JPH04285710A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPH04285710A JPH04285710A JP5096291A JP5096291A JPH04285710A JP H04285710 A JPH04285710 A JP H04285710A JP 5096291 A JP5096291 A JP 5096291A JP 5096291 A JP5096291 A JP 5096291A JP H04285710 A JPH04285710 A JP H04285710A
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は磁気ディスク装置等に用
いられる薄膜磁気ヘッドの製造方法に係り、特に段差を
有する磁極パターンの形成方法に関するものである。
いられる薄膜磁気ヘッドの製造方法に係り、特に段差を
有する磁極パターンの形成方法に関するものである。
【0002】近年、磁気ディスク装置においては、小型
化、高密度記録化及び大容量化に伴って保磁力の高い磁
気記録媒体を適用する傾向にあり、そのような磁気記録
媒体に対する記録・再生用の磁気ヘッドとしては従来よ
り用いられている Ni−Fe合金よりも飽和磁束密度
Bsの大きい Co−Zr合金などからなる磁極層を用
いた薄膜磁気ヘッドが提案されている。ところがその薄
膜磁気ヘッドの磁極層形成用の Co−Zr磁性膜は一
般的に用いられているマスクめっき法以外のスパッタリ
ング法、蒸着法等により成膜しているため、かかる磁性
膜を所定の磁極層パターンに精度良く容易にパターン形
成する方法が必要とされている。
化、高密度記録化及び大容量化に伴って保磁力の高い磁
気記録媒体を適用する傾向にあり、そのような磁気記録
媒体に対する記録・再生用の磁気ヘッドとしては従来よ
り用いられている Ni−Fe合金よりも飽和磁束密度
Bsの大きい Co−Zr合金などからなる磁極層を用
いた薄膜磁気ヘッドが提案されている。ところがその薄
膜磁気ヘッドの磁極層形成用の Co−Zr磁性膜は一
般的に用いられているマスクめっき法以外のスパッタリ
ング法、蒸着法等により成膜しているため、かかる磁性
膜を所定の磁極層パターンに精度良く容易にパターン形
成する方法が必要とされている。
【0003】
【従来の技術】従来の薄膜磁気ヘッドの製造工程におけ
る磁極層パターンの形成方法は、図5(a)に示すよう
にセラミック等からなる非磁性基板1上に、スパッタリ
ング法により3μmの膜厚の Co−Zr合金からなる
磁性膜を被着し、該磁性膜を所定のレジストマスクを用
いたイオンミリング法によりパターニングして第1磁極
層2を形成し、その第1磁極層2を含む非磁性基板1の
表面にAl203 からなるギャップ層3を形成した後
、該ギャップ層3上の所定領域に熱硬化処理を施した光
硬化性樹脂等からなる層間絶縁層4とコイル導体層5と
を交互に積層形成する。
る磁極層パターンの形成方法は、図5(a)に示すよう
にセラミック等からなる非磁性基板1上に、スパッタリ
ング法により3μmの膜厚の Co−Zr合金からなる
磁性膜を被着し、該磁性膜を所定のレジストマスクを用
いたイオンミリング法によりパターニングして第1磁極
層2を形成し、その第1磁極層2を含む非磁性基板1の
表面にAl203 からなるギャップ層3を形成した後
、該ギャップ層3上の所定領域に熱硬化処理を施した光
硬化性樹脂等からなる層間絶縁層4とコイル導体層5と
を交互に積層形成する。
【0004】次に図5(b)に示すように前記キャップ
層3上及び該キャップ層3の一部を開口した部分より露
出する第1磁極層2を含む層間絶縁層4の表面に、スパ
ッタリング法により3μmの膜厚の Co−Zr合金か
らなる磁性膜6を被着した後、該磁性膜6の第2磁極層
形成領域上にフォトリソグラフィ工程により形成すべき
第2磁極層と同形状のレジストマスク7を形成し、その
レジストマスク7を介してイオンミリング法により露出
する磁性膜6部分をエッチング除去してパターニングす
る。この時、該レジストマスク7も同時にエッチング除
去されて図6(a)の平面図及び図6(a)のA−A’
切断線に沿った図6(b)のA−A’断面図に示すよう
に所定パターン形状の第2磁極層8を形成している。
層3上及び該キャップ層3の一部を開口した部分より露
出する第1磁極層2を含む層間絶縁層4の表面に、スパ
