JP2505594B2 - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JP2505594B2 JP2505594B2 JP1230562A JP23056289A JP2505594B2 JP 2505594 B2 JP2505594 B2 JP 2505594B2 JP 1230562 A JP1230562 A JP 1230562A JP 23056289 A JP23056289 A JP 23056289A JP 2505594 B2 JP2505594 B2 JP 2505594B2
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- insulating layer
- film magnetic
- magnetic
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/10—Structure or manufacture of housings or shields for heads
- G11B5/11—Shielding of head against electric or magnetic fields
- G11B5/112—Manufacture of shielding device
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
- G11B5/3143—Disposition of layers including additional layers for improving the electromagnetic transducing properties of the basic structure, e.g. for flux coupling, guiding or shielding
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 本発明は薄膜磁気読出し/書込みヘツドに関するもの
である。特に、本発明は薄膜磁気ヘツドに用いられる磁
極又はコア材料の電気的接地方法に関するものである。
である。特に、本発明は薄膜磁気ヘツドに用いられる磁
極又はコア材料の電気的接地方法に関するものである。
電算機システムが巨大化し、高密度記憶媒体に対する
需要が増大することによつて、磁気記録ヘツドは増大す
る記憶密度に対する要求に応えるように進歩してきてい
る。磁気記録密度を増大させる1つの方法は、高度に密
なかつ高度に集中したはみだし磁界(フリンジ フイー
ルド)を持つ読出し/書込み磁気ヘツドを用いるもので
ある。はみだし磁界というのは磁気ヘツドの2つの磁極
間に形成されるギヤツプの外にはみだす磁界のことであ
る。改善されたはみだし磁界は、読出し/書込みヘツド
の大きさを小さくすることによつて、特に読出し/書込
みヘツドの2つの磁極間のギヤツプを小さくすることに
よつて達成された。
需要が増大することによつて、磁気記録ヘツドは増大す
る記憶密度に対する要求に応えるように進歩してきてい
る。磁気記録密度を増大させる1つの方法は、高度に密
なかつ高度に集中したはみだし磁界(フリンジ フイー
ルド)を持つ読出し/書込み磁気ヘツドを用いるもので
ある。はみだし磁界というのは磁気ヘツドの2つの磁極
間に形成されるギヤツプの外にはみだす磁界のことであ
る。改善されたはみだし磁界は、読出し/書込みヘツド
の大きさを小さくすることによつて、特に読出し/書込
みヘツドの2つの磁極間のギヤツプを小さくすることに
よつて達成された。
磁気ヘツドの寸法は、より小さいものを得るための技
術開発によつて、着実に小型化してきた。非常に小型の
磁気記録ヘツドを作製する1つの方法は、薄膜技術を用
いるものである。この製造方法を用いることによつて、
磁気記録ヘツドは半導体集積回路が製造されるのとほと
んど同じように作られる。ウエーハに対するマスク形成
や選択的な材料被着の一連の工程を経て、微小薄膜磁気
読出し/書込みヘッドが製造される。
術開発によつて、着実に小型化してきた。非常に小型の
磁気記録ヘツドを作製する1つの方法は、薄膜技術を用
いるものである。この製造方法を用いることによつて、
