JPS63257909A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPS63257909A JPS63257909A JP9085387A JP9085387A JPS63257909A JP S63257909 A JPS63257909 A JP S63257909A JP 9085387 A JP9085387 A JP 9085387A JP 9085387 A JP9085387 A JP 9085387A JP S63257909 A JPS63257909 A JP S63257909A
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、薄膜磁気ヘッドに係り、特に、高密度の記録
、再生に好適な小さいギャップ深さ寸法を有する薄膜磁
気ヘッド及びその製造方法に関するものである。
、再生に好適な小さいギャップ深さ寸法を有する薄膜磁
気ヘッド及びその製造方法に関するものである。
従来の薄膜磁気ヘッドは、例えば特開昭６１−３２２１
２に記載のように、酸素イオンミリングにより、有機絶
縁膜を選択的にエツチングするものであるが、酸素イオ
ンミリング後の有機絶縁膜表面は１面粗れが発生し、こ
の上に形成する磁性膜の磁気特性（透磁率）を劣化させ
ていた。
２に記載のように、酸素イオンミリングにより、有機絶
縁膜を選択的にエツチングするものであるが、酸素イオ
ンミリング後の有機絶縁膜表面は１面粗れが発生し、こ
の上に形成する磁性膜の磁気特性（透磁率）を劣化させ
ていた。
しかしながら、前記かかる従来の技術では、有機絶縁膜
の面粗れの点について配慮されておらず、有機絶縁膜上
に形成する磁性体の磁気特性（透磁率）を安定して得る
ことが困難であるという問題点があった。
の面粗れの点について配慮されておらず、有機絶縁膜上
に形成する磁性体の磁気特性（透磁率）を安定して得る
ことが困難であるという問題点があった。
すなわち、高記録密度に適した高精度で寸法の小さいギ
ャップ深さ寸法を有した高性能薄膜磁気ヘッドスライダ
ーを得るためには、有機絶縁膜をマスクとしてギャップ
材をエツチングした後、このギャップ材端部のエツジか
ら、所定量（ほぼギャップ深さ寸法と等しい長さ分）だ
け、高精度に有機絶縁膜を後退させ、かつ、有機絶縁膜
表面は。
ャップ深さ寸法を有した高性能薄膜磁気ヘッドスライダ
ーを得るためには、有機絶縁膜をマスクとしてギャップ
材をエツチングした後、このギャップ材端部のエツジか
ら、所定量（ほぼギャップ深さ寸法と等しい長さ分）だ
け、高精度に有機絶縁膜を後退させ、かつ、有機絶縁膜
表面は。
有機絶縁上に形成する磁性膜の特性を劣化させないため
に面粗さを小さくしなければならなかった。
に面粗さを小さくしなければならなかった。
本発明は、前記問題点を解決するためになされたもので
ある。
ある。
本発明の目的は、高密度記録に適し、高精度で小さなギ
ャップ深さ、高精能磁性膜を有する薄膜磁気ヘッド及び
その製造方法を提供することにある。
ャップ深さ、高精能磁性膜を有する薄膜磁気ヘッド及び
その製造方法を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。
本願において開示される発明のうち１代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、絶縁性基板上に第１磁性体、非磁性ギャップ
材、導電体、有機絶縁膜、第２磁性体、保護膜を順次設
け、前記第１磁性体と第２磁性体が記録媒体対向部側と
なる前方部に、ほぼギャップ深さ寸法と等しい長さ分だ
け前記非磁性ギャップ材を介して対向する部分と該部分
を越えた前方で接続された構造を有する薄膜磁気ヘッド
であって、前記有機絶縁膜と第２磁性体との境界面を平
滑にしたものである。また、絶縁性基板上に第１磁性体
、非磁性ギャップ材、導電体、有機絶ｌ＃ｃ膜、第２磁
性体、保護膜を順次形成し、前記第１磁性体と第２磁性
体が記録媒体対向部側となる前方部に、ほぼギャップ深
さ寸法と等しい長さ分だけ前記非磁性ギャップ材を介し
て対向する部分と該部分を越えた前方で接続された構造
