JP2693171B2 - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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- JP2693171B2 JP2693171B2 JP9533888A JP9533888A JP2693171B2 JP 2693171 B2 JP2693171 B2 JP 2693171B2 JP 9533888 A JP9533888 A JP 9533888A JP 9533888 A JP9533888 A JP 9533888A JP 2693171 B2 JP2693171 B2 JP 2693171B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ 本発明は、磁性膜と共に磁気回路を構成する導体コイ
ル膜を、フォトリソグラフィによって形成する場合に、
露光窓の幅をフォトレジスト膜の表面形状に合せて異な
らせたフォトマスクを使用することにより、フォトレジ
スト膜の表面形状が表面張力等の影響で傾斜面となった
ような場合でも、所定幅の導体コイル膜等を形成できる
ようにしたものである。
ル膜を、フォトリソグラフィによって形成する場合に、
露光窓の幅をフォトレジスト膜の表面形状に合せて異な
らせたフォトマスクを使用することにより、フォトレジ
スト膜の表面形状が表面張力等の影響で傾斜面となった
ような場合でも、所定幅の導体コイル膜等を形成できる
ようにしたものである。
＜従来の技術＞ 第３図は特開昭55−84019号公報等で知られたこの種
の薄膜磁気ヘッドの要部の斜視図、第４図は同じくその
要部の断面図である。１はセラミックで構成された基
体、２は下部磁性膜、３はアルミナ等でなるギャップ
膜、４は上部磁性膜、５は導体コイル膜、６はノボラッ
ク樹脂等の有機樹脂で構成された絶縁膜、７、８は引出
リード部である。絶縁膜６は複数層の絶縁膜61〜63から
構成されていて、絶縁膜61、62の上に導体コイル膜51、
52を形成してある。９は絶縁ギャップ膜３の上から基体
１と下部磁性膜２との間に生じる段差を埋めるように付
与された絶縁膜、10は各部２〜８を覆うアルミナ等の保
護膜である。下部磁性膜２及び上部磁性膜４の先端部
は、微小厚みのギャップ膜３を隔てて対向するポール部
21、41となっており、このポール部21、41において読み
書きを行なう。
の薄膜磁気ヘッドの要部の斜視図、第４図は同じくその
要部の断面図である。１はセラミックで構成された基
体、２は下部磁性膜、３はアルミナ等でなるギャップ
膜、４は上部磁性膜、５は導体コイル膜、６はノボラッ
ク樹脂等の有機樹脂で構成された絶縁膜、７、８は引出
リード部である。絶縁膜６は複数層の絶縁膜61〜63から
構成されていて、絶縁膜61、62の上に導体コイル膜51、
52を形成してある。９は絶縁ギャップ膜３の上から基体
１と下部磁性膜２との間に生じる段差を埋めるように付
与された絶縁膜、10は各部２〜８を覆うアルミナ等の保
護膜である。下部磁性膜２及び上部磁性膜４の先端部
は、微小厚みのギャップ膜３を隔てて対向するポール部
21、41となっており、このポール部21、41において読み
書きを行なう。
上述の薄膜磁気ヘッドは、フォトリソグラフィと呼ば
れる薄膜パターン形成技術によって形成される。この薄
膜パターン形成プロセスのうち、導体コイル膜の形成プ
ロセスは、例えば特開昭61−120315号公報等に開示され
る如く、基板上の絶縁膜の上に導体膜を形成する工程
と、前記導体膜の上に感光性有機樹脂でなるフォトレジ
スト膜を塗布する工程と、フォトレジスト膜の上にフォ
トマスクを当てて露光し現像してコイルパターンを形成
する工程と、こうして得られたコイルパターンに導体膜
を付与した後、不要部分を除去して導体コイル膜を得る
工程とを、必要とする導体コイル膜の層数だけ繰返す工
程となる。次にその具体例について第５図を参照して説
明する。
れる薄膜パターン形成技術によって形成される。この薄
膜パターン形成プロセスのうち、導体コイル膜の形成プ
ロセスは、例えば特開昭61−120315号公報等に開示され
る如く、基板上の絶縁膜の上に導体膜を形成する工程
と、前記導体膜の上に感光性有機樹脂でなるフォトレジ
スト膜を塗布する工程と、フォトレジスト膜の上にフォ
