JPH07153024A - 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッド及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH07153024A JPH07153024A JP5321301A JP32130193A JPH07153024A JP H07153024 A JPH07153024 A JP H07153024A JP 5321301 A JP5321301 A JP 5321301A JP 32130193 A JP32130193 A JP 32130193A JP H07153024 A JPH07153024 A JP H07153024A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- magnetic
- magnetic head
- pattern
- thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、ポールピース部の高精度なパターン
ニングと高い位置合わせ精度が容易に得られるようにし
た、薄膜磁気ヘッド及びその製造方法提供することを目
的とする。 【構成】ウェハー21上面に絶縁膜22を形成し、該絶
縁膜の上面に、電気メッキ法により所定パターンの磁性
膜25を形成することにより、該磁性膜による磁極パタ
ーンが画成され得るようにした、薄膜磁気ヘッド20に
おいて、上記磁性膜が、ポールピース部26に関して、
導電下地膜を跨いで、その側壁が直接に絶縁層の表面に
接触するように形成されるように、薄膜磁気ヘッド20
を構成する。
ニングと高い位置合わせ精度が容易に得られるようにし
た、薄膜磁気ヘッド及びその製造方法提供することを目
的とする。 【構成】ウェハー21上面に絶縁膜22を形成し、該絶
縁膜の上面に、電気メッキ法により所定パターンの磁性
膜25を形成することにより、該磁性膜による磁極パタ
ーンが画成され得るようにした、薄膜磁気ヘッド20に
おいて、上記磁性膜が、ポールピース部26に関して、
導電下地膜を跨いで、その側壁が直接に絶縁層の表面に
接触するように形成されるように、薄膜磁気ヘッド20
を構成する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、線幅の狭いポールピー
ス部を備えた薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に関する
ものである。
ス部を備えた薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】従来、薄膜磁気ヘッドの高出力化に伴
い、コイルの巻数を増大させると共に、ウェハー上面に
形成された下部絶縁層に凹部を設けて、該凹部内に下部
磁性層を形成することにより、磁束の絞り込みを行なう
ようにした、薄膜磁気ヘッドが知られている。一般に薄
膜磁気ヘッドは、例えば図4及び図5に示すように構成
されている。
い、コイルの巻数を増大させると共に、ウェハー上面に
形成された下部絶縁層に凹部を設けて、該凹部内に下部
磁性層を形成することにより、磁束の絞り込みを行なう
ようにした、薄膜磁気ヘッドが知られている。一般に薄
膜磁気ヘッドは、例えば図4及び図5に示すように構成
されている。
【0003】即ち、図4において、薄膜磁気ヘッド1
は、ウェハー2の上面に、下部絶縁膜3を形成し、図面
左側においては、該下部絶縁膜3の表面に、下部磁性膜
4を形成し、その上にギャップ膜5を形成して、さらに
その上に層間絶縁膜6により互いに絶縁されるように、
コイル巻線7を配設し、その後、その上から上部磁性膜
8を形成して、最後に、保護膜9により全体を覆うこと
により、構成されている。
は、ウェハー2の上面に、下部絶縁膜3を形成し、図面
左側においては、該下部絶縁膜3の表面に、下部磁性膜
4を形成し、その上にギャップ膜5を形成して、さらに
その上に層間絶縁膜6により互いに絶縁されるように、
コイル巻線7を配設し、その後、その上から上部磁性膜
8を形成して、最後に、保護膜9により全体を覆うこと
により、構成されている。
【0004】また、上記薄膜磁気ヘッド1は、図面右側
においては、ウェハー2の上面に、下部絶縁膜3を形成
し、該下部絶縁膜3の表面に、層間絶縁膜6により互い
に絶縁されるように、コイル巻線7を配設し、その後、
その上から保護膜9により全体を覆うことにより、構成