を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、前記有機
絶縁膜上マスクとして前記非磁性ギャップ材をエツチン
グした後、当該有機絶縁膜を所定量だけ選択的に酸素プ
ラズマドライエツチングし、更に当該有機絶縁膜を所定
量だけ選択的にウェットエツチングして平滑面を形成し
、前記非磁性ギャップ材接続部を前記ギャップ深さ寸法
とほぼ等しくなるように除去加工を行なって所定量のギ
ャップ深さ寸法を有する薄膜磁気ヘッドスライダ−を形
成するものである。
材、導電体、有機絶縁膜、第２磁性体、保護膜を順次設
け、前記第１磁性体と第２磁性体が記録媒体対向部側と
なる前方部に、ほぼギャップ深さ寸法と等しい長さ分だ
け前記非磁性ギャップ材を介して対向する部分と該部分
を越えた前方で接続された構造を有する薄膜磁気ヘッド
であって、前記有機絶縁膜と第２磁性体との境界面を平
滑にしたものである。また、絶縁性基板上に第１磁性体
、非磁性ギャップ材、導電体、有機絶ｌ＃ｃ膜、第２磁
性体、保護膜を順次形成し、前記第１磁性体と第２磁性
体が記録媒体対向部側となる前方部に、ほぼギャップ深
さ寸法と等しい長さ分だけ前記非磁性ギャップ材を介し
て対向する部分と該部分を越えた前方で接続された構造
を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、前記有機
絶縁膜上マスクとして前記非磁性ギャップ材をエツチン
グした後、当該有機絶縁膜を所定量だけ選択的に酸素プ
ラズマドライエツチングし、更に当該有機絶縁膜を所定
量だけ選択的にウェットエツチングして平滑面を形成し
、前記非磁性ギャップ材接続部を前記ギャップ深さ寸法
とほぼ等しくなるように除去加工を行なって所定量のギ
ャップ深さ寸法を有する薄膜磁気ヘッドスライダ−を形
成するものである。
前記手段によれば、酸素プラズマドライエツチングによ
り、有機絶縁膜だけを選択的に高精度除去し、かつ、こ
の後、有機絶縁膜表面をウェット式ライトエツチングに
より、面粗れした有機絶縁膜表面を除去することができ
るので、高精度かつ均一な有機絶縁膜除去寸法と面粗さ
の小さい有機絶縁膜表面を得ることができる。
り、有機絶縁膜だけを選択的に高精度除去し、かつ、こ
の後、有機絶縁膜表面をウェット式ライトエツチングに
より、面粗れした有機絶縁膜表面を除去することができ
るので、高精度かつ均一な有機絶縁膜除去寸法と面粗さ
の小さい有機絶縁膜表面を得ることができる。
これにより、ギャップ深さ寸法が高精度で小さく、かつ
、高性能磁性膜を有する薄膜磁気ヘッドを製造すること
ができ、高密度記録に適した薄膜磁気ヘッドを得ること
ができる。
、高性能磁性膜を有する薄膜磁気ヘッドを製造すること
ができ、高密度記録に適した薄膜磁気ヘッドを得ること
ができる。
以下、本発明の実施例を、図面を用いて説明する。
なお、実施例を説明するための全回において、同一機能
を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は
省略する。
を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は
省略する。
第１図乃至第５図は、本発明の一実施例の薄膜磁気ヘッ
ド製造方法における製造プロセスを説明するための各工
程の、素子部中央断面を示す断面図である。
ド製造方法における製造プロセスを説明するための各工
程の、素子部中央断面を示す断面図である。
本実施例の薄膜磁気ヘッド製造方法は、まず。
第１図に示すようにセラミック基板（絶縁性基板）１上
に下地膜２．下部磁性体（第１磁性体）３、非磁性体か
らなる非磁性ギャップ材４、コイル５、有機絶縁膜６を
順次形成する。これらの形成方法は１例えば、下地膜２
、非磁性ギャップ材４は。
に下地膜２．下部磁性体（第１磁性体）３、非磁性体か
らなる非磁性ギャップ材４、コイル５、有機絶縁膜６を
順次形成する。これらの形成方法は１例えば、下地膜２
、非磁性ギャップ材４は。
アルミナスパッタリング、下部磁性体３．コイル５は、
パーマロイ、銅のスパッタリング、酸素イオンミリング
