JPH04219609A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
- Publication number
- JPH04219609A JPH04219609A JP40372090A JP40372090A JPH04219609A JP H04219609 A JPH04219609 A JP H04219609A JP 40372090 A JP40372090 A JP 40372090A JP 40372090 A JP40372090 A JP 40372090A JP H04219609 A JPH04219609 A JP H04219609A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- magnetic
- magnetic pole
- interlayer insulating
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 188
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 51
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 50
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 15
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 7
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 25
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910020641 Co Zr Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910020520 Co—Zr Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910003271 Ni-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気ディスク装置に用い
られる薄膜磁気ヘッドの製造方法に係り、特に磁極パタ
ーンの形成方法に関するものである。近年、磁気ディス
ク装置においては、大容量化、高密度記録化に伴って保
持力の高い磁気記録媒体を適用する傾向にあり、そのよ
うな磁気記録媒体に対する記録・再生用の磁気ヘッドと
しては従来より用いられている Ｎｉ−Ｆｅ合金よりも
飽和磁束密度Ｂｓが大きい Ｃｏ−Ｚｒ合金などからな
る磁極層を用いた薄膜磁気ヘッドが提案されている。し
かしながら、その薄膜磁気ヘッドの磁極層形成用の磁性
膜は一般的に用いられているめっき法以外のスパッタリ
ング法などにより成膜しているため、かかる磁性膜を所
定の磁極パターンに精度良く容易にパターン形成する方
法が必要とされている。
られる薄膜磁気ヘッドの製造方法に係り、特に磁極パタ
ーンの形成方法に関するものである。近年、磁気ディス
ク装置においては、大容量化、高密度記録化に伴って保
持力の高い磁気記録媒体を適用する傾向にあり、そのよ
うな磁気記録媒体に対する記録・再生用の磁気ヘッドと
しては従来より用いられている Ｎｉ−Ｆｅ合金よりも
飽和磁束密度Ｂｓが大きい Ｃｏ−Ｚｒ合金などからな
る磁極層を用いた薄膜磁気ヘッドが提案されている。し
かしながら、その薄膜磁気ヘッドの磁極層形成用の磁性
膜は一般的に用いられているめっき法以外のスパッタリ
ング法などにより成膜しているため、かかる磁性膜を所
定の磁極パターンに精度良く容易にパターン形成する方
法が必要とされている。
【０００２】
【従来の技術】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法におけ
る磁極パターンの形成方法としては、図４（ａ）に示す
ようにＡｌ２Ｏ３ からなる厚い絶縁膜２が形成された
Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ からなる基板１上に、スパッタリ
ング法により３μｍの膜厚の Ｃｏ−Ｚｒ合金からなる
磁性膜を被着し、該磁性膜をフォトリソグラフィ工程と
イオンミリング法によりパターニングして所定パターン
