JPH0721515A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
- Publication number
- JPH0721515A JPH0721515A JP16666693A JP16666693A JPH0721515A JP H0721515 A JPH0721515 A JP H0721515A JP 16666693 A JP16666693 A JP 16666693A JP 16666693 A JP16666693 A JP 16666693A JP H0721515 A JPH0721515 A JP H0721515A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic layer
- film
- magnetic
- layer
- magnetic head
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/3113—Details for improving the magnetic domain structure or avoiding the formation or displacement of undesirable magnetic domains
Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気コア部の磁壁移動により発生するノイズ
を抑えた電磁変換特性に優れ、高密度記録化を向上させ
ることができる信頼性の高い薄膜磁気ヘッドの提供を目
的とする。 【構成】 スライダー１と、スライダー１上の下地絶縁
層１５上に順次積層された下部磁性層１６ａ、絶縁ギャ
ップ膜１７、導体コイル膜１９，２０、層間絶縁膜２
１，２２，２３、上部磁性層１８ａ、保護膜５等を有す
る薄膜磁気ヘッドであって、上部磁性層１８ａ及び／又
は下部磁性層１６ａの下側積層面にトラック幅方向と平
行な方向に複数の凸状帯が形成され、上部磁性層１８ａ
の下側積層面に形成されている凸状帯の凸部２５の長さ
が絶縁ギャップ膜１７の厚さの４分の１以下である構成
を有している。
を抑えた電磁変換特性に優れ、高密度記録化を向上させ
ることができる信頼性の高い薄膜磁気ヘッドの提供を目
的とする。 【構成】 スライダー１と、スライダー１上の下地絶縁
層１５上に順次積層された下部磁性層１６ａ、絶縁ギャ
ップ膜１７、導体コイル膜１９，２０、層間絶縁膜２
１，２２，２３、上部磁性層１８ａ、保護膜５等を有す
る薄膜磁気ヘッドであって、上部磁性層１８ａ及び／又
は下部磁性層１６ａの下側積層面にトラック幅方向と平
行な方向に複数の凸状帯が形成され、上部磁性層１８ａ
の下側積層面に形成されている凸状帯の凸部２５の長さ
が絶縁ギャップ膜１７の厚さの４分の１以下である構成
を有している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気ディスク装置等に用
いられる薄膜磁気ヘッドに関するものである。
いられる薄膜磁気ヘッドに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、薄膜磁気ヘッドは、半導体製造プ
ロセスに使用される薄膜技術を利用して半導体プロセス
レベルのパターン精度で製造され高記録密度化が図られ
るとともに、磁気記録媒体に対して低浮上化が研究され
ますます高速化、高密度化記録対応型で小型化のための
開発がなされている。
ロセスに使用される薄膜技術を利用して半導体プロセス
レベルのパターン精度で製造され高記録密度化が図られ
るとともに、磁気記録媒体に対して低浮上化が研究され
ますます高速化、高密度化記録対応型で小型化のための
開発がなされている。
【０００３】以下に従来の薄膜磁気ヘッドについて説明
する。図４は一般的な薄膜磁気ヘッドの外観斜視図であ
り、図５は従来の薄膜磁気ヘッドの電磁変換素子部の要
部拡大断面図である。１はＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ等のセラ
ミック材料または酸化物磁性材料によって構成されたス
ライダー、２及び３はスライダー１の磁気記録媒体対向
面側に形成されたレール部、４ａ及び４ｂはレール部
