JP2774487B2 - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、面内記録再生用ま
たは垂直記録再生用の薄膜磁気ヘッドに関する。
たは垂直記録再生用の薄膜磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜磁気ヘッドとしては、面内記録再生
用と垂直記録再生用の２種類の方式のものが知られてい
る。図１１は特開昭５５ー８４０２０号公報等により知
られた面内記録再生用薄膜磁気ヘッドの要部の斜視図、
図１２は同じく要部の断面図である。１はセラミック構
造体でなる基体で、一般には、Al2O3・TiC等で構成され
た基体部分１０１の上にAl2O3等でなる保護膜１０２を
被着させてある。２は下部の磁性膜、３はアルミナ等で
なるギャップ膜、４は上部の磁性膜、５はコイル膜、６
はノボラック樹脂等の有機絶縁樹脂で構成された有機絶
縁膜、７、８は引出リード部、９は絶縁膜、１０はアル
ミナ等の保護膜である。磁性膜２及び磁性膜４の先端部
はギャップ膜３を隔てて対向するポール部２１、４１と
なっており、このポール部２１、４１において読み書き
を行なう。
用と垂直記録再生用の２種類の方式のものが知られてい
る。図１１は特開昭５５ー８４０２０号公報等により知
られた面内記録再生用薄膜磁気ヘッドの要部の斜視図、
図１２は同じく要部の断面図である。１はセラミック構
造体でなる基体で、一般には、Al2O3・TiC等で構成され
た基体部分１０１の上にAl2O3等でなる保護膜１０２を
被着させてある。２は下部の磁性膜、３はアルミナ等で
なるギャップ膜、４は上部の磁性膜、５はコイル膜、６
はノボラック樹脂等の有機絶縁樹脂で構成された有機絶
縁膜、７、８は引出リード部、９は絶縁膜、１０はアル
ミナ等の保護膜である。磁性膜２及び磁性膜４の先端部
はギャップ膜３を隔てて対向するポール部２１、４１と
なっており、このポール部２１、４１において読み書き
を行なう。
【０００３】上述の薄膜磁気ヘッドは、ＩＣ製造プロセ
スと同様のフォトリソグラフィと称される高精度パター
ン形成技術によって製造される。次に、製造プロセスの
うち、コイル膜の製造プロセスについて、その１例を図
６及び図２１を参照して説明する。
スと同様のフォトリソグラフィと称される高精度パター
ン形成技術によって製造される。次に、製造プロセスの
うち、コイル膜の製造プロセスについて、その１例を図
６及び図２１を参照して説明する。
【０００４】まず、図１３、図２１（ａ）に示すよう
に、基体１の上に形成された磁性膜２及びギャップ膜３
の上に、有機絶縁膜６１を形成する。有機絶縁膜６１
は、一般には、ノボラック系のポジタイプレジスト膜を
コーティングし、所定の温度及び時間的条件でソフトベ
ークを行なった後、露光、現像及び水洗の処理を施し、
続いて、熱処理をそれぞれ行なって形成する。
に、基体１の上に形成された磁性膜２及びギャップ膜３
の上に、有機絶縁膜６１を形成する。有機絶縁膜６１
は、一般には、ノボラック系のポジタイプレジスト膜を
コーティングし、所定の温度及び時間的条件でソフトベ
ークを行なった後、露光、現像及び水洗の処理を施し、
続いて、熱処理をそれぞれ行なって形成する。
【０００５】この有機絶縁膜６１は、磁性膜２のポール
部２１の周辺部を除き、磁性膜２及びギャップ膜３の全
体を覆うように形成する。ポール部２１には、図１２に
示したように、磁性膜４のポール部４１がギャップ膜３
を介して対向するように形成される。また、ポール部２
１は磁気記録媒体と接触する読み書き部分となるから、
磁性膜４を持たない垂直記録再生用薄膜磁気ヘッドにお
いても、保護膜１０で覆い、耐摩耗性を確保する必要が
ある。これらの理由から、ポール部２１は有機絶縁膜６
１によって覆わない。
部２１の周辺部を除き、磁性膜２及びギャップ膜３の全
体を覆うように形成する。ポール部２１には、図１２に
示したように、磁性膜４のポール部４１がギャップ膜３
を介して対向するように形成される。また、ポール部２
１は磁気記録媒体と接触する読み書き部分となるから、
磁性膜４を持たない垂直記録再生用薄膜磁気ヘッドにお