トマスクを当てて露光し現像してコイルパターンを形成
する工程と、こうして得られたコイルパターンに導体膜
を付与した後、不要部分を除去して導体コイル膜を得る
工程とを、必要とする導体コイル膜の層数だけ繰返す工
程となる。次にその具体例について第５図を参照して説
明する。
まず、第５図（ａ）に示すように、磁気ギャップ膜３
及び絶縁膜９の表面に、絶縁膜61を形成した後、絶縁膜
61の表面にCU/Tiの材料をスパッタリングして、下地導
体膜51Aを形成する。絶縁膜61はノボラック系感光性有
機樹脂でなるポジタイプレジストをコーティングし、例
えば90℃の温度で30分間のソフトベークを行なった後、
露光、現像及び水洗の処理を施し、続いて130℃、１時
間の熱処理及び220℃、１時間の熱処理をそれぞれ行な
うことによって形成される。
及び絶縁膜９の表面に、絶縁膜61を形成した後、絶縁膜
61の表面にCU/Tiの材料をスパッタリングして、下地導
体膜51Aを形成する。絶縁膜61はノボラック系感光性有
機樹脂でなるポジタイプレジストをコーティングし、例
えば90℃の温度で30分間のソフトベークを行なった後、
露光、現像及び水洗の処理を施し、続いて130℃、１時
間の熱処理及び220℃、１時間の熱処理をそれぞれ行な
うことによって形成される。
次に、第５図（ｂ）に示すように、下地導体膜51Aの
表面にノボラック系感光性有機樹脂でなるポジタイプの
フォトレジスト膜62Aを塗布し、ソフトベーク化する。
表面にノボラック系感光性有機樹脂でなるポジタイプの
フォトレジスト膜62Aを塗布し、ソフトベーク化する。
次に、第５図（ｃ）に示すように、フォトレジスト膜
62Aの上にフォトマス11を位置決めし露光及び現像を行
なう。これにより、第５図（ｄ）に示すように、フォト
レジスト膜62Aによる露光パターンが得られる。この露
光パターンは渦巻状である。フォトマスク11の露光窓11
1の幅は全て同一になっている。
62Aの上にフォトマス11を位置決めし露光及び現像を行
なう。これにより、第５図（ｄ）に示すように、フォト
レジスト膜62Aによる露光パターンが得られる。この露
光パターンは渦巻状である。フォトマスク11の露光窓11
1の幅は全て同一になっている。
次に、第５図（ｅ）に示すように、導体コイル膜51と
なるCuメッキ膜51Bを、例えば2.5μｍの厚さで、フォト
レジスト膜62Aの除去された部分62Bに付着させる。
なるCuメッキ膜51Bを、例えば2.5μｍの厚さで、フォト
レジスト膜62Aの除去された部分62Bに付着させる。
次に、第５図（ｆ）に示すように、フォトレジスト膜
62Aを剥離し、更に、剥離されたフォトレジスト膜62Aの
下にある下地導体膜51Aをイオンミーリング等の手段に
よって除去して、絶縁膜61の上に所定のパターンを有す
る導体コイル膜51を形成する。
62Aを剥離し、更に、剥離されたフォトレジスト膜62Aの
下にある下地導体膜51Aをイオンミーリング等の手段に
よって除去して、絶縁膜61の上に所定のパターンを有す
る導体コイル膜51を形成する。
上述の第５図（ａ）〜（ｆ）の工程を繰返し、第５図
（ｇ）に示すように、絶縁膜62、導体コイル膜52及び絶
縁膜63を積層した後、第５図（ｈ）に示すように、絶縁
膜63の表面に上部磁性膜４を形成する。この後、保護膜
10をスパッタリングによって形成する。
（ｇ）に示すように、絶縁膜62、導体コイル膜52及び絶
縁膜63を積層した後、第５図（ｈ）に示すように、絶縁
膜63の表面に上部磁性膜４を形成する。この後、保護膜
10をスパッタリングによって形成する。
＜発明が解決しようとする問題点＞ 上述のように、フォトレジスト膜62Aは感光性有機樹
脂を塗布して形成するため、その流動性及び表面張力等
の影響により、第６図に示すように、中央部から媒体対
向面（以下ABS面と称する）側に向って傾斜する傾斜面
となる。このため、フォトマスク11を当てて露光するコ
イルパターン形成プロセスにおいて、フォトマスク11と
フォトレジスト膜62Aとの間に、中央部で小さく、ABS面
側に向う程増大する隙間ｇが発生する。この状態で、露
光窓111の幅W11〜W15が全て同一なっているフォトマス
ク11を使用すると、隙間ｇの大きいABS面側で光の回折
による影響が大きくなり、第７図に示す如く、フォトレ
ジスト膜62Aによって形成さたパターン62Bの幅W21〜W25
がABS面側に向う程大きくなる。この結果、最終的に得