されている。この場合、上記コイル巻線7の端末は、電
極パッド7aとして、外部に引き出され得るように、形
成されている。
においては、ウェハー2の上面に、下部絶縁膜3を形成
し、該下部絶縁膜3の表面に、層間絶縁膜6により互い
に絶縁されるように、コイル巻線7を配設し、その後、
その上から保護膜9により全体を覆うことにより、構成
されている。この場合、上記コイル巻線7の端末は、電
極パッド7aとして、外部に引き出され得るように、形
成されている。
【0005】このような構成の薄膜磁気ヘッド1におい
ては、ポールピース部10は、例えば図5に示すように
して、形成されるようになっている。即ち、図5におい
て、ウェハー11の上面に、絶縁膜12を形成した後、
該絶縁膜12の上面全体に、導電下地膜13を成膜する
(図5(A)及び(A’)参照)。
ては、ポールピース部10は、例えば図5に示すように
して、形成されるようになっている。即ち、図5におい
て、ウェハー11の上面に、絶縁膜12を形成した後、
該絶縁膜12の上面全体に、導電下地膜13を成膜する
(図5(A)及び(A’)参照)。
【0006】その後、該導電下地膜13の上に、レジス
ト14を塗布し、パターンニングにより、磁極の反転パ
ターン14aを有するレジストパターンを形成する(図
5(B)及び(B’)参照)。
ト14を塗布し、パターンニングにより、磁極の反転パ
ターン14aを有するレジストパターンを形成する(図
5(B)及び(B’)参照)。
【0007】ここで、電解メッキ法によって、上記反転
パターン14aの凹部内に、磁性膜15を形成する。こ
の磁性膜15によって、磁極パターン15が形成され得
ることになる(図5(C)及び(C’)参照)。
パターン14aの凹部内に、磁性膜15を形成する。こ
の磁性膜15によって、磁極パターン15が形成され得
ることになる(図5(C)及び(C’)参照)。
【0008】続いて、図5(D)及び(D’)に示すよ
うに、レジスト14を除去すると共に、その後、例えば
イオンミリング法によって、導電下地膜13を除去す
る。これにより、図5(E)に示すように、線幅が比較
的狭いポールピース部10が形成され得ることになる。
うに、レジスト14を除去すると共に、その後、例えば
イオンミリング法によって、導電下地膜13を除去す
る。これにより、図5(E)に示すように、線幅が比較
的狭いポールピース部10が形成され得ることになる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに構成された薄膜磁気ヘッド1においては、最後にイ
オンミリング法によって導電下地膜13を除去する場合
に、ポールピース部10を構成する磁性膜15の側壁
に、被エッチング材料である導電下地膜13が、図5
(E’)に符号13aで示すように、再付着してしまっ
たり、また図5(F’)にて符号13bで示すように、
該導電下地膜13がエッチング残りのため周囲に広がっ
て、シャドー効果が発生することがある。このため、イ
オンミリング法を使用しても、導電下地膜13の完全な
パターンニングが行なわれ得なくなってしまい、高精度
なポールピース部10のパターンニングが困難になり、
而もイオン入射角度の調整を高精度化するだけでは、対
応することができないという問題があった。
うに構成された薄膜磁気ヘッド1においては、最後にイ
オンミリング法によって導電下地膜13を除去する場合
に、ポールピース部10を構成する磁性膜15の側壁
に、被エッチング材料である導電下地膜13が、図5
(E’)に符号13aで示すように、再付着してしまっ
たり、また図5(F’)にて符号13bで示すように、
該導電下地膜13がエッチング残りのため周囲に広がっ
て、シャドー効果が発生することがある。このため、イ
オンミリング法を使用しても、導電下地膜13の完全な
パターンニングが行なわれ得なくなってしまい、高精度
なポールピース部10のパターンニングが困難になり、
而もイオン入射角度の調整を高精度化するだけでは、対
応することができないという問題があった。
【0010】また、薄膜磁気ヘッド1においては、ポー
ルピース部10の位置合わせの精度が、加工精度と共に
重要であるが、従来の形成方法では、導電下地膜13を
除去する際に、磁性膜15の形状が変形してしまうため
に、位置合わせ精度を高くすることは困難であった。
ルピース部10の位置合わせの精度が、加工精度と共に
重要であるが、従来の形成方法では、導電下地膜13を
除去する際に、磁性膜15の形状が変形してしまうため
に、位置合わせ精度を高くすることは困難であった。