いても、保護膜１０で覆い、耐摩耗性を確保する必要が
ある。これらの理由から、ポール部２１は有機絶縁膜６
１によって覆わない。
【０００６】次に、図１４、図２１（ｂ）に示すよう
に、有機絶縁膜６１の表面にスパッタリングにより下地
導体膜５０１、５０２を積層形成する。一般に、下地導
体膜５０１は、約１００〜２００オングストロームの膜
厚を有するＴｉ膜で構成され、下地導体膜５０２は約１
５００オングストロームの膜厚を有するＣｕ膜として形
成される。磁性膜２のポール部２１及びその上に被着さ
れたギャップ膜３は、有機絶縁膜６１によって覆われて
いないので、これらの上にも、下地導体膜５０１及び５
０２が付着する。
に、有機絶縁膜６１の表面にスパッタリングにより下地
導体膜５０１、５０２を積層形成する。一般に、下地導
体膜５０１は、約１００〜２００オングストロームの膜
厚を有するＴｉ膜で構成され、下地導体膜５０２は約１
５００オングストロームの膜厚を有するＣｕ膜として形
成される。磁性膜２のポール部２１及びその上に被着さ
れたギャップ膜３は、有機絶縁膜６１によって覆われて
いないので、これらの上にも、下地導体膜５０１及び５
０２が付着する。
【０００７】次に、図１５、図２１（ｃ）に示すよう
に、下地導体膜５０２の表面にポジレジスト膜６２を塗
布し、所定の温度及び時間的条件でソフトベークを行な
う。
に、下地導体膜５０２の表面にポジレジスト膜６２を塗
布し、所定の温度及び時間的条件でソフトベークを行な
う。
【０００８】次に、図１６に示すように、ポジレジスト
膜６２の上にフォトマスク１１を位置決めし、露光を行
なう。これにより、図１７に示すように、フォトマスク
１１のパターンと一致した均一な露光パターンが得られ
る。フォトマスク１１のパターンは渦巻状である。
膜６２の上にフォトマスク１１を位置決めし、露光を行
なう。これにより、図１７に示すように、フォトマスク
１１のパターンと一致した均一な露光パターンが得られ
る。フォトマスク１１のパターンは渦巻状である。
【０００９】次に、図１８に示すように、Ｃｕメッキ膜
でなる導体膜５０３をレジスト膜６２の除去された部分
６２１（図１７参照）に付着させる。これにより、ＣＵ
メッキ膜によるコイル状パターンの導体膜５０３が形成
される。
でなる導体膜５０３をレジスト膜６２の除去された部分
６２１（図１７参照）に付着させる。これにより、ＣＵ
メッキ膜によるコイル状パターンの導体膜５０３が形成
される。
【００１０】次に、図１９に示すように、レジスト膜６
２を除去した後、下地導体膜５０１、５０２のうち、導
体膜５０３の下にある部分を残して、他をイオンミリン
グで除去し、導体膜５０３によるコイルパターンに従っ
てパターン化する。これにより、図２０、図２１（ｄ）
に示すように、有機絶縁膜６１の上に、下地導体膜５０
１、５０２及び導体膜５０３の積層でなるコイル膜５が
形成される。
２を除去した後、下地導体膜５０１、５０２のうち、導
体膜５０３の下にある部分を残して、他をイオンミリン
グで除去し、導体膜５０３によるコイルパターンに従っ
てパターン化する。これにより、図２０、図２１（ｄ）
に示すように、有機絶縁膜６１の上に、下地導体膜５０
１、５０２及び導体膜５０３の積層でなるコイル膜５が
形成される。
【００１１】この後、図１３〜図２０の工程を繰返すこ
とにより、図１１及び図１２に示した如く、有機絶縁膜
６２、コイル膜５及び有機絶縁膜６３を積層し、更に有
機絶縁膜６３の表面に磁性膜４を形成し、その上から保
護膜１０をスパッタリング等の手段によって付着させ
る。
とにより、図１１及び図１２に示した如く、有機絶縁膜
６２、コイル膜５及び有機絶縁膜６３を積層し、更に有
機絶縁膜６３の表面に磁性膜４を形成し、その上から保
護膜１０をスパッタリング等の手段によって付着させ
る。
【００１２】上記実施例では、面内記録再生用の薄膜磁
気ヘッドの製造方法を示したが、垂直記録再生用の薄膜
磁気ヘッドの製造方法も同様の工程となる。
気ヘッドの製造方法を示したが、垂直記録再生用の薄膜
磁気ヘッドの製造方法も同様の工程となる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の薄膜磁気ヘッドでは、面内記録再生用及び垂直
