JPH0765321A - 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッド及びその製造方法Info
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- JPH0765321A JPH0765321A JP20624593A JP20624593A JPH0765321A JP H0765321 A JPH0765321 A JP H0765321A JP 20624593 A JP20624593 A JP 20624593A JP 20624593 A JP20624593 A JP 20624593A JP H0765321 A JPH0765321 A JP H0765321A
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- coil
- insulating layer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 薄膜磁気ヘッドのアペックス角を決定する第
１絶縁層の厚みのバラツキを抑えることによりオーバー
ライト等の磁気特性に優れ、パッド端子部のクラック剥
離のない信頼性の高い薄膜磁気ヘッド及びその製造方法
を提供する。 【構成】 セラミック基板１とセラミック基板１上の下
地絶縁層２上に順次積層された下地電極層３，下部磁性
層４，５，第１絶縁層７，第１コイル層８，第２絶縁層
９，第２コイル層１０，第３絶縁層１１，上部磁性層１
３，１４，保護層１５等からなる電磁変換部と、コイル
引き出し用パッド端子部とを備えた薄膜磁気ヘッドであ
って、パッド端子部の導電部が電磁変換部の第１コイル
層８，下地電極層１２，上部磁性層１３，１４と同一材
料からなり下地絶縁層２上にパッド端子部コイル層８
ａ，パッド端子部下地電極層１２ａ，パッド端子部上部
磁性層１３ａ，１４ａの順に積層され形成されている構
成を有している。
１絶縁層の厚みのバラツキを抑えることによりオーバー
ライト等の磁気特性に優れ、パッド端子部のクラック剥
離のない信頼性の高い薄膜磁気ヘッド及びその製造方法
を提供する。 【構成】 セラミック基板１とセラミック基板１上の下
地絶縁層２上に順次積層された下地電極層３，下部磁性
層４，５，第１絶縁層７，第１コイル層８，第２絶縁層
９，第２コイル層１０，第３絶縁層１１，上部磁性層１
３，１４，保護層１５等からなる電磁変換部と、コイル
引き出し用パッド端子部とを備えた薄膜磁気ヘッドであ
って、パッド端子部の導電部が電磁変換部の第１コイル
層８，下地電極層１２，上部磁性層１３，１４と同一材
料からなり下地絶縁層２上にパッド端子部コイル層８
ａ，パッド端子部下地電極層１２ａ，パッド端子部上部
磁性層１３ａ，１４ａの順に積層され形成されている構
成を有している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はハードディスク装置等に
搭載される記録再生用の薄膜磁気ヘッド及びその製造方
法に関するものである。
搭載される記録再生用の薄膜磁気ヘッド及びその製造方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ハードディスク装置等の小型化、
高密度記録化に伴い磁気ヘッドの小型化、電磁変換効率
の向上、低インピーダンス化が要求され、薄膜磁気ヘッ
ドが利用されている。
高密度記録化に伴い磁気ヘッドの小型化、電磁変換効率
の向上、低インピーダンス化が要求され、薄膜磁気ヘッ
ドが利用されている。
【０００３】以下に従来の薄膜磁気ヘッドについて説明
する。図４（ａ）は一般的な薄膜磁気ヘッド素子の基板
内での位置関係を示した図であり、図４（ｂ）は図４
（ａ）のＡ部の部分拡大図であり、図４（ｃ）は図４
（ａ）のＢ部の部分拡大図であり、図５は図４（ａ）の
要部断面図である。１はＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ等のセラミ
ック基板、２はセラミック基板１の上にスパッタリング
法により形成された下地絶縁層、３は下地絶縁層２の上
に蒸着法あるいはスパッタリング法等により形成された
Ｆｅ−Ｎｉの下地電極層、３ａは下地電極層３を形成時
に同様にして形成されたコイル引き出し用のパッド端子
部下地電極層、４，５は下地電極層３の上に電解メッキ
法により膜付けされた下部磁性層、４ａ，５ａは下部磁
