JPH03132909A - レジストパターンの形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 １！よ立■工玉Ｉ 本発明はレジストパターンの形成方法、より詳しくは磁
気ディスク装置等に使用される薄膜６ｎ気ヘツドの磁極
形成工程において形成されるレジストパターンの形成方
法に関する。

兜嵐Ω技止 近年、磁気ディスク装置に使用される磁気ヘッドにおい
ては、高集積化、小形化の要請に伴い、ホトエツチング
加工技術を利用した薄膜６ｎ気ヘツドの研究・開発が盛
んに行なわれている。

この種の薄膜磁気ヘッドは、基板上に下部Ｇｎ極、ギャ
ップ層（絶縁層）、導体コイル（コンダクタ）、層間絶
縁層、上部磁極が順次積層形成され、かつ前記上部磁極
と前記下部６ｎ極とが磁気的に接続されてｍ路を形成し
ている。

上記薄１１ｉ［気ヘッドにおいて、従来、その下部磁極
は第７図に示す製造工程に従って製造されていた。

すなわち、まず第７図（ａ）に示したように、Ａｌ２２
０ｘで形成された基板５１の表面にＮｉ−Ｆｅ合金から
なる導電性薄膜５２を形成した後、この導電性薄膜５２
の表面にポジ型ホトレジスト５３を塗布する。次いで、
第７図（ｂ）に示したように、所定のパターンが形成さ
れたマスク５４をホトレジスト５３に被せて上方から光
を照射し、ホトレジスト５３に像を転写した後、現像を
施し、第７図（Ｃ）に示したように、レジストパターン
５５を形成する。そしてこの後、試料をメツキ浴に浸漬
し、第７図（ｄ）に示したように、レジストパターン５
５が形成されていない部分にＮｉ−Ｆｅ合金からなるメ
ツキ膜５６を形成する。そして、アセトン等の剥離液を
使用して、第７図（ｅ）に示したように、レジストパタ
ーン５５を除去した後、所定のエツチング工程を経て第
７図（ｆ）に示したような、下部磁極５７を形成してい
た。

日が１しようとする課題 上記磁極形成工程において、レジストパターン５５は、
下部磁極５７の形成予定領域に光を照射し、露光・現像
することによって形成されているが、マスク５４を透過
した光は、光の回折現象のためにこのマスク５４に覆わ
れている下方部分にも照射される。このため、レジスト
パターン５５は、第７図（Ｃ）に示したように、その断
面が台形形状に形成される。この結果、メツキ膜５６は
、第７図（ｅ）に示すように、断面逆台形形状に形成さ
れ、狭トラツク化を進める場合において、クロストーク
の影響が大きくなるという課題があった。

また、上部磁極は、下部磁極５７以上に鋭角的な逆台形
形状に形成されるため、クロストークの影響が増大する
。すなわち、下部磁極５７形成用のレジストパターン５
５は、平滑な基板５１上にホトレジスト５３を塗布して
形成するため、露光時においてマスク５４とホトレジス
ト５３とをかなり近接させることができ、光の回折の影
響をある程度抑制することが可能である。しかし、上部
磁極形成用のレジストパターンは、層間絶縁層上にホト
レジストを塗布して形成するため、露光時においてマス
クとホトレジストとを近接させるのに限界がある。した
がって、上部磁極形成用のレジストパターンは、下部ｍ
極５７形成用のレジストパターン５５よりも露光時にお
ける光の回り込みが激しくなり、より鋭角的な台形形状
のレジストパターンが形成される。このため、上部６ｎ
極は、下部１ｉｆ１極５７に比べ、より鋭角的な逆台形
形状に形成され、クロストークの影響が増大する。

また、上記上部磁極の表面には一般にＣｕからなる端子
が形成される。この端子は、試料表面に下地層としての
Ｃｕ膜を形成した後、上述の磁極形成方法と同様、ホト
エツチング加工技術等を利用して所定形状のＣｕをメツ
キすることにより形成される。