記録再生用の別を問わず、図２２に示す如く、磁性膜２
のポール部２１の側面２１１、２１２及びその周辺に、
下地導体膜５０１、５０２を構成する金属成分（イ）が
付着し、付着した金属が酸化され、薄膜磁気ヘッドの特
性を劣化させ、品質及び信頼性を低下させるという問題
点があった。金属付着の原因としては、次の２つの理由
が考えられる。 （ａ）磁性膜２のポール部２１は、コイル膜形成工程を
通して、有機絶縁膜６１〜６３によって覆われることな
く、外部に露出しているから、下地導体膜５０１、５０
２が付着する。磁性膜２のポール部２１の表面に付着し
た下地導体膜５０１、５０２は、イオンミリングでほぼ
除去できるが、側面２１１、２１２に付着した下地導体
膜５０１、５０２は、イオンミリングによるイオンの照
射方向とほぼ平行になり、ポール部２１が影となり易い
めに、イオンミリングによって完全に除去することが困
難である。通常、磁性膜２はフレーム．メッキ法によっ
て形成されるので、その側面２１１、２１２は、図２３
に示すように、向かって角度θで開くオバーハング状の
傾斜面となっており、イオンミリングに対するシャドウ
作用が強く出る。このため、側面２１１、２１２に付着
した下地導体膜５０１、５０２の金属成分（イ）が完全
に除去されずに残る。 （ｂ）メッキ下地膜をイオンミリングで除去する際に、
磁性ポール２１の周辺の下地金属膜がポール２１の側面
に再付着される。
た従来の薄膜磁気ヘッドでは、面内記録再生用及び垂直
記録再生用の別を問わず、図２２に示す如く、磁性膜２
のポール部２１の側面２１１、２１２及びその周辺に、
下地導体膜５０１、５０２を構成する金属成分（イ）が
付着し、付着した金属が酸化され、薄膜磁気ヘッドの特
性を劣化させ、品質及び信頼性を低下させるという問題
点があった。金属付着の原因としては、次の２つの理由
が考えられる。 （ａ）磁性膜２のポール部２１は、コイル膜形成工程を
通して、有機絶縁膜６１〜６３によって覆われることな
く、外部に露出しているから、下地導体膜５０１、５０
２が付着する。磁性膜２のポール部２１の表面に付着し
た下地導体膜５０１、５０２は、イオンミリングでほぼ
除去できるが、側面２１１、２１２に付着した下地導体
膜５０１、５０２は、イオンミリングによるイオンの照
射方向とほぼ平行になり、ポール部２１が影となり易い
めに、イオンミリングによって完全に除去することが困
難である。通常、磁性膜２はフレーム．メッキ法によっ
て形成されるので、その側面２１１、２１２は、図２３
に示すように、向かって角度θで開くオバーハング状の
傾斜面となっており、イオンミリングに対するシャドウ
作用が強く出る。このため、側面２１１、２１２に付着
した下地導体膜５０１、５０２の金属成分（イ）が完全
に除去されずに残る。 （ｂ）メッキ下地膜をイオンミリングで除去する際に、
磁性ポール２１の周辺の下地金属膜がポール２１の側面
に再付着される。
【００１４】そこで、本発明の課題は、上述する従来の
問題点を解決し、磁性膜のポール部周辺に対する金属付
着をなくし、安定した磁気特性を有する高品質及び高信
頼度の薄膜磁気ヘッドを提供することである。
問題点を解決し、磁性膜のポール部周辺に対する金属付
着をなくし、安定した磁気特性を有する高品質及び高信
頼度の薄膜磁気ヘッドを提供することである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上述する課題を解決する
ため、本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、基体上に薄膜磁
気回路を有する。前記磁気回路は、磁性膜と、有機絶縁
膜と、コイル膜とを含む。前記磁性膜は、突出するポー
ル部を有して前記基体上に形成されている。前記有機絶
縁膜は、前記ポール部を除いて前記磁性膜を覆ってい
る。前記コイル膜は、前記有機絶縁膜によって支持され
ている。
ため、本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、基体上に薄膜磁
気回路を有する。前記磁気回路は、磁性膜と、有機絶縁
膜と、コイル膜とを含む。前記磁性膜は、突出するポー
