JP2722948B2 - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は薄膜磁気ヘッドに関し、
特に薄膜磁気ヘッドを外部装置と接続する端子部の信頼
性の向上に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図５は従来の薄膜磁気ヘッドの正面図、
図６はこの薄膜磁気ヘッドの主要部の平面図、図７は図
６のＩ―Ｉ線断面図、図８は図５のＩＩ―ＩＩ線断面図
である。各図で同一の部分を示すものは同一の符号を付
してある。図５において、１０は例えば磁気ディスク等
の磁性媒体、１１は薄膜磁気ヘッドのコアを構成する上
部磁性膜、１２は上部磁性膜１１をも含む電磁変換素子
部、１３は後述するコイル引き出し電極の酸化を防止す
るためにその表面に形成されるＮｉＦｅメッキ膜、１４
は薄膜磁気ヘッドを図示しない外部装置に接続するため
の端子、１５は薄膜磁気ヘッドを保護する保護膜であ
る。図６において、１６は薄膜磁気ヘッドを固定して保
持及び移動等を行うための基板、１７は基板１６上に形
成される磁性膜等との絶縁を目的とする下部絶縁膜、１
８は上部磁性膜１１と共に薄膜磁気ヘッドのコアを構成
する下部磁性膜である。

【０００３】次に、図７においては図面右方向を上方向
として以後説明する。１９は下部コイル絶縁膜、２０は
下部コイル絶縁膜１９上にリング状に形成される導電材
からなるコイル、２１は下部コイル絶縁膜１９及びコイ
ル２０上に形成される上部コイル絶縁膜である。以上の
下部磁性膜１８、下部コイル絶縁膜１９、コイル２０、
上部コイル絶縁膜２１、上部磁性膜１１から構成されて
いる電磁変換素子部１２（図５及び図６）が薄膜磁気ヘ
ッドの主要部である。図８において、２２はコイル２０
と端子１４とを接続するためのコイル引き出し電極であ
る。２３は端子１４の下に生じる空洞であり、後で詳細
に説明する。

【０００４】まず、このような従来の薄膜磁気ヘッドの
製造工程を説明する。下部絶縁膜１７上にＮｉＦｅメッ
キ膜からなる下部磁性膜１８を形成した後、フォトレジ
ストからなる下部コイル絶縁膜１９をフォトリソグラフ
ィ工程により下部磁性膜１８上及びその右側方に形成す
る。加熱処理をして下部コイル絶縁膜１９を固くした
後、その上にＣｕメッキ工程によりコイル２０を下部磁
性膜１８と上部磁性膜１１とからなるコアの回りに巻い
たような形状に形成する。コイル２０と同時にコイル引
き出し電極２２をコイル２０と端子１４とを電気的に接
続するような形に形成する。

【０００５】次に、フォトレジストからなる上部コイル
絶縁膜２１をフォトリソグラフィ工程によりコイル２０
上に形成し、加熱処理をして固くした後、上部コイル絶
縁膜２１上にＮｉＦｅメッキ膜からなる上部磁性膜１１
を形成する。コイル引き出し電極２２上にその酸化を防
ぐためのＮｉＦｅメッキ膜１３を上部磁性膜１１と同時
に形成する。なお、下部磁性膜１８の左端と上部磁性膜
１１の左端との間に図示しないギャップ膜をスパッタ工
程によって３０００〜４０００Åの厚さで形成してお
り、これが薄膜磁気ヘッドのコアのギャップである。

【０００６】図８に示す端子部においては、ＮｉＦｅメ
ッキ膜１３上にフォトレジストで端子１４の形成部を除
いて全面を覆ったパターンを１５μｍの厚さで形成し、
端子１４をＣｕメッキ工程により電磁変換素子部１２と
同等以上の厚さになるように５０〜６０μｍの厚さに形
成する。形成の際、端子１４の断面形状は上部が左右に
広がる傘状になる。その理由は、フォトレジストの厚さ
までは垂直に端子１４を形成できるが、フォトレジスト
以上の厚さの部分は端子１４がパターン上にはみ出して
しまうためである。フォトレジストを除去した後、保護
膜１５を電磁変換素子部１２上をすべて覆うように形成
する。その後、端子１４が保護膜１５の表面上に露出す
るまで表面を研磨して薄膜磁気ヘッドが完成する。

