JPH038004B2 - - Google Patents
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- JPH038004B2 JPH038004B2 JP58105200A JP10520083A JPH038004B2 JP H038004 B2 JPH038004 B2 JP H038004B2 JP 58105200 A JP58105200 A JP 58105200A JP 10520083 A JP10520083 A JP 10520083A JP H038004 B2 JPH038004 B2 JP H038004B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/3116—Shaping of layers, poles or gaps for improving the form of the electrical signal transduced, e.g. for shielding, contour effect, equalizing, side flux fringing, cross talk reduction between heads or between heads and information tracks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
産業上の利用分野
この発明は薄膜磁気ヘツドの製造方法に関する
もので、直接的な分野としては電算機用デイスク
記憶装置のトランスデユーサに関するものであ
る。また、この発明は基本的には薄膜磁気ヘツド
の磁芯に関するものであるため、他の磁気記録応
用製品分野、例えばビデオテープレコーダ、オー
デイオ機器用の磁気ヘツドあるいは磁気センサに
も利用し得る。 従来例の構成とその問題点 従来、第１図に示すように、電算機用デイスク
ヘツドは薄膜の特徴と活かして、短波長再生を良
好にするため媒体１に対向する側の磁芯の厚みを
数μmの有限長とし、一方磁気飽和による記録特
性劣下を改善するため、後方ではぶ厚くなつてい
る。すなわち、下部磁芯２は複数の磁性膜３，
４，５の積層によつて成立ち、上部磁芯６はやは
り複数の磁性膜７，８の積層によつて成立つ。こ
の上下磁芯２，６によつて磁気回路が形成され、
第１図では８ターンのコイル層９が磁気回路に鎖
交する形の薄膜磁気ヘツドを構成している。X1
は非磁性基板で、X2はその表面に設けた非磁性
絶縁層である。 このような磁気ヘツドの上下磁芯２，６を形成
する場合、第１図に示すようにパターンの大きな
磁性膜から順次小さなパターン形状の磁性膜とい
うような順序で形成されてきた。すなわち、下部
磁芯２であれば磁性膜３，４，５の順序で形成さ
れ、上部磁芯６であれば磁性膜７，８の順序で形
成される。 このような順序は、第２図で示されるように、
常に平坦な部分の上につぎの磁性膜が形成される
製法のため、電着法などの磁性膜形成には好まし
い方法でかつ常識的なやり方と考えられてきた。
しかし、このような方法は、構成上かつ製造法と
して欠点を含むことが最近明らかになつてきた。
すなわち、電着法では、電着用電極層１０が磁性
膜３あるいは磁性膜７の下部に存在している。こ
の電着用電極層１０は、通常非磁性基板X1全体
にわたつてスパツタ法あるいは蒸着法により500
Å〜数1000Å厚に形成される。ついでホトレジス
トが塗布され、プリーベーク後、磁性膜３の形状
と関係した所定のフオトマスクを介して露光さ
れ、現像リンスされる。この工程は通常のホトリ
ソグラフイの工程である。ついで、電着浴に浸す
ことにより、電着法により磁性膜３を形成する。
ついで、充分な水洗を経たのち、再度ホトレジス
トが塗布され上述した手順が繰り返される。この
時、前に塗布したホトレジストと再度塗布したホ
トレジスト相互間で干渉を起こす度合を低減する
ために、再度ホトレジストが塗布される前に100
〜110℃で30分程度前のホトレジストがベークさ
れる。このベーク工程が必要なため、何回か異な
つたパターンの磁性膜を順次形成していくうち、
前に電着した電着面が変化し、順次その上部に電
着された磁性膜の表面性が劣化、極端な場合は組
成変化を起こし、磁気特性を劣化させる場合があ
つた。また、再三にわたつてホトレジストを塗布
したりするため、作業性が悪いという欠点があつ
た。さらに別の欠点としては、電着磁性層エツジ
の角ばり度合である。例えば下部磁芯２では磁性
層４にみられるコーナ部１１、あるいは上部磁芯
６では磁性層８にみられるコーナ部１２である。
このようなコーナ部１１，１２での尖鋭さは、電
着法による一つの大きな特長であつて、第２図に
示すトラツク幅方向の寸法Ｔを決定する場合など
には極めて好ましい形状である。しかし、前述の
ような部位での尖鋭さはつぎのような問題点を含
んでいることがわかつた。すなわち、コーナ部１