ッタリング法により3μmの膜厚の Co−Zr合金か
らなる磁性膜6を被着した後、該磁性膜6の第2磁極層
形成領域上にフォトリソグラフィ工程により形成すべき
第2磁極層と同形状のレジストマスク7を形成し、その
レジストマスク7を介してイオンミリング法により露出
する磁性膜6部分をエッチング除去してパターニングす
る。この時、該レジストマスク7も同時にエッチング除
去されて図6(a)の平面図及び図6(a)のA−A’
切断線に沿った図6(b)のA−A’断面図に示すよう
に所定パターン形状の第2磁極層8を形成している。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記した従
来の製造方法において特に第2磁極層形成用の磁性膜6
を所定のレジストマスク7を用いたイオンミリング法に
より余分に露出する磁性膜6部分をエッチング除去して
第2磁極層8をパターン形成する工程では、エッチング
の均一化とエッチング物の再付着防止のために、前記非
磁性基板1は回転させており、該非磁性基板1面に対す
るイオンビームの入射角度は10゜〜50゜に設定して
いる。
来の製造方法において特に第2磁極層形成用の磁性膜6
を所定のレジストマスク7を用いたイオンミリング法に
より余分に露出する磁性膜6部分をエッチング除去して
第2磁極層8をパターン形成する工程では、エッチング
の均一化とエッチング物の再付着防止のために、前記非
磁性基板1は回転させており、該非磁性基板1面に対す
るイオンビームの入射角度は10゜〜50゜に設定して
いる。
【0006】しかしながら、前記第2磁極層形成用の磁
性膜6を所定のレジストマスク7を用いたイオンミリン
グ法によりエッチング除去して第2磁極層8をパターン
形成する場合、該第2磁極層形成用の磁性膜6は段差が
大きいため、特に第2磁極層8の先端部、即ち、図6(
a)に鎖線で示すように第2磁極先端部8aの基部部分
にエッチング除去しきれない部分が残留し、その残留部
分9により該第2磁極先端部8aの幅が大きくなるとい
う問題があった。
性膜6を所定のレジストマスク7を用いたイオンミリン
グ法によりエッチング除去して第2磁極層8をパターン
形成する場合、該第2磁極層形成用の磁性膜6は段差が
大きいため、特に第2磁極層8の先端部、即ち、図6(
a)に鎖線で示すように第2磁極先端部8aの基部部分
にエッチング除去しきれない部分が残留し、その残留部
分9により該第2磁極先端部8aの幅が大きくなるとい
う問題があった。
【0007】このため、そのような残留部分9を完全に
エッチング除去されるまでイオンミリングを続行すると
前記レジストマスク7で覆われていない層間絶縁層4の
部分がオーバーエッチングされてコイル導体層5が露呈
したり、また該レジストマスク7の消失により該第2磁
極層8が部分的にエッチングされたりして、第2磁極層
8を精度良くパターン形成することができないという問
題も生じていた。
エッチング除去されるまでイオンミリングを続行すると
前記レジストマスク7で覆われていない層間絶縁層4の
部分がオーバーエッチングされてコイル導体層5が露呈
したり、また該レジストマスク7の消失により該第2磁
極層8が部分的にエッチングされたりして、第2磁極層
8を精度良くパターン形成することができないという問
題も生じていた。
【0008】本発明は上記した従来の問題点に鑑み、第
2磁極層形成用の磁性膜を第2磁極層にパターニングす
る際に、その他の部分をオーバーエッチングさせること
なく第2磁極先端部の周囲に生じる残留部分を確実にエ
ッチング除去して第2磁極層の精度の良いパターン形成
を可能とした新規な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供す
ることを目的とするものである。
2磁極層形成用の磁性膜を第2磁極層にパターニングす
る際に、その他の部分をオーバーエッチングさせること
なく第2磁極先端部の周囲に生じる残留部分を確実にエ
ッチング除去して第2磁極層の精度の良いパターン形成
を可能とした新規な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供す
ることを目的とするものである。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成するため、基板上に第1磁極層、ギャップ層、層間
絶縁層で被覆されたコイル導体層を順に形成し、更に該
