JPH01267812A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、面内記録再生に使用される薄膜磁気ヘットの
製造方法に関し、上部磁性膜を形成する場合に、ポール
部において６ｉｉ気ギヤツプ膜と基板との間に生じる段
差を埋めるレジスト膜を付与し、次にレジスト膜、磁気
ギャップ膜及び絶縁膜の表面で連続するようにメッキ下
地膜を形成し、その後、上部磁性膜のパターンニング化
及パターンメッキを行なうことにより、上部磁性膜のメ
ッキ下地膜の断線個所をなくして、上部磁性膜のポール
部とヨーク部とのパターンメッキ組成を均一化し、狭ト
ラツク化した場合でも、ウィグルの一発生を防止できる
ようにしたものである。

〈従来の技術〉 第３図は特開昭５５−８４０１９号等で従来よりよく知
られた面内記録再生用の薄膜磁気ヘッドの要部における
斜視図で、１はＡｌ２Ｏ，−Ｔｉｃ等のセラミック構造
体でなる基板、２はポールとなる下部ｆｉｎ性膜、２１
はそのポール部、２２は同じくヨーク部、３はアルミナ
等でなる磁気ギャップ膜、４は下部磁性膜２と略相似形
で対向する上部磁性膜、４１はそのポール部、４２は同
じくそのヨーク部、５は導体コイル膜、６はノボラック
樹脂等の有機絶縁樹脂でなる絶縁膜、７．８は引出リー
ド部である。

第４図は上記薄膜ｔｉｎ気ヘッドの要部構造を示す断面
図で、基板１の上に、メッキ下地膜９を介して、下部磁
性膜２を形成し、下部磁性膜２上に形成した磁気ギャッ
プ膜３の上に、導体コイル膜５及び絶縁１ｌｉ６１〜６
３を積層して形成し、導体コイル膜５の上に形成された
絶縁膜６３の上に、メッキ下地膜１０を介して、上部磁
性膜４を形成し、上部磁性膜４の上に保護膜１１を設け
た構造となりている。下部Ｉｉｎ性膜２及び上部磁性膜
４は、媒体対向面となるポール部２１−４１を、磁気ギ
ャップ膜３による磁気ギャップＧｌを介して対向させる
と共に、ヨーク部２２−４２を後端部側で互いに磁気結
合させ、この結合部のまわりに渦巻状に導体コイル膜５
を形成しである。

この種の薄膜６１気ヘツトは、フォトリソグラフィと称
される高精度パターン形成技術及び精密加工技術によっ
て製造される。このうち、ポール。

どなる下部磁性膜２及び上部磁性膜４をメッキによって
形成する場合、例えば特開昭５７−１２０６７５号公報
等で公知のように、メッキ下地膜の表面にフォトレジス
トによるポールパターンを形成し、次にフォトレジスト
をマスクとして、パターンメッキを行なう工程がとられ
る。次にパターンメッキ工程の概略について説明する。

まず、第５図（ａ）に示すように、基板１の上に接着膜
９１及び下地ＩＩＵ９２を積層して、メッキ下地膜９を
形成する。接着ｌｌ１９１はチタン等で構成され、下地
１ＩＩ９２はパーマロイ等で構成される。

次に第５図（ｂ）に示すように、下地１ＩＵ９２の上に
フォトレジスト１２を塗布した後、第５図（Ｃ）に示す
ように、フォトレジスト１２の上にフォトマスク１３を
配置し、露光、現像する。

上述のフォトリソグラフィによるパターンニング化によ
り、第５図（ｄ）に示すように、フォトレジストによる
レジストフレーム１２が形成される。レジストフレーム
１２はその内側に形成されるパターンが、最終的に得よ
うとする下部磁性膜２のパターンとなるように形成する
。下部磁性膜２のパターンは、第３図に示したように、
狭いポール部２１の後方に広い扇形のヨーク部２２を連
設した形状となるので、レジストフレーム１２によって
囲まれた内側のパターンは、上述の下部磁性膜２のパタ
ーンに対応して、狭い部分の後方に広い扇形の空間を連
設した形状となる。