【０００７】このような薄膜磁気ヘッドにおいて磁気記
録時は、端子１４に接続されたコイル２０に図示しない
外部装置から交流電流を流してコアのギャップから磁界
を発生し、図７の矢印方向に移動する磁性媒体１０上に
電流変化を残留磁束密度の変化として記録する。磁気再
生時は、磁性媒体１０の磁束の変化がコイル２０に微弱
な誘導電圧として発生し、発生した誘導電圧を端子１４
から図示しない外部装置に出力する。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】保護膜１５は、磁性媒
体１０と対向する面の加工等により保護膜１５のみが偏
って削れて、磁性媒体１０と対向する面の保護膜１５の
削れた部分にゴミが溜まるのを防ぐため、基板１６と同
等の固さが必要とされる。よって、保護膜１５はアルミ
ナからなり、スパッタ工程によって垂直方向に形成され
る割合が高く左右に広がらないので、傘の下部に形成さ
れることがない。その結果、傘の下部に空洞２３ができ
る。

【０００９】端子１４を保護膜１５の表面上に出すため
の上記の研磨工程及び取扱い等による外部からの衝撃が
端子１４に加えられた場合、空洞２３の下部付近のコイ
ル引き出し電極２２とＮｉＦｅメッキ膜１３とに力が加
えられる。基板１６、下部絶縁膜１７、保護膜１５が固
く、かつコイル引き出し電極２２、ＮｉＦｅメッキ膜１
３が各々４μｍと薄いので、この力によってコイル引き
出し電極２２とＮｉＦｅメッキ膜１３とにクラックが発
生する。したがって、コイル引き出し電極２２と端子１
４との電気的接続が不安定になり、交流電流と誘導電圧
とからなる信号の入出力の信頼性が十分ではなかった。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は、下部絶縁膜上
に形成される端子台座膜と、端子台座膜上にまで延びる
ような形状でコイル引き出し電極上に形成されるＮｉＦ
ｅメッキ膜と、端子台座膜が形成される部分のＮｉＦｅ
メッキ膜上に形成される端子とを有することを特徴とす
る。

【００１１】

【作用】本発明によれば、薄膜磁気ヘッドの端子の下層
に絶縁膜を形成して所望の高さを得ることによって端子
のメッキ厚を薄くすることができるので、端子下部での
空洞の発生を防ぐことができる。

【００１２】

【実施例】以下本発明の実施例を図面を用いて説明す
る。図１は本発明の一実施例を示す薄膜磁気ヘッドの端
子部の断面図である。電磁変換素子部１２については従
来例の図６、図７と同様である。１はコイル引き出し電
極、２は端子の厚さを薄くするために所定の高さに形成
されるフォトレジストからなる端子台座膜、３は上部磁
性膜１１と同時に形成されるＮｉＦｅメッキ膜、４は端
子である。従来例を示す図８と同様の部分には同一の符
号が付してある。

【００１３】まず、本発明の薄膜磁気ヘッドの端子部の
製造工程を説明する。コイル２０と同時に形成されるコ
イル引き出し電極１は図８の例と異なり、端子４の下層
には形成されない。この理由は、端子４の下層まで形成
されても端子台座膜２がその上部に形成されるので、コ
イル引き出し電極１が隠されてＮｉＦｅメッキ膜３と電
気的に接続されることがないためである。

【００１４】上部コイル絶縁膜２１を形成した後、端子
台座膜２を下部絶縁膜１７上の端子４の下層となる部分
にレジストを塗布してフォトレジスト露光技術によって
形成する。フォトレジストの膜厚は少なくとも１０〜１
５μｍにする。前記工程で形成された端子台座膜２を２
００〜３００℃の温度で加熱処理をして固くする。この
ときに端子台座膜２の断面形状は、加熱処理されること
により下部が広がった台形状になる。

【００１５】コイル引き出し電極１及び端子台座膜２上
にＮｉＦｅメッキ膜３を上部磁性膜１１の形成と同時
に、コイル引き出し電極１と端子４とを電気的に接続す
るような形状に形成する。端子台座膜２を形成した部分
のＮｉＦｅメッキ膜３上に端子のフォトレジストパター
ンをフォトレジスト露光技術で形成し、Ｃｕメッキによ
り端子４を形成する。端子のフォトレジストパターンの
膜厚は１５μｍ以上とし、端子４のＣｕメッキ膜厚は端
子台座膜２の厚さの分だけ少なくてすむため２０μｍ程
度とする。端子４がＮｉＦｅメッキ膜３の上に形成され
ることによりコイル引き出し電極１と端子４とが電気的
に接続される。フォトレジストパターンを除去した後、
保護膜１７をその上から形成する。完成した薄膜磁気ヘ
ッドは端子４のメッキ膜厚が薄く、かつ端子台座膜２の
断面形状が台形なので、端子４下部及び端子台座膜２側
面での空洞の発生を防ぐことができる。