性層４，５を形成時に同様にして形成されたパッド端子
部下部磁性層、６は下部磁性層５上に積層されたアルミ
ナ等の非磁性材料からなるギャップ層、７はギャップ層
６上に積層された薄膜磁気ヘッドのアペックス角を決定
するための第１層目の第１絶縁層、８は第１絶縁層７上
に積層された第１コイル層、８ａは第１コイル層８を形
成時に同様に形成されたコイル引き出し用のパッド端子
部コイル層、９は第１コイル層８を絶縁するための第２
絶縁層、１０は第２絶縁層９上に積層された第２コイル
層、１１は第２コイル層１０を絶縁する第３絶縁層、１
２は第３絶縁層１１上にスパッタリング法により形成さ
れた下地電極層、１２ａは下地電極層１２形成時に同様
にして形成されたパッド端子部下地電極層、１３，１４
は下地電極層１２上に電解メッキ法により膜付けされた
上部磁性層、１３ａ，１４ａは上部磁性層１３，１４を
膜付時に同様にして膜付けされたパッド端子部上部磁性
層、１５はＡｌ2 Ｏ3 の保護層である。
する。図４（ａ）は一般的な薄膜磁気ヘッド素子の基板
内での位置関係を示した図であり、図４（ｂ）は図４
（ａ）のＡ部の部分拡大図であり、図４（ｃ）は図４
（ａ）のＢ部の部分拡大図であり、図５は図４（ａ）の
要部断面図である。１はＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ等のセラミ
ック基板、２はセラミック基板１の上にスパッタリング
法により形成された下地絶縁層、３は下地絶縁層２の上
に蒸着法あるいはスパッタリング法等により形成された
Ｆｅ−Ｎｉの下地電極層、３ａは下地電極層３を形成時
に同様にして形成されたコイル引き出し用のパッド端子
部下地電極層、４，５は下地電極層３の上に電解メッキ
法により膜付けされた下部磁性層、４ａ，５ａは下部磁
性層４，５を形成時に同様にして形成されたパッド端子
部下部磁性層、６は下部磁性層５上に積層されたアルミ
ナ等の非磁性材料からなるギャップ層、７はギャップ層
６上に積層された薄膜磁気ヘッドのアペックス角を決定
するための第１層目の第１絶縁層、８は第１絶縁層７上
に積層された第１コイル層、８ａは第１コイル層８を形
成時に同様に形成されたコイル引き出し用のパッド端子
部コイル層、９は第１コイル層８を絶縁するための第２
絶縁層、１０は第２絶縁層９上に積層された第２コイル
層、１１は第２コイル層１０を絶縁する第３絶縁層、１
２は第３絶縁層１１上にスパッタリング法により形成さ
れた下地電極層、１２ａは下地電極層１２形成時に同様
にして形成されたパッド端子部下地電極層、１３，１４
は下地電極層１２上に電解メッキ法により膜付けされた
上部磁性層、１３ａ，１４ａは上部磁性層１３，１４を
膜付時に同様にして膜付けされたパッド端子部上部磁性
層、１５はＡｌ2 Ｏ3 の保護層である。
【０００４】ここで、パッド端子部下部磁性層４ａ，５
ａは下部磁性層４，５と同様に形成されている。
ａは下部磁性層４，５と同様に形成されている。
【０００５】以上のように構成された従来の薄膜磁気ヘ
ッドについて、以下その製造方法を説明する。図６は従
来の薄膜磁気ヘッドの下部磁性層４，５，第１絶縁層
７，第１コイル層８，第２絶縁層９の形成順序を示した
平面図であり、図７は従来の薄膜磁気ヘッドの第２コイ
ル層１０，第３絶縁層１１，上部磁性層１３，１４等の
形成順序を示した平面図である。
ッドについて、以下その製造方法を説明する。図６は従
来の薄膜磁気ヘッドの下部磁性層４，５，第１絶縁層
７，第１コイル層８，第２絶縁層９の形成順序を示した
平面図であり、図７は従来の薄膜磁気ヘッドの第２コイ
ル層１０，第３絶縁層１１，上部磁性層１３，１４等の
形成順序を示した平面図である。
【０００６】まずＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ等のセラミック基
板１の表面にＡｌ2 Ｏ3 の下地絶縁層２をスパッタリン
グ法により形成し、その下地絶縁層２の上にＦｅ−Ｎｉ
の下地電極層３を蒸着法あるいはスパッタリング法によ
り形成する。このとき、コイル引き出し用のパッド端子
部下地電極層３ａも同時に形成する。次に下地電極層３
の上にフォトレジストを塗布し、コア形状及びコイル引
き出し用のパッドのマスクを用いて露光・現像してコア
形状及びコイル引き出し用パッド形状をしたレジストを
形成した後、前記の方法により形成されたコア形状及び
コイル引き出し用パッド形状をしたレジストのない下地
電極層３の上に電解メッキ法により下部磁性層４，パッ