【0011】本発明は、以上の点に鑑み、ポールピース
部の高精度なパターンニングと高い位置合わせ精度が容
易に得られるようにした、薄膜磁気ヘッド及びその製造
方法を提供することを目的としている。
部の高精度なパターンニングと高い位置合わせ精度が容
易に得られるようにした、薄膜磁気ヘッド及びその製造
方法を提供することを目的としている。
【0012】
【課題を解決するための手段】上記目的は、本発明によ
れば、ウェハー上面に絶縁膜を形成し、該絶縁膜の上面
に、電気メッキ法により所定パターンの磁性膜を形成す
ることにより、該磁性膜による磁極パターンが画成され
得るようにした、薄膜磁気ヘッドにおいて、上記磁性膜
が、ポールピース部に関して、導電下地膜を跨いで、そ
の側壁が直接に絶縁層の表面に接触するように形成され
ていることを特徴とする、薄膜磁気ヘッドにより、達成
される。
れば、ウェハー上面に絶縁膜を形成し、該絶縁膜の上面
に、電気メッキ法により所定パターンの磁性膜を形成す
ることにより、該磁性膜による磁極パターンが画成され
得るようにした、薄膜磁気ヘッドにおいて、上記磁性膜
が、ポールピース部に関して、導電下地膜を跨いで、そ
の側壁が直接に絶縁層の表面に接触するように形成され
ていることを特徴とする、薄膜磁気ヘッドにより、達成
される。
【0013】また、上記目的は、本発明によれば、ウェ
ハー上面に絶縁膜を形成し、該絶縁膜の上面に、導電下
地膜を成膜した後、該導電下地膜の上に、磁極の反転パ
ターンを有するレジストパターンを成形して、該反転パ
ターン内に電気メッキ法により、磁性膜による磁極パタ
ーンを形成し、上記レジストパターン及び導電下地膜を
除去することにより、ポールピース部を形成するように
した、薄膜磁気ヘッドの製造方法において、上記導電下
地膜が、レジストパターン成形前に、磁性膜の側壁が直
接に絶縁膜に接触し得るように、パターンニングされる
ことを特徴とする、薄膜磁気ヘッドの製造方法により、
達成される。
ハー上面に絶縁膜を形成し、該絶縁膜の上面に、導電下
地膜を成膜した後、該導電下地膜の上に、磁極の反転パ
ターンを有するレジストパターンを成形して、該反転パ
ターン内に電気メッキ法により、磁性膜による磁極パタ
ーンを形成し、上記レジストパターン及び導電下地膜を
除去することにより、ポールピース部を形成するように
した、薄膜磁気ヘッドの製造方法において、上記導電下
地膜が、レジストパターン成形前に、磁性膜の側壁が直
接に絶縁膜に接触し得るように、パターンニングされる
ことを特徴とする、薄膜磁気ヘッドの製造方法により、
達成される。
【0014】
【作用】上記構成によれば、ポールピース部を構成する
磁性膜の側壁の下端が、導電下地膜に接触しておらず、
直接に絶縁膜に接触していることから、ポールピース部
を形成する際に、イオンミリング等によってその側壁直
下の導電下地膜を除去する必要がない。従って、導電下
地膜の除去の際に発生する、該導電下地膜の磁性膜への
再付着や、該導電下地膜のシャドー効果によるエッチン
グ斑が生ずるようなことはない。かくして、高精度のパ
ターン形状を有するポールピース部が、容易に且つ再現
性良く画成され得ることになる。
磁性膜の側壁の下端が、導電下地膜に接触しておらず、
直接に絶縁膜に接触していることから、ポールピース部
を形成する際に、イオンミリング等によってその側壁直
下の導電下地膜を除去する必要がない。従って、導電下
地膜の除去の際に発生する、該導電下地膜の磁性膜への
再付着や、該導電下地膜のシャドー効果によるエッチン
グ斑が生ずるようなことはない。かくして、高精度のパ
ターン形状を有するポールピース部が、容易に且つ再現
性良く画成され得ることになる。
【0015】さらに、ポールピース部の成形時に、イオ
ンミリング等の導電下地膜の加工が不要であることか
ら、磁性膜の変形が低減され得ることになり、該ポール
ピース部の位置合わせ精度は、該磁性膜形成の際のフォ
トリソグラフィー技術のみに依存することになる。従っ
て、ポールピース部の位置合わせ精度は、フォトリソグ
ラフィー技術の限界付近にまで高めることが可能とな
る。
ンミリング等の導電下地膜の加工が不要であることか
ら、磁性膜の変形が低減され得ることになり、該ポール
ピース部の位置合わせ精度は、該磁性膜形成の際のフォ
トリソグラフィー技術のみに依存することになる。従っ
て、ポールピース部の位置合わせ精度は、フォトリソグ
ラフィー技術の限界付近にまで高めることが可能とな
る。
【0016】また、イオンミリング等の加工が不要であ