２，３の各端部に固着された電磁変換素子部、５は電磁
変換素子部４ａ，４ｂを保護するためのＡｌ2 Ｏ 3 等か
らなる保護膜、６及び７はレール部２，３の表面を高度
の平面度に仕上げられた浮上面、８及び９はスライダー
１を浮上させるためにレール部２，３の各端部に形成さ
れた空気流入用のテーパー部、１０は中央溝、１１及び
１２と１３及び１４はそれぞれの電磁変換素子部４ａ及
び４ｂの独立して形成された端子である。矢印は空気流
入方向を示し、電磁変換素子部４ａ及び４ｂは、テーパ
ー部８及び９とは反対側の空気流出側に配設されてい
る。
する。図４は一般的な薄膜磁気ヘッドの外観斜視図であ
り、図５は従来の薄膜磁気ヘッドの電磁変換素子部の要
部拡大断面図である。１はＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ等のセラ
ミック材料または酸化物磁性材料によって構成されたス
ライダー、２及び３はスライダー１の磁気記録媒体対向
面側に形成されたレール部、４ａ及び４ｂはレール部
２，３の各端部に固着された電磁変換素子部、５は電磁
変換素子部４ａ，４ｂを保護するためのＡｌ2 Ｏ 3 等か
らなる保護膜、６及び７はレール部２，３の表面を高度
の平面度に仕上げられた浮上面、８及び９はスライダー
１を浮上させるためにレール部２，３の各端部に形成さ
れた空気流入用のテーパー部、１０は中央溝、１１及び
１２と１３及び１４はそれぞれの電磁変換素子部４ａ及
び４ｂの独立して形成された端子である。矢印は空気流
入方向を示し、電磁変換素子部４ａ及び４ｂは、テーパ
ー部８及び９とは反対側の空気流出側に配設されてい
る。
【０００４】図５において、１５はＡｌ2 Ｏ3 からなる
下地絶縁層、１６は下地絶縁層１５上に積層されたパー
マロイ等よりなる下部磁性層、１７はＡｌ2 Ｏ3 ，Ｓｉ
Ｏ2等で形成された絶縁ギャップ膜、１８は絶縁ギャッ
プ膜１７に積層されたパーマロイ等よりなる上部磁性
層、１９，２０は導体コイル膜、２１，２２，２３はフ
ォトレジスト等で形成された層間絶縁膜である。電磁変
換素子部４ａ，４ｂのそれぞれの導体コイル膜１９，２
０は保護膜５の表面に形成された端子１１，１２及び１
３，１４に導通接続されている。
下地絶縁層、１６は下地絶縁層１５上に積層されたパー
マロイ等よりなる下部磁性層、１７はＡｌ2 Ｏ3 ，Ｓｉ
Ｏ2等で形成された絶縁ギャップ膜、１８は絶縁ギャッ
プ膜１７に積層されたパーマロイ等よりなる上部磁性
層、１９，２０は導体コイル膜、２１，２２，２３はフ
ォトレジスト等で形成された層間絶縁膜である。電磁変
換素子部４ａ，４ｂのそれぞれの導体コイル膜１９，２
０は保護膜５の表面に形成された端子１１，１２及び１
３，１４に導通接続されている。
【０００５】以上のように構成された従来の薄膜磁気ヘ
ッドについて、以下その動作について説明する。磁気記
録媒体上を薄膜磁気ヘッドが低浮上量で浮上しながらス
ライダー１の空気流出側に配設された電磁変換素子部４
ａまたは４ｂでデジタル信号の記録・再生を行う。
ッドについて、以下その動作について説明する。磁気記
録媒体上を薄膜磁気ヘッドが低浮上量で浮上しながらス
ライダー１の空気流出側に配設された電磁変換素子部４
ａまたは４ｂでデジタル信号の記録・再生を行う。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の構成では、磁気コア部を形成する磁性層の最先端のト
ラック部は記録密度を高くするために数μｍと幅が狭く
なっている。このため、磁気コア部の形状異方性は小さ
くなり磁区が不安定になり易く、所定のデータを記録し
た直後に再生を行った際の磁壁移動による磁区の乱れに
よって電磁変換特性が劣化し、ノイズ等によるデータエ
ラーが発生し易いという問題点があった。
の構成では、磁気コア部を形成する磁性層の最先端のト
ラック部は記録密度を高くするために数μｍと幅が狭く
なっている。このため、磁気コア部の形状異方性は小さ
くなり磁区が不安定になり易く、所定のデータを記録し
た直後に再生を行った際の磁壁移動による磁区の乱れに
よって電磁変換特性が劣化し、ノイズ等によるデータエ
ラーが発生し易いという問題点があった。