１が角ばつていると上下磁芯２，６間の間隔がこ
の部分で狭まることになり、磁気効率を低下させ
る。また、コーナ部１２が角ばつていると、その
上部に形成するSiO2あるいはAl2O3といつた保護
層１３の形成において、その部位でのカバーレツ
ジが悪く、マイクロクラツク等の欠陥が入ること
があり、製品の歩留まりが低かつた。 発明の目的 この発明は磁気特性が良好で磁気効率が高く作
業性が良好で、安定した電着が可能で、かつ製品
の歩留まりの高い薄膜磁気ヘツドの製造方法を提
供することを目的とする。 発明の構成 この発明により製造された薄膜磁気ヘツドは、
磁気回路を構成する積層磁芯が磁気特性の点から
少くとも２層の磁性膜より成る、この磁性膜のう
ち、パターン形状の小さい磁性膜の上部に、この
磁性膜を完全に覆うパターン形状の大きな磁性膜
が積層されている構成にすると、下の磁性膜の端
部が上の磁性膜で蔽われるため、平滑化され、従
来例で述べた欠点が改善されることになる。ま
た、この効果は磁性膜形成に電着法を用いる製造
方法において最も顕著である。すなわち、小さい
パターンの磁性膜から順次大きなパターンの磁性
膜を形成するため、下地の磁性膜の端部といつた
段差部では電着法特有のレベリング作用による膜
生成が進行する。したがつて、極めて滑らかな遮
蔽が実現する。 実施例の説明 この発明により製造された磁気ヘツドの積層磁
芯部について第３図を用いて説明する。第３図Ｂ
は第３図Ａの断面図である。非磁性基板X1上に
非磁性絶縁層X2を介して電着用電極層１５が全
面に形成されたのち、積層磁芯１６を構成する磁
性膜１７，１８，１９のうち、パターン形状の最
も小さい磁性膜１９を形成し、ついで２番目に大
きいパターンの磁性膜１８を形成する。最後に最
も大きいパターンの磁性膜１７を形成する。 ここで、パターンが小さいとか大きいとかとい
う意味は、もちろん電着すべき面積について言つ
ているわけであるが、大きいパターンは小さいパ
ターンを包含していることをも意味している。こ
のようにすることにより、電着法特有のレベリン
グ効果により、尖鋭なコーナ部２０，２１，２２
上部の電着膜は丸みを帯び、最上部では尖鋭なコ
ーナ部は存在しなくなる。コーナ部２３は、ギヤ
ツプ深さ位置２４で切断加工のため最終的には除
去されるので関係ない。 つぎに、製造手順を第４図Ａ〜Ｅにより順を追
つて説明する。まず、第４図Ａに示すように、下
地面２５上にNi−Fe合金薄膜よりなる電着用電
極層２６が、真空蒸着法あるいはスパツタ法によ
り下地面２５全面に500Å〜数1000Å厚に形成さ
れる。ついで、その上部にホトレジスト２７が塗
布され、90℃で15〜45分間プリベークされる（こ
こまでの工程を「前工程」とよぶ）。 ついで、第４図Ｂに示すように、磁性膜１９に
対応したホトマスクにより、ホトレジスト２７の
部位２８が露光、現像により穴明けされ、パター
ニングされる。その後、所定の電着浴（後述）内
にて電着用電極層２６に通電することにより、部
位２８に磁性膜１９が形成される（ここまでの工
程を「本工程」とよぶ）。従来例ではこの電着工
程を通常の部屋（紫外線光を含む照明がある部
屋）で行つても良かつた。すなわち、ホトレジス
ト２７は、１回毎に除去され再塗布されるため、
電着時に露光されても構わない。しかし、この発
明の製造方法は、この工程をもイエロールーム
（レジストを感光しないように紫外線光を除去し
た照明がある部屋）で行う。これにより、作業工
程が簡単化されるとともに、この発明の製造方法
の実施が可能となる。 磁性膜１９が形成された後、「本工程」が再度
繰り返される。すなわち、第４図Ｃに示すよう
に、磁性膜１８に対応したホトマスクによつて所
定の部位が露光、現像されパターニングされる。
そして電着浴内にて電着が行われ、磁性膜１８を
得る。同様のことが再度行われ、第４図Ｄに示す
ように磁性膜１７を得る。その後、残留ホトレジ
スト２７を完全に感光させ、アセトン液中にて溶
解除去する。ついで、所定のパターン以外にはみ
出している電着用電極層２６をスパツタエツチン
グあるいは化学エツチング等の方法で除去する。
ここの工程を「後工程」と呼び、第４図Ｅにその
終了時点での様子を示す。 「本工程」ではつぎに示すような、一つの変化
例が有り得る。すなわち、第４図Ｂに示すように
磁性膜１９に対応するホトマスクで露光、現像し
た後、すぐ電着するのではなく、つぎの電着を行
うべき磁性膜１８に対応したホトマスクで露光の
みを行つた後、磁性膜１９を電着する。ついで、
現像処理を行うことにより、磁性膜１８が形成さ
れる部位がパターニングされる。ついで、つぎの
電着を行うべき磁性膜１７に対応したホトマスク
で露光のみを行つた後、磁性膜１８を電着する。
その後、現像処理にて、磁性膜１７が形成される
部位がパターニングされる。この例にては、この
３層にて一つの積層磁芯が完成するのでこのパタ
ーニングされた部位に磁性膜１７が第４図Ｄに示
すように電着されて「本工程」が終了する。ここ
