JP6244348B2 - 主磁極とプラズモンジェネレータを含む熱アシスト磁気記録ヘッド - Google Patents

Description

本発明は、記録媒体に近接場光を照射して記録媒体の保磁力を低下させて情報の記録を行う熱アシスト磁気記録に用いられる熱アシスト磁気記録ヘッドに関する。

近年、磁気ディスク装置等の磁気記録装置では、高記録密度化に伴い、薄膜磁気ヘッドおよび記録媒体の性能向上が要求されている。薄膜磁気ヘッドとしては、基板に対して、読み出し用の磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ（Magnetoresistive）素子とも記す。）を有する再生ヘッド部と書き込み用の誘導型電磁変換素子を有する記録ヘッド部とを積層した構造の複合型薄膜磁気ヘッドが広く用いられている。磁気ディスク装置において、薄膜磁気ヘッドは、記録媒体の表面からわずかに浮上するスライダに設けられる。スライダは、記録媒体に対向する媒体対向面を有している。この媒体対向面は、空気流入端（リーディング端）と空気流出端（トレーリング端）とを有している。

ここで、基準の位置に対して、よりリーディング端に近い位置をリーディング側と定義し、基準の位置に対して、よりトレーリング端に近い位置をトレーリング側と定義する。リーディング側は、スライダに対する記録媒体の進行方向の後側である。トレーリング側は、スライダに対する記録媒体の進行方向の前側である。

磁気記録装置において、記録密度を高めるためには、記録媒体の磁性微粒子を小さくすることが効果的である。しかし、磁性微粒子を小さくすると、磁性微粒子の磁化の熱安定性が低下するという問題が発生する。この問題を解消するには、磁性微粒子の異方性エネルギーを大きくすることが効果的である。しかし、磁性微粒子の異方性エネルギーを大きくすると、記録媒体の保磁力が大きくなって、既存の磁気ヘッドでは情報の記録が困難になるという問題が発生する。

上述のような問題を解決する方法として、いわゆる熱アシスト磁気記録という方法が提案されている。この方法では、保磁力の大きな記録媒体を使用し、情報の記録時には、記録媒体のうち情報が記録される部分に対して記録磁界と同時に熱も加えて、その部分の温度を上昇させ保磁力を低下させて情報の記録を行う。情報が記録された部分は、その後、温度が低下して保磁力が大きくなり、磁化の熱安定性が高まる。以下、熱アシスト磁気記録に用いられる磁気ヘッドを、熱アシスト磁気記録ヘッドと呼ぶ。

熱アシスト磁気記録では、記録媒体に対して熱を加える方法としては、近接場光を用いる方法が一般的である。近接場光を発生させる方法としては、レーザ光によって励起されたプラズモンから近接場光を発生する金属片であるプラズモンジェネレータを用いる方法が知られている。また、一般的に、近接場光の発生に利用されるレーザ光は、スライダに設けられた導波路によって、スライダの媒体対向面の近傍に設けられたプラズモンジェネレータに導かれる。

引用文献１には、主磁極と導波路とプラズモンジェネレータを備えた熱アシスト磁気記録ヘッドが開示されている。主磁極は、媒体対向面に配置された端面を有し、この端面から記録磁界を発生する。プラズモンジェネレータは、媒体対向面に配置された端面を有している。導波路は、コアとクラッドを含んでいる。このヘッドは、コアの表面とプラズモンジェネレータの表面がギャップを介して対向し、コアを伝搬する光に基づいてコアの表面で発生するエバネッセント光を用いて、プラズモンジェネレータに表面プラズモンを励起させ、この表面プラズモンに基づいて、プラズモンジェネレータの端面から近接場光を発生させるように構成されている。

特開２０１１−１４６０９７号公報

プラズモンジェネレータを備えた熱アシスト磁気記録ヘッドでは、プラズモンジェネレータによって、記録媒体上に近接場光のスポットが形成される。以下、近接場光のスポットのサイズを光スポットサイズと言う。従来は、記録密度を高めるためには、光スポットサイズを小さくすることが有効であると考えられていた。

記録媒体上には、近接場光のスポットによって、スポットの中心で最も温度が高く、中心から離れるに従って温度が低くなる温度分布が生じる。通常、磁気記録は、記録媒体上の、温度が４００〜５００℃のリング状の領域で行われる。以下、記録媒体上の、温度が４００〜５００℃の領域とその内側の領域を合わせた部分を熱スポットと言う。従来、トラック幅は、熱スポットサイズによって決まっていた。

プラズモンジェネレータの縮小や、近接場光の発生に利用されるレーザ光のパワーの低減により、光スポットサイズは、５０ｎｍ程度まで小さくすることができる。しかし、近接場光による熱は、記録媒体上で伝導によって広がるため、熱スポットサイズは光スポットサイズよりも大きくなる。そのため、光スポットサイズを小さくする方法では、トラック幅を十分に小さくすることが困難であり、その結果、記録密度を十分に高めることが困難であった。

引用文献１には、主磁極または、主磁極をエッチングするためのマスクを用いて金属層をエッチングしてプラズモンジェネレータを形成する技術が開示されている。この技術では、主磁極の端面の幅とプラズモンジェネレータの端面の幅を共に小さくすると、主磁極が多くの磁束を通過させることができなくなり、主磁極の端面から十分な大きさの記録磁界を発生させることができなくなるという問題点がある。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、トラック幅を小さくし、且つ主磁極から十分な大きさの記録磁界を発生させることができるようにした熱アシスト磁気記録ヘッドおよびその製造方法を提供することにある。

本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面と、記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生するコイルと、主磁極と、導波路と、プラズモンジェネレータとを備えている。主磁極は、媒体対向面に配置された前端面を有している。導波路は、光を伝搬させるコアと、コアの周囲に配置されたクラッドとを有している。プラズモンジェネレータは、媒体対向面に配置された近接場光発生面を有している。

