JPH04129016A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
- Publication number
- JPH04129016A JPH04129016A JP24748990A JP24748990A JPH04129016A JP H04129016 A JPH04129016 A JP H04129016A JP 24748990 A JP24748990 A JP 24748990A JP 24748990 A JP24748990 A JP 24748990A JP H04129016 A JPH04129016 A JP H04129016A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- photoresist
- insulating layer
- organic resin
- magnetic head
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 22
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 58
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 27
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 23
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims abstract description 14
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims abstract description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 62
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 abstract description 21
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 12
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 12
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 abstract description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 abstract description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P ceric ammonium nitrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[Ce+4].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気ディスク装置、磁気テープ装置等の磁気
記録装置に用いられる薄膜磁気ヘッドに係り、特に、ホ
トレジスト絶縁層とギャップ材間の密着性を改良した薄
膜磁気ヘッドに関する。
記録装置に用いられる薄膜磁気ヘッドに係り、特に、ホ
トレジスト絶縁層とギャップ材間の密着性を改良した薄
膜磁気ヘッドに関する。
第５図は従来の薄膜磁気ヘットの断面図を示す。
ＡΩ２０３等からなる基板１上に磁気回路をなす下部磁
性体２と上部磁性体７の間に、ギャップ材３となるＡＱ
ｚＯｓ等の絶縁材、導体コイル５およびホトレジスト絶
縁層４，６をはさみ込むように形成した構造となってい
る。この種の薄膜磁気ヘッドとして、例えば、特開昭５
８−６２８１２号公報、特開昭５７−１７２５１９号公
報等が挙げられる。
性体２と上部磁性体７の間に、ギャップ材３となるＡＱ
ｚＯｓ等の絶縁材、導体コイル５およびホトレジスト絶
縁層４，６をはさみ込むように形成した構造となってい
る。この種の薄膜磁気ヘッドとして、例えば、特開昭５
８−６２８１２号公報、特開昭５７−１７２５１９号公
報等が挙げられる。
近年、高記録密度化に伴い、導体コイルの低抵抗、多巻
線化が図られている。これに伴って特開昭６２−２６４
４１３号、ＦＩＧＩＡに記載されているように、ホトレ
ジスト絶縁層の積層数も増加している。
線化が図られている。これに伴って特開昭６２−２６４
４１３号、ＦＩＧＩＡに記載されているように、ホトレ
ジスト絶縁層の積層数も増加している。
上記従来技術は、ギャップ材の無機絶縁層とその上に形
成する熱硬化したホトレジスト絶縁層間の接着力につい
ての考慮がされておらず、ホトレジスト絶縁膜および上
部磁性体等の形成時の熱履歴、トライエツチング等のプ
ロセスダメージ等の影響を受け、ギャップ材とホトレジ
スト絶縁層間がはく離し易く、はく離を生じると、使用
状態での電気特性の不良等の信頼性、及び、製造歩留り
の低下等の問題があった。
成する熱硬化したホトレジスト絶縁層間の接着力につい
