JPH0548247A - 導体パターン形成方法 - Google Patents
導体パターン形成方法Info
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- JPH0548247A JPH0548247A JP20790991A JP20790991A JPH0548247A JP H0548247 A JPH0548247 A JP H0548247A JP 20790991 A JP20790991 A JP 20790991A JP 20790991 A JP20790991 A JP 20790991A JP H0548247 A JPH0548247 A JP H0548247A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は薄膜磁気ヘッドのコイルの形成などに
利用されるメッキ法による導体パターンの形成方法に関
し、微細パターンの形成の容易化を図ることを目的とす
る。 【構成】絶縁体１５Ａ上にメッキ法によって所定パター
ンの薄膜導体１６を形成する導体パターン形成方法であ
って、絶縁体１５Ａ上に薄膜導体１６に対応するパター
ンのメッキ用下地導体３１を設けた後に、絶縁体１５Ａ
上のメッキ用下地導体３１で被覆されない部分にメッキ
用マスク層３２を設け、メッキ法によりメッキ用下地導
体３１に重ねて薄膜導体１６を形成するように構成され
る。
利用されるメッキ法による導体パターンの形成方法に関
し、微細パターンの形成の容易化を図ることを目的とす
る。 【構成】絶縁体１５Ａ上にメッキ法によって所定パター
ンの薄膜導体１６を形成する導体パターン形成方法であ
って、絶縁体１５Ａ上に薄膜導体１６に対応するパター
ンのメッキ用下地導体３１を設けた後に、絶縁体１５Ａ
上のメッキ用下地導体３１で被覆されない部分にメッキ
用マスク層３２を設け、メッキ法によりメッキ用下地導
体３１に重ねて薄膜導体１６を形成するように構成され
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、メッキ法による導体パ
ターンの形成方法に関し、薄膜磁気ヘッドのコイルの形
成などに利用される。
ターンの形成方法に関し、薄膜磁気ヘッドのコイルの形
成などに利用される。
【０００２】コンピュータシステムの外部記憶装置とし
て用いられている磁気ディスク装置においては、記録密
度を高める上で小型の磁気ヘッドが要求されている。そ
れ故、薄膜磁気ヘッドについては、コイルパターンの微
細化が進められている。
て用いられている磁気ディスク装置においては、記録密
度を高める上で小型の磁気ヘッドが要求されている。そ
れ故、薄膜磁気ヘッドについては、コイルパターンの微
細化が進められている。
【０００３】
【従来の技術】図３（ａ）及び（ｂ）は一般的な薄膜磁
気ヘッド１の構造を示す図である。図３（ａ）は要部の
断面図であり、図３（ｂ）は要部の平面図である。な
お、図３（ａ）は図３（ｂ）のＡ−Ａ矢視断面に対応す
る。
気ヘッド１の構造を示す図である。図３（ａ）は要部の
断面図であり、図３（ｂ）は要部の平面図である。な
お、図３（ａ）は図３（ｂ）のＡ−Ａ矢視断面に対応す
る。
【０００４】薄膜磁気ヘッド１は、アルミナ・チタンカ
ーバイドからなる支持体１１、アルミナからなる絶縁層
１２、Ｎｉ−Ｆｅからなる下部及び上部の磁極１３，１
７、二酸化珪素からなるギャップ層１４、熱硬化性樹脂
などの層間絶縁体１５、Ｃｕメッキ膜からなる渦巻き状
のコイル１６、及びアルミナからなる保護膜１８などか
ら構成されている。
ーバイドからなる支持体１１、アルミナからなる絶縁層
１２、Ｎｉ−Ｆｅからなる下部及び上部の磁極１３，１
７、二酸化珪素からなるギャップ層１４、熱硬化性樹脂
などの層間絶縁体１５、Ｃｕメッキ膜からなる渦巻き状
のコイル１６、及びアルミナからなる保護膜１８などか
ら構成されている。
【０００５】磁極１３，１７は、コンタクト部１３７で
一体化して磁気コアを構成している。コイル１６の内端
及び外端はそれぞれ図示しない外部接続端子に接続され
ている。
