがＣ点〜Ｂ点間の
距離より小さければ、有機層間絶縁膜６が媒体対向面に
露出するヘット素子を含むスライダーが発生することは
ない。
以上説明したように、本発明によれば、層間絶縁膜であ
る有機層間絶縁膜によるクラッシュを防止することが可
能となる。
る有機層間絶縁膜によるクラッシュを防止することが可
能となる。
第１図は本発明の一実施例による薄膜磁気ヘッドの製造
方法を示す図である。 ３：下部絶縁体、４：アルミナ膜（無８ｉ層間絶縁膜、
ギャップ層）、６；有機層間絶縁膜、７：上部磁性体。
方法を示す図である。 ３：下部絶縁体、４：アルミナ膜（無８ｉ層間絶縁膜、
ギャップ層）、６；有機層間絶縁膜、７：上部磁性体。
Claims (1)
- （１）少なくとも下部磁性体、ギャップ層、無機層間絶
縁膜、導体コイル、有機層間絶縁膜、上部磁性体を積層
してなる薄膜磁気ヘッドの製造過程において、前記無機
層間絶縁膜をギャップ長分の段差が形成されるようエッ
チングし、当該段差の上段部に前記有機層間絶縁膜を積
層し、当該有機層間絶縁膜をマスクとして前記無機層間
絶縁膜を前記下部磁性体が露出するまでエッチングする
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18953584A JPS6168717A (ja) | 1984-09-12 | 1984-09-12 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18953584A JPS6168717A (ja) | 1984-09-12 | 1984-09-12 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6168717A true JPS6168717A (ja) | 1986-04-09 |
Family
ID=16242927
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18953584A Pending JPS6168717A (ja) | 1984-09-12 | 1984-09-12 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6168717A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4841402A (en) * | 1986-01-27 | 1989-06-20 | Hitachi, Ltd. | Thin film magnetic head and method of manufacture |
-
1984
- 1984-09-12 JP JP18953584A patent/JPS6168717A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4841402A (en) * | 1986-01-27 | 1989-06-20 | Hitachi, Ltd. | Thin film magnetic head and method of manufacture |
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