磁気記録ヘツドは半導体集積回路が製造されるのとほと
んど同じように作られる。ウエーハに対するマスク形成
や選択的な材料被着の一連の工程を経て、微小薄膜磁気
読出し/書込みヘッドが製造される。
しかし、そのような小型の薄膜磁気ヘツドには数多く
の問題点がある。ヘツドは雑音に対して高い感度を持
つ。更に、薄膜ヘツドと周辺の材料との分離に付随する
浮遊容量が、薄膜ヘツドを用いた磁気記録システムの特
性を制約する傾向がある。特に、読出し動作の間の薄膜
磁気ヘツドの特性は、浮游容量をなくし、周囲環境から
の雑音に対するヘツドの感度を下げることによつて改善
することができる。
の問題点がある。ヘツドは雑音に対して高い感度を持
つ。更に、薄膜ヘツドと周辺の材料との分離に付随する
浮遊容量が、薄膜ヘツドを用いた磁気記録システムの特
性を制約する傾向がある。特に、読出し動作の間の薄膜
磁気ヘツドの特性は、浮游容量をなくし、周囲環境から
の雑音に対するヘツドの感度を下げることによつて改善
することができる。
本発明において、上述の浮遊容量と雑音感度による問
題点は、薄膜磁気ヘツドの磁極またはコア材料を電気的
に接地することによつて減ずることができる。磁気ヘツ
ドの中に導電性の柱(stud)を設け、それによつて磁気
コア材料を薄膜ヘツドが載つているベースまたはフライ
ヤ基板材料へ電気的に接続する。先ず、導電性柱をベー
スまたはフライヤ材料上へ堆積する。全ウエーハ上へベ
ース被覆を堆積してベースまたはフライヤ基板の露出部
および柱を被覆する。次に基板表面を研磨して、導電性
柱上からベース被覆を除去し、柱表面を露出させる。次
にベース被覆及び柱の上へコア材料を堆積する。この堆
積工程によつて、コア材料が導電性柱と電気的に接触す
るようになり、薄膜磁気ヘツドのコアと基板との間に電
気回路が作られる。
題点は、薄膜磁気ヘツドの磁極またはコア材料を電気的
に接地することによつて減ずることができる。磁気ヘツ
ドの中に導電性の柱(stud)を設け、それによつて磁気
コア材料を薄膜ヘツドが載つているベースまたはフライ
ヤ基板材料へ電気的に接続する。先ず、導電性柱をベー
スまたはフライヤ材料上へ堆積する。全ウエーハ上へベ
ース被覆を堆積してベースまたはフライヤ基板の露出部
および柱を被覆する。次に基板表面を研磨して、導電性
柱上からベース被覆を除去し、柱表面を露出させる。次
にベース被覆及び柱の上へコア材料を堆積する。この堆
積工程によつて、コア材料が導電性柱と電気的に接触す
るようになり、薄膜磁気ヘツドのコアと基板との間に電
気回路が作られる。
コアと基板との間の柱を介しての電気回路は、コア材
料とベース基板との間の浮遊容量を電気的に短絡してし
まう。更に、磁気コアを電気的に接地することによつ
て、この薄膜磁気ヘツドはそれの動作環境内に存在する
雑音信号に対してより鈍感となる。
料とベース基板との間の浮遊容量を電気的に短絡してし
まう。更に、磁気コアを電気的に接地することによつ
て、この薄膜磁気ヘツドはそれの動作環境内に存在する
雑音信号に対してより鈍感となる。
第1図は、薄膜磁気ヘツド10の断面図である。薄膜ヘ
ツド10はベースまたは「フライヤ(fryer)」基板12と
磁極またはコア14を含んでいる。フライヤ基板12は、例
えば、アルシマグ(ALSIMAG)材料を含んでいる。代表
的な場合、コア14はパーマロイ等の磁性材料の薄膜層を
用いて形成される。コア14は前面上部16と前面下部18を
有している。前面上部16と前面下部18は上側磁極端20と
下側磁極端22を形成しそれらの間にギヤツプ24が形成さ
れる。コア14はまた裏面上部26と裏面下部28を含んでい
る。コア14の前面上部と下部16と18及び裏面上部と下部
26と28とは中央領域またはビア30で出会う。
ツド10はベースまたは「フライヤ(fryer)」基板12と
磁極またはコア14を含んでいる。フライヤ基板12は、例
えば、アルシマグ(ALSIMAG)材料を含んでいる。代表
的な場合、コア14はパーマロイ等の磁性材料の薄膜層を
用いて形成される。コア14は前面上部16と前面下部18を
有している。前面上部16と前面下部18は上側磁極端20と
下側磁極端22を形成しそれらの間にギヤツプ24が形成さ
れる。コア14はまた裏面上部26と裏面下部28を含んでい