に示す「本工程」の一つの変化例の特徴はつぎの
通りである。すなわち、各層の厚みなどにも関係
するが、例えば第４図Ｂ、第４図Ｃで示す磁性膜
１９，１８の極く近傍２９，３０は、それぞれの
薄膜が形成されたのち、つぎに電着すべきパター
ンでパターニング、すなわち露光、現像する際、
陰になるため未露光部となつて残存する可能性が
ある。充分除去するためには、露光時間、現像時
間を長くすれば解決できる場合もあるが、この方
法は基本的には適正露光、現像条件よりずれるた
め、パターン幅が広がるなど良くない点も発生す
るので好ましくない。そのような点を改善するの
が、上述した一つの変化例である。これは、磁性
膜１９，１８を電着する前に、つぎに電着すべき
磁性膜１８，１７に対応したホトマスクにより露
光のみを行つたのち電着し、その後現像するもの
である。したがつて、部位２９，３０等は陰にな
らないため、未露光部となつて残存せず、良好な
パターニングが可能となる。ここで、参考までに
以下の点を明記しておく。従来例の第１図で示す
下部磁芯２あるいは上部磁芯６とこの発明構成の
ような積層磁芯１６との識別については切断、研
磨等の方法でその断面を第１図あるいは第３図Ｂ
のように露出させたのち、電子顕微鏡による観察
あるいはＸ線マイクロアナナイザによる各磁性膜
の微妙な組成の違いを検出するといつた各種分析
法を駆使すれば識別可能である。 さて、このような積層磁芯を磁気回路の一部と
して有する具体的実施例として電算機用薄膜ヘツ
ドの例を第５図に示す。第５図について詳細に説
明する。Al2O3−TiC等の非磁性基板３０上に、
SiO2あるいはAl2O3等の非磁性絶縁層３１をスパ
ツタ法により形成する。ついで、Ni−Fe合金の
500Å〜数1000Å厚の電着用電極層３２をスパツ
タリングで形成し、下部磁芯３３を構成する磁性
膜３４，３５，３６を順次電着法により形成す
る。製造手順は前に述べた通りであるが、Ni−
Fe合金電着膜を得る電着浴としては以下に示す
通りである。
もので、直接的な分野としては電算機用デイスク
記憶装置のトランスデユーサに関するものであ
る。また、この発明は基本的には薄膜磁気ヘツド
の磁芯に関するものであるため、他の磁気記録応
用製品分野、例えばビデオテープレコーダ、オー
デイオ機器用の磁気ヘツドあるいは磁気センサに
も利用し得る。 従来例の構成とその問題点 従来、第１図に示すように、電算機用デイスク
ヘツドは薄膜の特徴と活かして、短波長再生を良
好にするため媒体１に対向する側の磁芯の厚みを
数μmの有限長とし、一方磁気飽和による記録特
性劣下を改善するため、後方ではぶ厚くなつてい
る。すなわち、下部磁芯２は複数の磁性膜３，
４，５の積層によつて成立ち、上部磁芯６はやは
り複数の磁性膜７，８の積層によつて成立つ。こ
の上下磁芯２，６によつて磁気回路が形成され、
第１図では８ターンのコイル層９が磁気回路に鎖
交する形の薄膜磁気ヘツドを構成している。X1
は非磁性基板で、X2はその表面に設けた非磁性
絶縁層である。 このような磁気ヘツドの上下磁芯２，６を形成
する場合、第１図に示すようにパターンの大きな
磁性膜から順次小さなパターン形状の磁性膜とい
うような順序で形成されてきた。すなわち、下部
磁芯２であれば磁性膜３，４，５の順序で形成さ
れ、上部磁芯６であれば磁性膜７，８の順序で形
成される。 このような順序は、第２図で示されるように、
常に平坦な部分の上につぎの磁性膜が形成される
製法のため、電着法などの磁性膜形成には好まし
い方法でかつ常識的なやり方と考えられてきた。
しかし、このような方法は、構成上かつ製造法と
して欠点を含むことが最近明らかになつてきた。
すなわち、電着法では、電着用電極層１０が磁性
膜３あるいは磁性膜７の下部に存在している。こ
の電着用電極層１０は、通常非磁性基板X1全体
にわたつてスパツタ法あるいは蒸着法により500
Å〜数1000Å厚に形成される。ついでホトレジス
トが塗布され、プリーベーク後、磁性膜３の形状
と関係した所定のフオトマスクを介して露光さ
れ、現像リンスされる。この工程は通常のホトリ
ソグラフイの工程である。ついで、電着浴に浸す
ことにより、電着法により磁性膜３を形成する。
ついで、充分な水洗を経たのち、再度ホトレジス
トが塗布され上述した手順が繰り返される。この
時、前に塗布したホトレジストと再度塗布したホ
トレジスト相互間で干渉を起こす度合を低減する
ために、再度ホトレジストが塗布される前に100
〜110℃で30分程度前のホトレジストがベークさ
れる。このベーク工程が必要なため、何回か異な
つたパターンの磁性膜を順次形成していくうち、
前に電着した電着面が変化し、順次その上部に電
着された磁性膜の表面性が劣化、極端な場合は組
成変化を起こし、磁気特性を劣化させる場合があ
つた。また、再三にわたつてホトレジストを塗布
したりするため、作業性が悪いという欠点があつ
た。さらに別の欠点としては、電着磁性層エツジ