形状の第１磁極層３を形成し、その第１磁極層３を含む
前記絶縁膜２の表面に０．３ μｍの膜厚のＡｌ２Ｏ３
からなるギャップ層４を図示のように形成する。
る磁極パターンの形成方法としては、図４（ａ）に示す
ようにＡｌ２Ｏ３ からなる厚い絶縁膜２が形成された
Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ からなる基板１上に、スパッタリ
ング法により３μｍの膜厚の Ｃｏ−Ｚｒ合金からなる
磁性膜を被着し、該磁性膜をフォトリソグラフィ工程と
イオンミリング法によりパターニングして所定パターン
形状の第１磁極層３を形成し、その第１磁極層３を含む
前記絶縁膜２の表面に０．３ μｍの膜厚のＡｌ２Ｏ３
からなるギャップ層４を図示のように形成する。
【０００３】次に図４（ｂ）に示すように前記ギャップ
層４上の所定領域に、光硬化性樹脂等からなるレジスト
材を塗布し、所定パターンにパターニングした後、熱硬
化処理を施して１〜２μｍの膜厚の第１層間絶縁層５を
形成し、引続きその第１層間絶縁層５上にフレームめっ
き法により３μｍの膜厚の銅（Ｃｕ）などからなる渦巻
き状の第１コイル導体層６を形成する。
層４上の所定領域に、光硬化性樹脂等からなるレジスト
材を塗布し、所定パターンにパターニングした後、熱硬
化処理を施して１〜２μｍの膜厚の第１層間絶縁層５を
形成し、引続きその第１層間絶縁層５上にフレームめっ
き法により３μｍの膜厚の銅（Ｃｕ）などからなる渦巻
き状の第１コイル導体層６を形成する。
【０００４】更にその第１コイル導体層６を含む第１層
間絶縁層５上に、前記第１層間絶縁層５及び第１コイル
導体層６の形成と同様な工程により、２μｍの膜厚の第
２層間絶縁層７、３μｍの膜厚の第２コイル導体層８及
び２〜３μｍの膜厚の第３層間絶縁層９を順次積層形成
する。次に図４（ｃ）に示すように前記ギャップ層４及
び該ギャップ層４の一部を開口した部分より露出する第
１磁極層３を含む第３層間絶縁層９の表面に、スパッタ
リング法により３μｍの膜厚の Ｃｏ−Ｚｒ合金からな
る磁性膜１０を被着した後、該磁性膜１０の磁極形成領
域上にフォトリソグラフィ工程によって所定形状のレジ
ストパターン１１を形成し、引続き該レジストパターン
１１をマスクにして露出する磁性膜１０をイオンミリン
グ法により除去し、この時、該レジストパターン１１も
同時に除去することによって、図５（ａ）の平面図及び
図５（ａ）のＡ−Ａ’切断線に沿った図５（ｂ）のＡ−
Ａ’断面図に示すように所定パターン形状の第２磁極層
１２を形成している。
間絶縁層５上に、前記第１層間絶縁層５及び第１コイル
導体層６の形成と同様な工程により、２μｍの膜厚の第
２層間絶縁層７、３μｍの膜厚の第２コイル導体層８及
び２〜３μｍの膜厚の第３層間絶縁層９を順次積層形成
する。次に図４（ｃ）に示すように前記ギャップ層４及
び該ギャップ層４の一部を開口した部分より露出する第
１磁極層３を含む第３層間絶縁層９の表面に、スパッタ
リング法により３μｍの膜厚の Ｃｏ−Ｚｒ合金からな
る磁性膜１０を被着した後、該磁性膜１０の磁極形成領
域上にフォトリソグラフィ工程によって所定形状のレジ
ストパターン１１を形成し、引続き該レジストパターン
１１をマスクにして露出する磁性膜１０をイオンミリン
グ法により除去し、この時、該レジストパターン１１も
同時に除去することによって、図５（ａ）の平面図及び
図５（ａ）のＡ−Ａ’切断線に沿った図５（ｂ）のＡ−
Ａ’断面図に示すように所定パターン形状の第２磁極層
１２を形成している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の製造方法において特に前記レジストパターン１
１をマスクにして露出する第２磁極形成用の磁性膜１０
をイオンミリング法により除去する工程において、前記
レジストパターン１１のマスクが途切れる近辺の第３層
間絶縁層９の傾斜部分Ａがオーバーエッチングされて、
第２コイル導体層８の一部が露出し易くなるという問題
があった。このような第３層間絶縁層９の傾斜部分Ａで
のオーバーエッチングは、イオンミリングにおける加工
イオンの入射角度が加工速度が最大となる４５°程度に
近づくことに起因している。
た従来の製造方法において特に前記レジストパターン１
１をマスクにして露出する第２磁極形成用の磁性膜１０
をイオンミリング法により除去する工程において、前記
レジストパターン１１のマスクが途切れる近辺の第３層
