JP2016085780A - コイルと磁路構成部を含む薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】シード層に起因する問題の発生を防止しながら、自己整合的にコイルを形成する。【解決手段】薄膜磁気ヘッドは、コイル２０と磁路構成部Ｍ１と絶縁膜６２を備えている。磁路構成部Ｍ１は、第１および第２の磁性体部４２，４３を含んでいる。コイル２０は、第１の磁性体部４２と第２の磁性体部４３の間に位置する第１および第２のコイル要素２０Ａ，２０Ｂを含んでいる。絶縁膜６２は、第１および第２のコイル要素２０Ａ，２０Ｂの下に位置する下地部６２Ｃを含んでいる。薄膜磁気ヘッドの製造方法では、第１および第２の磁性体部４２，４３を覆うように絶縁膜６２を形成した後、シード層２１を、絶縁膜６２の下地部６２Ｃの上に選択的に形成する。コイル２０は、シード層２１を用いてめっき法によって形成される。【選択図】図１

Description

本発明は、コイルと、コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させる磁路を構成する磁路構成部とを含む薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。

磁気記録再生装置における記録方式には、信号磁化の向きを記録媒体の面内方向（長手方向）とする長手磁気記録方式と、信号磁化の向きを記録媒体の面に対して垂直な方向とする垂直磁気記録方式とがある。垂直磁気記録方式は、長手磁気記録方式に比べて、記録媒体の熱揺らぎの影響を受けにくく、高い線記録密度を実現することが可能であると言われている。

一般的に、垂直磁気記録用磁気ヘッドとしては、長手磁気記録用磁気ヘッドと同様に、読み出し用の磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ（Magnetoresistive）素子とも記す。）を有する再生ヘッド部と、書き込み用の誘導型電磁変換素子を有する記録ヘッド部とを、基板上に積層した構造のものが用いられる。記録ヘッド部は、コイルと磁路構成部を備えている。コイルは、記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生する。磁路構成部は、磁性材料よりなり、コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させる磁路を構成する。磁路構成部は、記録媒体に対向する媒体対向面に配置された端面を有する主磁極を含んでいる。主磁極は、上記情報を記録媒体に記録するための記録磁界を上記端面から発生させる。

記録密度を高めるために記録信号の周波数が高くなってくると、記録ヘッド部には、記録磁界の変化の速度の向上が求められる。この要求に応えるためには、磁路構成部によって構成される磁路の長さを短くすることが有効である。

上記磁路の長さを短くする方法の１つとしては、例えば特許文献１に開示されているように、自己整合的にコイルを形成する方法が挙げられる。このコイル形成方法は、磁路構成部が、媒体対向面から離れた位置に配置された第１の磁性体部と、第１の磁性体部に対して間隔を開けて第１の磁性体部と媒体対向面の間に配置された第２の磁性体部と、第１の磁性体部と第２の磁性体部を連結する連結部とを含み、コイルが第１の磁性体部と第２の磁性体部の間に配置された１つ以上のコイル要素を含む構成の記録ヘッド部に適用することができる。コイル要素とは、コイルの巻線の一部である。第１の磁性体部は、１つ以上のコイル要素に向いた第１の側壁を有し、第２の磁性体部は、１つ以上のコイル要素に向いた第２の側壁を有している。１つ以上のコイル要素は、第１の側壁に対向する第１の側面と、第２の側壁に対向する第２の側面とを有している。

特許第５６１５８６３号公報

ここで、自己整合的にコイルを形成する従来の方法について詳しく説明する。この方法では、まず、第１および第２の磁性体部を覆うように薄い絶縁膜を形成する。次に、絶縁膜の上に導電材料よりなるシード層を形成する。次に、シード層の上に、シード層のうち、その上にコイルが配置される予定の部分を露出させる開口部を有するマスクを形成する。開口部の縁の一部は、第１および第２の磁性体部の上方に配置される。このマスクは、フォトリソグラフィを用いてフォトレジスト層をパターニングして形成する。次に、シード層をシードおよび陰極として用いて、めっき法によって、マスクの開口部内に、コイルを構成するための導電層を形成する。この導電層は、その一部が第１および第２の磁性体部に乗り上げるように形成される。次に、マスクを除去する。次に、例えばウェットエッチングによって、シード層のうちの導電層の下に存在する部分以外の不要部分を除去する。次に、導電層を覆う絶縁層を形成する。次に、絶縁層、導電層、第１の磁性体部および第２の磁性体部を研磨して、それらの上面を平坦化する。

自己整合的にコイルを形成する従来の方法によれば、１つ以上のコイル要素の第１の側面と第２の側面が、それぞれ絶縁膜を介して第１の側壁と第２の側壁に対向するようにコイルが形成される。これにより、磁路構成部によって構成される磁路の長さを短くすることが可能になる。

しかし、自己整合的にコイルを形成する従来の方法では、シード層に起因して、以下で説明する第１ないし第３の問題が発生していた。

始めに、第１の問題について説明する。従来の方法では、第１および第２の磁性体部を覆うようにシード層を形成し、このシード層の上に、フォトリソグラフィを用いてマスクを形成する。マスク形成工程では、パターン化前のフォトレジスト層に所定のパターンの光を照射して、フォトレジスト層を露光する。その際、露光用の光が、シード層のうちの第１および第２の磁性体部を覆う部分によって反射されて、不要な反射光が生じる。第１の問題は、この不要な反射光によってマスクのパターンの精度が低下して、マスク形成工程のマージンが小さくなることである。

次に、第２の問題について説明する。従来の方法では、めっき法によって導電層を形成する工程において、シード層のうち、第１の磁性体部と第２の磁性体部の間に位置する部分だけではなく、シード層のうち、第１および第２の磁性体部を覆う部分からも、導電層が成長する。そのため、導電層のうち、第１および第２の磁性体部に乗り上げる部分が厚くなる。導電層のうち、第１の磁性体部と第２の磁性体部の間に位置する部分は、後に研磨されて、コイルを構成することになる。一方、導電層のうち、第１および第２の磁性体部に乗り上げる部分は、不要な部分であり、後の研磨工程で除去される。

コイルの厚みを十分に大きくし、且つ研磨のマージンを十分に大きくしようすると、導電層のうち、第１および第２の磁性体部に乗り上げる部分がより厚くなる。この場合には、マスクの開口部内に厚い導電層を収容できるように、マスクの厚みを大きくする必要がある。これにより、マスク形成工程のマージンが小さくなる。また、導電層のうち、第１および第２の磁性体部に乗り上げる部分が厚くなると、この部分を除去するために、導電層の研磨量が増加する。これにより、研磨工程のマージンが小さくなる。このように、マスク形成工程のマージンおよび研磨工程のマージンが小さくなることが第２の問題である。

第３の問題は、以下のように、シード層の不要部分の除去に関係する問題である。従来の方法では、シード層の不要部分は、シード層のうちの第１および第２の磁性体部を覆う部分を含んで、広範囲に存在している。従来の方法では、この不要部分を例えばウェットエッチングによって除去するが、その際に、導電層もエッチングされてコイルの巻線の幅が小さくなったり、コイルの内部にボイドが発生したりするという問題が発生していた。また、従来の方法では、シード層の不要部分を完全に除去しきれずに、残ったシード層の不要部分によって、本来は絶縁されるべき複数の導体部分の間で短絡が生じる場合があるという問題が発生していた。

また、従来の方法では、シード層の不要部分の除去を、ウェットエッチングの代わりに、イオンビームエッチング等のドライエッチングによって行うと、以下のような問題が発生していた。すなわち、この場合には、シード層の不要部分を除去する工程において、エッチングによって飛散した物質が、第１および第２の磁性体部を覆う絶縁膜の上に堆積して、導電性の再付着膜が形成される場合があった。そして、この再付着膜によって、本来は絶縁されるべき複数の導体部分の間で短絡が生じる場合があるという問題が発生していた。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、シード層に起因する問題の発生を防止しながら、自己整合的にコイルを形成することができるようにした薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。

本発明の製造方法によって製造される薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面と、記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生するコイルと、磁性材料よりなり、コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させる磁路を構成する磁路構成部と、コイルを磁路構成部に対して絶縁する絶縁膜とを備えている。磁路構成部は、媒体対向面に配置された第１の端面を有し、情報を記録媒体に記録するための記録磁界を第１の端面から発生させる。磁路構成部は、媒体対向面から離れた位置に配置された第１の磁性体部と、第１の磁性体部に対して間隔を開けて第１の磁性体部と媒体対向面の間に配置された第２の磁性体部と、第１の磁性体部と第２の磁性体部を連結する連結部とを含んでいる。コイルは、第１の磁性体部と第２の磁性体部の間に位置する１つ以上のコイル要素を含んでいる。第１の磁性体部は、１つ以上のコイル要素に向いた第１の側壁を有している。第２の磁性体部は、１つ以上のコイル要素に向いた第２の側壁を有している。１つ以上のコイル要素は、第１の側壁に対向する第１の側面と、第２の側壁に対向する第２の側面とを有している。絶縁膜は、第１の側壁と第１の側面の間に介在する第１の介在部と、第２の側壁と第２の側面の間に介在する第２の介在部と、第１および第２の介在部に連続する下地部とを含んでいる。１つ以上のコイル要素は、下地部の上に配置されている。

本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、磁路構成部を形成する工程と、絶縁膜を形成する工程と、コイルを形成する工程とを含んでいる。磁路構成部を形成する工程は、第１および第２の磁性体部を形成する工程を含んでいる。絶縁膜を形成する工程は、第１および第２の磁性体部を形成する工程の後で絶縁膜を形成する。

コイルを形成する工程は、
絶縁膜を形成する工程の後で、第１および第２の磁性体部を覆い、絶縁膜の下地部の少なくとも一部を露出させる第１のマスクを形成する工程と、
第１のマスクを用いて、下地部の上に選択的に、導電材料よりなるシード層を形成する工程と、
シード層を形成する工程の後で、第１のマスクを除去する工程と、
第１のマスクを除去する工程の後で、コイルを構成するための導電層を収容する予定の開口部を有する第２のマスクを形成する工程と、
シード層を用いてめっき法によって、第２のマスクの開口部内に収容されるように、導電層を形成する工程と、
導電層を形成する工程の後で、第２のマスクを除去する工程と、
第２のマスクを除去する工程の後で、シード層のうちの導電層の下に存在する部分以外の不要部分を除去する工程とを含んでいる。

本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法において、コイルは、第１の磁性体部の周りに巻かれていてもよい。

また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法において、１つ以上のコイル要素は、第１のコイル要素と第２のコイル要素を含む複数のコイル要素であってもよい。この場合、第１のコイル要素は第１の側面を有し、第２のコイル要素は第２の側面を有する。

また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法において、磁路構成部は、第１の端面を有する主磁極と、媒体対向面に配置された第２の端面を有すると共に主磁極に接続された帰磁路部とを有していてもよい。この場合、帰磁路部は、第１の磁性体部と連結部とを含んでいてもよく、更に第２の磁性体部を含んでいてもよい。

また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法において、コイルを形成する工程は、更に、シード層の不要部分を除去する工程の後で、導電層を覆う絶縁層を形成する工程と、絶縁層、導電層、第１の磁性体部および第２の磁性体部を研磨して、それらの上面を平坦化する工程とを含んでいてもよい。

また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法において、シード層の不要部分を除去する工程は、イオンビームエッチングによって不要部分を除去してもよい。

また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法において、シード層は、第１および第２の介在部の各々との間に間隙が生じるように形成されてもよい。

本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、シード層は、絶縁膜の第１の介在部、第２の介在部および下地部のうちの下地部の上に選択的に形成される。これにより、本発明によれば、シード層に起因する問題の発生を防止しながら、自己整合的にコイルを形成することが可能になるという効果を奏する。

本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドにおける記録ヘッド部を示す断面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドの構成を示す断面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドにおける第２のコイルを示す平面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドにおける第１のコイルを示す平面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法における一工程を示す断面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法における一工程を示す平面図である。 図６Ａおよび図６Ｂに示した工程に続く工程を示す断面図である。 図６Ａおよび図６Ｂに示した工程に続く工程を示す平面図である。 図７Ａおよび図７Ｂに示した工程に続く工程を示す断面図である。 図７Ａおよび図７Ｂに示した工程に続く工程を示す平面図である。 図８Ａおよび図８Ｂに示した工程に続く工程を示す断面図である。 図８Ａおよび図８Ｂに示した工程に続く工程を示す平面図である。 図９Ａおよび図９Ｂに示した工程に続く工程を示す断面図である。 図９Ａおよび図９Ｂに示した工程に続く工程を示す平面図である。 図１０Ａおよび図１０Ｂに示した工程に続く工程を示す断面図である。 図１０Ａおよび図１０Ｂに示した工程に続く工程を示す平面図である。 図１１Ａおよび図１１Ｂに示した工程に続く工程を示す断面図である。 図１１Ａおよび図１１Ｂに示した工程に続く工程を示す平面図である。 図１２Ａおよび図１２Ｂに示した工程に続く工程を示す断面図である。 図１２Ａおよび図１２Ｂに示した工程に続く工程を示す平面図である。 図１３Ａおよび図１３Ｂに示した工程に続く工程を示す断面図である。 図１３Ａおよび図１３Ｂに示した工程に続く工程を示す平面図である。 図１４Ａおよび図１４Ｂに示した工程に続く工程を示す断面図である。 図１４Ａおよび図１４Ｂに示した工程に続く工程を示す平面図である。 図１５Ａおよび図１５Ｂに示した工程に続く工程を示す断面図である。 図１５Ａおよび図１５Ｂに示した工程に続く工程を示す平面図である。 図１６Ａおよび図１６Ｂに示した工程に続く工程を示す断面図である。 図１６Ａおよび図１６Ｂに示した工程に続く工程を示す平面図である。 図１７Ａおよび図１７Ｂに示した工程に続く工程を示す断面図である。 図１７Ａおよび図１７Ｂに示した工程に続く工程を示す平面図である。 図１８Ａおよび図１８Ｂに示した工程に続く工程を示す断面図である。 図１８Ａおよび図１８Ｂに示した工程に続く工程を示す平面図である。 図１９Ａおよび図１９Ｂに示した工程に続く工程を示す断面図である。 図１９Ａおよび図１９Ｂに示した工程に続く工程を示す平面図である。 比較例の磁気ヘッドの製造方法における一工程を示す断面図である。 比較例の磁気ヘッドの製造方法における一工程を示す平面図である。 図２１Ａおよび図２１Ｂに示した工程に続く工程を示す断面図である。 図２１Ａおよび図２１Ｂに示した工程に続く工程を示す平面図である。 図２２Ａおよび図２２Ｂに示した工程に続く工程を示す断面図である。 図２２Ａおよび図２２Ｂに示した工程に続く工程を示す平面図である。 図２３Ａおよび図２３Ｂに示した工程に続く工程を示す断面図である。 図２３Ａおよび図２３Ｂに示した工程に続く工程を示す平面図である。 比較例における第１の問題を説明するための説明図である。 本発明の第１の実施の形態の効果を説明するための説明図である。 本発明の第２の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法における一工程を示す断面図である。 本発明の第２の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法における一工程を示す平面図である。 図２７Ａおよび図２７Ｂに示した工程に続く工程を示す断面図である。 図２７Ａおよび図２７Ｂに示した工程に続く工程を示す平面図である。 図２８Ａおよび図２８Ｂに示した工程に続く工程を示す断面図である。 図２８Ａおよび図２８Ｂに示した工程に続く工程を示す平面図である。 本発明の第３の実施の形態に係る磁気ヘッドにおける記録ヘッド部を示す断面図である。 本発明の第３の実施の形態に係る磁気ヘッドにおける第２のコイルを示す平面図である。 本発明の第３の実施の形態に係る磁気ヘッドにおける第１のコイルを示す平面図である。 本発明の第４の実施の形態に係る磁気ヘッドにおける記録ヘッド部を示す断面図である。 本発明の第４の実施の形態に係る磁気ヘッドの構成を示す断面図である。 本発明の第４の実施の形態に係る磁気ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。 本発明の第４の実施の形態に係る磁気ヘッドにおける第１のコイルを示す平面図である。 本発明の第４の実施の形態に係る磁気ヘッドにおける第２のコイルを示す平面図である。

