JPH0550044B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0550044B2 JPH0550044B2 JP5007584A JP5007584A JPH0550044B2 JP H0550044 B2 JPH0550044 B2 JP H0550044B2 JP 5007584 A JP5007584 A JP 5007584A JP 5007584 A JP5007584 A JP 5007584A JP H0550044 B2 JPH0550044 B2 JP H0550044B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- negative pressure
- magnetic head
- slider
- forming
- pressure generating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 21
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 10
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 241001385733 Aesculus indica Species 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/48—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed
- G11B5/58—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed with provision for moving the head for the purpose of maintaining alignment of the head relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following
- G11B5/60—Fluid-dynamic spacing of heads from record-carriers
- G11B5/6005—Specially adapted for spacing from a rotating disc using a fluid cushion
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
- G11B5/3133—Disposition of layers including layers not usually being a part of the electromagnetic transducer structure and providing additional features, e.g. for improving heat radiation, reduction of power dissipation, adaptations for measurement or indication of gap depth or other properties of the structure
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Adjustment Of The Magnetic Head Position Track Following On Tapes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(a) 発明の技術分野
本発明は負圧型磁気ヘツドスライダの製造方法
に係り、特に負圧発生凹部をエツチング形成する
際に、サイドレール面の一部となるべき薄膜ヘツ
ドのギヤツプ部を保護している保護膜の、エツジ
部分のエツチング欠損を防止して制度の良いギヤ
ツプ長を有する負圧型磁気ヘツドスライダを得る
ことを可能にした製造方法に関するものである。
に係り、特に負圧発生凹部をエツチング形成する
際に、サイドレール面の一部となるべき薄膜ヘツ
ドのギヤツプ部を保護している保護膜の、エツジ
部分のエツチング欠損を防止して制度の良いギヤ
ツプ長を有する負圧型磁気ヘツドスライダを得る
ことを可能にした製造方法に関するものである。
(b) 技術の背景
磁気デイスク装置用の磁気ヘツドスライダは周
知のように、正圧のみを利用したテーパ・フラツ
トタイプの正圧型磁気ヘツドスライダがその主流