間絶縁層９の傾斜部分Ａがオーバーエッチングされて、
第２コイル導体層８の一部が露出し易くなるという問題
があった。このような第３層間絶縁層９の傾斜部分Ａで
のオーバーエッチングは、イオンミリングにおける加工
イオンの入射角度が加工速度が最大となる４５°程度に
近づくことに起因している。
【０００６】このような問題は第３層間絶縁層９の膜厚
を或る程度厚く形成する方法によって防ぐことはできる
が、該第３層間絶縁層９の膜厚を厚くするとその傾斜面
が急峻になり、その上面にスパッタリング法等により形
成した第２磁極形成用の磁性膜の傾斜部分の膜厚が他の
部分よりも薄くなるという不都合があった。本発明は上
記した従来の問題点に鑑み、第２磁極形成用の磁性膜を
イオンミリング法により所定磁極パターンにパターニン
グしても、コイル導体層上を被覆する層間絶縁層の傾斜
部分でのオーバーエッチングによる該コイル導体層の露
出を防止するようにした薄膜磁気ヘッドの製造方法を提
供することを目的とするものである。
を或る程度厚く形成する方法によって防ぐことはできる
が、該第３層間絶縁層９の膜厚を厚くするとその傾斜面
が急峻になり、その上面にスパッタリング法等により形
成した第２磁極形成用の磁性膜の傾斜部分の膜厚が他の
部分よりも薄くなるという不都合があった。本発明は上
記した従来の問題点に鑑み、第２磁極形成用の磁性膜を
イオンミリング法により所定磁極パターンにパターニン
グしても、コイル導体層上を被覆する層間絶縁層の傾斜
部分でのオーバーエッチングによる該コイル導体層の露
出を防止するようにした薄膜磁気ヘッドの製造方法を提
供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成するため、基板上に第１磁極層、ギャップ層、層間
絶縁層で挟まれたコイル導体層と、該ギャップ層と前記
コイル導体層との所定領域上に第２磁極層を順次積層形
成する薄膜磁気ヘッドの製造において、前記第２磁極層
の形成は、前記コイル導体層を被覆する層間絶縁層上の
第２磁極層形成領域以外の表面にあらかじめマスク材層
を覆設した状態で当該第２磁極層形成用の磁性膜を層間
絶縁層及びギャップ層上に被着する工程と、該第２磁極
層形成用の磁性膜の第２磁極層形成領域上にレジストパ
ターンを形成した後、該レジストパターンをマスクにし
て露呈した前記磁性膜部分をイオンミリング法により除
去するパターニング工程を用いて構成する。
達成するため、基板上に第１磁極層、ギャップ層、層間
絶縁層で挟まれたコイル導体層と、該ギャップ層と前記
コイル導体層との所定領域上に第２磁極層を順次積層形
成する薄膜磁気ヘッドの製造において、前記第２磁極層
の形成は、前記コイル導体層を被覆する層間絶縁層上の
第２磁極層形成領域以外の表面にあらかじめマスク材層
を覆設した状態で当該第２磁極層形成用の磁性膜を層間
絶縁層及びギャップ層上に被着する工程と、該第２磁極
層形成用の磁性膜の第２磁極層形成領域上にレジストパ
ターンを形成した後、該レジストパターンをマスクにし
て露呈した前記磁性膜部分をイオンミリング法により除
去するパターニング工程を用いて構成する。
【０００８】また、前記コイル導体層を被覆する層間絶
縁層上の第２磁極層形成領域以外の表面を覆うマスク材
層として、光硬化性樹脂材、若しくは無機絶縁膜を用い
て構成する。
縁層上の第２磁極層形成領域以外の表面を覆うマスク材
層として、光硬化性樹脂材、若しくは無機絶縁膜を用い
て構成する。
【０００９】
【作用】本発明の製造方法では、図１の要部断面図に示
すように絶縁膜２が形成された基板１上に第１磁極層３
、ギャップ層４、層間絶縁層５，７，９で挟まれた例え
ば多層コイル導体層６，８とを順次積層形成した後、該
多層コイル導体層６，８上の層間絶縁層９の表面の第２
磁極層形成領域以外の面に、光硬化性樹脂材、または無
機絶縁膜からなるマスク材層２１を被覆した後、前記ギ
ャップ層４上と前記コイル導体層６，８を被覆する層間
絶縁層９の表面に磁極層形成用の磁性膜２２を被着する
。
すように絶縁膜２が形成された基板１上に第１磁極層３
、ギャップ層４、層間絶縁層５，７，９で挟まれた例え
ば多層コイル導体層６，８とを順次積層形成した後、該
多層コイル導体層６，８上の層間絶縁層９の表面の第２
磁極層形成領域以外の面に、光硬化性樹脂材、または無
機絶縁膜からなるマスク材層２１を被覆した後、前記ギ
ャップ層４上と前記コイル導体層６，８を被覆する層間