主磁極は、コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、情報を記録媒体に記録するための記録磁界を前端面より発生するように構成されている。プラズモンジェネレータは、コアを伝搬する光に基づいてプラズモンジェネレータに表面プラズモンが励起され、この表面プラズモンに基づいて近接場光発生面より近接場光を発生するように構成されている。主磁極の前端面と近接場光発生面は、記録媒体の進行方向について互いに異なる位置に配置されている。主磁極の前端面は、第１の端面部分と、第１の端面部分に連続する第２の端面部分とを含んでいる。第２の端面部分は、第１の端面部分よりも近接場光発生面からより遠い位置にあり、且つ第１の端面部分よりもトラック幅方向についての幅が大きい。第１の端面部分は、トラック幅方向の両側に位置する第１および第２の端縁を有している。近接場光発生面は、トラック幅方向の両側に位置する第３および第４の端縁を有している。第１の端縁と第３の端縁は、第１の仮想の直線上に位置している。第２の端縁と第４の端縁は、第１の仮想の直線に平行な第２の仮想の直線上に位置している。

本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドは、更に、主磁極とプラズモンジェネレータの間に配置された誘電体層を備えていてもよい。

また、本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドにおいて、コアは、コアを伝搬する光に基づいてエバネッセント光を発生するエバネッセント光発生面を有し、プラズモンジェネレータは、エバネッセント光発生面に対して所定の間隔をもって対向するプラズモン励起部を有していてもよい。この場合、プラズモンジェネレータでは、プラズモン励起部において、エバネッセント光発生面より発生されるエバネッセント光と結合することによって表面プラズモンが励起され、この表面プラズモンが近接場光発生面に伝搬され、この表面プラズモンに基づいて近接場光発生面より近接場光が発生される。

また、本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドにおいて、主磁極の前端面は、近接場光発生面に対して、記録媒体の進行方向の前側に配置されていてもよい。

また、本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドにおいて、主磁極は、第１層と、第１層の上に積層された第２層とを有していてもよい。この場合、第１層は第１の端面部分を有し、第２層は第２の端面部分を有する。

第１層は、更に、媒体対向面から最も遠い第１の後端面部分を有していてもよく、第２層は、更に、媒体対向面から最も遠い第２の後端面部分を有していてもよい。この場合、媒体対向面から第１の後端面部分までの距離は、媒体対向面から第２の後端面部分までの距離と等しくてもよい。

本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドは、更に、外面を有するヒートシンクを備えていてもよい。この場合、プラズモンジェネレータは、第１の領域と、第１の領域よりも媒体対向面からより遠い位置にある第２の領域とを含む上面を有していてもよい。また、主磁極の第１層は、プラズモンジェネレータの上面の第１の領域に対向する下面と、トラック幅方向の両端に位置する第１および第２の側面とを有していてもよい。また、主磁極の第２層は、トラック幅方向の両端に位置する第３および第４の側面を有していてもよい。また、ヒートシンクの外面は、プラズモンジェネレータの上面の第２の領域に対向する第１の部分と、第１の後端面部分に対向する第２の部分と、第２の後端面部分に対向する第３の部分と、第３の側面の少なくとも一部に対向する第４の部分と、第４の側面の少なくとも一部に対向する第５の部分とを含んでいてもよい。ヒートシンクの外面は、更に、第１の側面の少なくとも一部に対向する第６の部分と、第２の側面の少なくとも一部に対向する第７の部分とを含んでいてもよい。

また、本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドは、更に、磁性材料よりなり、媒体対向面に配置された端面を有するシールドと、磁性材料よりなり、主磁極とシールドとを接続し、コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させる帰磁路部とを備えていてもよい。

近接場光発生面は、主磁極の前端面とシールドの端面の少なくとも一部との間に配置されていてもよい。また、帰磁路部は、第１のヨーク部分と、第２のヨーク部分と、第１の柱状部分と、第２の柱状部分と、第３の柱状部分とを含んでいてもよい。第１のヨーク部分、第２のヨーク部分および第１の柱状部分は、コアに対して、記録媒体の進行方向における同じ側に配置されている。第１の柱状部分は、記録媒体の進行方向において互いに反対側に位置する第１の端部と第２の端部を有し、且つ媒体対向面から離れた位置にある。第２および第３の柱状部分は、第１の柱状部分よりも、媒体対向面により近い位置にある。第１のヨーク部分は、主磁極と第１の柱状部分の第１の端部とを接続している。第２の柱状部分と第３の柱状部分は、プラズモンジェネレータのトラック幅方向の両側に配置されて、シールドに接続されている。第２のヨーク部分は、第１の柱状部分の第２の端部に接続され、且つ第２および第３の柱状部分を介してシールドに接続されている。コイルは、第１の柱状部分の周りに巻回されている。

また、シールドの端面は、主磁極の前端面の第１の端面部分に対してトラック幅方向の両側に配置された第１のサイドシールド端面と第２のサイドシールド端面を含んでいてもよい。

本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドの第１および第２の製造方法は、導波路を形成する工程と、プラズモンジェネレータおよび主磁極を形成する工程と、コイルを形成する工程とを含んでいる。

第１の製造方法では、主磁極は、第１層と、第１層の上に積層された第２層とを有するように形成され、第１層は第１の端面部分を有し、第２層は第２の端面部分を有する。第１の製造方法において、プラズモンジェネレータおよび主磁極を形成する工程は、初期プラズモンジェネレータを形成する工程と、主磁極の第１層を構成するための第１の磁性層を形成する工程と、エッチング後の初期プラズモンジェネレータによってプラズモンジェネレータが形成されるように、第１の磁性層をエッチングマスクとして用いて初期プラズモンジェネレータをエッチングする工程と、第１の磁性層の上に、主磁極の第２層を構成するための第２の磁性層を形成する工程とを含んでいる。