【０００７】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、磁気コア部の磁壁移動により発生するノイズを抑え
た電磁変換特性に優れ、高密度記録化を向上させること
ができる信頼性の高い薄膜磁気ヘッドを提供することを
目的とする。
で、磁気コア部の磁壁移動により発生するノイズを抑え
た電磁変換特性に優れ、高密度記録化を向上させること
ができる信頼性の高い薄膜磁気ヘッドを提供することを
目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の請求項１に記載の薄膜磁気ヘッドは、スライ
ダーと、スライダー上の下地絶縁層上に順次積層された
下部磁性層，絶縁ギャップ膜，導体コイル膜，層間絶縁
膜，上部磁性層，保護膜等を有する薄膜磁気ヘッドであ
って、上部磁性層及び／又は下部磁性層の下側積層面に
トラック幅方向と平行な方向に複数の凸状帯が形成され
ている構成を有している。
に本発明の請求項１に記載の薄膜磁気ヘッドは、スライ
ダーと、スライダー上の下地絶縁層上に順次積層された
下部磁性層，絶縁ギャップ膜，導体コイル膜，層間絶縁
膜，上部磁性層，保護膜等を有する薄膜磁気ヘッドであ
って、上部磁性層及び／又は下部磁性層の下側積層面に
トラック幅方向と平行な方向に複数の凸状帯が形成され
ている構成を有している。
【０００９】請求項２に記載の薄膜磁気ヘッドは、請求
項１において、上部磁性層の下側積層面に形成されてい
る凸状帯の凸部の長さが絶縁ギャップ膜の厚さの４分の
１以下である構成を有している。
項１において、上部磁性層の下側積層面に形成されてい
る凸状帯の凸部の長さが絶縁ギャップ膜の厚さの４分の
１以下である構成を有している。
【００１０】ここで、上部磁性層の下側積層面に形成さ
れているトラック幅方向に平行な複数の凸状帯は、上部
磁性層の下地積層体の表面にフォトリソグラフィ技術と
超微細加工（例えばイオンエッチング技術）等を用いて
トラック幅方向に平行な複数の溝を形成し、その上に上
部磁性層を積層することにより形成されている。この凸
状帯の凸部の長さは絶縁ギャップ膜厚の４分の１好まし
くは５分の１以下であり、一般的には１０分の１程度が
好ましい。フロントギャップ部の平面度加工の際にこの
凸状帯の部分で加工が終了した場合絶縁ギャップ膜の厚
さ（ギャップ長）がその分小さくなるためである。ま
た、この凸状帯のピッチは磁気コアを形成する上部磁性
層及び下部磁性層の幅と長さにより異なる。一般的に凸
状帯のピッチはフロントギャップ側を小さくし、バック
ギャップ側の方を大きくした方が好ましい。つまり、凸
状帯で囲まれた四角形の形状がトラック幅方向に細長い
方が磁区が安定するためである。磁気コアを形成する上
部磁性層及び下部磁性層の幅をＷ，ピッチをＰとすると
き、Ｗ／Ｐが１０以上の場合磁区が安定している。
れているトラック幅方向に平行な複数の凸状帯は、上部
磁性層の下地積層体の表面にフォトリソグラフィ技術と
超微細加工（例えばイオンエッチング技術）等を用いて
トラック幅方向に平行な複数の溝を形成し、その上に上
部磁性層を積層することにより形成されている。この凸
状帯の凸部の長さは絶縁ギャップ膜厚の４分の１好まし
くは５分の１以下であり、一般的には１０分の１程度が
好ましい。フロントギャップ部の平面度加工の際にこの
凸状帯の部分で加工が終了した場合絶縁ギャップ膜の厚
さ（ギャップ長）がその分小さくなるためである。ま
た、この凸状帯のピッチは磁気コアを形成する上部磁性
層及び下部磁性層の幅と長さにより異なる。一般的に凸
状帯のピッチはフロントギャップ側を小さくし、バック
ギャップ側の方を大きくした方が好ましい。つまり、凸
状帯で囲まれた四角形の形状がトラック幅方向に細長い
方が磁区が安定するためである。磁気コアを形成する上
部磁性層及び下部磁性層の幅をＷ，ピッチをＰとすると
き、Ｗ／Ｐが１０以上の場合磁区が安定している。
【００１１】
【作用】この構成によって、再生時の磁壁移動による磁
区の乱れを抑えることができる。また、上部磁性層の下
側積層面に形成した凸部の長さを絶縁ギャップ膜厚の４
分の１とすることにより、ギャップ長の変化を小さくす
ることができる。
区の乱れを抑えることができる。また、上部磁性層の下
側積層面に形成した凸部の長さを絶縁ギャップ膜厚の４