【００１６】図２は本発明の他の実施例を示す薄膜磁気
ヘッドの端子部の断面図である。この実施例は、図１の
実施例の薄膜磁気ヘッドと比べてＮｉＦｅメッキ膜３が
端子台座膜２をすべて覆う構造となっている。この場合
は端子台座膜２の台形状の側面における空洞の発生を更
に抑えられるので、より信頼性を向上することができ
る。

【００１７】図３は本発明の他の実施例を示す薄膜磁気
ヘッドの端子部の断面図である。下部磁性膜１８の形成
までは図７と同工程であるが、第１の端子台座膜２ａを
下部コイル絶縁膜１９と同時に形成する。加熱処理をし
た後、コイル引きだし電極１を図１の実施例と同様に形
成する。次に、第２の端子台座膜２ｂを上部コイル絶縁
膜２１と同時に形成する。再び加熱処理した後の工程は
図１の実施例と同様である。本実施例では、第２の端子
台座膜２ｂは第１の端子台座膜２ａより小さく、その各
々が台形状に形成されており、第１の端子台座膜２ａ及
び第２の端子台座膜２ｂを合わせた全体としても台形状
になって図１の例と同様の効果を得ている。また、第１
の絶縁膜２ａと第２の絶縁膜２ｂとを、下部コイル絶縁
膜１９と上部コイル絶縁膜２１と各々同時に形成するこ
とにより、図１のように絶縁膜２の形成及び加熱処理を
新規の独立した工程とする必要がなく、図１の実施例と
比べて工程数を減らすことができる。

【００１８】図４は本発明の他の実施例を示す薄膜磁気
ヘッドの端子部の断面図である。図２と同様に、第１の
端子台座膜２ａ，第２の端子台座膜２ｂをすべてＮｉＦ
ｅメッキ膜３で覆う構造であり、図３の構造に比べてよ
り信頼性を向上することができる。

【００１９】

【発明の効果】以上の説明のように本発明によれば、端
子下部の空洞の発生を防ぐことができるので、外部から
端子に衝撃が加えられてもＮｉＦｅメッキ膜及びコイル
引き出し電極にクラックが発生せず、交流電流と誘導電
圧とからなる信号の入出力の信頼性が高い薄膜磁気ヘッ
ドができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの一実施例におけ
る端子部の断面図である。

【図２】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの他の実施例にお
ける端子部の断面図である。

【図３】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの他の実施例にお
ける端子部の断面図である。

【図４】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの他の実施例にお
ける端子部の断面図である。

【図５】従来例の薄膜磁気ヘッドの正面図である。

【図６】従来例の薄膜磁気ヘッドの主要部の平面図であ
る。

【図７】図６のＩ―Ｉ線断面図である。

【図８】図５のＩＩ―ＩＩ線断面図である。

【符号の説明】

１ コイル引き出し電極 ２ 端子台座膜 ２ａ 第１の端子台座膜 ２ｂ 第２の端子台座膜 ３ ＮｉＦｅメッキ膜 ４ 端子 １０ 磁性媒体 １１ 上部磁性膜 １２ 電磁変換素子部 １５ 保護膜 １６ 基板 １７ 下部絶縁膜 １８ 下部磁性膜 １９ 下部コイル絶縁膜 ２０ コイル ２１ 上部コイル絶縁膜

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板の下部絶縁膜上に形成される下部磁
   性膜と、前記下部磁性膜上に形成される下部コイル絶縁
   膜と、前記下部コイル絶縁膜上に形成されるコイルと、
   前記コイルと接続されるコイル引き出し電極と、前記コ
   イル上に形成される上部コイル絶縁膜と、前記上部コイ
   ル絶縁膜上に形成される上部磁性膜と、前記各構成要素
   を保護する保護膜とを有する薄膜磁気ヘッドにおいて、 前記下部絶縁膜上に形成される端子台座膜と、前記端子
   台座膜上にまで延びるような形状で前記コイル引き出し
   電極上に形成されるＮｉＦｅメッキ膜と、前記端子台座
   膜が形成される部分の前記ＮｉＦｅメッキ膜上に形成さ
   れる端子とを有することを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
2. 【請求項２】 請求項１記載の薄膜磁気ヘッドにおい
   て、前記端子台座膜は前記下部絶縁膜上に形成される第
   １の端子台座膜と、前記第１の端子台座膜上に形成され
   る第２の端子台座膜とからなることを特徴とする薄膜磁
   気ヘッド。