ド端子部下部磁性層４ａを膜付けする。更に下部磁性層
５，パッド端子部下部磁性層５ａも同様に膜付けを行
う。次に露光・現像を行いレジストを除去し、更にイオ
ンミリング法によりコア形状及びコイル引き出し用のパ
ッド形状以外の部分の下地電極層３を除去する。コア形
状をした下部磁性層５の上に薄膜磁気ヘッドのアペック
ス角を決定するための第１層目の第１絶縁層７を形成
し、その上に第１コイル層８を形成する。更に第１コイ
ル層８形成後は第２絶縁層９を形成し、更に第２コイル
層１０，第３絶縁層１１を形成する。また、第１コイル
層８を形成時にはコイル引き出し用のパッド端子部コイ
ル層８ａも同時に形成する。コイルの形成及びレジスト
による絶縁層の形成後はスパッタリング法により下地電
極層１２を形成する。次に下地電極層１２の上にフォト
レジストを塗布し、コア形状のマスクを用いて露光・現
像してコア形状をしたレジストを形成した後、前記方法
により形成されたコア形状をしたレジストのない下地電
極層１２の上に電解メッキ法により上部磁性層１３，１
４を膜付けする。
板１の表面にＡｌ2 Ｏ3 の下地絶縁層２をスパッタリン
グ法により形成し、その下地絶縁層２の上にＦｅ−Ｎｉ
の下地電極層３を蒸着法あるいはスパッタリング法によ
り形成する。このとき、コイル引き出し用のパッド端子
部下地電極層３ａも同時に形成する。次に下地電極層３
の上にフォトレジストを塗布し、コア形状及びコイル引
き出し用のパッドのマスクを用いて露光・現像してコア
形状及びコイル引き出し用パッド形状をしたレジストを
形成した後、前記の方法により形成されたコア形状及び
コイル引き出し用パッド形状をしたレジストのない下地
電極層３の上に電解メッキ法により下部磁性層４，パッ
ド端子部下部磁性層４ａを膜付けする。更に下部磁性層
５，パッド端子部下部磁性層５ａも同様に膜付けを行
う。次に露光・現像を行いレジストを除去し、更にイオ
ンミリング法によりコア形状及びコイル引き出し用のパ
ッド形状以外の部分の下地電極層３を除去する。コア形
状をした下部磁性層５の上に薄膜磁気ヘッドのアペック
ス角を決定するための第１層目の第１絶縁層７を形成
し、その上に第１コイル層８を形成する。更に第１コイ
ル層８形成後は第２絶縁層９を形成し、更に第２コイル
層１０，第３絶縁層１１を形成する。また、第１コイル
層８を形成時にはコイル引き出し用のパッド端子部コイ
ル層８ａも同時に形成する。コイルの形成及びレジスト
による絶縁層の形成後はスパッタリング法により下地電
極層１２を形成する。次に下地電極層１２の上にフォト
レジストを塗布し、コア形状のマスクを用いて露光・現
像してコア形状をしたレジストを形成した後、前記方法
により形成されたコア形状をしたレジストのない下地電
極層１２の上に電解メッキ法により上部磁性層１３，１
４を膜付けする。
【０００７】次に露光・現像を行いレジストを除去し、
更にイオンミリング法及びケミカルエッチング法により
コア形状以外の部分の下地電極層３を除去する。最後
に、Ａｌ2 Ｏ3 の保護層１５をスパッタリング法により
形成した後、表面がフラットになるまでラッピング加工
を行う。
更にイオンミリング法及びケミカルエッチング法により
コア形状以外の部分の下地電極層３を除去する。最後
に、Ａｌ2 Ｏ3 の保護層１５をスパッタリング法により
形成した後、表面がフラットになるまでラッピング加工
を行う。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の構成では、コア形状をした下部磁性層５の上に薄膜磁
気ヘッドのアペックス角を決定するための第１層目の第
１絶縁層７を形成するとき、コイル引き出し用のパッド
端子下部磁性層があり、しかもレジスト塗布後に図４
（ａ）のＧ方向へ基板がスピンコートする場合、遠心力
により、図４（ｂ）に示すように基板の左側ではレジス
トがコイル引き出し用のパッド端子部からコア側矢印ａ
へ流れ、また基板の右側ではレジストがコア側からコイ
ル引き出し用のパッド端子部側矢印ｂへ流れていた。
の構成では、コア形状をした下部磁性層５の上に薄膜磁
気ヘッドのアペックス角を決定するための第１層目の第
１絶縁層７を形成するとき、コイル引き出し用のパッド
端子下部磁性層があり、しかもレジスト塗布後に図４
（ａ）のＧ方向へ基板がスピンコートする場合、遠心力
により、図４（ｂ）に示すように基板の左側ではレジス
トがコイル引き出し用のパッド端子部からコア側矢印ａ
へ流れ、また基板の右側ではレジストがコア側からコイ
