JPH0130408B2 - - Google Patents
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- JPH0130408B2 JPH0130408B2 JP57209583A JP20958382A JPH0130408B2 JP H0130408 B2 JPH0130408 B2 JP H0130408B2 JP 57209583 A JP57209583 A JP 57209583A JP 20958382 A JP20958382 A JP 20958382A JP H0130408 B2 JPH0130408 B2 JP H0130408B2
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 22
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 17
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 31
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 11
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 5
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 5
- 229910002555 FeNi Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M potassium iodide Chemical compound [K+].[I-] NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P ceric ammonium nitrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[Ce+4].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3945—Heads comprising more than one sensitive element
- G11B5/3948—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements
- G11B5/3951—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements the active elements being arranged on several parallel planes
- G11B5/3954—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements the active elements being arranged on several parallel planes the active elements transducing on a single track
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/01—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はリニアエンコーダ、ロータリーエンコ
ーダ等のエンコーダの磁化パターンの検出や、磁
気テープ、磁気デイスク等の磁気記録媒体に記録
された情報の読み取りを行なうための磁気抵抗素
子を具える磁気検出器の製造方法に関するもので
ある。
ーダ等のエンコーダの磁化パターンの検出や、磁
気テープ、磁気デイスク等の磁気記録媒体に記録
された情報の読み取りを行なうための磁気抵抗素
子を具える磁気検出器の製造方法に関するもので
ある。
このような磁気抵抗素子を具える磁気検出器と
して、磁気抵抗素子を２個設け、相互に磁気的バ
イアスを与えるようにしたものが特公昭53−
37204号公報および同53−37205号公報などに記載
されており、公知である、このような相互磁気バ
イアス形の磁気検出器は例えば絶縁基板上に第１
の磁気抵抗膜、絶縁膜および第２の磁気抵抗膜を
順次に被着して構成されているが、安定した検出
出力を得るためには、第１および第２の磁気抵抗
膜が同一の磁気特性を有することが必要となる。
このように磁気検出器を製造する方法としては、
基板上に第１磁気抵抗膜および電極膜を蒸着し、
フオトエツチング等によりパターニングした後、
絶縁膜を蒸着し、さらにその上に第２磁気抵抗膜
および電極膜を蒸着してパターニングする方法が
一般的に考えられる。しかしながら、このような
製造方法では、蒸着、フエトエツチングの工程が
多くなり、製造工程が複雑となる欠点がある。ま
た、第１および第２の磁気抵抗膜は別々の工程で
パターニングするため、寸法精度が悪く、同一の
寸法とならず、磁気特性に差異が現われる欠点が
ある。また、第１および第２の磁気抵抗膜に対す
る電気的接続部を形成する場合に短絡が生じ易い
欠点もある。
して、磁気抵抗素子を２個設け、相互に磁気的バ
イアスを与えるようにしたものが特公昭53−
37204号公報および同53−37205号公報などに記載
されており、公知である、このような相互磁気バ
イアス形の磁気検出器は例えば絶縁基板上に第１
の磁気抵抗膜、絶縁膜および第２の磁気抵抗膜を
順次に被着して構成されているが、安定した検出
出力を得るためには、第１および第２の磁気抵抗
膜が同一の磁気特性を有することが必要となる。
このように磁気検出器を製造する方法としては、
基板上に第１磁気抵抗膜および電極膜を蒸着し、
フオトエツチング等によりパターニングした後、
絶縁膜を蒸着し、さらにその上に第２磁気抵抗膜
および電極膜を蒸着してパターニングする方法が
一般的に考えられる。しかしながら、このような
製造方法では、蒸着、フエトエツチングの工程が
多くなり、製造工程が複雑となる欠点がある。ま
た、第１および第２の磁気抵抗膜は別々の工程で
パターニングするため、寸法精度が悪く、同一の
寸法とならず、磁気特性に差異が現われる欠点が
ある。また、第１および第２の磁気抵抗膜に対す
る電気的接続部を形成する場合に短絡が生じ易い
欠点もある。
本発明の目的は上述した種々の欠点を除去し、