の角ばり度合である。例えば下部磁芯２では磁性
層４にみられるコーナ部１１、あるいは上部磁芯
６では磁性層８にみられるコーナ部１２である。
このようなコーナ部１１，１２での尖鋭さは、電
着法による一つの大きな特長であつて、第２図に
示すトラツク幅方向の寸法Ｔを決定する場合など
には極めて好ましい形状である。しかし、前述の
ような部位での尖鋭さはつぎのような問題点を含
んでいることがわかつた。すなわち、コーナ部１
１が角ばつていると上下磁芯２，６間の間隔がこ
の部分で狭まることになり、磁気効率を低下させ
る。また、コーナ部１２が角ばつていると、その
上部に形成するSiO2あるいはAl2O3といつた保護
層１３の形成において、その部位でのカバーレツ
ジが悪く、マイクロクラツク等の欠陥が入ること
があり、製品の歩留まりが低かつた。 発明の目的 この発明は磁気特性が良好で磁気効率が高く作
業性が良好で、安定した電着が可能で、かつ製品
の歩留まりの高い薄膜磁気ヘツドの製造方法を提
供することを目的とする。 発明の構成 この発明により製造された薄膜磁気ヘツドは、
磁気回路を構成する積層磁芯が磁気特性の点から
少くとも２層の磁性膜より成る、この磁性膜のう
ち、パターン形状の小さい磁性膜の上部に、この
磁性膜を完全に覆うパターン形状の大きな磁性膜
が積層されている構成にすると、下の磁性膜の端
部が上の磁性膜で蔽われるため、平滑化され、従
来例で述べた欠点が改善されることになる。ま
た、この効果は磁性膜形成に電着法を用いる製造
方法において最も顕著である。すなわち、小さい
パターンの磁性膜から順次大きなパターンの磁性
膜を形成するため、下地の磁性膜の端部といつた
段差部では電着法特有のレベリング作用による膜
生成が進行する。したがつて、極めて滑らかな遮
蔽が実現する。 実施例の説明 この発明により製造された磁気ヘツドの積層磁
芯部について第３図を用いて説明する。第３図Ｂ
は第３図Ａの断面図である。非磁性基板X1上に
非磁性絶縁層X2を介して電着用電極層１５が全
面に形成されたのち、積層磁芯１６を構成する磁
性膜１７，１８，１９のうち、パターン形状の最
も小さい磁性膜１９を形成し、ついで２番目に大
きいパターンの磁性膜１８を形成する。最後に最
も大きいパターンの磁性膜１７を形成する。 ここで、パターンが小さいとか大きいとかとい
う意味は、もちろん電着すべき面積について言つ
ているわけであるが、大きいパターンは小さいパ
ターンを包含していることをも意味している。こ
のようにすることにより、電着法特有のレベリン
グ効果により、尖鋭なコーナ部２０，２１，２２
上部の電着膜は丸みを帯び、最上部では尖鋭なコ
ーナ部は存在しなくなる。コーナ部２３は、ギヤ
ツプ深さ位置２４で切断加工のため最終的には除
去されるので関係ない。 つぎに、製造手順を第４図Ａ〜Ｅにより順を追
つて説明する。まず、第４図Ａに示すように、下
地面２５上にNi−Fe合金薄膜よりなる電着用電
極層２６が、真空蒸着法あるいはスパツタ法によ
り下地面２５全面に500Å〜数1000Å厚に形成さ
れる。ついで、その上部にホトレジスト２７が塗
布され、90℃で15〜45分間プリベークされる（こ
こまでの工程を「前工程」とよぶ）。 ついで、第４図Ｂに示すように、磁性膜１９に
対応したホトマスクにより、ホトレジスト２７の
部位２８が露光、現像により穴明けされ、パター
ニングされる。その後、所定の電着浴（後述）内
にて電着用電極層２６に通電することにより、部
位２８に磁性膜１９が形成される（ここまでの工
程を「本工程」とよぶ）。従来例ではこの電着工
程を通常の部屋（紫外線光を含む照明がある部
屋）で行つても良かつた。すなわち、ホトレジス
ト２７は、１回毎に除去され再塗布されるため、
電着時に露光されても構わない。しかし、この発
明の製造方法は、この工程をもイエロールーム
（レジストを感光しないように紫外線光を除去し
た照明がある部屋）で行う。これにより、作業工
程が簡単化されるとともに、この発明の製造方法
の実施が可能となる。 磁性膜１９が形成された後、「本工程」が再度
繰り返される。すなわち、第４図Ｃに示すよう
に、磁性膜１８に対応したホトマスクによつて所
定の部位が露光、現像されパターニングされる。
そして電着浴内にて電着が行われ、磁性膜１８を
得る。同様のことが再度行われ、第４図Ｄに示す
ように磁性膜１７を得る。その後、残留ホトレジ
スト２７を完全に感光させ、アセトン液中にて溶
解除去する。ついで、所定のパターン以外にはみ
出している電着用電極層２６をスパツタエツチン
グあるいは化学エツチング等の方法で除去する。
ここの工程を「後工程」と呼び、第４図Ｅにその
終了時点での様子を示す。 「本工程」ではつぎに示すような、一つの変化
例が有り得る。すなわち、第４図Ｂに示すように
磁性膜１９に対応するホトマスクで露光、現像し
た後、すぐ電着するのではなく、つぎの電着を行
うべき磁性膜１８に対応したホトマスクで露光の
みを行つた後、磁性膜１９を電着する。ついで、