次に第５図（ｅ）に示すように、レジストフレーム１２
をマスクとして、その内外にパターンメッキ１４を施す
。このパターンメッキ１４のうち、レジストフレーム１
２の内側にあるパターンメッキ１４は下部６Ｉｉ性ＩＩ
！　２のパターンとなるもので、パーマロイ等の磁性薄
膜として形成される。

次に、第５図（ｆ）に示すように、レジストフレーム１
２を除去して下地膜９を露出させた後、第５図（ｇ）に
示すように、レジスト除去跡１２１の内部で、露出して
いる下地膜９２及びその下側にある接着１］ｉ９１を除
去する。

次に第５図（ｈ）に示すように、レジストフレーム１２
の除去跡１２１を満たし、除去跡１２１によって囲まれ
たパターンメッキ１４を覆うように、レジスト１５を付
着させる。この後、第５図（ｉ）に示すように、化学的
エツチングによって、レジスト１５の外側のパターンメ
ッキ１４、下地膜９２及び接着膜９１を除去する。次に
レジスト１５を除去して、第５図（ｊ）に示すような下
部磁性膜２によるポールパターンが得られる。

次に第５図（ｋ）に示すように、下部磁性膜２の上に磁
気ギャップＩｔ！　３、導体コイル膜５及び絶縁膜６を
フォトリソグラフィによって形成した後、第５図（Ｕ）
及び第６図（ａ）に示すように、磁気ギャップ膜３、最
外側にある絶縁ＩＩＵ６３及び基板１の表面にメッキ下
地膜１０を設ける。

ポール部２１では、第５図ＣＡＬ）に示すように、１ｉ
ｉ１気ギヤツプ膜３の表面が、基板１の表面からメッキ
下地１１！　９、下部磁性ＩＩ＠２及び磁気ギャップ膜
３の厚みの和ｈ１だけ高くなっているので、磁気ギャッ
プ膜３の表面のメッキ下地膜１０と基板１上のメッキ下
地膜１０とは互いに離れている。

一方、絶縁膜６３の表面に設けられたメッキ下地膜１０
は、第７図に示すように、絶縁膜６３の外周縁が基板１
０表面に向って下降して基板１の表面に連続するので、
基板１上のメッキ下地膜１０に連糸売する。

次に、第５図（ｍ）に示すように、メッキ下地膜１０の
表面にフォトレジスト１６を塗布した後、第５図（ｎ）
に示すように、フォトレジスト１６の上にマスク１７を
位置決めして配置し、露光し、現像する。

このフォトリソグラフィによるパターンニング化により
、第５図（０）及び第６図（ｂ）に示すように、フォト
レジストによるレジストフレーム１６が形成される。レ
ジストフレーム１６はその内側に形成されるパターン１
６１が、最終的に得ようとする上部磁性ＩＩ！　４のポ
ールパターンとなるように形成する。

次に第５図（ｐ）、第６図（Ｃ）に示すように、レジス
トフレーム１６をマスクとして、その内外にパターンメ
ッキ１８を施す。このパターンメッキ１８のうち、レジ
ストフレーム１６の内側にあるパターンメッキ１８は上
部磁性ＩＩＵ４のパターンとなるもので、ポール部１８
１及びヨーク部１８２（第６図（ｃ）参照）を有するパ
ーマロイ等の磁性薄膜として形成される。この後、下部
磁性ｌｌ１２の場合と同様に、第５図（ｆ）〜（ｉ）の
工程を通すことにより、パターンメッキによる上部磁性
膜４が得られる。

〈発明が解決しようとする問題点〉 ところが、従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、磁気
ギャップ膜３、最外側にある絶縁膜６３及び基板１の表
面にメッキ下地膜１０を設けた場合、ポール部２１では
、第５図（ｊ２）に示すように、磁気ギャップ膜３の表
面のメッキ下地膜１０が基板１上のメッキ下地膜１０か
ら高さり。

