JPS6115492B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は磁気ヘツドのコアの製造方法に関
し、特にたとえば蒸着、エツチングなどを用いる
薄膜磁気ヘツドのコアを製造する方法に関する。

第１図はこの発明の背景となる薄膜磁気ヘツド
（以下単に「ヘツド」と略す）の構成を示す。こ
の第１図において、１は基材、２は二酸化けい素
などの絶縁層、３はコアの一部である下部磁性
体、４は同じく上部磁性体、５はヘツドギヤツプ
を兼ねるコイル導体である。このようなヘツドは
すでに周知のところであり、構造の詳細な説明は
省略する。ここで、twはヘツドのトラツク幅で
あり、高トラツク密度のヘツドでは100μｍ以下
が要求される。トラツク幅twは下部磁性体３、
上部磁性体４の幅によつて定まる。このことか
ら、下部磁性体３、上部磁性体４を設計通りの大
きさに製作することが必要である。以下には、下
部磁性体３と上部磁性体４の製作方法はほとんど
同じであるので前者について以下に述べる。

従来、下部磁性体３の製造方法としては第２図
および第３図に示すものが知られている。この第
２図および第３図において、いずれも、６は蒸着
などにより絶縁層２上に付着させた磁性膜、７は
磁性膜６をエツチングで下部磁性体３に加工する
ためのエツチング用レジスト画像である。また、
第３図の８は絶縁層２上に下部磁性体３を形成す
るための蒸着用レジスト画像である。

次に第２図に示す方法の各工程について説明す
る。まず、第２図ａに示すように、基板１の上
に、この基板１と下部磁性体３とを電気的に絶縁
する絶縁層２が蒸着などで形成される。次に、絶
縁層２の上に、第２図ｂに示すように、パーマロ
イなどの磁性膜６を全面に蒸着し、ついで第２図
ｃに示すようにエツチング用レジスト画像７を磁
性膜６の上に形成し、第２図ｄに示すように、エ
ツチングにより下部磁性体３を形成する。最後
に、エツチング用レジスト画像７を除去して、第
２図ｅに示すように、下部磁性体３と形成する。
このとき、第２図ｄからわかるように、下部磁性
体３のトラツク幅はエツチングおけるいわゆるア
ンダーカツト現象のために、エツチング用レジス
ト画像７の幅より狭くなつている。このように第
２図に示す方法では、アンダーカツト現象による
寸法誤差が生じる。しかもこの誤差の値を予測
し、正確に制御することはむづかしい。したがつ
て、得られる下部磁性体３に寸法のばらつきが生
じることとなり、好ましくない。

第３図に示す製造工程では、まず、第３図ａに
示すように、絶縁層２を形成し、この絶縁層２の
上に蒸着用レジスト画像８を第３図ｂに示すよう
に形成する。ついで第３図ｃに示すように、レジ
スト被覆蒸着により蒸着用レジスト画像７、絶縁
層２を含めた基板１の全面に磁性膜を付着し、最
後に蒸着用レジスト画像８の剥離によつて蒸着用
レジスト画像８上の磁性膜６ｂを除去し、第３図
ｄに示すように下部磁性体３を形成する。この方
法では、第２図の方法におけるようなアンダーカ
ツト現象による寸法誤差は防ぐことができるが、
つぎのような問題点がある。すなわち、この製造
方法では、絶縁層２上の下部磁性体３の総面積が
小さいと蒸着用レジスト画像８の占める面積が大
きくなり、これにともない、蒸着時レジストより
の放出ガスの量が増加し、この放出ガスが磁性膜
６に混入し、このため磁気特性などの制御が困難
なものとなつていた。このように従来の下部磁性
体３および上部磁性体の製造方法では、エツチン
グにおけるアンダーカツト現象のためにトラツク
幅twの制御が困難であつたり（第２図）、トラツ
ク幅twを制御できても、レジストよりの放出ガ
スが磁性膜に混入し、磁気特性に影響を与えたり
（第３図）して、ヘツドコアとして適切な磁性体
を製作するのが容易ではなかつた。このことはト
ラツク幅twが100μｍ以下のときに一層きびし
く、ヘツドの高トラツク密度化の上で大きな障害
であつた。

それゆえに、この発明の主たる目的は、トラツ
ク幅が狭いときにもヘツドコアとして適切な磁性
体を容易にかつ寸法精度よく製作できるように
し、高トラツク密度化を可能にする磁気ヘツドの
コアの製造方法を提供することである。

この発明は、要約すれば、少なくともその表面
が電気的に絶縁性である基材上に、間隔がコア幅
に規制された仕切りをレジスト画像で形成し、続
いて基材上に蒸着法を用いてコア用材料膜を堆積
し、仕切り間のコアとなるべき第１材料膜、仕切
り上の第２材料膜およびそれ以外の第３材料膜を
形成し、この後、仕切りを基材上から除去するこ
とにより第２材料膜を除去し、さらに新たにコア
用第１材料膜の側面および上面をレジスト画像で
覆い、エツチングにより第３材料膜を除去し、第
１材料膜をコア用材料膜として形成するようにし
た磁気ヘツドのコアの製造方法である。