により形成する。有機絶縁膜６は、ポリイミド系有機便
脂をスピンコード、熱硬化、ウェットエツチング（テー
パエツチング）等により形成する。
パーマロイ、銅のスパッタリング、酸素イオンミリング
により形成する。有機絶縁膜６は、ポリイミド系有機便
脂をスピンコード、熱硬化、ウェットエツチング（テー
パエツチング）等により形成する。
次に、第２図に示す様に有機絶縁膜６をマスクどして非
磁性ギャップ材４をエツチングする。この方法は、例え
ば、酸素イオンミリング装置を用い、ＣＦ、（四フッ化
炭素）圧力１．６ Ｘ １０ｔｏｒｒ、加速電圧５００
ボルト（Ｖ）、イオン入射角６０度の条件で１０分間程
度のエツチングにより、０．５μｍのギャップ材を除去
することができる。
磁性ギャップ材４をエツチングする。この方法は、例え
ば、酸素イオンミリング装置を用い、ＣＦ、（四フッ化
炭素）圧力１．６ Ｘ １０ｔｏｒｒ、加速電圧５００
ボルト（Ｖ）、イオン入射角６０度の条件で１０分間程
度のエツチングにより、０．５μｍのギャップ材を除去
することができる。
また、この際、非磁性ギャップ材４に有機絶縁ｗＡ６の
テーパ形状が転写され、非磁性ギャップ材テーパ部の上
端点Ａが決まる。
テーパ形状が転写され、非磁性ギャップ材テーパ部の上
端点Ａが決まる。
次に、第３図に示すように、有機絶縁膜６を選択的に所
定量だけ除去する。この方法は、例えば、酸素イオンミ
リング装置を用いて、酸素圧力１゜６ Ｘ Ｉ ０ｔｏ
ｒｒ、加速電圧４００ボルト（■）、イオン入射角９０
度の条件で１０分間程度エツチングすることにより、有
機絶縁膜６のパターンは。
定量だけ除去する。この方法は、例えば、酸素イオンミ
リング装置を用いて、酸素圧力１゜６ Ｘ Ｉ ０ｔｏ
ｒｒ、加速電圧４００ボルト（■）、イオン入射角９０
度の条件で１０分間程度エツチングすることにより、有
機絶縁膜６のパターンは。
非磁性ギャップ材４のパターンより２μｍ小さくなる。
従って、ヘッド先端部の有機絶縁膜パターン端点は、Ａ
点より、約２μｍ後退したＢ点となる０通常ドライエツ
チングは、エツチングレートが安定しており、高精度に
後退することができる。
点より、約２μｍ後退したＢ点となる０通常ドライエツ
チングは、エツチングレートが安定しており、高精度に
後退することができる。
しかし、通常の酸素プラズマによる有機膜のエツチング
の場合、イオンによるスパッタリング、ラジカルによる
灰化反応が発生し、表面粗さが０゜２〜０．５μｍ程度
となる。この表面粗さは、有機絶縁膜６上に形成する磁
性膜の磁気特性（透磁率）を劣化させるものである。
の場合、イオンによるスパッタリング、ラジカルによる
灰化反応が発生し、表面粗さが０゜２〜０．５μｍ程度
となる。この表面粗さは、有機絶縁膜６上に形成する磁
性膜の磁気特性（透磁率）を劣化させるものである。
次に、第４図に示すように、ウェット式エツチングによ
り有機絶縁膜６の表面の面粗れ層を除去する。この方法
は、ヒドラジンヒトラードとエチレンジアミンとの混合
比が７：３（ＶＯＬ比）の液温３０℃の混合エツチング
液で、１〜２分間エツチングすることにより、可能であ
る。ウェットエツチング後の有機絶縁膜６の表面粗さは
、０゜１μｍ以下となり、磁性膜の磁気特性劣化を防止
することができる。また、有機絶縁膜６の端点Ｂはほと
んど変化せず、非磁性ギャップ材４の端点Ａからの寸法
り。は２μｍのままである。
り有機絶縁膜６の表面の面粗れ層を除去する。この方法
は、ヒドラジンヒトラードとエチレンジアミンとの混合
比が７：３（ＶＯＬ比）の液温３０℃の混合エツチング
液で、１〜２分間エツチングすることにより、可能であ
る。ウェットエツチング後の有機絶縁膜６の表面粗さは
、０゜１μｍ以下となり、磁性膜の磁気特性劣化を防止
することができる。また、有機絶縁膜６の端点Ｂはほと
んど変化せず、非磁性ギャップ材４の端点Ａからの寸法
り。は２μｍのままである。
従って、高精度なし。寸法と１面粗さの小さい有機絶縁
膜６の表面を得ることができる。
膜６の表面を得ることができる。
更に、第５図に示すように、上部磁性体７、保護膜８を
順次形成し、薄膜磁気ヘッド素子が完成する。
順次形成し、薄膜磁気ヘッド素子が完成する。