安定な検出特性を有する磁気検出器を簡単かつ正
確に製造することができる方法を提供しようとす
るものである。
安定な検出特性を有する磁気検出器を簡単かつ正
確に製造することができる方法を提供しようとす
るものである。
本発明は、基板上に少なくとも第１の磁気抵抗
膜、第１絶縁膜および第２の磁気抵抗膜を被着し
た後、レジスト膜を被着し、所望のパターンに従
つて前記レジスト膜を選択的に除去した後、前記
第１磁気抵抗膜、第１絶縁膜および第２磁気抵抗
膜に対して同時にエツチング処理を施して上下に
積層された第１および第２の磁気抵抗素子を形成
し、前記第２磁気抵抗膜および第１絶縁膜にスル
ーホールを形成した後、別の絶縁膜を被着し、こ
の絶縁膜の、前記スルーホールの底部に孔をあけ
た後、金属膜を被着し、この金属膜を所望のパタ
ーンにしたがつてパターニングすることによつて
第１磁気抵抗素子に対する接点を形成することを
特徴とするものである。
膜、第１絶縁膜および第２の磁気抵抗膜を被着し
た後、レジスト膜を被着し、所望のパターンに従
つて前記レジスト膜を選択的に除去した後、前記
第１磁気抵抗膜、第１絶縁膜および第２磁気抵抗
膜に対して同時にエツチング処理を施して上下に
積層された第１および第２の磁気抵抗素子を形成
し、前記第２磁気抵抗膜および第１絶縁膜にスル
ーホールを形成した後、別の絶縁膜を被着し、こ
の絶縁膜の、前記スルーホールの底部に孔をあけ
た後、金属膜を被着し、この金属膜を所望のパタ
ーンにしたがつてパターニングすることによつて
第１磁気抵抗素子に対する接点を形成することを
特徴とするものである。
このような本発明の方法によれば、第１および
第２の磁気抵抗素子は同一のマスクにより同時に
パターニングされるため、これらの寸法、形状は
精密に一致したものとなり、磁気特性の揃つたも
のとなると共に製造工程も簡単となる。また、第
１の磁気抵抗素子への接点を形成する以前にスル
ーホールの側壁を絶縁膜で覆うようにしているた
め、第１および第２磁気抵抗素子間の短絡も防止
することができる。
第２の磁気抵抗素子は同一のマスクにより同時に
パターニングされるため、これらの寸法、形状は
精密に一致したものとなり、磁気特性の揃つたも
のとなると共に製造工程も簡単となる。また、第
１の磁気抵抗素子への接点を形成する以前にスル
ーホールの側壁を絶縁膜で覆うようにしているた
め、第１および第２磁気抵抗素子間の短絡も防止
することができる。
以下、図面を参照して本発明を詳細に説明す
る。
る。
第１図Ａは本発明の方法によつて製造すべき磁
気検出器の一例の構成を示す線図的平面図であ
り、第１図Ｂは線図的斜視図である。第１図Ａお
よびＢでは図面を明瞭とするために上側の絶縁層
は省いてあると共に第１図Ａにおいては磁気抵抗
膜には斜線を付けて示した。本例では４個の磁気
抵抗素子MR１〜MR４を具えるものあり、素子
MR１とMR２およびMR３とMR４は上下に積
層されている。これらの素子はガラス基板Ｓの上
に形成されており、素子MR１，MR３とMR２，
MR４との間には絶縁膜INSが介挿されている。
４つの磁気抵抗素子MR１〜MR４は第２図に示
すようにブリツジ回路を構成するように接続され
ている。すなわち、下側の素子MR１とMR３の
一端は接点Ｃ１およびＣ２で導体Ｌ１に接続さ
れ、この導体は端子Ｔ１に接続されている。上側
の素子MR２とMR４の一端は接点Ｃ３およびＣ
４で導体Ｌ２に接続され、この導体は端子Ｔ２に
接続されている。下側の素子MR１の他端は接点
Ｃ５および導体Ｌ３を経て端子Ｔ３に接続され、
上側の素子MR２の他端は接点Ｃ６および導体Ｌ
４を経て端子Ｔ４に接続され、下側の素子MR３
の他端は接点Ｃ７および導体Ｌ５を経て端子Ｔ５
に接続され、上側の素子MR４の他端は接点Ｃ８
および導体Ｌ６を経て端子Ｔ６に接続されてい
る。第１図Ａにおいては、下側の素子MR１およ
びMR３に対する接点は２重枠で示してある。第
２図に示すように、端子Ｔ１およびＴ２はブリツ
ジ回路の出力端子であり、差動増幅器DAの差動
入力端子に接続され、端子Ｔ３とＴ４は電源Ｅの
正端子に共通に接続され、端子Ｔ５とＴ６は負端
子に共通に接続される。したがつて端子Ｔ３とＴ
４およびＴ５とＴ６はそれぞれ１個の端子とする
こともできるが、製造工程途中で磁気抵抗素子の
短絡試験などを行なうためには、上述したように
別個に端子を設けておくのが好適である。
気検出器の一例の構成を示す線図的平面図であ
り、第１図Ｂは線図的斜視図である。第１図Ａお
よびＢでは図面を明瞭とするために上側の絶縁層
は省いてあると共に第１図Ａにおいては磁気抵抗
膜には斜線を付けて示した。本例では４個の磁気
抵抗素子MR１〜MR４を具えるものあり、素子
MR１とMR２およびMR３とMR４は上下に積
層されている。これらの素子はガラス基板Ｓの上
に形成されており、素子MR１，MR３とMR２，
MR４との間には絶縁膜INSが介挿されている。
４つの磁気抵抗素子MR１〜MR４は第２図に示
すようにブリツジ回路を構成するように接続され
ている。すなわち、下側の素子MR１とMR３の
一端は接点Ｃ１およびＣ２で導体Ｌ１に接続さ
れ、この導体は端子Ｔ１に接続されている。上側
の素子MR２とMR４の一端は接点Ｃ３およびＣ
４で導体Ｌ２に接続され、この導体は端子Ｔ２に
接続されている。下側の素子MR１の他端は接点
Ｃ５および導体Ｌ３を経て端子Ｔ３に接続され、
上側の素子MR２の他端は接点Ｃ６および導体Ｌ
４を経て端子Ｔ４に接続され、下側の素子MR３
の他端は接点Ｃ７および導体Ｌ５を経て端子Ｔ５
に接続され、上側の素子MR４の他端は接点Ｃ８
および導体Ｌ６を経て端子Ｔ６に接続されてい
る。第１図Ａにおいては、下側の素子MR１およ
びMR３に対する接点は２重枠で示してある。第
２図に示すように、端子Ｔ１およびＴ２はブリツ
ジ回路の出力端子であり、差動増幅器DAの差動
入力端子に接続され、端子Ｔ３とＴ４は電源Ｅの
正端子に共通に接続され、端子Ｔ５とＴ６は負端
子に共通に接続される。したがつて端子Ｔ３とＴ
４およびＴ５とＴ６はそれぞれ１個の端子とする
こともできるが、製造工程途中で磁気抵抗素子の
短絡試験などを行なうためには、上述したように
別個に端子を設けておくのが好適である。
次に、上述した磁気検出器を製造する本発明の
実施例を説明する。
実施例を説明する。
実施例
先ず、第３図に示すように、ガラス基板１上に
81％Ni−19％Feのパーマロイ合金より成る厚さ