第２の製造方法では、プラズモンジェネレータおよび主磁極を形成する工程は、初期プラズモンジェネレータを形成する工程と、初期プラズモンジェネレータをパターニングするためのエッチングマスクを形成する工程と、エッチング後の初期プラズモンジェネレータによってプラズモンジェネレータが形成されるように、エッチングマスクを用いて初期プラズモンジェネレータをエッチングする工程と、プラズモンジェネレータおよびエッチングマスクの周囲に、誘電体材料よりなる周囲層を形成する工程と、プラズモンジェネレータおよび周囲層によって凹部が形成されるように、エッチングマスクを除去する工程と、一部が凹部内に収容されるように、主磁極を構成するための磁性層を形成する工程とを含んでいる。

本発明では、主磁極の前端面は、第１の端面部分と、第１の端面部分よりもトラック幅方向についての幅が大きい第２の端面部分とを含み、トラック幅は、主磁極の前端面の第１の端面部分の幅で決まる。これにより、本発明によれば、トラック幅を小さくし、且つ主磁極から十分な大きさの記録磁界を発生させることが可能になるという効果を奏する。

本発明の第１の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの要部を示す斜視図である。 図１における一部を拡大して示す斜視図である。 本発明の第１の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの要部を示す正面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの要部を示す断面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの構成を示す断面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。 本発明の第１の実施の形態におけるコイルの第１層を示す平面図である。 本発明の第１の実施の形態におけるコイルの第２層を示す平面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法における一工程を示す断面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法における一工程を示す断面図である。 図９Ａおよび図９Ｂに示した工程に続く工程を示す断面図である。 図９Ａおよび図９Ｂに示した工程に続く工程を示す断面図である。 図１０Ａおよび図１０Ｂに示した工程に続く工程を示す断面図である。 図１０Ａおよび図１０Ｂに示した工程に続く工程を示す断面図である。 図１１Ａおよび図１１Ｂに示した工程に続く工程を示す断面図である。 図１１Ａおよび図１１Ｂに示した工程に続く工程を示す断面図である。 図１２Ａおよび図１２Ｂに示した工程に続く工程を示す断面図である。 図１２Ａおよび図１２Ｂに示した工程に続く工程を示す断面図である。 図１３Ａおよび図１３Ｂに示した工程に続く工程を示す断面図である。 図１３Ａおよび図１３Ｂに示した工程に続く工程を示す断面図である。 図１４Ａおよび図１４Ｂに示した工程に続く工程を示す断面図である。 図１４Ａおよび図１４Ｂに示した工程に続く工程を示す断面図である。 図１５Ａおよび図１５Ｂに示した工程に続く工程を示す断面図である。 図１５Ａおよび図１５Ｂに示した工程に続く工程を示す断面図である。 図１６Ａおよび図１６Ｂに示した工程に続く工程を示す断面図である。 図１６Ａおよび図１６Ｂに示した工程に続く工程を示す断面図である。 図１７Ａおよび図１７Ｂに示した工程に続く工程を示す断面図である。 図１７Ａおよび図１７Ｂに示した工程に続く工程を示す断面図である。 図１８Ａおよび図１８Ｂに示した工程に続く工程を示す断面図である。 図１８Ａおよび図１８Ｂに示した工程に続く工程を示す断面図である。 図１９Ａおよび図１９Ｂに示した工程に続く工程を示す断面図である。 図１９Ａおよび図１９Ｂに示した工程に続く工程を示す断面図である。 図２０Ａおよび図２０Ｂに示した工程に続く工程を示す断面図である。 図２０Ａおよび図２０Ｂに示した工程に続く工程を示す断面図である。 図２１Ａおよび図２１Ｂに示した工程に続く工程を示す断面図である。 図２１Ａおよび図２１Ｂに示した工程に続く工程を示す断面図である。 図２２Ａおよび図２２Ｂに示した工程に続く工程を示す断面図である。 図２２Ａおよび図２２Ｂに示した工程に続く工程を示す断面図である。 本発明の第２の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの要部を示す正面図である。 本発明の第２の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの要部を示す断面図である。 本発明の第２の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法における一工程を示す断面図である。 本発明の第２の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法における一工程を示す断面図である。 図２６Ａおよび図２６Ｂに示した工程に続く工程を示す断面図である。 図２６Ａおよび図２６Ｂに示した工程に続く工程を示す断面図である。 図２７Ａおよび図２７Ｂに示した工程に続く工程を示す断面図である。 図２７Ａおよび図２７Ｂに示した工程に続く工程を示す断面図である。 図２８Ａおよび図２８Ｂに示した工程に続く工程を示す断面図である。 図２８Ａおよび図２８Ｂに示した工程に続く工程を示す断面図である。 図２９Ａおよび図２９Ｂに示した工程に続く工程を示す断面図である。 図２９Ａおよび図２９Ｂに示した工程に続く工程を示す断面図である。 図３０Ａおよび図３０Ｂに示した工程に続く工程を示す断面図である。 図３０Ａおよび図３０Ｂに示した工程に続く工程を示す断面図である。 図３１Ａおよび図３１Ｂに示した工程に続く工程を示す断面図である。 図３１Ａおよび図３１Ｂに示した工程に続く工程を示す断面図である。 図３２Ａおよび図３２Ｂに示した工程に続く工程を示す断面図である。 図３２Ａおよび図３２Ｂに示した工程に続く工程を示す断面図である。 本発明の第３の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法における一工程を示す断面図である。 図３４に示した工程に続く工程を示す断面図である。 図３５に示した工程に続く工程を示す断面図である。 図３６に示した工程に続く工程を示す断面図である。 本発明の第４の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの要部を示す斜視図である。 本発明の第４の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの構成を示す断面図である。 本発明の第４の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。 本発明の第４の実施の形態におけるコイルの第１層を示す平面図である。 本発明の第４の実施の形態におけるコイルの第２層を示す平面図である。 本発明の第５の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの要部を示す正面図である。 本発明の第６の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの要部を示す正面図である。