られる導体コイル膜51の線幅がABS面に向う程大きくな
ってしまい、最悪の場合には線間短絡等の招く危険性が
出てくる。ネガタイプの感光性有機樹脂を使用した場合
は上述とは逆になり、ABS面に向う程、導体コイル膜51
の線幅が小さくなり、断線事故等を惹起し易くなる。フ
ォトレジスト膜62Aの傾斜は中央部とABS面側とで１〜２
μｍ程度の差の微小なものであるが、導体コイル膜51の
線幅は２μｍ前後で、線間距離が1.5μｍ程度の微小な
寸法であるため、上述のような僅かな傾斜であっても、
与える影響は大きい。導体コイル膜52を形成する場合に
も同様の問題点を生じる。
脂を塗布して形成するため、その流動性及び表面張力等
の影響により、第６図に示すように、中央部から媒体対
向面（以下ABS面と称する）側に向って傾斜する傾斜面
となる。このため、フォトマスク11を当てて露光するコ
イルパターン形成プロセスにおいて、フォトマスク11と
フォトレジスト膜62Aとの間に、中央部で小さく、ABS面
側に向う程増大する隙間ｇが発生する。この状態で、露
光窓111の幅W11〜W15が全て同一なっているフォトマス
ク11を使用すると、隙間ｇの大きいABS面側で光の回折
による影響が大きくなり、第７図に示す如く、フォトレ
ジスト膜62Aによって形成さたパターン62Bの幅W21〜W25
がABS面側に向う程大きくなる。この結果、最終的に得
られる導体コイル膜51の線幅がABS面に向う程大きくな
ってしまい、最悪の場合には線間短絡等の招く危険性が
出てくる。ネガタイプの感光性有機樹脂を使用した場合
は上述とは逆になり、ABS面に向う程、導体コイル膜51
の線幅が小さくなり、断線事故等を惹起し易くなる。フ
ォトレジスト膜62Aの傾斜は中央部とABS面側とで１〜２
μｍ程度の差の微小なものであるが、導体コイル膜51の
線幅は２μｍ前後で、線間距離が1.5μｍ程度の微小な
寸法であるため、上述のような僅かな傾斜であっても、
与える影響は大きい。導体コイル膜52を形成する場合に
も同様の問題点を生じる。
＜問題点を解決するための手段＞ 上述する従来の問題点を解決するため、本発明は、コ
イルパターン形成工程を含む薄膜磁気ヘッドの製造方法
であって、前記コイルパターン形成工程は、基板上の絶
縁膜の上に導体膜を形成する工程と、前記導体膜の上に
感光性有機樹脂でなるフォトレジスト膜を塗布する工程
と、フォトレジスト膜の上にフォトマスクを当てて露光
し現像する工程とを含んでいる。
イルパターン形成工程を含む薄膜磁気ヘッドの製造方法
であって、前記コイルパターン形成工程は、基板上の絶
縁膜の上に導体膜を形成する工程と、前記導体膜の上に
感光性有機樹脂でなるフォトレジスト膜を塗布する工程
と、フォトレジスト膜の上にフォトマスクを当てて露光
し現像する工程とを含んでいる。
前記フォトレジスト膜の上に前記フォトマスクを当て
て露光する際、露光窓の幅を、前記フォトレジスト膜が
ポジタイプの場合には前記フォトレジスト膜の表面と前
記フォトマスクとの間の間隔が大きくなる位置では小さ
くなるように設定し、前記フォトレジスト膜がネガタイ
プの場合には前記フォトレジスト膜の表面と前記フォト
マスクとの間の間隔が大きくなる位置では大きくなるよ
うに設定したフォトマスクを用いる。
て露光する際、露光窓の幅を、前記フォトレジスト膜が
ポジタイプの場合には前記フォトレジスト膜の表面と前
記フォトマスクとの間の間隔が大きくなる位置では小さ
くなるように設定し、前記フォトレジスト膜がネガタイ
プの場合には前記フォトレジスト膜の表面と前記フォト
マスクとの間の間隔が大きくなる位置では大きくなるよ
うに設定したフォトマスクを用いる。
＜作用＞ フォトレジスト膜の上にフォトマスクを当てて露光す
る際、露光窓の幅を、フォトレジスト膜がポジタイプの
場合にはフォトレジスト膜の表面とフォトマスクとの間
の間隔が大きくなる位置では小さくなるように設定し、
フォトレジスト膜がネガタイプの場合にはフォトレジス
ト膜の表面とフォトマスクとの間の間隔が大きくなる位
置では大きくなるように設定したフォトマスクを使用す
ると、フォトレジスト膜の表面が、その流動性及び表面
張力等によって傾斜面となった場合でも、露光窓の幅を
フォトレジスト膜の表面形状に合せて異ならせたフォト
マスクによって、露光時に吸収し、例えば、導体コイル
膜の線幅、線間隔を均一化し、断線及び短絡等を防止で
