JPH0664713B2 - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
- Publication number
- JPH0664713B2 JPH0664713B2 JP62090853A JP9085387A JPH0664713B2 JP H0664713 B2 JPH0664713 B2 JP H0664713B2 JP 62090853 A JP62090853 A JP 62090853A JP 9085387 A JP9085387 A JP 9085387A JP H0664713 B2 JPH0664713 B2 JP H0664713B2
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- JP
- Japan
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- magnetic
- organic insulating
- insulating film
- film
- magnetic head
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、薄膜磁気ヘッドの製造方法に係り、特に、高
密度の記録、再生に好適な小さいギャップ深さ寸法を有
し、高性能磁性膜を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法に
関するものである。
密度の記録、再生に好適な小さいギャップ深さ寸法を有
し、高性能磁性膜を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法に
関するものである。
従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、例えば特開昭61−
32212に記載のように、酸素イオンミリングにより、有
機絶縁膜を選択的にエッチングするものであるが、酸素
イオンミリング後の有機絶縁膜表面は、面粗れが発生
し、この上に形形成する磁性膜の磁気特性（透磁率）を
劣化させていた。
32212に記載のように、酸素イオンミリングにより、有
機絶縁膜を選択的にエッチングするものであるが、酸素
イオンミリング後の有機絶縁膜表面は、面粗れが発生
し、この上に形形成する磁性膜の磁気特性（透磁率）を
劣化させていた。
しかしながら、前記かかる従来の技術では、有機絶縁膜
の面粗れの点について配慮されておらず、有機絶縁膜上
に形成する磁性体の磁気特性（透磁率）を安定して得る
ことが困難であるという問題点があった。
の面粗れの点について配慮されておらず、有機絶縁膜上
に形成する磁性体の磁気特性（透磁率）を安定して得る
ことが困難であるという問題点があった。
すなわち、高記録密度に適した高精度で寸法の小さいギ
ャップ深さ寸法を有した高性能薄膜磁気ヘッドスライダ
ーを得るためには、有機絶縁膜をマスクとしてギャップ
材をエッチングした後、このギャップ材端部のエッジか
ら、所定量（ほぼギャップ深さ寸法と等しい長さ分）だ
け、高精度に有機絶縁膜を後退させ、かつ、有機絶縁膜
表面は、有機絶縁上に形成する磁性膜の特性を劣化させ
ないために面粗さを小さくしなければならなかった。
ャップ深さ寸法を有した高性能薄膜磁気ヘッドスライダ
ーを得るためには、有機絶縁膜をマスクとしてギャップ
材をエッチングした後、このギャップ材端部のエッジか
ら、所定量（ほぼギャップ深さ寸法と等しい長さ分）だ
け、高精度に有機絶縁膜を後退させ、かつ、有機絶縁膜
表面は、有機絶縁上に形成する磁性膜の特性を劣化させ
ないために面粗さを小さくしなければならなかった。
本発明は、前記問題点を解決するためになされたもので
ある。
ある。
本発明の目的は、高密度記録に適し、高精度で小さなギ
ャップ深さ、高精能磁性膜を有する薄膜磁気ヘッドの製
造方法を提供することにある。
ャップ深さ、高精能磁性膜を有する薄膜磁気ヘッドの製
造方法を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、絶縁性基板上に第１磁性体、非磁性ギャップ
材導電隊、有機絶縁膜、第２磁性体、保護膜を順次形成
し、前記有機絶縁膜をマスクとして前記非磁性ギャップ
材をエッチングし、前記有機絶縁膜を所定量だけ選択的
に酸素プラズマエッチングして前記非磁性ギャップ材端
部よりギャップ深さ寸法分後退させた後、前記有機絶縁
膜をウェットエッチングして平滑面を形成し、前記平滑
面を有する有機絶縁膜、前記非磁性ギャップ材、及び前
記第１磁性体上に第２磁性体を形成し、前記第１磁性体
と前記第２磁性体からなる記録媒体対向部を研磨して前
記非磁性ギャップ材を露出させることにより、所定量の
ギャップ深さ寸法を有する薄膜磁気ヘッドを製造するも
のである。
材導電隊、有機絶縁膜、第２磁性体、保護膜を順次形成