［第１の実施の形態］
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。始めに、図１ないし図８を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの構成について説明する。図１は、熱アシスト磁気記録ヘッドの要部を示す斜視図である。図２は、図１における一部を拡大して示す斜視図である。図３は、熱アシスト磁気記録ヘッドの要部を示す正面図である。図４は、熱アシスト磁気記録ヘッドの要部を示す断面図である。図５は、熱アシスト磁気記録ヘッドの構成を示す断面図である。図６は、熱アシスト磁気記録ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。図７は、本実施の形態におけるコイルの第１層を示す平面図である。図８は、本実施の形態におけるコイルの第２層を示す平面図である。

本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドは、垂直磁気記録用であり、回転する記録媒体の表面から浮上するスライダの形態を有している。記録媒体が回転すると、記録媒体とスライダとの間を通過する空気流によって、スライダに揚力が生じる。スライダは、この揚力によって記録媒体の表面から浮上するようになっている。

図５に示したように、熱アシスト磁気記録ヘッドは、記録媒体９０に対向する媒体対向面８０を備えている。ここで、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向を以下のように定義する。Ｘ方向は、記録媒体９０のトラック横断方向すなわちトラック幅方向である。Ｙ方向は、媒体対向面８０に垂直な方向である。Ｚ方向は、スライダから見た記録媒体９０の進行方向である。Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向は互いに直交している。

図５および図６に示したように、熱アシスト磁気記録ヘッドは、アルミニウムオキサイド・チタニウムカーバイド（Ａｌ₂Ｏ₃・ＴｉＣ）等のセラミック材料よりなり、上面１ａを有する基板１と、この基板１の上面１ａ上に配置されたアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）等の絶縁材料よりなる絶縁層２と、この絶縁層２の上に配置された磁性材料よりなる下部シールド層３と、下部シールド層３を覆うように配置された絶縁膜である下部シールドギャップ膜４と、この下部シールドギャップ膜４の上に配置された再生素子としてのＭＲ（磁気抵抗効果）素子５と、このＭＲ素子５に接続された２つのリード（図示せず）と、ＭＲ素子５の上に配置された絶縁膜である上部シールドギャップ膜６と、この上部シールドギャップ膜６の上に配置された磁性材料よりなる上部シールド層７とを備えている。Ｚ方向は、基板１の上面１ａに垂直な方向でもある。

ＭＲ素子５の一端部は、媒体対向面８０に配置されている。ＭＲ素子５には、ＡＭＲ（異方性磁気抵抗効果）素子、ＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果）素子あるいはＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）素子等の磁気抵抗効果を示す感磁膜を用いた素子を用いることができる。ＧＭＲ素子としては、磁気的信号検出用の電流を、ＧＭＲ素子を構成する各層の面に対してほぼ平行な方向に流すＣＩＰ（Current In Plane）タイプでもよいし、磁気的信号検出用の電流を、ＧＭＲ素子を構成する各層の面に対してほぼ垂直な方向に流すＣＰＰ（Current Perpendicular to Plane）タイプでもよい。

下部シールド層３から上部シールド層７までの部分は、再生ヘッド部を構成する。熱アシスト磁気記録ヘッドは、更に、上部シールド層７の上に配置された絶縁層８と、この絶縁層８の上に配置された磁性材料よりなる中間シールド層９と、この中間シールド層９の上に配置された非磁性材料よりなる非磁性層１０と、この非磁性層１０の上に配置された記録ヘッド部とを備えている。中間シールド層９は、記録ヘッド部で発生する磁界からＭＲ素子５をシールドする機能を有している。絶縁層８および非磁性層１０は、例えばアルミナによって形成されている。

記録ヘッド部は、コイル５０と、主磁極３０とを備えている。コイル５０は、記録媒体９０に記録する情報に応じた磁界を発生する。図１、図３および図４に示したように、主磁極３０は、媒体対向面８０に配置された前端面３０ａを有している。主磁極３０は、コイル５０によって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって情報を記録媒体９０に記録するための記録磁界を前端面３０ａより発生するように構成されている。コイル５０は、銅等の導電材料によって形成されている。

記録ヘッド部は、更に、磁性材料よりなるシールド１２と、磁性材料よりなる帰磁路部Ｒとを備えている。図５に示したように、シールド１２は、媒体対向面８０に配置された端面１２ａを有している。帰磁路部Ｒは、主磁極３０とシールド１２とを接続し、コイル５０によって発生された磁界に対応する磁束を通過させる。

帰磁路部Ｒは、リターン磁極層１１と、２つの連結部１３Ａ，１３Ｂと、連結層３７，３８，３９と、第１のヨーク部分４０とを含んでいる。リターン磁極層１１は、非磁性層１０の上に配置されている。また、リターン磁極層１１は、媒体対向面８０に配置された端面を有している。記録ヘッド部は、更に、リターン磁極層１１の周囲に配置された図示しない絶縁層を備えている。図示しない絶縁層は、例えばアルミナによって形成されている。

シールド１２は、リターン磁極層１１の上面のうちの媒体対向面８０の近傍の第１の部分の上に配置されている。２つの連結部１３Ａ，１３Ｂは、リターン磁極層１１の上面のうちの媒体対向面８０から離れた位置にある２つの第２の部分の上に配置されている。連結部１３Ａ，１３Ｂは、それぞれ、リターン磁極層１１の上に配置された第１層と、この第１層の上に順に配置された第２層および第３層とを有している。連結部１３Ａの第１層と連結部１３Ｂの第１層は、トラック幅方向（Ｘ方向）に並ぶように配置されている。

記録ヘッド部は、更に、リターン磁極層１１の上面のうちの第１および第２の部分以外の部分および図示しない絶縁層の上に配置された絶縁層１４を備えている。連結部１３Ａ，１３Ｂの第１層は、絶縁層１４に埋め込まれている。絶縁層１４は、例えばアルミナによって形成されている。