る。コア14の前面上部と下部16と18及び裏面上部と下部
26と28とは中央領域またはビア30で出会う。
第1図の薄膜ヘツド10は導体32と34で形成された2つ
のコア巻線を用いている。導体32と34はコア14の中央ま
たはビア30のまわりにコイル状に形成されており、巻線
の一部がコア14の前面上部16と下部18の間にはさまれて
おり、また巻線の一部がコア14の裏面上部26と下部28の
間にはさまれている。コア14はベース被覆36によつて基
板12から分離されている。典型的なベース被覆36はAl2O
3のような絶縁体である。前面上部16と下部18の間の領
域は絶縁性材料38で充填されている。典型的な絶縁性材
料38はフオトレジストである。上側磁極端20と下側磁極
端22との間のギヤツプ24にはアルミナAl2O3が満たされ
ている。絶縁性材料38またはコア14の裏面上部26と下部
28との間にもはさまれている。
のコア巻線を用いている。導体32と34はコア14の中央ま
たはビア30のまわりにコイル状に形成されており、巻線
の一部がコア14の前面上部16と下部18の間にはさまれて
おり、また巻線の一部がコア14の裏面上部26と下部28の
間にはさまれている。コア14はベース被覆36によつて基
板12から分離されている。典型的なベース被覆36はAl2O
3のような絶縁体である。前面上部16と下部18の間の領
域は絶縁性材料38で充填されている。典型的な絶縁性材
料38はフオトレジストである。上側磁極端20と下側磁極
端22との間のギヤツプ24にはアルミナAl2O3が満たされ
ている。絶縁性材料38またはコア14の裏面上部26と下部
28との間にもはさまれている。
第1図には更に、コア14のベース基板12とビア30との
間にベース被覆38を貫通して延びる導電性柱40が示され
ている。導電性柱40はビア30を通してコア14と、ベース
基板12とに接触している。導電性柱40を通してコア14と
ベース基板12との間に電気回路が形成される。
間にベース被覆38を貫通して延びる導電性柱40が示され
ている。導電性柱40はビア30を通してコア14と、ベース
基板12とに接触している。導電性柱40を通してコア14と
ベース基板12との間に電気回路が形成される。
作製中に、薄膜ヘツド10と同様のヘツドがベース基板
12の表面全体上に堆積される。第1図に示されたように
薄膜ヘツド10の層が堆積された後、ヘツド10が載ってい
るベース基板12が、各々ベース基板12の一部に載つた数
多くの薄膜ヘツドのチツプに分割、切出され、上側磁極
端20と下側磁極端22とギヤツプ24が露出される。次にギ
ヤツプ24と磁極端20と22は一般に内側へ、薄膜ヘツド10
の中央部へ向かつて、望みの寸法だけ研磨される。この
研磨工程はギヤツプ24の露出部をダヤモンド スラリー
(Slurry)によつて研磨するものである。薄膜ヘツド10
の導体32と34に対して電極(図示されている)が設けら
れる。完成したヘツドは次にコンピユータデイスクのよ
うな磁気記録媒体上でデータの読み書きを行なうため
に、何らかの保持体(図示されていない)へとりつけら
れる。
12の表面全体上に堆積される。第1図に示されたように
薄膜ヘツド10の層が堆積された後、ヘツド10が載ってい
るベース基板12が、各々ベース基板12の一部に載つた数
多くの薄膜ヘツドのチツプに分割、切出され、上側磁極
端20と下側磁極端22とギヤツプ24が露出される。次にギ
ヤツプ24と磁極端20と22は一般に内側へ、薄膜ヘツド10
の中央部へ向かつて、望みの寸法だけ研磨される。この
研磨工程はギヤツプ24の露出部をダヤモンド スラリー
(Slurry)によつて研磨するものである。薄膜ヘツド10
の導体32と34に対して電極(図示されている)が設けら
れる。完成したヘツドは次にコンピユータデイスクのよ
うな磁気記録媒体上でデータの読み書きを行なうため
に、何らかの保持体(図示されていない)へとりつけら
れる。
動作時には、磁気記憶媒体が、ギヤツプ24を構成する
上側及び下側磁極端20と22のそばに置かれる。読出し動
作時には、移動する記憶媒体によつてもたらされる変化
する磁界が、コア14の前面上部と下部16と18によつて形
成される上側及び下側磁極端20と22上に磁界を印加す