ル引き出し用のパッド端子部側矢印ｂへ流れていた。
【０００９】また、図４（ｃ）に示すような基板の右側
ではレジストがコイル引き出し用のパッド端子部からコ
ア側矢印ｃの方向へ流れ、基板の右側ではレジストが遠
心力によりコア側からコイル引き出し用のパッド端子部
側矢印ｄの方向へ流れていた。従って、薄膜磁気ヘッド
のアペックス角を決定するための第１層目の第１絶縁層
７の厚みが個々のヘッド素子で左側と右側とでは異なっ
た分布となっていた。この第１絶縁層は上部コアと下部
コアとの開き角（アペックス角）を決定する重要な絶縁
層であり、この分布が不均一になることにより薄膜磁気
ヘッドの絶縁等の信頼性及び出力時のオーバーライト特
性等を劣化させるという問題点があり、又、レジストに
膜応力が発生し、パッド端子部でのレジストのクラック
剥離を生じやすいという問題点があった。
ではレジストがコイル引き出し用のパッド端子部からコ
ア側矢印ｃの方向へ流れ、基板の右側ではレジストが遠
心力によりコア側からコイル引き出し用のパッド端子部
側矢印ｄの方向へ流れていた。従って、薄膜磁気ヘッド
のアペックス角を決定するための第１層目の第１絶縁層
７の厚みが個々のヘッド素子で左側と右側とでは異なっ
た分布となっていた。この第１絶縁層は上部コアと下部
コアとの開き角（アペックス角）を決定する重要な絶縁
層であり、この分布が不均一になることにより薄膜磁気
ヘッドの絶縁等の信頼性及び出力時のオーバーライト特
性等を劣化させるという問題点があり、又、レジストに
膜応力が発生し、パッド端子部でのレジストのクラック
剥離を生じやすいという問題点があった。
【００１０】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、薄膜磁気ヘッドの上部コアと下部コアとの開き角
（アペックス角）を決定する第１絶縁層の厚みのバラツ
キを抑えることによりオーバーライト等の磁気特性に優
れ、パッド端子部のクラック剥離のない信頼性の高い薄
膜磁気ヘッド及び第１絶縁層の厚みのバラツキを押さえ
電磁変換特性を著しく向上させた薄膜磁気ヘッドを高い
生産歩留りで低原価で量産することのできる薄膜磁気ヘ
ッド及びその製造方法を提供することを目的とする。
で、薄膜磁気ヘッドの上部コアと下部コアとの開き角
（アペックス角）を決定する第１絶縁層の厚みのバラツ
キを抑えることによりオーバーライト等の磁気特性に優
れ、パッド端子部のクラック剥離のない信頼性の高い薄
膜磁気ヘッド及び第１絶縁層の厚みのバラツキを押さえ
電磁変換特性を著しく向上させた薄膜磁気ヘッドを高い
生産歩留りで低原価で量産することのできる薄膜磁気ヘ
ッド及びその製造方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の請求項１の薄膜磁気ヘッドは、基板と前記基
板上の下地絶縁層上に順次積層された下地電極層，下部
磁性層，第１絶縁層，第１コイル層，第２絶縁層，第２
コイル層，第３絶縁層，上部磁性層，保護層等からなる
電磁変換部と、コイル引き出し用パッド端子部と、を備
えた薄膜磁気ヘッドであって、前記パッド端子部の導電
部が前記電磁変換部の前記コイル層，前記下地電極層，
前記上部磁性層と同一材料からなり前記下地絶縁層上に
前記コイル層，前記下地電極層，前記上部磁性層の順に
積層され形成されている構成を有している。
に本発明の請求項１の薄膜磁気ヘッドは、基板と前記基
板上の下地絶縁層上に順次積層された下地電極層，下部
磁性層，第１絶縁層，第１コイル層，第２絶縁層，第２
コイル層，第３絶縁層，上部磁性層，保護層等からなる
電磁変換部と、コイル引き出し用パッド端子部と、を備
えた薄膜磁気ヘッドであって、前記パッド端子部の導電
部が前記電磁変換部の前記コイル層，前記下地電極層，
前記上部磁性層と同一材料からなり前記下地絶縁層上に
前記コイル層，前記下地電極層，前記上部磁性層の順に
積層され形成されている構成を有している。
【００１２】請求項２の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、
基板と前記基板上の下地絶縁層上に順次積層された下地
電極層，下部磁性層，第１絶縁層，第１コイル層，第２
絶縁層，第２コイル層，第３絶縁層，上部磁性層，保護
層等からなる電磁変換部と、コイル引き出し用パッド端
子部と、を備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
前記電磁変換部の前記第１コイル層形成工程で前記パッ