ることから、薄膜磁気ヘッド全体の製造コストが低減さ
れ得ることになる。
ることから、薄膜磁気ヘッド全体の製造コストが低減さ
れ得ることになる。
【0017】
【実施例】以下、図面に示した実施例に基づいて、本発
明を詳細に説明する。図1は、本発明による方法により
製造された薄膜磁気ヘッドの一実施例の要部を示してい
る。ここで、本発明による薄膜磁気ヘッド20は、図4
に示す従来の薄膜磁気ヘッド1と同様に構成されてお
り、この場合、そのウェハー上に形成された下部絶縁膜
21に関して、以下のようにポールピース部が形成され
る。
明を詳細に説明する。図1は、本発明による方法により
製造された薄膜磁気ヘッドの一実施例の要部を示してい
る。ここで、本発明による薄膜磁気ヘッド20は、図4
に示す従来の薄膜磁気ヘッド1と同様に構成されてお
り、この場合、そのウェハー上に形成された下部絶縁膜
21に関して、以下のようにポールピース部が形成され
る。
【0018】即ち、図1において、薄膜磁気ヘッド20
は、ウェハー21と、該ウェハー21の上面に形成され
た絶縁膜22と、該絶縁膜22の上面全体に成膜された
導電下地膜23と、その上に塗布されたレジストパター
ン24と、該レジストパターン24のパターン部24a
内に電気メッキにより成形された磁性膜25とから構成
されている。
は、ウェハー21と、該ウェハー21の上面に形成され
た絶縁膜22と、該絶縁膜22の上面全体に成膜された
導電下地膜23と、その上に塗布されたレジストパター
ン24と、該レジストパターン24のパターン部24a
内に電気メッキにより成形された磁性膜25とから構成
されている。
【0019】このような薄膜磁気ヘッド20は、例えば
図2に示すようにして、製造され得る。即ち、図2にお
いて、ウェハー21の上面に、絶縁膜22を形成した
後、該絶縁膜22の上面全体に、導電下地膜23を成膜
して、該導電下地膜23をパターンニングすることによ
り、ポールピース部領域に切欠部23a,23bを形成
する(図2(A)及び(A’)参照)。この際、該切欠
部23a,23bの間に、該ポールピース部の中心を通
るようなブリッジ23cを形成しておく。
図2に示すようにして、製造され得る。即ち、図2にお
いて、ウェハー21の上面に、絶縁膜22を形成した
後、該絶縁膜22の上面全体に、導電下地膜23を成膜
して、該導電下地膜23をパターンニングすることによ
り、ポールピース部領域に切欠部23a,23bを形成
する(図2(A)及び(A’)参照)。この際、該切欠
部23a,23bの間に、該ポールピース部の中心を通
るようなブリッジ23cを形成しておく。
【0020】その後、該導電下地膜23の上に、レジス
ト24を塗布し、パターンニングにより、磁極の反転パ
ターン24aを有するレジストパターンを形成する(図
2(B)及び(B’)参照)。
ト24を塗布し、パターンニングにより、磁極の反転パ
ターン24aを有するレジストパターンを形成する(図
2(B)及び(B’)参照)。
【0021】ここで、電解メッキ法によって、上記反転
パターン24aの凹部内に、磁性膜25を形成する。こ
の磁性膜25によって、磁極パターンが形成され得るこ
とになる(図2(C)及び(C’)参照)。この場合、
該磁性膜25は、そのポールピース部の領域が、導電下
地膜23の切欠部23a,23bを介して、直接に絶縁
膜22の表面に接触することになる。
パターン24aの凹部内に、磁性膜25を形成する。こ
の磁性膜25によって、磁極パターンが形成され得るこ
とになる(図2(C)及び(C’)参照)。この場合、
該磁性膜25は、そのポールピース部の領域が、導電下
地膜23の切欠部23a,23bを介して、直接に絶縁
膜22の表面に接触することになる。
【0022】また、ポールピース部領域以外の部分につ
いては、導電下地膜23の上に、レジストパターン24
を形成して、電気メッキ法により磁性膜25を形成する
ことにより、磁性パターンが形成される。
いては、導電下地膜23の上に、レジストパターン24
を形成して、電気メッキ法により磁性膜25を形成する
ことにより、磁性パターンが形成される。
【0023】続いて、図2(D)及び(D’)に示すよ
うに、レジスト24を除去すると共に、導電下地膜23
を除去する。これにより、図2(E)及び(E’)に示
すように、線幅が比較的狭いポールピース部26が形成
され得ることになる。
うに、レジスト24を除去すると共に、導電下地膜23
を除去する。これにより、図2(E)及び(E’)に示
すように、線幅が比較的狭いポールピース部26が形成
され得ることになる。