記録ヘッド部は、更に、光を伝搬させるコア１６と、コア１６の周囲に配置されたクラッドとを有する導波路を備えている。特に図１、図３ないし図５に示したように、コア１６は、媒体対向面８０に向いた前端面１６ａと、上面であるエバネッセント光発生面１６ｂと、下面１６ｃと、２つの側面１６ｄ，１６ｅとを有している。前端面１６ａは、媒体対向面８０に配置されていてもよいし、媒体対向面８０から離れた位置に配置されていてもよい。図１、図３ないし図６には、前端面１６ａが媒体対向面８０に配置された例を示している。

クラッドは、クラッド層１５，１７，１８を含んでいる。クラッド層１５は、シールド１２および絶縁層１４の上に配置されている。コア１６は、クラッド層１５の上に配置されている。クラッド層１７は、クラッド層１５の上においてコア１６の周囲に配置されている。クラッド層１８は、コア１６のエバネッセント光発生面１６ｂおよびクラッド層１７の上面の上に配置されている。

コア１６は、近接場光の発生に用いられるレーザ光を通過させる誘電体材料によって形成されている。コア１６には、図示しないレーザダイオードから出射されたレーザ光が入射され、このレーザ光はコア１６内を伝搬する。クラッド層１５，１７，１８は、コア１６の屈折率よりも小さい屈折率を有する誘電体材料によって形成されている。コア１６の材料としては、例えば、Ｔａ_２Ｏ_５等の酸化タンタルや酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）が用いられ、クラッド層１５，１７，１８の材料としては、例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）やアルミナが用いられる。

連結部１３Ａ，１３Ｂの第２層は、クラッド層１５，１７に埋め込まれている。連結部１３Ａの第２層と連結部１３Ｂの第２層は、コア１６のトラック幅方向（Ｘ方向）の両側において、コア１６に対して間隔を開けて配置されている。

記録ヘッド部は、更に、媒体対向面８０の近傍においてクラッド層１８の上方に配置されたプラズモンジェネレータ２０と、クラッド層１８とプラズモンジェネレータ２０との間に介在する密着層１９とを備えている。なお、図５および図６では、密着層１９を省略している。プラズモンジェネレータ２０は、後で説明する原理によって表面プラズモンが励起されるものである。密着層１９は、プラズモンジェネレータ２０がクラッド層１８から剥離するのを防止するための層である。密着層１９の材料は、例えば、Ｚｒ、ＺｒＮ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｗ、Ｃｒ、ＮｉＣｒ、ＮｉＦｅ、Ｃｏ、Ｃｕ、ＴｉＷ、ＴｉＮ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｒｈのいずれかであってもよい。密着層１９の厚みは、例えば０．３〜１ｎｍの範囲内である。なお、密着層１９は、熱アシスト磁気記録ヘッドの必須の構成要素ではなく、設けられていなくてもよい。プラズモンジェネレータ２０については、後で詳しく説明する。

記録ヘッド部は、更に、媒体対向面８０の近傍においてプラズモンジェネレータ２０の一部の上に配置された誘電体層２４と、プラズモンジェネレータ２０の他の一部および誘電体層２４の上に配置された非磁性金属膜２５とを備えている。なお、図５および図６では、誘電体層２４および非磁性金属膜２５を省略している。誘電体層２４は、例えば、クラッド層１５，１７，１８と同じ材料によって形成されている。非磁性金属膜２５は、プラズモンジェネレータ２０を構成する材料が主磁極３０に拡散することを防止して、主磁極３０の磁気特性が劣化することを防止する機能を有している。非磁性金属膜２５は、例えばＲｕ、ＴａまたはＴｉによって形成されている。

本実施の形態では、主磁極３０は、第１層３１と、第１層３１の上に積層された第２層３２とを有している。第１層３１は、非磁性金属膜２５の上に配置されている。プラズモンジェネレータ２０は、コア１６と第１層３１の間に位置している。記録ヘッド部は、更に、プラズモンジェネレータ２０、誘電体層２４、非磁性金属膜２５および第１層３１の周囲に配置された誘電体材料よりなる周囲層２７と、プラズモンジェネレータ２０、誘電体層２４、非磁性金属膜２５および第１層３１と周囲層２７との間に介在する誘電体膜２６とを備えている。なお、図６では、誘電体膜２６を省略している。誘電体膜２６および周囲層２７は、例えば、クラッド層１５，１７，１８と同じ材料によって形成されている。

第２層３２は、第１層３１および周囲層２７の上に配置されている。記録ヘッド部は、更に、第１層３１の一部および第２層３２の周囲においてプラズモンジェネレータ２０および周囲層２７の上方に配置されたヒートシンク３４と、プラズモンジェネレータ２０、主磁極３０および周囲層２７とヒートシンク３４との間に介在する非磁性金属膜３３とを備えている。なお、図５および図６では、非磁性金属膜３３を省略している。ヒートシンク３４は、プラズモンジェネレータ２０において発生した熱と、プラズモンジェネレータ２０から主磁極３０に伝わった熱を、プラズモンジェネレータ２０および主磁極３０の外部に放散させる機能を有している。ヒートシンク３４は、例えばＡｕまたはＣｕによって形成されている。非磁性金属膜３３は、プラズモンジェネレータ２０およびヒートシンク３４を構成する材料が主磁極３０に拡散することを防止して、主磁極３０の磁気特性が劣化することを防止する機能を有している。非磁性金属膜３３は、例えば非磁性金属膜２５と同じ材料によって形成されている。

記録ヘッド部は、更に、ヒートシンク３４の周囲に配置された誘電体層３５を備えている。第２層３２、ヒートシンク３４および誘電体層３５の上面は平坦化されている。誘電体層３５は、例えば、クラッド層１５，１７，１８と同じ材料によって形成されている。

連結部１３Ａ，１３Ｂの第３層は、クラッド層１８、周囲層２７および誘電体層３５に埋め込まれている。連結層３７は、連結部１３Ａ，１３Ｂの第３層および誘電体層３５の上に配置されている。