絶縁層９の表面に磁極層形成用の磁性膜２２を被着する
。
【００１０】更に、その磁極層形成用の磁性膜２２の第
２磁極層形成領域上にレジストパターン２３を形成した
後、該レジストパターン２３をマスクにして露呈する前
記磁性膜２２部分をイオンミリングによりレジストパタ
ーン２３も共に除去することによって、前記層間絶縁層
９の傾斜部分Ａでのオーバーエッチングが前記マスク材
層２１の介在により防止された状態で第２磁極層を容易
に形成することができる。
２磁極層形成領域上にレジストパターン２３を形成した
後、該レジストパターン２３をマスクにして露呈する前
記磁性膜２２部分をイオンミリングによりレジストパタ
ーン２３も共に除去することによって、前記層間絶縁層
９の傾斜部分Ａでのオーバーエッチングが前記マスク材
層２１の介在により防止された状態で第２磁極層を容易
に形成することができる。
【００１１】
【実施例】以下図面を用いて本発明の実施例について詳
細に説明する。図２（ａ）〜（ｅ）は本発明に係る薄膜
磁気ヘッドの製造方法の一実施例を順に示す要部断面図
である。なお図４（ａ）〜（ｃ），図５（ａ）と同等部
分には同一符号を付している。
細に説明する。図２（ａ）〜（ｅ）は本発明に係る薄膜
磁気ヘッドの製造方法の一実施例を順に示す要部断面図
である。なお図４（ａ）〜（ｃ），図５（ａ）と同等部
分には同一符号を付している。
【００１２】先ず図２（ａ）に示すようにＡｌ２Ｏ３
からなる厚い絶縁膜２が形成されたＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ
からなる基板１上に、例えばスパッタリング法により
３μｍの膜厚の Ｃｏ−Ｚｒ合金からなる磁性膜を被着
し、該磁性膜をフォトリソグラフィ工程とイオンミリン
グ法等によりパターニングして所定パターン形状の第１
磁極層３を形成し、その第１磁極層３上を含む前記絶縁
膜２の表面に０．３ μｍの膜厚のＡｌ２Ｏ３ からな
るギャップ層４を図示のように形成する。
からなる厚い絶縁膜２が形成されたＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ
からなる基板１上に、例えばスパッタリング法により
３μｍの膜厚の Ｃｏ−Ｚｒ合金からなる磁性膜を被着
し、該磁性膜をフォトリソグラフィ工程とイオンミリン
グ法等によりパターニングして所定パターン形状の第１
磁極層３を形成し、その第１磁極層３上を含む前記絶縁
膜２の表面に０．３ μｍの膜厚のＡｌ２Ｏ３ からな
るギャップ層４を図示のように形成する。
【００１３】次に図２（ｂ）に示すように前記ギャップ
層４上の所定領域に、光硬化性樹脂等からなるレジスト
材を塗布し、所定パターンにパターニングした後、熱硬
化処理を施して１〜２μｍの膜厚の第１層間絶縁層５を
形成し、その第１層間絶縁層５上に引続きフレームめっ
き法により３μｍの膜厚の銅（Ｃｕ）等からなる渦巻き
状の第１コイル導体層６を形成する。
層４上の所定領域に、光硬化性樹脂等からなるレジスト
材を塗布し、所定パターンにパターニングした後、熱硬
化処理を施して１〜２μｍの膜厚の第１層間絶縁層５を
形成し、その第１層間絶縁層５上に引続きフレームめっ
き法により３μｍの膜厚の銅（Ｃｕ）等からなる渦巻き
状の第１コイル導体層６を形成する。
【００１４】更にその第１コイル導体層６を含む第１層
間絶縁層５上に、前記第１層間絶縁層５及び第１コイル
導体層６の形成と同様な工程により、２μｍの膜厚の第
２層間絶縁層７、３μｍの膜厚の第２コイル導体層８及
び２〜３μｍの膜厚の第３層間絶縁層９を順次積層形成
する。ここまでの工程は従来の製造工程と同様であり、
その後、前記第２コイル導体層８上の第３層間絶縁層９
の表面の第２磁極層形成領域以外の面に、光硬化性樹脂
等からなるレジスト膜をパターン形成し、熱硬化処理を
行って３〜４μｍの膜厚のマスク材層２１を形成する。
間絶縁層５上に、前記第１層間絶縁層５及び第１コイル
導体層６の形成と同様な工程により、２μｍの膜厚の第
２層間絶縁層７、３μｍの膜厚の第２コイル導体層８及
び２〜３μｍの膜厚の第３層間絶縁層９を順次積層形成
する。ここまでの工程は従来の製造工程と同様であり、
その後、前記第２コイル導体層８上の第３層間絶縁層９
の表面の第２磁極層形成領域以外の面に、光硬化性樹脂
等からなるレジスト膜をパターン形成し、熱硬化処理を
行って３〜４μｍの膜厚のマスク材層２１を形成する。
【００１５】次に図２（ｃ）に示すように前記ギャップ
