JPS5898821A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
- Publication number
- JPS5898821A JPS5898821A JP19675981A JP19675981A JPS5898821A JP S5898821 A JPS5898821 A JP S5898821A JP 19675981 A JP19675981 A JP 19675981A JP 19675981 A JP19675981 A JP 19675981A JP S5898821 A JPS5898821 A JP S5898821A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lower magnetic
- magnetic material
- thin film
- film
- magnetic head
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、薄膜磁気ヘッドの製造方法に係り。
特に下部磁性体段差を防止することができる薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法に関する。
ッドの製造方法に関する。
従来技術による薄膜磁気ヘッドは、第１図（α）及び（
ｈ）にｔｉｌｌ１面断面図及び平面図な示す如く、下部
磁性体１に段差があるため、トラック幅左右の有機樹脂
８の先端部が下部磁性体１上の先端部より前方向に露出
し、磁気キャップ深さを高精ｌｆに得にくい。また、上
部磁性体７の形成時下部磁性体１０両サイドからのズレ
落ち防止用に上部と下部磁り体の手法差を大きくする必
要があるため、トラ２２幅の精度を得にくい。
ｈ）にｔｉｌｌ１面断面図及び平面図な示す如く、下部
磁性体１に段差があるため、トラック幅左右の有機樹脂
８の先端部が下部磁性体１上の先端部より前方向に露出
し、磁気キャップ深さを高精ｌｆに得にくい。また、上
部磁性体７の形成時下部磁性体１０両サイドからのズレ
落ち防止用に上部と下部磁り体の手法差を大きくする必
要があるため、トラ２２幅の精度を得にくい。
本発明の目的は、薄１摸磁気ヘッドの下部磁性体を下地
膜の中へ埋め込むことで、ヘッド浮上面側への有機７絶
縁体露出を防止し、かつトラック幅精度を向上させて信
頼性の高い高品質の薄膜磁気ヘッドを提供することにあ
る。
膜の中へ埋め込むことで、ヘッド浮上面側への有機７絶
縁体露出を防止し、かつトラック幅精度を向上させて信
頼性の高い高品質の薄膜磁気ヘッドを提供することにあ
る。
この目的を達成するため本発明にあっては、薄膜磁気ヘ
ッドの層間絶縁物として有機樹脂を用い、下部磁性膜段
差を解消することにより、フロントギャップ部及びフロ
ントキャップ両端部の有機樹脂先端部を一直線にするこ
とができ、ギャップ深さ精度、耐りラッシー性を向上す
ることを特徴とする。
ッドの層間絶縁物として有機樹脂を用い、下部磁性膜段
差を解消することにより、フロントギャップ部及びフロ
ントキャップ両端部の有機樹脂先端部を一直線にするこ
とができ、ギャップ深さ精度、耐りラッシー性を向上す
ることを特徴とする。
以下、本発明の一実施例を図面を用いて詳細に説明する
。まず、第２図に示すように、セラミック基板３上に下
地膜２となるアルミナあるいは二酸化ケイ素を下部磁性
体１のコア厚み以上形成し、更にこの下地膜２を下部磁
性体１のコア厚み分だけ除去する。この除去法は、イオ
ンミーリング、リアクティブスパッタエツチング、ある
いはウェットエツチングでもよい。この上に下部ａ性体
パーマロイ１を形成する。この後第５図に示す如く、全
面にポジ型ホトレジスト９をスピンコードして、１３０
℃〜１５０℃でベークすると図示するように平担化され
る。次にイオンミーリングを例えばアルゴン圧力８８１
Ｏ−５１’ｏｒｒ 、加速重圧７００Ｖ（ボルト）、イ
オン入射角３０°、電流密度０．５ （，４１０？ ）
という条件で全面エツチングするとパーマロイ膜とポジ
型ホトレジストのエツチングレートが等しいため、下地
膜面までエツチングすると第４図に示すように平担化エ
ツチングされる。なお、あらかじめ下地膜上に終点検器
用メタル膜を形成してもよい。
。まず、第２図に示すように、セラミック基板３上に下
地膜２となるアルミナあるいは二酸化ケイ素を下部磁性
体１のコア厚み以上形成し、更にこの下地膜２を下部磁
性体１のコア厚み分だけ除去する。この除去法は、イオ