一体化して磁気コアを構成している。コイル１６の内端
及び外端はそれぞれ図示しない外部接続端子に接続され
ている。
【０００６】従来において、薄膜磁気ヘッド１のコイル
１６は、以下の導体パターン形成方法によって形成され
ていた。図４は従来の導体パターン形成方法によるコイ
ル形成の各段階の状態を示す要部断面図である。なお、
同図では、非断面の図示を省略してある。
１６は、以下の導体パターン形成方法によって形成され
ていた。図４は従来の導体パターン形成方法によるコイ
ル形成の各段階の状態を示す要部断面図である。なお、
同図では、非断面の図示を省略してある。
【０００７】ここでは、既に、上述の支持体１１上に、
絶縁層１２、下部の磁極１３、及びギャップ層１４が設
けられ、さらに層間絶縁体１５の一部（コイル１６の下
側の部分）となる絶縁体１５Ａが設けられているものと
する。
絶縁層１２、下部の磁極１３、及びギャップ層１４が設
けられ、さらに層間絶縁体１５の一部（コイル１６の下
側の部分）となる絶縁体１５Ａが設けられているものと
する。
【０００８】まず、絶縁体１５Ａの表面を一様に被覆す
るように、真空蒸着又はスパッタなどによって、０．０
１μｍ程度の厚さのＴｉ層と０．１μｍ程度の厚さのＣ
ｕ層とからなる二層構造のメッキ用下地導電膜（メッキ
ベース）３１ａを設ける［図４（ａ）］。
るように、真空蒸着又はスパッタなどによって、０．０
１μｍ程度の厚さのＴｉ層と０．１μｍ程度の厚さのＣ
ｕ層とからなる二層構造のメッキ用下地導電膜（メッキ
ベース）３１ａを設ける［図４（ａ）］。
【０００９】次に、フォトレジスト液を４μｍ程度の厚
さに塗布し、フォトリソグラフィ法を用いて、コイル１
６のパターン（渦巻き状）に相当した開口パターン（非
マスク部の平面形状）を有するメッキ用マスク層３２を
形成する［図４（ｂ）］。
さに塗布し、フォトリソグラフィ法を用いて、コイル１
６のパターン（渦巻き状）に相当した開口パターン（非
マスク部の平面形状）を有するメッキ用マスク層３２を
形成する［図４（ｂ）］。
【００１０】続いて、メッキ用下地導電膜３１ａをメッ
キ用電極として用いる電解メッキ法によって、メッキ用
マスク層３２の非マスク部を埋めるように、膜厚が３μ
ｍ程度のＣｕメッキ膜３３を形成する［図４（ｃ）］。
キ用電極として用いる電解メッキ法によって、メッキ用
マスク層３２の非マスク部を埋めるように、膜厚が３μ
ｍ程度のＣｕメッキ膜３３を形成する［図４（ｃ）］。
【００１１】そして、メッキ用マスク層３２を除去した
後、Ｃｕメッキ膜３３をエッチングマスクとして、ドラ
イエッチング法の中でも特に微細加工に適したイオンミ
リングによって、メッキ用下地導電膜３１ａの露出部分
を除去する［図４（ｄ）］。これにより、メッキ用下地
導電膜３１ａは渦巻き状にパターニングされ、Ｃｕメッ
キ膜３３が渦巻きの径方向に絶縁されてコイル１６とな
る［図４（ｅ）］。
後、Ｃｕメッキ膜３３をエッチングマスクとして、ドラ
イエッチング法の中でも特に微細加工に適したイオンミ
リングによって、メッキ用下地導電膜３１ａの露出部分
を除去する［図４（ｄ）］。これにより、メッキ用下地
導電膜３１ａは渦巻き状にパターニングされ、Ｃｕメッ
キ膜３３が渦巻きの径方向に絶縁されてコイル１６とな
る［図４（ｅ）］。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】薄膜磁気ヘッド１の小
型化などのためにコイル１６のパターンの微細化を図る
場合には、必然的にコイル１６の巻き線幅ｗ及び巻き線
間隔ｄを小さい値に選定することになる。しかし、コイ
ル１６の膜厚は抵抗値の増大を抑える上で所定値以下に
薄くすることができない。
型化などのためにコイル１６のパターンの微細化を図る
場合には、必然的にコイル１６の巻き線幅ｗ及び巻き線
間隔ｄを小さい値に選定することになる。しかし、コイ
ル１６の膜厚は抵抗値の増大を抑える上で所定値以下に
薄くすることができない。
【００１３】したがって、従来の形成方法では、Ｃｕメ
ッキ膜３３を形成した後に、メッキ用下地導電膜３１ａ
の不要部分の除去、すなわちメッキ用下地導電膜３１ａ