【0024】ここで、上記磁性膜25は、ポールピース
部領域においては、その側面の下縁が、導電下地膜23
の切欠部23a,23bを介して、直接に絶縁膜22の
表面に接触している。このため、導電下地膜23を除去
する際に、磁性膜25の側壁直下の領域にて、導電下地
膜23をイオンミリング等によって除去する必要がな
い。従って、導電下地膜23の除去時に、除去した導電
下地膜23が、該磁性膜25の側壁に再付着したり、導
電下地膜23のシャドー効果によるエッチング斑が生ず
るようなことはなく、高精度の磁性膜25が形成され得
ることになる。
部領域においては、その側面の下縁が、導電下地膜23
の切欠部23a,23bを介して、直接に絶縁膜22の
表面に接触している。このため、導電下地膜23を除去
する際に、磁性膜25の側壁直下の領域にて、導電下地
膜23をイオンミリング等によって除去する必要がな
い。従って、導電下地膜23の除去時に、除去した導電
下地膜23が、該磁性膜25の側壁に再付着したり、導
電下地膜23のシャドー効果によるエッチング斑が生ず
るようなことはなく、高精度の磁性膜25が形成され得
ることになる。
【0025】而も、導電下地膜25の除去の際には、イ
オンミリング等による磁性膜25の変形がないことか
ら、簡単な構成により、容易に、ポールピース部の位置
合わせ精度を、フォトリソグラフィー技術の限界まで、
高めることが可能となる。
オンミリング等による磁性膜25の変形がないことか
ら、簡単な構成により、容易に、ポールピース部の位置
合わせ精度を、フォトリソグラフィー技術の限界まで、
高めることが可能となる。
【0026】図3は、本発明の方法の第二の実施例を示
している。即ち、図3においては、薄膜磁気ヘッド30
は、図2の場合と同様に、ウェハー31の上面に、絶縁
膜32を形成した後、該絶縁膜32の上面全体に、導電
下地膜33を成膜して、該導電下地膜33をパターンニ
ングすることにより、ポールピース部及び他の磁極パタ
ーン部分の領域に切欠部33a,33bを形成する(図
3(A)参照)。
している。即ち、図3においては、薄膜磁気ヘッド30
は、図2の場合と同様に、ウェハー31の上面に、絶縁
膜32を形成した後、該絶縁膜32の上面全体に、導電
下地膜33を成膜して、該導電下地膜33をパターンニ
ングすることにより、ポールピース部及び他の磁極パタ
ーン部分の領域に切欠部33a,33bを形成する(図
3(A)参照)。
【0027】その後、該導電下地膜33の上に、レジス
ト34を塗布し、パターンニングにより、磁極の反転パ
ターン34aを有するレジストパターンを形成する(図
3(B)参照)。
ト34を塗布し、パターンニングにより、磁極の反転パ
ターン34aを有するレジストパターンを形成する(図
3(B)参照)。
【0028】ここで、電解メッキ法によって、上記反転
パターン34aの凹部内に、磁性膜35を形成する。こ
の磁性膜35によって、磁極パターンが形成され得るこ
とになる(図3(C)参照)。この場合、該磁性膜35
は、その全体が、導電下地膜33の切欠部33a,33
bを介して、直接に絶縁膜32の表面に接触することに
なる。
パターン34aの凹部内に、磁性膜35を形成する。こ
の磁性膜35によって、磁極パターンが形成され得るこ
とになる(図3(C)参照)。この場合、該磁性膜35
は、その全体が、導電下地膜33の切欠部33a,33
bを介して、直接に絶縁膜32の表面に接触することに
なる。
【0029】続いて、図3(D)に示すように、レジス
ト34を除去すると共に、導電下地膜33を除去する。
これにより、図3(E)に示すように、線幅が比較的狭
いポールピース部36を有する薄膜磁気ヘッド30が形
成され得ることになる。
ト34を除去すると共に、導電下地膜33を除去する。
これにより、図3(E)に示すように、線幅が比較的狭
いポールピース部36を有する薄膜磁気ヘッド30が形
成され得ることになる。
【0030】尚、上述した実施例においては、図4の薄
膜磁気ヘッド1における下部磁性膜4に関して、本発明
を適用した場合について説明したが、これに限らず図4
の上部磁性膜8に対して、本発明を適用することも可能
であることは明らかである。
膜磁気ヘッド1における下部磁性膜4に関して、本発明
を適用した場合について説明したが、これに限らず図4
の上部磁性膜8に対して、本発明を適用することも可能
であることは明らかである。
【0031】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、ポ