しかし、上部１ｉｆｔ極が断面逆台形形状に形成されて
いるため、エツチング工程において、試料表面上に形成
されている下地層としてのＣｕが上部磁極の側壁をスパ
ッタする。すなわち、エツチングによりスパッタされた
Ｃｕが上方に飛散して上部６ｆ１極の側壁を再スパック
する。このため、上部Ｉｉｎ極は腐蝕しやすく、信頼性
の低下を招くという課題があった。

本発明はこのような課題に鑑みなされたものであって、
薄膜磁気ヘッドのクロストークを低減し２より一層信願
性が向上した薄膜磁気ヘッドを形成するためのレジスト
パターンの形成方法を提供することを目的としている。

５題を解゛するための　１ 上記目的を達成するために本発明に係るレジストパター
ンの形成方法にあっては、薄膜磁気ヘッドのｔｉ磁極形
成工程おいて形成されるレジストパターンの形成方法で
あって、基板上にポジ型ホトレジストを塗布した後、磁
極の記録領域形成予定箇所の両端部に光を照射して細隙
状の一次転写像を形成し、この後前記記録領域形成予定
箇所内であって前記一次転写像が形成されていない箇所
に光を照射して二次転写像を形成し、この後前記一次転
写像及び前記二次転写像を現像することを特徴としてい
る。

また、前記一次転写像の細隙幅を４μｍ以下に形成する
ことを特徴としている。

作土 上記形成方法によれば、基板上にポジ型ホトレシストを
塗布した後、磁極の記録領域形成予定箇所の両端部に光
が照射され、細隙状の一次転写像を形成する。該細隙状
の一次転写像は、細隙状の光をホトレジストに照射する
ことによって形成される。そして、このような細隙状の
光は、乱反射等することな（光の回り込みが抑制されて
照射され、前記一次転写像の端面は略垂直形状となる。

さらに、一次転写像を形成した後、前記記録領域形成予
定箇所内であって前記一次転写像が形成されていない箇
所に光を照射し、その後現像を行なうことにより前記記
録領域形成予定箇所のホトレジストが除去され、端面が
略垂直形状のレジストパターンが形成される。

前記一次転写像の細隙幅を４μｍ以下に形成することに
より、光の回折の影響を確実に回避することができ、端
面が略垂直形状のレジストパターンを確実に形成するこ
とができる。

衷丘旦 以下、本発明に係る実施例を図面に基づき詳説する。

第２図は本発明に係るレジストパターンの形成方法に使
用される第１のマスクパターンの一例を示した平面図で
あって、第１の光透過部ｌが、第１の光遮蔽部２と第２
の光遮蔽部３・どの間に形成されている。

第１の光遮蔽部２は、矩形部４と、該矩形部４に連接し
て拡幅された幅広部５とからなっている。

第１の光透過部ｌは、細隙状かつ環状に形成されており
、該第１の光透過部ｌの細隙幅Ｔは４μｍ以下が好まし
く、より好ましくは２〜３ｕｍの範囲であるやすなわち
、細隙幅Ｔを４μｍを超えて設定した場合においては、
光の回折現象により、形成されるレジストパターンの側
面が垂直形状とはならず、テーパ状となるため、細隙幅
Ｔは４μｍ以下が好ましい。尚、細隙幅Ｔをｌｕｍ以下
に形成した場合においては、マスク合わせの際に生じる
バラツキにより、形成されるレジストパターンの寸法に
誤差が生じる虞があるため好ましくない。

また、第２の光遮蔽部３において、図中Ａ寸法によって
、磁極における記録領域の記録幅が規定される。すなわ
ち、第１の光透過部１を透過した光は、磁極の記録領域
の両端部に相当する箇所に照射されるようになっている
。

第３図は本発明に係るレジストパターンの形成方法に使
用される第２のマスクパターンの一例を示した平面図で
あって、第２の光遮蔽部２と略同−形状の第２の光透過
部６が形成されている。