この発明の上述の目的およびその他の目的は図
面から参照して行なう以下の詳細な説明から一層
明らかとなろう。

第４図はこの発明の一実施例の工程を示す断面
図である。以下に、その製造工程を第４図の断面
図と共に説明する。まず、第４図ａに示すよう
に、基板１に、この基板１と下部磁性体３、上部
磁性体４およびコイル導体５とを電気的に絶縁す
る絶縁層２を蒸着などによつて形成する。なお、
基板１自体が絶縁性の材質であれば絶縁層２は不
要である。なお、基板１および絶縁層２を総称し
て基材と称する。次に、第４図ｂに示すように、
絶縁層２上に蒸着用レジスト画像で仕切９を形成
する。この仕切９の間隔すなわち内寸はコア幅
すなわち下部磁性体３のトラツク幅twに等しく
してある。したがつて、仕切９により下部磁性体
３の周囲の形状が定まる。次にレジスト被覆蒸着
をおこなつて第４図ｃに示すように、たとえばパ
ーマロイなどの磁性膜３，１０，１１を絶縁層２
上に付着させる。仕切９間のコア用蒸着部をコア
用第１材料膜３と呼び、仕切９上の蒸着部を第２
材料膜１０と呼びそれ以外の蒸着膜を第３材料膜
１１と呼ぶことにする。ここで、レジスト画像９
の占める面積は極めて少ないので、蒸着に際して
放出ガスも少なく、磁性膜６を形成する材料膜組
成および磁気特性への影響はほとんどない。その
後、仕切９をレジスト剥離剤などで除去すること
により第４図ｄに示すように仕切９上の第２材料
膜１０を除去し、次にたとえばマスクアライメン
ト装置などを用いて、エツチングしないで残すコ
ア用第１材料膜３を第４図ｅに示すようにその幅
よりも若干広い幅を有するエツチング用レジスト
画像１２でその上面および側面を被う。このよう
にすれば、第１材料膜３は続くエツチング工程
（第４図ｆ）において、エツチングされることも
なく、アンダーカツト現象もない。そのため寸法
精度は良好である。その後、エツチング用レジス
ト画像１２を除去して、第４図ｇに示すように目
的とするコア用第１材料膜３すなわち下部磁性体
３を露出させる。このようにして得られた下部磁
性体３の幅は、蒸着用レジスト画像９の内寸と精
度よく一致する。このため、トラツク幅twが100
μ・ｍ以下の狭トラツクのヘツドのコアを容易に
かつ精度よく形成することが可能になる。

なお、第４図ｆにおけるエツチング後、レジス
ト画像を除去する必要がなければ、それに続く第
４図ｇのレジスト画像の除去工程は不要である。

以上のように、この発明によれば、エツチング
においてアンダーカツト現象を避けることができ
るので寸法精度がよい。また、必要とする材料膜
以外の基板部分にも材料膜が付着しても支障がな
いので、基板上のレジスト画像の占める面積をき
わめて小さくすることができ、これによつてレジ
ストからのガス放出を低減することができ、純度
の高い上部および下部磁性体を得ることができ、
ヘツドの高トラツク密度化の上で効果が大きい。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の背景となる薄膜磁気ヘツド
の構成図であり、第１図ａは平面図、第１図ｂは
第１図ａの線Ｂ―Ｂにおける断面図、第１図
ｃは第１図ａの線Ｃ―Ｃにおける断面図であ
る。第２図、第３図は、それぞれ、従来の磁気ヘ
ツドのコアの製造工程を示す断面図である。第４
図はこの発明の一実施例の製造工程を示す断面図
である。 図において、同一参照符号は同一または相当部
分を示し、１は基板、２は絶縁層、３は下部磁性
体すなわちコア用第１材料膜、４は上部磁性体、
５はコイル導体、６は磁性膜、９は仕切、１０は
第２材料膜、１１は第３材料膜、１２はエツチン
グのためのレジスト画像である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 少なくともその表面が電気的に絶縁性である
   基材上に、その間隔がコア幅に規制されたレジス
   ト膜からなる仕切りを形成する第１の工程と、 前記第１の工程の後、前記基材上の全面に蒸着
   法を用いて磁性体材料膜を形成し、前記各仕切り
   間のコア用第１材料膜および前記仕切り上の第２
   材料膜ならびにそれら以外の第３材料膜を形成す
   る第２の工程と、 前記仕切りを前記基材上から除去することによ
   つてその上に形成された前記第２材料膜を除去す
   る第３の工程と、 前記除去された仕切り間に残つた前記コア用第
   １材料膜の上面および側面をレジスト膜で覆う第
   ４の工程と、 前記第４の工程の後、エツチングによつて前記
   第３材料膜を除去する第５の工程とを含む、磁気
   ヘツドのコアの製造方法。