JPS62273616A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
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- JPS62273616A JPS62273616A JP11619086A JP11619086A JPS62273616A JP S62273616 A JPS62273616 A JP S62273616A JP 11619086 A JP11619086 A JP 11619086A JP 11619086 A JP11619086 A JP 11619086A JP S62273616 A JPS62273616 A JP S62273616A
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- G11—INFORMATION STORAGE
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- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３ 発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
この発明は、記録媒体に電磁気的に情報を書き込み、ま
たはこれを読み出す薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する
ものである。
たはこれを読み出す薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する
ものである。
第一図は例えば特開昭！ｔ−’Ｉ／’４０９号公報また
は特開昭５ｇ−９ｔｔ２コ号公報に示された従来の薄膜
磁気ヘッドの要部断面図であり１図において（ハは基板
例えばＡＪ２０Ｊ−ＴｉＣ系の基板、Ｃコ）はこの基板
Ｃハの上に設けられた下部磁極。（３）はこの下部磁極
（２）の上に設けられた。ギャップ材としての無機絶縁
膜例えばＡＬａｏｓ膜、（す）はこの無機絶縁膜（，７
１および下部磁極Ｃコ１の上に設けられた、有機絶縁膜
からなる第１絶縁層、（５１はこの第１絶縁層（ｇｌの
上に所定間隔で配置されたコイル例えば銅コイル、（６
）は第１絶縁層（４（１の上にコイル（Ｓ）を扱って設
けられた。有機絶縁膜からなる第２絶縁層、（７１は上
述した下部磁極（λ１、無機絶縁膜（３）、第１Ｐ緑層
（ダ）および第２絶縁層（６）を覆う上部磁極、そして
（ｆｆｌはこの上部磁極（り）の上に設けられた保護膜
例えばＡｊ２０Ｊ保！！１１１である。
は特開昭５ｇ−９ｔｔ２コ号公報に示された従来の薄膜
磁気ヘッドの要部断面図であり１図において（ハは基板
例えばＡＪ２０Ｊ−ＴｉＣ系の基板、Ｃコ）はこの基板
Ｃハの上に設けられた下部磁極。（３）はこの下部磁極
（２）の上に設けられた。ギャップ材としての無機絶縁
膜例えばＡＬａｏｓ膜、（す）はこの無機絶縁膜（，７
１および下部磁極Ｃコ１の上に設けられた、有機絶縁膜
からなる第１絶縁層、（５１はこの第１絶縁層（ｇｌの
上に所定間隔で配置されたコイル例えば銅コイル、（６
）は第１絶縁層（４（１の上にコイル（Ｓ）を扱って設
けられた。有機絶縁膜からなる第２絶縁層、（７１は上
述した下部磁極（λ１、無機絶縁膜（３）、第１Ｐ緑層
（ダ）および第２絶縁層（６）を覆う上部磁極、そして
（ｆｆｌはこの上部磁極（り）の上に設けられた保護膜
例えばＡｊ２０Ｊ保！！１１１である。
第３図は第２図に示された薄膜磁気ヘッドの。
保護膜Ｃざ）が形成される前かつヘッド先端部が研磨さ
れる前の磁極先端部近傍の拡大平面図であり。
れる前の磁極先端部近傍の拡大平面図であり。
図においてｒ＠ａ）は磁極先端部近傍で突出する第１絶
縁層（４Ｉ）の突出部である、なお、この図のＡ −に
線の部分は、第一図のヘッド先端部に対応している。
縁層（４Ｉ）の突出部である、なお、この図のＡ −に
線の部分は、第一図のヘッド先端部に対応している。
第参図は第３図のＡ−に線に沿った断面図であり、無機
絶縁膜（Ｊｌは下部磁極（２）を覆い、かつ基板（１）
の上に設けられている。
絶縁膜（Ｊｌは下部磁極（２）を覆い、かつ基板（１）
の上に設けられている。
従来の薄膜磁気ヘッドは上記のように構成され。
この薄膜磁気ヘッドは次のようにして製造される。
まず、基板表面にＡＪａＯ，ｙスパッタ膜が形成されて
鏡面仕上げされたＡｊａＯ，ｙ −ＴｊＣ系の基板（／
ｌの上に。
鏡面仕上げされたＡｊａＯ，ｙ −ＴｊＣ系の基板（／
ｌの上に。
めっき用電極膜としてのパーマロイ膜をスパッタ法など
によって形成した後、写真製版によって磁極寸法を規定
するレジストフレームを形成する。
によって形成した後、写真製版によって磁極寸法を規定
するレジストフレームを形成する。
次に、めっき法によってパーマロイ膜を数μ轟形成する
、その後、不要の下部磁極を逆スパツタリングと化学エ
ツチングで除去して下部磁極（コ）を形成する。下部磁
極（コ）を形成した後、この下部磁極（コ）の上にギャ
ップ材としての無機絶縁膜（３１であるｋＪ、ｘｏｓ膜
をスパッタ法で形成し、下部磁極（２１および上部磁極
（７）の接続部のＡＬＪｏＪ膜を化学エツチングにより
除去する、さらに、無機絶縁膜【３）の上に感光性ポジ
レジストを写真製版によってパターニングした後、これ
を加熱・硬化して有機絶縁膜である第１絶縁層（り）を
形成する、あるいはポリイミドなどの有機絶縁膜を感光
性レジストでエツチングして第１絶縁層（１１とする、
この第１絶縁層（り）の上に、下部磁極Ｃコ）を形成し
たときと同様の方法で銅コイル（ｊｌを形成する。さら
に、第２ｅｉ層（６）。
、その後、不要の下部磁極を逆スパツタリングと化学エ
ツチングで除去して下部磁極（コ）を形成する。下部磁
極（コ）を形成した後、この下部磁極（コ）の上にギャ
ップ材としての無機絶縁膜（３１であるｋＪ、ｘｏｓ膜
をスパッタ法で形成し、下部磁極（２１および上部磁極
（７）の接続部のＡＬＪｏＪ膜を化学エツチングにより
除去する、さらに、無機絶縁膜【３）の上に感光性ポジ
レジストを写真製版によってパターニングした後、これ
を加熱・硬化して有機絶縁膜である第１絶縁層（り）を
形成する、あるいはポリイミドなどの有機絶縁膜を感光
性レジストでエツチングして第１絶縁層（１１とする、
この第１絶縁層（り）の上に、下部磁極Ｃコ）を形成し
たときと同様の方法で銅コイル（ｊｌを形成する。さら
に、第２ｅｉ層（６）。
上部磁極（７１を順次形成した後、 ＡｊＪＯｊ保護膜
（ｆｆｌを形成する、その後、スライダ加工によってヘ
ッド先端部が高精閾に研磨された薄膜磁気ヘッドに仕上
げる。
（ｆｆｌを形成する、その後、スライダ加工によってヘ
ッド先端部が高精閾に研磨された薄膜磁気ヘッドに仕上
げる。
上記のような従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、第
１絶縁層（ダ１を形成する場合、下部磁極（コ）による
段差のために下部磁極（コ）上とその周辺部に膜厚差が
生じるにの結果、第１絶縁層（４１１を無機絶縁膜［Ｊ
ｌ上に形成したとしても、磁極の膜厚や第１絶縁膚（ダ
１の膜厚によって異なるが、第３図に示すように、磁極
先端近傍では第１Ｐ縁層（ＩＩｌが約／μｍ程度突出し
て突出部（Ｕａ）を形成してしまう。
１絶縁層（ダ１を形成する場合、下部磁極（コ）による
段差のために下部磁極（コ）上とその周辺部に膜厚差が
生じるにの結果、第１絶縁層（４１１を無機絶縁膜［Ｊ
ｌ上に形成したとしても、磁極の膜厚や第１絶縁膚（ダ
１の膜厚によって異なるが、第３図に示すように、磁極
先端近傍では第１Ｐ縁層（ＩＩｌが約／μｍ程度突出し
て突出部（Ｕａ）を形成してしまう。
薄膜磁気ヘッドでは、優れたヘッド特性を得るために、
ヘッド浮動面を下部磁極（２）上の第１絶縁層（り１の
先端位置にできるだけ近くなるように加工しなければな
らない、、また、無機絶縁Ｍ１（３１による第１絶縁層
（４Ｉ）の後退は約０．λμ瓜程度しか得られないので
、第ψ図に示すように、下部磁極（２）の周辺部に突出
した第１ｅ縁層（ダ）の突出部（ｔＨ１’）がヘッド浮
動面ｖｃｊＩ出するという問題点があった。
ヘッド浮動面を下部磁極（２）上の第１絶縁層（り１の
先端位置にできるだけ近くなるように加工しなければな
らない、、また、無機絶縁Ｍ１（３１による第１絶縁層
（４Ｉ）の後退は約０．λμ瓜程度しか得られないので
、第ψ図に示すように、下部磁極（２）の周辺部に突出
した第１ｅ縁層（ダ）の突出部（ｔＨ１’）がヘッド浮
動面ｖｃｊＩ出するという問題点があった。
この発明は、刀１かる問題点を解決するためになされた
もので、基板から突出した有機絶縁膜を除去するととも
に、ヘッド浮動面に有機絶縁膜が露出しない薄膜磁気ヘ
ッドを製造する方法を得ることを目的とする。
もので、基板から突出した有機絶縁膜を除去するととも
に、ヘッド浮動面に有機絶縁膜が露出しない薄膜磁気ヘ
ッドを製造する方法を得ることを目的とする。
この発明に係る簿膜磁気ヘッドの製造方法は。
基板における磁極先端部の突出した有機絶縁膜を除去し
、ヘッド浮動面に有機絶縁膜が露出しないようにしたも
のである。
、ヘッド浮動面に有機絶縁膜が露出しないようにしたも
のである。
〔作 用〕
この発明においては、磁極先端周辺部の突出した有機絶
縁膜が除去されるので、磁極周辺部は後工程で形成され
る保護膜によって被覆され、有機絶縁膜が直接外気にさ
らされることを防止することができる。
縁膜が除去されるので、磁極周辺部は後工程で形成され
る保護膜によって被覆され、有機絶縁膜が直接外気にさ
らされることを防止することができる。
第１図はこの発明を実施した簿膜磁気にラドの。
保護膜（ｆｆｌが形成される前の磁極先端部を示す拡大
図であり、 （２＋ 、 （＜＜１ 、 （６１、（７
１は上記従来におけるものと全く同一である。（９１は
上記した突出部（％ａ）をエツチングするときに使用す
るレジストパターンであり、 Ｂ−Ｂ’線はヘッド浮動
面の加工位置を示す。
図であり、 （２＋ 、 （＜＜１ 、 （６１、（７
１は上記従来におけるものと全く同一である。（９１は
上記した突出部（％ａ）をエツチングするときに使用す
るレジストパターンであり、 Ｂ−Ｂ’線はヘッド浮動
面の加工位置を示す。
このような薄膜磁気ヘッドにおいては、上記の従来技術
と同様に、基板（ハに下部磁極（コ１．無機絶縁膜（３
１，第１絶縁層（ダ１．コイル（Ｓ）、第２絶縁層（６
）。
と同様に、基板（ハに下部磁極（コ１．無機絶縁膜（３
１，第１絶縁層（ダ１．コイル（Ｓ）、第２絶縁層（６
）。
および上部磁極（ワ）が形成される６次に、耐ドライエ
ツチング用マスクとしてのＣｕなどを５００〜１０００
にの厚さまでスパッタリングなどによって形成する、次
に、感光性レジストを塗布し、写真製版によって磁極先
端近傍を除き、前記レジストで保護されたレジストパタ
ーン（デ１を形成する。その後、このレジストパターン
（？１をエツチングマスクとして用い、ＮＨ＊ＯＨ−（
ＨＨ亭）１Ｅ３ｓＯｚ溶液によって前記ＣＵを磁極材料
であるパーマロイとともに選択的にエツチング除去する
。Ｃｕを除去した後。
ツチング用マスクとしてのＣｕなどを５００〜１０００
にの厚さまでスパッタリングなどによって形成する、次
に、感光性レジストを塗布し、写真製版によって磁極先
端近傍を除き、前記レジストで保護されたレジストパタ
ーン（デ１を形成する。その後、このレジストパターン
（？１をエツチングマスクとして用い、ＮＨ＊ＯＨ−（
ＨＨ亭）１Ｅ３ｓＯｚ溶液によって前記ＣＵを磁極材料
であるパーマロイとともに選択的にエツチング除去する
。Ｃｕを除去した後。
レジスト膜を剥離液によって除去する６さらに。
０コガスを使用し、例えばガス圧０．０ ／ｓａｇ Ｈ