ギャップ層とコイル導体層との所定領域上に第2磁極層
を積層形成する薄膜磁気ヘッドの製造において、前記第
2磁極層の形成工程は、前記ギャップ層及びコイル導体
層を被覆する層間絶縁層を含む基板上の全面に当該第2
磁極層形成用の磁性膜を被着する工程と、該第2磁極層
形成用の磁性膜上にマスク材層を被覆し、該マスク材層
を第2磁極層の少なくとも磁極先端部形成領域の周囲以
外の表面を覆うようにパターニングして第1マスクを形
成した後、該第1マスクを介して露出した前記磁性膜部
分をイオンミリング法により除去するパターニング工程
と、前記第1マスクをパターン形成した磁極先端部を含
む第2磁極層形成領域上を覆うパターン形状に再パター
ニングした後、その再パターン形成した第2マスクを介
して露出する前記磁性膜部分をエッチング除去して当該
第2磁極層を形成するパターニング工程とを含み構成す
る。
達成するため、基板上に第1磁極層、ギャップ層、層間
絶縁層で被覆されたコイル導体層を順に形成し、更に該
ギャップ層とコイル導体層との所定領域上に第2磁極層
を積層形成する薄膜磁気ヘッドの製造において、前記第
2磁極層の形成工程は、前記ギャップ層及びコイル導体
層を被覆する層間絶縁層を含む基板上の全面に当該第2
磁極層形成用の磁性膜を被着する工程と、該第2磁極層
形成用の磁性膜上にマスク材層を被覆し、該マスク材層
を第2磁極層の少なくとも磁極先端部形成領域の周囲以
外の表面を覆うようにパターニングして第1マスクを形
成した後、該第1マスクを介して露出した前記磁性膜部
分をイオンミリング法により除去するパターニング工程
と、前記第1マスクをパターン形成した磁極先端部を含
む第2磁極層形成領域上を覆うパターン形状に再パター
ニングした後、その再パターン形成した第2マスクを介
して露出する前記磁性膜部分をエッチング除去して当該
第2磁極層を形成するパターニング工程とを含み構成す
る。
【0010】また、前記イオンミリング用の第1マスク
が熱硬化処理を施したレジスト材、若しくは無機絶縁膜
、金属膜からなる構成とする。
が熱硬化処理を施したレジスト材、若しくは無機絶縁膜
、金属膜からなる構成とする。
【0011】
【作用】本発明の製造方法では、キャップ層及び該キャ
ップ層の一部を開口した部分より露出する第1磁極層を
含む層間絶縁層の表面に形成された第2磁極層形成用の
磁性膜を第2磁極層にパターニングする際に、あらかじ
め該磁性膜上の第2磁極先端部を形成すべき領域のエッ
チング除去が困難な周囲以外の表面に、例えばレジスト
材、または無機絶縁膜、若しくは金属膜からなるイオン
ミリング用の第1マスクを形成し、その第1マスクを介
して前記第2磁極先端部を形成すべき領域のエッチング
除去が困難な周囲の磁性膜部分をイオンミリング法によ
りエッチング除去する。
ップ層の一部を開口した部分より露出する第1磁極層を
含む層間絶縁層の表面に形成された第2磁極層形成用の
磁性膜を第2磁極層にパターニングする際に、あらかじ
め該磁性膜上の第2磁極先端部を形成すべき領域のエッ
チング除去が困難な周囲以外の表面に、例えばレジスト
材、または無機絶縁膜、若しくは金属膜からなるイオン
ミリング用の第1マスクを形成し、その第1マスクを介
して前記第2磁極先端部を形成すべき領域のエッチング
除去が困難な周囲の磁性膜部分をイオンミリング法によ
りエッチング除去する。
【0012】その後、前記イオンミリング用の第1マス
クをパターン形成後の第2磁極先端部を含む第2磁極層
形成領域上を覆うパターン形状に再パターニングし、そ
の再形成した第2マスクを介して露出する前記磁性膜部
分をイオンミリングによりエッチング除去することによ
って、その他の部分をオーバーエッチングさせることな
く第2磁極先端部の周囲に残留部分のないパターン精度
の良い第2磁極層を容易に形成することができる。
クをパターン形成後の第2磁極先端部を含む第2磁極層
形成領域上を覆うパターン形状に再パターニングし、そ
の再形成した第2マスクを介して露出する前記磁性膜部
分をイオンミリングによりエッチング除去することによ
って、その他の部分をオーバーエッチングさせることな
く第2磁極先端部の周囲に残留部分のないパターン精度
の良い第2磁極層を容易に形成することができる。
【0013】
【実施例】以下図面を用いて本発明の実施例について詳
細に説明する。 図1(a), (b)〜図4(a), (b)は本発明
に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施例を工程順に