ンミーリング、リアクティブスパッタエツチング、ある
いはウェットエツチングでもよい。この上に下部ａ性体
パーマロイ１を形成する。この後第５図に示す如く、全
面にポジ型ホトレジスト９をスピンコードして、１３０
℃〜１５０℃でベークすると図示するように平担化され
る。次にイオンミーリングを例えばアルゴン圧力８８１
Ｏ−５１’ｏｒｒ 、加速重圧７００Ｖ（ボルト）、イ
オン入射角３０°、電流密度０．５ （，４１０？ ）
という条件で全面エツチングするとパーマロイ膜とポジ
型ホトレジストのエツチングレートが等しいため、下地
膜面までエツチングすると第４図に示すように平担化エ
ツチングされる。なお、あらかじめ下地膜上に終点検器
用メタル膜を形成してもよい。
第５図は、本発明な実施談の薄膜磁気−＼ラドの全体断
面図である。下部磁性体１上にギャップ材４，４体コイ
ル５を形成する。更に有機樹脂絶縁膜６を形成する。こ
の際、従来からの下部磁性体１上がないため、有機樹脂
絶縁膜６の先端露出は防止することができる。この上に
、上部磁性体７を形成する。この際にも、下部磁性体段
差がないため、素子全体膜厚を低減することができ、マ
スク露光時のホトレジストパターン精度を向上すること
ができる。
面図である。下部磁性体１上にギャップ材４，４体コイ
ル５を形成する。更に有機樹脂絶縁膜６を形成する。こ
の際、従来からの下部磁性体１上がないため、有機樹脂
絶縁膜６の先端露出は防止することができる。この上に
、上部磁性体７を形成する。この際にも、下部磁性体段
差がないため、素子全体膜厚を低減することができ、マ
スク露光時のホトレジストパターン精度を向上すること
ができる。
第６図＆コ示す薄膜磁気ヘッドは、下地膜２のエツチン
グ時、下部磁性体１の堆積時、あるいは平担化エツチン
グ時のばらつきを解消するため、下地膜２のエツチング
深さを下部磁性体１のコア厚以上にしたものであり、第
５図と同様な効果が得られる。
グ時、下部磁性体１の堆積時、あるいは平担化エツチン
グ時のばらつきを解消するため、下地膜２のエツチング
深さを下部磁性体１のコア厚以上にしたものであり、第
５図と同様な効果が得られる。
また、下部磁性体が完全に下地膜中にあるため、上部磁
性体の位置ずれにより発生する（第７図に示すような）
上部磁性体７と下部磁性体１の不整曾は起こらない。従
って、従来のように下部磁性体ｌ・ラック幅を上部磁性
体トラック幅より広くする必要はなく、第８図に示すよ
うに上部下部磁性体とも同じ幅にすることが出来、高性
能化が計れる。
性体の位置ずれにより発生する（第７図に示すような）
上部磁性体７と下部磁性体１の不整曾は起こらない。従
って、従来のように下部磁性体ｌ・ラック幅を上部磁性
体トラック幅より広くする必要はなく、第８図に示すよ
うに上部下部磁性体とも同じ幅にすることが出来、高性
能化が計れる。
以上述べた如く、本発明により薄膜磁気ヘッドの眉間絶
縁ｌ漢に有機樹脂を用いる場合、下部磁性膜を下地膜の
中へ埋め込み平担化エツチングすることにより、有機樹
脂の先端部露出を防止することができるので、薄膜磁気
ヘッドの耐りラッシー性の向上を計れる効果がある。ま
たトラック幅加工精度の向上を計れる効果もある８
縁ｌ漢に有機樹脂を用いる場合、下部磁性膜を下地膜の
中へ埋め込み平担化エツチングすることにより、有機樹
脂の先端部露出を防止することができるので、薄膜磁気
ヘッドの耐りラッシー性の向上を計れる効果がある。ま
たトラック幅加工精度の向上を計れる効果もある８
第１図は従来の製造方法による薄膜磁気ヘッド構造図で
ある。第２図乃至第４図は本発明による磁気ヘッド製造
工程における平担化エツチングの工程図である。第５図
及び第６図は本発明の一実施例である薄膜磁気ヘッドの
断面図でちる。第７図は、薄膜１．ｕ気ヘッドにおける
上部及び下部磁性体の不整合状態を示す図である。 第８図は１本発明の他の実施例を示す図である。 １・・・下部磁性体、 ２・・・下池膜。 ３・・・セラミック基板、４・・・ギャップ材、５・・
・導体コイル、 ６・・・有ＩＲ１封力旨、７・・
・下部磁性体、 ８・・・・１１幾間脂。 代理人弁理士 薄 １）利 幸− ・ ４ ・ 才 １ 図 （幻 甘 Ｓ 図 才 ６ 圓 才 ７ 図 才８ 必
ある。第２図乃至第４図は本発明による磁気ヘッド製造
工程における平担化エツチングの工程図である。第５図
及び第６図は本発明の一実施例である薄膜磁気ヘッドの
断面図でちる。第７図は、薄膜１．ｕ気ヘッドにおける