現像処理を行うことにより、磁性膜１８が形成さ
れる部位がパターニングされる。ついで、つぎの
電着を行うべき磁性膜１７に対応したホトマスク
で露光のみを行つた後、磁性膜１８を電着する。
その後、現像処理にて、磁性膜１７が形成される
部位がパターニングされる。この例にては、この
３層にて一つの積層磁芯が完成するのでこのパタ
ーニングされた部位に磁性膜１７が第４図Ｄに示
すように電着されて「本工程」が終了する。ここ
に示す「本工程」の一つの変化例の特徴はつぎの
通りである。すなわち、各層の厚みなどにも関係
するが、例えば第４図Ｂ、第４図Ｃで示す磁性膜
１９，１８の極く近傍２９，３０は、それぞれの
薄膜が形成されたのち、つぎに電着すべきパター
ンでパターニング、すなわち露光、現像する際、
陰になるため未露光部となつて残存する可能性が
ある。充分除去するためには、露光時間、現像時
間を長くすれば解決できる場合もあるが、この方
法は基本的には適正露光、現像条件よりずれるた
め、パターン幅が広がるなど良くない点も発生す
るので好ましくない。そのような点を改善するの
が、上述した一つの変化例である。これは、磁性
膜１９，１８を電着する前に、つぎに電着すべき
磁性膜１８，１７に対応したホトマスクにより露
光のみを行つたのち電着し、その後現像するもの
である。したがつて、部位２９，３０等は陰にな
らないため、未露光部となつて残存せず、良好な
パターニングが可能となる。ここで、参考までに
以下の点を明記しておく。従来例の第１図で示す
下部磁芯２あるいは上部磁芯６とこの発明構成の
ような積層磁芯１６との識別については切断、研
磨等の方法でその断面を第１図あるいは第３図Ｂ
のように露出させたのち、電子顕微鏡による観察
あるいはＸ線マイクロアナナイザによる各磁性膜
の微妙な組成の違いを検出するといつた各種分析
法を駆使すれば識別可能である。 さて、このような積層磁芯を磁気回路の一部と
して有する具体的実施例として電算機用薄膜ヘツ
ドの例を第５図に示す。第５図について詳細に説
明する。Al2O3−TiC等の非磁性基板３０上に、
SiO2あるいはAl2O3等の非磁性絶縁層３１をスパ
ツタ法により形成する。ついで、Ni−Fe合金の
500Å〜数1000Å厚の電着用電極層３２をスパツ
タリングで形成し、下部磁芯３３を構成する磁性
膜３４，３５，３６を順次電着法により形成す
る。製造手順は前に述べた通りであるが、Ni−
Fe合金電着膜を得る電着浴としては以下に示す
通りである。
【表】
浴温は40±１℃、PHは2.2、電流密度は所望の
組成を得るために調整されるが、８〜15mA／cm2
の範囲で実施される。その後、磁気ギヤツプ層と
なるSiO2あるいはAl2O3からなる非磁性絶縁層３
７がスパツタリングにより形成される。ついで、
ホトレジスト層３８，３９による層間絶縁層が形
成される。その間にCu電着によるコイル部４０
の形成ののち、再び上部磁芯４１を構成する磁性
膜４２，４３が電着用電極層４４の上部に、前項
で示された方法に準じて形成される。最終的に
は、SiO2あるいはAl2O3といつた非磁性絶縁物の
保護層４５がスパツク法などにより形成される。
薄膜ヘツドとして完成するには、所定のギヤツプ
深さ位置まで研削、研磨により仕上げられ、コイ
ル部４０の端子が外部回路と接続されるように線
処理が施され、浮動型ヘツドではフレクチヤーに
取付けられる。 このように構成した結果、つぎのような効果が
得られる。 １回のホトレジストの塗布でよいため、ホト
レジストの除去、再塗布といつた手間が要らな
くなつて作業時間の短縮が図れ、またホトレジ
スト相互間の干渉を防ぐためのベーキングが不
要となるので、電着すべき面の変質が少なくな
り、安定した電着が可能となる。 小さいパターン上に大きいパターン部を電着
するので、尖つた部位は滑らかになる電着特有
のレベリング効果が現われる。このため、上下
磁芯間の間隔が維持され、磁気効率を良好にす
る。さらに、保護層形成において、尖つた部位
上に成長するあるいは発生することが多いマイ
クロクラツクなどの欠陥を著しく減少させるこ
とが可能となり、ヘツド歩留りを向上させるこ
とができる。 発明の効果 この発明によれば、薄膜磁気ヘツドの磁気特性
を良好とできるとともに磁気効率を高くすること
ができ、製造工程が少くなつて作業時間を短縮す
ることができ、しかもマイクロクラツクなどの欠
陥を減少させることができ、製品の歩留まりを向
上させることができる。
組成を得るために調整されるが、８〜15mA／cm2
の範囲で実施される。その後、磁気ギヤツプ層と
なるSiO2あるいはAl2O3からなる非磁性絶縁層３
７がスパツタリングにより形成される。ついで、
ホトレジスト層３８，３９による層間絶縁層が形
成される。その間にCu電着によるコイル部４０
の形成ののち、再び上部磁芯４１を構成する磁性
膜４２，４３が電着用電極層４４の上部に、前項
で示された方法に準じて形成される。最終的に