ての考慮がされておらず、ホトレジスト絶縁膜および上
部磁性体等の形成時の熱履歴、トライエツチング等のプ
ロセスダメージ等の影響を受け、ギャップ材とホトレジ
スト絶縁層間がはく離し易く、はく離を生じると、使用
状態での電気特性の不良等の信頼性、及び、製造歩留り
の低下等の問題があった。
本発明の目的は、ギャップ材の無機絶縁層と熱硬化して
形成したホトレジスト絶縁層間の接着力を向上し、信頼
性の高い薄膜磁気ヘッドを提供するにある。
形成したホトレジスト絶縁層間の接着力を向上し、信頼
性の高い薄膜磁気ヘッドを提供するにある。
上記目的を達成するために、本発明はギャップ材となる
無機絶縁層と熱硬化して形成したホトレジスト絶縁層の
間に、膜厚２００Å〜２０００人の非磁性の金属層もし
くは、ホトレジスト層と異なる有機絶縁層からなる接着
層を設けた。
無機絶縁層と熱硬化して形成したホトレジスト絶縁層の
間に、膜厚２００Å〜２０００人の非磁性の金属層もし
くは、ホトレジスト層と異なる有機絶縁層からなる接着
層を設けた。
ホトレジストは、ホトリソグラフィ工程で寸法精度の高
いパターンが形成できる。また、熱硬化することにより
高い電気絶縁性が得られる。熱流動によって下部磁性体
、導体コイルによって生じた段差の解消の機能、さらに
、ホトレジストパターン端部をなだらかなテーパ形状に
形成できる機能をもっているため、薄膜磁気ヘッドの層
間絶縁膜に用いられているＣ ｒ ｔ Ｔ ｘ ｔ Ａ
Ｑ等の非磁性金属層およびポリイミド等の有機樹脂層
はＡρ２０３等の無機絶縁層および熱硬化して形成した
ホトレジスト絶縁層の両者に強い接着力をもつので、金
属層あるいは有機樹脂層をはさむことにより無機絶縁層
とホトレジスト絶縁膜の接着力が向上する。
いパターンが形成できる。また、熱硬化することにより
高い電気絶縁性が得られる。熱流動によって下部磁性体
、導体コイルによって生じた段差の解消の機能、さらに
、ホトレジストパターン端部をなだらかなテーパ形状に
形成できる機能をもっているため、薄膜磁気ヘッドの層
間絶縁膜に用いられているＣ ｒ ｔ Ｔ ｘ ｔ Ａ
Ｑ等の非磁性金属層およびポリイミド等の有機樹脂層
はＡρ２０３等の無機絶縁層および熱硬化して形成した
ホトレジスト絶縁層の両者に強い接着力をもつので、金
属層あるいは有機樹脂層をはさむことにより無機絶縁層
とホトレジスト絶縁膜の接着力が向上する。
しかし、金属層、又は、有機樹脂層からなる接着層の膜
厚が２００Å以下では、接着層の効果が小さく、接着力
の向上が得られない。また、膜厚が厚いと接着力は向上
するが、ホトレジスト絶縁膜の機能の一つのホトレジス
トパターン端部をテーパ状に形成する機能およびギャッ
プ深さの零の位置精度に影響を与えるので、接着層の膜
厚は２０００Å以下とする必要がある。
厚が２００Å以下では、接着層の効果が小さく、接着力
の向上が得られない。また、膜厚が厚いと接着力は向上
するが、ホトレジスト絶縁膜の機能の一つのホトレジス
トパターン端部をテーパ状に形成する機能およびギャッ
プ深さの零の位置精度に影響を与えるので、接着層の膜
厚は２０００Å以下とする必要がある。
以下、本発明を実施例を用いて詳細に説明する。
第２図はギャップ材の無機絶縁層とホトレジスト絶縁層
間に有機樹脂からなる接着層を形成する工程図を示す。
間に有機樹脂からなる接着層を形成する工程図を示す。
Ａ Ｑ ｘ○８とＴｉＣの混合物からなる基板１上に下
部磁性体２を形成し、その上にギャップ材３としてＡ、
Ｑ２０３をスパッタリングにより形成する（工程ａ）。
部磁性体２を形成し、その上にギャップ材３としてＡ、
Ｑ２０３をスパッタリングにより形成する（工程ａ）。
次にこの上に接着層となる有機樹脂絶縁層９をスピンナ
で塗布し、ベークすることにより形成した（工程ｂ）。
で塗布し、ベークすることにより形成した（工程ｂ）。
有機樹脂はポリイミド樹脂を用いた。次にホトレジスト
１０を塗布し、ホトリソグラフィー技術を用いて所定形
状にパターニングする（工程Ｃ）。この工程のレジスト
の現像時に有機樹脂層９もレジストパターン１０形状と
同一形状にエツチングする。次にこのホトレジストパタ
ーン１０を所定温度でベークし、熱硬化したホトレジス
ト絶縁膜４を得る。
１０を塗布し、ホトリソグラフィー技術を用いて所定形
状にパターニングする（工程Ｃ）。この工程のレジスト
の現像時に有機樹脂層９もレジストパターン１０形状と
同一形状にエツチングする。次にこのホトレジストパタ
ーン１０を所定温度でベークし、熱硬化したホトレジス
ト絶縁膜４を得る。
本実施例ではホトレジストにタレゾールノボラック樹脂
を主成分とするポジ型のホトレジストを使用した。また
、ホトレジストの熱硬化温度は２５０℃とした。本実施
例では工程Ｃのホトレジストの現像時にホトレジストの
現像液で接着層の有機樹脂をエツチングする。このため
、工程すで形成する有機樹脂層９はポジ型のホトレジス
トの現像液（アルカ１月に可溶であることが必要である
。また、溶解速度が著しく大きいと、現像時ホトレジス
トがはく離される。本実施例で使用したポリイミド樹脂
は、ベーキング温度で、ポジ型ホトレジストのアルカリ