きる。
る際、露光窓の幅を、フォトレジスト膜がポジタイプの
場合にはフォトレジスト膜の表面とフォトマスクとの間
の間隔が大きくなる位置では小さくなるように設定し、
フォトレジスト膜がネガタイプの場合にはフォトレジス
ト膜の表面とフォトマスクとの間の間隔が大きくなる位
置では大きくなるように設定したフォトマスクを使用す
ると、フォトレジスト膜の表面が、その流動性及び表面
張力等によって傾斜面となった場合でも、露光窓の幅を
フォトレジスト膜の表面形状に合せて異ならせたフォト
マスクによって、露光時に吸収し、例えば、導体コイル
膜の線幅、線間隔を均一化し、断線及び短絡等を防止で
きる。
＜実施例＞ 第１図及び第２図は本発明における薄膜磁気ヘッドの
製造方法の要部工程を示す図である。従来と同様に第５
図（ａ）及び（ｂ）を通した後、フォトレジスト膜62A
の上にフォトマスク11を位置決めし露光及び現像を行な
う際、第１図に示すように、露光窓111の幅W11〜W15
を、フォトレジスト膜62Aの表面の傾斜形状に合せて異
ならせたフォトマスク11を使用する。具体的には、フォ
トレジスト膜62Aをポジタイプの感光性有機樹脂を塗布
して構成した場合には、露光窓111の幅W11〜W15は、ABS
面に近い位置にある露光窓111ほど小さくなるように、
即ち、 W11〈W12...〈W15 となるように設定する。ネガタイプの感光性有機樹脂を
使用した場合にはこの逆になる。露光窓111の幅W11〜W1
5を前述したような関係に設定すると、隙間ｇが大で光
の回折による影響が大きく出るABS面側に向う程、露光
窓111の幅の縮小化により、露光幅が縮小される。この
ため、全体として、露光幅が均一化され、第２図に示す
ように、幅W21〜W25の略等しい露光パターンが得られ
る。従って、この後、第５図（ｅ）、（ｆ）の工程を通
すことによって、最終的に得られる導体コイル膜51の線
幅、及び線間間隔を均一化できる。
製造方法の要部工程を示す図である。従来と同様に第５
図（ａ）及び（ｂ）を通した後、フォトレジスト膜62A
の上にフォトマスク11を位置決めし露光及び現像を行な
う際、第１図に示すように、露光窓111の幅W11〜W15
を、フォトレジスト膜62Aの表面の傾斜形状に合せて異
ならせたフォトマスク11を使用する。具体的には、フォ
トレジスト膜62Aをポジタイプの感光性有機樹脂を塗布
して構成した場合には、露光窓111の幅W11〜W15は、ABS
面に近い位置にある露光窓111ほど小さくなるように、
即ち、 W11〈W12...〈W15 となるように設定する。ネガタイプの感光性有機樹脂を
使用した場合にはこの逆になる。露光窓111の幅W11〜W1
5を前述したような関係に設定すると、隙間ｇが大で光
の回折による影響が大きく出るABS面側に向う程、露光
窓111の幅の縮小化により、露光幅が縮小される。この
ため、全体として、露光幅が均一化され、第２図に示す
ように、幅W21〜W25の略等しい露光パターンが得られ
る。従って、この後、第５図（ｅ）、（ｆ）の工程を通
すことによって、最終的に得られる導体コイル膜51の線
幅、及び線間間隔を均一化できる。
この後の工程は第５図で説明した従来の工程と同一で
あるので、説明は省略する。本発明は面内記録用の薄膜
磁気ヘッドに限らず、垂直記録用の薄膜磁気ヘッドの製
造方法にも、同様に適用できることは言うまでもない。
あるので、説明は省略する。本発明は面内記録用の薄膜
磁気ヘッドに限らず、垂直記録用の薄膜磁気ヘッドの製
造方法にも、同様に適用できることは言うまでもない。
＜発明の効果＞ 以上述べたように、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製
造方法によれば、フォトレジスト膜の表面がその流動性
及び表面張力等によって傾斜面となった場合でも、露光
窓の幅を、フォトレジスト膜の表面形状に合せて異なら
せたフォトマスクによって露光時に吸収し、導体コイル
膜の線幅、線間隔を均一化し、断線、短絡等を防止でき
る。
造方法によれば、フォトレジスト膜の表面がその流動性
及び表面張力等によって傾斜面となった場合でも、露光
窓の幅を、フォトレジスト膜の表面形状に合せて異なら
せたフォトマスクによって露光時に吸収し、導体コイル
膜の線幅、線間隔を均一化し、断線、短絡等を防止でき
る。