は、SiO2あるいはAl2O3といつた非磁性絶縁物の
保護層４５がスパツク法などにより形成される。
薄膜ヘツドとして完成するには、所定のギヤツプ
深さ位置まで研削、研磨により仕上げられ、コイ
ル部４０の端子が外部回路と接続されるように線
処理が施され、浮動型ヘツドではフレクチヤーに
取付けられる。 このように構成した結果、つぎのような効果が
得られる。 １回のホトレジストの塗布でよいため、ホト
レジストの除去、再塗布といつた手間が要らな
くなつて作業時間の短縮が図れ、またホトレジ
スト相互間の干渉を防ぐためのベーキングが不
要となるので、電着すべき面の変質が少なくな
り、安定した電着が可能となる。 小さいパターン上に大きいパターン部を電着
するので、尖つた部位は滑らかになる電着特有
のレベリング効果が現われる。このため、上下
磁芯間の間隔が維持され、磁気効率を良好にす
る。さらに、保護層形成において、尖つた部位
上に成長するあるいは発生することが多いマイ
クロクラツクなどの欠陥を著しく減少させるこ
とが可能となり、ヘツド歩留りを向上させるこ
とができる。 発明の効果 この発明によれば、薄膜磁気ヘツドの磁気特性
を良好とできるとともに磁気効率を高くすること
ができ、製造工程が少くなつて作業時間を短縮す
ることができ、しかもマイクロクラツクなどの欠
陥を減少させることができ、製品の歩留まりを向
上させることができる。
第１図は従来の薄膜磁気ヘツドの断面図、第２
図はその要部平面図、第３図Ａ，Ｂはこの発明に
より製造された構成を示す要部平面図およびその
断面図、第４図Ａ〜Ｅはその製造工程説明図、第
５図はこの発明の具体的実施例の断面図である。 １５…電着用電極層、１６…積層磁心、１７，
１８，１９…磁性膜、２５…下地面、２６…電着
用電極層、２７…ホトレジスト。
図はその要部平面図、第３図Ａ，Ｂはこの発明に
より製造された構成を示す要部平面図およびその
断面図、第４図Ａ〜Ｅはその製造工程説明図、第
５図はこの発明の具体的実施例の断面図である。 １５…電着用電極層、１６…積層磁心、１７，
１８，１９…磁性膜、２５…下地面、２６…電着
用電極層、２７…ホトレジスト。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 電着法により少なくとも２層の磁性膜からな
る積層磁芯を形成し、この積層磁芯を磁気回路の
一部とする薄膜磁気ヘツドの製造方法であつて、
前記少なくとも２層の磁性膜のうちパターン形状
の最も小さい磁性膜の電着を行つたのち、順次パ
ターン形状の大きな磁性膜形成を電着法により行
うことを特徴とする薄膜磁気ヘツドの製造方法。 ２ 前記少なくとも２層の磁性膜は、「前工程」
が電着用電極層を形成する工程と、前記電着用電
極層上にホトレジストを塗布する工程と、前記ホ
トレジストをプリベークする工程とからなり、そ
の後、所定のパターンに前記ホトレジストを露
光、現像する工程と、所定の電着浴内にて前記電
着用電極層に通電することにより前記所定のパタ
ーン部分に磁性膜を形成する工程とからなる「本
工程」を少なくとも２回繰り返したのち、前記ホ
トレジストを除去する工程と、その後前記所定の
パターン部分以外の前記電着用電極層を除去する
工程とからなる「後工程」とによつて製造される
特許請求の範囲第１項記載の薄膜磁気ヘツドの製
造方法。 ３ ｍ層（ｍは２以上の整数）の磁性膜を形成す
る「本工程」の製造順序は、前記ホトレジストを
ｎ層目（ｎ＝１、２、……、ｍ）の磁性膜パター
ンに対応して、ｎ＝１の場合は露光現像を行つた
のち、ｎ≧２の場合は現像のみを行つたのち、つ
ぎに形成すべき（ｎ＋１）層目の磁性膜パターン
に対応して露光のみ行つた（ｎ＝ｍでは行わず）
後、所定の電着浴内にて該電着用電極層に通電す
ることにより、前記ｎ層目の磁性膜を電着形成す
ることを「本工程」の製造順序とする特許請求の
範囲第２項記載の薄膜磁気ヘツドの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58105200A JPS59231722A (ja) | 1983-06-13 | 1983-06-13 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| US06/619,917 US4716484A (en) | 1983-06-13 | 1984-06-12 | Magnetic head comprising a core formed of small and large thin film patterns |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58105200A JPS59231722A (ja) | 1983-06-13 | 1983-06-13 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59231722A JPS59231722A (ja) | 1984-12-26 |