示す図であり、各図(a) は要部平面図、各図(b)
は前記各図(a)に示すA−A’切断線に沿った要部
断面図である。
細に説明する。 図1(a), (b)〜図4(a), (b)は本発明
に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施例を工程順に
示す図であり、各図(a) は要部平面図、各図(b)
は前記各図(a)に示すA−A’切断線に沿った要部
断面図である。
【0014】本実施例では図1(a), (b)に示す
ようにセラミック等からなる非磁性基板1上に、従来と
同様にスパッタリング法により3μmの膜厚の Co−
Zr合金からなる磁性膜を被着し、該磁性膜を所定のレ
ジストマスクを用いたイオンミリング法によりパターニ
ングして第1磁極層2を形成し、その第1磁極層2を含
む非磁性基板1の表面に 0.3μmの膜厚のAl20
3 からなるギャップ層3を形成した後、該ギャップ層
3上の所定領域に熱硬化処理を施した光硬化性樹脂等か
らなる層間絶縁層4と銅(Cu)等からなるコイル導体
層5とを交互に積層形成する。
ようにセラミック等からなる非磁性基板1上に、従来と
同様にスパッタリング法により3μmの膜厚の Co−
Zr合金からなる磁性膜を被着し、該磁性膜を所定のレ
ジストマスクを用いたイオンミリング法によりパターニ
ングして第1磁極層2を形成し、その第1磁極層2を含
む非磁性基板1の表面に 0.3μmの膜厚のAl20
3 からなるギャップ層3を形成した後、該ギャップ層
3上の所定領域に熱硬化処理を施した光硬化性樹脂等か
らなる層間絶縁層4と銅(Cu)等からなるコイル導体
層5とを交互に積層形成する。
【0015】次に前記キャップ層3上及びそのキャップ
層3の一部を開口した部分より露出する第1磁極層2を
含む層間絶縁層4の表面に、スパッタリング法により3
μmの膜厚の Co−Zr合金からなる磁性膜6を被着
した後、その磁性膜6上にレジスト膜からなるマスク材
層を塗着し、該マスク材層を形成すべき第2磁極層の少
なくとも磁極先端部形成領域6aの周囲以外 (エッチ
ング除去が充分に行なわれず残留部分が生じる部分以外
) の磁性膜6表面を覆うようにパターニングし、その
レジスト膜を 150〜300℃の温度で熱処理を施し
てイオンミリング用の第1マスク11を形成する。
層3の一部を開口した部分より露出する第1磁極層2を
含む層間絶縁層4の表面に、スパッタリング法により3
μmの膜厚の Co−Zr合金からなる磁性膜6を被着
した後、その磁性膜6上にレジスト膜からなるマスク材
層を塗着し、該マスク材層を形成すべき第2磁極層の少
なくとも磁極先端部形成領域6aの周囲以外 (エッチ
ング除去が充分に行なわれず残留部分が生じる部分以外
) の磁性膜6表面を覆うようにパターニングし、その
レジスト膜を 150〜300℃の温度で熱処理を施し
てイオンミリング用の第1マスク11を形成する。
【0016】その後、該イオンミリング用の第1マスク
11を介して前記第2磁極先端部形成領域6aのエッチ
ング除去が困難な周囲の露出する磁性膜6部分をイオン
ミリング法によりあらかじめエッチング除去する。この
イオンミリング工程では、前記非磁性基板1は固定され
、前記第2磁極先端部形成領域6aにはイオンビームが
集中的に照射されるようにその入射角度を制御して行な
う。
11を介して前記第2磁極先端部形成領域6aのエッチ
ング除去が困難な周囲の露出する磁性膜6部分をイオン
ミリング法によりあらかじめエッチング除去する。この
イオンミリング工程では、前記非磁性基板1は固定され
、前記第2磁極先端部形成領域6aにはイオンビームが
集中的に照射されるようにその入射角度を制御して行な
う。
【0017】次に図2(a), (b)に示すように前
記イオンミリング用の第1マスク11上に、更にレジス
ト膜を塗着し、そのレジスト膜をフォトリソグラフィ工
程により形成すべき第2磁極層と同形状で、かつ既にパ
ターニング済の第2磁極先端部形成領域6a上のみがそ
の形状より多少大きい形状としたレジストマスク12を
形成し、そのレジストマスク12を介して露出する前記
イオンミリング用の第1マスク11部分を反応性イオン
エッチング法によりエッチング除去して図3(a),
(b)に示すようにイオンミリング用の第2マスク13
を再パターン形成する。
記イオンミリング用の第1マスク11上に、更にレジス