300Åの第１磁気抵抗膜２、SiO2より成る厚さ
2000Åの絶縁膜３およびパーマロイ合金より成る
厚さ300Åの第２磁気抵抗膜４を順次に蒸着した
後、ポジタイプのフオトレジスト膜５を被着す
る。この蒸着中、基板１は例えば300℃の温度に
加熱しておく。フオトレジスト膜５としては、例
えばドライエツチング用のAZ−1350を用いるこ
とができる。
81％Ni−19％Feのパーマロイ合金より成る厚さ
300Åの第１磁気抵抗膜２、SiO2より成る厚さ
2000Åの絶縁膜３およびパーマロイ合金より成る
厚さ300Åの第２磁気抵抗膜４を順次に蒸着した
後、ポジタイプのフオトレジスト膜５を被着す
る。この蒸着中、基板１は例えば300℃の温度に
加熱しておく。フオトレジスト膜５としては、例
えばドライエツチング用のAZ−1350を用いるこ
とができる。
次に、第４図に示すように、形成すべき磁気抵
抗素子のパターンに対応する所望のパターンを有
するフオトマスク６を用いて光を選択的に照射
し、フオトマスク６の透明部分６ａを透過した光
が当つたフオトレジスト膜５の非硬化部分を除去
する。本例ではフオトマスク６により形成される
磁気抵抗素子の長さＬを約１mmとし、幅Ｗを50μ
とする。
抗素子のパターンに対応する所望のパターンを有
するフオトマスク６を用いて光を選択的に照射
し、フオトマスク６の透明部分６ａを透過した光
が当つたフオトレジスト膜５の非硬化部分を除去
する。本例ではフオトマスク６により形成される
磁気抵抗素子の長さＬを約１mmとし、幅Ｗを50μ
とする。
次にCF4ガス、CCl4ガスおよびO2ガスを含む混
合ガスによりドライエツチングを行なつて、光が
照射した領域で第１および第２の磁気抵抗膜２お
よび４並びに絶縁膜３を同時に腐食除去する。こ
の場合、CF4ガスはSiO2絶縁膜３を除去し、CCl4
ガスはFeNi磁気抵抗膜２および４を除去し、O2
ガスはこのCCl4による除去作用を助ける作用を
する。勿論このエツチングはウエツトエツチング
でも、Arガス中でのスパツタエツチングでもよ
い。例えばウエツトエツチングを行なう場合に
は、SiO2絶縁膜３はフツ酸系エツチヤントで除
去でき、FeNi磁気抵抗膜２，４は強酸混液で除
去することができる。このように第１および第２
の磁気抵抗膜２および４並びに絶縁膜３を１回の
エツチング処理によつて除去するため、上下に積
層される第１および第２の磁気抵抗素子のパター
ンは完全に一致し、磁気特性も一致すると共に製
造工程も簡単となる。また、第１および第３の磁
気抵抗素子および第２および第４の磁気抵抗素子
はそれぞれ第１および第２の磁気抵抗膜２および
４から形成されるので、これらの素子の膜厚はそ
れぞれ等しくなり、磁気特性はさらに揃つたもの
となる。
合ガスによりドライエツチングを行なつて、光が
照射した領域で第１および第２の磁気抵抗膜２お
よび４並びに絶縁膜３を同時に腐食除去する。こ
の場合、CF4ガスはSiO2絶縁膜３を除去し、CCl4
ガスはFeNi磁気抵抗膜２および４を除去し、O2
ガスはこのCCl4による除去作用を助ける作用を
する。勿論このエツチングはウエツトエツチング
でも、Arガス中でのスパツタエツチングでもよ
い。例えばウエツトエツチングを行なう場合に
は、SiO2絶縁膜３はフツ酸系エツチヤントで除
去でき、FeNi磁気抵抗膜２，４は強酸混液で除
去することができる。このように第１および第２
の磁気抵抗膜２および４並びに絶縁膜３を１回の
エツチング処理によつて除去するため、上下に積
層される第１および第２の磁気抵抗素子のパター
ンは完全に一致し、磁気特性も一致すると共に製
造工程も簡単となる。また、第１および第３の磁
気抵抗素子および第２および第４の磁気抵抗素子
はそれぞれ第１および第２の磁気抵抗膜２および
４から形成されるので、これらの素子の膜厚はそ
れぞれ等しくなり、磁気特性はさらに揃つたもの
となる。
次に、第２磁気抵抗膜４上に残存するフオトレ
ジスト膜５を除去した後、第５図に示すように新
たなネガタイプのフオトレジスト膜７を形成す
る。さらに適当なフオトマスク（第１７図参照）
を用いて、第１磁気抵抗膜２に対する接点を形成
すべき位置においてフオトレジスト膜７に孔７ａ
をあける。この孔７ａを通してエツチングを施こ
し、第６図に示すように第２磁気抵抗膜４および
絶縁膜３に孔４ａおよび３ａをあけ、第１磁気抵
抗膜２に達するスルーホール８を形成する。
ジスト膜５を除去した後、第５図に示すように新
たなネガタイプのフオトレジスト膜７を形成す
る。さらに適当なフオトマスク（第１７図参照）
を用いて、第１磁気抵抗膜２に対する接点を形成
すべき位置においてフオトレジスト膜７に孔７ａ
をあける。この孔７ａを通してエツチングを施こ
し、第６図に示すように第２磁気抵抗膜４および
絶縁膜３に孔４ａおよび３ａをあけ、第１磁気抵
抗膜２に達するスルーホール８を形成する。
次に、第８図に示すようにネガタイプのポリイ
ミド系の絶縁性フオトレジスト膜９を被着した
後、適当なフオトマスク（第２０図参照）を用い
てスルーホール８の中にそれよりも小さい孔９ａ
を形成すると共に第２磁気抵抗膜４に対する接点
を形成すべき位置に孔９ｂをあけ、第１および第
２の磁気抵抗膜２および４の一部分を露出させ
る。この絶縁性フオトレジスト膜９は剥離せずに
そのまま残存させ、その上に第８図に示すように
Mo−Auより成る二重構造の金属膜１０を被着す
る。これらの金属の蒸着は基板１を250℃の温度
に加熱し、Mo層が2000Å、Au層が5000Åの厚さ
となるように行なう。次にポジタイプのフオトレ
ジスト膜を被着した後、第９図に示すような導体
パターンを有するフオトマスク１１を用いて金属
膜１０を選択的に除去し、パターニングする。こ
の際のエツチヤントとしては、Moに対しては硝
酸第二セリウムアンモン系のもの、Auに対して
はヨウ化カリウム系のものを用いることができ
る。最後にパターニングされた金属膜１０上に残
存するフオトレジストを除去することにより第１
０図に示すような磁気検出器が得られる。
ミド系の絶縁性フオトレジスト膜９を被着した
後、適当なフオトマスク（第２０図参照）を用い
てスルーホール８の中にそれよりも小さい孔９ａ
を形成すると共に第２磁気抵抗膜４に対する接点
を形成すべき位置に孔９ｂをあけ、第１および第
２の磁気抵抗膜２および４の一部分を露出させ
る。この絶縁性フオトレジスト膜９は剥離せずに