現像液に対する溶解速度が異なる。
を主成分とするポジ型のホトレジストを使用した。また
、ホトレジストの熱硬化温度は２５０℃とした。本実施
例では工程Ｃのホトレジストの現像時にホトレジストの
現像液で接着層の有機樹脂をエツチングする。このため
、工程すで形成する有機樹脂層９はポジ型のホトレジス
トの現像液（アルカ１月に可溶であることが必要である
。また、溶解速度が著しく大きいと、現像時ホトレジス
トがはく離される。本実施例で使用したポリイミド樹脂
は、ベーキング温度で、ポジ型ホトレジストのアルカリ
現像液に対する溶解速度が異なる。
そこで本実施例では上記の点からポリイミド樹脂の塗布
後のベーキング温度を１３０〜１８０℃とした。第３図
は接着層の厚さとＡＱｚＯ８とホトレジスト絶縁膜の接
着強度及び、熱硬化したホトレジスト絶縁膜パターン端
部のテーパ角度との関係を示す。接着層の厚さが薄いと
接着力が低く、接着層の効果が小さい。また、接着層の
厚さが厚いとホトレジスト絶縁膜パターン端部のテーパ
角に影響と及ぼす。このため、接着層の厚さは２００Å
〜２０００人が適正である。
後のベーキング温度を１３０〜１８０℃とした。第３図
は接着層の厚さとＡＱｚＯ８とホトレジスト絶縁膜の接
着強度及び、熱硬化したホトレジスト絶縁膜パターン端
部のテーパ角度との関係を示す。接着層の厚さが薄いと
接着力が低く、接着層の効果が小さい。また、接着層の
厚さが厚いとホトレジスト絶縁膜パターン端部のテーパ
角に影響と及ぼす。このため、接着層の厚さは２００Å
〜２０００人が適正である。
本実施例では接着層の厚さは１３００人とした。
第１図は、本実施例で作製した薄膜磁気ヘッドの断面図
である。ホトレジスト絶縁層４とギャップ材３との間の
みポリイミド樹脂からなる接着層９を形成した。
である。ホトレジスト絶縁層４とギャップ材３との間の
みポリイミド樹脂からなる接着層９を形成した。
第４図は接着層を金属層で形成する工程図を示す。セラ
ミックス基板１上に下部磁性体２を形成し、その上にギ
ャップ材３のＡＱｘ○３を形成する（工程ａ）。次にこ
の上に非磁性の金属で接着層９を形成する（工程ｂ）。
ミックス基板１上に下部磁性体２を形成し、その上にギ
ャップ材３のＡＱｘ○３を形成する（工程ａ）。次にこ
の上に非磁性の金属で接着層９を形成する（工程ｂ）。
接着層９上にホトレジストを塗布、露光、現像した後、
熱硬化しホトレジスト絶縁膜４を形成する（工程Ｃ）。
熱硬化しホトレジスト絶縁膜４を形成する（工程Ｃ）。
次いで。
このホトレジスト絶縁膜４をマスクにしてホトレジスト
絶縁膜下部以外の金属接着層９を除去する。
絶縁膜下部以外の金属接着層９を除去する。
次にこの絶縁膜上にコイル、絶縁膜を積層した後、上部
磁性膜、及び、保護膜を形成し、薄膜ヘッド素子を製作
した。本実施例では、金属層はＣｒを使用した。また、
この金属層の膜厚も、薄いと接着材としての効果に乏し
く、厚いと、磁気ギャップ深さの精度に悪影響を及ぼす
ため２００Å〜２０００人の範囲にする必要がある。こ
のため本実施例では１３００人とした。また、絶縁層は
クレゾールノボラック樹脂を主成分とするポジ型のホト
レジストを使用し所定形状に加工後２５０℃でベークし
た。工程ｄでの金属のＣｒの除去は、硝酸第二セリウム
アンモニウム水溶液を使用し。
磁性膜、及び、保護膜を形成し、薄膜ヘッド素子を製作
した。本実施例では、金属層はＣｒを使用した。また、
この金属層の膜厚も、薄いと接着材としての効果に乏し
く、厚いと、磁気ギャップ深さの精度に悪影響を及ぼす
ため２００Å〜２０００人の範囲にする必要がある。こ
のため本実施例では１３００人とした。また、絶縁層は
クレゾールノボラック樹脂を主成分とするポジ型のホト
レジストを使用し所定形状に加工後２５０℃でベークし
た。工程ｄでの金属のＣｒの除去は、硝酸第二セリウム
アンモニウム水溶液を使用し。
ウェットエツチング除去した。本実施例では一層目のホ
トレジスト絶縁膜を形成後、金属層のホトレジスト絶縁
膜の下部以外を除去したが、製造工程によって絶縁層の
最終層を形成後に除去してもよい。また金属層不要部分
の除去はプラズマエツチング等のドライ法で除去しても
良い。
トレジスト絶縁膜を形成後、金属層のホトレジスト絶縁
膜の下部以外を除去したが、製造工程によって絶縁層の
最終層を形成後に除去してもよい。また金属層不要部分
の除去はプラズマエツチング等のドライ法で除去しても
良い。
本発明によれば、ホトレジスト絶縁膜のパターン端部の
テーパ形状加工機能、及び、ホトレジスト絶縁膜テーパ
部の先端部で決定する磁気ギャップ深さ零の位置の位置
精度に影響を及ぼすことなく、ギャップ材の無機絶縁層
と熱硬化したホトレジスト絶縁層間の接着力を向上する
ことができるので、薄膜磁気ヘッド素子製作時の熱履歴
、プロセスダメージ等によって、ギャップ材とホトレジ
スト絶縁層間のはく離を生じないので、記録再生等の電
気特性、並びに、信頼性が向上する。さらに、はく離に
よる素子不良がなくなるので、製造の歩留りが向上する
。
テーパ形状加工機能、及び、ホトレジスト絶縁膜テーパ
部の先端部で決定する磁気ギャップ深さ零の位置の位置
精度に影響を及ぼすことなく、ギャップ材の無機絶縁層