ト膜を塗着し、そのレジスト膜をフォトリソグラフィ工
程により形成すべき第2磁極層と同形状で、かつ既にパ
ターニング済の第2磁極先端部形成領域6a上のみがそ
の形状より多少大きい形状としたレジストマスク12を
形成し、そのレジストマスク12を介して露出する前記
イオンミリング用の第1マスク11部分を反応性イオン
エッチング法によりエッチング除去して図3(a),
(b)に示すようにイオンミリング用の第2マスク13
を再パターン形成する。
【0018】その後、前記イオンミリング用の第2マス
ク13を介して露出する磁性膜6部分を、これら非磁性
基板1を回転させた状態で、該非磁性基板1面に対する
イオンビームの入射角度を10〜50°に設定したイオ
ンミリング法によってエッチング除去することによって
、該イオンミリング用の第2マスク13も同時にエッチ
ング除去されて図4(a), (b)に示すように層間
絶縁層4やコイル導体層5等の他の層膜部分をオーバー
エッチングさせることなく段差を有する第2磁極先端部
14a の周囲の磁性膜6部分が完全に除去されたパタ
ーン精度の良い第2磁極層14を容易に形成することが
できる。
ク13を介して露出する磁性膜6部分を、これら非磁性
基板1を回転させた状態で、該非磁性基板1面に対する
イオンビームの入射角度を10〜50°に設定したイオ
ンミリング法によってエッチング除去することによって
、該イオンミリング用の第2マスク13も同時にエッチ
ング除去されて図4(a), (b)に示すように層間
絶縁層4やコイル導体層5等の他の層膜部分をオーバー
エッチングさせることなく段差を有する第2磁極先端部
14a の周囲の磁性膜6部分が完全に除去されたパタ
ーン精度の良い第2磁極層14を容易に形成することが
できる。
【0019】なお、以上の実施例ではイオンミリング用
の第2マスク13としてパターニング後に熱硬化処理を
施した光硬化性樹脂材等からなるレジスト膜を用いた場
合の例について説明したが、本発明はこの例に限定され
るものではなく、例えば熱硬化処理を必要としないSi
02,Al2O3等の無機絶縁膜、若しくは非磁性なT
i等からなる金属膜を用いるようにしてもよい。
の第2マスク13としてパターニング後に熱硬化処理を
施した光硬化性樹脂材等からなるレジスト膜を用いた場
合の例について説明したが、本発明はこの例に限定され
るものではなく、例えば熱硬化処理を必要としないSi
02,Al2O3等の無機絶縁膜、若しくは非磁性なT
i等からなる金属膜を用いるようにしてもよい。
【0020】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、第1磁極層
上に形成された層間絶縁層で被包されたコイル導体層の
表面に、それらの層膜部分をオーバーエッチングさせず
に、段差を有する磁極先端部の周辺に磁性膜部分を残さ
ずに第2磁極層を容易に精度良くパターン形成すること
ができる優れた利点を有し、薄膜磁気ヘッドの製造歩留
りが向上する等、実用上の効果は大きい。
に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、第1磁極層
上に形成された層間絶縁層で被包されたコイル導体層の
表面に、それらの層膜部分をオーバーエッチングさせず
に、段差を有する磁極先端部の周辺に磁性膜部分を残さ
ずに第2磁極層を容易に精度良くパターン形成すること
ができる優れた利点を有し、薄膜磁気ヘッドの製造歩留
りが向上する等、実用上の効果は大きい。
【図1】 本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法におけ
るイオンミリング用の第1マスクの形成工程を説明する
ための図である。
るイオンミリング用の第1マスクの形成工程を説明する
ための図である。
【図2】 本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法におけ
るレジストマスクの形成工程を説明するための図である
。
るレジストマスクの形成工程を説明するための図である
。
【図3】 本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法におけ
るイオンミリング用の第2マスクの形成工程を説明する
ための図である。
るイオンミリング用の第2マスクの形成工程を説明する
ための図である。
【図4】 本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法におけ