そのまま残存させ、その上に第８図に示すように
Mo−Auより成る二重構造の金属膜１０を被着す
る。これらの金属の蒸着は基板１を250℃の温度
に加熱し、Mo層が2000Å、Au層が5000Åの厚さ
となるように行なう。次にポジタイプのフオトレ
ジスト膜を被着した後、第９図に示すような導体
パターンを有するフオトマスク１１を用いて金属
膜１０を選択的に除去し、パターニングする。こ
の際のエツチヤントとしては、Moに対しては硝
酸第二セリウムアンモン系のもの、Auに対して
はヨウ化カリウム系のものを用いることができ
る。最後にパターニングされた金属膜１０上に残
存するフオトレジストを除去することにより第１
０図に示すような磁気検出器が得られる。
上述したように、本発明では第１および第２の
磁気抵抗膜２および４並びにそれらの間に介挿さ
れる絶縁膜３を同一のエツチング工程により除去
するので、上下に積層される第１および第２の磁
気抵抗素子の外形寸法は精密に一致したものとな
り、これら素子の磁気特性は一致したものとなる
と共に製造工程も少なくなる。また、下側にある
第１磁気抵抗膜２に対する接点を形成するため、
絶縁性のフオトレジスト膜９を被着し、このフオ
トレジスト膜９に孔９ａをあけ、その後に金属膜
１０を被着するので、第１および第２磁気抵抗膜
２および４間の短絡を有効に防止することができ
る。
磁気抵抗膜２および４並びにそれらの間に介挿さ
れる絶縁膜３を同一のエツチング工程により除去
するので、上下に積層される第１および第２の磁
気抵抗素子の外形寸法は精密に一致したものとな
り、これら素子の磁気特性は一致したものとなる
と共に製造工程も少なくなる。また、下側にある
第１磁気抵抗膜２に対する接点を形成するため、
絶縁性のフオトレジスト膜９を被着し、このフオ
トレジスト膜９に孔９ａをあけ、その後に金属膜
１０を被着するので、第１および第２磁気抵抗膜
２および４間の短絡を有効に防止することができ
る。
実施例
本実施例においては第１１図に示すようにガラ
ス基板２１の上にNiFeパーマロイより成る第１
の磁気抵抗膜２２、Ta2O5より成る第１絶縁膜２
３、NiFeパーマロイより成る第２磁気抵抗膜２
４およびSiO2より成る第２絶縁膜２５を順次に
蒸着する。このように、本例では材質の異なる第
１および第２の絶縁膜２３および２５を用いる点
が重要である。次にポジタイプのフオトレジスト
膜２６を被着した後第４図に示したフオトマスク
６を用いてフオトレジスト膜２６を部分的に除去
した後、第１２図に示すようにCF4ガス、CCl4ガ
スおよびO2ガスを含むガスエツチヤントを用い
て４つの膜２２〜２５を同一工程で順次に除去す
る。
ス基板２１の上にNiFeパーマロイより成る第１
の磁気抵抗膜２２、Ta2O5より成る第１絶縁膜２
３、NiFeパーマロイより成る第２磁気抵抗膜２
４およびSiO2より成る第２絶縁膜２５を順次に
蒸着する。このように、本例では材質の異なる第
１および第２の絶縁膜２３および２５を用いる点
が重要である。次にポジタイプのフオトレジスト
膜２６を被着した後第４図に示したフオトマスク
６を用いてフオトレジスト膜２６を部分的に除去
した後、第１２図に示すようにCF4ガス、CCl4ガ
スおよびO2ガスを含むガスエツチヤントを用い
て４つの膜２２〜２５を同一工程で順次に除去す
る。
次に第１３図に示すように新たなフオトレジス
ト膜２７を被着した後、第２磁気抵抗膜２４に対
する接点を形成すべき位置に孔２７ａをあけ、
SiO2より成る第２絶縁膜２５を侵すが、Ta2O5よ
り成る第１絶縁膜２３は侵さないエツチヤントを
用いて第２絶縁膜２５に孔２５ａをあける。この
ようなエツチヤントとしてはフツ酸系エツチヤン
トがある。このようにSiO2を選択的に腐食する
エツチヤントを用いるため、たとえ、第２磁気抵
抗膜２４にピンホールがあり、このピンホールを
通つてエツチヤントが第１絶縁膜２３に達して
も、この第１絶縁膜は除去されないので、第１お
よび第２磁気抵抗膜間の短絡をきわめて有効に防
止できる。以後の工程は上述した実施例の第５
図〜第１０図に示した工程と同様である。すなわ
ち、第１４図Ａに示すように新たなフオトレジス
ト膜２８を被着した後、第１磁気抵抗膜２２に対
する接点を形成すべき位置に孔２８ａをあけ、こ
の孔を経て第２絶縁膜２５、第２磁気抵抗膜２４
および第１絶縁膜２３を除去し、第１磁気抵抗膜
に達するスルーホールをあける。次にフオトレジ
スト膜２８を除去した後、第１４図Ｂに示すよう
に絶縁性のフオトレジスト膜２９を被着し、接点
に対応する位置に孔２９ａおよび２９ｂをあけ
る。さらにその上に第１４図Ｃに示すように金属
膜３０を被着した後、第９図に示すフオトマスク
を用いて金属膜３０をパターニングした後金属膜
上のフオトレジスト膜を除去して第１４図Ｄに示
すような磁気検出器を得ることができる。
ト膜２７を被着した後、第２磁気抵抗膜２４に対
する接点を形成すべき位置に孔２７ａをあけ、
SiO2より成る第２絶縁膜２５を侵すが、Ta2O5よ
り成る第１絶縁膜２３は侵さないエツチヤントを
用いて第２絶縁膜２５に孔２５ａをあける。この
ようなエツチヤントとしてはフツ酸系エツチヤン
トがある。このようにSiO2を選択的に腐食する
エツチヤントを用いるため、たとえ、第２磁気抵
抗膜２４にピンホールがあり、このピンホールを
通つてエツチヤントが第１絶縁膜２３に達して
も、この第１絶縁膜は除去されないので、第１お
よび第２磁気抵抗膜間の短絡をきわめて有効に防
止できる。以後の工程は上述した実施例の第５
図〜第１０図に示した工程と同様である。すなわ
ち、第１４図Ａに示すように新たなフオトレジス
ト膜２８を被着した後、第１磁気抵抗膜２２に対
する接点を形成すべき位置に孔２８ａをあけ、こ
の孔を経て第２絶縁膜２５、第２磁気抵抗膜２４
および第１絶縁膜２３を除去し、第１磁気抵抗膜
に達するスルーホールをあける。次にフオトレジ
スト膜２８を除去した後、第１４図Ｂに示すよう
に絶縁性のフオトレジスト膜２９を被着し、接点
に対応する位置に孔２９ａおよび２９ｂをあけ
る。さらにその上に第１４図Ｃに示すように金属
膜３０を被着した後、第９図に示すフオトマスク
を用いて金属膜３０をパターニングした後金属膜
上のフオトレジスト膜を除去して第１４図Ｄに示
すような磁気検出器を得ることができる。
本実施例では上述した実施例の効果に加え、
上側の第２磁気抵抗膜２４に対する接点を形成す