ールピース部の高精度なパターンニングと高い位置合わ
せ精度が容易に得られるようにした、極めて優れた薄膜
磁気ヘッド及びその製造方法が提供され得ることにな
る。
ールピース部の高精度なパターンニングと高い位置合わ
せ精度が容易に得られるようにした、極めて優れた薄膜
磁気ヘッド及びその製造方法が提供され得ることにな
る。
【図1】本発明による薄膜磁気ヘッドの一実施例の製造
途中の状態を示す部分拡大断面図である。
途中の状態を示す部分拡大断面図である。
【図2】本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実
施例の工程の要部を順次に示す(A)〜(E)は部分平
面図、及び(A’)〜(E’)は(A)〜(E)それぞ
れの一点鎖線部における断面図である。
施例の工程の要部を順次に示す(A)〜(E)は部分平
面図、及び(A’)〜(E’)は(A)〜(E)それぞ
れの一点鎖線部における断面図である。
【図3】本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法の他の
実施例の工程の要部を順次に示す(A)〜(E)は部分
平面図である。
実施例の工程の要部を順次に示す(A)〜(E)は部分
平面図である。
【図4】従来の薄膜磁気ヘッドの一例を示す断面図であ
る。
る。
【図5】図4の薄膜磁気ヘッドの製造工程の要部を順次
に示す(A)〜(E)は部分平面図、及び(A’)〜
(E’)は(A)〜(E)それぞれの一点鎖線部におけ
る断面図で、(F’)は(E’)の他の例を示す(E)
の一点鎖線部における断面図である。
に示す(A)〜(E)は部分平面図、及び(A’)〜
(E’)は(A)〜(E)それぞれの一点鎖線部におけ
る断面図で、(F’)は(E’)の他の例を示す(E)
の一点鎖線部における断面図である。
20,30 薄膜磁気ヘッド 21,31 ウェハー 22,32 絶縁膜 23,33 導電下地膜 23a,23b,33a,33b 切欠部 24,34 レジストパターン 24a,34a パターン 25,35 磁性膜 26,36 ポールピース部
Claims (2)
- 【請求項1】 ウェハー上面に絶縁膜を形成し、該絶縁
膜の上面に、電気メッキ法により所定パターンの磁性膜
を形成することにより、該磁性膜による磁極パターンが
画成され得るようにした、薄膜磁気ヘッドにおいて、 上記磁性膜が、ポールピース部に関して、導電下地膜を
跨いで、その側壁が直接に絶縁層の表面に接触するよう
に形成されていることを特徴とする、薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項2】 ウェハー上面に絶縁膜を形成し、該絶縁
膜の上面に、導電下地膜を成膜した後、該導電下地膜の
上に、磁極の反転パターンを有するレジストパターンを
成形して、該反転パターン内に電気メッキ法により、磁
性膜による磁極パターンを形成し、上記レジストパター
ン及び導電下地膜を除去することにより、ポールピース
部を形成するようにした、薄膜磁気ヘッドの製造方法に
おいて、 上記導電下地膜が、レジストパターン成形前に、磁性膜
の側壁が直接に絶縁膜に接触し得るように、パターンニ
ングされることを特徴とする、薄膜磁気ヘッドの製造方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5321301A JPH07153024A (ja) | 1993-11-26 | 1993-11-26 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5321301A JPH07153024A (ja) | 1993-11-26 | 1993-11-26 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07153024A true JPH07153024A (ja) | 1995-06-16 |
Family
ID=18131050
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5321301A Pending JPH07153024A (ja) | 1993-11-26 | 1993-11-26 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07153024A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000013175A1 (fr) * | 1998-08-27 | 2000-03-09 | Fujitsu Limited | Procede de formage d'un film de placage et d'un pole magnetique superieur d'une tete d'ecriture a induction |