分の１とすることにより、ギャップ長の変化を小さくす
ることができる。
【００１２】
【実施例】以下本発明の一実施例における薄膜磁気ヘッ
ドについて、図面を参照しながら説明する。図１は本発
明の一実施例における薄膜磁気ヘッドの電磁変換素子部
の要部拡大断面図であり、図２は本発明の一実施例にお
ける薄膜磁気ヘッドの上部磁性層の下側積層面の平面図
である。１はスライダー、４ａ，４ｂは電磁変換素子
部、５は保護膜、１５は下地絶縁層、１７は絶縁ギャッ
プ膜、１９，２０は導体コイル膜、２１，２２，２３は
層間絶縁膜であり、これらは従来例と同様なもので同一
の符号を付し説明を省略する。１６ａは下側積層面がト
ラック幅方向と平行な方向の複数の溝によって凹凸状に
形成された下部磁性層、１８ａは下部磁性層１６ａと同
様に下側積層面がトラック幅方向と平行な方向の複数の
溝によって凹凸状に形成された上部磁性層、２４は下部
磁性層１６ａの下側積層面の凸状帯の凸部、２５は上部
磁性層１８ａの下側積層面の凸状帯の凸部である。
ドについて、図面を参照しながら説明する。図１は本発
明の一実施例における薄膜磁気ヘッドの電磁変換素子部
の要部拡大断面図であり、図２は本発明の一実施例にお
ける薄膜磁気ヘッドの上部磁性層の下側積層面の平面図
である。１はスライダー、４ａ，４ｂは電磁変換素子
部、５は保護膜、１５は下地絶縁層、１７は絶縁ギャッ
プ膜、１９，２０は導体コイル膜、２１，２２，２３は
層間絶縁膜であり、これらは従来例と同様なもので同一
の符号を付し説明を省略する。１６ａは下側積層面がト
ラック幅方向と平行な方向の複数の溝によって凹凸状に
形成された下部磁性層、１８ａは下部磁性層１６ａと同
様に下側積層面がトラック幅方向と平行な方向の複数の
溝によって凹凸状に形成された上部磁性層、２４は下部
磁性層１６ａの下側積層面の凸状帯の凸部、２５は上部
磁性層１８ａの下側積層面の凸状帯の凸部である。
【００１３】以上のように構成された本実施例の薄膜磁
気ヘッドについて、以下その製造方法を説明する。まず
Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ等のセラミック材料または酸化物磁
性材料によって構成されたスライダー１上にＳｉＯ2 ，
Ａｌ2 Ｏ3 等からなる下地絶縁層１５を形成する。
気ヘッドについて、以下その製造方法を説明する。まず
Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ等のセラミック材料または酸化物磁
性材料によって構成されたスライダー１上にＳｉＯ2 ，
Ａｌ2 Ｏ3 等からなる下地絶縁層１５を形成する。
【００１４】次にフォトリソグラフィ技術と超微細加工
（例えばイオンエッチング技術）を用いて下地絶縁層１
５の表面にトラック幅方向と平行な方向に複数の溝を形
成する。溝のピッチは前述したように下部磁性層１６ａ
の幅をＷ，ピッチをＰとするときＷ／Ｐが１０以上にな
るように形成する。次に溝を施した下地絶縁層１５上に
Ｆｅ−Ｎｉ合金等からなる下部磁性層１６ａをスパッタ
法又はメッキ等により形成する。このとき下地絶縁層１
５上に形成して溝部によって下部磁性層１６ａの下側に
トラック幅方向と平行な方向に複数の凸状帯を形成す
る。図２に示すようにこの凸状帯のピッチは、フロント
ギャップ側のピッチＰ２を小さくして、フロントギャッ
プ側の幅Ｗ２をＰ２で割った値Ｗ２／Ｐ２が１０以上に
なるように形成する。同様にバックギャップ側のピッチ
Ｐ１を大きくしてバックギャップ側の幅Ｗ１をＰ１で割
った値Ｗ１／Ｐ１が１０以上になるように形成する。こ
のようにする理由は、凸状帯で囲まれた四角形の形状が
トラック幅方向に細長いようにすると磁区が安定するか
らである。次に下部磁性層１６ａ上にＳｉＯ2 ，Ａｌ 2
Ｏ3 等からなる絶縁ギャップ膜１７を形成する。
（例えばイオンエッチング技術）を用いて下地絶縁層１
５の表面にトラック幅方向と平行な方向に複数の溝を形
成する。溝のピッチは前述したように下部磁性層１６ａ
の幅をＷ，ピッチをＰとするときＷ／Ｐが１０以上にな
るように形成する。次に溝を施した下地絶縁層１５上に
Ｆｅ−Ｎｉ合金等からなる下部磁性層１６ａをスパッタ
法又はメッキ等により形成する。このとき下地絶縁層１
５上に形成して溝部によって下部磁性層１６ａの下側に