第１のヨーク部分４０は、第１層４１と、第２層４２と、第３層４３と、第４層４４とを有している。第１層４１の一部は主磁極３０の上に位置し、第１層４１の他の一部はヒートシンク３４の上方に位置している。第１層４１は、媒体対向面８０に配置された端面を有している。図７に示したように、第１層４１は、第１層４１の上記端面とその反対側の端部とを有する細幅部と、細幅部の端部に接続された幅広部とを含んでいてもよい。幅広部のトラック幅方向（Ｘ方向）の幅は、細幅部のトラック幅方向の幅よりも大きい。細幅部のトラック幅方向の幅は、媒体対向面８０からの距離によらずにほぼ一定である。幅広部のトラック幅方向の幅は、細幅部との境界位置では細幅部のトラック幅方向の幅と等しく、媒体対向面８０から離れるに従って、徐々に大きくなった後、一定の大きさになっている。

記録ヘッド部は、更に、ヒートシンク３４と第１層４１との間に介在する非磁性金属膜３６と、第１層４１および連結層３７の周囲に配置された誘電体層４５とを備えている。なお、非磁性金属膜３６は、後で説明する図２３Ａおよび図２３Ｂに示されている。非磁性金属膜３６は、ヒートシンク３４を構成する材料が第１層４１に拡散することを防止する機能を有している。非磁性金属膜３６は、例えば非磁性金属膜２５と同じ材料によって形成されている。誘電体層４５は、例えば、クラッド層１５，１７，１８と同じ材料によって形成されている。

第１のヨーク部分４０の第２層４２は、第１層４１の上に配置されている。第２層４２は、媒体対向面８０に向いた端面を有し、この端面は、媒体対向面８０から離れた位置に配置されている。連結層３８は、連結層３７の上に配置されている。

コイル５０は、第１層５１と第２層５２とを有している。記録ヘッド部は、更に、第１のヨーク部分４０の第２層４２、連結層３８および誘電体層４５とコイル５０の第１層５１との間に介在する絶縁膜５３と、第１層５１の巻線間ならびに第１層５１および第２層４２の周囲に配置された絶縁層５４と、第１層５１、絶縁膜５３および絶縁層５４の上に配置された絶縁層５５とを備えている。絶縁膜５３および絶縁層５４，５５は、例えばアルミナによって形成されている。

第１のヨーク部分４０の第３層４３は、第２層４２の上に配置されている。第３層４３は、媒体対向面８０に向いた端面を有し、この端面は、媒体対向面８０から離れた位置に配置されている。連結層３９は、連結層３８の上に配置されている。

記録ヘッド部は、更に、第１のヨーク部分４０の第３層４３、連結層３９および絶縁層５５とコイル５０の第２層５２との間に介在する絶縁膜５６と、第２層５２の巻線間ならびに第２層５２および第３層４３の周囲に配置された絶縁層５７と、第２層５２、絶縁膜５６および絶縁層５７の上に配置された絶縁層５８とを備えている。絶縁膜５６および絶縁層５７，５８は、例えばアルミナによって形成されている。

第１のヨーク部分４０の第４層４４は、第３層４３、連結層３９および絶縁層５８の上に配置されている。第４層４４は、媒体対向面８０に向いた端面を有し、この端面は、媒体対向面８０から離れた位置に配置されている。記録ヘッド部は、更に、第４層４４の周囲に配置された絶縁層５９を備えている。絶縁層５９は、例えばアルミナによって形成されている。

熱アシスト磁気記録ヘッドは、更に、記録ヘッド部を覆うように配置された保護層６０を備えている。保護層６０は、例えばアルミナによって形成されている。

以上説明したように、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドは、媒体対向面８０と再生ヘッド部と記録ヘッド部とを備えている。再生ヘッド部と記録ヘッド部は、基板１の上に積層されている。記録ヘッド部は、再生ヘッド部に対して、記録媒体９０の進行方向（Ｚ方向）の前側（トレーリング側）に配置されている。

記録ヘッド部は、コイル５０と、主磁極３０と、導波路と、プラズモンジェネレータ２０と、シールド１２と、帰磁路部Ｒと、誘電体層２４と、ヒートシンク３４とを備えている。導波路は、コア１６とクラッドとを有している。クラッドは、クラッド層１５，１７，１８を含んでいる。帰磁路部Ｒは、リターン磁極層１１と、２つの連結部１３Ａ，１３Ｂと、連結層３７〜３９と、第１のヨーク部分４０とを含んでいる。誘電体層２４は、主磁極３０とプラズモンジェネレータ２０の間に配置されている。

主磁極３０は、媒体対向面８０に配置された前端面３０ａを有している。シールド１２は、媒体対向面８０に配置された端面１２ａを有している。前端面３０ａと端面１２ａは、記録媒体９０の進行方向（Ｚ方向）について互いに異なる位置に配置されている。本実施の形態では特に、端面１２ａは、前端面３０ａに対して記録媒体９０の進行方向の後側（リーディング側）に配置されている。

主磁極３０は、コア１６に対して、記録媒体９０の進行方向の前側に配置されている。コア１６は、媒体対向面８０に配置された前端面１６ａを有している。前端面１６ａは、主磁極３０の前端面３０ａとシールド１２の端面１２ａの少なくとも一部との間に配置されている。

シールド１２は、熱アシスト磁気記録ヘッドの外部から熱アシスト磁気記録ヘッドに印加された外乱磁界を取り込む。これにより、外乱磁界が主磁極３０に集中して取り込まれることによって記録媒体９０に対して誤った記録が行なわれることを防止することができる。また、シールド１２は、主磁極３０の前端面３０ａより発生されて記録媒体９０の面に垂直な方向以外の方向に広がる磁束を取り込んで、この磁束が記録媒体９０に達することを阻止する機能を有している。これにより、記録磁界強度の勾配を大きくすることができる。また、シールド１２と帰磁路部Ｒは、主磁極３０の前端面３０ａより発生されて、記録媒体９０の一部を磁化した磁束を、主磁極３０に還流させる機能を有している。