層４、該ギャップ層４の一部を開口した部分より露出す
る第１磁極層３を含む前記第３層間絶縁層９上及び前記
マスク材層２１の表面に、スパッタリング法により３μ
ｍの膜厚の Ｃｏ−Ｚｒ合金からなる磁性膜２２を被着
した後、該磁性膜２２の磁極形成領域上にフォトリソグ
ラフィ工程によって形成すべき第２磁極層と同形状のレ
ジストパターン２３を形成し、引続き該レジストパター
ン２３をマスクにして露出する磁性膜２２部分をイオン
ミリング法により除去する。
層４、該ギャップ層４の一部を開口した部分より露出す
る第１磁極層３を含む前記第３層間絶縁層９上及び前記
マスク材層２１の表面に、スパッタリング法により３μ
ｍの膜厚の Ｃｏ−Ｚｒ合金からなる磁性膜２２を被着
した後、該磁性膜２２の磁極形成領域上にフォトリソグ
ラフィ工程によって形成すべき第２磁極層と同形状のレ
ジストパターン２３を形成し、引続き該レジストパター
ン２３をマスクにして露出する磁性膜２２部分をイオン
ミリング法により除去する。
【００１６】引続き図２（ｄ）に示すように前記第３層
間絶縁層９上に残置するマスク材層２１を溶解除去し、
図２（ｅ）に示すように所定パターン形状の第２磁極層
２４を形成することによって、前記層間絶縁層９の傾斜
部分Ａでのオーバーエッチングが前記マスク材層２１の
介在により防止され、前記第２コイル導体層８部分に欠
陥を与えずに第２磁極層２４を精度良くパターン形成す
ることが可能となる。
間絶縁層９上に残置するマスク材層２１を溶解除去し、
図２（ｅ）に示すように所定パターン形状の第２磁極層
２４を形成することによって、前記層間絶縁層９の傾斜
部分Ａでのオーバーエッチングが前記マスク材層２１の
介在により防止され、前記第２コイル導体層８部分に欠
陥を与えずに第２磁極層２４を精度良くパターン形成す
ることが可能となる。
【００１７】更に、図３（ａ）〜（ｃ）は本発明に係る
薄膜磁気ヘッドの製造方法の他の実施例を順に示す要部
断面図であり、図２（ａ）〜（ｅ）と同等部分には同一
符号を付している。この図３（ａ）〜（ｃ）で示す実施
例が図２（ａ）〜（ｅ）の実施例と異なる点は、図３（
ａ）に示すようにＡｌ２Ｏ３からなる厚い絶縁膜２が形
成されたＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ からなる基板１上に、３
μｍの膜厚の Ｃｏ−Ｚｒ磁性膜からなる第１磁極層３
と、０．３ μｍの膜厚のＡｌ２Ｏ３ からなるギャッ
プ層４を形成し、該ギャップ層４上の所定領域に、レジ
スト材等からなる光硬化性樹脂の１〜２μｍの膜厚の第
１層間絶縁層５、その第１層間絶縁層５上に３μｍの膜
厚の銅（Ｃｕ）等からなる渦巻き状の第１コイル導体層
６、２μｍの膜厚の第２層間絶縁層７、３μｍの膜厚の
第２コイル導体層８及び２〜３μｍの膜厚の第３層間絶
縁層９を図２（ａ）， （ｂ）の実施例工程と同様に順
次積層形成する。
薄膜磁気ヘッドの製造方法の他の実施例を順に示す要部
断面図であり、図２（ａ）〜（ｅ）と同等部分には同一
符号を付している。この図３（ａ）〜（ｃ）で示す実施
例が図２（ａ）〜（ｅ）の実施例と異なる点は、図３（
ａ）に示すようにＡｌ２Ｏ３からなる厚い絶縁膜２が形
成されたＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ からなる基板１上に、３
μｍの膜厚の Ｃｏ−Ｚｒ磁性膜からなる第１磁極層３
と、０．３ μｍの膜厚のＡｌ２Ｏ３ からなるギャッ
プ層４を形成し、該ギャップ層４上の所定領域に、レジ
スト材等からなる光硬化性樹脂の１〜２μｍの膜厚の第
１層間絶縁層５、その第１層間絶縁層５上に３μｍの膜
厚の銅（Ｃｕ）等からなる渦巻き状の第１コイル導体層
６、２μｍの膜厚の第２層間絶縁層７、３μｍの膜厚の
第２コイル導体層８及び２〜３μｍの膜厚の第３層間絶
縁層９を図２（ａ）， （ｂ）の実施例工程と同様に順
次積層形成する。
【００１８】その後、前記ギャップ層４と第３層間絶縁
層９との表面の第２磁極層形成領域にフォトリソグラフ
ィ工程によって形成すべき第２磁極層と同形状の第１レ
ジストパターン３１を形成し、更に該ギャップ層４と第
１レジストパターン３１及び第３層間絶縁層９の表面に
スパッタリング法により１μｍの膜厚の Ａｌ２Ｏ３膜
３２を被着する。
層９との表面の第２磁極層形成領域にフォトリソグラフ
ィ工程によって形成すべき第２磁極層と同形状の第１レ