るために第２絶縁膜２５に孔２５ａを形成する工
程において、第２磁気抵抗膜２４に存在する可能
性のあるピンホールを介して第１絶縁膜２３がエ
ツチングされることがないから、電極蒸着により
ピンホールを介して第１および第２の磁気抵抗膜
２２および２４が短絡する恐れがなくなると云う
効果がある。
上側の第２磁気抵抗膜２４に対する接点を形成す
るために第２絶縁膜２５に孔２５ａを形成する工
程において、第２磁気抵抗膜２４に存在する可能
性のあるピンホールを介して第１絶縁膜２３がエ
ツチングされることがないから、電極蒸着により
ピンホールを介して第１および第２の磁気抵抗膜
２２および２４が短絡する恐れがなくなると云う
効果がある。
実施例
本実施例においては、第１５図に示すように、
シリコン基板３１の上に厚さ500ÅのTa2O5より
成る第１絶縁膜３２、厚さ300ÅのNiFeパーマロ
イより成る第１磁気抵抗膜３３、厚さ1500Åの
SiO2より成る第２絶縁膜３４、厚さ500Åの
Ta2O5より成る第３絶縁膜３５、厚さ300Åの
NiFeパーマロイより成る第２磁気抵抗膜３６お
よび厚さ1500ÅのSiO2より成る第４絶縁膜３７
の６層を順次に蒸着する。この蒸着はシリコン基
板３１を300℃の温度に加熱して行なう。
シリコン基板３１の上に厚さ500ÅのTa2O5より
成る第１絶縁膜３２、厚さ300ÅのNiFeパーマロ
イより成る第１磁気抵抗膜３３、厚さ1500Åの
SiO2より成る第２絶縁膜３４、厚さ500Åの
Ta2O5より成る第３絶縁膜３５、厚さ300Åの
NiFeパーマロイより成る第２磁気抵抗膜３６お
よび厚さ1500ÅのSiO2より成る第４絶縁膜３７
の６層を順次に蒸着する。この蒸着はシリコン基
板３１を300℃の温度に加熱して行なう。
次にポジタイプのホトレジスト膜を被着した
後、第４図に示すフオトマスク６を用い、形成す
べき磁気抵抗素子に対応したパターニングを行な
う。このパターニングはTa2O5およびSiO2より成
る絶縁膜を除去するCF4ガスと、FeNiより成る
磁気抵抗膜を除去するCCl4ガスと、このCCl4ガ
スの作用を補助するO2ガスとを含むガスを用い
るドライエツチングにより行なう。このようにし
て６層全部を一回のエツチング処理により除去す
るので工程が簡単になると共に上下に積層される
磁気抵抗素子の寸法形状を完全に一致させること
ができ、特性の等しいものが容易に得られる。
後、第４図に示すフオトマスク６を用い、形成す
べき磁気抵抗素子に対応したパターニングを行な
う。このパターニングはTa2O5およびSiO2より成
る絶縁膜を除去するCF4ガスと、FeNiより成る
磁気抵抗膜を除去するCCl4ガスと、このCCl4ガ
スの作用を補助するO2ガスとを含むガスを用い
るドライエツチングにより行なう。このようにし
て６層全部を一回のエツチング処理により除去す
るので工程が簡単になると共に上下に積層される
磁気抵抗素子の寸法形状を完全に一致させること
ができ、特性の等しいものが容易に得られる。
次に第１６図に示すように、新たなネガタイプ
のフオトレジスト膜３８を被着した後、第１７図
に示すように下側の第１磁気抵抗膜３３に対する
接点を形成すべき位置に不透明部３９ａを形成し
たフオトマスク３９によりフオトレジスト膜３８
の対応する位置に孔３８ａをあける。
のフオトレジスト膜３８を被着した後、第１７図
に示すように下側の第１磁気抵抗膜３３に対する
接点を形成すべき位置に不透明部３９ａを形成し
たフオトマスク３９によりフオトレジスト膜３８
の対応する位置に孔３８ａをあける。
次に、第４絶縁膜３７、第２磁気抵抗膜３６お
よび第３絶縁膜３７に対してエツチング処理を施
こし、第１８図に示すように第２絶縁膜３４まで
達するスルーホール４０を形成する。この場合に
も、第１５図に示した工程で用いたCF4ガス、
CCl4ガス、O2ガスを用いるドライエツチングを
採用できる。この工程では第２絶縁膜３４の表面
が露出するまで行なえばよく、この第２絶縁膜が
多少エツチングされてもよいので、エツチングの
制御をそれほど厳密に行なう必要はない。また、
このエツチングはウエツトエツチングで行なうこ
ともでき、この場合にはSiO2に対してはフツ酸
系エツチヤント、Ta2O5に対してはアルカリ系エ
ツチヤント、磁気抵抗膜を構成するFeNiに対し
ては強酸混液エツチヤントをそれぞれ用いること
ができる。
よび第３絶縁膜３７に対してエツチング処理を施
こし、第１８図に示すように第２絶縁膜３４まで
達するスルーホール４０を形成する。この場合に
も、第１５図に示した工程で用いたCF4ガス、
CCl4ガス、O2ガスを用いるドライエツチングを
採用できる。この工程では第２絶縁膜３４の表面
が露出するまで行なえばよく、この第２絶縁膜が
多少エツチングされてもよいので、エツチングの
制御をそれほど厳密に行なう必要はない。また、
このエツチングはウエツトエツチングで行なうこ
ともでき、この場合にはSiO2に対してはフツ酸
系エツチヤント、Ta2O5に対してはアルカリ系エ
ツチヤント、磁気抵抗膜を構成するFeNiに対し
ては強酸混液エツチヤントをそれぞれ用いること
ができる。
次に第１９図に示すようにネガタイプのポリイ
ミド系の絶縁性フオトレジスト膜４１を被着した
後、第２０図に示すようなフオトマスク４２を用
いて、フオトレジスト膜４１に孔４１ａおよび４
１ｂをあける。孔４１ａは上述したスルーホール
４０の底部に形成されるものであり、これと対応
するフオトマスク４２の不透明部を符号４２ａで
示す。また、他の不透明部４２ｂは上側の磁気抵
抗膜３６に対する接点を形成するための孔４１ｂ
に対応している。また、フオトマスク４２には不
透明部４２ｃを形成するが、これは後にボンデイ
ングするためにこの部分の絶縁性フオトレジスト
膜４１を除去するためのものであり、この部分に
対応するフオトレジスト膜４１の孔は第１９図で
は示していない。
ミド系の絶縁性フオトレジスト膜４１を被着した
後、第２０図に示すようなフオトマスク４２を用
いて、フオトレジスト膜４１に孔４１ａおよび４
１ｂをあける。孔４１ａは上述したスルーホール
４０の底部に形成されるものであり、これと対応
するフオトマスク４２の不透明部を符号４２ａで
示す。また、他の不透明部４２ｂは上側の磁気抵
抗膜３６に対する接点を形成するための孔４１ｂ
に対応している。また、フオトマスク４２には不
透明部４２ｃを形成するが、これは後にボンデイ