る。この印加された磁界はコア14の前面上部16、ビア3
0、前面下部18を通して導体32と34付近へ運ばれる。こ
れによつて導体32と34中に電流が誘起される。この電流
は移動する磁気記憶媒体によつて発生した磁界を表わし
ている。書込み動作時には、導体32または導体34中を流
れる電流が生成される。この結果コア14中に磁界が生
じ、それが、コア14の上側及び下側の磁極端20と22の間
に形成されたギヤツプ24におけるはみだし効果(フリン
ジング効果)によつて記憶媒体(図示されていない)へ
印加される。
上側及び下側磁極端20と22のそばに置かれる。読出し動
作時には、移動する記憶媒体によつてもたらされる変化
する磁界が、コア14の前面上部と下部16と18によつて形
成される上側及び下側磁極端20と22上に磁界を印加す
る。この印加された磁界はコア14の前面上部16、ビア3
0、前面下部18を通して導体32と34付近へ運ばれる。こ
れによつて導体32と34中に電流が誘起される。この電流
は移動する磁気記憶媒体によつて発生した磁界を表わし
ている。書込み動作時には、導体32または導体34中を流
れる電流が生成される。この結果コア14中に磁界が生
じ、それが、コア14の上側及び下側の磁極端20と22の間
に形成されたギヤツプ24におけるはみだし効果(フリン
ジング効果)によつて記憶媒体(図示されていない)へ
印加される。
薄膜ヘツド10の寸法は非常に小さい。そのような小さ
い寸法と、薄膜磁気ヘツドがデータの読み書きを行なう
高速度とにおいて、浮遊容量はヘツド特性を劣化させる
のに重大な影響を持つ。特に、薄膜ヘツド10の磁気コア
とベース基板12等の周辺構造との間の分離による容量は
ヘツド特性を劣化させる。更に、薄膜磁気ヘツドのコア
14の材料は雑音が薄膜磁気ヘツド10の導体32と34中へ入
る導管として作用する。磁気ヘツド10が動作する環境は
一般的に、ステツプモータ、デイスク駆動モータ、高周
波電気機器を含む数多くの雑音源で満ちている。読出し
動作時に、これら雑音源が導体32と34を流れる電流の形
で運ばれてきた情報信号に干渉して、記憶媒体から情報
を読出すのを妨害することがある。
い寸法と、薄膜磁気ヘツドがデータの読み書きを行なう
高速度とにおいて、浮遊容量はヘツド特性を劣化させる
のに重大な影響を持つ。特に、薄膜ヘツド10の磁気コア
とベース基板12等の周辺構造との間の分離による容量は
ヘツド特性を劣化させる。更に、薄膜磁気ヘツドのコア
14の材料は雑音が薄膜磁気ヘツド10の導体32と34中へ入
る導管として作用する。磁気ヘツド10が動作する環境は
一般的に、ステツプモータ、デイスク駆動モータ、高周
波電気機器を含む数多くの雑音源で満ちている。読出し
動作時に、これら雑音源が導体32と34を流れる電流の形
で運ばれてきた情報信号に干渉して、記憶媒体から情報
を読出すのを妨害することがある。
しかし、これらの問題は、ベース被覆を貫通してコア
14とベース基板12との間の電気回路を形成する導電性柱
40によつて軽減される。導電性柱40はコア14とベース基
板12とが分離することによつて形成される浮遊容量を、
電気的に短絡させる。
14とベース基板12との間の電気回路を形成する導電性柱
40によつて軽減される。導電性柱40はコア14とベース基
板12とが分離することによつて形成される浮遊容量を、
電気的に短絡させる。
第1図の薄膜磁気ヘツド10を作製するために用いられ
る工程は個別的に第2図から第9図に示されている。第
2図の断面図に、ベース基板12が示されている。ベース
基板12は一般に薄膜磁気ヘツドの寸法に比べて大きいの
で「ウエーハ」と呼ばれる。製造工程の間、代表的な薄
膜ヘツド10と同様の薄膜ヘツドが数多く単一のベース基
板12上へ作製される。しかし、ここの例では単一の薄膜
磁気ヘツド10の作製のみを示す。一般的にベース基板12
はアルシマグ(ALSIMAG)のような導電性材料でできて
いる。
る工程は個別的に第2図から第9図に示されている。第
2図の断面図に、ベース基板12が示されている。ベース
基板12は一般に薄膜磁気ヘツドの寸法に比べて大きいの
で「ウエーハ」と呼ばれる。製造工程の間、代表的な薄
膜ヘツド10と同様の薄膜ヘツドが数多く単一のベース基