次に、図７および図８を参照して、コイル５０の形状および配置について詳しく説明する。図７に示したように、コイル５０の第１層５１は、連結層３８の周りに約３回巻かれている。第１層５１は、第１のヨーク部分４０の第２層４２と連結層３８の間を通過するように延びる部分を含んでいる。また、第１層５１は、コイル５０の第２層５２に電気的に接続されたコイル接続部５１Ｅを有している。

図８に示したように、第２層５２は、連結層３９の周りに約３回巻かれている。第２層５２は、第１のヨーク部分４０の第３層４３と連結層３９の間を通過するように延びる部分を含んでいる。また、第２層５２は、第１層５１のコイル接続部５１Ｅに電気的に接続されたコイル接続部５２Ｓを有している。コイル接続部５２Ｓは、絶縁層５５および絶縁膜５６（図５参照）を貫通してコイル接続部５１Ｅに電気的に接続されている。図７および図８に示した例では、第１層５１と第２層５２は、直列に接続されている。

次に、図１ないし図４を参照して、プラズモンジェネレータ２０について詳しく説明する。プラズモンジェネレータ２０は、媒体対向面８０に配置された近接場光発生面２０ａと、下面であるプラズモン励起部２０ｂと、上面２０ｃと、近接場光発生面２０ａとは反対側の後端面２０ｄと、２つの側面２０ｅ，２０ｆとを有している。プラズモン励起部２０ｂは、コア１６のエバネッセント光発生面１６ｂに対して所定の間隔をもって対向している。クラッド層１８は、エバネッセント光発生面１６ｂとプラズモン励起部２０ｂとの間に介在している。媒体対向面８０に平行なプラズモンジェネレータ２０の断面の形状は、例えば矩形である。近接場光発生面２０ａは、主磁極３０の前端面３０ａとコア１６の前端面１６ａの間に配置されている。近接場光発生面２０ａは、後で説明する原理によって近接場光を発生する。

また、図２および図４に示したように、プラズモンジェネレータ２０は、多層膜部２１と金属部２２とを備えている。多層膜部２１は、媒体対向面８０に配置された前端面と、その反対側の後端部と、下面と、上面と、２つの側面とを有している。多層膜部２１の前端面は、プラズモンジェネレータ２０の近接場光発生面２０ａでもある。誘電体層２４は、多層膜部２１の上面の上に配置されている。

金属部２２は、多層膜部２１に対して近接場光発生面２０ａとは反対側に配置されている。金属部２２は、多層膜部２１の後端部に接続された前端部と、その反対側の後端面と、下面と、上面と、２つの側面とを有している。金属部２２の上面は、多層膜部２１に近い順に配置された傾斜部と平坦部を含んでいる。傾斜部は、多層膜部２１に最も近い第１の端部と、その反対側の第２の端部とを有している。傾斜部は、その第２の端部がその第１の端部に対して記録媒体９０の進行方向の前側に配置されるように傾斜している。平坦部は、実質的に媒体対向面８０に垂直な方向に延在している。

トラック幅方向（Ｘ方向）についての多層膜部２１の幅は、媒体対向面８０からの距離によらずに一定であってもよいし、媒体対向面８０に近づくに従って小さくなっていてもよい。金属部２２の幅は、多層膜部２１との境界の位置では多層膜部２１における幅と等しく、多層膜部２１から離れるに従って大きくなっている。

トラック幅方向（Ｘ方向）についての近接場光発生面２０ａの幅は、媒体対向面８０における多層膜部２１の幅によって規定される。近接場光発生面２０ａの幅は、例えば５〜４０ｎｍの範囲内である。

図２に示したように、多層膜部２１は、少なくとも、第１の金属層Ｍ１と、第２の金属層Ｍ２と、中間層Ｎ１とを備えている。中間層Ｎ１は、第１の金属層Ｍ１と第２の金属層Ｍ２の間に介在している。第１の金属層Ｍ１、第２の金属層Ｍ２および中間層Ｎ１は、いずれも、近接場光発生面２０ａに位置する端部を有している。第１および第２の金属層Ｍ１，Ｍ２の各々は、金属材料によって構成されている。中間層Ｎ１の材料は、第１および第２の金属層Ｍ１，Ｍ２とは異なる金属材料であってもよいし、誘電体材料であってもよい。以下、第１の金属層Ｍ１を構成する金属材料と第２の金属層Ｍ２を構成する金属材料を金属層の材料と呼び、中間層Ｎ１を構成する材料を中間層の材料と呼ぶ。中間層の材料は、金属層の材料よりもビッカース硬度が大きい。中間層の材料が金属材料である場合、金属層の材料は、中間層の材料よりも電気伝導率が大きいことが好ましい。

図２に示した例では、第１の金属層Ｍ１の上に、中間層Ｎ１と第２の金属層Ｍ２が順に積層されている。この例では、多層膜部２１は、更に、第２の金属層Ｍ２の上に順に積層された第２の中間層Ｎ２、第３の金属層Ｍ３および保護層Ｎ３を備えている。第２の中間層Ｎ２、第３の金属層Ｍ３および保護層Ｎ３は、いずれも、近接場光発生面２０ａに位置する端部を有している。金属層Ｍ３は、金属層の材料によって構成されている。中間層Ｎ２および保護層Ｎ３は、中間層の材料によって構成されている。保護層Ｎ３は、プラズモンジェネレータ２０を保護する機能と、プラズモンジェネレータ２０に対する誘電体層２４の密着性を向上させる機能を有している。