のパターニングを行うが、このとき、Ｃｕメッキ膜３３
で挟まれた細く且つ深い溝の底部にメッキ用下地導電膜
３１ａが存在することになり、イオンミリングを用いて
もパターニングが困難であるという問題があった。
ッキ膜３３を形成した後に、メッキ用下地導電膜３１ａ
の不要部分の除去、すなわちメッキ用下地導電膜３１ａ
のパターニングを行うが、このとき、Ｃｕメッキ膜３３
で挟まれた細く且つ深い溝の底部にメッキ用下地導電膜
３１ａが存在することになり、イオンミリングを用いて
もパターニングが困難であるという問題があった。
【００１４】つまり、イオンの照射角度の調整に高精度
が要求されるとともに、メッキ用下地導電膜３１ａに入
射するイオンの密度が小さいことから、パターニングに
長時間を要することになる。
が要求されるとともに、メッキ用下地導電膜３１ａに入
射するイオンの密度が小さいことから、パターニングに
長時間を要することになる。
【００１５】また、イオンミリングに際してＣｕメッキ
膜３３がエッチングマスクとして用いられることから、
Ｃｕメッキ膜３３も削られてコイル１６の巻き線間隔ｄ
が拡がるので、これを見込んで予めＣｕメッキ膜３３の
幅を広く設定した場合には、さらにメッキ用下地導電膜
３１ａのパターニングが困難になる。
膜３３がエッチングマスクとして用いられることから、
Ｃｕメッキ膜３３も削られてコイル１６の巻き線間隔ｄ
が拡がるので、これを見込んで予めＣｕメッキ膜３３の
幅を広く設定した場合には、さらにメッキ用下地導電膜
３１ａのパターニングが困難になる。
【００１６】本発明は、上述の問題に鑑み、メッキ用下
地導電膜を容易にパターニングすることができ、形成パ
ターンの微細化に適した導体パターン形成方法を提供す
ることを目的としている。
地導電膜を容易にパターニングすることができ、形成パ
ターンの微細化に適した導体パターン形成方法を提供す
ることを目的としている。
【００１７】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係る方
法は、上述の課題を解決するため、図１に示すように、
絶縁体１５Ａ上にメッキ法によって所定パターンの薄膜
導体１６を形成する導体パターン形成方法であって、前
記絶縁体１５Ａ上に前記薄膜導体１６に対応するパター
ンのメッキ用下地導体３１を設けた後に、前記絶縁体１
５Ａ上の前記メッキ用下地導体３１で被覆されない部分
にメッキ用マスク層３２を設け、メッキ法により前記メ
ッキ用下地導体３１に重ねて前記薄膜導体１６を形成す
る。
法は、上述の課題を解決するため、図１に示すように、
絶縁体１５Ａ上にメッキ法によって所定パターンの薄膜
導体１６を形成する導体パターン形成方法であって、前
記絶縁体１５Ａ上に前記薄膜導体１６に対応するパター
ンのメッキ用下地導体３１を設けた後に、前記絶縁体１
５Ａ上の前記メッキ用下地導体３１で被覆されない部分
にメッキ用マスク層３２を設け、メッキ法により前記メ
ッキ用下地導体３１に重ねて前記薄膜導体１６を形成す
る。
【００１８】請求項２の発明に係る方法は、図２に示す
ように、前記メッキ用マスク層３２をリフトオフ法を用
いて形成する。
ように、前記メッキ用マスク層３２をリフトオフ法を用
いて形成する。
【００１９】
【作用】メッキ用下地導体３１は、その上部に薄膜導体
１６が形成される以前に、薄膜導体１６に対応するパタ
ーンの導体として絶縁体１５Ａ上に設けられる。
１６が形成される以前に、薄膜導体１６に対応するパタ
ーンの導体として絶縁体１５Ａ上に設けられる。
【００２０】その後、メッキ用下地導体３１と重ならな
いように、薄膜導体１６のパターンを規定するメッキ用
マスク層３２が設けられ、メッキ法によって薄膜導体１
６が形成される。
いように、薄膜導体１６のパターンを規定するメッキ用
マスク層３２が設けられ、メッキ法によって薄膜導体１
６が形成される。
【００２１】メッキ用マスク層３２は、所定パターンの
露光マスクを用いて不要部分を除去する通常のフォトリ
ソグラフィ法、又はメッキ用下地導体３１のパターニン
グ用のエッチングマスクを用いて不要部分を除去するリ