板12上へ作製される。しかし、ここの例では単一の薄膜
磁気ヘツド10の作製のみを示す。一般的にベース基板12
はアルシマグ(ALSIMAG)のような導電性材料でできて
いる。
第3図には、導電性柱40の堆積後のベース基板12が示
されている。導電性柱40はフオトリソグラフイのマスク
を用いてベース基板12上へ堆積することができる。フオ
トリソグラフイのマスクを用いて、柱40を形成すべき部
分以外の基板12全面にフオトレジストが塗布される。導
電性柱40を形成すべき領域ではフオトレジストは逆転像
あるいは柱40の鋳型の形になつている。次にこのフオト
レジストの鋳型の中へ導電性柱40を構成するための材料
が堆積される。次にフオトレジストを化学的に除去し、
第3図に示された構造のみが残る。この技術を用いて作
られる導電性柱40は一般に円柱形をしている。導電性柱
40はベース基板12と電気的に接触している。他の導電性
材料を用いることもできるが、導電性柱を形成するため
に適した材料は銅である。
されている。導電性柱40はフオトリソグラフイのマスク
を用いてベース基板12上へ堆積することができる。フオ
トリソグラフイのマスクを用いて、柱40を形成すべき部
分以外の基板12全面にフオトレジストが塗布される。導
電性柱40を形成すべき領域ではフオトレジストは逆転像
あるいは柱40の鋳型の形になつている。次にこのフオト
レジストの鋳型の中へ導電性柱40を構成するための材料
が堆積される。次にフオトレジストを化学的に除去し、
第3図に示された構造のみが残る。この技術を用いて作
られる導電性柱40は一般に円柱形をしている。導電性柱
40はベース基板12と電気的に接触している。他の導電性
材料を用いることもできるが、導電性柱を形成するため
に適した材料は銅である。
ベース基板12上へ導電性柱40を堆積した後、第4図に
示されたように、ベース基板12の全面にベース被覆層36
が堆積される。ベース被覆36は代表的にはAl2O3を含む
非導電性材料である。ベース被覆36はスパツタリング法
を用いて形成することができる。この結果第4図に示さ
れたように、導電性柱40のために持上がつた構造のベー
ス被覆36が得られる。この持上がつた部分はベース被覆
層36の面を「ラツピング」することによつて除去され
る。ベース被覆層36を研磨した後の断面は第4図に示し
たものに似ている。
示されたように、ベース基板12の全面にベース被覆層36
が堆積される。ベース被覆36は代表的にはAl2O3を含む
非導電性材料である。ベース被覆36はスパツタリング法
を用いて形成することができる。この結果第4図に示さ
れたように、導電性柱40のために持上がつた構造のベー
ス被覆36が得られる。この持上がつた部分はベース被覆
層36の面を「ラツピング」することによつて除去され
る。ベース被覆層36を研磨した後の断面は第4図に示し
たものに似ている。
研磨工程によつて、ベース被覆層36の部分は導電性柱
40の表面が露出されるところまで除去される。この研磨
工程には一般にダイヤモンドスラリーが用いられる。研
磨はベース被覆層36が導電性柱40から除去されて、導電
性柱の表面が露出するのに十分な時間行われる。あるい
は、導電性柱40の表面が露出したかどうか判定するため
にベース被覆層を目視観察する。導電性柱40の表面が露
出するのに十分なベース被覆層36が除去されたことを確
認する第3の方法は、ベース基板12と研磨工程に用いら
れるダイヤモンドスラリーとの間の抵抗値を検出するも
のである。導電性柱40の表面がダイヤモンド スラリー
にさらされると、基板12とダヤモンド スラリーとの間
の抵抗測定値は急激に低下する。一般に、研磨工程の
間、導電性柱40の小さな部分がベース被覆36と共に除去
されることがありうる。このことは第1図に示された完
成した薄膜磁気読出し/書込みヘツド10に対して有害で
はない。
40の表面が露出されるところまで除去される。この研磨
工程には一般にダイヤモンドスラリーが用いられる。研
磨はベース被覆層36が導電性柱40から除去されて、導電
性柱の表面が露出するのに十分な時間行われる。あるい
は、導電性柱40の表面が露出したかどうか判定するため
にベース被覆層を目視観察する。導電性柱40の表面が露