トラック幅方向と平行な方向に複数の凸状帯を形成す
る。図２に示すようにこの凸状帯のピッチは、フロント
ギャップ側のピッチＰ２を小さくして、フロントギャッ
プ側の幅Ｗ２をＰ２で割った値Ｗ２／Ｐ２が１０以上に
なるように形成する。同様にバックギャップ側のピッチ
Ｐ１を大きくしてバックギャップ側の幅Ｗ１をＰ１で割
った値Ｗ１／Ｐ１が１０以上になるように形成する。こ
のようにする理由は、凸状帯で囲まれた四角形の形状が
トラック幅方向に細長いようにすると磁区が安定するか
らである。次に下部磁性層１６ａ上にＳｉＯ2 ，Ａｌ 2
Ｏ3 等からなる絶縁ギャップ膜１７を形成する。
【００１５】更に絶縁ギャップ膜１７上にレジスト等か
らなる層間絶縁膜２１を形成し、その上にＣｕ等からな
る導体コイル膜１９を順次形成し、層間絶縁膜２２，導
体コイル膜２０，層間絶縁膜２３も同様に形成する。次
に上部磁性層１８ａを形成する前に、上部磁性層１８ａ
の下地になる層間絶縁膜２３の表面に下地絶縁層１５と
同様にトラック幅方向と平行な方向に複数の溝を形成す
る。溝の深さはギャップ長の変化を小さくするために絶
縁ギャップ膜１７の厚さの４分の１好ましくは５分の１
以下、一般的には１０分の１以下が好ましい。次に溝を
形成した層間絶縁膜２３上にＦｅ−Ｎｉ合金等からなる
磁気コアを形成する上部磁性層１８ａを形成し、上部磁
性層１８ａの下側積層面に溝に対応した凸状帯を形成す
る。この凸状帯のピッチＰと幅Ｗの関係は、下部磁性層
１６ａの場合と同様である。最後にＡｌ2 Ｏ3 により保
護膜５を形成する。
らなる層間絶縁膜２１を形成し、その上にＣｕ等からな
る導体コイル膜１９を順次形成し、層間絶縁膜２２，導
体コイル膜２０，層間絶縁膜２３も同様に形成する。次
に上部磁性層１８ａを形成する前に、上部磁性層１８ａ
の下地になる層間絶縁膜２３の表面に下地絶縁層１５と
同様にトラック幅方向と平行な方向に複数の溝を形成す
る。溝の深さはギャップ長の変化を小さくするために絶
縁ギャップ膜１７の厚さの４分の１好ましくは５分の１
以下、一般的には１０分の１以下が好ましい。次に溝を
形成した層間絶縁膜２３上にＦｅ−Ｎｉ合金等からなる
磁気コアを形成する上部磁性層１８ａを形成し、上部磁
性層１８ａの下側積層面に溝に対応した凸状帯を形成す
る。この凸状帯のピッチＰと幅Ｗの関係は、下部磁性層
１６ａの場合と同様である。最後にＡｌ2 Ｏ3 により保
護膜５を形成する。
【００１６】次に、本実施例における薄膜磁気ヘッドに
ついて、以下その動作を説明する。図３は本発明の一実
施例における薄膜磁気ヘッドの上部磁性層の磁区構造を
示す図である。磁気記録媒体上を薄膜磁気ヘッドが低浮
上量で浮上しながらスライダー１の空気流出側に配設さ
れた電磁変換素子部４ａ又は４ｂで所定のデータを記録
・再生する場合、一般的に図３に示すような磁区構造を
とる。磁区を観察するためには、ビッター法又はローレ
ンツ電顕法により、簡単に磁区を見ることができる。し
かし、この安定した磁区構造においても外部から磁界の
影響を受けて磁壁移動が起り、磁区が変化し易くなる。
このため電気信号にノイズがのるといわれている。この
ため、図１に示すように、磁気コアを形成する上部磁性
層１８ａ及び下部磁性層１６ａの下地に溝を設けること
により磁区を安定に保つことができる。
ついて、以下その動作を説明する。図３は本発明の一実
施例における薄膜磁気ヘッドの上部磁性層の磁区構造を
示す図である。磁気記録媒体上を薄膜磁気ヘッドが低浮
上量で浮上しながらスライダー１の空気流出側に配設さ
れた電磁変換素子部４ａ又は４ｂで所定のデータを記録
・再生する場合、一般的に図３に示すような磁区構造を
とる。磁区を観察するためには、ビッター法又はローレ
ンツ電顕法により、簡単に磁区を見ることができる。し
かし、この安定した磁区構造においても外部から磁界の
影響を受けて磁壁移動が起り、磁区が変化し易くなる。
このため電気信号にノイズがのるといわれている。この
ため、図１に示すように、磁気コアを形成する上部磁性
層１８ａ及び下部磁性層１６ａの下地に溝を設けること
により磁区を安定に保つことができる。
【００１７】
【発明の効果】以上のように本発明は、磁気コアを形成
する上部磁性層及び下部磁性層の両方又は片方の下側積
層面にトラック幅方向と平行な方向に複数の凸状帯を形