と熱硬化したホトレジスト絶縁層間の接着力を向上する
ことができるので、薄膜磁気ヘッド素子製作時の熱履歴
、プロセスダメージ等によって、ギャップ材とホトレジ
スト絶縁層間のはく離を生じないので、記録再生等の電
気特性、並びに、信頼性が向上する。さらに、はく離に
よる素子不良がなくなるので、製造の歩留りが向上する
。
第１図は本発明の一実施例の薄膜磁気ヘッドの断面図、
第２図は本発明一実施例の有機樹脂接着層を形成する工
程図、第３図は接着層の厚さと接着強度及び絶縁膜端部
のテーパ角との関係の説明図、第４図は本発明の一実施
例の金属層を形成する工程図、第５図は従来の薄膜磁気
ヘッドの断面図である。 １・・・基板、２・・・下部磁性体、３・・・ギャップ
材、４・・・ホトレジスト絶縁層、５・・・導体コイル
、６・・・ホトレジスト絶縁層、７・・・上部磁性体、
８・・・保護膜、９・・・接着層、１０・・・ホトレジ
ストパターン、 ／１）（。
第２図は本発明一実施例の有機樹脂接着層を形成する工
程図、第３図は接着層の厚さと接着強度及び絶縁膜端部
のテーパ角との関係の説明図、第４図は本発明の一実施
例の金属層を形成する工程図、第５図は従来の薄膜磁気
ヘッドの断面図である。 １・・・基板、２・・・下部磁性体、３・・・ギャップ
材、４・・・ホトレジスト絶縁層、５・・・導体コイル
、６・・・ホトレジスト絶縁層、７・・・上部磁性体、
８・・・保護膜、９・・・接着層、１０・・・ホトレジ
ストパターン、 ／１）（。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、磁気回路をなす下部磁性体と上部磁性体との間にコ
イル、磁気ギャップ材となる無機絶縁層および熱硬化し
たホトレジスト層が挟み込まれた薄膜磁気ヘッドにおい
て、 前記無機絶縁層と前記ホトレジスト層の間に、非磁性の
金属層もしくは、熱硬化した前記ホトレジスト層と材質
の異なる有機樹脂層を設けたことを特徴とする薄膜磁気
ヘッド。 ２、請求項１の前記金属層が、Ａｌ、Ｃｒ又はＴｉであ
る薄膜磁気ヘッド。 ３、請求項１の前記有機絶縁層がポリイミド樹脂である
薄膜磁気ヘッド。 ４、請求項１または３の前記有機樹脂層の厚さが２００
Å〜２０００Åである薄膜磁気ヘッド。 ５、請求項１または３の前記有機樹脂層の形成は、前記
有機樹脂層を塗布する工程、塗布された前記有機樹脂層
をベーキングする工程、ホトレジストを塗布する工程、
塗布された前記ホトレジストを露光、現像し、その際に
、前記有機樹脂層をエッチングし、前記ホトレジスト、
前記有機樹脂層を所定形状にパターン化する工程および
所定の温度で加熱処理を施す工程を含む薄膜磁気ヘッド
の製造方法。 ６、請求項４の塗布された前記有機樹脂層をベーキング
する工程で、ベーキング温度を１３０℃〜１８０℃とす
る薄膜磁気ヘッドの製造方法。 ７、請求項１または３の前記金属層の形成は、前記磁気
ギャップ材上に前記金属層を堆積する工程、前記金属層
上に前記ホトレジスト層の絶縁膜パターンを形成する工
程、前記ホトレジスト層の絶縁膜パターンをマスクにし
て、前記金属層をエッチングする工程を含む薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24748990A JPH04129016A (ja) | 1990-09-19 | 1990-09-19 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24748990A JPH04129016A (ja) | 1990-09-19 | 1990-09-19 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04129016A true JPH04129016A (ja) | 1992-04-30 |
Family
ID=17164229
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24748990A Pending JPH04129016A (ja) | 1990-09-19 | 1990-09-19 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04129016A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006294148A (ja) * | 2005-04-12 | 2006-10-26 | Sony Corp | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
| US7453668B2 (en) | 2004-10-20 | 2008-11-18 | Tdk Corporation | Thin film magnetic head, method of manufacturing the same, and magnetic recording apparatus |