出するのに十分なベース被覆層36が除去されたことを確
認する第3の方法は、ベース基板12と研磨工程に用いら
れるダイヤモンドスラリーとの間の抵抗値を検出するも
のである。導電性柱40の表面がダイヤモンド スラリー
にさらされると、基板12とダヤモンド スラリーとの間
の抵抗測定値は急激に低下する。一般に、研磨工程の
間、導電性柱40の小さな部分がベース被覆36と共に除去
されることがありうる。このことは第1図に示された完
成した薄膜磁気読出し/書込みヘツド10に対して有害で
はない。
第5図に示されたところまでベース被覆36が研磨され
た後、すなわち導電性柱40の表面が露出された後、パー
マロイのような磁性材料の薄膜層50が表面全体にとりつ
けられる。この層50が、下側磁極端22とビア30部分と共
に、コア14の下側前面部分18と下側裏面部分28を形成す
る。
た後、すなわち導電性柱40の表面が露出された後、パー
マロイのような磁性材料の薄膜層50が表面全体にとりつ
けられる。この層50が、下側磁極端22とビア30部分と共
に、コア14の下側前面部分18と下側裏面部分28を形成す
る。
次に、フオトリソグラフイ技術を用いて、第7図に示
したような形に、コア14の層50上へ絶縁層38がとりつけ
られる。ギヤツプ24中へAl2O3が堆積される。導体34が
絶縁層38上に取付けられ、コイル状に形成される。
したような形に、コア14の層50上へ絶縁層38がとりつけ
られる。ギヤツプ24中へAl2O3が堆積される。導体34が
絶縁層38上に取付けられ、コイル状に形成される。
第8図において、絶縁層38がフオトリソグラフイのマ
スクとエツチングの技術を用いてわずかに持上つて形成
される。導体32は導体34と同様にしてとりつけられ、コ
イル状に形成される。
スクとエツチングの技術を用いてわずかに持上つて形成
される。導体32は導体34と同様にしてとりつけられ、コ
イル状に形成される。
第9図において、絶縁層38が持上げて形成され、導体
32と34を被覆する。次に別の磁性材料の層が第9図に示
された構造の上へとりつけられ、第1図に示された前面
上部16、裏面上部26、ビアの一部54が形成される。
32と34を被覆する。次に別の磁性材料の層が第9図に示
された構造の上へとりつけられ、第1図に示された前面
上部16、裏面上部26、ビアの一部54が形成される。
コア14はベース被覆層36中の導電性柱40を通してベー
ス基板12と電気的に接触している。コア14とベース基板
12との間の分離による浮遊容量は、この浮游容量と並列
に電気的に接続された導電性柱40によつて短絡されてい
る。更に、導電性柱40はコア14を電気的に接地してい
る。接地された薄膜磁気ヘツド10はそれの動作環境内に
存在する雑音信号に対してより鈍感であるので、このこ
とは利点である。導電性柱40は図に示した位置以外の場
所でコア14とベース基板12との間にはさんでもよいが、
ビア30に近い位置が望ましい。
ス基板12と電気的に接触している。コア14とベース基板
12との間の分離による浮遊容量は、この浮游容量と並列
に電気的に接続された導電性柱40によつて短絡されてい
る。更に、導電性柱40はコア14を電気的に接地してい
る。接地された薄膜磁気ヘツド10はそれの動作環境内に
存在する雑音信号に対してより鈍感であるので、このこ
とは利点である。導電性柱40は図に示した位置以外の場
所でコア14とベース基板12との間にはさんでもよいが、
ビア30に近い位置が望ましい。
本発明は好適実施例に関して説明されたが、当業者に
は、本発明の範囲内において、形状や詳細に変更が可能
であることを理解されるであろう。
は、本発明の範囲内において、形状や詳細に変更が可能
であることを理解されるであろう。
第1図は、本発明の薄膜磁気読出し/書込みヘツドの一
部分の断面図である。 第2図は、第1図の基板材料の一部分の断面図である。 第3図は、導電性柱を含む基板材料の一部分の断面図で
ある。 第4図は、ベース被覆を含む基板の断面図である。 第5図は、研磨工程後の基板の断面図である。 第6図は、磁気コア材料の一部分の堆積後の基板の断面
図である。 第7図と第8図は、電気的導体の堆積後の基板の断面図