Ｐ 、 ＲＦパワーｓｏｏｗで反応性イオンエツチング
し１選択的にエツチングマスクの外の磁極周辺に突出し
た第１絶縁層（４ＣＩを除去する。
Ｐ 、 ＲＦパワーｓｏｏｗで反応性イオンエツチング
し１選択的にエツチングマスクの外の磁極周辺に突出し
た第１絶縁層（４ＣＩを除去する。
次に、マスクとしてのＣｕを前記のエツチング溶液であ
るＮＨ４１０Ｈ−（ＮＨａ’）コ５ｓＯｔ溶液によって
除去する、このプロセスでは選択的に第１絶縁層（ｇ＋
が除去されるため、ヘッド特性と密接に関連した磁極膜
厚の変化は生じない、 次に、従来の方法と同様に、 １Ｊｘｏ３保握膜（ｆｌ
を形成し、スライダ加工によって、薄膜磁気ヘッドに仕
上げる。
るＮＨ４１０Ｈ−（ＮＨａ’）コ５ｓＯｔ溶液によって
除去する、このプロセスでは選択的に第１絶縁層（ｇ＋
が除去されるため、ヘッド特性と密接に関連した磁極膜
厚の変化は生じない、 次に、従来の方法と同様に、 １Ｊｘｏ３保握膜（ｆｌ
を形成し、スライダ加工によって、薄膜磁気ヘッドに仕
上げる。
なお、上記実施例では、磁極先端近傍の第１絶縁層（ｐ
）だけをエツチング除去したが、絶縁層の周辺全体に対
してエツチングしてもよい。また、上記実施例では、第
１絶縁層（４Ｉ）に限ってエツチングしたが、エツチン
グによってコイル＜５）が露出しない範囲においては、
第２絶縁層ｆ＆ｌのエツチングが伴なっても同様の効果
が得られる。
）だけをエツチング除去したが、絶縁層の周辺全体に対
してエツチングしてもよい。また、上記実施例では、第
１絶縁層（４Ｉ）に限ってエツチングしたが、エツチン
グによってコイル＜５）が露出しない範囲においては、
第２絶縁層ｆ＆ｌのエツチングが伴なっても同様の効果
が得られる。
この発明は以上説明したとおり、少なくとも磁極と有機
絶縁膜とが形成された薄膜磁気ヘッドの磁極先端部周辺
の有機絶縁膜が、ヘッド浮動面位置より後退するまでこ
の有機絶縁膜を除去したので、その後のヘッド浮動面加
工においても有機絶縁膜が磁極周辺に露出することばな
くなり、磁極周辺は保護膜によって被覆される。その結
果、高温度、高湿度の薄膜磁気ヘッド使用環境において
も、ヘッド先端に露出した有機絶縁膜からの水分の取り
込みてよる有機絶縁膜の膨潤などに起因するコイルの断
線、ギャップ部あるいはその周辺でのヘッド浮動面のク
ラックの発生などに伴なう信頼性の低下という問題はな
くなり、信頼性の高い薄膜磁気ヘッドを得ることができ
る効果がある。
絶縁膜とが形成された薄膜磁気ヘッドの磁極先端部周辺
の有機絶縁膜が、ヘッド浮動面位置より後退するまでこ
の有機絶縁膜を除去したので、その後のヘッド浮動面加
工においても有機絶縁膜が磁極周辺に露出することばな
くなり、磁極周辺は保護膜によって被覆される。その結
果、高温度、高湿度の薄膜磁気ヘッド使用環境において
も、ヘッド先端に露出した有機絶縁膜からの水分の取り
込みてよる有機絶縁膜の膨潤などに起因するコイルの断
線、ギャップ部あるいはその周辺でのヘッド浮動面のク
ラックの発生などに伴なう信頼性の低下という問題はな
くなり、信頼性の高い薄膜磁気ヘッドを得ることができ
る効果がある。
第１図はこの発明を実施した薄膜磁気ヘッドの磁極先端
部を示す拡大図、第２図は従来の薄膜磁気ヘッドの要部
断面図、第３図は第２図に示された薄膜磁気ヘッドの磁
極先端近傍の拡大図、第弘図は第３図のＡ−ｐｊ線に沿
った断面図である、図において、（ハは基板、（コ１は
下部磁極、（３１は無機絶縁膜、（ダ）は第１絶縁層、
Ｃ６１は第λ絶縁層、１社）は第１絶縁層（ダ１の突出
部、 （ｊｌはコイル、（り）は上部磁極、（！ｆ）は
ｋｉｔ ａ ＯＪ保護膜、Ｃ９１はレジストパターンで
ある、 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分第１図 ｐｆ）２図
部を示す拡大図、第２図は従来の薄膜磁気ヘッドの要部
断面図、第３図は第２図に示された薄膜磁気ヘッドの磁
極先端近傍の拡大図、第弘図は第３図のＡ−ｐｊ線に沿
った断面図である、図において、（ハは基板、（コ１は
下部磁極、（３１は無機絶縁膜、（ダ）は第１絶縁層、
Ｃ６１は第λ絶縁層、１社）は第１絶縁層（ダ１の突出
部、 （ｊｌはコイル、（り）は上部磁極、（！ｆ）は
ｋｉｔ ａ ＯＪ保護膜、Ｃ９１はレジストパターンで
ある、 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分第１図 ｐｆ）２図
Claims (4)
- （１）少なくとも磁極と有機絶縁膜とが形成された薄膜
磁気ヘッドの磁極先端部周辺の有機絶縁膜がヘッド浮動
面位置より後退するまで、この有機絶縁膜を除去したこ
とを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - （２）有機絶縁膜は反応性イオンエッチングによつて除
去されたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - （３）磁極は、上部磁極および下部磁極の少なくとも一
方の磁極であることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - （４）有機絶縁膜は、第１絶縁層および第２絶縁層の少
なくとも一方の絶縁層であることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11619086A JPS62273616A (ja) | 1986-05-22 | 1986-05-22 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11619086A JPS62273616A (ja) | 1986-05-22 | 1986-05-22 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62273616A true JPS62273616A (ja) | 1987-11-27 |
Family
ID=14681058
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11619086A Pending JPS62273616A (ja) | 1986-05-22 | 1986-05-22 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62273616A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5880915A (en) * | 1996-10-21 | 1999-03-09 | International Business Machines Corporation | Crack resistant magnetic write head |
-
1986
- 1986-05-22 JP JP11619086A patent/JPS62273616A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5880915A (en) * | 1996-10-21 | 1999-03-09 | International Business Machines Corporation | Crack resistant magnetic write head |
| US6221559B1 (en) | 1996-10-21 | 2001-04-24 | International Business Machines Corporation | Method of making crack resistant magnetic write head |
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