となつている。しかしこの正圧型磁気ヘツドスラ
イダの空気膜剛性は、該スライダに負荷する押圧
力に略比例するため、一定荷重ヘツドではその剛
性を高めることにもある程度の限定がある。特に
CSS（Contact Start Stop）方式を用いた装置に
おいては、耐摩耗性の点から荷重を大きく出来な
い為、空気膜剛性を高くした浮上量追従特性の良
い磁気ヘツドスライダの実現を困難にしている。
知のように、正圧のみを利用したテーパ・フラツ
トタイプの正圧型磁気ヘツドスライダがその主流
となつている。しかしこの正圧型磁気ヘツドスラ
イダの空気膜剛性は、該スライダに負荷する押圧
力に略比例するため、一定荷重ヘツドではその剛
性を高めることにもある程度の限定がある。特に
CSS（Contact Start Stop）方式を用いた装置に
おいては、耐摩耗性の点から荷重を大きく出来な
い為、空気膜剛性を高くした浮上量追従特性の良
い磁気ヘツドスライダの実現を困難にしている。
このような観点から近来、磁気ヘツドスライダ
の浮動に正圧のみによらず、該スライダのスライ
ド面内に逆段差面を設けて負圧を発生させ、その
負圧吸引力を浮動磁気ヘツドスライダに対する負
荷荷重として作用させて浮上量追従特性の改善を
図つた所謂負圧型磁気ヘツドスタイダの開発が盛
んに進められている。
の浮動に正圧のみによらず、該スライダのスライ
ド面内に逆段差面を設けて負圧を発生させ、その
負圧吸引力を浮動磁気ヘツドスライダに対する負
荷荷重として作用させて浮上量追従特性の改善を
図つた所謂負圧型磁気ヘツドスタイダの開発が盛
んに進められている。
(c) 従来技術と問題点
ところで上記した従来の負圧型磁気ヘツドスラ
イダを得るには、第１図に示すように例えばスラ
イダ基材となるホトセラム、或いはアルチツク
（Al2 O3・TiC）等からなる非磁性基板１上に、
薄膜形成技法及びフオトリングラフイ技法を用い
て多数個の薄膜磁気ヘツド素子２と、これを記
録・再生回路へ接続するための接続端子パターン
３とを形成し、この基板１上の全面にSiO2、或
いはAl2 O3等の高硬度で非磁性な保護膜４を厚
く被覆形成する。しかる後、上記ヘツド素子構成
基板を切断加工手段により個々の薄膜磁気ヘツド
素子単位に切断する。次に第２図に示すように上
記切断分離された単位ヘツド素子構成体２１をス
ライダ形成基板２２とスライド面となるべき面
に、イオンエツチング用のマスク材となるチタン
（Ti）膜を被着し、該Ti膜をパターニングして負
圧発生凹部形成用マスク２４を形成し、該マスク
２４を介してイオンエツチングにより第３図に示
すように負圧発生凹部２３を形成する。次に前記
負圧発生凹部形成用マスク２４を研磨除去した
後、更にスタイダ形成基板２２のスライド面のな
るべき面を平坦に研磨して磁気ヘツドのコイル部
分からヘツド先端までの距離、即ちギヤツプ長を
正確に揃え、第４図に示すように所望とする負圧
型磁気ヘツドスライダ２５を完成している。
イダを得るには、第１図に示すように例えばスラ
イダ基材となるホトセラム、或いはアルチツク
（Al2 O3・TiC）等からなる非磁性基板１上に、
薄膜形成技法及びフオトリングラフイ技法を用い
て多数個の薄膜磁気ヘツド素子２と、これを記
録・再生回路へ接続するための接続端子パターン
３とを形成し、この基板１上の全面にSiO2、或
いはAl2 O3等の高硬度で非磁性な保護膜４を厚
く被覆形成する。しかる後、上記ヘツド素子構成
基板を切断加工手段により個々の薄膜磁気ヘツド
素子単位に切断する。次に第２図に示すように上
記切断分離された単位ヘツド素子構成体２１をス
ライダ形成基板２２とスライド面となるべき面
に、イオンエツチング用のマスク材となるチタン
（Ti）膜を被着し、該Ti膜をパターニングして負
圧発生凹部形成用マスク２４を形成し、該マスク
２４を介してイオンエツチングにより第３図に示
すように負圧発生凹部２３を形成する。次に前記
負圧発生凹部形成用マスク２４を研磨除去した
後、更にスタイダ形成基板２２のスライド面のな
るべき面を平坦に研磨して磁気ヘツドのコイル部
分からヘツド先端までの距離、即ちギヤツプ長を
正確に揃え、第４図に示すように所望とする負圧
型磁気ヘツドスライダ２５を完成している。
しかしながら、上記した製造方法においては、
分離された単位ヘツド素子構成体２１のスライダ
形成基板２２のスライダ面となるべき面に、負圧
発生凹部形成用マクク２４を介してイオンエツチ
ングにより負圧発生凹部２３を形成した際に、第
５図に示すように前記スライダ形成基板２２の負
圧発生凹部２３形成領域は勿論のこと、該負圧発
生凹部２３の保護膜４からなるエツジ部及びサイ
ドレール面の一部となる薄膜磁気ヘツド素子２の
先端ギヤツプ部を保護している保護膜４のエツジ
部が斜線Ａ及びＢで示すようにエツチングされる
不都合があつた。特にサイドレール面の一部とな
る薄膜磁気ヘツド素子２の先端ギヤツプ部を保護
している保護膜４のエツジ部上には、前記負圧発
生凹部形成用マスク２４が覆われているにもかか
わらず、該マスク２４のエツジがエツチングさ
れ、引続き前記薄膜磁気ヘツド素子２の先端ギヤ
ツプ部を保護している保護膜４のエツジ部もエツ
チングされる。このため前記負圧発生凹部２３形
成後、スライダ形成基板２２のスライド面となる
べき面を平坦に研磨して磁気ヘツドのコイル部分
からヘツド先端までのギヤツプ長を所定寸法に加
工する工程におけるギヤツプ長の測定を正確に行
うことが困難となり、その結果、精度の良いギヤ
ツプ長を得る加工が不可能となる欠点を有してい
た。
分離された単位ヘツド素子構成体２１のスライダ
形成基板２２のスライダ面となるべき面に、負圧
発生凹部形成用マクク２４を介してイオンエツチ
ングにより負圧発生凹部２３を形成した際に、第
５図に示すように前記スライダ形成基板２２の負
圧発生凹部２３形成領域は勿論のこと、該負圧発
生凹部２３の保護膜４からなるエツジ部及びサイ
ドレール面の一部となる薄膜磁気ヘツド素子２の
先端ギヤツプ部を保護している保護膜４のエツジ
部が斜線Ａ及びＢで示すようにエツチングされる
不都合があつた。特にサイドレール面の一部とな
る薄膜磁気ヘツド素子２の先端ギヤツプ部を保護
している保護膜４のエツジ部上には、前記負圧発
生凹部形成用マスク２４が覆われているにもかか
わらず、該マスク２４のエツジがエツチングさ
れ、引続き前記薄膜磁気ヘツド素子２の先端ギヤ
ツプ部を保護している保護膜４のエツジ部もエツ
チングされる。このため前記負圧発生凹部２３形
成後、スライダ形成基板２２のスライド面となる
べき面を平坦に研磨して磁気ヘツドのコイル部分
からヘツド先端までのギヤツプ長を所定寸法に加
工する工程におけるギヤツプ長の測定を正確に行
うことが困難となり、その結果、精度の良いギヤ
ツプ長を得る加工が不可能となる欠点を有してい
た。
(d) 発明の目的
本発明は上記従来の実情に鑑み、薄膜磁気ヘツ
ドが形成されたスタイダ形成基板のスライド面と
なるべき面に、負圧発生凹部をエツチング加工に
より形成する際に、薄膜磁気ヘツドの保護膜上に
更にエツジ・エツチング防止膜を被覆して、エツ
ジ部のエツチング欠損を防止し、負圧発生凹部２
３形成後の薄膜磁気ヘツドのギヤツプ長を正確に
加工、測定することを可能にした負圧型磁気ヘツ
ドスライダの製造方法を提供することを目的とす
るものである。
ドが形成されたスタイダ形成基板のスライド面と
なるべき面に、負圧発生凹部をエツチング加工に
より形成する際に、薄膜磁気ヘツドの保護膜上に
更にエツジ・エツチング防止膜を被覆して、エツ
ジ部のエツチング欠損を防止し、負圧発生凹部２
３形成後の薄膜磁気ヘツドのギヤツプ長を正確に
加工、測定することを可能にした負圧型磁気ヘツ
ドスライダの製造方法を提供することを目的とす
るものである。
(e) 発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、保護膜で被
覆され、薄膜磁気ヘツドが形成されて成る非磁性
のスライダ形成基板のスライド面となるべき面
に、負圧発生凹部形成用マスクを被着し、エツチ
ング手段により負圧発生凹部を形成する負圧型磁
気ヘツドスライダの製造方法において、上記スタ
イダ形成基板のスライド面となるべき面に、負圧
発生凹部形成用マスクを被着するに先立ち、前記
保護膜が被覆された薄膜磁気ヘツド上に、あらか
じめレジスト膜を被着し、ハードキユアするよう
にしたことを特徴とする負圧型磁気ヘツドスライ
ダの製造方法を提供することによつて達成され
る。
覆され、薄膜磁気ヘツドが形成されて成る非磁性
のスライダ形成基板のスライド面となるべき面
に、負圧発生凹部形成用マスクを被着し、エツチ
ング手段により負圧発生凹部を形成する負圧型磁
気ヘツドスライダの製造方法において、上記スタ
イダ形成基板のスライド面となるべき面に、負圧
発生凹部形成用マスクを被着するに先立ち、前記
保護膜が被覆された薄膜磁気ヘツド上に、あらか
じめレジスト膜を被着し、ハードキユアするよう
にしたことを特徴とする負圧型磁気ヘツドスライ
ダの製造方法を提供することによつて達成され
る。
(f) 発明の実施例
以下図面を用いて本発明の実施例について詳細
に説明する。
に説明する。
第６図乃至第９図は本発明に係る負圧型磁気ヘ
ツドスライダの製造方法の一実施例を工程順に示
す斜視図である。
ツドスライダの製造方法の一実施例を工程順に示
す斜視図である。
まず第６図に示すように、例えばスライダ基材
となるホトセラム、或いはアルチツク（Al2
O3・TiC）等からなる非磁性基板４１上に、薄膜
形成技法及びフオトリソグラフイ技法を用いて多
数個の薄膜磁気ヘツド素子４２とこれを記録・再
生回路へ接続するための接続端子パターン４３と
を形成し、更にこの基板４１上の全面にSiO2、
或いはAl2 O3等の高硬度で非磁性な保護膜４４
を厚く被覆形成する。次に該保護膜４４の上面に
更にエツジ・エツチング防止用のレジスト膜４５
を被着すると共に、該レジスト膜４５を例えば約
200℃に加熱してハードキユアしておく。次にか
かるヘツド素子構成基板４６を切断加工手段によ
り一点鎖線で示すように個々の薄膜磁気ヘツド素
子単位に切断する。次に第７図に示すように切断
分離された単位ヘツド素子構成体４７のスライダ
形成基板４８のスライド面となるべき面、従来と
同様にイオンエツチング用のマスク材となるチタ
ン（Ti）膜を披着し、該Ti膜をパターニングし
て負圧発生凹部形成用マスク４９を形成する。し
かる後、該マスク４９を介して前記スライダ形成
基板４８のスライダ面となるべき面にイオンエツ
チングを行つて、第８図に示すように所定深さ寸
法を有する負圧発生凹部５０を形成する。このよ
うにして負圧発生凹部５０を形成すれば、該負圧
発生凹部形成用マスク４９のエツジ部分が、例え
斜線Ｃで示す如くエツチングされても、該負圧発
生凹部５０の保護膜４４からなるエツジ部分４４
ａ及びサイドレール面の一部となる薄膜磁気ヘツ
ド素子４２の先端ギヤツプ部を保護している保護
膜４４のエツジ部分４４ｂが、ハードキユアされ
たレジスト膜４５により確実に保護されて従来よ
うにエツチングされる不都合がなくなる。従つて
その後、前記レジスト膜４５を例えば酸素（O2）
プラズマエツチングによつて除去し、従来と同様
にラツピング工程により負圧発生凹部形成用マス
ク４９の除去と薄膜磁気ヘツドのギヤツプ長を所
定寸法に加工することにより、正確にギヤツプ長
を加工・測定することが可能となり、第９図に示
すようにエツジ部分にエツチング欠損が無く、か
つ精度の良いギヤツプ長を有する負圧型磁気ヘツ
ドスライダ５１を得ることができる。
となるホトセラム、或いはアルチツク（Al2
O3・TiC）等からなる非磁性基板４１上に、薄膜
形成技法及びフオトリソグラフイ技法を用いて多
数個の薄膜磁気ヘツド素子４２とこれを記録・再
生回路へ接続するための接続端子パターン４３と
を形成し、更にこの基板４１上の全面にSiO2、
或いはAl2 O3等の高硬度で非磁性な保護膜４４
を厚く被覆形成する。次に該保護膜４４の上面に
更にエツジ・エツチング防止用のレジスト膜４５
を被着すると共に、該レジスト膜４５を例えば約
200℃に加熱してハードキユアしておく。次にか
かるヘツド素子構成基板４６を切断加工手段によ
り一点鎖線で示すように個々の薄膜磁気ヘツド素
子単位に切断する。次に第７図に示すように切断
分離された単位ヘツド素子構成体４７のスライダ
形成基板４８のスライド面となるべき面、従来と
同様にイオンエツチング用のマスク材となるチタ
ン（Ti）膜を披着し、該Ti膜をパターニングし
て負圧発生凹部形成用マスク４９を形成する。し
かる後、該マスク４９を介して前記スライダ形成
基板４８のスライダ面となるべき面にイオンエツ
チングを行つて、第８図に示すように所定深さ寸
法を有する負圧発生凹部５０を形成する。このよ
うにして負圧発生凹部５０を形成すれば、該負圧
発生凹部形成用マスク４９のエツジ部分が、例え
斜線Ｃで示す如くエツチングされても、該負圧発
生凹部５０の保護膜４４からなるエツジ部分４４
ａ及びサイドレール面の一部となる薄膜磁気ヘツ
ド素子４２の先端ギヤツプ部を保護している保護
膜４４のエツジ部分４４ｂが、ハードキユアされ
たレジスト膜４５により確実に保護されて従来よ
うにエツチングされる不都合がなくなる。従つて
その後、前記レジスト膜４５を例えば酸素（O2）
プラズマエツチングによつて除去し、従来と同様
にラツピング工程により負圧発生凹部形成用マス
ク４９の除去と薄膜磁気ヘツドのギヤツプ長を所
定寸法に加工することにより、正確にギヤツプ長
を加工・測定することが可能となり、第９図に示
すようにエツジ部分にエツチング欠損が無く、か
つ精度の良いギヤツプ長を有する負圧型磁気ヘツ
ドスライダ５１を得ることができる。
(g) 発明の効果
以上の説明から明らかなように、本発明に係る
負圧型磁気ヘツドスライダの製造方法によれば、
イオンエツチングによつて負圧発生凹部を形成す
る際に、負圧発生凹部の保護膜からなるエツジ部
分及びサイドレール面の一部となる薄膜磁気ヘツ
ド素子の先端ギヤツプ部を保護している保護膜の
エツジ部分のエツチング欠損が、ハードキユアさ
れたレジスト膜により確実に保護され、最終工程
でのヘツド先端とコイル間のギヤツプ長を所定寸
法に容易に、かつ正確に微細加工、又測定するこ
とが可能となる。従つて精度の良いギヤツプ長を
有する負圧型磁気ヘツドスライダを得ることがで
き、この種の負圧型磁気ヘツドスライダの製造に
適用して優れた効果を奏する。
負圧型磁気ヘツドスライダの製造方法によれば、
イオンエツチングによつて負圧発生凹部を形成す
る際に、負圧発生凹部の保護膜からなるエツジ部
分及びサイドレール面の一部となる薄膜磁気ヘツ
ド素子の先端ギヤツプ部を保護している保護膜の
エツジ部分のエツチング欠損が、ハードキユアさ
れたレジスト膜により確実に保護され、最終工程
でのヘツド先端とコイル間のギヤツプ長を所定寸
法に容易に、かつ正確に微細加工、又測定するこ
とが可能となる。従つて精度の良いギヤツプ長を
有する負圧型磁気ヘツドスライダを得ることがで
き、この種の負圧型磁気ヘツドスライダの製造に
適用して優れた効果を奏する。
第１図乃至第４図は従来の負圧型磁気ヘツドス
ライダの製造方法を工程順に示す斜視図、第５図
は従来の製造工程における薄膜磁気ヘツド素子の
先端ギヤツプ部を保護している保護膜のエツジ部
分のエツチング欠損を示す斜視図、第６図乃至第
９図は本発明に係る負圧型磁気ヘツドスタイダの
製造方法の一実施例を工程順に示す斜視図であ
る。 図面において、４１は非磁性基板、４２は多数
個の薄膜磁気ヘツド素子、４３は接続端子パター
ン、４４は保護膜、４４ａは負圧発生凹部５０の
保護膜４４のエツジ部分、４４ｂはヘツド素子先
端ギヤツプ部を保護している保護膜４４のエツジ
部分、４５はハードキユアしたレジスト膜、４６
はヘツド素子構成基板、４７はヘツド素子構成
体、４８はスライダ形成基板、４９は負圧発生凹
部形成用マスク、５０は負圧発生凹部、５１は負
圧型磁気ヘツドスライダを示す。
ライダの製造方法を工程順に示す斜視図、第５図
は従来の製造工程における薄膜磁気ヘツド素子の
先端ギヤツプ部を保護している保護膜のエツジ部
分のエツチング欠損を示す斜視図、第６図乃至第
９図は本発明に係る負圧型磁気ヘツドスタイダの
製造方法の一実施例を工程順に示す斜視図であ
る。 図面において、４１は非磁性基板、４２は多数
個の薄膜磁気ヘツド素子、４３は接続端子パター
ン、４４は保護膜、４４ａは負圧発生凹部５０の
保護膜４４のエツジ部分、４４ｂはヘツド素子先
端ギヤツプ部を保護している保護膜４４のエツジ
部分、４５はハードキユアしたレジスト膜、４６
はヘツド素子構成基板、４７はヘツド素子構成
体、４８はスライダ形成基板、４９は負圧発生凹
部形成用マスク、５０は負圧発生凹部、５１は負
圧型磁気ヘツドスライダを示す。
Claims (1)
- １ 保護膜で被覆された薄膜磁気ヘツドを形成し
た非磁性のスライダ形成基板のスライド面となる
べき面に、負圧発生凹部形成用マスクを形成し、
エツチング手段により負圧発生凹部を形成する負
圧型磁気ヘツドスライダの製造方法において、上
記スライダ形成基板のスライダ面となるべき面
に、負圧発生凹部形成用マスクを形成するに先立
ち、前記保護膜が被覆された薄膜磁気ヘツド上
に、あらかじめレジスト膜を被着し、ハードキユ
アするようにしたことを特徴とする負圧型磁気ヘ
ツドスライダの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5007584A JPS60193182A (ja) | 1984-03-14 | 1984-03-14 | 負圧型磁気ヘツドスライダの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5007584A JPS60193182A (ja) | 1984-03-14 | 1984-03-14 | 負圧型磁気ヘツドスライダの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60193182A JPS60193182A (ja) | 1985-10-01 |
| JPH0550044B2 true JPH0550044B2 (ja) | 1993-07-28 |
Family
ID=12848884
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5007584A Granted JPS60193182A (ja) | 1984-03-14 | 1984-03-14 | 負圧型磁気ヘツドスライダの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60193182A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07153031A (ja) * | 1993-09-20 | 1995-06-16 | Read Rite Corp | 耐摩耗エンドキャップ付き空気浮上式薄膜磁気ヘッド |
-
1984
- 1984-03-14 JP JP5007584A patent/JPS60193182A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60193182A (ja) | 1985-10-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5649351A (en) | Method of making thin film magnetic write head | |
| KR100264700B1 (ko) | 희생 마스크층을 사용하여 자기 정렬되는 자극 폴을 가지는 박막 자기 트랜스듀서 및 그 제조 방법 | |
| US5116719A (en) | Top pole profile for pole tip trimming | |
| US4841624A (en) | Method of producing a thin film magnetic head | |
| JP2001526440A (ja) | 書込フリンジが減少した磁気抵抗読取／書込ヘッドおよびその製造方法 | |
| JPH0646447B2 (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPH0550044B2 (ja) | ||
| JPH0757419A (ja) | 浮動ヘッドスライダおよびその製造方法 | |
| JPH0765322A (ja) | 浮動型薄膜ヘッド及びその製造方法 | |
| JPS61151818A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| US6563669B1 (en) | Inverted write head with high-precision track width definition | |
| JP2572213B2 (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JP2510574B2 (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JP2511868B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JPS62229512A (ja) | 薄膜磁気ヘツド及びその製造方法 | |
| JP2796998B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPS60258715A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPS5898821A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPH09147321A (ja) | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JPH0581614A (ja) | 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法 | |
| JPS6243811A (ja) | 薄膜ヘツド | |
| JPH05347008A (ja) | 垂直記録再生磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JPH02236806A (ja) | 磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JPS62214507A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPS62229510A (ja) | 薄膜磁気ヘツド |