フトオフ法によって形成される。
露光マスクを用いて不要部分を除去する通常のフォトリ
ソグラフィ法、又はメッキ用下地導体３１のパターニン
グ用のエッチングマスクを用いて不要部分を除去するリ
フトオフ法によって形成される。
【００２２】
【実施例】以下、図３に示した薄膜磁気ヘッド１のコイ
ル１６の形成を例に挙げて本発明の導体パターン形成方
法を説明する。
ル１６の形成を例に挙げて本発明の導体パターン形成方
法を説明する。
【００２３】図１は本発明に係るコイル形成の各段階の
状態を示す要部断面図である。なお、同図において、図
４と同一の機能を有する構成要素には、形状及び材質の
差異に係わらず同一の符号を付してある。また、非断面
の図示を省略してある。
状態を示す要部断面図である。なお、同図において、図
４と同一の機能を有する構成要素には、形状及び材質の
差異に係わらず同一の符号を付してある。また、非断面
の図示を省略してある。
【００２４】まず、従来と同様に絶縁体１５Ａの表面を
一様に被覆するように、真空蒸着又はスパッタなどによ
って、Ｔｉ層とＣｕ層とを順に重ねた二層構造のメッキ
用下地導電膜３１ａ（膜厚は０．１μｍ程度）を設ける
［図１（ａ）］。
一様に被覆するように、真空蒸着又はスパッタなどによ
って、Ｔｉ層とＣｕ層とを順に重ねた二層構造のメッキ
用下地導電膜３１ａ（膜厚は０．１μｍ程度）を設ける
［図１（ａ）］。
【００２５】続いて、この段階で、フォトリソグラフィ
法を用いてメッキ用下地導電膜３１ａのパターニングを
行い、コイル１６に対応したパターン（渦巻き状）のメ
ッキ用下地導体（メッキベース）３１を形成する［図１
（ｂ）］。このとき、エッチング手法としてイオンミリ
ングを用いたとしても、エッチングマスクの厚さを適当
に選ぶことにより、容易且つ迅速にパターニングを行う
ことができる。
法を用いてメッキ用下地導電膜３１ａのパターニングを
行い、コイル１６に対応したパターン（渦巻き状）のメ
ッキ用下地導体（メッキベース）３１を形成する［図１
（ｂ）］。このとき、エッチング手法としてイオンミリ
ングを用いたとしても、エッチングマスクの厚さを適当
に選ぶことにより、容易且つ迅速にパターニングを行う
ことができる。
【００２６】なお、本実施例では、メッキ用下地導体３
１のパターンは、コイル１６のパターンと同一ではな
く、メッキ用下地導体３１の巻き線幅ｗ２は、コイル１
６の巻き線幅ｗに比べて小さい値に選定されている。ま
た、メッキ用下地導体３１には、メッキ時に外部電源と
接続するための図示しない引き出し配線パターンが一体
化されている。
１のパターンは、コイル１６のパターンと同一ではな
く、メッキ用下地導体３１の巻き線幅ｗ２は、コイル１
６の巻き線幅ｗに比べて小さい値に選定されている。ま
た、メッキ用下地導体３１には、メッキ時に外部電源と
接続するための図示しない引き出し配線パターンが一体
化されている。
【００２７】次に、フォトレジスト液を４μｍ程度の厚
さに塗布し、フォトリソグラフィ法を用いて、絶縁体１
５Ａの露出面（つまりメッキ用下地導体３１で被覆され
ない部分）上に、コイル１６のパターンに相当した開口
パターン（非マスク部の平面形状）を有するメッキ用マ
スク層３２を形成する［図１（ｃ）］。このとき、上述
したようにメッキ用下地導体３１の巻き線幅ｗ２が開口
パターン幅ｗに比べて小さいので、メッキ用マスク層３
２をメッキ用下地導体３１に重ならないように設けるた
めの位置合わせが容易である。
さに塗布し、フォトリソグラフィ法を用いて、絶縁体１
５Ａの露出面（つまりメッキ用下地導体３１で被覆され
ない部分）上に、コイル１６のパターンに相当した開口
パターン（非マスク部の平面形状）を有するメッキ用マ
スク層３２を形成する［図１（ｃ）］。このとき、上述
したようにメッキ用下地導体３１の巻き線幅ｗ２が開口
パターン幅ｗに比べて小さいので、メッキ用マスク層３
２をメッキ用下地導体３１に重ならないように設けるた
めの位置合わせが容易である。
【００２８】なお、メッキ用マスク層３２の材質として
は、フォトレジスト（有機感光樹脂）以外に、層間絶縁
体１５としても利用可能な無機物などを適宜選定するこ