次に、上記第１のマスクパターン及び第２のマスクパタ
ーンを使用した本発明に係るレジストパターンの形成方
法を詳説する。

まず、第１図（ａ）に示したように、基板７の表面にポ
ジ型のホトレジスト８を塗布する。

次いで、第１図（ｂｌ）に示したように、第１のマスク
パターンが形成された第１のマスク９をホトレジスト８
上に被せ、上方から光を照射して、ホトレジスト８に像
を転写し、細隙幅Ｔの第１の転写像１０を形成する。こ
の場合において上方から光が照゛射されても、第１の光
透過部１　（第２図）は細隙状（細隙幅Ｔ）に形成され
ているため、第１図（ｂ２）に示すように、透過光は回
折することなく直進してホトレジスト８の裏面側まで垂
直に露光される。つまり、第１の光透過部１を透過した
光は、細隙幅Ｔを有する端面が略垂直形状の第１の転写
像１０をホトレジスト８に形成する。

次に、第２のマスクパターンが形成された第２のマスク
１１を前記試料に被せ、第１図（ｃ）に示したように、
上方から光を照射してホトレジスト８に像を転写し、第
２の転写像１２を形成する。

そしてこの後、現像を施し、第１図（ｄ）に示したよう
なレジストパターン１３を形成する。

このように形成されたレジストパターン１３は、細隙状
の第１の光透過部ｌが形成された第１のマスク９を介し
て露光した後、上記第２のマスク１１を使用して露光し
ているので、規像後においてはレジストパターン１３の
端面１４は略垂直形状に形成され、テーパ状に形成され
ることばない。

第４図は上記レジストパターンの形成方法を使用して下
部磁極を形成した場合の製造工程を示したものである。

すなわち、まず、第４図（ａ）に示したように、Ａβ２
０３等で形成された基板１５の表面にＮｉ−Ｆｅ合金か
らなる導電性薄膜１６（下地層）を形成した後、この導
電性薄膜１６の表面にホトレジスト８を塗布する。

次に、第４図（ｂ）に示したように、第１のマスク９を
ホトレジスト８に被せ、上方から光を照射して、ホトレ
ジスト８に像を転写し、細隙幅Ｔを有する第１の転写像
１０をホトレジスト８に形成する。

次いで、第４図（Ｃ）に示したように、第２のマスク１
１を試料に被せ、上方から光を照射してホトレジスト８
に像を転写し、第２の転写像１２を形成する。

そしてこの後、現像を施し、第４図（ｄ）に示したよう
なレジストパターン１３を形成する。

次に、試料をメツキ浴に浸漬し、第４図（ｅ）に示した
ように、導電性薄膜１６上であってレジストパターン１
３が形成されていない部分にＮｉ−Ｆｅ合金からなるメ
ツキ膜１７を形成する。

次いで、アセトン等の剥離液でもって、第４図（ｆ）に
示したように、レジストパターン１３を除去する。

その後、Ａｒイオンを利用してイオンミーリングを施し
、第４図（ｇ）に示したように、メツキ１ｉ１７に覆わ
れていない部分の導電性溝ＩＩ！１６を除去する。

次に、該試料に再びホトレジストを塗布した後、所定の
露光・現像を施し、第４図（ｈ）に示したように、断面
逆回字状のレジストカバー１８を形成する。

次いで、第４図（ｉ）に示したように、前記レジストカ
バー１８の外方のメツキ膜１７と導電性薄膜１６をエツ
チング除去する。

そして、最後にアセトン等の剥離液でもって、レジスト
カバー１８を除去し、第４図（ｊ）に示したように、下
部１ｉｔｌ１９を形成する。

上記下部磁極の形成においては、レジストパターン１３
の端面１４が垂直に形成されているので、下部磁極１９
の側壁２０も垂直に形成される。

また、上部磁極も上述と同様、その側壁を容易に垂直形
状に形成することができる。したがって、薄膜磁気ヘッ
ドが狭トラツク化されてもクロストークが低減し、クロ
ストークの改善を図ることができる。