し、前記有機絶縁膜をマスクとして前記非磁性ギャップ
材をエッチングし、前記有機絶縁膜を所定量だけ選択的
に酸素プラズマエッチングして前記非磁性ギャップ材端
部よりギャップ深さ寸法分後退させた後、前記有機絶縁
膜をウェットエッチングして平滑面を形成し、前記平滑
面を有する有機絶縁膜、前記非磁性ギャップ材、及び前
記第１磁性体上に第２磁性体を形成し、前記第１磁性体
と前記第２磁性体からなる記録媒体対向部を研磨して前
記非磁性ギャップ材を露出させることにより、所定量の
ギャップ深さ寸法を有する薄膜磁気ヘッドを製造するも
のである。
前記手段によれば、酸素プラズマドライエッチングによ
り、有機絶縁膜だけを選択的に高精度除去し、かつ、こ
の後、有機絶縁膜表面をウェット式ライトエッチングに
より、面粗れした有機絶縁膜表面を除去することができ
るので、高精度かつ均一な有機絶縁膜除去寸法と面粗さ
の小さい有機絶縁膜表面を得ることができる。
り、有機絶縁膜だけを選択的に高精度除去し、かつ、こ
の後、有機絶縁膜表面をウェット式ライトエッチングに
より、面粗れした有機絶縁膜表面を除去することができ
るので、高精度かつ均一な有機絶縁膜除去寸法と面粗さ
の小さい有機絶縁膜表面を得ることができる。
これにより、ギャップ深さ寸法が高精度で小さく、か
つ、高性能磁性膜を有する薄膜磁気ヘッドを製造するこ
とができ、高密度記録に適した薄膜磁気ヘッドを得るこ
とができる。
つ、高性能磁性膜を有する薄膜磁気ヘッドを製造するこ
とができ、高密度記録に適した薄膜磁気ヘッドを得るこ
とができる。
以下、本発明の実施例を、図面を用いて説明する。
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能
を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は
省略する。
を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は
省略する。
第１図乃至第５図は、本発明の一実施例の薄膜磁気ヘッ
ド製造方法における製造プロセスを説明するための各工
程の、素子部中央断面を示す断面図である。
ド製造方法における製造プロセスを説明するための各工
程の、素子部中央断面を示す断面図である。
本実施例の薄膜磁気ヘッド製造方法は、まず、第１図に
示すようにセラミック基板（絶縁性基板）１上に下地膜
２、下部磁性体（第１磁性体）３、非磁性体からなる非
磁性ギャップ材４、コイル５、有機絶縁膜６を順次形成
する。これらの形成方法は、例えば、下地膜２、非磁性
ギャップ材４は、アルミナスパッタリング、下部磁性体
３、コイル５は、パーマロイ、銅のスパッタリング、酸
素イオンミリングにより形成する。有機絶縁膜６は、ポ
リイミド系有機樹脂をスピンコート、熱硬化、ウェット
エッチング（テーパエッチング）等により形成する。
示すようにセラミック基板（絶縁性基板）１上に下地膜
２、下部磁性体（第１磁性体）３、非磁性体からなる非
磁性ギャップ材４、コイル５、有機絶縁膜６を順次形成
する。これらの形成方法は、例えば、下地膜２、非磁性
ギャップ材４は、アルミナスパッタリング、下部磁性体
３、コイル５は、パーマロイ、銅のスパッタリング、酸
素イオンミリングにより形成する。有機絶縁膜６は、ポ
リイミド系有機樹脂をスピンコート、熱硬化、ウェット
エッチング（テーパエッチング）等により形成する。
次に、第２図に示す様に有機絶縁膜６をマスクとして非
磁性ギャップ材４をエッチングする。この方法は、例え
ば、酸素イオンミリング装置を用い、CF４（四フッ化炭
素）圧力1.6×10torr、加速電圧500ボルト（Ｖ）、イオ
ン入射角60度の条件で10分間程度のエッチングにより、
0.5μｍのギャップ材を除去することができる。
磁性ギャップ材４をエッチングする。この方法は、例え
ば、酸素イオンミリング装置を用い、CF４（四フッ化炭
素）圧力1.6×10torr、加速電圧500ボルト（Ｖ）、イオ
ン入射角60度の条件で10分間程度のエッチングにより、
0.5μｍのギャップ材を除去することができる。
また、この際、非磁性ギャップ材４に有機絶縁膜６のテ
ーパ形状が転写され、非磁性ギャップ材テーパ部の上端
点Ａが決まる。
ーパ形状が転写され、非磁性ギャップ材テーパ部の上端
点Ａが決まる。
次に、第３図に示すように、有機絶縁膜６を選択的に所
定量だけ除去する。この方法は、例えば、酸素イオンミ
リング装置を用いて、酸素圧力1.6×10torr、加速電圧4
00ボルト（Ｖ）、イオン入射角90度の条件で10分間程度
エッチングすることにより、有機絶縁膜６のパターン
は、非磁性ギャップ材４のパターンより２μｍ小さくな
る。従って、ヘッド先端部の有機絶縁膜パターン端点
は、Ａ点より、約２μｍ後退したＢ点となる。通常ドラ
イエッチングは、エッチングレートが安定しており、高
精度に後退することができる。しかし、通常の酸素プラ