ングするためにこの部分の絶縁性フオトレジスト
膜４１を除去するためのものであり、この部分に
対応するフオトレジスト膜４１の孔は第１９図で
は示していない。
次に、第２１図に示すようにフオトマスク４１
にあけた孔４１ａおよび４１ｂを経てSiO2より
成る第２絶縁膜３４と同じくSiO2より成る第４
絶縁膜３７を、SiO2を選択的に侵すがTa2O5は侵
さないエツチヤント、例えばフツ酸系エツチヤン
トであるHF＋6NH4Fによりウエツトエツチング
して除去し、それぞれ第１および第２磁気抵抗膜
３３および３６に達する孔３４ａおよび３７ａを
形成する。このように、SiO2を選択的に腐食除
去するエツチヤントを用いて孔を形成するため、
第１および第２の磁気抵抗膜３３および３６がピ
ンホールを介して短絡するのを有効に防止するこ
とができる。
にあけた孔４１ａおよび４１ｂを経てSiO2より
成る第２絶縁膜３４と同じくSiO2より成る第４
絶縁膜３７を、SiO2を選択的に侵すがTa2O5は侵
さないエツチヤント、例えばフツ酸系エツチヤン
トであるHF＋6NH4Fによりウエツトエツチング
して除去し、それぞれ第１および第２磁気抵抗膜
３３および３６に達する孔３４ａおよび３７ａを
形成する。このように、SiO2を選択的に腐食除
去するエツチヤントを用いて孔を形成するため、
第１および第２の磁気抵抗膜３３および３６がピ
ンホールを介して短絡するのを有効に防止するこ
とができる。
次に、第２２図に示すように、フオトレジスト
膜４１上に、2000Åの厚さのMo膜および5000Å
のAu膜を順次に蒸着して金属膜４３を形成する。
この間、基板３１は約250℃の温度に加熱する。
膜４１上に、2000Åの厚さのMo膜および5000Å
のAu膜を順次に蒸着して金属膜４３を形成する。
この間、基板３１は約250℃の温度に加熱する。
次に、ポジタイプのフオトレジスト膜を被着し
た後、第９図に示すフオトマスク１１を用いて金
属膜４３をパターニングして第２３図に示すよう
な導体パターンを形成する。
た後、第９図に示すフオトマスク１１を用いて金
属膜４３をパターニングして第２３図に示すよう
な導体パターンを形成する。
次に、第２４図に示すように、ガラスエポキシ
より構成した絶縁基板上に5μの厚さのNi層と、
その上に1μの厚さのAu層とを被着した後、所定
のパターニングを行なつたボード４４の金属部分
４５ａ上に、上述したようにして形成した磁気抵
抗素子チツプ４６および４７を載せ、シリコン基
板３１を金属部分４５ａにボンデイングする。こ
の金属部分４５ａを大面積とすることにより、こ
れを介しての放熱作用が助長される効果が得られ
る。上述したように各チツプ４６および４７はそ
れぞれ４個の磁気抵抗素子を有しており、各チツ
プの導体の端子Ｔ１〜Ｔ６およびＴ１′〜Ｔ６′は
それぞれ微細なワイヤ４８を介してボード４４の
導体部分４５ａおよび４５ｂを接続する。このワ
イヤボンデイングを良好に行なうために、導体端
子Ｔ１〜Ｔ６、Ｔ１′〜Ｔ６′の下側では、絶縁性
フオトレジスト膜４１は上述のように除去してあ
る。
より構成した絶縁基板上に5μの厚さのNi層と、
その上に1μの厚さのAu層とを被着した後、所定
のパターニングを行なつたボード４４の金属部分
４５ａ上に、上述したようにして形成した磁気抵
抗素子チツプ４６および４７を載せ、シリコン基
板３１を金属部分４５ａにボンデイングする。こ
の金属部分４５ａを大面積とすることにより、こ
れを介しての放熱作用が助長される効果が得られ
る。上述したように各チツプ４６および４７はそ
れぞれ４個の磁気抵抗素子を有しており、各チツ
プの導体の端子Ｔ１〜Ｔ６およびＴ１′〜Ｔ６′は
それぞれ微細なワイヤ４８を介してボード４４の
導体部分４５ａおよび４５ｂを接続する。このワ
イヤボンデイングを良好に行なうために、導体端
子Ｔ１〜Ｔ６、Ｔ１′〜Ｔ６′の下側では、絶縁性
フオトレジスト膜４１は上述のように除去してあ
る。
これら２個の磁気抵抗素子チツプ４６および４
７に形成された８個の磁気抵抗素子MR１〜MR
４およびMR１′〜MR４′は第２５図に示すよう
に接続されるので、ボード４４上の端子４９ａお
よび４９ｆは電源Ｅの正および負端子にそれぞれ
接続され、端子４９ｂおよび４９ｃは第１差動増
幅器DAに接続され、端子４９ｄおよび４９ｅは
第２差動増幅器DA′にそれぞれ接続される。これ
ら差動増幅器DAおよびDA′の出力は信号処理回
路SPCに供給され、ここで信号処理される。本例
の磁気検出器５０は第２６図に示すように、エン
コーダとして使用され、予じめ所定のパターンに
したがつて着磁された一対の磁化パターン５１ａ
および５１ｂと磁気抵抗素子チツプ４６および４
７が位相がずれた状態で対向するように傾斜して
配置される。したがつて信号処理回路SPCから
は、変位の方向および変位量を表わす信号が出力
されることになる。
７に形成された８個の磁気抵抗素子MR１〜MR
４およびMR１′〜MR４′は第２５図に示すよう
に接続されるので、ボード４４上の端子４９ａお
よび４９ｆは電源Ｅの正および負端子にそれぞれ
接続され、端子４９ｂおよび４９ｃは第１差動増
幅器DAに接続され、端子４９ｄおよび４９ｅは
第２差動増幅器DA′にそれぞれ接続される。これ
ら差動増幅器DAおよびDA′の出力は信号処理回
路SPCに供給され、ここで信号処理される。本例
の磁気検出器５０は第２６図に示すように、エン
コーダとして使用され、予じめ所定のパターンに
したがつて着磁された一対の磁化パターン５１ａ
および５１ｂと磁気抵抗素子チツプ４６および４
７が位相がずれた状態で対向するように傾斜して
配置される。したがつて信号処理回路SPCから
は、変位の方向および変位量を表わす信号が出力
されることになる。
本発明は上述した実施例に限定されるものでは
なく、種々の変更や変形が可能である。例えば上
述した実施例では絶縁膜としてSiO2およびTa2O5
を用いたが、その他の酸化物、フツ化物、チツ化
物を用いることができ、例えばフツ化物としては
MgF2、チツ化物としてはSi3N4を用いることが
できる。エツチングはドライエツチングやウエツ
トエツチングだけでなく、Arガス中でのスパツ
タエツチングを採用することもできる。さらに、
実施例およびにおいてはポリイミド系の絶縁
性フオトレジスト膜をそのまま残して絶縁膜とし
たが、他の絶縁膜を被着してフオトレジスト膜は
剥離してもよい。また、上述した実施例では基板