| JPH038004B2 true JPH038004B2 (ja) | 1991-02-05 |
Family
ID=14401018
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58105200A Granted JPS59231722A (ja) | 1983-06-13 | 1983-06-13 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4716484A (ja) |
| JP (1) | JPS59231722A (ja) |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63195816A (ja) * | 1987-02-09 | 1988-08-12 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 薄膜ヘツドの製造方法 |
| JPS6455716A (en) * | 1987-08-26 | 1989-03-02 | Hitachi Ltd | Thin film magnetic head and its manufacture |
| JPH01220210A (ja) * | 1988-02-29 | 1989-09-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜磁気ヘッド |
| JPH01220211A (ja) * | 1988-02-29 | 1989-09-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| JPH04129009A (ja) * | 1989-10-20 | 1992-04-30 | Seagate Technol Internatl | 薄膜磁気読出し・書込みヘッド |
| US5142768A (en) * | 1991-05-02 | 1992-09-01 | International Business Machines Corporation | Method for making magnetic head with enhanced poletip |
| US5267392A (en) * | 1992-03-04 | 1993-12-07 | Ampex Systems Corporation | Method of manufacturing a laminated high frequency magnetic transducer |
| WO1994002938A1 (en) * | 1992-07-17 | 1994-02-03 | Ampex Systems Corporation | Composite metal and ferrite head transducer and manufacturing method therefor |
| EP0580027A2 (en) * | 1992-07-20 | 1994-01-26 | Read-Rite Corporation | Thin film magnetic head |
| US5949627A (en) * | 1993-02-19 | 1999-09-07 | Read-Rite Corporation | Thin film magnetic head with stress relief layering |
| US5452166A (en) * | 1993-10-01 | 1995-09-19 | Applied Magnetics Corporation | Thin film magnetic recording head for minimizing undershoots and a method for manufacturing the same |
| JP3539732B2 (ja) * | 1993-11-23 | 2004-07-07 | シーゲイト テクノロジー エルエルシー | 薄いニッケル下層を備えた薄膜磁気ヘッド |
| US5559653A (en) * | 1993-12-10 | 1996-09-24 | Yamaha Corporation | Thin film magnetic head having a multilayer upper core |
| TW294810B (ja) * | 1994-09-23 | 1997-01-01 | Philips Electronics Nv | |
| JPH0916905A (ja) * | 1995-06-29 | 1997-01-17 | Read Rite Corp | 薄膜磁気トランスジューサ |