-
1993
- 1993-11-26 JP JP5321301A patent/JPH07153024A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000013175A1 (fr) * | 1998-08-27 | 2000-03-09 | Fujitsu Limited | Procede de formage d'un film de placage et d'un pole magnetique superieur d'une tete d'ecriture a induction |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7552523B1 (en) | Method for manufacturing a perpendicular magnetic recording transducer | |
JPS60133516A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
JPH02289913A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
JPH0247005B2 (ja) | ||
JPS63173213A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
US5699605A (en) | Method for forming a magnetic thin film head with recessed basecoat | |
JPH07153024A (ja) | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 | |
JP2001076314A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
US6345435B1 (en) | Method to make laminated yoke for high data rate giant magneto-resistive head | |
JP2948695B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
JPS5829116A (ja) | 磁気電気信号変換装置 | |
JPH0589430A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
JPH09138910A (ja) | メタル層をパターニングする方法 | |
JP2574260B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
JPS5898821A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
JPH06338030A (ja) | 水平型薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
JPH01173308A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
JPH04129013A (ja) | 薄膜滋気ヘツド及びその製造方法 | |
JPS62205509A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
JPS60143414A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
JPS5917290A (ja) | 磁気センサ | |
JPH05151525A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
JPS6374190A (ja) | 磁気バブルメモリ素子の製造方法 | |
JPS6115492B2 (ja) | ||
JPH05151530A (ja) | 薄膜磁気ヘツド及びその製造方法 |