としてガラスおよびシリコンを用いたが、他の材
料を用いることもできる。上述した実施例では４
個の磁気抵抗素子を具えるチツプを形成したが、
上下方向に２個以上の磁気抵抗素子が配列される
ようなものであればどのようなものでも良い。ま
た、上述した例では磁気エンコーダを製造する例
について説明したが、磁気テープ、磁気デイスク
等の記録媒体に記録された情報の読取ヘツドを製
造することもできる。さらに上述した実施例で
は、フオトレジスト膜にフオトマスクを介して選
択的に光を照射してエツチング用のマスクを形成
したが、電子ビームの照射により選択的に硬化す
るレジスト膜を用いることもでき、このような場
合にはフオトマスクは不要となる。
なく、種々の変更や変形が可能である。例えば上
述した実施例では絶縁膜としてSiO2およびTa2O5
を用いたが、その他の酸化物、フツ化物、チツ化
物を用いることができ、例えばフツ化物としては
MgF2、チツ化物としてはSi3N4を用いることが
できる。エツチングはドライエツチングやウエツ
トエツチングだけでなく、Arガス中でのスパツ
タエツチングを採用することもできる。さらに、
実施例およびにおいてはポリイミド系の絶縁
性フオトレジスト膜をそのまま残して絶縁膜とし
たが、他の絶縁膜を被着してフオトレジスト膜は
剥離してもよい。また、上述した実施例では基板
としてガラスおよびシリコンを用いたが、他の材
料を用いることもできる。上述した実施例では４
個の磁気抵抗素子を具えるチツプを形成したが、
上下方向に２個以上の磁気抵抗素子が配列される
ようなものであればどのようなものでも良い。ま
た、上述した例では磁気エンコーダを製造する例
について説明したが、磁気テープ、磁気デイスク
等の記録媒体に記録された情報の読取ヘツドを製
造することもできる。さらに上述した実施例で
は、フオトレジスト膜にフオトマスクを介して選
択的に光を照射してエツチング用のマスクを形成
したが、電子ビームの照射により選択的に硬化す
るレジスト膜を用いることもでき、このような場
合にはフオトマスクは不要となる。
上述したように本発明の製造方法によれば、上
下に積重ねられた磁気抵抗素子のパターニングを
一回のエツチング処理によつて行なうため両素子
の寸法、形状は精密に一致し、磁気特性の等しい
ものが得られ、検出精度が向上する利点があると
共に製造工程が少なくなる利点もある。また、金
属膜を被着する以前に絶縁膜によつてスルーホー
ルの側壁を被覆するので短絡を有効に防止するこ
とができる。この場合、絶縁膜として絶縁性のレ
ジスト膜を用いると工程はさらに少なくなる効果
がある。さらに実施例およびのように、異種
の絶縁膜を用いて選択エツチングを行なうことに
より、ピンホールを介しての短絡を有効に防止す
ることができる。さらに、実施例では基板とし
てシリコンを用いるので放熱特性が良好となり、
より大きな電流を磁気抵抗素子に流すことができ
るので、Ｓ／Ｎの高い検出出力が得られる効果も
ある。このシリコン基板は半導体製造分野におい
て広く使用されているので、容易に良質のものを
入手できる利点もある。さらにこの実施例では
各磁気抵抗素子は同じ材質の絶縁膜で挾まれた構
造となるので、磁気的特性が揃うことになり、一
層正確な検出が可能となる利点もある。
下に積重ねられた磁気抵抗素子のパターニングを
一回のエツチング処理によつて行なうため両素子
の寸法、形状は精密に一致し、磁気特性の等しい
ものが得られ、検出精度が向上する利点があると
共に製造工程が少なくなる利点もある。また、金
属膜を被着する以前に絶縁膜によつてスルーホー
ルの側壁を被覆するので短絡を有効に防止するこ
とができる。この場合、絶縁膜として絶縁性のレ
ジスト膜を用いると工程はさらに少なくなる効果
がある。さらに実施例およびのように、異種
の絶縁膜を用いて選択エツチングを行なうことに
より、ピンホールを介しての短絡を有効に防止す
ることができる。さらに、実施例では基板とし
てシリコンを用いるので放熱特性が良好となり、
より大きな電流を磁気抵抗素子に流すことができ
るので、Ｓ／Ｎの高い検出出力が得られる効果も
ある。このシリコン基板は半導体製造分野におい
て広く使用されているので、容易に良質のものを
入手できる利点もある。さらにこの実施例では
各磁気抵抗素子は同じ材質の絶縁膜で挾まれた構
造となるので、磁気的特性が揃うことになり、一
層正確な検出が可能となる利点もある。
第１図ＡおよびＢは本発明の方法により製造し
た磁気検出器の一例の構成を線図的に示す平面図
および斜視図、第２図は同じくその接続を示す回
路図、第３図〜第１０図は本発明の製造方法の実
施例における順次の製造工程およびフオトマス
クを示す図、第１１図〜第１４図Ａ〜Ｄは同じく
実施例における順次の製造工程を示す図、第１
５図〜第２３図は同じく実施例における順次の
製造工程およびフオトマスクを示す図、第２４図
は本発明の製造方法により造つた磁気抵抗素子チ
ツプを装着したエンコーダを示す図、第２５図は
同じくその回路図、第２６図は同じくその使用態
様を示す図である。 Ｓ……基板、MR１〜MR４……磁気抵抗素
子、INS……絶縁膜、Ｃ１〜Ｃ８……接点、Ｌ１
〜Ｌ６……導体、１，２１，３１……基板、２，
４，２２，２４，３３，３６……磁気抵抗膜、
３，２３，２５，３２，３４，３５，３７……絶
縁膜、５，７，９，２６，２７，２８，２９，３
８，４１……フオトレジスト膜、１０，３０，４
２……金属膜、６，１１，３９，４２……フオト
マスク。
た磁気検出器の一例の構成を線図的に示す平面図
および斜視図、第２図は同じくその接続を示す回
路図、第３図〜第１０図は本発明の製造方法の実
施例における順次の製造工程およびフオトマス
クを示す図、第１１図〜第１４図Ａ〜Ｄは同じく
実施例における順次の製造工程を示す図、第１
５図〜第２３図は同じく実施例における順次の
製造工程およびフオトマスクを示す図、第２４図
は本発明の製造方法により造つた磁気抵抗素子チ
ツプを装着したエンコーダを示す図、第２５図は
同じくその回路図、第２６図は同じくその使用態
様を示す図である。 Ｓ……基板、MR１〜MR４……磁気抵抗素
子、INS……絶縁膜、Ｃ１〜Ｃ８……接点、Ｌ１
〜Ｌ６……導体、１，２１，３１……基板、２，
４，２２，２４，３３，３６……磁気抵抗膜、
３，２３，２５，３２，３４，３５，３７……絶
縁膜、５，７，９，２６，２７，２８，２９，３
８，４１……フオトレジスト膜、１０，３０，４