だけ離れているのに対し、絶縁膜６３の表面に設けられ
たメッキ下地膜１０は、第７図に示すように、絶１ぶ膜
６３の外周縁が基板１の表面に向って下降して基板１の
表面に連続するので、基板１上のメッキ下地膜１０に連
続する。このため、磁気ギャップ膜３上に形成されるポ
ール部１８１と絶縁１Ｉｉ６３上に形成されるヨーク部
１８２とで、パターンメッキ時に電位分布差が生じ、メ
ッキ組成が不均一になる。このメッキ組成の不均一化は
、ヘット再生出力波形に、第８図に示すようなウィグル
（振動）を発生させる主要因の１つになる。　　− しかも、メッキ組成の不均一化は、ポール幅が小さくな
ればなる程、大きくなる傾向にある。コンピュータ外部
記憶装置等においては、記憶密度を増大させるため、狭
トラツク化が進められており、狭トラツク化が進めば進
む程、下部磁性膜２のポール幅及び上部磁性膜４のポー
ル幅を小さくしなければならない。このため、ウィグル
の問題がますます発生し易くなっている。

く問題点を解決するための手段〉 上述する従来の問題点を解決するため、本発明に係る薄
膜磁気ヘッドの製造方法は、基板上にポール部とヨーク
部とを有する下部磁性膜、磁気ギャップ膜、絶縁膜及び
導体コイル膜を積層した後、前記ポール部において前記
磁気ギャップ膜の表面と基板面との間に生じる段差を埋
めるようレジスト膜を付与し、次に前記レジスト膜、磁
気ギャップ膜及び絶縁膜の表面で連続するようメッキ下
地膜を形成し、次に前記メッキ下地膜の上にフォトレジ
ストを付着させ、前記フォトレジストをフォトリソグラ
フィによってパターンニング化し、次にパターンメッキ
を行なって、前記下部磁性膜のポール部と前記磁気ギャ
ップ膜を介して対向するポール部及び前記下部磁性膜の
ヨーク部と磁気結合されるヨーク部を有する上部磁性膜
を形成することを特徴とする。

く作用〉 下部磁性膜、磁気ギャップ膜、絶縁膜及び導体コイル膜
を積層した後、ポール部において前記磁気ギャップ膜と
基板との間に生じる段差を埋めるレジスト膜を付与し、
次にレジスト膜、磁気ギャップ膜及び絶縁膜の表面で連
続するようメッキ下地膜を形成すると、磁気ギャップ膜
上のメッキ下地膜と、絶縁膜上のメッキ下地膜がレジス
ト膜上で連続し、断線個所を生じることがない。このた
め、メッキ下地膜上で、上部磁性膜のパターンニング化
及パターンメッキを行なった場合、上部磁性膜のポール
部とヨーク部のパターンメッキ組成が均一化され、狭ト
ラツク化された場合でも、ウィグルが発生しにくくなる
。

〈実施例〉 第１図（ａ）〜（ｅ）及び第２図（ａ）、（ｂ）は本発
明に薄膜磁気ヘッドの製造方法における工程の要部を示
す図である。まず、従来と同様に、第５図（ａ）〜（ｋ
）の工程を通して、基板１の上にメッキ下地膜９、下部
磁性膜２、磁気ギャップ膜３、導体コイル膜５及び絶縁
膜６を形成した後、上部磁性膜４をパターンメッキする
ためメッキ下地膜を形成する前に、第１図（ａ）及び第
２図（ａ）に示すように、下部磁性ＩＩ！　２のポール
部２１において磁気ギャップ膜３の表面と基板１の面と
の間に生じる段差を埋めるレジストＩ莫１９を付与する
。

次に、第１図（ｂ）及び第２図（ｂ）に示すように、レ
ジスト膜１９、磁気ギャップＩＩ！　３及び絶縁膜６の
表面に連続するメッキ下地膜１ｏを形成する。磁気ギャ
ップ膜３と基板１との間に生じる段差はレジスト膜２１
によって埋められているので、磁気ギャップ膜３の上の
メッキ下地膜１０及び絶縁膜６上のメッキ下地膜１０は
、レジスト膜２１の上で連続し、断線を生じることがな
い。

次に第１図（Ｃ）に示すように、メッキ下地膜１０の表
面にフォトレジスト１６を塗布し、フォトレジスト１６
の上にマスク１７を位置決めして配置し、露光し、現像
する。