［第１の実施の形態］
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。始めに、図１ないし図５を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド（以下、単に磁気ヘッドと記す。）の構成について説明する。本実施の形態に係る磁気ヘッドは、垂直磁気記録用である。図１は、本実施の形態に係る磁気ヘッドにおける記録ヘッド部を示す断面図である。図２は、本実施の形態に係る磁気ヘッドの構成を示す断面図である。なお、図１および図２は媒体対向面および基板の上面に垂直な断面を示している。図２において記号Ｔで示す矢印は、記録媒体の進行方向を表している。図３は、本実施の形態に係る磁気ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。図４は、本実施の形態に係る磁気ヘッドにおける第２のコイルを示す平面図である。図５は、本実施の形態に係る磁気ヘッドにおける第１のコイルを示す平面図である。図３ないし図５において記号ＴＷで示す矢印は、トラック幅方向を表している。

本実施の形態に係る磁気ヘッドは、回転する記録媒体１００（図２参照）の表面から浮上するスライダの形態を有している。記録媒体１００が回転すると、記録媒体１００とスライダとの間を通過する空気流によって、スライダに揚力が生じる。スライダは、この揚力によって記録媒体１００の表面から浮上するようになっている。

図２に示したように、磁気ヘッドは、記録媒体１００に対向する媒体対向面９０を備えている。ここで、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向を以下のように定義する。Ｘ方向は、トラック幅方向ＴＷに平行な方向である。Ｙ方向は、媒体対向面９０に垂直な方向である。Ｚ方向は、スライダから見た記録媒体１００の進行方向である。Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向は互いに直交している。

図２および図３に示したように、磁気ヘッドは、アルミニウムオキサイド・チタニウムカーバイド（Ａｌ₂Ｏ₃・ＴｉＣ）等のセラミック材料よりなり、上面１ａを有する基板１と、この基板１の上面１ａ上に配置された絶縁材料よりなる絶縁層７１と、この絶縁層７１の上に配置されたヒーター７２と、絶縁層７１およびヒーター７２を覆うように配置された絶縁材料よりなる絶縁層７３とを備えている。絶縁層７１，７３は、例えばアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）によって形成されている。ヒーター７２は、媒体対向面９０の一部を突出させるための熱を発生する。

磁気ヘッドは、更に、ヒーター７２に対して記録媒体１００の進行方向Ｔの前側（トレーリング端側）に配置された再生ヘッド部９１を備えている。再生ヘッド部９１は、絶縁層７３の上に配置された磁性材料よりなる第１の再生シールド層３と、第１の再生シールド層３の周囲において絶縁層７３の上に配置された絶縁材料よりなる絶縁層７４と、第１の再生シールド層３および絶縁層７４の上に配置された絶縁膜である第１の再生シールドギャップ膜４と、この第１の再生シールドギャップ膜４の上に配置された再生素子としてのＭＲ（磁気抵抗効果）素子５と、このＭＲ素子５に接続された図示しない２つのリードとを有している。

ＭＲ素子５の一端部は、媒体対向面９０に配置されている。ＭＲ素子５には、ＡＭＲ（異方性磁気抵抗効果）素子、ＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果）素子あるいはＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）素子等の磁気抵抗効果を示す感磁膜を用いた素子を用いることができる。ＧＭＲ素子としては、磁気的信号検出用の電流を、ＧＭＲ素子を構成する各層の面に対してほぼ平行な方向に流すＣＩＰ（Current In Plane）タイプでもよいし、磁気的信号検出用の電流を、ＧＭＲ素子を構成する各層の面に対してほぼ垂直な方向に流すＣＰＰ（Current Perpendicular to Plane）タイプでもよい。

再生ヘッド部９１は、更に、ＭＲ素子５およびリードの上に配置された絶縁膜である第２の再生シールドギャップ膜６と、この第２の再生シールドギャップ膜６の上に配置された磁性材料よりなる第２の再生シールド層７と、第２の再生シールド層７の周囲において第２の再生シールドギャップ膜６の上に配置された絶縁材料よりなる絶縁層７５とを有している。

磁気ヘッドは、更に、再生ヘッド部９１に対して記録媒体１００の進行方向Ｔの前側に配置された記録ヘッド部９２と、再生ヘッド部９１と記録ヘッド部９２の間に配置された膨張層７６、センサ７７および非磁性部８０とを備えている。非磁性部８０は、非磁性材料によって形成されている。非磁性部８０の材料としては、例えばアルミナを用いることができる。

非磁性部８０は、非磁性層８１，８２，８３，８４を有している。非磁性層８１は、第２の再生シールド層７および絶縁層７５の上に配置されている。膨張層７６は、非磁性層８１の上に配置されている。非磁性層８２は、膨張層７６の周囲において非磁性層８１の上に配置されている。非磁性層８３は、膨張層７６および非磁性層８２の上に配置されている。センサ７７は、非磁性層８３の上に配置されている。非磁性層８４は、センサ７７を覆うように配置されている。

記録ヘッド部９２は、第１のコイル２０と、第２のコイル１０と、磁路構成部Ｍ１とを備えている。第１のコイル２０と第２のコイル１０は、いずれも銅等の導電材料によって形成されている。図２および図４において、符号１０Ｅは、第２のコイル１０のうち、第１のコイル２０に接続されるコイル接続部を示している。図２および図５おいて、符号２０Ｓは、第１のコイル２０のうち、第２のコイル１０のコイル接続部１０Ｅに接続されるコイル接続部を示している。

記録ヘッド部９２は、更に、それぞれ導電材料よりなり、コイル接続部１０Ｅの上に順に積層された接続層２５，２６，２７を備えている。コイル接続部２０Ｓは、接続層２７の上に配置されている。

第１のコイル２０および第２のコイル１０は、記録媒体１００に記録する情報に応じた磁界を発生する。磁路構成部Ｍ１は、磁性材料よりなり、第１のコイル２０および第２のコイル１０によって発生された磁界に対応する磁束を通過させる磁路を構成する。本実施の形態では、磁路構成部Ｍ１は、主磁極１５と、帰磁路部Ｒ１とを有している。図３に示したように、主磁極１５は、媒体対向面９０に配置された第１の端面１５ａを有している。帰磁路部Ｒ１は、媒体対向面９０に配置された第２の端面Ｒ１ａを有している。図１および図２に示したように、帰磁路部Ｒ１は、主磁極１５に接続されている。主磁極１５および帰磁路部Ｒ１は磁路構成部Ｍ１の一部であることから、磁路構成部Ｍ１が第１の端面１５ａおよび第２の端面Ｒ１ａを有しているとも言える。磁路構成部Ｍ１は、垂直磁気記録方式によって情報を記録媒体１００に記録するための記録磁界を第１の端面１５ａから発生させる。図１および図２は、第１の端面１５ａと交差し、媒体対向面９０および基板１の上面１ａに垂直な断面（以下、主断面と言う。）を示している。

図３に示したように、帰磁路部Ｒ１の第２の端面Ｒ１ａは、第１ないし第４の端面部分１６Ａａ，１６Ｂａ，１６Ｃａ，１６Ｄａを含んでいる。第１の端面部分１６Ａａは、第１の端面１５ａに対して記録媒体１００の進行方向Ｔの前側に配置されている。第２の端面部分１６Ｂａは、第１の端面１５ａに対して記録媒体１００の進行方向Ｔの後側に配置されている。第３および第４の端面部分１６Ｃａ，１６Ｄａは、第１の端面１５ａに対してトラック幅方向ＴＷの両側に配置されている。媒体対向面９０において、第１ないし第４の端面部分１６Ａａ，１６Ｂａ，１６Ｃａ，１６Ｄａは、第１の端面１５ａの周りを囲むように配置されている。

主磁極１５の材料としては、例えば、ＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅのいずれかを用いることができる。帰磁路部Ｒ１の材料としては、例えばＣｏＦｅＮ、ＣｏＮｉＦｅ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅのいずれかを用いることができる。

また、帰磁路部Ｒ１は、第２の端面Ｒ１ａを有する記録シールド１６と、コア部３２，４２と、磁性層３１，３３，３４，４１，４３，４４とを含んでいる。磁性層３１は、非磁性層８４の上に配置されている。コア部３２と磁性層３３は、いずれも磁性層３１の上に配置され、磁性層３１によって連結されている。コア部３２は、媒体対向面９０から離れた位置に配置されている。磁性層３３は、コア部３２に対して間隔を開けてコア部３２と媒体対向面９０の間に配置されている。磁性層３１，３３は、それぞれ、媒体対向面９０に配置された端面を有している。

記録ヘッド部９２は、更に、磁性層３１の周囲において非磁性層８４の上に配置された絶縁材料よりなる絶縁層５１を備えている。絶縁層５１は、例えばアルミナによって形成されている。

図１、図２および図４に示したように、第２のコイル１０は、帰磁路部Ｒ１の一部であるコア部３２の周りに１回以上巻かれている。記録ヘッド部９２は、更に、第２のコイル１０を磁性層３１，３３およびコア部３２に対して絶縁する絶縁材料よりなる第２の絶縁膜５２と、第２のコイル１０の巻線間ならびに第２のコイル１０および磁性層３３の周囲に配置された絶縁材料よりなる絶縁層５３とを備えている。第２のコイル１０、コア部３２、磁性層３３、第２の絶縁膜５２および絶縁層５３の上面は平坦化されている。第２の絶縁膜５２および絶縁層５３は、例えばアルミナによって形成されている。

図３に示したように、記録シールド１６は、第１のシールド１６Ａと、第２のシールド１６Ｂと、２つのサイドシールド１６Ｃ，１６Ｄとを有している。第１のシールド１６Ａは、主磁極１５に対して記録媒体１００の進行方向Ｔの前側に配置されている。第２のシールド１６Ｂは、主磁極１５に対して記録媒体１００の進行方向Ｔの後側に配置されている。２つのサイドシールド１６Ｃ，１６Ｄは、主磁極１５に対してトラック幅方向ＴＷの両側に配置されて、第１のシールド１６Ａと第２のシールド１６Ｂを磁気的に連結している。

図３に示したように、第１のシールド１６Ａは、第１の端面部分１６Ａａを有している。第２のシールド１６Ｂは、第２の端面部分１６Ｂａを有している。サイドシールド１６Ｃは、第３の端面部分１６Ｃａを有している。サイドシールド１６Ｄは、第４の端面部分１６Ｄａを有している。

第２のシールド１６Ｂは、磁性層３３の上に配置されている。磁性層３４は、コア部３２の上に配置されている。接続層２５は、第２のコイル１０のコイル接続部１０Ｅの上に配置されている。記録ヘッド部９２は、更に、絶縁材料よりなる絶縁層５４を備えている。絶縁層５４は、第２のシールド１６Ｂ、磁性層３４および接続層２５の周囲において、磁性層３３の上面の一部、ならびに、第２のコイル１０、第２の絶縁膜５２および絶縁層５３の上面の上に配置されている。絶縁層５４は、例えばアルミナによって形成されている。

主磁極１５は、記録媒体１００の進行方向Ｔの前側の端に位置する面である上面１５Ｔ（図１参照）と、この上面１５Ｔとは反対側の下端部１５Ｌ（図１参照）と、トラック幅方向ＴＷの両側に配置された第１および第２の側部（図３参照）とを有している。サイドシールド１６Ｃは、主磁極１５の第１の側部に対向する第１の側壁を有している。サイドシールド１６Ｄは、主磁極１５の第２の側部に対向する第２の側壁を有している。

サイドシールド１６Ｃ，１６Ｄは、第２のシールド１６Ｂの上に配置され、第２のシールド１６Ｂの上面に接している。記録ヘッド部９２は、更に、非磁性材料よりなり、主磁極１５と第２のシールド１６Ｂおよびサイドシールド１６Ｃ，１６Ｄとの間に配置された第２のギャップ層１８を備えている。第２のギャップ層１８は、サイドシールド１６Ｃ，１６Ｄの側壁、第２のシールド１６Ｂおよび絶縁層５４の上面に沿って配置されている。第２のギャップ層１８の材料は、アルミナ等の絶縁材料でもよいし、導電材料でもよい。第２のギャップ層１８には、磁性層３４の上面を露出させる開口部と、接続層２５の上面を露出させる開口部とが形成されている。

主磁極１５は、第２のシールド１６Ｂおよび絶縁層５４の上面と主磁極１５との間に第２のギャップ層１８が介在するように、第２のシールド１６Ｂおよび絶縁層５４の上に配置されている。また、図３に示したように、媒体対向面９０において、主磁極１５とサイドシールド１６Ｃ，１６Ｄとの間にも、第２のギャップ層１８が介在している。主磁極１５の下端部１５Ｌのうちの媒体対向面９０から離れた部分は、磁性層３４の上面に接している。主磁極１５の形状については、後で詳しく説明する。

接続層２６は、接続層２５の上に配置されている。記録ヘッド部９２は、更に、主磁極１５および接続層２６の周囲に配置された非磁性材料よりなる非磁性層５５を備えている。非磁性層５５は、例えばアルミナによって形成されている。

記録ヘッド部９２は、更に、主磁極１５の上面１５Ｔのうちの媒体対向面９０から離れた第１の部分の上に配置された非磁性金属材料よりなる非磁性金属層５８と、この非磁性金属層５８の上面の上に配置された絶縁材料よりなる絶縁層５９とを備えている。非磁性金属層５８は、例えばＲｕ、ＮｉＣｒまたはＮｉＣｕによって形成されている。絶縁層５９は、例えばアルミナによって形成されている。

記録ヘッド部９２は、更に、非磁性材料よりなり、主磁極１５と第１のシールド１６Ａとの間に配置された第１のギャップ層１９を備えている。第１のギャップ層１９は、主磁極１５、非磁性金属層５８および絶縁層５９を覆うように配置されている。第１のギャップ層１９の材料は、アルミナ等の絶縁材料でもよいし、導電材料でもよい。

第１のシールド１６Ａは、サイドシールド１６Ｃ，１６Ｄおよび第１のギャップ層１９の上に配置され、サイドシールド１６Ｃ，１６Ｄおよび第１のギャップ層１９の上面に接している。媒体対向面９０において、第１のシールド１６Ａの第１の端面部分１６Ａａの一部は、主磁極１５の第１の端面１５ａに対して、第１のギャップ層１９の厚みによる所定の間隔を開けて配置されている。第１のギャップ層１９の厚みは、５〜６０ｎｍの範囲内であることが好ましく、例えば３０〜６０ｎｍの範囲内である。主磁極１５の第１の端面１５ａは、第１のギャップ層１９に隣接する辺を有し、この辺はトラック幅を規定している。

磁性層４１は、主磁極１５の上面１５Ｔのうちの媒体対向面９０から離れた第２の部分の上に配置されている。上面１５Ｔの第２の部分は、上面１５Ｔの第１の部分に対して、媒体対向面９０からより遠い位置にある。接続層２７は、接続層２６の上に配置されている。記録ヘッド部９２は、更に、第１のシールド１６Ａ、磁性層４１および接続層２７の周囲に配置された非磁性層６１を備えている。非磁性層６１は、例えば無機絶縁材料によって形成されている。この無機絶縁材料としては、例えばアルミナまたはシリコン酸化物が用いられる。第１のシールド１６Ａ、磁性層４１、接続層２７および非磁性層６１の上面は平坦化されている。

コア部４２は、磁性層４１の上に配置されている。磁性層４３は、第１のシールド１６Ａおよび非磁性層６１の上に配置されている。また、コア部４２は、媒体対向面９０から離れた位置に配置されている。磁性層４３は、コア部４２に対して間隔を開けてコア部４２と媒体対向面９０の間に配置されている。また、磁性層４３は、媒体対向面９０に配置された端面を有している。

図１、図２および図５に示したように、第１のコイル２０は、帰磁路部Ｒ１の一部であるコア部４２の周りに１回以上巻かれている。記録ヘッド部９２は、更に、第１のコイル２０を磁性層４１，４３、コア部４２および非磁性層６１に対して絶縁する絶縁材料よりなる第１の絶縁膜６２と、第１のコイル２０の巻線間ならびに第１のコイル２０および磁性層４３の周囲に配置された絶縁材料よりなる絶縁層６３と、第１のコイル２０および絶縁層６３の上に配置された絶縁材料よりなる絶縁層６４とを備えている。第１のコイル２０のコイル接続部２０Ｓは、接続層２７の上に配置されている。第１のコイル２０、コア部４２、磁性層４３、第１の絶縁膜６２および絶縁層６３の上面は平坦化されている。第１の絶縁膜６２および絶縁層６３，６４は、例えばアルミナによって形成されている。

磁性層４４は、コア部４２、磁性層４３および絶縁層６４の上に配置されコア部４２と磁性層４３を連結している。図１に示したように、磁性層４４は、媒体対向面９０に向いた端面４４ａを有している。この端面４４ａにおける任意の位置の媒体対向面９０からの距離は、任意の位置が基板１の上面１ａから離れるに従って大きくなっている。記録ヘッド部９２は、更に、磁性層４４の周囲を覆うように配置された非磁性材料よりなる非磁性層６５を備えている。磁性層４４および非磁性層６５の上面は平坦化されている。非磁性層６５は、例えばアルミナによって形成されている。

記録ヘッド部９２は、更に、磁性層４４および非磁性層６５の上に配置されたストッパ層８５を有している。ストッパ層８５は、熱伝導率が大きく、線熱膨張係数が小さく、且つ硬い非磁性材料によって形成されている。ストッパ層８５を構成する材料は、アルミナに比べて、熱伝導率が大きく、線熱膨張係数が小さく、且つビッカース硬度が大きい材料であることが好ましい。このような材料としては、ＳｉＣがある。ストッパ層８５がない場合には、磁性層４３，４４が、第１のコイル２０によって発生された熱を受けて膨張して、媒体対向面９０の一部を突出させる可能性がある。ストッパ層８５は、第１のコイル２０によって発生された熱を吸熱すると共に、磁性層４３，４４の媒体対向面９０側への膨張を抑制する。これにより、第１のコイル２０によって発生された熱によって、媒体対向面９０の一部が突出することが抑制される。

磁気ヘッドは、更に、非磁性材料よりなり、記録ヘッド部９２を覆うように配置された保護層７０を備えている。保護層７０は、例えば、アルミナ等の無機絶縁材料によって形成されている。

以上説明したように、本実施の形態に係る磁気ヘッドは、媒体対向面９０と再生ヘッド部９１と記録ヘッド部９２とを備えている。再生ヘッド部９１と記録ヘッド部９２は、基板１の上に積層されている。記録ヘッド部９２は、再生ヘッド部９１に対して、記録媒体１００の進行方向Ｔの前側（トレーリング端側）に配置されている。

記録ヘッド部９２は、第１のコイル２０と、第２のコイル１０と、磁路構成部Ｍ１と、第１の絶縁膜６２と、第２の絶縁膜５２とを備えている。磁路構成部Ｍ１は、主磁極１５と、帰磁路部Ｒ１とを有している。帰磁路部Ｒ１は、記録シールド１６と、コア部３２，４２と、磁性層３１，３３，３４，４１，４３，４４とを含んでいる。

帰磁路部Ｒ１は、記録シールド１６から主磁極１５に至る第１の磁路および第２の磁路を構成する。第１の磁路は、磁性層４１，４３，４４およびコア部４２によって構成されている。第１の磁路は、主磁極１５に対して記録媒体１００の進行方向Ｔの前側に配置されて、主磁極１５、記録シールド１６および第１の磁路（磁性層４１，４３，４４およびコア部４２）によって囲まれた第１の空間Ｓ１が形成されるように、主磁極１５のうちの媒体対向面９０から離れた部分と記録シールド１６とを接続している。第１のコイル２０は、第１の空間Ｓ１を通過している。

第２の磁路は、磁性層３１，３３，３４およびコア部３２によって構成されている。第２の磁路は、主磁極１５に対して記録媒体１００の進行方向Ｔの後側（リーディング端側）に配置されて、主磁極１５、記録シールド１６および第２の磁路（磁性層３１，３３，３４およびコア部３２）によって囲まれた第２の空間Ｓ２が形成されるように、主磁極１５のうちの媒体対向面９０から離れた部分と記録シールド１６とを接続している。第２のコイル１０は、第２の空間Ｓ２を通過している。

第１の絶縁膜６２は、第１のコイル２０を、磁路構成部Ｍ１の一部である磁性層４１，４３およびコア部４２に対して絶縁する。第２の絶縁膜５２は、第２のコイル１０を、磁路構成部Ｍ１の一部である磁性層３１，３３およびコア部３２に対して絶縁する。

記録シールド１６は、磁気ヘッドの外部から磁気ヘッドに印加された外乱磁界を取り込む。これにより、外乱磁界が主磁極１５に集中して取り込まれることによって記録媒体１００に対して誤った記録が行なわれることを防止することができる。また、記録シールド１６は、主磁極１５の第１の端面１５ａより発生されて記録媒体１００の面に垂直な方向以外の方向に広がる磁束を取り込んで、この磁束が記録媒体１００に達することを阻止する機能を有している。また、帰磁路部Ｒ１は、主磁極１５の第１の端面１５ａより発生されて、記録媒体１００を磁化した磁束を還流させる機能を有している。

磁気ヘッドは、更に、ヒーター７２、膨張層７６およびセンサ７７を備えている。ヒーター７２および膨張層７６は、再生ヘッド部９１および記録ヘッド部９２と記録媒体１００の表面との間の距離を小さくするために、媒体対向面９０の一部を突出させるためのものである。ヒーター７２は、通電されることによって、媒体対向面９０の一部を突出させるための熱を発生する。膨張層７６は、ヒーター７２によって発生された熱を受けて膨張して、媒体対向面９０の一部を突出させる。これにより、再生ヘッド部９１および記録ヘッド部９２と記録媒体１００の表面との間の距離が小さくなる。

非磁性部８０は、膨張層７６およびセンサ７７の周囲に配置されている。膨張層７６は、非磁性部８０に比べて、熱伝導率および線熱膨張係数が大きい材料によって形成されている。膨張層７６の材料としては、金属材料を用いることができる。

センサ７７は、媒体対向面９０の一部が記録媒体１００に接触したことを検出するためのものである。センサ７７は、媒体対向面９０の一部が記録媒体１００に接触したときに自身の温度変化によって抵抗値が変化する抵抗体である。センサ７７に接続された図示しない２つのリードを介してセンサ７７の抵抗値を測定することによって、媒体対向面９０の一部が記録媒体１００に接触したことを検出することができる。センサ７７の材料としては、温度変化に対する抵抗値の変化の割合、すなわち抵抗の温度係数がある程度大きい金属材料や半導体材料が用いられる。

次に、図１、図４および図５を参照して、磁路構成部Ｍ１と、第１のコイル２０および第２のコイル１０について詳しく説明する。磁路構成部Ｍ１は、第１および第２の組の第１の磁性体部、第２の磁性体部および連結部を含んでいる。各組において、第１の磁性体部は、媒体対向面９０から離れた位置に配置され、第２の磁性体部は、第１の磁性体部に対して間隔を開けて第１の磁性体部と媒体対向面９０の間に配置され、連結部は、第１の磁性体部と第２の磁性体部を連結している。

第１の組の第１の磁性体部、第２の磁性体部および連結部は、それぞれ、コア部４２、磁性層４３および磁性層４４によって構成されている。以下、コア部４２、磁性層４３および磁性層４４を、それぞれ、第１の磁性体部４２、第２の磁性体部４３および連結部４４とも記す。

第２の組の第１の磁性体部、第２の磁性体部および連結部は、それぞれ、コア部３２、磁性層３３および磁性層３１によって構成されている。以下、コア部３２、磁性層３３および磁性層３１を、それぞれ、第１の磁性体部３２、第２の磁性体部３３および連結部３１とも記す。

本実施の形態では、コア部３２，４２および磁性層３１，３３，４３，４４は帰磁路部Ｒ１の一部であることから、帰磁路部Ｒ１が第１および第２の組の第１の磁性体部、第２の磁性体部および連結部を含んでいるとも言える。

以下、図１および図５を参照して、第１のコイル２０の構成、ならびに、第１の組の第１の磁性体部４２、第２の磁性体部４３および連結部４４と、第１のコイル２０との位置関係について説明する。図５は、第１のコイル２０を示す平面図である。第１のコイル２０は、帰磁路部Ｒ１の一部である第１の磁性体部４２の周りに１回以上巻かれている。また、第１のコイル２０は、第１の磁性体部４２と第２の磁性体部４３の間に位置する１つ以上のコイル要素を含んでいる。なお、コイル要素とは、コイルの巻線の一部である。本実施の形態では、特に、第１のコイル２０は、第１の磁性体部４２の周りに約２回巻かれ、１つ以上のコイル要素として、第１のコイル要素２０Ａと第２のコイル要素２０Ｂを含んでいる。第１および第２のコイル要素２０Ａ，２０Ｂは、媒体対向面９０側から２０Ｂ，２０Ａの順に、媒体対向面９０に垂直な方向に並んでいる。また、図１に示したように、第１および第２のコイル要素２０Ａ，２０Ｂは、連結部４４に対して記録媒体１００の進行方向Ｔの後側に配置されている。

図１および図５に示したように、第１の磁性体部４２は、第１のコイル２０の１つ以上のコイル要素に向いた第１の側壁４２ａを有している。第２の磁性体部４３は、第１のコイル２０の１つ以上のコイル要素に向いた第２の側壁４３ａを有している。第１のコイル２０の１つ以上のコイル要素は、第１の側壁４２ａに対向する第１の側面と、第２の側壁４３ａに対向する第２の側面とを有している。本実施の形態では、第１のコイル要素２０Ａが上記第１の側面を有し、第２のコイル要素２０Ｂが上記第２の側面を有している。以下、第１のコイル要素２０Ａの第１の側面を符号２０Ａａで表し、第２のコイル要素２０Ｂの第２の側面を符号２０Ｂａで表す。

図１に示したように、第１の絶縁膜６２は、第１の側壁４２ａと第１の側面２０Ａａの間に介在する第１の介在部６２Ａと、第２の側壁４３ａと第２の側面２０Ｂａの間に介在する第２の介在部６２Ｂと、第１および第２の介在部６２Ａ，６２Ｂに連続する下地部６２Ｃとを含んでいる。第１のコイル２０の１つ以上のコイル要素、すなわち第１および第２のコイル要素２０Ａ，２０Ｂは、下地部６２Ｃの上に配置されている。

第１の側壁４２ａと第１の側面２０Ａａとの最小間隔と、第２の側壁４３ａと第２の側面２０Ｂａとの最小間隔は、いずれも、例えば５０〜２００ｎｍの範囲内である。第１の側壁４２ａと第１の側面２０Ａａとの最小間隔は、第１の介在部６２Ａの厚みと等しい。また、第２の側壁４３ａと第２の側面２０Ｂａとの最小間隔は、第２の介在部６２Ｂの厚みと等しい。

図１および図５に示したように、第１のコイル２０の１つ以上のコイル要素の数が２つの場合、第１の磁性体部４２と媒体対向面９０の最短距離は、例えば１．４〜４．０μｍの範囲内である。なお、図５に示したように、本実施の形態では、第１の磁性体部４２の第１の側壁４２ａは、前記主断面と交差する部分において媒体対向面９０に最も近づくように、媒体対向面９０に向けて突出した凸形状を有している。従って、本実施の形態では、前記主断面における第１の磁性体部４２と媒体対向面９０との間の距離が、第１の磁性体部４２と媒体対向面９０の最短距離になる。

次に、図１および図４を参照して、第２のコイル１０の構成、ならびに、第２の組の第１の磁性体部３２、第２の磁性体部３３および連結部３１と、第２のコイル１０との位置関係について説明する。図４は、第２のコイル１０を示す平面図である。第２のコイル１０は、帰磁路部Ｒ１の一部である第１の磁性体部３２の周りに１回以上巻かれている。また、第２のコイル１０は、第１の磁性体部３２と第２の磁性体部３３の間に位置する１つ以上のコイル要素を含んでいる。本実施の形態では、特に、第２のコイル１０は、第１の磁性体部３２の周りに約２回巻かれ、１つ以上のコイル要素として、第１のコイル要素１０Ａと第２のコイル要素１０Ｂを含んでいる。第１および第２のコイル要素１０Ａ，１０Ｂは、媒体対向面９０側から１０Ｂ，１０Ａの順に、媒体対向面９０に垂直な方向に並んでいる。また、図１に示したように、第１および第２のコイル要素１０Ａ，１０Ｂは、連結部３１に対して記録媒体１００の進行方向Ｔの前側に配置されている。

また、図１および図４に示したように、第１の磁性体部３２は、第２のコイル１０の１つ以上のコイル要素に向いた第１の側壁３２ａを有している。第２の磁性体部３３は、第２のコイル１０の１つ以上のコイル要素に向いた第２の側壁３３ａを有している。第２のコイル１０の１つ以上のコイル要素は、第１の側壁３２ａに対向する第１の側面と、第２の側壁３３ａに対向する第２の側面とを有している。本実施の形態では、第１のコイル要素１０Ａが上記第１の側面を有し、第２のコイル要素１０Ｂが上記第２の側面を有している。以下、第１のコイル要素１０Ａの第１の側面を符号１０Ａａで表し、第２のコイル要素１０Ｂの第２の側面を符号１０Ｂａで表す。

図１に示したように、第２の絶縁膜５２は、第１の側壁３２ａと第１の側面１０Ａａの間に介在する第１の介在部５２Ａと、第２の側壁３３ａと第２の側面１０Ｂａの間に介在する第２の介在部５２Ｂと、第１および第２の介在部５２Ａ，５２Ｂに連続する下地部５２Ｃとを含んでいる。第２のコイル１０の１つ以上のコイル要素、すなわち第１および第２のコイル要素１０Ａ，１０Ｂは、下地部５２Ｃの上に配置されている。

第１の側壁３２ａと第１の側面１０Ａａとの最小間隔と、第２の側壁３３ａと第２の側面１０Ｂａとの最小間隔は、いずれも、例えば５０〜２００ｎｍの範囲内である。第１の側壁３２ａと第１の側面１０Ａａとの最小間隔は、第１の介在部５２Ａの厚みと等しい。また、第２の側壁３３ａと第２の側面１０Ｂａとの最小間隔は、第２の介在部５２Ｂの厚みと等しい。

図１および図４に示したように、第２のコイル１０の１つ以上のコイル要素の数が２つの場合、第１の磁性体部３２と媒体対向面９０の最短距離は、例えば１．４〜４．０μｍの範囲内である。なお、図４に示したように、本実施の形態では、第１の磁性体部３２の第１の側壁３２ａは、前記主断面と交差する部分において媒体対向面９０に最も近づくように、媒体対向面９０に向けて突出した凸形状を有している。従って、本実施の形態では、前記主断面における第１の磁性体部３２と媒体対向面９０との間の距離が、第１の磁性体部３２と媒体対向面９０の最短距離になる。

次に、コイル１０，２０の内部構造の特徴と、コイル１０，２０の相互接続関係について説明する。図１に示したように、第１のコイル２０は、導電材料よりなるシード層２１と、このシード層２１の上に配置された導電材料よりなる主要部分２２とを含んでいる。後で詳しく説明するように、シード層２１は、第１のコイル２０（特に主要部分２２）を構成するための導電層をめっき法で形成する際にシードおよび陰極として用いられる。また、第２のコイル１０は、導電材料よりなるシード層１１と、このシード層１１の上に配置された導電材料よりなる主要部分１２とを含んでいる。後で詳しく説明するように、シード層１１は、第２のコイル１０（特に主要部分１２）を構成するための導電層をめっき法で形成する際にシードおよび陰極として用いられる。なお、図２では、シード層１１，２１を省略している。

第１のコイル２０のコイル接続部２０Ｓは、図２に示した接続層２５〜２７を介して第２のコイル１０のコイル接続部１０Ｅに電気的に接続されている。図２、図４および図５に示した例では、第１のコイル２０と第２のコイル１０は、直列に接続されている。

次に、図１、図３ないし図５を参照して、主磁極１５の形状について詳しく説明する。図４および図５に示したように、主磁極１５は、第１の端面１５ａとその反対側の端部とを有する細幅部１５Ａと、細幅部１５Ａの端部に接続された幅広部１５Ｂとを含んでいる。また、主磁極１５は、前記の上面１５Ｔ、下端部１５Ｌ、第１の側部および第２の側部を有している。幅広部１５Ｂにおける上面１５Ｔのトラック幅方向ＴＷの幅は、細幅部１５Ａにおける上面１５Ｔのトラック幅方向ＴＷの幅よりも大きい。

細幅部１５Ａにおける上面１５Ｔのトラック幅方向ＴＷの幅は、媒体対向面９０からの距離によらずにほぼ一定である。幅広部１５Ｂにおける上面１５Ｔのトラック幅方向ＴＷの幅は、例えば、細幅部１５Ａとの境界位置では細幅部１５Ａにおける上面１５Ｔのトラック幅方向ＴＷの幅と等しく、媒体対向面９０から離れるに従って、徐々に大きくなった後、一定の大きさになっている。ここで、媒体対向面９０に垂直な方向についての細幅部１５Ａの長さをネックハイトと呼ぶ。ネックハイトは、例えば０〜０．３μｍの範囲内である。ネックハイトが０の場合は、細幅部１５Ａがなく、幅広部１５Ｂが第１の端面１５ａを有する。

上面１５Ｔは、媒体対向面９０に近い順に、連続するように配置された第１の傾斜部、第２の傾斜部および第１の平坦部を含んでいる。第１の傾斜部は、媒体対向面９０に配置された端部を有している。第１および第２の傾斜部における任意の位置の基板１の上面１ａからの距離は、任意の位置が媒体対向面９０から離れるに従って大きくなっている。媒体対向面９０に垂直な方向に対する第２の傾斜部の傾斜角度は、同方向に対する第１の傾斜部の傾斜角度よりも大きい。第１の平坦部は、実質的に媒体対向面９０に垂直な方向に延在している。

下端部１５Ｌは、媒体対向面９０に近い順に、連続するように配置された第３の傾斜部、第４の傾斜部および第２の平坦部を含んでいる。第３の傾斜部は、媒体対向面９０に配置された端部を有している。第３および第４の傾斜部は、２つの面が交わってできるエッジでもよいし、２つの面を連結する面でもよい。第３および第４の傾斜部における任意の位置の基板１の上面１ａからの距離は、任意の位置が媒体対向面９０から離れるに従って小さくなっている。媒体対向面９０に垂直な方向に対する第４の傾斜部の傾斜角度は、同方向に対する第３の傾斜部の傾斜角度よりも大きい。第２の平坦部は、実質的に媒体対向面９０に垂直な方向に延在する面になっている。

主磁極１５の第１の端面１５ａは、第１のギャップ層１９に隣接する第１の辺と、第１の辺の一端部に接続された第２の辺と、第１の辺の他端部に接続された第３の辺とを有している。第１の辺はトラック幅を規定する。記録媒体１００に記録される記録ビットの端部の位置は、第１の辺の位置によって決まる。主磁極１５の第１の端面１５ａのトラック幅方向ＴＷの幅は、第１の辺から離れるに従って、すなわち基板１の上面１ａに近づくに従って小さくなっている。第２の辺と第３の辺がそれぞれ基板１の上面１ａに垂直な方向（Ｚ方向）に対してなす角度は、例えば７°〜１７°の範囲内であり、１０°〜１５°の範囲内であることが好ましい。第１の辺の長さは、例えば０．０５〜０．２０μｍの範囲内である。

次に、本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法について説明する。本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法では、まず、図２および図３に示したように、基板１の上に、絶縁層７１、ヒーター７２、絶縁層７３、第１の再生シールド層３、絶縁層７４、第１の再生シールドギャップ膜４を順に形成する。次に、第１の再生シールドギャップ膜４の上にＭＲ素子５と、このＭＲ素子５に接続された図示しない２つのリードとを形成する。次に、ＭＲ素子５およびリードを覆うように第２の再生シールドギャップ膜６を形成する。次に、第２の再生シールドギャップ膜６の上に第２の再生シールド層７および絶縁層７５を形成する。次に、第２の再生シールド層７および絶縁層７５の上に、非磁性層８１、膨張層７６、非磁性層８２，８３、センサ７７および非磁性層８４を順に形成する。

次に、例えばフレームめっき法によって、非磁性層８４の上に連結部３１（磁性層３１）を形成する。次に、積層体の上面全体の上に絶縁層５１を形成する。次に、例えば化学機械研磨（以下、ＣＭＰと記す。）によって、連結部３１が露出するまで、絶縁層５１を研磨して、連結部３１および絶縁層５１の上面を平坦化する。

次に、例えばフレームめっき法によって、連結部３１の上に第１の磁性体部３２（コア部３２）および第２の磁性体部３３（磁性層３３）を形成する。次に、例えば原子層堆積法によって、連結部３１、第１の磁性体部３２、第２の磁性体部３３および絶縁層５１を覆うように、第２の絶縁膜５２を形成する。第２の絶縁膜５２の厚みは、例えば５０〜２００ｎｍの範囲内である。

次に、自己整合的に第２のコイル１０を形成する。なお、第２のコイル１０を形成する工程は、基本的には、後で説明する第１のコイル２０を形成する工程と同様である。ここでは、第２のコイル１０を形成する工程について簡単に説明し、後で、第１のコイル２０を形成する工程について詳しく説明する。

第２のコイル１０を形成する工程では、まず、第２の絶縁膜５２の上に、図示しない第１のマスクを形成する。第１のマスクは、第１および第２の磁性体部３２，３３を覆い、第２の絶縁膜５２の下地部５２Ｃ（図１参照）の少なくとも一部（以下、露出部と言う。）を露出させる。後に、露出部の上にはシード層１１が形成され、更に、このシード層１１の上に第２のコイル１０（特に主要部分１２）を構成するための導電層が形成される。

第１のマスクは、第１の磁性体部３２を覆う第１の部分と、第２の磁性体部３３を覆う第２の部分とを含んでいる。第１の部分は、第２の絶縁膜５２の第１の介在部５２Ａをわずかに覆う第１の被覆部を含んでいる。第２の部分は、第２の絶縁膜５２の第２の介在部５２Ｂをわずかに覆う第２の被覆部を含んでいる。

第１のマスクは、以下のようにして形成される。まず、積層体の上面全体の上に、ポジ型のフォトレジストよりなるフォトレジスト層を形成する。次に、フォトマスクを用いて、フォトレジスト層を選択的に露光する。このフォトマスクは、露光用の光を通過させる透光部と、露光用の光を遮断する遮光部とを有している。フォトマスクの透光部は、後に形成される第１のマスクの開口部の平面形状に対応した形状を有している。次に、露光後のフォトレジスト層を現像する。露光後は、フォトレジスト層のうち、フォトマスクの透光部を通過した光が照射された部分は現像液に対して可溶性となり、他の部分は現像液に対して不溶性のままである。現像後に残ったフォトレジスト層が第１のマスクとなる。

このように、第１のマスクを形成する工程では、パターン化前のフォトレジスト層に、フォトマスクによって規定される所定のパターンの光を照射して、フォトレジスト層を露光する。なお、これ以降の工程で形成される、フォトレジスト層をパターニングして形成する他のマスクも、この第１のマスクと同様の方法で形成される。

次に、第１のマスクを用いて、下地部５２Ｃの上に選択的に、シード層１１を形成する。具体的には、第１のマスクを残したまま、例えばイオンビームデポジション法によって、積層体の上面全体の上に、シード層１１となる導電膜を形成する。この導電膜のうち、下地部５２Ｃの露出部の上に形成された部分がシード層１１となる。導電膜のうち、第１のマスクの上に形成された部分は、シード層１１ではなく、後に除去される不要導電膜となる。次に、第１のマスクとその上の不要導電膜を除去する。

上述のように、シード層１１の形成後に第１のマスクを除去すると、前記第１の被覆部と第２の被覆部が除去されることによって、シード層１１と、第２の絶縁膜５２の第１および第２の介在部５２Ａ，５２Ｂの各々との間に間隙が生じる。

次に、シード層１１および第２の絶縁膜５２の上に、図示しない第２のマスクを形成する。第２のマスクは、第２のコイル１０を構成するための導電層を収容する予定の開口部を有している。この開口部の縁の一部は、第１および第２の磁性体部３２，３３の上方に配置されている。第２のマスクは、例えば、フォトリソグラフィを用いてフォトレジスト層をパターニングして形成する。

次に、シード層１１をシードおよび陰極として用いて、めっき法によって、第２のマスクの開口部内に収容されるように、第２のコイル１０を構成するための導電層を形成する。この導電層は、第２の絶縁膜５２の第１および第２の介在部５２Ａ，５２Ｂ（図１参照）を介して第１の磁性体部３２の第１の側壁３２ａと第２の磁性体部３３の第２の側壁３３ａに接し且つその一部が第１および第２の磁性体部３２，３３に乗り上げるように形成される。次に、第２のマスクを除去する。

次に、シード層１１のうちの上記導電層の下に存在する部分以外の不要部分を、エッチングによって除去する。このエッチングは、ウェットエッチングでもよいしドライエッチングでもよい。ドライエッチングの場合には、イオンビームエッチング（以下、ＩＢＥと記す。）を用いることが好ましい。次に、上記導電層、第１の磁性体部３２、第２の磁性体部３３を覆うように、積層体の上面全体の上に絶縁層５３を形成する。次に、上記導電層のうち第１および第２の磁性体部３２，３３に乗り上げた部分が除去されるように、例えばＣＭＰによって、上記導電層、第１の磁性体部３２、第２の磁性体部３３、第２の絶縁膜５２および絶縁層５３を研磨して、それらの上面を平坦化する。これにより、上記導電層は第２のコイル１０の主要部分１２となり、第２のコイル１０が完成する。

次に、例えばフレームめっき法によって、第２の磁性体部３３の上に第２のシールド１６Ｂを形成し、第１の磁性体部３２の上に磁性層３４を形成し、第２のコイル１０のコイル接続部１０Ｅの上に接続層２５を形成する。次に、積層体の上面全体の上に絶縁層５４を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第２のシールド１６Ｂ、磁性層３４および接続層２５の上面が露出するまで絶縁層５４を研磨して、第２のシールド１６Ｂ、磁性層３４、接続層２５および絶縁層５４の上面を平坦化する。次に、例えばフレームめっき法によって、第２のシールド１６Ｂの上に２つのサイドシールド１６Ｃ，１６Ｄを形成する。

次に、第２のシールド１６Ｂおよびサイドシールド１６Ｃ，１６Ｄの上に、図示しないエッチングマスクを形成する。このエッチングマスクは、フォトリソグラフィを用いてフォトレジスト層をパターニングして形成する。次に、上記エッチングマスクを用いて、磁性層３４、接続層２５および絶縁層５４をエッチングする。このエッチングは、エッチングによって形成される底部が、当初の絶縁層５４の上面と下面の間の高さの位置に達するまで行う。また、このエッチングは、例えば反応性イオンエッチング（以下、ＲＩＥと記す。）を用いて行われる。次に、エッチングマスクを除去する。次に、例えばＩＢＥを用いて、媒体対向面９０が形成される予定の位置の近傍において、第２のシールド１６Ｂの上面の一部をエッチングする。これにより、第２のシールド１６Ｂの上面の形状が決定される。

次に、第２のシールド１６Ｂおよびサイドシールド１６Ｃ，１６Ｄを覆うように第２のギャップ層１８を形成する。次に、第２のギャップ層１８に、磁性層３４の上面を露出させる開口部と、接続層２５の上面を露出させる開口部とを形成する。次に、例えばフレームめっき法によって、第２のギャップ層１８の上に、後に主磁極１５になる予備主磁極を形成し、接続層２５の上に接続層２６を形成する。予備主磁極および接続層２６は、その上面が、第２のギャップ層１８のうち、サイドシールド１６Ｃ，１６Ｄの上に配置された部分よりも上方に配置されるように形成される。次に、積層体の上面全体の上に非磁性層５５を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、サイドシールド１６Ｃ，１６Ｄの上面が露出するまで予備主磁極、接続層２６および非磁性層５５を研磨して、予備主磁極、サイドシールド１６Ｃ，１６Ｄ、接続層２６および非磁性層５５の上面を平坦化する。

次に、予備主磁極およびサイドシールド１６Ｃ，１６Ｄの上に、非磁性金属層５８および絶縁層５９を形成する。次に、非磁性金属層５８および絶縁層５９をエッチングマスクとして、例えばＩＢＥによって、予備主磁極およびサイドシールド１６Ｃ，１６Ｄのそれぞれの一部をエッチングする。これにより、予備主磁極は主磁極１５となる。このエッチングにより、主磁極１５の上面１５Ｔの形状が決定される。

次に、積層体の上面全体の上に、例えばスパッタ法または化学的気相成長法によって、第１のギャップ層１９を形成する。次に、例えばＩＢＥによって、主磁極１５の上面１５Ｔの一部およびサイドシールド１６Ｃ，１６Ｄの上面の一部が露出するように、第１のギャップ層１９、非磁性金属層５８および絶縁層５９を選択的にエッチングする。次に、例えばフレームめっき法によって、サイドシールド１６Ｃ，１６Ｄおよび第１のギャップ層１９の上に第１のシールド１６Ａを形成し、主磁極１５の上に磁性層４１を形成し、接続層２６の上に接続層２７を形成する。

次に、積層体の上面全体の上に非磁性層６１を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第１のシールド１６Ａ、磁性層４１および接続層２７が露出するまで、非磁性層６１を研磨して、第１のシールド１６Ａ、磁性層４１、接続層２７および非磁性層６１の上面を平坦化する。

次に、図６Ａないし図２０Ｂを参照して、上記の工程の後、連結部４４（磁性層４４）を形成する工程までの一連の工程について説明する。図６Ａないし図２０Ｂは、磁気ヘッドの製造過程における積層体の一部を示している。図ｎＡ（ｎは６以上２０以下の整数）は、前記主断面に現れる積層体の一部の断面を示している。図ｎＢは、上記積層体の一部の上面を示している。図ｎＢにおいて、ｎＡ−ｎＡ線は、図ｎＡの断面の位置を示している。図６Ａないし図２０Ｂにおいて、記号“ＡＢＳ”は、媒体対向面９０が形成される予定の位置を表している。

図６Ａおよび図６Ｂは、非磁性層６１を研磨した後の工程を示す。この工程では、まず、例えばフレームめっき法によって、磁性層４１の上に第１の磁性体部４２（コア部４２）を形成し、第１のシールド１６Ａおよび非磁性層６１の上に第２の磁性体部４３（磁性層４３）を形成する。次に、例えば原子層堆積法によって、磁性層４１、第１の磁性体部４２、第２の磁性体部４３および非磁性層６１を覆うように、第１の絶縁膜６２を形成する。第１の絶縁膜６２の厚みは、例えば５０〜２００ｎｍの範囲内である。なお、図６Ｂでは、第１の絶縁膜６２を省略している。次に、第１の絶縁膜６２に、接続層２７の上面を露出させる開口部を形成する。

図６Ａおよび図６Ｂに示した工程において、上方から見たときの第２の磁性体部４３の外縁は、第１ないし第６の端縁４３Ｅ１，４３Ｅ２，４３Ｅ３，４３Ｅ４，４３Ｅ５，４３Ｅ６を含んでいる。第１の端縁４３Ｅ１は、直線状であって、第１の磁性体部４２とは反対側の端に位置している。第２の端縁４３Ｅ２は、弧状であって、第１の磁性体部４２に向いている。第３および第４の端縁４３Ｅ３，４３Ｅ４は、トラック幅方向の両側の端に位置している。第５の端縁４３Ｅ５は、第２の端縁４３Ｅ２の一端と第３の端縁４３Ｅ３の一端とを接続している。第６の端縁４３Ｅ６は、第２の端縁４３Ｅ２の他端と第４の端縁４３Ｅ４の一端とを接続している。

次に、自己整合的に第１のコイル２０を形成する。図７Ａないし図１４Ｂは、第１のコイル２０を形成する工程を示している。第１のコイル２０を形成する工程では、まず、図７Ａおよび図７Ｂに示したように、第１の絶縁膜６２の上に、第１のマスク１０１を形成する。第１のマスク１０１は、第１および第２の磁性体部４２，４３を覆い、第１の絶縁膜６２の下地部６２Ｃの少なくとも一部（以下、露出部６２Ｃａと言う。）を露出させる。後に、露出部６２Ｃａの上にはシード層２１が形成され、更に、このシード層２１の上に第１のコイル２０（特に主要部分２２）を構成するための導電層が形成される。第１のマスク１０１は、例えば、フォトリソグラフィを用いてフォトレジスト層をパターニングして形成する。

第１のマスク１０１は、第１の磁性体部４２を覆う第１の部分１０１Ａと、第２の磁性体部４３を覆う第２の部分１０１Ｂとを含んでいる。第１の部分１０１Ａは、第１の絶縁膜６２の第１の介在部６２Ａをわずかに覆う第１の被覆部１０１Ａａを含んでいる。第２の部分１０１Ｂは、第１の絶縁膜６２の第２の介在部６２Ｂをわずかに覆う第２の被覆部１０１Ｂａを含んでいる。

上方から見たときの第２の部分１０１Ｂの外縁は、第２の磁性体部４３の外縁における第１、第３および第４の端縁４３Ｅ１，４３Ｅ３，４３Ｅ４にそれぞれ平行な３つの部分を含んでいる。これら３つの部分は、それぞれ、第１、第３および第４の端縁４３Ｅ１，４３Ｅ３，４３Ｅ４から１００μｍ以上離れた位置にあることが好ましい。その理由については、後で説明する。

図８Ａおよび図８Ｂは、次の工程を示す。この工程では、まず、第１のマスク１０１を用いて、下地部６２Ｃの上に選択的に、シード層２１を形成する。具体的には、第１のマスク１０１を残したまま、例えばイオンビームデポジション法によって、積層体の上面全体の上に、シード層２１となる導電膜を形成する。この導電膜のうち、下地部６２Ｃの露出部６２Ｃａの上に形成された部分がシード層２１となる。導電膜のうち、第１のマスク１０１の上に形成された部分は、シード層２１ではなく、後に除去される不要導電膜１２１となる。なお、図示しないが、シード層２１は、接続層２７の上にも形成される。次に、第１のマスク１０１とその上の不要導電膜１２１を除去する。

上述のように、シード層２１の形成後に第１のマスク１０１を除去すると、図７Ａに示した第１の被覆部１０１Ａａと第２の被覆部１０１Ｂａが除去されることによって、シード層２１と、第１の絶縁膜６２の第１および第２の介在部６２Ａ，６２Ｂの各々との間に間隙が生じる。

図９Ａおよび図９Ｂは、次の工程を示す。この工程では、積層体の上面全体の上に、フォトレジストよりなるフォトレジスト層１０２Ｐを形成する。

図１０Ａおよび図１０Ｂは、次の工程を示す。この工程では、フォトリソグラフィを用いてフォトレジスト層１０２Ｐをパターニングすることによって、第２のマスク１０２を形成する。第２のマスク１０２は、第１のコイル２０を構成するための導電層を収容する予定の開口部１０２ａを有している。開口部１０２ａの縁の一部は、第１および第２の磁性体部４２，４３に上方に配置されている。

図１１Ａおよび図１１Ｂは、次の工程を示す。この工程では、シード層２１をシードおよび陰極として用いて、めっき法によって、第２のマスク１０２の開口部１０２ａ内に収容されるように、第１のコイル２０を構成するための導電層２２Ｐを形成する。この導電層２２Ｐは、第１の絶縁膜６２の第１および第２の介在部６２Ａ，６２Ｂを介して第１の磁性体部４２の第１の側壁４２ａと第２の磁性体部４３の第２の側壁４３ａに接し且つその一部が第１および第２の磁性体部４２，４３に乗り上げるように形成される。次に、図１２Ａおよび図１２Ｂに示したように、第２のマスク１０２を除去する。

図１３Ａおよび図１３Ｂは、次の工程を示す。この工程では、シード層２１のうちの導電層２２Ｐの下に存在する部分以外の不要部分を、エッチングによって除去する。このエッチングは、ウェットエッチングでもよいしドライエッチングでもよい。ドライエッチングの場合には、ＩＢＥを用いることが好ましい。

図１４Ａおよび図１４Ｂは、次の工程を示す。この工程では、まず、導電層２２Ｐ、第１の磁性体部４２および第２の磁性体部４３を覆うように、積層体の上面全体の上に絶縁層６３を形成する。次に、導電層２２Ｐのうち第１および第２の磁性体部４２，４３に乗り上げた部分が除去されるように、例えばＣＭＰによって、導電層２２Ｐ、第１の磁性体部４２、第２の磁性体部４３、第１の絶縁膜６２および絶縁層６３を研磨して、それらの上面を平坦化する。これにより、導電層２２Ｐは第１のコイル２０の主要部分２２となり、第１のコイル２０が完成する。なお、図１４Ｂでは、第１の絶縁膜６２を省略している。

図１５Ａおよび図１５Ｂは、第１のコイル２０を形成した後の工程を示す。この工程では、積層体の上面全体の上に絶縁層６４を形成する。次に、図１６Ａおよび図１６Ｂに示したように、絶縁層６４を選択的にエッチングして、絶縁層６４に、第１の磁性体部４２の上面を露出させる開口部と、第２の磁性体部４３の上面を露出させる開口部を形成する。

図１７Ａおよび図１７Ｂは、次の工程を示す。この工程では、例えばフレームめっき法によって、第１および第２の磁性体部４２，４３の上面ならびに絶縁層６４の上面の一部の上に、後に連結部４４となる予備連結部４４Ｐを形成する。

図１８Ａおよび図１８Ｂは、次の工程を示す。この工程では、積層体の上に、媒体対向面９０が形成される予定の位置ＡＢＳの近傍に形成された開口部１０３ａを有するエッチングマスク１０３を形成する。エッチングマスク１０３は、フォトリソグラフィを用いてフォトレジスト層をパターニングして形成する。

図１９Ａおよび図１９Ｂは、次の工程を示す。この工程では、エッチングマスク１０３を用いて、例えばＩＢＥによって、予備連結部４４Ｐに前述の端面４４ａが形成されるように、予備連結部４４Ｐをエッチングする。これにより、予備連結部４４Ｐは連結部４４となる。次に、図２０Ａおよび図２０Ｂに示したように、エッチングマスク１０３を除去する。

以下、図２および図３を参照して、図２０Ａおよび図２０Ｂに示した工程の後の工程について説明する。まず、積層体の上面全体の上に非磁性層６５を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、連結部４４が露出するまで、非磁性層６５を研磨して、連結部４４および非磁性層６５の上面を平坦化する。次に、連結部４４および非磁性層６５の上にストッパ層８５を形成する。

次に、積層体の上面全体を覆うように保護層７０を形成する。次に、保護層７０の上に配線や端子等を形成し、媒体対向面９０が形成される予定の位置の近傍で基板１を切断し、この切断によって形成された面を研磨して媒体対向面９０を形成し、更に浮上用レールの作製等を行って、磁気ヘッドが完成する。

以上説明したように、本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法は、磁路構成部Ｍ１を形成する工程と、第１の絶縁膜６２を形成する工程と、第２の絶縁膜５２を形成する工程と、第１のコイル２０を形成する工程と、第２のコイル１０を形成する工程とを含んでいる。磁路構成部Ｍ１を形成する工程は、第１の組の第１の磁性体部４２を形成する工程と、第１の組の第２の磁性体部４３を形成する工程と、第２の組の第１の磁性体部３２を形成する工程と、第２の組の第２の磁性体部３３を形成する工程とを含んでいる。第１の絶縁膜６２を形成する工程は、第１の組の第１および第２の磁性体部４２，４３を形成する工程の後で第１の絶縁膜６２を形成する。第２の絶縁膜５２を形成する工程は、第２の組の第１および第２の磁性体部３２，３３を形成する工程の後で第２の絶縁膜５２を形成する。

以下、第１のコイル２０を形成する工程を例にとって、本実施の形態の効果について説明する。本実施の形態では、要約すると以下のような方法で、自己整合的に第１のコイル２０を形成している。まず、第１の絶縁膜６２を形成する工程の後で、第１のマスク１０１を形成し、第１のマスク１０１を用いて、第１の絶縁膜６２の下地部６２Ｃの上に選択的に、シード層２１を形成する。そして、第１のマスク１０１を除去した後、第２のマスク１０２を形成し、シード層２１を用いてめっき法によって、第２のマスク１０２の開口部１０２ａ内に収容されるように、第１のコイル２０を構成するための導電層２２Ｐを形成する。そして、第２のマスク１０２を除去した後、シード層２１のうちの前記不要部分を除去する。その後、導電層２２Ｐ、第１の磁性体部４２および第２の磁性体部４３を覆う絶縁層６３を形成し、導電層２２Ｐ、第１の磁性体部４２、第２の磁性体部４３、第１の絶縁膜６２および絶縁層６３を研磨して、それらの上面を平坦化することにより、第１のコイル２０が完成する。

本実施の形態によれば、第１のコイル要素２０Ａの第１の側面２０Ａａが、第１の絶縁膜６２の第１の介在部６２Ａを介して第１の磁性体部４２の第１の側壁４２ａに対向し、第２のコイル要素２０Ｂの第２の側面２０Ｂａが、第１の絶縁膜６２の第２の介在部６２Ｂを介して第２の磁性体部４３の第２の側壁４３ａに対向するように、第１のコイル２０が形成される。これにより、容易に、第１の側壁４２ａと第１の側面２０Ａａとの最小間隔と、第２の側壁４３ａと第２の側面２０Ｂａとの最小間隔を小さくすることができる。その結果、容易に、記録シールド１６から主磁極１５に至る磁路のうち、第１および第２の磁性体部４２，４３を経由する第１の磁路の長さを短くすることが可能になる。これにより、本実施の形態によれば、主磁極１５の第１の端面１５ａより発生される記録磁界の変化の速度の向上が可能になる。

次に、比較例の磁気ヘッドの製造方法と比較しながら、本実施の形態の効果について更に説明する。始めに、図２１Ａないし図２４Ｂを参照して、比較例の磁気ヘッドの製造方法について説明する。図２１Ａないし図２４Ｂは、磁気ヘッドの製造過程における積層体の一部を示している。図ｎＡ（ｎは２１以上２４以下の整数）は、前記主断面に現れる積層体の一部の断面を示している。図ｎＢは、上記積層体の一部の上面を示している。図ｎＢにおいて、ｎＡ−ｎＡ線は、図ｎＡの断面の位置を示している。図２１Ａないし図２４Ｂにおいて、記号“ＡＢＳ”は、媒体対向面９０が形成される予定の位置を表している。

比較例の磁気ヘッドの製造方法では、第１の絶縁膜６２を形成する工程までは、本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法と同じである。比較例では、次に、以下のような方法で、自己整合的に比較例のコイルを形成する。比較例のコイルを形成する工程では、図２１Ａおよび図２１Ｂに示したように、まず、積層体の上面全体の上に、導電材料よりなるシード層２２１を形成する。このシード層２２１は、後に形成される比較例のコイルの主要部分をめっき法で形成する際にシードおよび陰極として用いられる。次に、積層体の上面全体の上に、フォトレジストよりなるフォトレジスト層１０４Ｐを形成する。

図２２Ａおよび図２２Ｂは、次の工程を示す。この工程では、まず、フォトリソグラフィを用いてフォトレジスト層１０４Ｐをパターニングすることによって、マスク１０４を形成する。このマスク１０４は、比較例のコイルを構成するための導電層を収容する予定の開口部１０４ａを有している。次に、シード層２２１をシードおよび陰極として用いて、めっき法によって、マスク１０４の開口部１０４ａ内に収容されるように、比較例のコイルを構成するための導電層２２２Ｐを形成する。この導電層２２２Ｐは、第１の絶縁膜６２の第１および第２の介在部６２Ａ，６２Ｂを介して第１の磁性体部４２の第１の側壁４２ａと第２の磁性体部４３の第２の側壁４３ａに接し且つその一部が第１および第２の磁性体部４２，４３に乗り上げるように形成される。次に、マスク１０４を除去する。

図２３Ａおよび図２３Ｂは、次の工程を示す。この工程では、まず、シード層２２１のうちの導電層２２２Ｐの下に存在する部分以外の不要部分を、例えばウェットエッチングによって除去する。次に、導電層２２２Ｐ、第１の磁性体部４２および第２の磁性体部４３を覆うように、積層体の上面全体の上に絶縁層６３を形成する。次に、導電層２２２Ｐのうち第１および第２の磁性体部４２，４３に乗り上げた部分が除去されるように、例えばＣＭＰによって、導電層２２２Ｐ、シード層２２１、第１の磁性体部４２、第２の磁性体部４３、第１の絶縁膜６２および絶縁層６３を研磨して、それらの上面を平坦化する。これにより、比較例のコイル２２０が完成する。研磨後の導電層２２２Ｐは、コイル２２０の主要部分２２２となる。コイル２２０の形状および配置は、本実施の形態における第１のコイル２０と同じである。

その後の工程は、本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法と同様である。図２４Ａおよび図２４Ｂは、図１９Ａおよび図１９Ｂに示した工程と同様に、連結部４４を形成した後、図２０Ａおよび図２０Ｂに示した工程と同様に、エッチングマスク１０３を除去した後の積層体を示している。

このように、比較例の磁気ヘッドの製造方法では、コイル２２０を形成する工程において、積層体の上面全体の上にシード層２２１を形成している。そのため、比較例では、シード層２２１に起因して、以下で説明する第１ないし第３の問題が発生する。

始めに、図２５を参照して、第１の問題について説明する。図２５は、第１の問題を説明するための説明図である。前述のように、比較例では、シード層２２１およびフォトレジスト層１０４Ｐを形成した後、フォトリソグラフィを用いてフォトレジスト層１０４Ｐをパターニングすることによって、マスク１０４を形成する。マスク１０４の形成方法は、本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法における、第２のコイル１０を形成する工程で用いられる第１のマスクの形成方法と同様である。すなわち、マスク１０４を形成する工程では、パターン化前のフォトレジスト層１０４Ｐに所定のパターンの光を照射して、フォトレジスト層１０４Ｐを露光する。その際、露光用の光が、シード層２２１のうちの第１および第２の磁性体部４２，４３を覆う部分によって反射されて、不要な反射光が生じる。図２５において、破線の矢印は露光用の光を表し、実線の矢印は反射光を表している。不要な反射光が生じると、フォトレジスト層１０４Ｐのうち、本来は光が照射されるべきではない部分に不要な反射光が照射され得る。その結果、マスク１０４のパターンの精度が低下して、マスク１０４を形成する工程のマージンが小さくなる。これが第１の問題である。

これに対し、本実施の形態では、シード層２１は、第１の絶縁膜６２のうちの下地部６２Ｃの上に選択的に形成され、第１の絶縁膜６２のうちの第１および第２の磁性体部４２，４３を覆う部分の上には形成されない。これにより、本実施の形態によれば、不要な反射光が生じることを防止することができ、その結果、第１の問題が発生することを防止することができる。

また、比較例では、シード層２２１のうちの第１および第２の磁性体部４２，４３を覆う部分が、不要な反射光を発生させたり、露光用の光を吸収したりすることによって、露光用の光のエネルギーが減少して、露光用の光のエネルギーがフォトレジスト層１０４Ｐの底部まで到達しにくくなる。すると、フォトレジスト層１０４Ｐの現像後に、フォトレジスト層１０４Ｐの底部近傍において、シード層２２１のうちの第１および第２の磁性体部４２，４３を覆う部分に沿って、本来は除去されるべきフォトレジスト層１０４Ｐの一部（以下、残存部分と言う。）１０４ｂが残ることがある。残存部分１０４ｂは、例えばアッシングによって除去することは可能である。しかし、そうすると、マスク１０４の一部も除去されてしまい、マスク１０４の厚みが小さくなる。比較例では、これによっても、マスク１０４を形成する工程のマージンが小さくなる。

また、比較例では、残存部分１０４ｂが生じないように、露光用の光のエネルギーを大きくすると、不要な反射光のエネルギーも大きくなる。そのため、比較例では、露光用の光のエネルギーを大きくすることは難しい。

これに対し、本実施の形態によれば、不要な反射光が生じることを防止することができることから、露光用の光のエネルギーがフォトレジスト層１０２Ｐの底部まで到達しやすくなる。また、本実施の形態では、露光用の光のエネルギーを大きくすることが可能である。これによっても、本実施の形態によれば、露光用の光のエネルギーがフォトレジスト層１０２Ｐの底部まで到達しやすくなる。また、図２６は、本実施の形態の効果を説明するための説明図である。図２６において、白抜きの矢印は、露光用の光を表している。図２６に示したように、本実施の形態では、露光用の光は、第１の絶縁膜６２のうちの第１および第２の磁性体部４２，４３を覆う部分を透過する。これによっても、本実施の形態によれば、露光用の光のエネルギーを必要以上に大きくしなくても、露光用の光のエネルギーがフォトレジスト層１０２Ｐの底部まで到達しやすくなる。これらのことから、本実施の形態によれば、フォトレジスト層１０２Ｐの現像後に、不要な残存部分が生じることを防止することができると共に、この残存部分を除去する工程が不要になる。これにより、本実施の形態によれば、第２のマスク１０２を形成する工程のマージンを大きくすることができる。

また、本実施の形態によれば、比較例に比べて、第２のマスク１０２を精度よく形成することが可能である。すなわち、本実施の形態によれば、比較例に比べて、第１のコイル２０の第１のコイル要素２０Ａと第２のコイル要素２０Ｂ（図１および図５参照）の間隔が小さくなるような第２のマスク１０２を形成することが可能である。これにより、本実施の形態によれば、記録シールド１６から主磁極１５に至る磁路のうち、第１および第２の磁性体部４２，４３を経由する第１の磁路（図１および図２参照）の長さをより短くすることが可能になる。

次に、第２の問題について説明する。比較例では、めっき法によって導電層２２２Ｐを形成する工程において、シード層２２１のうち、第１の磁性体部４２と第２の磁性体部４３との間に位置する部分だけではなく、シード層２２１のうち、第１および第２の磁性体部４２，４３を覆う部分からも、導電層２２２Ｐが成長する。そのため、図２２Ａに示したように、導電層２２２Ｐのうち、第１および第２の磁性体部４２，４３に乗り上げる部分（以下、乗り上げ部と言う。）が厚くなる。導電層２２２Ｐのうち、第１の磁性体部４２と第２の磁性体部４３との間に位置する部分は、図２３Ａおよび図２３Ｂに示した工程で研磨されて、比較例のコイル２２０の主要部分２２２になる。一方、導電層２２２Ｐの乗り上げ部は、不要な部分であり、導電層２２２Ｐを覆う絶縁層６３と共に、図２３Ａおよび図２３Ｂに示した工程で除去される。

コイル２２０の厚みを十分に大きくし、且つ研磨のマージンを十分に大きくしようすると、導電層２２２Ｐのうち、第１の磁性体部４２と第２の磁性体部４３との間に位置する部分をより厚くする必要がある。すると、導電層２２２Ｐの乗り上げ部もより厚くなる。この場合には、マスク１０４の開口部１０４ａ内に厚い導電層２２２Ｐを収容できるように、マスク１０４の厚みを大きくする必要がある。これにより、マスク１０４のパターンの精度が低下して、マスク１０４を形成する工程のマージンが小さくなる。また、導電層２２２Ｐの乗り上げ部が厚くなると、この部分を除去するために、導電層２２２Ｐおよび絶縁層６３の研磨量が増加する。これにより、研磨工程の精度が低下して、研磨工程のマージンが小さくなる。このように、マスク１０４を形成する工程のマージンおよび研磨工程のマージンが小さくなることが第２の問題である。

これに対し、本実施の形態では、前述のように、シード層２１は、第１の絶縁膜６２のうちの第１および第２の磁性体部４２，４３を覆う部分の上には形成されない。そのため、本実施の形態では、図１１Ａに示したように、導電層２２Ｐのうち、第１および第２の磁性体部４２，４３の上に乗り上げる部分の厚みは、比較例における導電層２２２Ｐの乗り上げ部の厚みよりも小さくなる。これにより、本実施の形態によれば、比較例に比べて、第２のマスク１０２の厚みを小さくすることができ、その結果、第２のマスク１０２を形成する工程のマージンを大きくすることができる。また、本実施の形態によれば、比較例に比べて、導電層２２Ｐおよび絶縁層６３の研磨量を少なくすることができる。これにより、本実施の形態によれば、研磨工程のマージンを大きくすることができる。このように、本実施の形態によれば、第２の問題が発生することを防止することができる。

なお、比較例において、第２の問題によって、コイル２２０の厚みを十分に大きくすることができない場合には、コイル２２０の抵抗値が大きくなる。これに対し、本実施の形態では、第２の問題が発生することを防止しながら、第１のコイル２０の厚みを十分に大きくすることができる。これにより、本実施の形態によれば、第１のコイル２０の抵抗値を小さくすることができる。

次に、第３の問題について説明する。第３の問題は、以下のように、シード層２２１の不要部分の除去に関係する問題である。比較例では、シード層２２１の不要部分は、シード層２２１のうちの第１および第２の磁性体部４２，４３を覆う部分を含んで、広範囲に存在している。比較例では、この不要部分を例えばウェットエッチングによって除去するが、その際に、導電層２２２Ｐもエッチングされてコイル２２０の巻線の幅が小さくなったり、コイル２２０の内部にボイドが発生したりするという問題が発生する。この問題が発生することを防止するために、エッチング時間を短くすると、不要部分を完全に除去しきれずに、残った不要部分によって、本来は絶縁されるべき磁路構成部Ｍ１とコイル２２０の間や、コイル２２０の複数のコイル要素の間で短絡が生じる場合があるという問題が発生する。

また、比較例では、シード層２２１の不要部分の除去を、ウェットエッチングの代わりに、ＩＢＥ等のドライエッチングによって行うと、以下のような問題が発生する。すなわち、この場合には、不要部分を除去する工程において、エッチングによって飛散した物質が、第１の絶縁膜６２のうちの第１および第２の磁性体部４２，４３を覆う部分の上に堆積して、導電性の再付着膜が形成される場合がある。そして、この再付着膜によって、本来は絶縁されるべき磁路構成部Ｍ１とコイル２２０の間で短絡が生じる場合があるという問題が発生する。

また、シード層２２１の不要部分のうち、基板１の上面１ａに垂直な方向（Ｚ方向）に延在する部分は、ＩＢＥでは除去しにくい。比較例では、ＩＢＥで除去しきれずに残った不要部分によっても、本来は絶縁されるべき磁路構成部Ｍ１とコイル２２０の間で短絡が生じ得る。

以下、図２３Ａないし図２４Ｂを参照して、磁路構成部Ｍ１とコイル２２０の間で短絡が生じる場合について詳しく説明する。以下、再付着膜または除去しきれずに残った不要部分を、不要導体部と言う。図２３Ａないし図２４Ｂにおいて、符号２２１Ａ，２２１Ｂは、不要導体部を示している。不要導体部２２１Ａは、第１の絶縁膜６２のうちの第２の磁性体部４３を覆う部分に付着している。不要導体部２２１Ｂは、第１の絶縁膜６２のうちの第１の磁性体部４２を覆う部分に付着している。不要導体部２２１Ａ，２２１Ｂは、いずれも、基板１の上面１ａに垂直な方向（Ｚ方向）に延在している。図２３Ａおよび図２３Ｂに示した工程において、不要導体部２２１Ａ，２２１Ｂは、コイル２２０の主要部分２２２と導通し得る。図２３Ｂにおいて符号Ｃ１，Ｃ２を付した円は、不要導体部２２１Ａと主要部分２２２の導通が生じる箇所を示している。

不要導体部２２１Ａは、図２３Ａおよび図２３Ｂに示した工程の後、絶縁層６４によって覆われる。その後、エッチングによって予備連結部４４Ｐに端面４４ａを形成する工程が行われると、絶縁層６４がエッチングされて、不要導体部２２１Ａのうち、第２の磁性体部４３の外縁における第１、第３および第４の端縁４３Ｅ１，４３Ｅ３，４３Ｅ４（図６Ｂ参照）に沿って形成された部分が露出する。また、この工程では、エッチングによって連結部４４の端面４４ａの近傍にバリが発生したり、エッチングによって飛散した物質が、エッチングによって絶縁層６３に形成された溝部の壁面に付着して、連結部４４を構成する物質に起因する再付着膜が形成されたりする場合がある。そして、バリや再付着膜を介して、不要導体部２２１Ａと連結部４４とが導通する場合がある。図２４Ｂにおいて符号Ｃ３，Ｃ４を付した円は、不要導体部２２１Ａと連結部４４の導通が生じる箇所を示している。このように、不要導体部２２１Ａと連結部４４の導通が生じると、不要導体部２２１Ａを介して、本来は絶縁されるべき連結部４４を含む磁路構成部Ｍ１とコイル２２０との間で短絡が生じる。

これに対し、本実施の形態では、前述のように、第１のマスク１０１を用いて、下地部６２Ｃの上に選択的に、シード層２１を形成する。すなわち、シード層２１は、第１の絶縁膜６２のうちの第１および第２の磁性体部４２，４３を覆う部分の上には形成されない。そのため、本実施の形態では、シード層２１の不要部分の除去をＩＢＥによって行っても、比較例においてシード層２２１の不要部分の除去をＩＢＥによって行う場合に発生する問題は生じない。そして、本実施の形態によれば、不要導電膜１２１の除去をＩＢＥによって行うことにより、第１のコイル２０の巻線の幅が小さくなったり、第１のコイル２０の内部にボイドが発生したりするという問題が発生することを防止することができる。

なお、シード層２１の不要部分が第２の磁性体部４３の近傍に存在していると、ＩＢＥによってシード層２１の不要部分を除去する工程において、エッチングによって飛散した物質が、第１の絶縁膜６２のうちの第２の磁性体部４３を覆う部分の上に堆積して、導電性の再付着膜が形成される場合がある。この再付着膜が形成された場合には、図２３Ａないし図２４Ｂを参照して説明した比較例の問題と同様の問題が発生するおそれがある。

上記の問題の発生を防止するためには、第１のマスク１０１の第２の部分１０１Ｂの外縁のうち、第２の磁性体部４３の外縁における第１、第３および第４の端縁４３Ｅ１，４３Ｅ３，４３Ｅ４にそれぞれ平行な３つの部分を、それぞれ、第１、第３および第４の端縁４３Ｅ１，４３Ｅ３，４３Ｅ４から１００μｍ以上離すことが有効である。すなわち、これにより、シード層２１の不要部分は、第１、第３および第４の端縁４３Ｅ１，４３Ｅ３，４３Ｅ４から十分に遠ざけられる。その結果、ＩＢＥによってシード層２１の不要部分を除去する工程において、第１、第３および第４の端縁４３Ｅ１，４３Ｅ３，４３Ｅ４に沿って再付着膜が形成されることを防止することができる。

以上のことから、本実施の形態によれば、シード層２１に起因する問題の発生を防止しながら、自己整合的に第１のコイル２０を形成することが可能になる。

なお、上述の第１のコイル２０についての説明は、第２のコイル１０についても当てはまる。本実施の形態によれば、シード層１１に起因する問題の発生を防止しながら、自己整合的に第２のコイル１０を形成することが可能になる。

［第２の実施の形態］
次に、本発明の第２の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法について説明する。本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法は、第１のコイル２０を形成する工程で用いられる第２のマスクの形成方法が、第１の実施の形態と異なっている。

以下、図２７Ａないし図２９Ｂを参照して、本実施の形態における第２のマスクの形成方法について詳しく説明する。図２７Ａないし図２９Ｂは、磁気ヘッドの製造過程における積層体の一部を示している。図ｎＡ（ｎは２７以上２９以下の整数）は、前記主断面に現れる積層体の一部の断面を示している。図ｎＢは、上記積層体の一部の上面を示している。図ｎＢにおいて、ｎＡ−ｎＡ線は、図ｎＡの断面の位置を示している。図２７Ａないし図２９Ｂにおいて、記号“ＡＢＳ”は、媒体対向面９０が形成される予定の位置を表している。

本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法は、第１のマスク１０１を除去する工程（図８Ａおよび図８Ｂ参照）までは、第１の実施の形態と同様である。図２７Ａおよび図２７Ｂは、次の工程を示す。この工程では、まず、積層体の上面全体の上に、フォトレジストよりなるフォトレジスト層１０５Ａを形成する。次に、フォトレジスト層１０５Ａを加熱して硬化させる。

図２８Ａおよび図２８Ｂは、次の工程を示す。この工程では、フォトレジスト層１０５Ａの上に、エッチングマスク層１０５Ｂを形成する。エッチングマスク層１０５Ｂは、後に形成される第２のマスクの開口部の平面形状に対応した形状の開口部１０５Ｂａを有している。開口部１０５Ｂａの縁の一部は、第１および第２の磁性体部４２，４３の上方に配置されている。エッチングマスク層１０５Ｂは、例えば、アルミナや酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）等の無機絶縁材料または金属材料によって形成されている。

図２９Ａおよび図２９Ｂは、次の工程を示す。この工程では、エッチングマスク層１０５Ｂを用いて、ＲＩＥによって、フォトレジスト層１０５Ａをエッチングして、フォトレジスト層１０５Ａのうち、エッチングマスク層１０５Ｂの開口部１０５Ｂａから露出する部分を除去する。これにより、フォトレジスト層１０５Ａに、後に形成される第２のマスクの開口部の平面形状に対応した形状の開口部１０５Ａａが形成される。フォトレジスト層１０５ＡをＲＩＥによってエッチングする際のエッチングガスとしては、例えば、Ｏ_２を含むガスまたはＯ_２およびＣＦ_４を含むガスが用いられる。フォトレジスト層１０５Ａに開口部１０５Ａａが形成されることにより、第２のマスク１０５が完成する。第２のマスク１０５は、エッチング後のフォトレジスト層１０５Ａとエッチングマスク層１０５Ｂによって構成されている。また、第２のマスク１０５は、導電層２２Ｐを収容する予定の開口部１０５ａを有している。開口部１０５ａは、フォトレジスト層１０５Ａの開口部１０５Ａａとエッチングマスク層１０５Ｂの開口部１０５Ｂａによって構成されている。

本実施の形態では、エッチングマスク層１０５Ｂを用いてフォトレジスト層１０５Ａをエッチングすることにより、第２のマスク１０５を形成している。エッチングマスク層１０５Ｂは、第１の実施の形態における第２のマスク１０２に比べて、精度よく形成することが可能である。これにより、本実施の形態によれば、第１の実施の形態に比べて、第２のマスク１０５を精度よく形成することが可能である。すなわち、本実施の形態によれば、第１の実施の形態に比べて、第１のコイル２０の第１のコイル要素２０Ａと第２のコイル要素２０Ｂ（図１および図５参照）の間隔がより小さくなるような第２のマスク１０５を形成することが可能である。これにより、本実施の形態によれば、記録シールド１６から主磁極１５に至る磁路のうち、第１および第２の磁性体部４２，４３を経由する第１の磁路（図１および図２参照）の長さをより短くすることが可能になる。

なお、第２のマスク１０５の形成方法は、第２のコイル１０を形成する工程で用いられる第２のマスクの形成方法にも適用することができる。本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。

［第３の実施の形態］
次に、図３０ないし図３２を参照して、本発明の第３の実施の形態に係る磁気ヘッドについて説明する。図３０は、本実施の形態に係る磁気ヘッドにおける記録ヘッド部を示す断面図である。なお、図３０は前記主断面を示している。図３１は、本実施の形態に係る磁気ヘッドにおける第２のコイルを示す平面図である。図３２は、本実施の形態に係る磁気ヘッドにおける第１のコイルを示す平面図である。図３１および図３２において記号ＴＷで示す矢印は、トラック幅方向を表している。

本実施の形態では、第１のコイル２０および第２のコイル１０の構成が、第１の実施の形態と異なっている。始めに、図３０および図３２を参照して、第１のコイル２０の構成、ならびに、第１の組の第１の磁性体部４２、第２の磁性体部４３および連結部４４と、第１のコイル２０との位置関係について説明する。本実施の形態では、第１のコイル２０は、第１の磁性体部４２の周りに約３回巻かれている。また、第１のコイル２０は、第１の磁性体部４２と第２の磁性体部４３の間に位置する１つ以上のコイル要素として、第１および第２のコイル要素２０Ａ，２０Ｂに加えて、第３のコイル要素２０Ｃを含んでいる。第１ないし第３のコイル要素２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃは、媒体対向面９０側から２０Ｂ，２０Ｃ，２０Ａの順に、媒体対向面９０に垂直な方向に並んでいる。また、図３０に示したように、第１ないし第３のコイル要素２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃは、連結部４４に対して記録媒体１００の進行方向Ｔの後側に配置されている。

次に、図３０および図３１を参照して、第２のコイル１０の構成、ならびに、第２の組の第１の磁性体部３２、第２の磁性体部３３および連結部３１と、第２のコイル１０との位置関係について説明する。本実施の形態では、第２のコイル１０は、第１の磁性体部３２の周りに約３回巻かれている。また、第２のコイル１０は、第１の磁性体部３２と第２の磁性体部３３の間に位置する１つ以上のコイル要素として、第１および第２のコイル要素１０Ａ，１０Ｂに加えて、第３のコイル要素１０Ｃを含んでいる。第１ないし第３のコイル要素１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃは、媒体対向面９０側から１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ａの順に、媒体対向面９０に垂直な方向に並んでいる。また、図３０に示したように、第１ないし第３のコイル要素１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃは、連結部３１に対して記録媒体１００の進行方向Ｔの前側に配置されている。

本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法では、第１の実施の形態と同様に、第１のコイル２０を形成する工程において、第２のマスクの開口部内に収容されるように、第１のコイル２０を構成するための導電層が形成される。上記導電層のうち、後に第３のコイル要素２０Ｃとなる部分の厚みは、上記導電層のうち、後に第１および第２のコイル要素２０Ａ，２０Ｂとなる部分の厚みよりも小さくなる。もし、第１の実施の形態で説明した比較例の磁気ヘッドの製造方法と同様の方法によって、本実施の形態における第１のコイル２０を形成した場合には、第３のコイル要素２０Ｃの厚みを十分に大きくし、且つ研磨のマージンを十分に大きくしようすると、導電層のうち、第１の磁性体部４２と第２の磁性体部４３に乗り上げる部分がより厚くなる。その結果、第１の実施の形態で説明した比較例における第２の問題が発生する。

これに対し、本実施の形態では、第３のコイル要素２０Ｃの厚みを十分に大きくしても、第１の実施の形態で説明したように、比較例に比べて、導電層のうち、第１の磁性体部４２と第２の磁性体部４３に乗り上げる部分の厚みは小さくなる。これにより、本実施の形態によれば、上記第２の問題が発生することを防止することができる。

上述の第１のコイル２０についての説明は、第２のコイル１０についても当てはまる。

なお、本実施の形態において、第１のコイル２０を形成する工程で用いられる第２のマスクの形成方法と、第２のコイル１０を形成する工程で用いられる第２のマスクの形成方法は、第２の実施の形態における第２のマスク１０５の形成方法と同じであってもよい。本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１または第２の実施の形態と同様である。

［第４の実施の形態］
次に、図３３ないし図３７を参照して、本発明の第４の実施の形態に係る磁気ヘッドについて説明する。図３３は、本実施の形態に係る磁気ヘッドにおける記録ヘッド部を示す断面図である。図３４は、本実施の形態に係る磁気ヘッドの構成を示す断面図である。図３４において記号Ｔで示す矢印は、記録媒体の進行方向を表している。図３５は、本実施の形態に係る磁気ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。図３６は、本実施の形態に係る磁気ヘッドにおける第１のコイルを示す平面図である。図３７は、本実施の形態に係る磁気ヘッドにおける第２のコイルを示す平面図である。図３５ないし図３７において記号ＴＷで示す矢印は、トラック幅方向を表している。

本実施の形態に係る磁気ヘッドは、熱アシスト磁気記録に用いられるものである。熱アシスト磁気記録では、保磁力の大きな記録媒体を使用し、情報の記録時には、記録媒体のうち情報が記録される部分に対して記録磁界と同時に熱も加えて、その部分の温度を上昇させ保磁力を低下させて情報の記録を行う。情報が記録された部分は、その後、温度が低下して保磁力が大きくなり、磁化の熱安定性が高まる。

本実施の形態に係る磁気ヘッドは、第１の実施の形態における記録ヘッド部９２の代わりに、記録ヘッド部１９２を備えている。記録ヘッド部１９２は、非磁性層８４の上に配置されている。記録ヘッド部１９２は、第１のコイル１２６と、第２のコイル１３１と、磁路構成部Ｍ２とを備えている。図３４および図３６において、符号１２６Ｅは、第１のコイル１２６のうち、第２のコイル１３１に接続されるコイル接続部を示している。図３４および図３７おいて、符号１３１Ｓは、第２のコイル１３１のうち、第１のコイル１２６のコイル接続部１２６Ｅに接続されるコイル接続部を示している。

第１および第２のコイル１２６，１３１は、記録媒体１００に記録する情報に応じた磁界を発生する。磁路構成部Ｍ２は、磁性材料よりなり、第１および第２のコイル１２６，１３１によって発生された磁界に対応する磁束を通過させる磁路を構成する。本実施の形態では、磁路構成部Ｍ２は、主磁極１２４と、帰磁路部Ｒ２とを有している。図３３および図３５に示したように、主磁極１２４は、媒体対向面９０に配置された第１の端面１２４ａを有している。帰磁路部Ｒ２は、媒体対向面９０に配置された第２の端面Ｒ２ａを有している。図３３および図３４に示したように、帰磁路部Ｒ２は、主磁極１２４に接続されている。主磁極１２４および帰磁路部Ｒ２は磁路構成部Ｍ２の一部であることから、磁路構成部Ｍ２が第１の端面１２４ａおよび第２の端面Ｒ２ａを有しているとも言える。磁路構成部Ｍ２は、垂直磁気記録方式によって情報を記録媒体１００に記録するための記録磁界を第１の端面１２４ａから発生させる。図３３および図３４は、第１の端面１２４ａと交差し、媒体対向面９０および基板１の上面１ａに垂直な断面すなわち主断面を示している。

第１のコイル１２６、第２のコイル１３１、主磁極１２４および帰磁路部Ｒ２の材料は、第１の実施の形態における第１のコイル２０、第２のコイル１０、主磁極１５および帰磁路部Ｒ１の材料と同じである。

帰磁路部Ｒ２は、第２の端面Ｒ２ａを有するシールド層１１３と、コア部１２５，１３０と、ヨーク層１１１と、連結部１１４，１１５と、連結層１２９，１３５とを含んでいる。ヨーク層１１１は、非磁性層８４の上に配置されている。記録ヘッド部１９２は、更に、非磁性層８４の上においてヨーク層１１１の周囲に配置された絶縁材料よりなる絶縁層１１２を備えている。絶縁層１１２は、例えばアルミナによって形成されている。

シールド層１１３と連結部１１４，１１５は、いずれもヨーク層１１１の上に配置されている。連結部１１４，１１５は、それぞれ、第１層、第２層および第３層を有している。連結部１１４の第１層と連結部１１５の第１層は、トラック幅方向ＴＷ（Ｘ方向）に並ぶように配置されている。

記録ヘッド部１９２は、更に、導波路を備えている。導波路は、光を伝搬させるコア１１７と、コア１１７の周囲に配置されたクラッドとを有している。クラッドは、クラッド層１１６，１１８，１１９を含んでいる。クラッド層１１６は、ヨーク層１１１、絶縁層１１２およびシールド層１１３を覆うように配置されている。コア１１７は、クラッド層１１６の上に配置されている。クラッド層１１８は、クラッド層１１６の上においてコア１１７の周囲に配置されている。クラッド層１１９は、コア１１７およびクラッド層１１８の上に配置されている。

コア１１７は、近接場光の発生に用いられるレーザ光を通過させる誘電体材料によって形成されている。コア１１７には、図示しないレーザダイオードから出射されたレーザ光が入射され、このレーザ光はコア１１７内を伝搬する。クラッド層１１６，１１８，１１９は、コア１１７の屈折率よりも小さい屈折率を有する誘電体材料によって形成されている。コア１１７の材料としては、例えば、Ｔａ_２Ｏ_５等の酸化タンタルや酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）が用いられ、クラッド層１１６，１１８，１１９の材料としては、例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）やアルミナが用いられる。

連結部１１４，１１５の第１層は、クラッド層１１６に埋め込まれている。連結部１１４，１１５の第２層は、クラッド層１１８に埋め込まれている。連結部１１４の第２層と連結部１１５の第２層は、コア１１７のトラック幅方向ＴＷ（Ｘ方向）の両側において、コア１１７に対して間隔をあけて配置されている。

記録ヘッド部１９２は、更に、媒体対向面９０の近傍においてクラッド層１１９の上に配置されたプラズモンジェネレータ１４０と、クラッド層１１９の上においてプラズモンジェネレータ１４０の周囲に配置された誘電体層１２０とを備えている。プラズモンジェネレータ１４０は、後で説明する原理によって表面プラズモンが励起されるものである。プラズモンジェネレータ１４０は、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｉｒのいずれか、またはこれらのうちの複数の元素よりなる合金によって形成されている。誘電体層１２０は、例えば、クラッド層１１６，１１８，１１９と同じ材料によって形成されている。

記録ヘッド部１９２は、更に、プラズモンジェネレータ１４０および誘電体層１２０の上に配置された誘電体層１２２と、プラズモンジェネレータ１４０および誘電体層１２２を覆うように配置された誘電体層１２３とを備えている。誘電体層１２２は、媒体対向面９０に最も近い端面を有している。誘電体層１２２の前記端面における任意の位置の媒体対向面９０からの距離は、任意の位置が基板１の上面１ａに近づくに従って小さくなっている。誘電体層１２２は、例えば、クラッド層１１６，１１８，１１９と同じ材料によって形成されている。誘電体層１２３は、例えばアルミナによって形成されている。連結部１１４，１１５の第３層は、クラッド層１１９および誘電体層１２０，１２２，１２３に埋め込まれている。

主磁極１２４は、コア１１７との間にプラズモンジェネレータ１４０を挟むように誘電体層１２３の上に配置されている。主磁極１２４は、第１の端面１２４ａとその反対側の端部とを有する細幅部と、この細幅部の端部に接続された幅広部とを含んでいてもよい。幅広部のトラック幅方向ＴＷ（Ｘ方向）の幅は、細幅部のトラック幅方向ＴＷ（Ｘ方向）の幅よりも大きい。

コア部１２５は、連結部１１４，１１５および誘電体層１２３の上に配置されている。また、コア部１２５は、媒体対向面９０から離れた位置に配置されている。主磁極１２４は、コア部１２５に対して間隔を開けてコア部１２５と媒体対向面９０の間に配置されている。

図３３、図３４および図３６に示したように、第１のコイル１２６は、コア部１２５の周りに約２回巻かれている。記録ヘッド部１９２は、更に、第１のコイル１２６を主磁極１２４、コア部１２５および誘電体層１２３に対して絶縁する絶縁材料よりなる第１の絶縁膜１２７と、第１のコイル１２６の巻線間ならびに主磁極１２４および第１のコイル１２６の周囲に配置された絶縁材料よりなる絶縁層１２８とを備えている。第１の絶縁膜１２７および絶縁層１２８は、例えばアルミナによって形成されている。

連結層１２９は、主磁極１２４の上に配置されている。また、連結層１２９は、媒体対向面９０に向いた端面を有している。この端面における任意の位置の媒体対向面９０からの距離は、任意の位置が基板１の上面１ａに近づくに従って小さくなっている。

コア部１３０は、コア部１２５の上に配置されている。また、コア部１３０は、媒体対向面９０から離れた位置に配置されている。連結層１２９は、コア部１３０に対して間隔を開けてコア部１３０と媒体対向面９０の間に配置されている。

図３３、図３４および図３７に示したように、第２のコイル１３１は、コア部１３０の周りに約２回巻かれている。記録ヘッド部１９２は、更に、第２のコイル１３１を第１のコイル１２６、連結層１２９およびコア部１３０に対して絶縁する絶縁材料よりなる第２の絶縁膜１３２と、第２のコイル１３１の巻線間ならびに連結層１２９および第２のコイル１３１の周囲に配置された絶縁材料よりなる絶縁層１３３と、第２のコイル１３１および絶縁層１３３の上に配置された絶縁材料よりなる絶縁層１３４とを備えている。第２の絶縁膜１３２および絶縁層１３３，１３４は、例えばアルミナによって形成されている。

連結層１３５は、連結層１２９、コア部１３０および絶縁層１３４の上に配置され、連結層１２９とコア部１３０を連結している。連結層１３５は、媒体対向面９０に向いた端面を有している。この端面における任意の位置の媒体対向面９０からの距離は、任意の位置が基板１の上面１ａに近づくに従って小さくなっている。また、連結層１３５の端面は、連結層１２９の端面に連続している。

記録ヘッド部１９２は、更に、連結層１２９の端面と媒体対向面９０との間および連結層１３５の周囲に配置された絶縁層１３６を備えている。絶縁層１３６は、例えばアルミナによって形成されている。

次に、図３３、図３６および図３７を参照して、磁路構成部Ｍ２と、第１のコイル１２６および第２のコイル１３１について詳しく説明する。磁路構成部Ｍ２は、第１の実施の形態における磁路構成部Ｍ１と同様に、第１および第２の組の第１の磁性体部、第２の磁性体部および連結部を含んでいる。

第１の組の第１の磁性体部および第２の磁性体部は、それぞれ、コア部１２５および主磁極１２４によって構成されている。第１の組の連結部は、連結層１２９，１３５およびコア部１３０によって構成されている。以下、コア部１２５および主磁極１２４を、それぞれ、第１の磁性体部１２５および第２の磁性体部１２４とも記す。

第２の組の第１の磁性体部、第２の磁性体部および連結部は、それぞれ、コア部１３０、連結層１２９および連結層１３５によって構成されている。以下、コア部１３０および連結層１２９を、それぞれ、第１の磁性体部１３０および第２の磁性体部１２９とも記す。

本実施の形態では、コア部１３０および連結層１２９，１３５は帰磁路部Ｒ２の一部であることから、帰磁路部Ｒ２が、第２の組の第１の磁性体部、第２の磁性体部および連結部を含んでいるとも言える。

以下、図３３および図３６を参照して、第１のコイル１２６の構成、ならびに、第１の組の第１の磁性体部１２５、第２の磁性体部１２４および連結部と、第１のコイル１２６との位置関係について説明する。図３６は、第１のコイル１２６を示す平面図である。第１のコイル１２６は、帰磁路部Ｒ２の一部である第１の磁性体部１２５の周りに約２回巻かれている。また、第１のコイル１２６は、第１の磁性体部１２５と第２の磁性体部１２４の間に位置する第１のコイル要素１２６Ａおよび第２のコイル要素１２６Ｂを含んでいる。第１および第２のコイル要素１２６Ａ，１２６Ｂは、媒体対向面９０側から１２６Ｂ，１２６Ａの順に、媒体対向面９０に垂直な方向に並んでいる。また、図３３に示したように、第１および第２のコイル要素１２６Ａ，１２６Ｂは、連結部（連結層１２９，１３５およびコア部１３０）に対して記録媒体１００の進行方向Ｔの後側に配置されている。

図３３および図３６に示したように、第１の磁性体部１２５は、第１のコイル１２６の第１および第２のコイル要素１２６Ａ，１２６Ｂに向いた第１の側壁１２５ａを有している。第２の磁性体部１２４は、第１のコイル１２６の第１および第２のコイル要素１２６Ａ，１２６Ｂに向いた第２の側壁１２４ｂを有している。第１のコイル要素１２６Ａは、第１の側壁１２５ａに対向する第１の側面１２６Ａａを有している。第２のコイル要素１２６Ｂは、第２の側壁１２４ｂに対向する第２の側面１２６Ｂａを有している。

図３３に示したように、第１の絶縁膜１２７は、第１の側壁１２５ａと第１の側面１２６Ａａの間に介在する第１の介在部１２７Ａと、第２の側壁１２５ｂと第２の側面１２６Ｂａの間に介在する第２の介在部１２７Ｂと、第１および第２の介在部１２７Ａ，１２７Ｂに連続する下地部１２７Ｃとを含んでいる。第１および第２のコイル要素１２６Ａ，１２６Ｂは、下地部１２７Ｃの上に配置されている。

第１の側壁１２５ａと第１の側面１２６Ａａとの最小間隔と、第２の側壁１２５ｂと第２の側面１２６Ｂａとの最小間隔は、いずれも、例えば５０〜２００ｎｍの範囲内である。第１の側壁１２５ａと第１の側面１２６Ａａとの最小間隔は、第１の介在部１２７Ａの厚みと等しい。また、第２の側壁１２５ｂと第２の側面１２６Ｂａとの最小間隔は、第２の介在部１２７Ｂの厚みと等しい。また、第１の磁性体部１２５と媒体対向面９０の最短距離は、例えば１．４〜４．０μｍの範囲内である。

次に、図３３および図３７を参照して、第２のコイル１３１の構成、ならびに、第２の組の第１の磁性体部１３０、第２の磁性体部１２９および連結部と、第２のコイル１３１との位置関係について説明する。図３７は、第２のコイル１３１を示す平面図である。第２のコイル１３１は、帰磁路部Ｒ２の一部である第１の磁性体部１３０の周りに約２回巻かれている。また、第２のコイル１３１は、第１の磁性体部１３０と第２の磁性体部１２９の間に位置する第１のコイル要素１３１Ａおよび第２のコイル要素１３１Ｂを含んでいる。第１および第２のコイル要素１３１Ａ，１３１Ｂは、媒体対向面９０側から１３１Ｂ，１３１Ａの順に、媒体対向面９０に垂直な方向に並んでいる。また、図３３に示したように、第１および第２のコイル要素１３１Ａ，１３１Ｂは、連結部（連結層１３５）に対して記録媒体１００の進行方向Ｔの後側に配置されている。

また、図３３および図３７に示したように、第１の磁性体部１３０は、第２のコイル１３１の第１および第２のコイル要素１３１Ａ，１３１Ｂに向いた第１の側壁１３０ａを有している。第２の磁性体部１２９は、第２のコイル１３１の第１および第２のコイル要素１３１Ａ，１３１Ｂに向いた第２の側壁１２９ａを有している。第１のコイル要素１３１Ａは、第１の側壁１３０ａに対向する第１の側面１３１Ａａを有している。第２のコイル要素１３１Ｂは、第２の側壁１２９ａに対向する第２の側面１３１Ｂａを有している。

図３３に示したように、第２の絶縁膜１３２は、第１の側壁１３０ａと第１の側面１３１Ａａの間に介在する第１の介在部１３２Ａと、第２の側壁１２９ａと第２の側面１３１Ｂａの間に介在する第２の介在部１３２Ｂと、第１および第２の介在部１３２Ａ，１３２Ｂに連続する下地部１３２Ｃとを含んでいる。第１および第２のコイル要素１３１Ａ，１３１Ｂは、下地部１３２Ｃの上に配置されている。

第１の側壁１３０ａと第１の側面１３１Ａａとの最小間隔と、第２の側壁１２９ａと第２の側面１３１Ｂａとの最小間隔は、いずれも、例えば５０〜２００ｎｍの範囲内である。第１の側壁１３０ａと第１の側面１３１Ａａとの最小間隔は、第１の介在部１３２Ａの厚みと等しい。また、第２の側壁１２９ａと第２の側面１３１Ｂａとの最小間隔は、第２の介在部１３２Ｂの厚みと等しい。また、第１の磁性体部１３０と媒体対向面９０の最短距離は、例えば１．４〜４．０μｍの範囲内である。

次に、コイル１２６，１３１の内部構造の特徴と、コイル１２６，１３１の相互接続関係について説明する。図３３に示したように、第１のコイル１２６は、導電材料よりなるシード層１２６１と、このシード層１２６１の上に配置された導電材料よりなる主要部分１２６２とを含んでいる。シード層１２６１は、第１のコイル１２６（特に主要部分１２６２）を構成するための導電層をめっき法で形成する際にシードおよび陰極として用いられる。また、第２のコイル１３１は、導電材料よりなるシード層１３１１と、このシード層１３１１の上に配置された導電材料よりなる主要部分１３１２とを含んでいる。シード層１３１１は、第２のコイル１３１（特に主要部分１３１２）を構成するための導電層をめっき法で形成する際にシードおよび陰極として用いられる。なお、図３４では、シード層１２６１，１３１１を省略している。

第２のコイル１３１のコイル接続部１３１Ｓは、第２の絶縁膜１３２を貫通して第１のコイル１２６のコイル接続部１２６Ｅに電気的に接続されている。図３４、図３６および図３７に示した例では、第１のコイル１２６と第２のコイル１３１は、直列に接続されている。

次に、図３３ないし図３５を参照して、コア１１７およびプラズモンジェネレータ１４０の形状の一例について説明する。コア１１７は、媒体対向面９０により近い端面１１７ａと、上面であるエバネッセント光発生面１１７ｅと、下面１１７ｃと、２つの側面とを有している。端面１１７ａは、媒体対向面９０に配置されていてもよいし、媒体対向面９０から離れた位置に配置されていてもよい。図３３ないし図３５には、端面１１７ａが媒体対向面９０に配置された例を示している。エバネッセント光発生面１１７ｅは、コア１１７を伝搬する光に基づいてエバネッセント光を発生する。

図３３に示したように、プラズモンジェネレータ１４０は、下面であるプラズモン励起部１４０ａと、上面１４０ｂと、媒体対向面９０に配置された前端面１４０ｃと、その反対側の後端面１４０ｄとを有している。プラズモン励起部１４０ａは、コア１１７のエバネッセント光発生面１１７ｅに対して所定の間隔をもって対向している。クラッド層１１９は、エバネッセント光発生面１１７ｅとプラズモン励起部１４０ａとの間に介在している。上面１４０ｂは、媒体対向面９０に近い順に配置された傾斜部と平坦部を含んでいる。傾斜部における任意の位置の基板１の上面１ａからの距離は、任意の位置が媒体対向面９０から離れるに従って大きくなっている。平坦部は、実質的に媒体対向面９０に垂直な方向に延在している。媒体対向面９０に平行なプラズモンジェネレータ１４０の断面の形状は、例えば矩形である。

前端面１４０ｃは、プラズモン励起部１４０ａの前端に位置する近接場光発生部１４０ｇを有している。近接場光発生部１４０ｇは、主磁極１２４の第１の端面１２４ａと帰磁路部Ｒ２の第２の端面Ｒ２ａの間に配置されている。近接場光発生部１４０ｇは、後で説明する原理によって近接場光を発生する。

また、図示しないが、プラズモンジェネレータ１４０は、媒体対向面９０の近傍に配置された細幅部と、この細幅部よりも媒体対向面９０から遠い位置に配置された幅広部とを備えていてもよい。細幅部は、媒体対向面９０に配置された前端面を有している。細幅部の前端面は、プラズモンジェネレータ１４０の前端面１４０ｃでもある。媒体対向面９０および基板１の上面１ａに平行な方向（Ｘ方向）についての細幅部の幅は、媒体対向面９０からの距離によらずに一定であってもよいし、媒体対向面９０に近づくに従って小さくなっていてもよい。幅広部は、細幅部に対して前端面１４０ｃとは反対側に位置して細幅部に連結されている。幅広部の幅は、細幅部との境界の位置では細幅部における幅と等しく、細幅部から離れるに従って大きくなっている。

前端面１４０ｃの幅（トラック幅方向ＴＷの寸法）は、媒体対向面９０における細幅部の幅によって規定される。前端面１４０ｃの幅は、例えば５〜４０ｎｍの範囲内である。また、前端面１４０ｃの高さ（Ｚ方向の寸法）は、媒体対向面９０における細幅部の高さによって規定される。前端面１４０ｃの高さは、例えば５〜４０ｎｍの範囲内である。

次に、本実施の形態における近接場光発生の原理と、近接場光を用いた熱アシスト磁気記録の原理について詳しく説明する。図示しないレーザダイオードから出射されたレーザ光はコア１１７に入射される。図３４に示したように、レーザ光１５０は、コア１１７内を媒体対向面９０に向けて伝搬して、プラズモンジェネレータ１４０の近傍に達する。コア１１７のエバネッセント光発生面１１７ｅは、コア１１７を伝搬するレーザ光１５０に基づいてエバネッセント光を発生する。すなわち、エバネッセント光発生面１１７ｅにおいてレーザ光１５０が全反射することによって、エバネッセント光発生面１１７ｅは、クラッド層１１９にしみ出すエバネッセント光を発生する。プラズモンジェネレータ１４０では、プラズモン励起部１４０ａにおいて、上記エバネッセント光と結合することによって表面プラズモンが励起され、この表面プラズモンが近接場光発生部１４０ｇに伝搬され、この表面プラズモンに基づいて近接場光発生部１４０ｇより近接場光を発生する。

近接場光発生部１４０ｇより発生された近接場光は、記録媒体１００に向けて照射され、記録媒体１００の表面に達し、記録媒体１００の磁気記録層の一部を加熱する。これにより、その磁気記録層の一部の保磁力が低下する。熱アシスト磁気記録では、このようにして保磁力が低下した磁気記録層の一部に対して、主磁極１２４より発生される記録磁界を印加することによってデータの記録が行われる。

次に、本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法について簡単に説明する。本実施の形態では、第１の実施の形態と同様に、基板１の上面１ａの上に、絶縁層７１から非磁性層８４までの部分を順に形成した後、ヨーク層１１１および絶縁層１１２から保護層７０までの部分を順に形成する。この製造方法は、磁路構成部Ｍ２を形成する工程と、第１の絶縁膜１２７を形成する工程と、第２の絶縁膜１３２を形成する工程と、第１のコイル１２６を形成する工程と、第２のコイル１３１を形成する工程とを含んでいる。

本実施の形態における第１のコイル１２６の形成方法と第２のコイル１３１の形成方法は、第１の実施の形態における第１のコイル２０の形成方法または第２のコイル１０の形成方法と同様である。なお、第１のコイル１２６を形成する工程で用いられる第２のマスクの形成方法と、第２のコイル１３１を形成する工程で用いられる第２のマスクの形成方法は、第２の実施の形態における第２のマスク１０５の形成方法と同じであってもよい。

本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１または第２の実施の形態と同様である。

なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、請求の範囲の要件を満たす限り、第１の磁性体部、第２の磁性体部、第１のマスク、第２のマスク、シード層および導電層の形状および配置と、コイル要素の数、形状および配置は、各実施の形態に示した例に限られず、任意である。

１５…主磁極、２０…第１のコイル、２０Ａ…第１のコイル要素、２０Ｂ…第２のコイル要素、２１…シード層、４２…コア部、４３，４４…磁性層、６２…第１の絶縁膜、Ｍ１…磁路構成部、Ｒ１…帰磁路部。

Claims (8)

1. 記録媒体に対向する媒体対向面と、前記記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生するコイルと、磁性材料よりなり、前記コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させる磁路を構成する磁路構成部と、前記コイルを前記磁路構成部に対して絶縁する絶縁膜とを備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
   前記磁路構成部は、前記媒体対向面に配置された第１の端面を有し、前記情報を前記記録媒体に記録するための記録磁界を前記第１の端面から発生させ、
   前記磁路構成部は、前記媒体対向面から離れた位置に配置された第１の磁性体部と、前記第１の磁性体部に対して間隔を開けて前記第１の磁性体部と前記媒体対向面の間に配置された第２の磁性体部と、前記第１の磁性体部と前記第２の磁性体部を連結する連結部とを含み、
   前記コイルは、前記第１の磁性体部と前記第２の磁性体部の間に位置する１つ以上のコイル要素を含み、
   前記第１の磁性体部は、前記１つ以上のコイル要素に向いた第１の側壁を有し、
   前記第２の磁性体部は、前記１つ以上のコイル要素に向いた第２の側壁を有し、
   前記１つ以上のコイル要素は、前記第１の側壁に対向する第１の側面と、前記第２の側壁に対向する第２の側面とを有し、
   前記絶縁膜は、前記第１の側壁と前記第１の側面の間に介在する第１の介在部と、前記第２の側壁と前記第２の側面の間に介在する第２の介在部と、前記第１および第２の介在部に連続する下地部とを含み、
   前記１つ以上のコイル要素は、前記下地部の上に配置され、
   前記薄膜磁気ヘッドの製造方法は、
   前記磁路構成部を形成する工程と、
   前記絶縁膜を形成する工程と、
   前記コイルを形成する工程とを含み、
   前記磁路構成部を形成する工程は、前記第１および第２の磁性体部を形成する工程を含み、
   前記絶縁膜を形成する工程は、前記第１および第２の磁性体部を形成する工程の後で前記絶縁膜を形成し、
   前記コイルを形成する工程は、
   前記絶縁膜を形成する工程の後で、前記第１および第２の磁性体部を覆い、前記絶縁膜の前記下地部の少なくとも一部を露出させる第１のマスクを形成する工程と、
   前記第１のマスクを用いて、前記下地部の上に選択的に、導電材料よりなるシード層を形成する工程と、
   前記シード層を形成する工程の後で、前記第１のマスクを除去する工程と、
   前記第１のマスクを除去する工程の後で、前記コイルを構成するための導電層を収容する予定の開口部を有する第２のマスクを形成する工程と、
   前記シード層を用いてめっき法によって、前記第２のマスクの前記開口部内に収容されるように、前記導電層を形成する工程と、
   前記導電層を形成する工程の後で、前記第２のマスクを除去する工程と、
   前記第２のマスクを除去する工程の後で、前記シード層のうちの前記導電層の下に存在する部分以外の不要部分を除去する工程とを含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
2. 前記コイルは、前記第１の磁性体部の周りに巻かれていることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
3. 前記１つ以上のコイル要素は、第１のコイル要素と第２のコイル要素を含む複数のコイル要素であり、
   前記第１のコイル要素は、前記第１の側面を有し、
   前記第２のコイル要素は、前記第２の側面を有することを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
4. 前記磁路構成部は、前記第１の端面を有する主磁極と、前記媒体対向面に配置された第２の端面を有すると共に前記主磁極に接続された帰磁路部とを有し、前記帰磁路部は、前記第１の磁性体部と前記連結部とを含むことを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
5. 前記帰磁路部は、更に、前記第２の磁性体部を含むことを特徴とする請求項４記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
6. 前記コイルを形成する工程は、更に、前記シード層の前記不要部分を除去する工程の後で、前記導電層を覆う絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層、前記導電層、前記第１の磁性体部および前記第２の磁性体部を研磨して、それらの上面を平坦化する工程とを含むことを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
7. 前記シード層の前記不要部分を除去する工程は、イオンビームエッチングによって前記不要部分を除去することを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
8. 前記シード層は、前記第１および第２の介在部の各々との間に間隙が生じるように形成されることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。

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