JPS6111915A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
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- JPS6111915A JPS6111915A JP13353984A JP13353984A JPS6111915A JP S6111915 A JPS6111915 A JP S6111915A JP 13353984 A JP13353984 A JP 13353984A JP 13353984 A JP13353984 A JP 13353984A JP S6111915 A JPS6111915 A JP S6111915A
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- film
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- layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気シイスフ装置等に用いられる薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法に係り、特に下部磁性層等の段差により平
坦化が困難な絶縁層上に、分厚い薄膜コイルを均一な膜
厚で形成することを可能にした方法に関するものである
。
ドの製造方法に係り、特に下部磁性層等の段差により平
坦化が困難な絶縁層上に、分厚い薄膜コイルを均一な膜
厚で形成することを可能にした方法に関するものである
。
近来、磁気ディスク装置等に用いられている磁気ヘッド
は、磁気ディスク記録媒体に対する高記録密度化及び高
速転送化が図られ、その形状も益々小型化されると共に
、高精度化され、記録に寄与する磁極先端部でのヘッド
磁界分布が急峻で、高密度な記録を可能とする小型な種
々のタイプの薄膜磁気ヘッドが既に提案され、実用化が
進められている。
は、磁気ディスク記録媒体に対する高記録密度化及び高
速転送化が図られ、その形状も益々小型化されると共に
、高精度化され、記録に寄与する磁極先端部でのヘッド
磁界分布が急峻で、高密度な記録を可能とする小型な種
々のタイプの薄膜磁気ヘッドが既に提案され、実用化が
進められている。
上記した薄膜磁気ヘッドは、一般に第７図の平面図及び
第７図に示すＡ−Ａ’切断線に沿った第８図の要部断面
図に示すように、例えば５ｉ０２からなる絶縁体層２が
施されたセラミック等からなる非磁性基板１上に、Ｎｉ
−Ｆｅパーマロイからなる下部磁極層４が磁極下地Ｎ３
を介して設けられ、該下部磁極層４上を含む絶縁体層２
上の所定領域に５ｉ０２からなるギャップ層−５を介し
てレジスト膜等からなる樹脂絶縁層６が配設されている
。
第７図に示すＡ−Ａ’切断線に沿った第８図の要部断面
図に示すように、例えば５ｉ０２からなる絶縁体層２が
施されたセラミック等からなる非磁性基板１上に、Ｎｉ
−Ｆｅパーマロイからなる下部磁極層４が磁極下地Ｎ３
を介して設けられ、該下部磁極層４上を含む絶縁体層２
上の所定領域に５ｉ０２からなるギャップ層−５を介し
てレジスト膜等からなる樹脂絶縁層６が配設されている
。
又、該樹脂絶縁層６の上面には銅（Ｃｕ）等からなる薄
膜コイル７が設けられ、この薄膜コイル７を含む前記樹
脂絶縁層６上に再びレジスト膜等からなる樹脂絶縁層８
が設けられており、その上面に更に上部磁極層９が配設
されて前記下部磁極層４と上部磁極層９からなる磁極が
前記薄膜コイル７及びギャップ層５をＵ字形に挟む形状
に構成されている。
膜コイル７が設けられ、この薄膜コイル７を含む前記樹
脂絶縁層６上に再びレジスト膜等からなる樹脂絶縁層８
が設けられており、その上面に更に上部磁極層９が配設
されて前記下部磁極層４と上部磁極層９からなる磁極が
前記薄膜コイル７及びギャップ層５をＵ字形に挟む形状
に構成されている。
このような薄膜磁気ヘッドにおいては、薄膜コイル７を
下部磁極層４上を含む樹脂絶縁層６上に均一な膜厚で、
かつ精度の良いパターンに形成するためには、該絶縁層
６の平坦化が極めて重油と゛なる。しかし実際には、下
部磁極層４の厚さによる段差によって樹脂絶縁層６の平
坦化は容易で無く、分厚い薄膜コイルを均一な膜厚で形
成することが難しい問題があり、段差のあるコイル形成
面上に分厚い薄膜コイルを均一な膜厚で形成する方法が
要望されてし゛）る。
下部磁極層４上を含む樹脂絶縁層６上に均一な膜厚で、
かつ精度の良いパターンに形成するためには、該絶縁層
６の平坦化が極めて重油と゛なる。しかし実際には、下