また、上部磁極の側壁が垂直に形成されたことにより、
上部磁極形成後においてなされる端子形成工程において
、端子形成のための下地層がエツチングによりスパッタ
されても該下地層が上部１ａ極の側壁をスパッタするこ
とがなくなり、磁気ヘッドの信頼性向上を図ることがで
きる。

第５図は第１のマスクパターンの池の実施例であって、
第１の光遮蔽部２１が矩形状に形成されたものである。

すなわち、６ｎ気ヘツドのＮ１回は記録幅Ａによって規
定される記録領域と、磁路領域とからなり、記録領域の
みがクロストークの影響を受ける。したがって磁路領域
の側壁は敢えて垂直に形成する必要がない。そこで本実
施例では第１の光透過部２２において、磁極の記録領域
形成予定箇所の両端部のみが細隙幅Ｔで照射されるよう
にパターン形成されている。このように本発明に係るレ
ジストパターンの形成方法においては、一次転写像が記
録領域形成予定箇所の両端部においてのみ細隙状に形成
されるという条件さえ満たせば良く、マスクパターンの
全体形状は別設限定されることはない。尚、この場合、
第６図に示したように、第２のマスクパターンにおける
第２の光透過部２３は、第２の光遮蔽部２１と略同−形
状となるように形成されればよい。

光■Ω公星 以上詳述したように本発明に係るレジストパターンの形
成方法は、基板上にポジ型ホトレジストを塗布した後、
ＥｎＦＸの記録領域形成予定箇所の両端部に光を照射し
て細隙状の一次転写像を形成し、この後前記記録領域形
成予定箇所内であって前記−広軌写像が形成されていな
い箇所に光を照射して二次転写像を形成し、この後前記
一次転写像及び前記二次転写像を現像するので、薄膜磁
気ヘッドの磁極を形成した場合においても磁極の側壁が
垂直形状に形成され、クロストークの改善を図ることが
できる。

さらには、上部磁極の側壁が垂直形状に形成されること
により、上部磁極形成後においてなされる端子形成工程
において、端子形成のための下地層がエツチングにより
スパッタされても該下地層が上部ｌ１ｆ１ｉの側壁をス
パッタすることがなくなり、磁気ヘッドの信頼性向上を
図ることができる。

また、上記第１の転写像の細隙幅を、４μｍ以下に形成
することにより、レジストパターンの端面は確実に垂直
形状に形成され、所望のｔｉ極形状を有する薄膜磁気ヘ
ッドを得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明に係るレジストパターン
の形成方法の一実施例を示す形成工程図、第２図は第１
のマスクパターンの一例を示す平面図、第３図は第２の
マスクパターンの一例を示す平面図、第４図（ａ）〜（
ｊ）は本発明に係るレジストパターンの形成方法を利用
して薄膜磁気ヘッドの下部６ｎ極を形成する場合を示す
工程図、第５図は第１のマスクパターンの他の実施例を
示す平面図、第６図は第２のマスクパターンの他の実施
例を示す平面図、第７図（ａ）〜（ｆ）は磁極形成工程
の従来例を示す工程図である。 ７．１５・・基板、８・・・ホトレジスト、ｌＯ・・・
第１の転写像、１２・・・第２の転写像、１３・・・レ
ジストパターン、１９・・・下部磁極（磁極）、Ｔ・・
・細隙幅。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）薄膜磁気ヘッドの磁極形成工程において形成され
   るレジストパターンの形成方法であって、基板上にポジ
   型ホトレジストを塗布した後、磁極の記録領域形成予定
   箇所の両端部に光を照射して細隙状の一次転写像を形成
   し、この後前記記録領域形成予定箇所内であって前記一
   次転写像が形成されていない箇所に光を照射して二次転
   写像を形成し、この後前記一次転写像及び前記二次転写
   像を現像することを特徴とするレジストパターンの形成
   方法。
2. （２）一次転写像の細隙幅を４μｍ以下に形成すること
   を特徴とする請求項１記載のレジストパターンの形成方
   法。