る第2磁極層の形成工程を説明するための図である。
る第2磁極層の形成工程を説明するための図である。
【図5】 従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を順に説
明するための要部断面図である。
明するための要部断面図である。
【図6】 従来の薄膜磁気ヘッドを説明するための図
である。
である。
1 非磁性基板
2 第1磁極層
3 ギャップ層
4 層間絶縁層
5 コイル導体層、
6 磁性膜
11 イオンミリング用の第1マスク12
レジストマスク 13 イオンミリング用の第2マスク14
第2磁極層
レジストマスク 13 イオンミリング用の第2マスク14
第2磁極層
Claims (2)
- 【請求項1】 基板(1) 上に第1磁極層(2)
、ギャップ層(3) 、層間絶縁層(4) で被覆され
たコイル導体層(5) を順に形成し、更に該ギャップ
層(3) とコイル導体層(5) との所定領域上に第
2磁極層(14)を積層形成する薄膜磁気ヘッドの製造
において、前記第2磁極層(14)の形成工程は、前記
ギャップ層(3)及びコイル導体層(5)を被覆する層
間絶縁層(4) を含む基板(1) 上の全面に当該第
2磁極層形成用の磁性膜(6) を被着する工程と、該
第2磁極層形成用の磁性膜(6) 上にマスク材層を被
覆し、該マスク材層を少なくとも前記第2磁極層(14
)の磁極先端部形成領域(6a)の周囲以外の表面を覆
うようにパターニングして第1マスク(11)を形成し
た後、該第1マスク(11)を介して露出した前記磁性
膜部分をイオンミリング法により除去するパターニング
工程と、前記第1マスク(11)をパターン形成した磁
極先端部を含む第2磁極層形成領域上を覆うパターン形
状に再パターニングした後、その再パターン形成した第
2マスク(13)を介して露出する前記磁性膜部分をエ
ッチング除去して当該第2磁極層(14)を形成するパ
ターニング工程とを含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法。 - 【請求項2】 前記イオンミリング用の第1マスク(
11)が熱硬化処理を施したレジスト材、若しくは無機
絶縁膜、金属膜からなることを特徴とする請求項1の薄
膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5096291A JPH04285710A (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5096291A JPH04285710A (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04285710A true JPH04285710A (ja) | 1992-10-09 |
Family
ID=12873444
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5096291A Withdrawn JPH04285710A (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04285710A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7139153B2 (en) | 2004-02-23 | 2006-11-21 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetic pole tip for perpendicular magnetic recording |
-
1991
- 1991-03-15 JP JP5096291A patent/JPH04285710A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7139153B2 (en) | 2004-02-23 | 2006-11-21 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetic pole tip for perpendicular magnetic recording |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980514 |