部磁極層４の厚さによる段差によって樹脂絶縁層６の平
坦化は容易で無く、分厚い薄膜コイルを均一な膜厚で形
成することが難しい問題があり、段差のあるコイル形成
面上に分厚い薄膜コイルを均一な膜厚で形成する方法が
要望されてし゛）る。
上記した薄膜磁気ヘッドの薄膜コイルを形成する従来の
方法は、第９図の部分拡大断面図に示すように、例えば
図示しないＡ＃２．Ｑ３、又は５ｉ０２等からなる絶縁
体層及びＮｉ−Ｆｅパーマロイからなる導電性下地層が
スパッタリング法により順に被着形成され、更にＮ、４
−Ｆｅパーマロイからなる下部磁極層が形成されたセラ
ミック等の非磁性基板１上に５ｉ０２等からなるギャッ
プ層５をスパッタリング法等により被着形成する。
方法は、第９図の部分拡大断面図に示すように、例えば
図示しないＡ＃２．Ｑ３、又は５ｉ０２等からなる絶縁
体層及びＮｉ−Ｆｅパーマロイからなる導電性下地層が
スパッタリング法により順に被着形成され、更にＮ、４
−Ｆｅパーマロイからなる下部磁極層が形成されたセラ
ミック等の非磁性基板１上に５ｉ０２等からなるギャッ
プ層５をスパッタリング法等により被着形成する。
次に図示しない下部磁極層の磁極先端部となる部分を除
く該ギャップ層５上の所定領域に、平坦化し易いレジス
ト剤等をスピンコード法等により塗布し、熱硬化処理を
行って樹脂絶縁層６を形成する。その後、該樹脂絶縁層
６上に銅（Ｃｕ）等からなる導電性下地Ｗｌ！ｌｌをス
パッタリング法等により被着し、その上に再びレジスト
膜１２を形成する。
く該ギャップ層５上の所定領域に、平坦化し易いレジス
ト剤等をスピンコード法等により塗布し、熱硬化処理を
行って樹脂絶縁層６を形成する。その後、該樹脂絶縁層
６上に銅（Ｃｕ）等からなる導電性下地Ｗｌ！ｌｌをス
パッタリング法等により被着し、その上に再びレジスト
膜１２を形成する。
次に第１０図に示すように該レジスト膜１２を所定パタ
ーンにパターニングし、該レジストＩＩＩ！１２パター
ンをマスクにして第１１図に示すように露出した導電性
下地膜１１上にメッキ法によりＣｕ導体層１３を形成す
る。次に第１２図に示すように前記レジスト膜１２パタ
ーンを溶解除去すると共に、更に露呈した導電性下地膜
１１部分をイオンエツチング法等により選択的にエツチ
ング除去して薄膜コイル７を形成している。
ーンにパターニングし、該レジストＩＩＩ！１２パター
ンをマスクにして第１１図に示すように露出した導電性
下地膜１１上にメッキ法によりＣｕ導体層１３を形成す
る。次に第１２図に示すように前記レジスト膜１２パタ
ーンを溶解除去すると共に、更に露呈した導電性下地膜
１１部分をイオンエツチング法等により選択的にエツチ
ング除去して薄膜コイル７を形成している。
〔発明が解決しようとする問題点〕゛
しかし上記の如き従来の薄膜コイルの形成方法にあって
は、コイル形成領域面となる樹脂絶縁層６の層厚が実際
には、下部磁極層４等の厚さによる段差によって該絶縁
層６の中央部が厚く、周辺部が薄くなって均一な平坦面
が得られないことから、かかる樹脂絶縁層６上に導電性
下地膜１１をスパッタリング法等により被着し、その上
に薄膜コイル形成用のレジスト膜１２を形成した際に、
該レジスト膜１２の厚さが第９図に示すように中央部で
薄（、また周辺部に行くに従って厚くなる。
は、コイル形成領域面となる樹脂絶縁層６の層厚が実際
には、下部磁極層４等の厚さによる段差によって該絶縁
層６の中央部が厚く、周辺部が薄くなって均一な平坦面
が得られないことから、かかる樹脂絶縁層６上に導電性
下地膜１１をスパッタリング法等により被着し、その上
に薄膜コイル形成用のレジスト膜１２を形成した際に、
該レジスト膜１２の厚さが第９図に示すように中央部で
薄（、また周辺部に行くに従って厚くなる。
このため該レジスト膜１２を所定パターンにパターニン
グし、該レジスト膜１２パターンをマスクにして第１１
図に示すように露出した導電性下地膜１１上にメッキ法
により薄膜コイルとなるＣｕ導体層１３を形成する場合
、該Ｃｕ導体層１３の膜厚が前記レジスト膜１２パター
ンの不均一な膜厚によって制限される。
グし、該レジスト膜１２パターンをマスクにして第１１
図に示すように露出した導電性下地膜１１上にメッキ法
により薄膜コイルとなるＣｕ導体層１３を形成する場合
、該Ｃｕ導体層１３の膜厚が前記レジスト膜１２パター
ンの不均一な膜厚によって制限される。
従って、例えば該レジスト膜１２パターンの中央部の膜
厚を基準にすると、薄膜コイル７のパターン精度はよい
が、厚い膜厚の薄膜コイルを形成することができず、又
前記レジスト膜１２パターンの周辺部の膜早を基準にし
て薄膜コイル７を厚く形成すると前記レジスト膜１２パ