成することにより、再生時の磁区の乱れによるノイズを
抑え、Ｓ／Ｎ比を向上させデータエラー等のない優れた
電磁変換特性で、高密度記録化を向上させることができ
る信頼性の高い薄膜磁気ヘッドを実現できるものであ
る。
する上部磁性層及び下部磁性層の両方又は片方の下側積
層面にトラック幅方向と平行な方向に複数の凸状帯を形
成することにより、再生時の磁区の乱れによるノイズを
抑え、Ｓ／Ｎ比を向上させデータエラー等のない優れた
電磁変換特性で、高密度記録化を向上させることができ
る信頼性の高い薄膜磁気ヘッドを実現できるものであ
る。
【図１】本発明の一実施例における薄膜磁気ヘッドの電
磁変換素子部の要部拡大断面図
磁変換素子部の要部拡大断面図
【図２】本発明の一実施例における薄膜磁気ヘッドの上
部磁性層の下側積層面の平面図
部磁性層の下側積層面の平面図
【図３】本発明の一実施例における薄膜磁気ヘッドの上
部磁性層の磁区構造を示す図
部磁性層の磁区構造を示す図
【図４】一般的な薄膜磁気ヘッドの外観斜視図
【図５】従来の薄膜磁気ヘッドの電磁変換素子部の要部
拡大断面図
拡大断面図
１ スライダー ２，３ レール部 ４ａ，４ｂ 電磁変換素子部 ５ 保護膜 ６，７ 浮上面 ８，９ テーパー部 １０ 中央溝 １１，１２，１３，１４ 端子 １５ 下地絶縁層 １６，１６ａ 下部磁性層 １７ 絶縁ギャップ膜 １８，１８ａ 上部磁性層 １９，２０ 導体コイル膜 ２１，２２，２３ 層間絶縁膜 ２４，２５ 凸部
Claims (2)
- 【請求項１】スライダーと、前記スライダー上の下地絶
縁層上に順次積層された下部磁性層，絶縁ギャップ膜，
導体コイル膜，層間絶縁膜，上部磁性層，保護膜等を有
する薄膜磁気ヘッドであって、前記上部磁性層及び／又
は前記下部磁性層の下側積層面にトラック幅方向と平行
な方向に複数の凸状帯が形成されていることを特徴とす
る薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】前記上部磁性層の下側積層面に形成されて
いる前記凸状帯の凸部の長さが前記絶縁ギャップ膜の厚
さの４分の１以下であることを特徴とする請求項１記載
の薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16666693A JPH0721515A (ja) | 1993-07-06 | 1993-07-06 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16666693A JPH0721515A (ja) | 1993-07-06 | 1993-07-06 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0721515A true JPH0721515A (ja) | 1995-01-24 |
Family
ID=15835483
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16666693A Pending JPH0721515A (ja) | 1993-07-06 | 1993-07-06 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0721515A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6837372B1 (en) | 1999-07-16 | 2005-01-04 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Case |
| US8107193B2 (en) | 2010-04-08 | 2012-01-31 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Perpendicular magnetic recording head |
-
1993
- 1993-07-06 JP JP16666693A patent/JPH0721515A/ja active Pending
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