ジストパターン３１を形成し、更に該ギャップ層４と第
１レジストパターン３１及び第３層間絶縁層９の表面に
スパッタリング法により１μｍの膜厚の Ａｌ２Ｏ３膜
３２を被着する。
【００１９】次に図３（ｂ）に示すように前記第１レジ
ストパターン３１を溶解除去することにより該第１レジ
ストパターン３１上の Ａｌ２Ｏ３膜３３部分をリフト
オフすることにより、前記第３層間絶縁層９上の第２磁
極層形成領域以外の面に Ａｌ２Ｏ３膜３２からなる無
機マスク材層３３を形成する。その後、前記ギャップ層
４、第３層間絶縁層９及び無機マスク材層３３の表面に
スパッタリング法により３μｍの膜厚の Ｃｏ−Ｚｒ合
金からなる磁性膜３４を被着し、その磁性膜３４の磁極
形成領域上にフォトリソグラフィ工程によって形成すべ
き第２磁極層と同形状の第２レジストパターン３５を形
成し、引続き該第２レジストパターン３５をマスクにし
て露出する前記磁性膜３４をイオンミリング法により除
去し、この時、該第２レジストパターン３５も同時に除
去して、所定パターン形状の第２磁極層３６を形成する
。
ストパターン３１を溶解除去することにより該第１レジ
ストパターン３１上の Ａｌ２Ｏ３膜３３部分をリフト
オフすることにより、前記第３層間絶縁層９上の第２磁
極層形成領域以外の面に Ａｌ２Ｏ３膜３２からなる無
機マスク材層３３を形成する。その後、前記ギャップ層
４、第３層間絶縁層９及び無機マスク材層３３の表面に
スパッタリング法により３μｍの膜厚の Ｃｏ−Ｚｒ合
金からなる磁性膜３４を被着し、その磁性膜３４の磁極
形成領域上にフォトリソグラフィ工程によって形成すべ
き第２磁極層と同形状の第２レジストパターン３５を形
成し、引続き該第２レジストパターン３５をマスクにし
て露出する前記磁性膜３４をイオンミリング法により除
去し、この時、該第２レジストパターン３５も同時に除
去して、所定パターン形状の第２磁極層３６を形成する
。
【００２０】かくすれば、図３（ｃ）に示すように前記
第３層間絶縁層９の傾斜部分Ａでのオーバーエッチング
が前記無機マスク材層３３の介在により防止され、前記
第３層間絶縁層９及び第２コイル導体層８部分に欠陥を
与えることなく第２磁極層３６を精度良くパターン形成
することが可能となる。なおその後に前記第３層間絶縁
層９上に残置する無機マスク材層３３は、特に除去する
必要はないが、必要に応じてドライエッチング等により
選択的に除去することもできる。
第３層間絶縁層９の傾斜部分Ａでのオーバーエッチング
が前記無機マスク材層３３の介在により防止され、前記
第３層間絶縁層９及び第２コイル導体層８部分に欠陥を
与えることなく第２磁極層３６を精度良くパターン形成
することが可能となる。なおその後に前記第３層間絶縁
層９上に残置する無機マスク材層３３は、特に除去する
必要はないが、必要に応じてドライエッチング等により
選択的に除去することもできる。
【００２１】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、第２磁極層
形成用の磁性膜をイオンミリング法によりパターニング
して第２磁極層を形成する際に、マスク材層の介在によ
り前記第３層間絶縁層の傾斜部分でのオーバーエッチン
グが阻止され、コイル導体層部分に欠陥を与えることな
く第２磁極層を精度良く容易にパターン形成することが
可能となる優れた利点を有し、薄膜磁気ヘッドの製造歩
留りが著しく向上する等、実用上顕著なる効果を奏する
。
に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、第２磁極層
形成用の磁性膜をイオンミリング法によりパターニング
して第２磁極層を形成する際に、マスク材層の介在によ
り前記第３層間絶縁層の傾斜部分でのオーバーエッチン
グが阻止され、コイル導体層部分に欠陥を与えることな
く第２磁極層を精度良く容易にパターン形成することが
可能となる優れた利点を有し、薄膜磁気ヘッドの製造歩
留りが著しく向上する等、実用上顕著なる効果を奏する
。
【図１】 本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法を原理
的に説明するための要部断面図である。
的に説明するための要部断面図である。
【図２】 本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実
施例を順に示す要部断面図である。
施例を順に示す要部断面図である。