ターンの中央部において、薄膜コイル７の幅が該レジス
ト膜１２パターンを越えて増大し、極端な場合には隣り
合わせの薄膜コイル同士が接触してショートする恐れが
あり、断面形状が所望とする略正方形をなす厚い薄膜コ
イルをパターン精度よく得ることが難しいといった問題
があった。 、 〔問題点を解決するための手段〕 本発明は上記問題点を解消した薄膜磁気ヘッドの製造方
法、特にｌ！膜ココイル形成すべき樹脂絶線層が平坦で
無くても、断面形状が所望とする略正方形をなす厚い薄
膜コイルをパターン精度よく形成する方法を提供せんと
するもので、その手段は、基板上に下部磁性層を所定パ
ターンに被着形成した後、該下部磁性層上にギャップ層
及び絶縁層を介して薄膜コイル、絶縁層及び上部磁性層
を順に積層形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法において
、上記絶縁層上に薄膜コイルを形成する際に、該絶縁層
上にレジス１−膜を塗布した後、該レジスト膜を所定パ
ターンにパターニングして第１枠状パターンを形成する
工程と、該第１枠状パターンが形成された絶縁層上に導
電性下地膜を被着した後、その上に再びレジスト膜を塗
布し、該レジスト膜を前記第１枠状パターンと同様の所
定パターンにパターニングして第２枠状パターンを形成
する工程とを行い、前記第２枠状パターンをマスクにし
て薄膜コイルをメッキ法により形成する本発明による薄
膜磁気ヘッドの製造方法によって解決される。
厚を基準にすると、薄膜コイル７のパターン精度はよい
が、厚い膜厚の薄膜コイルを形成することができず、又
前記レジスト膜１２パターンの周辺部の膜早を基準にし
て薄膜コイル７を厚く形成すると前記レジスト膜１２パ
ターンの中央部において、薄膜コイル７の幅が該レジス
ト膜１２パターンを越えて増大し、極端な場合には隣り
合わせの薄膜コイル同士が接触してショートする恐れが
あり、断面形状が所望とする略正方形をなす厚い薄膜コ
イルをパターン精度よく得ることが難しいといった問題
があった。 、 〔問題点を解決するための手段〕 本発明は上記問題点を解消した薄膜磁気ヘッドの製造方
法、特にｌ！膜ココイル形成すべき樹脂絶線層が平坦で
無くても、断面形状が所望とする略正方形をなす厚い薄
膜コイルをパターン精度よく形成する方法を提供せんと
するもので、その手段は、基板上に下部磁性層を所定パ
ターンに被着形成した後、該下部磁性層上にギャップ層
及び絶縁層を介して薄膜コイル、絶縁層及び上部磁性層
を順に積層形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法において
、上記絶縁層上に薄膜コイルを形成する際に、該絶縁層
上にレジス１−膜を塗布した後、該レジスト膜を所定パ
ターンにパターニングして第１枠状パターンを形成する
工程と、該第１枠状パターンが形成された絶縁層上に導
電性下地膜を被着した後、その上に再びレジスト膜を塗
布し、該レジスト膜を前記第１枠状パターンと同様の所
定パターンにパターニングして第２枠状パターンを形成
する工程とを行い、前記第２枠状パターンをマスクにし
て薄膜コイルをメッキ法により形成する本発明による薄
膜磁気ヘッドの製造方法によって解決される。
即ち、薄膜コイルを形成すべき樹脂絶縁層上にコイル形
成用のレジスト膜マスクパターンを２層構成に形成して
該マスクパターンの膜厚を増大せしめ、該厚い膜厚のレ
ジスト膜マスクパターンを用いて薄膜コイルを形成する
ことにより、断面形状が略正方形をなす所望とする厚い
薄膜コイルをパターン精度よく形成し得るようにしたこ
とである。
成用のレジスト膜マスクパターンを２層構成に形成して
該マスクパターンの膜厚を増大せしめ、該厚い膜厚のレ
ジスト膜マスクパターンを用いて薄膜コイルを形成する
ことにより、断面形状が略正方形をなす所望とする厚い
薄膜コイルをパターン精度よく形成し得るようにしたこ
とである。
以下図面を用いて本発明の実施例について詳細に説明す
る。
る。
第１図乃至第６図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法の一実施例を工程順に示す要部断面図である。
方法の一実施例を工程順に示す要部断面図である。
まず第１図に示すように、従来と同様６ご例えば図示し
ないＡｌ２Ｏ３、又は５ｆ０２等からなる絶縁体層及び
Ｎｉ−Ｆｅパーマロイからなる導電性下地層がスバ・７
タリング法により順に被着形成され、更にＮｉ−Ｆｅパ
ーマロイからなる下部磁極層が形成されたセラミック等
の非磁性基板１上に５ｉ０２等からなるギャップｌ’！
ｉ５をスパッタリング法等により被着形成する。
ないＡｌ２Ｏ３、又は５ｆ０２等からなる絶縁体層及び
Ｎｉ−Ｆｅパーマロイからなる導電性下地層がスバ・７
タリング法により順に被着形成され、更にＮｉ−Ｆｅパ
ーマロイからなる下部磁極層が形成されたセラミック等
の非磁性基板１上に５ｉ０２等からなるギャップｌ’！
ｉ５をスパッタリング法等により被着形成する。
次に図示しない下部磁極層の磁極先端部となる部分を除
く該ギャンブ層５上の所定領域に、平坦化し易いレジス
ト剤等をスピンコード法等により塗布し、熱硬化処理を
行って樹、脂絶線層６を形成する。その後、該樹脂絶縁
層６上に再びレジスト膜１２をスピンコード法等により
形成する。
く該ギャンブ層５上の所定領域に、平坦化し易いレジス
ト剤等をスピンコード法等により塗布し、熱硬化処理を
行って樹、脂絶線層６を形成する。その後、該樹脂絶縁
層６上に再びレジスト膜１２をスピンコード法等により
形成する。
次に第２図に示すように該レジスト膜】２を所定パター
ンにパターニングし、該レジスト１ｊｉｉ１２パターン
を第３図に示すように、例えば数百度で一時間程度、熱
硬化処理を行って突起状の第１枠状パターン２１を形成
した後、該第１枠状パターン２１が形成された樹脂絶縁
層６上に銅（Ｃｕ）等からなる導電性下地膜２２をスパ
ッタリング法等により被着形成する。
ンにパターニングし、該レジスト１ｊｉｉ１２パターン
を第３図に示すように、例えば数百度で一時間程度、熱
硬化処理を行って突起状の第１枠状パターン２１を形成
した後、該第１枠状パターン２１が形成された樹脂絶縁
層６上に銅（Ｃｕ）等からなる導電性下地膜２２をスパ
ッタリング法等により被着形成する。
次に第４図に示すように該導電性下地膜２２上に再度レ
ジスト膜１３を形成し、該レジスト膜２３を前記第１枠
状パターン２１と同様の所定パターンにパターニングし
て第２枠状パターン２４を形成する。
ジスト膜１３を形成し、該レジスト膜２３を前記第１枠
状パターン２１と同様の所定パターンにパターニングし
て第２枠状パターン２４を形成する。
かく。すれば、薄膜コイル２６形成用のマスクパターン
が容易に厚く形成される。従って第５図に示すように第
２枠状パターン２４をマスクとして露出した導電性下地
１１ｉ２２部分上にメッキ法によりＣｕ導体ｊＷ２５を
厚く形成することが出来る。
が容易に厚く形成される。従って第５図に示すように第
２枠状パターン２４をマスクとして露出した導電性下地
１１ｉ２２部分上にメッキ法によりＣｕ導体ｊＷ２５を
厚く形成することが出来る。
次に第６図に示すように前記第２枠状パターン２４をレ
ジスト除去剤により溶解除去すると共に、除去すること
によって露呈した導電性下地膜２２部分をイオンエツチ
ング法等により選択的にエツチング除去することにより
、断面形状が略正方形をなす所望とする厚い薄膜コイル
２６をパターン精度よく形成することができる。
ジスト除去剤により溶解除去すると共に、除去すること
によって露呈した導電性下地膜２２部分をイオンエツチ
ング法等により選択的にエツチング除去することにより
、断面形状が略正方形をなす所望とする厚い薄膜コイル
２６をパターン精度よく形成することができる。
尚、薄膜コイル２６間に突出残置している第１枠状パタ
ーン２１は熱硬化処理が施されていることから樹脂絶縁
層としてそのまま残留適用できるので、このままの状態
で以後の絶縁層、上部磁性層等の形成工程を進めれば良
い。
ーン２１は熱硬化処理が施されていることから樹脂絶縁
層としてそのまま残留適用できるので、このままの状態
で以後の絶縁層、上部磁性層等の形成工程を進めれば良
い。
以上の説明から明らかなように、本発明に係る薄膜磁気
ヘッドの製造方法によれば、薄膜コイルを形成すべき樹
脂絶縁層の平坦性に難点があっても、断面形状が略正方
形％なす所望とする厚い薄膜コイルをパターン精度よく
容品に形成することが可能となる。
ヘッドの製造方法によれば、薄膜コイルを形成すべき樹
脂絶縁層の平坦性に難点があっても、断面形状が略正方
形％なす所望とする厚い薄膜コイルをパターン精度よく
容品に形成することが可能となる。
従って従来、問題となっていた薄膜コイルが薄いことに
よる製造上での段差等による切断障害や、厚く形成する
ことによる隣接コイル間の、シヨ・−ト障害等が解消さ
れ、この種の薄膜磁気ヘッドの製造方法に適用して信頼
性の良い薄膜磁気ヘッドを得ることができる優れた効果
を有する。
よる製造上での段差等による切断障害や、厚く形成する
ことによる隣接コイル間の、シヨ・−ト障害等が解消さ
れ、この種の薄膜磁気ヘッドの製造方法に適用して信頼
性の良い薄膜磁気ヘッドを得ることができる優れた効果
を有する。
第１図乃至第６図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法の一実施例を工程順に示す要部断面図・ 第７図は薄膜磁気ヘッドの構造を説明するための平面図
、 第８図は第７図に示すＡ−Ａ’切断線に沿った要部断面
図、 第９図乃至第１２図は従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法
の１例を工程順に説明するための要部拡大断面図である
。 図中、１は非磁性基板、５はギャップ層、６は薄膜コイ
ル形成面を有する樹脂絶縁層、２１は第１枠状パターン
、１２．２３はレジスト膜、２２は導電性下地層、２４
は第２枠状パターン、２５はＣｕ導体層、２６は薄膜コ
イルをそれぞれ示す。 第１ｍ 第２図
方法の一実施例を工程順に示す要部断面図・ 第７図は薄膜磁気ヘッドの構造を説明するための平面図
、 第８図は第７図に示すＡ−Ａ’切断線に沿った要部断面
図、 第９図乃至第１２図は従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法
の１例を工程順に説明するための要部拡大断面図である
。 図中、１は非磁性基板、５はギャップ層、６は薄膜コイ
ル形成面を有する樹脂絶縁層、２１は第１枠状パターン
、１２．２３はレジスト膜、２２は導電性下地層、２４
は第２枠状パターン、２５はＣｕ導体層、２６は薄膜コ
イルをそれぞれ示す。 第１ｍ 第２図
Claims (1)
- 基板上に下部磁性層を所定パターンに被着形成した後、
該下部磁性層上にギャップ層及び絶縁層を介して薄膜コ
イル、絶縁層及び上部磁性層を順に積層形成する薄膜磁
気ヘッドの製造方法において、上記絶縁層上に薄膜コイ
ルを形成する際に、該絶縁層上にレジスト膜を塗布した
後、該レジスト膜を所定パターンにパターニングして第
１枠状パターンを形成する工程と、該第１枠状パターン
が形成された絶縁層上に導電性下地膜を被着した後、そ
の上に再びレジスト膜を塗布し、該レジスト膜を前記第
１枠状パターンと同様の所定パターンにパターニングし
て第２枠状パターンを形成する工程とを行い、前記第１
、第２枠状パターンをマスクにして薄膜コイルをメッキ
法により形成することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13353984A JPS6111915A (ja) | 1984-06-27 | 1984-06-27 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13353984A JPS6111915A (ja) | 1984-06-27 | 1984-06-27 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6111915A true JPS6111915A (ja) | 1986-01-20 |
| JPH0316686B2 JPH0316686B2 (ja) | 1991-03-06 |
Family
ID=15107174
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13353984A Granted JPS6111915A (ja) | 1984-06-27 | 1984-06-27 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6111915A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6333830B2 (en) * | 1998-11-09 | 2001-12-25 | Read-Rite Corporation | Low resistance coil structure for high speed writer |
-
1984
- 1984-06-27 JP JP13353984A patent/JPS6111915A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6333830B2 (en) * | 1998-11-09 | 2001-12-25 | Read-Rite Corporation | Low resistance coil structure for high speed writer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0316686B2 (ja) | 1991-03-06 |
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