２……金属膜、６，１１，３９，４２……フオト
マスク。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上に少なくとも第１の磁気抵抗膜、第１
絶縁膜および第２の磁気抵抗膜を被着した後、レ
ジスト膜を被着し、所望のパターンに従つて前記
レジスト膜を選択的に除去した後、前記第１磁気
抵抗膜、第１絶縁膜および第２磁気抵抗膜に対し
て同時にエツチング処理を施して上下に積層され
た第１および第２の磁気抵抗素子を形成し、前記
第２磁気抵抗膜および第１絶縁膜にスルーホール
を形成した後、別の絶縁膜を被着し、この絶縁膜
の、前記スルーホールの底部に孔をあけた後、金
属膜を被着し、この金属膜を所望のパターンにし
たがつてパターニングすることによつて第１磁気
抵抗素子に対する接点を形成することを特徴とす
る磁気抵抗素子を具える磁気検出器の製造方法。 ２ 前記スルーホールを形成した後に被着する別
の絶縁膜を絶縁性レジストを以つて形成すること
を特徴とする特許請求の範囲１記載の製造方法。 ３ 前記基板上に、第１磁気抵抗膜、第１絶縁
膜、第２磁気抵抗膜および第１絶縁膜とは異なる
材料より成る第２絶縁膜を被着した後、同時にエ
ツチング処理を施して上下に積層された第１およ
び第２の磁気抵抗素子を形成し、前記第１の絶縁
膜は侵さず第２の絶縁膜を選択的に侵すエツチヤ
ントを用いて第２絶縁膜にスルーホールをあけて
第２の磁気抵抗素子に対する接点を形成すること
を特徴とする特許請求の範囲１および２のいずか
に記載の製造方法。 ４ 基板上に第１絶縁膜、第１磁気抵抗膜、第２
絶縁膜、第２絶縁膜とは異なる材料より成る第３
絶縁膜、第２磁気抵抗膜および第４絶縁膜を順次
に被着した後レジスト膜を被着し、所望のパター
ンに従つて前記レジスト膜を選択的に除去した
後、前記６つの膜に対して同時にエツチング処理
を施して上下に積層された第１および第２の磁気
抵抗素子を形成し、第１磁気抵抗素子に対する接
点を形成すべき位置において、前記第２の絶縁膜
は侵さず、第３および第４の絶縁膜を選択的に侵
すエツチヤントを用い前記第４絶縁膜、第２磁気
抵抗膜および第３絶縁膜を選択的に除去してスル
ーホールを形成し、次に第５の絶縁膜を被着した
後、前記スルーホールの底部および第２磁気抵抗
素子に対する接点を形成すべき位置において前記
第５の絶縁膜に孔をあけ、これらの孔を介して前
記第２絶縁膜および第４絶縁膜にスルーホールを
形成して前記第１および第２の磁気抵抗膜の一部
を露出させ、次に金属膜を被着した後、この金属
膜を所望のパターンにしたがつてパターニングす
ることを特徴とする磁気抵抗素子を具える磁気検
出器の製造方法。 ５ 前記第５の絶縁膜を絶縁性レジストを以つて
形成することを特徴とする特許請求の範囲４記載
の製造方法。 ６ 前記第１および第３の絶縁膜と、第２および
第４の絶縁膜とを異なる材料で形成し、前記第２
および第４絶縁膜にスルーホールを形成する際
に、第１および第３の絶縁膜は侵さず、第２およ
び第４の絶縁膜を選択的に侵すエツチヤントを用
いることを特徴とする特許請求の範囲４記載の製
造方法。 ７ 前記基板としてシリコン基板を用いることを
特徴とする特許請求の範囲４〜６のいずれかに記
載の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57209583A JPS5999370A (ja) | 1982-11-30 | 1982-11-30 | 磁気抵抗素子を具える磁気検出器の製造方法 |
| DE19833343035 DE3343035A1 (de) | 1982-11-30 | 1983-11-28 | Verfahren zur herstellung eines magnet(mess)fuehlers mit mindestens zwei elementen mit magnetischer widerstandsaenderung |
| US06/556,290 US4470873A (en) | 1982-11-30 | 1983-11-30 | Method of manufacturing magnetic sensor comprising at least two magnetoresistive elements |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57209583A JPS5999370A (ja) | 1982-11-30 | 1982-11-30 | 磁気抵抗素子を具える磁気検出器の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5999370A JPS5999370A (ja) | 1984-06-08 |
| JPH0130408B2 true JPH0130408B2 (ja) | 1989-06-20 |
Family
ID=16575231
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57209583A Granted JPS5999370A (ja) | 1982-11-30 | 1982-11-30 | 磁気抵抗素子を具える磁気検出器の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4470873A (ja) |
| JP (1) | JPS5999370A (ja) |
| DE (1) | DE3343035A1 (ja) |
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-
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- 1982-11-30 JP JP57209583A patent/JPS5999370A/ja active Granted
-
1983
- 1983-11-28 DE DE19833343035 patent/DE3343035A1/de active Granted
- 1983-11-30 US US06/556,290 patent/US4470873A/en not_active Expired - Lifetime
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