第１図及び第２図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法の要部工程を示す図、第３図は従来よりよく知られ
たこの種の薄膜磁気ヘッドの要部の斜視図、第４図は同
じくその要部の断面図、第５図は同じくその製造工程を
示す図、第６図及び第７図は同じく製造工程における問
題点を示す図である。 １……基体、２……下部磁性膜 ４……上部磁性膜 ５、51、52……導体コイル膜 ６、61〜63……絶縁膜 62A……フォトレジスト膜 11……フォトマスク 111……露光窓 W11〜W15……露光窓の幅
方法の要部工程を示す図、第３図は従来よりよく知られ
たこの種の薄膜磁気ヘッドの要部の斜視図、第４図は同
じくその要部の断面図、第５図は同じくその製造工程を
示す図、第６図及び第７図は同じく製造工程における問
題点を示す図である。 １……基体、２……下部磁性膜 ４……上部磁性膜 ５、51、52……導体コイル膜 ６、61〜63……絶縁膜 62A……フォトレジスト膜 11……フォトマスク 111……露光窓 W11〜W15……露光窓の幅
Claims (2)
- 【請求項１】コイルパターン形成工程を含む薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法であって、 前記コイルパターン形成工程は、基板上の絶縁膜の上に
導体膜を形成する工程と、前記導体膜の上に感光性有機
樹脂でなるフォトレジスト膜を塗布する工程と、フォト
レジスト膜の上にフォトマスクを当てて露光し現像する
工程とを含んでおり、 前記フォトレジスト膜の上に前記フォトマスクを当てて
露光する際、露光窓の幅を、前記フォトレジスト膜がポ
ジタイプの場合には前記フォトレジスト膜の表面と前記
フォトマスクとの間の間隔が大きくなる位置では小さく
なるように設定し、前記フォトレジスト膜がネガタイプ
の場合には前記フォトレジスト膜の表面と前記フォトマ
スクとの間の間隔が大きくなる位置では大きくなるよう
に設定した前記フォトマスクを用いること を特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項２】特許請求の範囲第１項に記載の薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法であって、 前記レジストパターンを利用して、コイルパターンを形
成する工程と、こうして得られたコイルパターンに導体
膜を付与した後、不要部分を除去して導体コイル膜を得
る工程とを、必要とする導体コイル膜の層数だけ繰返す
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9533888A JP2693171B2 (ja) | 1988-04-18 | 1988-04-18 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9533888A JP2693171B2 (ja) | 1988-04-18 | 1988-04-18 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01267815A JPH01267815A (ja) | 1989-10-25 |
| JP2693171B2 true JP2693171B2 (ja) | 1997-12-24 |
Family
ID=14134918
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9533888A Expired - Lifetime JP2693171B2 (ja) | 1988-04-18 | 1988-04-18 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2693171B2 (ja) |
-
1988
- 1988-04-18 JP JP9533888A patent/JP2693171B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01267815A (ja) | 1989-10-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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