である。 第9図は、絶縁層の堆積後の基板の断面図である。 (参照符号) 10……薄膜磁気ヘツド 12……ベース基板 14……磁気コア 16……コア前面上部 18……コア前面下部 20……上側磁極端 22……下側磁極端 24……ギヤツプ 26……コア裏面上部 28……コア裏面下部 30……ビア 32……導体 34……導体 36……ベース被覆 38……絶縁材料 40……導電性柱 50……磁性材料薄層
部分の断面図である。 第2図は、第1図の基板材料の一部分の断面図である。 第3図は、導電性柱を含む基板材料の一部分の断面図で
ある。 第4図は、ベース被覆を含む基板の断面図である。 第5図は、研磨工程後の基板の断面図である。 第6図は、磁気コア材料の一部分の堆積後の基板の断面
図である。 第7図と第8図は、電気的導体の堆積後の基板の断面図
である。 第9図は、絶縁層の堆積後の基板の断面図である。 (参照符号) 10……薄膜磁気ヘツド 12……ベース基板 14……磁気コア 16……コア前面上部 18……コア前面下部 20……上側磁極端 22……下側磁極端 24……ギヤツプ 26……コア裏面上部 28……コア裏面下部 30……ビア 32……導体 34……導体 36……ベース被覆 38……絶縁材料 40……導電性柱 50……磁性材料薄層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−184711(JP,A)
Claims (10)
- 【請求項1】基板上に薄膜磁気コアとコイルが形成され
た薄膜磁気読出し/書込みヘッドを作製する方法におい
て、 (イ)基板上へ導電性柱を堆積させること、 (ロ)導電性柱の堆積の後、基板を薄膜磁気コアから電
気的に絶縁するため、基板と導電性柱の上へ絶縁層を堆
積すること、 (ハ)導電性柱の表面の絶縁層を除去した後、導電性柱
上へ情報の読出し及び書込みのための上下側の磁極端を
含むコアを形成し、それによって、導電性柱が基板とコ
アとの間にはさまれるようにし、また基板及びコアと電
気的に接触するようにすること、及び (ニ)コア内にコアを貫通して延びるコイルを形成し、
このコイルにより書込み中はコア内に磁界を誘起し、ま
た読出し中は磁界を感知することを特徴とする薄膜磁気
読出し/書込みヘッドを作製する方法。 - 【請求項2】前記導電性柱が銅の柱を含んでいるような
請求項(1)の薄膜磁気読出し/書込みヘッドを作製す
る方法。 - 【請求項3】前記コアが鉄合金を含んでいるような請求
項(1)の薄膜磁気読出し/書込みヘッドを作製する方
法。 - 【請求項4】更に、絶縁層の堆積の後、コアの堆積の前
に、絶縁層を研磨することを含む請求項(1)の薄膜磁
気読出し/書込みヘッドを作製する方法。 - 【請求項5】絶縁層の研磨を導電性柱の一部分が露出さ
れるまで続けるような請求項(4)の薄膜磁気読出し/
書込みヘッドを作製する方法。 - 【請求項6】前記基板、コア、導電性柱が絶縁層よりも
大きい電気的伝導度を有しているようになった請求項
(1)の薄膜磁気読出し/書込みヘッドを作製する方
法。 - 【請求項7】前記コアの形成が更に、絶縁層上へ第1の
磁性層を堆積すること、第1の磁性層上へギャップ材料
を堆積すること、絶縁層上へ第2の磁性層を堆積し、そ
れによって第1及び第2の磁性層の一部分が電気的に接
触してビアを形成し、第1及び第2の磁性層の一部がギ
ャップ材料によって分離され、磁気読出し/書込みギャ
ップを形成するようにすること、を含む請求項(1)の
薄膜磁気読出し/書込みヘッドを作製する方法。 - 【請求項8】更に、第2の磁性層の堆積の前に、第1の
磁性層の上へ絶縁層を堆積して、第1及び第2の磁性層
の一部が、絶縁層を貫通するコイルの電気的導体を保持
するための導体保持領域を構成する絶縁層によって分離
されるようにすること、を含む請求項(7)の薄膜磁気
読出し/書込みヘッドを作製する方法。 - 【請求項9】前記絶縁層堆積工程が更に、 導体保持領域中の絶縁層中へコイル状に形成された導電
体を堆積すること、の工程を含むような請求項(8)の
薄膜磁気読出し/書込みヘッドを作製する方法。 - 【請求項10】前記導電性柱がビアにおいて薄膜磁気コ
アに接触するようになった請求項(7)の薄膜磁気読出