ル部を有して前記基体上に形成されている。前記有機絶
縁膜は、前記ポール部を除いて前記磁性膜を覆ってい
る。前記コイル膜は、前記有機絶縁膜によって支持され
ている。
【００１６】前記有機絶縁膜によって覆われない前記ポ
ール部の側面と、前記基体の面とによって形成される角
部に絶縁充填膜が設けられている。前記絶縁充填膜は、
無機絶縁物でなり、前記ポール部側から前記基体側に向
かって下降傾斜する斜面を有し、前記コイル膜の下地導
体膜を構成する金属成分が前記ポール部周辺に付着する
のを防止するために用いられる。
ール部の側面と、前記基体の面とによって形成される角
部に絶縁充填膜が設けられている。前記絶縁充填膜は、
無機絶縁物でなり、前記ポール部側から前記基体側に向
かって下降傾斜する斜面を有し、前記コイル膜の下地導
体膜を構成する金属成分が前記ポール部周辺に付着する
のを防止するために用いられる。
【００１７】有機絶縁膜によって覆われないポール部の
側面と、基体の面とによって形成される角部に絶縁充填
膜が設けられており、絶縁充填膜は、ポール部側から基
体側に向かって下降傾斜する斜面を有するので、下地導
体膜の不要部分をイオンミリングによって除去する際、
ポール部の側面において、絶縁充填膜の傾斜面に付着し
ている下地導体膜が、イオンミリングの際のイオン照射
方向と向き合うようになり、ポール部が影になることが
ない。すなわち、絶縁充填膜は、コイル膜の下地導体膜
を構成する金属成分がポール部周辺に付着するのを防止
するために用いられる。このため、磁性膜のポール部の
側面及びその周辺に、下地導体膜を構成する金属成分が
付着することがなくなる。更に、前記効果によりミリン
グ効率が高まるため、再付着膜も完全に除去される。
側面と、基体の面とによって形成される角部に絶縁充填
膜が設けられており、絶縁充填膜は、ポール部側から基
体側に向かって下降傾斜する斜面を有するので、下地導
体膜の不要部分をイオンミリングによって除去する際、
ポール部の側面において、絶縁充填膜の傾斜面に付着し
ている下地導体膜が、イオンミリングの際のイオン照射
方向と向き合うようになり、ポール部が影になることが
ない。すなわち、絶縁充填膜は、コイル膜の下地導体膜
を構成する金属成分がポール部周辺に付着するのを防止
するために用いられる。このため、磁性膜のポール部の
側面及びその周辺に、下地導体膜を構成する金属成分が
付着することがなくなる。更に、前記効果によりミリン
グ効率が高まるため、再付着膜も完全に除去される。
【００１８】
【発明の実施の形態】図１は本発明に係る薄膜磁気ヘッ
ドの要部における斜視図、図２は同じくポール部の拡大
斜視図である。図において、図１１及び図１２と同一の
参照符号は同一性ある構成部分を示している。１２、１
３はアルミナ等で構成される絶縁充填膜である。これら
の絶縁充填膜１２、１３は、有機絶縁膜６によって覆わ
れないポール部２１の側面２１１、２１２と、基体１の
面とによって形成される角部に、その段差を埋めるよう
に充填されている。絶縁充填膜１２、１３は、ポール部
２１側から基体１側に向かって下降傾斜する斜面１２
１、１３１を有する。斜面１２１、１３１の形状は、曲
面であってもよい。
ドの要部における斜視図、図２は同じくポール部の拡大
斜視図である。図において、図１１及び図１２と同一の
参照符号は同一性ある構成部分を示している。１２、１
３はアルミナ等で構成される絶縁充填膜である。これら
の絶縁充填膜１２、１３は、有機絶縁膜６によって覆わ
れないポール部２１の側面２１１、２１２と、基体１の
面とによって形成される角部に、その段差を埋めるよう
に充填されている。絶縁充填膜１２、１３は、ポール部
２１側から基体１側に向かって下降傾斜する斜面１２
１、１３１を有する。斜面１２１、１３１の形状は、曲
面であってもよい。
【００１９】上述のような絶縁充填膜１２、１３がある
と、下地導体膜の不要部分をイオンミリングによって除
去する際に、ポール部２１が影になることがない。イオ
ンミリングの際のＡｒ＋イオンは、ポール部２１の側部
に位置する斜面１２１、１３１上にある下地導体膜に直
接に作用するようになる。すなわち、絶縁充填膜１２、