ズマによる有機膜のエッチングの場合、イオンによるス
パッタリング、ラジカルによる灰化反応が発生し、表面
粗さが0.2〜0.5μｍ程度となる。この表面粗さは、有機
絶縁膜６上に形成する磁性膜の磁気特性（透磁率）を劣
化させるものである。
定量だけ除去する。この方法は、例えば、酸素イオンミ
リング装置を用いて、酸素圧力1.6×10torr、加速電圧4
00ボルト（Ｖ）、イオン入射角90度の条件で10分間程度
エッチングすることにより、有機絶縁膜６のパターン
は、非磁性ギャップ材４のパターンより２μｍ小さくな
る。従って、ヘッド先端部の有機絶縁膜パターン端点
は、Ａ点より、約２μｍ後退したＢ点となる。通常ドラ
イエッチングは、エッチングレートが安定しており、高
精度に後退することができる。しかし、通常の酸素プラ
ズマによる有機膜のエッチングの場合、イオンによるス
パッタリング、ラジカルによる灰化反応が発生し、表面
粗さが0.2〜0.5μｍ程度となる。この表面粗さは、有機
絶縁膜６上に形成する磁性膜の磁気特性（透磁率）を劣
化させるものである。
次に、第４図に示すように、ウェット式エッチングによ
り有機絶縁膜６の表面の面粗れ層を除去する。この方法
は、ヒドラジンヒドラートとエチレンジアミンとの混合
比が7:3（VOL比）の液温30℃の混合エッチング液で、１
〜２分間エッチングすることにより、可能である。ウェ
ットエッチング後の有機絶縁膜６の表面粗さは、0.1μ
ｍ以下となり、磁性膜の磁気特性劣化を防止することが
できる。また、有機絶縁膜６の端点Ｂはほとんど変化せ
ず、非磁性ギャップ材４の端点Ａからの寸法ＬＯは２μ
ｍのままである。
り有機絶縁膜６の表面の面粗れ層を除去する。この方法
は、ヒドラジンヒドラートとエチレンジアミンとの混合
比が7:3（VOL比）の液温30℃の混合エッチング液で、１
〜２分間エッチングすることにより、可能である。ウェ
ットエッチング後の有機絶縁膜６の表面粗さは、0.1μ
ｍ以下となり、磁性膜の磁気特性劣化を防止することが
できる。また、有機絶縁膜６の端点Ｂはほとんど変化せ
ず、非磁性ギャップ材４の端点Ａからの寸法ＬＯは２μ
ｍのままである。
従って、高精度なＬＯ寸法と、面粗さの小さい有機絶縁
膜６の表面を得ることができる。
膜６の表面を得ることができる。
更に、第５図に示すように、上部磁性体７、保護膜８を
順次形成し、薄膜磁気ヘッド素子が完成する。
順次形成し、薄膜磁気ヘッド素子が完成する。
第５図に示す媒体対向面側であるｆ方向からギャップ長
となるＡ点からＢ点までの中間点Ｃまで研磨することに
より薄膜磁気ヘッドが完全する。この際、加工停止点Ｃ
は、ｆ方向から、非磁性ギャップ材４を観察すれば容易
に検知することができる。
となるＡ点からＢ点までの中間点Ｃまで研磨することに
より薄膜磁気ヘッドが完全する。この際、加工停止点Ｃ
は、ｆ方向から、非磁性ギャップ材４を観察すれば容易
に検知することができる。
完全した薄膜磁気ヘッドのギャップ深さは、ギャップ深
さゼロ位Ｂ点（有機絶縁膜６の端点）から加工終点Ｃま
での距離Ｌとなり、Ａ点からＢ点までの距離ＬＯ寸法
（２μｍ）より小さい寸法となる。
さゼロ位Ｂ点（有機絶縁膜６の端点）から加工終点Ｃま
での距離Ｌとなり、Ａ点からＢ点までの距離ＬＯ寸法
（２μｍ）より小さい寸法となる。
従って、あらかじめ、高精度で、かつ、小さいＬＯの寸
法を形成しておけば、ＬＯの寸法より小さいギャップ深
さを有する薄膜磁気ヘッドを形成することが可能とな
る。
法を形成しておけば、ＬＯの寸法より小さいギャップ深
さを有する薄膜磁気ヘッドを形成することが可能とな
る。
このように、本実施例によれば、前記ＬＯの寸法をあら
かじめ小さく形成しておくことによりギャップ深さを高
密度に制御することができるので、ギャップ長の変化に
より、ギャップ深さ加工を高密度で停止させることがで
きる。更に、有機絶縁膜６を露出させることなくギャッ
プ深さ寸法を小さくすることができる。また、有機絶縁
膜６の面粗さを小さくすることができ、高性能磁性膜を
有する薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
かじめ小さく形成しておくことによりギャップ深さを高
密度に制御することができるので、ギャップ長の変化に
より、ギャップ深さ加工を高密度で停止させることがで
きる。更に、有機絶縁膜６を露出させることなくギャッ
プ深さ寸法を小さくすることができる。また、有機絶縁
膜６の面粗さを小さくすることができ、高性能磁性膜を
有する薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
以上、本発明を実施例にもとづき具体的に説明したが、
本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であること
は言うまでもない。
本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であること
は言うまでもない。
以上説明したように、本発明によれば、小さいギャップ
深さ寸法を高精度で形成することができ、かつ、面粗さ
の小さい高性能磁性膜を形成することができるので、高
密度記録、再生に適した電磁気特性の均一なヘッドを安
定して製造できる。また、これにより、高性能で、高信
頼性のヘッドを得ることができる。
深さ寸法を高精度で形成することができ、かつ、面粗さ
の小さい高性能磁性膜を形成することができるので、高
密度記録、再生に適した電磁気特性の均一なヘッドを安
定して製造できる。また、これにより、高性能で、高信
頼性のヘッドを得ることができる。
第１図乃至第５図は、本発明の一実施例の薄膜磁気ヘッ
ド製造方法における製造プロセスを説明するための各工
程の素子部中央断面を示す断面図である。 図中、１……セラミック基板（絶縁性基板）、２……下
地膜、３……下部磁性体（第１磁性体）、４……非磁性
ギャップ材、５……コイル、６……有機絶縁膜、７……
上部磁性体（第２磁性体）、８……保護膜である。
ド製造方法における製造プロセスを説明するための各工
程の素子部中央断面を示す断面図である。 図中、１……セラミック基板（絶縁性基板）、２……下
地膜、３……下部磁性体（第１磁性体）、４……非磁性
ギャップ材、５……コイル、６……有機絶縁膜、７……
上部磁性体（第２磁性体）、８……保護膜である。
Claims (2)
- 【請求項１】絶縁性基板上に第１磁性体、非磁性ギャッ
プ材、導電体、有機絶縁膜、及び第２磁性体を順次形成
してなる薄膜磁気ヘッドの製造方法において、前記有機
絶縁膜をマスクとして前記非磁性ギャップ材をエッチン
グし、前記有機絶縁膜を所定量だけ選択的に酸素プラズ
マエッチングして前記非磁性ギャップ材端部よりギャッ
プ深さ寸法分後退させた後、前記有機絶縁膜をウェット
エッチングして平滑面を形成し、前記平滑面を有する有
機絶縁膜、前記非磁性ギャップ材、及び前記第１磁性体
上に第２磁性体を形成し、前記第１磁性体と前記第２磁
性体からなる記録媒体対向部を研磨して前記非磁性ギャ
ップ材を露出させることにより、所定量のギャップ深さ
寸法を有する薄膜磁気ヘッドを製造することを特徴とす
る薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項２】前記第１磁性体と前記第２磁性体からなる
記録媒体対向部を研磨し、かつ前記非磁性ギャップ材を
も研磨することによって、所定量のギャップ深さ寸法を
有する特許請求の範囲第１項記載の薄膜磁気ヘッドの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62090853A JPH0664713B2 (ja) | 1987-04-15 | 1987-04-15 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62090853A JPH0664713B2 (ja) | 1987-04-15 | 1987-04-15 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63257909A JPS63257909A (ja) | 1988-10-25 |
| JPH0664713B2 true JPH0664713B2 (ja) | 1994-08-22 |
Family
ID=14010130
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62090853A Expired - Lifetime JPH0664713B2 (ja) | 1987-04-15 | 1987-04-15 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0664713B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59104718A (ja) * | 1982-12-08 | 1984-06-16 | Comput Basic Mach Technol Res Assoc | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| JPS61255518A (ja) * | 1985-05-09 | 1986-11-13 | Seiko Epson Corp | 磁気ヘツドの製造方法 |
-
1987
- 1987-04-15 JP JP62090853A patent/JPH0664713B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63257909A (ja) | 1988-10-25 |
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