し/書込みヘッドを作製する方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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US319144 | 1989-03-03 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02240811A JPH02240811A (ja) | 1990-09-25 |
JP2505594B2 true JP2505594B2 (ja) | 1996-06-12 |
Family
ID=23241040
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1230562A Expired - Lifetime JP2505594B2 (ja) | 1989-03-03 | 1989-09-07 | 薄膜磁気ヘッド |
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JP (1) | JP2505594B2 (ja) |
CN (1) | CN1018591B (ja) |
DE (1) | DE68913291T2 (ja) |
HK (1) | HK110194A (ja) |
MY (1) | MY104214A (ja) |
PT (1) | PT93005B (ja) |
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US6870706B1 (en) | 2002-08-07 | 2005-03-22 | Headway Technologies, Inc. | Method for suppressing tribocharge in the assembly of magnetic heads |
US7369358B2 (en) * | 2004-02-05 | 2008-05-06 | Seagate Technology Llc | Grounded writer core |
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- 1989-08-30 DE DE68913291T patent/DE68913291T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-08-30 EP EP89308758A patent/EP0385023B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-09-07 JP JP1230562A patent/JP2505594B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1989-09-19 MY MYPI89001283A patent/MY104214A/en unknown
- 1989-12-05 CN CN89109168A patent/CN1018591B/zh not_active Expired
-
1990
- 1990-01-30 PT PT93005A patent/PT93005B/pt not_active IP Right Cessation
-
1994
- 1994-10-12 HK HK110194A patent/HK110194A/xx not_active IP Right Cessation
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PT93005A (pt) | 1991-10-15 |
HK110194A (en) | 1994-10-21 |
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DE68913291D1 (de) | 1994-03-31 |
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DE68913291T2 (de) | 1994-05-26 |
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