上部及び下部磁性体の不整合状態を示す図である。 第８図は１本発明の他の実施例を示す図である。 １・・・下部磁性体、 ２・・・下池膜。 ３・・・セラミック基板、４・・・ギャップ材、５・・
・導体コイル、 ６・・・有ＩＲ１封力旨、７・・
・下部磁性体、 ８・・・・１１幾間脂。 代理人弁理士 薄 １）利 幸− ・ ４ ・ 才 １ 図 （幻 甘 Ｓ 図 才 ６ 圓 才 ７ 図 才８ 必
Claims (1)
- 基板上の下地層上に、下部磁性体、キャップ材、導体コ
イル、眉間絶縁物及び上部磁性体が積層される薄膜磁気
ヘッドの製造方法において、前記ｆ部磁性を下地層に埋
設し、該下地ｊ−を埋設した基板が平面となる様に構成
することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19675981A JPS5898821A (ja) | 1981-12-09 | 1981-12-09 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19675981A JPS5898821A (ja) | 1981-12-09 | 1981-12-09 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5898821A true JPS5898821A (ja) | 1983-06-11 |
Family
ID=16363141
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19675981A Pending JPS5898821A (ja) | 1981-12-09 | 1981-12-09 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5898821A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4922606A (en) * | 1987-10-30 | 1990-05-08 | Honeywell Inc. | Method of making a current sensor |
| WO1990007176A1 (de) * | 1988-12-15 | 1990-06-28 | Siemens Aktiengesellschaft | Dünnfilm-magnetkopf mit in einem substrat versenkten teilen sowie verfahren zu dessen herstellung |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4895216A (ja) * | 1972-03-17 | 1973-12-06 | ||
| JPS5644118A (en) * | 1979-09-10 | 1981-04-23 | Magnex Corp | Thin film magnetic head and production thereof |
-
1981
- 1981-12-09 JP JP19675981A patent/JPS5898821A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4895216A (ja) * | 1972-03-17 | 1973-12-06 | ||
| JPS5644118A (en) * | 1979-09-10 | 1981-04-23 | Magnex Corp | Thin film magnetic head and production thereof |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4922606A (en) * | 1987-10-30 | 1990-05-08 | Honeywell Inc. | Method of making a current sensor |
| WO1990007176A1 (de) * | 1988-12-15 | 1990-06-28 | Siemens Aktiengesellschaft | Dünnfilm-magnetkopf mit in einem substrat versenkten teilen sowie verfahren zu dessen herstellung |
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