第５図に示す媒体対向面側であるｆ方向からギャップ長
となるＡ点からＢ点までの中間点Ｃまで研磨することに
より薄膜磁気ヘッドが完成する。
となるＡ点からＢ点までの中間点Ｃまで研磨することに
より薄膜磁気ヘッドが完成する。
この際、加工停止点Ｃは、ｆ方向から、非磁性ギャップ
材４を観察すれば容易に検知することができる。
材４を観察すれば容易に検知することができる。
完成した薄膜磁気ヘッドのギャップ深さは、ギャップ深
さゼロ位Ｂ点（有機絶縁膜６の端点）から加工終点Ｃま
でのｊ！ｌｌ１Ｌとなり、Ａ点からＢ点までの距離り。
さゼロ位Ｂ点（有機絶縁膜６の端点）から加工終点Ｃま
でのｊ！ｌｌ１Ｌとなり、Ａ点からＢ点までの距離り。
寸法（２μｍ）より小さい寸法となる。
従って、あらかじめ、高精度で、かつ、小さいＬｏの寸
法を形成しておけば、Ｌｏの寸法より小さいギャップ深
さを有する薄膜磁気ヘッドを形成することが可能となる
。
法を形成しておけば、Ｌｏの寸法より小さいギャップ深
さを有する薄膜磁気ヘッドを形成することが可能となる
。
このように、本実施例によれば、前記り。の寸法をあら
かじめ小さく形成しておくことによりギャップ深さを高
密度に制御することができるので。
かじめ小さく形成しておくことによりギャップ深さを高
密度に制御することができるので。
ギャップ長の変化により、ギャップ深さ加工を高密度で
停止させることができる。更に、有機絶縁膜６を露出さ
せることなくギャップ深さ寸法を小さくすることができ
る。また、有機絶縁膜６の面粗さを小さくすることがで
き、高性能磁性膜を有する薄膜磁気ヘッドを製造するこ
とができる。
停止させることができる。更に、有機絶縁膜６を露出さ
せることなくギャップ深さ寸法を小さくすることができ
る。また、有機絶縁膜６の面粗さを小さくすることがで
き、高性能磁性膜を有する薄膜磁気ヘッドを製造するこ
とができる。
以上１本発明を実施例にもとづき具体的に説明したが、
本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であること
は言うまでもない。
本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であること
は言うまでもない。
以上説明したように、本発明によれば、小さいギャップ
深さ寸法を高精度で形成することができ、かつ、面粗さ
の小さい高性能磁性膜を形成することができるので、高
密度記録、再生に適した電磁気特性の均一なヘッドを安
定して製造できる。また、これにより、高性能で、高信
頼性のヘッドを得ることができる。
深さ寸法を高精度で形成することができ、かつ、面粗さ
の小さい高性能磁性膜を形成することができるので、高
密度記録、再生に適した電磁気特性の均一なヘッドを安
定して製造できる。また、これにより、高性能で、高信
頼性のヘッドを得ることができる。
第１図乃至第５図は１本発明の一実施例の薄膜磁気ヘッ
ド製造方法における製造プロセスを説明するための各工
程の素子部中央断面を示す断面図である。 図中、１・・・セラミック基板（絶縁性基板）、２・・
・下地膜、３・・・下部磁性体（第１磁性体）、４・・
・非磁性ギャップ材、５・・・コイル、６・・・有機絶
縁膜。 ７・・・上部磁性体（第２磁性体）、８・・・保護膜で
ある。
ド製造方法における製造プロセスを説明するための各工
程の素子部中央断面を示す断面図である。 図中、１・・・セラミック基板（絶縁性基板）、２・・
・下地膜、３・・・下部磁性体（第１磁性体）、４・・
・非磁性ギャップ材、５・・・コイル、６・・・有機絶
縁膜。 ７・・・上部磁性体（第２磁性体）、８・・・保護膜で
ある。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、絶縁性基板上に第１磁性体、非磁性ギャップ材、導
電体、有機絶縁膜、第２磁性体、保護膜を順次設け、前
記第１磁性体と第２磁性体が記録媒体対向部側となる前
方部に、ほぼギャップ深さ寸法と等しい長さ分だけ前記
非磁性ギャップ材を介して対向する部分と該部分を越え
た前方で接続された構造を有する薄膜磁気ヘッドであっ