| WO2008146340A1 (ja) * | 2007-05-25 | 2008-12-04 | Fujitsu Limited | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
-
1990
- 1990-09-19 JP JP24748990A patent/JPH04129016A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7453668B2 (en) | 2004-10-20 | 2008-11-18 | Tdk Corporation | Thin film magnetic head, method of manufacturing the same, and magnetic recording apparatus |
| JP2006294148A (ja) * | 2005-04-12 | 2006-10-26 | Sony Corp | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
| JP4492418B2 (ja) * | 2005-04-12 | 2010-06-30 | ソニー株式会社 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
| WO2008146340A1 (ja) * | 2007-05-25 | 2008-12-04 | Fujitsu Limited | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH04129016A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPS58128017A (ja) | 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法 | |
| JPH0453012A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPS5877016A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JP3371660B2 (ja) | 複合型磁気ヘッドの製造方法 | |
| JP2649209B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPS62229513A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPH0316686B2 (ja) | ||
| JPS6045921A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPS62170011A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPS61210508A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPH04219609A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH083887B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JP3147443B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JP2714146B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPS59165220A (ja) | 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法 | |
| JPH05197920A (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製法 | |
| JPH04285710A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPS62140214A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPH0664716B2 (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPH0695370B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドのパターン形成法 | |
| JPH07182621A (ja) | 水平型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JPS62257610A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPS6145407A (ja) | 薄膜磁気ヘツド及びその製造方法 | |
| JPS60246013A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |