JPH04181510A - 薄膜導体パターンの形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概　要〕 磁気ディスク装置等に用いられる薄膜磁気ヘッド等の製
造に好適な薄膜導体パターンの形成方法に関し、 マスクめっき法により絶縁基体の表面に薄膜導体を形成
するためのめっき用下地導体膜を、該薄膜導体の形成領
域のみに形成するようにして、薄膜導体形成後のめっき
用下地導体膜の不要部分のエツチング工程を除去し、所
定膜厚のめっき膜からなる薄膜導体パターンを効率良く
形成することを目的とし、 絶縁基体の表面にマスクめっき法を用いて薄膜導体パタ
ーンを形成する方法において、前記絶縁基体の表面にレ
ジスト膜を塗着し、該レジスト膜をパターニングしてめ
っき形成用開口パターンを有するレジストマスクを形成
する工程と、前記絶縁基体のレジストマスクで覆われて
いない露出面を含む該レジストマスク上にめっき用下地
導体膜を被着形成した後、該絶縁基体上に被着されため
っき用下地導体膜部分にめっき法により薄膜導体を形成
する工程と、前記レジストマスクを除去すると同時に該
レジストマスク上のめっき用下地導体膜をリフトオフし
て薄膜導体をパターン形成する工程とを含み構成する。

〔産業上の利用分野〕

本発明は絶縁基体の表面にマスクめっき法により微細な
薄膜導体パターンを効率良く形成する方法に係り、特に
磁気ディスク装置等に用いられる薄膜磁気ヘッド等の製
造に好適な薄膜導体パターンの形成方法に関するもので
ある。

近年、コンピュータシステム等の外部記憶装置として用
いられている磁気ディスク装置では高密度記録化及び大
容量化に伴い、記録・再生特性のの良好な小型な薄膜磁
気へンドが要求されている。

従って、その小型化に伴って薄膜磁気ヘッドにおける励
磁用の薄膜コイル形状の小型化が容易に、かつ効率良く
実現できる微細な薄膜導体パターンの形成方法が必要と
されている。

〔従来の技術〕

記録・再生用の薄膜磁気ヘッドの一例として、第２図に
示すようにＡ　Ａ　ｚｏｉ・ＴｉＣからなる基板１上に
Ａｊ！ｚ（ｈ等の絶縁層２を介してＮｉ−Ｆｅからなる
下部磁極３と、該下部磁極３上に５ｉｎ２からなるギャ
ップ層４と、熱硬化性樹脂等の層間絶縁層５で挟設され
た例えば渦巻状の薄膜コイル６とが順に積層形成され、
その薄膜コイル６に挟設したＮ間絶縁層５上にＮｉ−Ｆ
ｅからなる上部磁極７と、その表面に更にＡｌｔｏｓ等
からなる保護膜８が配設された構成からなっている。

ところで、このような上記薄膜磁気ヘッドにおける薄膜
コイル６の形成に従来の薄膜厚゛体パターンの形成方法
を適用した例で説明すると、先ず、第３図（ａ）の要部
断面図で示すように眉間絶縁層５上の所定領域に、蒸着
法、またはスパッタリング法等により図示しない０．０
１μｍ程度の膜厚のＴｉ密着膜と０．１μｍ程度の膜厚
のＣｕ膜からなる二層膜構成のめっき用下地導体膜１１
を被着形成した後、該めっき用下地導体膜１１上に例え
ば４μｍ程度の膜厚のフォトレジスト膜を塗着形成し、
露光、現像を行って渦巻状の薄膜コイル形成用の間ロバ
ターンを有するレジストマスク１２を形成する。

次に第３図（ロ）に示すように前記レジストマスク１２
により覆われていないめっき用下地導体膜１１の露出面
に、該めっき川下地導体膜１１０図示しない一端とめっ
き電極間に所定電圧を印加して電解めっき法により３μ
−程度の膜厚のＣｕめっき膜（ｉｌ膜導体）１３を形成
した後、第３図（Ｃ）で示すように前記レジストマスク
１２を溶解除去する。

引き続き第３図（ｄ）に示すようにレジストマスク１２
の除去によって露出した前記めっき用下地導体ｌ１１１
１部分をイオンエツチング法によりエツチング除去する
ことによって、Ｃｕめっき膜（ｆｆｌ膜導体）からなる
渦巻状の薄膜コイル６を完成させている。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところで前記した記録・再生用の薄膜磁気ヘッドでは、
高密度記録化等に伴って小型化が要求され、そのために
は、該薄膜磁気ヘッドを構成する薄膜コイルのパターン
も微細化される。

従って、そのような微細パターンの薄膜コイルの形成に
従来の薄膜導体パターンの形成方法を適用した場合、前
記第３図（Ｃ）で示すようにＣｕめっき膜（薄膜導体）
１３の形成後、不要となったレジストマスク１２の除去
により露出されためっき用下地導体膜１１を更にイオン
エツチング法により除去する際に、該めっき用下地導体
膜１１に入射するイオン量（入射イオン密度）が必然的
に減少し、その領域でのイオンエツチング速度が低下す
るためにエツチング処理に長時間を要し、また前記めっ
き用下地導体膜１１が完全にエツチング除去された時点
では、同時にイオンエツチングされる前記Ｃｕめっき膜
（薄膜導体）１３の表面部分が過度にオーバーエツチン
グされるといった問題があった。

更に、そのような問題を解消するためには、前記Ｃｕめ
っき膜（薄膜導体）１３の膜厚をあらかじめエツチング
により減少する分を見越して厚く形成する必要があるが
、その方法を用いてもなおエツチング後のＣｕめっき膜
（ｉ［膜導体）の膜厚がバラツキ易いという問題があっ
た。

本発明は上記した従来の問題点に鑑み、マスクめっき法
により絶縁基体の表面に薄膜導体を形成するためのめっ
き用下地導体膜を、該薄膜導体の形成領域のみに形成す
るようにして、薄膜導体形成後のめっき用下地導体膜の
不要部分のエツチング工程を除去し、所定膜厚のめっき
膜からなる薄膜導体パターンを効率良く形成し得る新規
な形成方法を提供することを目的とするものである。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は上記した目的を達成するため、絶縁基体の表面
にマスクめっき法を用いて薄膜導体パターンを形成する
方法において、前記絶縁基体の表面にレジスト膜を塗着
し、該レジスト膜をパターニングしてめっき形成相開口
パターンを有するレジストマスクを形成する工程と、前
記絶縁基体のレジストマスクで覆われていない露出面を
含む該レジストマスク上にめっき用下地導体膜を被着形
成した後、該絶縁基体上に被着されためっき用下地導体
膜部分にめっき法により薄膜導体を形成する工程と、前
記レジストマスクを除去すると同時に該レジストマスク
上のめっき用下地導体膜をリフトオフして薄膜導体をパ
ターン形成する工程とを含み構成する。

〔作　用〕

本発明の形成方法では、絶縁基体の表面にめっき形成相
開口パターンを有するレジストマスクを形成した後、該
レジストマスクの開口部に露出する絶縁基体の面を含む
そのレジストマスク上にめっき用下地導体膜を被着し、
該絶縁基体上に被着されためっき用下地導体膜部分にめ
っき法により薄膜導体を形成し、その後、前記レジスト
マスクを除去すると同時に該レジストマスク上のめっき
用下地導体膜もリフトオフすることにより、不要なめつ
き用下地導体膜部分をエツチング除去する工程を用いず
に、所定膜厚のめっき膜からなる薄膜導体パターンを効
率良く容易に形成することが可能となる。

（実施例〕 以下図面を用いて本発明の実施例について詳細に説明す
る。

第１図（ａ）〜（ロ）は本発明に係る薄膜導体パターン
の形成方法の一実施例を薄膜磁気ヘッドにおける薄膜コ
イルの形成に適用した場合の例で順に示す要部断面図で
ある。

先ず第１図（萄に示すように絶縁基体、例えば熱硬化性
樹脂等の層間絶縁層２１上の所定領域にフォトレジスト
膜を　４μ■の膜厚に塗着し、露光、現像を行って渦巻
状の薄膜コイル形成用の開口パターンを有するレジスト
マスク２２を形成する。

次に第１図（ｂ）に示すように前記層間絶縁層２１のレ
ジストマスク２２で覆われていない開口部２３での露出
面を含む該レジストマスク２２上に、蒸着法、またはス
パッタリング法等により図示しない０．０１μｍ程度の
膜厚のＴｉ密着膜と０．１μ鋼の膜厚のＣｕ膜からなる
二層膜構成のめっき用下地導体膜２４を被着形成する。

次に第１図（Ｃ）に示すように前記層間絶縁層２１上に
被着されためっき用下地導体膜２４部分に、該めっき用
下地導体膜２４の図示しない一端とめっき電極間に所定
電圧を印加して電解めっき法により３μｍの膜厚のＣｕ
めっき膜からなる薄膜導体２５を形成した後、前記レジ
ストマスク２２を溶解除去する。

この時、そのレジストマスク２２上に被着するめっき用
下地導体膜２４部分も同時にリフトオフされるので、従
来の如き要済みの不要なめっき用下地導体膜部分をエツ
チング除去する必要がなくなり、またエツチングによる
薄膜導体２５の膜厚減少もなくなるので、所定膜厚のめ
っき膜からなる薄膜導体パターン、即ち、膜厚精度の良
い渦巻パターン状の薄膜コイル２６を効率良く容易に形
成することが可能となる。

なお、以上の実施例ではレジストマスク２２を形成する
レジスト膜としてフォトレジスト膜を用いた場合の例に
ついて説明しだが、本発明はそのような例に限定される
ものではなく、例えば光硬化性樹脂材、或いはＸ線照射
用レジスト膜、電子線照射用レジスト膜を用いることも
できる。

また、本発明ではパターニングしたレジストマスク２２
の開口部の断面形状を矩形形状としているが、これを上
部より下部を僅かに広くした台形形状とすることにより
、かかるレジストマスク上にめっき用下地導体膜を被着
した際に、該レジストマスク上と開口部内に被着しため
っき用下地導体膜とが接続される現象を防止することが
できる。

〔発明の効果〕

以上の説明から明らかなように、本発明に係る薄膜導体
パターンの形成方法によれば、マスクめっき法により絶
縁基体の表面に薄膜導体を形成するためのめっき用下地
導体膜を、該薄膜導体の形成領域のみに形成するように
してＣｕめっき膜からなる薄膜導体を形成後のめっき用
下地導体膜の不要部分をエツチング除去する工程を削除
し、用済みの不要なめっき用下地導体膜部分は、レジス
トマスクの除去時に同時にリフトオフされるので、従来
の如きエツチングによる薄膜導体の膜厚減少も解消され
、所定膜厚のめっき膜からなる薄膜導体パターン、即ち
、膜厚精度の良い渦巻パターン状の薄膜コイルを効率良
く容易に形成することが可能となる。

従って、かかる形成方法により微細パターンの小型な薄
膜コイルが容易に実現できる優れた利点を有し、記録・
再生特性の良い薄膜磁気ヘッドを得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明に係る薄膜導体パターン
の形成方法の一実施例を薄膜磁気ヘッ ドにおける薄膜コイルの形成に適用し た場合の例で順に示す要部断面図、 第２図は薄膜磁気ヘッドの一例を説明するための要部断
面図、 第３図（ａ）〜（ｄ）は従来の￥ＩＭ導体パターンの形
成方法をｍ膜磁気ヘッドにおける薄膜コ イルの形成に適用した場合の例で順に 示す要部断面図である。 第１図（ａ）〜（ｄ）において、 ２１は眉間絶縁層、２２はレジストマスク、２３は開口
部、２４はめっき用下地導体膜、２５は薄膜導体、２６
は薄膜コイルをそれぞれ示す。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 絶縁基体（２１）の表面にマスクめっき法を用いて薄膜
   導体パターンを形成する方法において、前記絶縁基体（
   ２１）の表面にレジスト膜を塗着し、該レジスト膜をパ
   ターニングしてめっき形成用開口パターンを有するレジ
   ストマスク（２２）を形成する工程と、 前記絶縁基体（２１）のレジストマスク（２２）で覆わ
   れていない露出面を含む該レジストマスク（２２）上に
   めっき用下地導体膜（２４）を被着形成した後、該絶縁
   基体（２１）上に被着されためっき用下地導体膜（２４
   ）部分にめっき法により薄膜導体（２５）を形成する工
   程と、 前記レジストマスク（２２）を除去すると同時に該レジ
   ストマスク（２２）上のめっき用下地導体膜（２４）を
   リフトオフして薄膜導体（２５）をパターン形成する工
   程とを含むことを特徴とする薄膜導体パターンの形成方
   法。