１３は、コイル膜５の下地導体膜を構成する金属成分が
ポール部周辺に付着するのを防止するために用いられ
る。このため、ポール部２１の側面及びその周辺に、下
地導体膜を構成する金属成分が付着することがなくな
る。次に、一般的な製造プロセスを参照して、更に具体
的に説明する。
と、下地導体膜の不要部分をイオンミリングによって除
去する際に、ポール部２１が影になることがない。イオ
ンミリングの際のＡｒ＋イオンは、ポール部２１の側部
に位置する斜面１２１、１３１上にある下地導体膜に直
接に作用するようになる。すなわち、絶縁充填膜１２、
１３は、コイル膜５の下地導体膜を構成する金属成分が
ポール部周辺に付着するのを防止するために用いられ
る。このため、ポール部２１の側面及びその周辺に、下
地導体膜を構成する金属成分が付着することがなくな
る。次に、一般的な製造プロセスを参照して、更に具体
的に説明する。
【００２０】図３〜図１０は本発明に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造工程を示す図である。図において、図６及び図
２１と同一の参照符号は同一性ある構成部分を示してい
る。
ドの製造工程を示す図である。図において、図６及び図
２１と同一の参照符号は同一性ある構成部分を示してい
る。
【００２１】まず、図３に示すように、基体１の上に形
成された磁性膜２及びギャップ膜３の上に、有機絶縁膜
６１を形成すると共に、有機絶縁膜６１によって覆われ
ていないポール部２１の端部側において、側面２１１、
２１２と基体１の面とによって形成される角部に、その
段差を埋めるように、絶縁充填膜１２、１３を充填して
おく。絶縁充填膜１２、１３は上述したようにアルミナ
等である。
成された磁性膜２及びギャップ膜３の上に、有機絶縁膜
６１を形成すると共に、有機絶縁膜６１によって覆われ
ていないポール部２１の端部側において、側面２１１、
２１２と基体１の面とによって形成される角部に、その
段差を埋めるように、絶縁充填膜１２、１３を充填して
おく。絶縁充填膜１２、１３は上述したようにアルミナ
等である。
【００２２】次に、図４に示すように、有機絶縁膜６１
の表面にスパッタリングにより下地導体膜５０１、５０
２を積層形成する。ポール部２１を覆っているギャップ
膜３及び絶縁充填膜１２、１３は、有機絶縁膜６１によ
って覆われていないので、これらの上にも、下地導体膜
５０１及び５０２が付着する。
の表面にスパッタリングにより下地導体膜５０１、５０
２を積層形成する。ポール部２１を覆っているギャップ
膜３及び絶縁充填膜１２、１３は、有機絶縁膜６１によ
って覆われていないので、これらの上にも、下地導体膜
５０１及び５０２が付着する。
【００２３】次に、図５に示すように、下地導体膜５０
２の表面にポジレジスト膜６２を塗布し、所定の温度及
び時間的条件でソフトベークを行なった後、図６に示す
ように、ポジレジスト膜６２の上にコイルパターンを有
するフォトマスク１１を位置決めし、露光、現像を行な
う。これにより、図７に示すように、フォトマスク１１
のパターンに従ってレジスト膜６２の除去された部分６
２１が得られる。
２の表面にポジレジスト膜６２を塗布し、所定の温度及
び時間的条件でソフトベークを行なった後、図６に示す
ように、ポジレジスト膜６２の上にコイルパターンを有
するフォトマスク１１を位置決めし、露光、現像を行な
う。これにより、図７に示すように、フォトマスク１１
のパターンに従ってレジスト膜６２の除去された部分６
２１が得られる。
【００２４】次に、図８に示すように、Ｃｕメッキ膜で
なる導体膜５０３を、レジスト膜６２の除去された部分
６２１に付着させる。これにより、ＣＵメッキ膜による
コイル状パターンの導体膜５０３が形成される。
なる導体膜５０３を、レジスト膜６２の除去された部分
６２１に付着させる。これにより、ＣＵメッキ膜による
コイル状パターンの導体膜５０３が形成される。
【００２５】次に、図９に示すように、レジスト膜６２
を除去した後、下地導体膜５０１、５０２を、導体膜５
０３の下にある部分を残して、他をイオンミリングで除
去し、導体膜５０３によるコイルパターンに従ってパタ
ーン化する。このとき、絶縁充填膜１２、１３の傾斜面