ド端子部のコイル層を形成するコイル層形成工程と、前
記電磁変換部の前記下地電極層形成工程で前記パッド端
子部の下地電極層を形成する下地電極層形成工程と、前
記電磁変換部の前記上部磁性層形成工程で前記パッド端
子部の上部磁性層を形成する上部磁性層形成工程と、を
備えた構成を有している。
基板と前記基板上の下地絶縁層上に順次積層された下地
電極層，下部磁性層，第１絶縁層，第１コイル層，第２
絶縁層，第２コイル層，第３絶縁層，上部磁性層，保護
層等からなる電磁変換部と、コイル引き出し用パッド端
子部と、を備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
前記電磁変換部の前記第１コイル層形成工程で前記パッ
ド端子部のコイル層を形成するコイル層形成工程と、前
記電磁変換部の前記下地電極層形成工程で前記パッド端
子部の下地電極層を形成する下地電極層形成工程と、前
記電磁変換部の前記上部磁性層形成工程で前記パッド端
子部の上部磁性層を形成する上部磁性層形成工程と、を
備えた構成を有している。
【００１３】
【作用】この構成により、薄膜磁気ヘッドの上部コアと
下部コアとの開き角（アペックス角）を決定する第１絶
縁層の厚みを均一にすることができるので、ウェハー内
でのアペックス角及びオーバーライト時等の磁気特性に
バラツキを少なくすることができる。また、パッド端子
部のレジストのクラックや剥離等も防止できる。
下部コアとの開き角（アペックス角）を決定する第１絶
縁層の厚みを均一にすることができるので、ウェハー内
でのアペックス角及びオーバーライト時等の磁気特性に
バラツキを少なくすることができる。また、パッド端子
部のレジストのクラックや剥離等も防止できる。
【００１４】
【実施例】以下本発明の一実施例について、図面を参照
しながら説明する。図１は本発明の一実施例における薄
膜磁気ヘッド及びパッド端子部の要部断面図である。１
はセラミック基板、２は下地絶縁層、３は下地電極層、
４，５は下部磁性層、６はギャップ層、７は第１絶縁
層、８は第１コイル層、８ａはパッド端子部コイル層、
９は第２絶縁層、１０は第２コイル層、１１は第３絶縁
層、１２は下地電極層、１２ａはパッド端子部下地電極
層、１３，１４は上部磁性層、１３ａ，１４ａはパッド
端子部上部磁性層、１５は保護層であり、これらは従来
例と同様なものなので同一の番号を付し説明を省略す
る。
しながら説明する。図１は本発明の一実施例における薄
膜磁気ヘッド及びパッド端子部の要部断面図である。１
はセラミック基板、２は下地絶縁層、３は下地電極層、
４，５は下部磁性層、６はギャップ層、７は第１絶縁
層、８は第１コイル層、８ａはパッド端子部コイル層、
９は第２絶縁層、１０は第２コイル層、１１は第３絶縁
層、１２は下地電極層、１２ａはパッド端子部下地電極
層、１３，１４は上部磁性層、１３ａ，１４ａはパッド
端子部上部磁性層、１５は保護層であり、これらは従来
例と同様なものなので同一の番号を付し説明を省略す
る。
【００１５】以上のように構成された本発明の一実施例
における薄膜磁気ヘッドについて、その製造方法を説明
する。図２は本実施例における薄膜磁気ヘッドの下部磁
性層４，５，第１絶縁層７，第１コイル層８，第２絶縁
層９の形成順序を示した平面図であり、図３は本実施例
における薄膜磁気ヘッドの第２コイル層１０，第３絶縁
層１１，上部磁性層１３，１４等の形成順序を示した平
面図である。まず、Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ等のセラミック
基板１上に、Ａｌ2 Ｏ3 の下地絶縁層２をスパッタリン
グ法により形成し、その上に蒸着法あるいはスパッタリ
ング法によりＦｅ−Ｎｉの下地電極層３を形成する。次
に、下地電極層３の上にフォトレジストを塗布し、コア
形状のパッドのマスクを用いて露光・現像してコア形状
をしたレジストを形成する。その後、前記の方法により
形成したコア形状をしたレジストのない下地電極層３の
上に、電解メッキ法により下部磁性層４，５を膜付けす
る。次に、露光・現像を行いレジストを除去し、更にイ
オンミリング法及びケミカルエッチング法によりコア形
状以外の部分のパーマロイ層を除去する。次にコア形状
をした下部磁性層５の上に磁気ヘッドのアペックス角を
決定するための第１層目の第１絶縁層７を形成し、その
上に、第１コイル層８を形成する。コイル層形成には、
全面にスパッタリング法によりＣｕ電極膜を５０ｎｍ〜