とができる。
は、フォトレジスト（有機感光樹脂）以外に、層間絶縁
体１５としても利用可能な無機物などを適宜選定するこ
とができる。
【００２９】そして、メッキ用下地導体３１をメッキ用
電極として用いる電解メッキ法によって、メッキ用マス
ク層３２の非マスク部を埋めるように、膜厚が３μｍ程
度のＣｕメッキ膜からなるコイル１６を形成する［図１
（ｄ）］。
電極として用いる電解メッキ法によって、メッキ用マス
ク層３２の非マスク部を埋めるように、膜厚が３μｍ程
度のＣｕメッキ膜からなるコイル１６を形成する［図１
（ｄ）］。
【００３０】以上のようにコイル１６を形成した後は、
熱処理によりメッキ用マスク層３２を硬化させて層間絶
縁体１５（図３参照）の一部として用いたり、メッキ用
マスク層３２を取り除いて新たに絶縁物を設けるなどし
て、層間絶縁体１５を形成する。
熱処理によりメッキ用マスク層３２を硬化させて層間絶
縁体１５（図３参照）の一部として用いたり、メッキ用
マスク層３２を取り除いて新たに絶縁物を設けるなどし
て、層間絶縁体１５を形成する。
【００３１】上述の実施例においては、メッキ用マスク
層３２の形成に際して、露光マスクとメッキ用下地導体
３１との位置合わせを要するフォトリソグラフィ法を用
いる例を示したが、図２に示すように、リフトオフ法を
用いてメッキ用マスク層３２を形成することができる。
層３２の形成に際して、露光マスクとメッキ用下地導体
３１との位置合わせを要するフォトリソグラフィ法を用
いる例を示したが、図２に示すように、リフトオフ法を
用いてメッキ用マスク層３２を形成することができる。
【００３２】すなわち、エッチングマスク４０を用いて
メッキ用下地導体３１を形成し［図２（ａ）］、エッチ
ングマスク４０を残した状態で例えばフォトレジスト層
３２ａを設ける［図２（ｂ）］。そして、エッチングマ
スク４０を溶解除去してメッキ用マスク層３２を形成す
る［図２（ｃ）］。
メッキ用下地導体３１を形成し［図２（ａ）］、エッチ
ングマスク４０を残した状態で例えばフォトレジスト層
３２ａを設ける［図２（ｂ）］。そして、エッチングマ
スク４０を溶解除去してメッキ用マスク層３２を形成す
る［図２（ｃ）］。
【００３３】これによれば、メッキ用下地導体３１とメ
ッキ用マスク層３２（つまりコイル１６）とがセルフア
ライメントされることになる。
ッキ用マスク層３２（つまりコイル１６）とがセルフア
ライメントされることになる。
【００３４】
【発明の効果】本発明によれば、メッキ法による導体パ
ターンの形成に必要となるメッキ用下地導体を導体パタ
ーンに合わせて容易にパターニング形成することがで
き、導体パターンの微細化を図ることができる。
ターンの形成に必要となるメッキ用下地導体を導体パタ
ーンに合わせて容易にパターニング形成することがで
き、導体パターンの微細化を図ることができる。
【００３５】請求項２の発明によれば、メッキ用下地導
体とメッキ用マスク層とがセルフアライメントされるの
で、メッキ用下地導体が薄膜導体の形成領域外に張り出
すことによる薄膜導体の絶縁不良を皆無とすることがで
きる。
体とメッキ用マスク層とがセルフアライメントされるの
で、メッキ用下地導体が薄膜導体の形成領域外に張り出
すことによる薄膜導体の絶縁不良を皆無とすることがで
きる。
【図１】本発明に係るコイル形成の各段階の状態を示す
要部断面図である。
要部断面図である。
【図２】本発明の他の実施例に係るコイル形成の各段階
の状態を示す要部断面図である。
の状態を示す要部断面図である。
【図３】一般的な薄膜磁気ヘッドの構造を示す図であ
る。
る。
【図４】従来の導体パターン形成方法によるコイル形成
の各段階の状態を示す要部断面図である。
の各段階の状態を示す要部断面図である。
１５Ａ 絶縁体 １６ コイル（薄膜導体） ３１ メッキ用下地導体 ３２ メッキ用マスク層
フロントページの続き (72)発明者 青山 進 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 大塚 善徳 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】絶縁体（１５Ａ）上にメッキ法によって所