このフォトリソグラフィによるパターンニング化により
、第１図（ｄ）に示すように、フォトレジストによるレ
ジストフレーム１６が形成される。レジストフレーム！
６は、従来と同様に、その内側に形成されるパターン１
６１が、最終的に得ようとする上部磁性膜４のポールパ
ターンとなるように形成する。

次に第１図（ｅ）に示すように、レジストフレーム１６
をマスクとして、その内外のメッキ下地膜１０上にパタ
ーンメッキ１８を施す。パターンメッキ１８のうち、レ
ジストフレーム１６の内側に位置する部分が上部磁性膜
４のパターンとなるもので、ポール部１８１及びヨーク
部１８２を−有するパーマロイ等の磁性薄膜として形成
される。ここで、ポール部１８１の形成される磁気ギャ
ップｗＡ３上のメッキ下地膜１０及びヨーク部１８２の
形成される絶縁膜６上のメッキ下地膜１０が、レジスト
膜１９の表面に形成されたメッキ下地１ｌＵｉｏを介し
て連続し、断線を生じていない。このため、ポール部１
８１及ヨーク部１８２のパターンメッキ組成が均一化さ
れる。

この後、第４図（ｆ）〜（ｉ）と同様の工程を通すこと
により、パターンメッキによる上部磁性膜４が得られる
。

〈発明の効果〉 以上述べたように、本発明は、ポール部において磁気ギ
ャップ膜と基板との間に生じる段差を埋めるレジスト膜
を付与し、次にレジスト膜、磁気ギャップ膜及び絶縁膜
の表面にメッキ下地膜を形成し、その後、上部磁性膜の
パターンニング化及パターンメッキを行なうことにより
、上部磁性膜のポール部及びヨーク部の組成を均一化し
、狭トラツク化した場合でも、ウィグルの発生を防止し
得る薄膜磁気ヘッドを製造できる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜（ｅ）は媒体摺動面側である正面から見
た本発明に薄膜磁気ヘッドの製造方法における工程の要
部を示す図、第２図（ａ）、（ｂ）は同じく全体の部分
破断面図、第３図は従来より知られた面内記録再生用の
薄膜磁気ヘッドの要部における斜視図、第４図は薄ＩＩ
！＠　Ｅｌ磁気ットの要部構造を示す断面図、第５図（
ａ）〜（ｐ）は媒体摺動面側から見た従来の薄ＩＩ！　
Ｉｉ１気ヘッドの製造工程を示す図、第６図（ａ）〜（
Ｃ）は側面から見た従来の薄膜磁気ヘッドの製造工程の
要部における断面図、第７図は同じく正面から見た全体
の部分破断面図、第８図は従来の問題点を示す図である
。 １・・・基板　　　　　２・・・下部磁性膜３・・・磁
気ギヤツブ８莫 ４・・・上部磁性膜　　５・・・導体コイル膜６　・　
　・　　・　絶縁８莫 ９．１０・・・メッキ下地膜 １２．１６・・・フォトレジスト１１莫１９・・・レジ
スト膜 ２１・・・下部磁性膜のポール部 ２２・・・下部磁性膜のヨーク部 ４１・・・上部磁性膜のポール部 ４２・・・上部磁性膜のヨーク部 第１図 （ｄ） ｅｌ 第５図 （Ｃ１ 第５図 ｔｅｌ 第５図 第５図 （立） ｔｍ＋ ｉｐ＋

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上にポール部とヨーク部とを有する下部磁性
   膜、磁気ギャップ膜、絶縁膜及び導体コイル膜を積層し
   た後、前記ポール部において前記磁気ギャップ膜の表面
   と基板面との間に生じる段差を埋めるようレジスト膜を
   付与し、次に前記レジスト膜、磁気ギャップ膜及び絶縁
   膜の表面で連続するようメッキ下地膜を形成し、次に前
   記メッキ下地膜の上にフォトレジストを付着させ、前記
   フォトレジストをフォトリソグラフィによってパターン
   ニング化し、次にパターンメッキを行なって、前記下部
   磁性膜のポール部と前記磁気ギャップ膜を介して対向す
   るポール部及び前記下部磁性膜のヨーク部と磁気結合さ
   れるヨーク部を有する上部磁性膜を形成することを特徴
   とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。