１００ｎｍの厚みで膜付けする。その上に、コイルパタ
ーン上にレジストを形成し、そこにＣｕメッキによりコ
イル層を形成する。Ｃｕ電極膜の上に全面にレジストを
塗布した後に、Ｃｕのパターンのマスクにて露光・現像
してコイルパターンを形成する。コイル形成後は第２絶
縁層９を形成する。更に第２コイル層１０を形成し、第
３絶縁層１１を形成する。第１コイル層８，第２コイル
層１０の形成及びレジストによる第１絶縁層７，第２絶
縁層９，第３絶縁層１１の形成後はスパッタリング法に
より下地電極層１２を形成する。このとき、コイル引き
出し用のパッド端子部下地電極層１２ａも形成する。次
に、下地電極層１２の上にフォトレジストを塗布し、コ
ア形状及びコイル引き出し用のパッドのマスクを用いて
露光し、更に現像してコア形状及びコイル引き出し用の
パッド形状をしたレジストが形成される。その後、前記
の方法により形成したコア形状及びコイル引き出し用の
パッド形状をしたレジストのない下地電極層１２，パッ
ド端子部下地電極層１２ａの上に、電解メッキ法により
上部磁性層１３，パッド端子部上部磁性層１３ａ、次に
上部磁性層１４，パッド端子部上部磁性層１４ａを膜付
けする。このようにして、コア及びコイル引き出し用の
パッド端子部を形成する。次に、露光、現像を行いレジ
ストを除去し、更にイオンミリング法及びケミカルエッ
チング法によりコア形状及びコイル引き出し用のパッド
形状以外の部分の電極層ならびに磁性層を除去する。最
後に、Ａｌ2 Ｏ3 の保護層１５をスパッタリング法によ
り形成した後、表面がフラットになるようにラップ加工
する。
における薄膜磁気ヘッドについて、その製造方法を説明
する。図２は本実施例における薄膜磁気ヘッドの下部磁
性層４，５，第１絶縁層７，第１コイル層８，第２絶縁
層９の形成順序を示した平面図であり、図３は本実施例
における薄膜磁気ヘッドの第２コイル層１０，第３絶縁
層１１，上部磁性層１３，１４等の形成順序を示した平
面図である。まず、Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ等のセラミック
基板１上に、Ａｌ2 Ｏ3 の下地絶縁層２をスパッタリン
グ法により形成し、その上に蒸着法あるいはスパッタリ
ング法によりＦｅ−Ｎｉの下地電極層３を形成する。次
に、下地電極層３の上にフォトレジストを塗布し、コア
形状のパッドのマスクを用いて露光・現像してコア形状
をしたレジストを形成する。その後、前記の方法により
形成したコア形状をしたレジストのない下地電極層３の
上に、電解メッキ法により下部磁性層４，５を膜付けす
る。次に、露光・現像を行いレジストを除去し、更にイ
オンミリング法及びケミカルエッチング法によりコア形
状以外の部分のパーマロイ層を除去する。次にコア形状
をした下部磁性層５の上に磁気ヘッドのアペックス角を
決定するための第１層目の第１絶縁層７を形成し、その
上に、第１コイル層８を形成する。コイル層形成には、
全面にスパッタリング法によりＣｕ電極膜を５０ｎｍ〜
１００ｎｍの厚みで膜付けする。その上に、コイルパタ
ーン上にレジストを形成し、そこにＣｕメッキによりコ
イル層を形成する。Ｃｕ電極膜の上に全面にレジストを
塗布した後に、Ｃｕのパターンのマスクにて露光・現像
してコイルパターンを形成する。コイル形成後は第２絶
縁層９を形成する。更に第２コイル層１０を形成し、第
３絶縁層１１を形成する。第１コイル層８，第２コイル
層１０の形成及びレジストによる第１絶縁層７，第２絶
縁層９，第３絶縁層１１の形成後はスパッタリング法に
より下地電極層１２を形成する。このとき、コイル引き
出し用のパッド端子部下地電極層１２ａも形成する。次
に、下地電極層１２の上にフォトレジストを塗布し、コ
ア形状及びコイル引き出し用のパッドのマスクを用いて
露光し、更に現像してコア形状及びコイル引き出し用の
パッド形状をしたレジストが形成される。その後、前記
の方法により形成したコア形状及びコイル引き出し用の
パッド形状をしたレジストのない下地電極層１２，パッ
ド端子部下地電極層１２ａの上に、電解メッキ法により
上部磁性層１３，パッド端子部上部磁性層１３ａ、次に
上部磁性層１４，パッド端子部上部磁性層１４ａを膜付
けする。このようにして、コア及びコイル引き出し用の
パッド端子部を形成する。次に、露光、現像を行いレジ
ストを除去し、更にイオンミリング法及びケミカルエッ
チング法によりコア形状及びコイル引き出し用のパッド
形状以外の部分の電極層ならびに磁性層を除去する。最