１２１、１３１上にある下地導体膜５０１、５０２に
も、Ａｒ＋イオンが充分に照射される。このため、図１
０に示すように、ポール部２１の側面及びその周辺に、
下地導体膜５０１、５０２を構成する金属成分を残留付
着させることなく、有機絶縁膜６１の上に、下地導体膜
５０１、５０２及び導体膜５０３の積層でなるコイル膜
５を形成できる。Ａｌ2Ｏ3等でなる絶縁充填膜１２、１
３は、除去せずにそのまま残しておく。
を除去した後、下地導体膜５０１、５０２を、導体膜５
０３の下にある部分を残して、他をイオンミリングで除
去し、導体膜５０３によるコイルパターンに従ってパタ
ーン化する。このとき、絶縁充填膜１２、１３の傾斜面
１２１、１３１上にある下地導体膜５０１、５０２に
も、Ａｒ＋イオンが充分に照射される。このため、図１
０に示すように、ポール部２１の側面及びその周辺に、
下地導体膜５０１、５０２を構成する金属成分を残留付
着させることなく、有機絶縁膜６１の上に、下地導体膜
５０１、５０２及び導体膜５０３の積層でなるコイル膜
５を形成できる。Ａｌ2Ｏ3等でなる絶縁充填膜１２、１
３は、除去せずにそのまま残しておく。
【００２６】この後、図３〜図１０の工程を繰返すこと
により、図１１及び図１２に示した如く、有機絶縁膜６
２、コイル膜５及び有機絶縁膜６３を積層し、更に有機
絶縁膜６３の表面に磁性膜４を形成し、その上から保護
膜１０をスパッタリング等の手段によって付着させる。
保護膜１０が絶縁充填膜１２、１３と同一の材料、例え
ばアルミナ等で構成された場合でも、両者間の接触界面
には、光学的手段等によって識別可能な境界が生じる。
これは、同一の材料を用いた場合でも、両者が異なるプ
ロセスを経るため、両者間で組成が異なり、屈折率が変
化する等の現象を伴うからと推測される。
により、図１１及び図１２に示した如く、有機絶縁膜６
２、コイル膜５及び有機絶縁膜６３を積層し、更に有機
絶縁膜６３の表面に磁性膜４を形成し、その上から保護
膜１０をスパッタリング等の手段によって付着させる。
保護膜１０が絶縁充填膜１２、１３と同一の材料、例え
ばアルミナ等で構成された場合でも、両者間の接触界面
には、光学的手段等によって識別可能な境界が生じる。
これは、同一の材料を用いた場合でも、両者が異なるプ
ロセスを経るため、両者間で組成が異なり、屈折率が変
化する等の現象を伴うからと推測される。
【００２７】実施例では、面内記録再生用の薄膜磁気ヘ
ッドを例にとって説明したが、垂直記録再生用の薄膜磁
気ヘッドにも同様に適用できる。
ッドを例にとって説明したが、垂直記録再生用の薄膜磁
気ヘッドにも同様に適用できる。
【００２８】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、ポ
ール部周辺に対する金属付着をなくし、安定した磁気特
性を有する高品質及び高信頼度の薄膜磁気ヘッドを提供
することができる。
ール部周辺に対する金属付着をなくし、安定した磁気特
性を有する高品質及び高信頼度の薄膜磁気ヘッドを提供
することができる。
【図１】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの磁気変換素子部
分の斜視図である。
分の斜視図である。
【図２】図１に示した磁気ヘッドのポール部の拡大斜視
図である。
図である。
【図３】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法におけ
る工程を示す図である。
る工程を示す図である。
【図４】図３に示した工程の後の工程を示す図である。
【図５】図４に示した工程の後の工程を示す図である。
【図６】図５に示した工程の後の工程を示す図である。
【図７】図６に示した工程の後の工程を示す図である。
【図８】図７に示した工程の後の工程を示す図である。
【図９】図８に示した工程の後の工程を示す図である。
【図１０】図９に示した工程の後の工程を示す図であ
る。
る。
【図１１】従来の薄膜磁気ヘッドの磁気変換素子部分の
斜視図である。
斜視図である。
【図１２】図１１に示した薄膜磁気ヘッドの断面図であ
る。
る。