| EP0768640A3 (en) * | 1995-10-13 | 1998-11-11 | Ampex Corporation | A small core magnetic head with non-magnetic side support |
| US5831801A (en) * | 1997-01-21 | 1998-11-03 | Yamaha Corporation | Thin film magnetic head with special pole configuration |
| JP3305244B2 (ja) * | 1997-12-10 | 2002-07-22 | アルプス電気株式会社 | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
| US6301076B1 (en) * | 1998-03-20 | 2001-10-09 | Seagate Technology Llc | Narrow track inductive write head having a two-piece pole |
| JP2000057522A (ja) * | 1998-08-06 | 2000-02-25 | Tdk Corp | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
| US6959483B2 (en) | 2000-01-05 | 2005-11-01 | Seagate Technology Llc | Method of making a recording head |
| JP3943337B2 (ja) * | 2000-11-10 | 2007-07-11 | Ｔｄｋ株式会社 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57189320A (en) * | 1981-05-15 | 1982-11-20 | Comput Basic Mach Technol Res Assoc | Thin film magnetic head |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL7709481A (nl) * | 1977-08-29 | 1979-03-02 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een dunne film magneetkop en dunne film magneetkop ver- vaardigd met behulp van de werkwijze. |
| US4219854A (en) * | 1978-12-21 | 1980-08-26 | International Business Machines Corporation | Thin film magnetic head assembly |
| JPS57117117A (en) * | 1981-01-09 | 1982-07-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thin film magnetic head |
| US4404609A (en) * | 1981-10-30 | 1983-09-13 | International Business Machines Corporation | Thin film inductive transducer for perpendicular recording |
| JPS59104717A (ja) * | 1982-12-08 | 1984-06-16 | Comput Basic Mach Technol Res Assoc | 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法 |
-
1983
- 1983-06-13 JP JP58105200A patent/JPS59231722A/ja active Granted
-
1984
- 1984-06-12 US US06/619,917 patent/US4716484A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57189320A (en) * | 1981-05-15 | 1982-11-20 | Comput Basic Mach Technol Res Assoc | Thin film magnetic head |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4716484A (en) | 1987-12-29 |
| JPS59231722A (ja) | 1984-12-26 |
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