後に、Ａｌ2 Ｏ3 の保護層１５をスパッタリング法によ
り形成した後、表面がフラットになるようにラップ加工
する。
【００１６】以上のように本実施例によれば、薄膜磁気
ヘッドのアペックス角を決定するための第１層目の第１
絶縁層７を形成する際に、コイル引き出し用のパッド端
子部下部磁性層４ａ，５ａがないため、コイル引き出し
用のパッド端子部からコア側へ、あるいは、コア側から
コイル引き出し用のパッド端子部側へレジストが流れる
ことがない。従って、薄膜磁気ヘッドのアペックス角を
決定するための第１層目の第１絶縁層７の厚みが個々の
ヘッド素子の左側と右側でも同じになり、また基板内で
も一定となる。
ヘッドのアペックス角を決定するための第１層目の第１
絶縁層７を形成する際に、コイル引き出し用のパッド端
子部下部磁性層４ａ，５ａがないため、コイル引き出し
用のパッド端子部からコア側へ、あるいは、コア側から
コイル引き出し用のパッド端子部側へレジストが流れる
ことがない。従って、薄膜磁気ヘッドのアペックス角を
決定するための第１層目の第１絶縁層７の厚みが個々の
ヘッド素子の左側と右側でも同じになり、また基板内で
も一定となる。
【００１７】
【発明の効果】以上のように本発明は、薄膜磁気ヘッド
の上部コアと下部コアとの開き角（アペックス角）を決
定する第１絶縁層の厚みを均一にすることができるの
で、ウェハー内でのアペックス角及びオーバーライト時
等のバラツキの少ない安定した電磁変換特性を発揮でき
る薄膜磁気ヘッドを実現できるものであり、また前記し
たような優れた電磁変換特性を備え、かつ、パッド端子
部のクラックや剥離のない高い歩留りで生産できる薄膜
磁気ヘッドの製造方法を実現できるものである。
の上部コアと下部コアとの開き角（アペックス角）を決
定する第１絶縁層の厚みを均一にすることができるの
で、ウェハー内でのアペックス角及びオーバーライト時
等のバラツキの少ない安定した電磁変換特性を発揮でき
る薄膜磁気ヘッドを実現できるものであり、また前記し
たような優れた電磁変換特性を備え、かつ、パッド端子
部のクラックや剥離のない高い歩留りで生産できる薄膜
磁気ヘッドの製造方法を実現できるものである。
【図１】本発明の一実施例における薄膜磁気ヘッド及び
パッド端子部の要部断面図
パッド端子部の要部断面図
【図２】（ａ）本実施例における薄膜磁気ヘッドの下部
磁性層の形成工程を示す平面図 （ｂ）本実施例における薄膜磁気ヘッドの下部磁性層の
形成工程を示す平面図 （ｃ）本実施例における薄膜磁気ヘッドの第１絶縁層の
形成工程を示す平面図 （ｄ）本実施例における薄膜磁気ヘッドの第１コイル層
及びパッド端子第１コル層の形成工程を示す平面図 （ｅ）本実施例における薄膜磁気ヘッドの第２絶縁層の
形成工程を示す平面図
磁性層の形成工程を示す平面図 （ｂ）本実施例における薄膜磁気ヘッドの下部磁性層の
形成工程を示す平面図 （ｃ）本実施例における薄膜磁気ヘッドの第１絶縁層の
形成工程を示す平面図 （ｄ）本実施例における薄膜磁気ヘッドの第１コイル層
及びパッド端子第１コル層の形成工程を示す平面図 （ｅ）本実施例における薄膜磁気ヘッドの第２絶縁層の
形成工程を示す平面図
【図３】（ａ）本実施例における薄膜磁気ヘッドの第２
コイル層の形成工程を示す平面図 （ｂ）本実施例における薄膜磁気ヘッドの第３絶縁層の
形成工程を示す平面図 （ｃ）本実施例における薄膜磁気ヘッドの上部磁性層及
びパッド端子部上部磁性層の形成工程を示す平面図 （ｄ）本実施例における薄膜磁気ヘッドの上部磁性層及
びパッド端子部上部磁性層の形成工程を示す平面図
コイル層の形成工程を示す平面図 （ｂ）本実施例における薄膜磁気ヘッドの第３絶縁層の
形成工程を示す平面図 （ｃ）本実施例における薄膜磁気ヘッドの上部磁性層及
びパッド端子部上部磁性層の形成工程を示す平面図 （ｄ）本実施例における薄膜磁気ヘッドの上部磁性層及
びパッド端子部上部磁性層の形成工程を示す平面図
【図４】（ａ）一般的な薄膜磁気ヘッド素子の基板内で
の位置関係を示した図 （ｂ）図４（ａ）のＡ部の部分拡大図 （ｃ）図４（ａ）のＢ部の部分拡大図
の位置関係を示した図 （ｂ）図４（ａ）のＡ部の部分拡大図 （ｃ）図４（ａ）のＢ部の部分拡大図
【図５】図４（ａ）の要部断面図
【図６】（ａ）従来の薄膜磁気ヘッドの下部磁性層及び
パッド端子部下部磁性層の形成工程を示す平面図 （ｂ）従来の薄膜磁気ヘッドの下部磁性層及びパッド端
子部下部磁性層の形成工程を示す平面図 （ｃ）従来の薄膜磁気ヘッドの第１絶縁層の形成工程を