定パターンの薄膜導体（１６）を形成する導体パターン
形成方法であって、 前記絶縁体（１５Ａ）上に前記薄膜導体（１６）に対応
するパターンのメッキ用下地導体（３１）を設けた後
に、前記絶縁体（１５Ａ）上の前記メッキ用下地導体
（３１）で被覆されない部分にメッキ用マスク層（３
２）を設け、メッキ法により前記メッキ用下地導体（３
１）に重ねて前記薄膜導体（１６）を形成することを特
徴とする導体パターン形成方法。 - 【請求項２】前記メッキ用マスク層（３２）をリフトオ
フ法を用いて形成することを特徴とする請求項１記載の
導体パターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20790991A JPH0548247A (ja) | 1991-08-20 | 1991-08-20 | 導体パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20790991A JPH0548247A (ja) | 1991-08-20 | 1991-08-20 | 導体パターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0548247A true JPH0548247A (ja) | 1993-02-26 |
Family
ID=16547579
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20790991A Withdrawn JPH0548247A (ja) | 1991-08-20 | 1991-08-20 | 導体パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0548247A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5957715A (en) * | 1996-12-19 | 1999-09-28 | Yazaki Corporation | Waterproof connector |
| WO2000013175A1 (fr) * | 1998-08-27 | 2000-03-09 | Fujitsu Limited | Procede de formage d'un film de placage et d'un pole magnetique superieur d'une tete d'ecriture a induction |
| JP2016085780A (ja) * | 2014-10-24 | 2016-05-19 | ヘッドウェイテクノロジーズ インコーポレイテッド | コイルと磁路構成部を含む薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| CN110140203A (zh) * | 2016-11-18 | 2019-08-16 | 哈钦森技术股份有限公司 | 高纵横比电镀结构和各向异性电镀工艺 |
| US11387033B2 (en) | 2016-11-18 | 2022-07-12 | Hutchinson Technology Incorporated | High-aspect ratio electroplated structures and anisotropic electroplating processes |
| US11521785B2 (en) | 2016-11-18 | 2022-12-06 | Hutchinson Technology Incorporated | High density coil design and process |
-
1991
- 1991-08-20 JP JP20790991A patent/JPH0548247A/ja not_active Withdrawn
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