【図３】 本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法の他の
実施例を順に示す要部断面図である。
実施例を順に示す要部断面図である。
【図４】 従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を順に説
明するための要部断面図である。
明するための要部断面図である。
【図５】 従来の薄膜磁気ヘッドを説明するための図
であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−Ａ’ 断面図で
ある。
であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−Ａ’ 断面図で
ある。
１ 基板
２ 絶縁膜３ 第１磁極
層 ４
ギャップ層 ５ 第１層間絶縁層
６ 第１コイル導体層 ７ 第２層間絶縁層
８ 第２コイル導体層 ９ 第３層間絶縁層
２１ マスク材層 ２２， ３４ 磁性膜
２３ レジストパターン ２４， ３６ 第２磁極層
３１ 第１レジストパターン ３２ Ａｌ２Ｏ３ 膜
３３ 無機マスク材層 ３５ 第２レジストパターン
２ 絶縁膜３ 第１磁極
層 ４
ギャップ層 ５ 第１層間絶縁層
６ 第１コイル導体層 ７ 第２層間絶縁層
８ 第２コイル導体層 ９ 第３層間絶縁層
２１ マスク材層 ２２， ３４ 磁性膜
２３ レジストパターン ２４， ３６ 第２磁極層
３１ 第１レジストパターン ３２ Ａｌ２Ｏ３ 膜
３３ 無機マスク材層 ３５ 第２レジストパターン
Claims (2)
- 【請求項１】 基板（１） 上に第１磁極層（３）
、ギャップ層（４） 、層間絶縁層（５，７，９） で
挟まれたコイル導体層（６， ８）と、該ギャップ層（
４） と前記コイル導体層（６， ８）との所定領域上
に第２磁極層（２４）を順次積層形成する薄膜磁気ヘッ
ドの製造において、前記第２磁極層（２４）の形成は、
前記コイル導体層（６， ８）を被覆する層間絶縁層（
９） 上の第２磁極層形成領域以外の表面にあらかじめ
マスク材層（２１）を覆設した状態で当該第２磁極層形
成用の磁性膜（２２）を層間絶縁層（９） 及びギャッ
プ層（４） 上に被着する工程と、該第２磁極層形成用
の磁性膜の第２磁極層形成領域上にレジストパターン（
２３）を形成した後、該レジストパターン（２３）をマ
スクにして露呈した前記磁性膜部分をイオンミリング法
により除去するパターニング工程とを含むことを特徴と
する薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項２】 前記コイル導体層（６， ８）を被覆
する層間絶縁層（９） 上の第２磁極層形成領域以外の
表面を覆うマスク材層（２１）が、感光性樹脂材、若し
くは無機絶縁膜からなることを特徴とする請求項１の薄
膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40372090A JPH04219609A (ja) | 1990-12-19 | 1990-12-19 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40372090A JPH04219609A (ja) | 1990-12-19 | 1990-12-19 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04219609A true JPH04219609A (ja) | 1992-08-10 |
Family
ID=18513450
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP40372090A Withdrawn JPH04219609A (ja) | 1990-12-19 | 1990-12-19 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04219609A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7139153B2 (en) | 2004-02-23 | 2006-11-21 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetic pole tip for perpendicular magnetic recording |
-
1990
- 1990-12-19 JP JP40372090A patent/JPH04219609A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7139153B2 (en) | 2004-02-23 | 2006-11-21 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetic pole tip for perpendicular magnetic recording |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2000163713A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの上部磁極層の形成方法、段差を有する表面の段差底部上に高アスペクト比微細ブロックパターンを形成する方法、並びに、薄膜磁気ヘッド | |
| JPH09153204A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH04219609A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPS58128017A (ja) | 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法 | |
| JPH0453012A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH10340426A (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JPS60247815A (ja) | 垂直磁化記録用薄膜ヘツドの製造方法 | |
| JPH07105507A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造プロセス | |
| JPH0644526A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPS6111914A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPH04285710A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH04129016A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPH01171109A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH0316686B2 (ja) | ||
| JP2774487B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPS62257610A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPH05159221A (ja) | 薄膜ヘッドおよびその製造方法 | |
| JPH09198624A (ja) | 複合型磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JPH02247808A (ja) | 薄膜磁気ヘツド及びその製造方法 | |
| JPH10172111A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH0554331A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPH1186220A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH064825A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPS63285716A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH04149810A (ja) | 薄膜導体パターンの形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980312 |