示す平面図 （ｄ）従来の薄膜磁気ヘッドの第１コイル層及びパッド
端子部第１コイル層の形成工程を示す平面図 （ｅ）従来の薄膜磁気ヘッドの第２絶縁層の形成工程を
示す平面図
パッド端子部下部磁性層の形成工程を示す平面図 （ｂ）従来の薄膜磁気ヘッドの下部磁性層及びパッド端
子部下部磁性層の形成工程を示す平面図 （ｃ）従来の薄膜磁気ヘッドの第１絶縁層の形成工程を
示す平面図 （ｄ）従来の薄膜磁気ヘッドの第１コイル層及びパッド
端子部第１コイル層の形成工程を示す平面図 （ｅ）従来の薄膜磁気ヘッドの第２絶縁層の形成工程を
示す平面図
【図７】（ａ）従来の薄膜磁気ヘッドの第２コイル層の
形成工程を示す平面図 （ｂ）従来の薄膜磁気ヘッドの第３絶縁層の形成工程を
示す平面図 （ｃ）従来の薄膜磁気ヘッドの上部磁性層及びパッド端
子部上部磁性層の形成工程を示す平面図 （ｄ）従来の薄膜磁気ヘッドの上部磁性層及びパッド端
子部上部磁性層の形成工程を示す平面図
形成工程を示す平面図 （ｂ）従来の薄膜磁気ヘッドの第３絶縁層の形成工程を
示す平面図 （ｃ）従来の薄膜磁気ヘッドの上部磁性層及びパッド端
子部上部磁性層の形成工程を示す平面図 （ｄ）従来の薄膜磁気ヘッドの上部磁性層及びパッド端
子部上部磁性層の形成工程を示す平面図
１ セラミック基板 ２ 下地絶縁層 ３ 下地電極層 ３ａ パッド端子部下地電極層 ４，５ 下部磁性層 ４ａ，５ａ パッド端子部下部磁性層 ６ ギャップ層 ７ 第１絶縁層 ８ 第１コイル層 ８ａ パッド端子部コイル層 ９ 第２絶縁層 １０ 第２コイル層 １１ 第３絶縁層 １２ 下地電極層 １２ａ パッド端子部下地電極層 １３，１４ 上部磁性層 １３ａ，１４ａ パッド端子部上部磁性層 １５ 保護層
Claims (2)
- 【請求項１】基板と前記基板上の下地絶縁層上に順次積
層された下地電極層，下部磁性層，第１絶縁層，第１コ
イル層，第２絶縁層，第２コイル層，第３絶縁層，上部
磁性層，保護層等からなる電磁変換部と、コイル引き出
し用パッド端子部と、を備えた薄膜磁気ヘッドであっ
て、前記パッド端子部の導電部が前記電磁変換部の前記
コイル層，前記下地電極層，前記上部磁性層と同一材料
からなり前記下地絶縁層上に前記コイル層，前記下地電
極層，前記上部磁性層の順に積層されて形成されている
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】基板と前記基板上の下地絶縁層上に順次積
層された下地電極層，下部磁性層，第１絶縁層，第１コ
イル層，第２絶縁層，第２コイル層，第３絶縁層，上部
磁性層，保護層等からなる電磁変換部と、コイル引き出
し用パッド端子部と、を備えた薄膜磁気ヘッドの製造方
法であって、前記電磁変換部の前記第１コイル層形成工
程で前記パッド端子部の導電部のコイルリード層を形成
するコイル層形成工程と、前記電磁変換部の前記下地電
極層形成工程で前記導電部の下地電極層を形成する下地
電極層形成工程と、前記電磁変換部の上部磁性層形成工
程で前記導電部の上部磁性層を形成する上部磁性層形成
工程と、を備えたことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20624593A JPH0765321A (ja) | 1993-08-20 | 1993-08-20 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20624593A JPH0765321A (ja) | 1993-08-20 | 1993-08-20 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0765321A true JPH0765321A (ja) | 1995-03-10 |
Family
ID=16520147
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20624593A Pending JPH0765321A (ja) | 1993-08-20 | 1993-08-20 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0765321A (ja) |
-
1993
- 1993-08-20 JP JP20624593A patent/JPH0765321A/ja active Pending
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