【図１３】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法における工
程を示す図である。
程を示す図である。
【図１４】図１３に示した工程の後の工程を示す図であ
る。
る。
【図１５】図１４に示した工程の後の工程を示す図であ
る。
る。
【図１６】図１５に示した工程の後の工程を示す図であ
る。
る。
【図１７】図１６に示した工程の後の工程を示す図であ
る。
る。
【図１８】図１７に示した工程の後の工程を示す図であ
る。
る。
【図１９】図１８に示した工程の後の工程を示す図であ
る。
る。
【図２０】図１９に示した工程の後の工程を示す図であ
る。
る。
【図２１】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法における工
程を示す図である。
程を示す図である。
【図２２】従来の問題点を説明する図である。
【図２３】従来の問題点を説明する図である。
１ 基体 ２ 磁性膜 ２１ ポール部 ３ ギャップ膜 ５ コイル ５０１、５０２ 下地導体膜 ５０３ 導体膜 ６、６１〜６３ 有機絶縁膜 １２、１３ 絶縁充填膜
Claims (1)
- 【請求項１】 基体上に薄膜磁気回路を設けた薄膜磁気
ヘッドであって、 前記磁気回路は、磁性膜と、有機絶縁膜と、コイル膜と
を含み、 前記磁性膜は、突出するポール部を有して前記基体上に
形成されており、 前記有機絶縁膜は、前記ポール部を除いて前記磁性膜を
覆っており、 前記コイル膜は、前記有機絶縁膜によって支持されてお
り、 前記有機絶縁膜によって覆われない前記ポール部の側面
と、前記基体の面とによって形成される角部に、絶縁充
填膜が設けられており、 前記絶縁充填膜は、無機絶縁物でなり、前記ポール部側
から前記基体側に向かって下降傾斜する斜面を有し、前
記コイル膜の下地導体膜を構成する金属成分が前記ポー
ル部周辺に付着するのを防止するために用いられる薄膜
磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27295897A JP2774487B2 (ja) | 1997-10-06 | 1997-10-06 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27295897A JP2774487B2 (ja) | 1997-10-06 | 1997-10-06 | 薄膜磁気ヘッド |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14581989A Division JP2738743B2 (ja) | 1989-06-08 | 1989-06-08 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1083514A JPH1083514A (ja) | 1998-03-31 |
| JP2774487B2 true JP2774487B2 (ja) | 1998-07-09 |
Family
ID=17521166
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27295897A Expired - Fee Related JP2774487B2 (ja) | 1997-10-06 | 1997-10-06 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2774487B2 (ja) |
-
1997
- 1997-10-06 JP JP27295897A patent/JP2774487B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1083514A (ja) | 1998-03-31 |
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| JPS6250882B2 (ja) | ||
| JPH0518166B2 (ja) |
Legal Events
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