て、前記有機絶縁膜と第２磁性体との境界面を平滑にし
たことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 ２、前記境界面の平滑度は、０．１μｍ以下であること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の薄膜磁気ヘッ
ド。 ３、絶縁性基板上に第１磁性体、非磁性ギャップ材、導
電体、有機絶縁膜、第２磁性体、保護膜を順次形成し、
前記第１磁性体と第２磁性体が記録媒体対向部側となる
前方部に、ほぼギャップ深さ寸法と等しい長さ分だけ前
記非磁性ギャップ材を介して対向する部分と該部分を越
えた前方で接続された構造を有する薄膜磁気ヘッドの製
造方法であって、前記有機絶縁膜をマスクとして前記非
磁性ギャップ材をエッチングした後、当該有機絶縁膜を
所定量だけ選択的に酸素プラズマドライエッチングし、
更に当該有機絶縁膜を所定量だけ選択的にウェットエッ
チングして平滑面を形成し、前記非磁性ギャップ材接続
部を前記ギャップ深さ寸法とほぼ等しくなるように除去
加工を行なって所定量のギャップ深さ寸法を有する薄膜
磁気ヘッドスライダーを形成することを特徴とした薄膜
磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62090853A JPH0664713B2 (ja) | 1987-04-15 | 1987-04-15 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62090853A JPH0664713B2 (ja) | 1987-04-15 | 1987-04-15 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63257909A true JPS63257909A (ja) | 1988-10-25 |
| JPH0664713B2 JPH0664713B2 (ja) | 1994-08-22 |
Family
ID=14010130
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62090853A Expired - Lifetime JPH0664713B2 (ja) | 1987-04-15 | 1987-04-15 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0664713B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59104718A (ja) * | 1982-12-08 | 1984-06-16 | Comput Basic Mach Technol Res Assoc | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| JPS61255518A (ja) * | 1985-05-09 | 1986-11-13 | Seiko Epson Corp | 磁気ヘツドの製造方法 |
-
1987
- 1987-04-15 JP JP62090853A patent/JPH0664713B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59104718A (ja) * | 1982-12-08 | 1984-06-16 | Comput Basic Mach Technol Res Assoc | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| JPS61255518A (ja) * | 1985-05-09 | 1986-11-13 | Seiko Epson Corp | 磁気ヘツドの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0664713B2 (ja) | 1994-08-22 |
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