金属層の材料は、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕのいずれかであってもよい。中間層の材料のうち、金属材料は、例えば、Ｚｒ、ＺｒＮ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｗ、Ｃｒ、ＮｉＣｒ、ＮｉＦｅ、Ｃｏ、Ｃｕ、ＴｉＷ、ＴｉＮ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｒｈのいずれかであってもよい。中間層の材料のうち、誘電体材料は、例えば、ＳｉＯ_２、アルミナ、ＭｇＯ、アモルファスＳｉＣ、酸化タンタル、ＳｉＯＮ、ＺｒＯ_ｘ、ＨｆＯ_ｘ、ＮｂＯ_ｘ（ＺｒＯ_ｘ、ＨｆＯ_ｘ、ＮｂＯ_ｘにおけるｘは０より大きい任意の数）のいずれかであってもよい。なお、金属層の材料がＣｕである場合には、中間層の材料はＣｕ以外の材料である。

中間層の材料が金属層の材料よりもビッカース硬度が大きいという条件を満たす限り、金属層Ｍ１〜Ｍ３の各材料は、全て同じでもよいし、全て異なっていてもよいし、２つが同じでもよい。同様に、中間層Ｎ１，Ｎ２および保護層Ｎ３の各材料も、全て同じでもよいし、全て異なっていてもよいし、２つが同じでもよい。

中間層Ｎ１，Ｎ２および保護層Ｎ３は、金属層Ｍ１〜Ｍ３よりも厚みが小さくてもよい。金属層Ｍ１〜Ｍ３の厚みは、５〜２５ｎｍの範囲内であることが好ましく、中間層Ｎ１，Ｎ２および保護層Ｎ３の厚みは、０．５〜２ｎｍの範囲内であることが好ましい。

金属部２２は、金属材料によって構成されている。金属部２２を構成する金属材料は、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕのいずれかであってもよい。

なお、プラズモンジェネレータ２０の構成は、上記の例に限られない。例えば、プラズモンジェネレータ２０は、多層膜部２１の代わりに、単一の金属材料によって構成された単一層部分を備えていてもよい。単一層部分は、多層膜部２１と同様の形状を有していてもよい。単一層部分を構成する金属材料は、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕのいずれかであってもよい。単一層部分を構成する金属材料は、金属部２２を構成する金属材料と同じでもよいし、異なっていてもよい。また、プラズモンジェネレータ２０は、その全体が、金属層の材料よりなる金属層と中間層の材料よりなる中間層とを交互に積層した多層膜によって構成されていてもよい。

次に、図１ないし図４を参照して、主磁極３０と、主磁極３０とプラズモンジェネレータ２０の位置関係について詳しく説明する。図１、図３および図４に示したように、主磁極３０の前端面３０ａとプラズモンジェネレータ２０の近接場光発生面２０ａは、記録媒体９０の進行方向（Ｚ方向）について互いに異なる位置に配置されている。本実施の形態では、前端面３０ａは、近接場光発生面２０ａに対して、記録媒体９０の進行方向の前側（トレーリング側）に配置されている。

図４に示したように、プラズモンジェネレータ２０の上面２０ｃは、第１の領域２０ｃ１と、第１の領域２０ｃ１よりも媒体対向面８０からより遠い位置にある第２の領域２０ｃ２とを含んでいる。

主磁極３０の前端面３０ａは、第１の端面部分３１ａと、第１の端面部分３１ａに連続する第２の端面部分３２ａとを含んでいる。第２の端面部分３２ａは、第１の端面部分３１ａよりも近接場光発生面２０ａからより遠い位置にあり、且つ第１の端面部分３１ａよりもトラック幅方向についての幅が大きい。本実施の形態では、第２の端面部分３２ａは、第１の端面部分３１ａに対して、記録媒体９０の進行方向の前側に配置されている。

図３に示したように、第１の端面部分３１ａは、トラック幅方向の両側に位置する第１の端縁Ｅ１および第２の端縁Ｅ２を有している。近接場光発生面２０ａは、トラック幅方向の両側に位置する第３の端縁Ｅ３および第４の端縁Ｅ４を有している。ここで、図３に示したように、第１の仮想の直線Ｌ１と第２の仮想の直線Ｌ２を想定する。第１の仮想の直線Ｌ１は、Ｚ方向に延びている。第２の仮想の直線Ｌ２は、第１の仮想の直線Ｌ１に平行である。第１の端縁Ｅ１と第３の端縁Ｅ３は、第１の仮想の直線Ｌ１上に位置する。第２の端縁Ｅ２と第４の端縁Ｅ４は、第２の仮想の直線Ｌ２上に位置する。

第１の端縁Ｅ１と第２の端縁Ｅ２の間隔は、トラック幅方向についての第１の端面部分３１ａの幅と等しい。また、第３の端縁Ｅ３と第４の端縁Ｅ４の間隔は、トラック幅方向についての近接場光発生面２０ａの幅と等しい。従って、第１の端面部分３１ａの幅は、近接場光発生面２０ａの幅と等しい。

このように、本実施の形態では、第１の端面部分３１ａと近接場光発生面２０ａは、幅が等しく、且つ第１の端縁Ｅ１と第３の端縁Ｅ３が第１の仮想の直線Ｌ１上に位置し、第２の端縁Ｅ２と第４の端縁Ｅ４が第２の仮想の直線Ｌ２上に位置するように正確に位置合わせされている。

前述のように、主磁極３０は、第１層３１と第２層３２とを有している。図２ないし図４に示したように、第１層３１は、前記第１の端面部分３１ａと、媒体対向面８０から最も遠い第１の後端面部分３１ｂと、トラック幅方向の両端に位置する第１の側面３１ｃおよび第２の側面３１ｄとを有している。図１、図３および図４に示したように、第２層３２は、前記第２の端面部分３２ａと、媒体対向面８０から最も遠い第２の後端面部分３２ｂと、トラック幅方向の両端に位置する第３の側面３２ｃおよび第４の側面３２ｄとを有している。図４に示したように、本実施の形態では、媒体対向面８０から第１の後端面部分３１ｂまでの距離は、媒体対向面８０から第２の後端面部分３２ｂまでの距離と等しい。

図１および図２に示したように、第１層３１は、第１の端面部分３１ａとその反対側の端部とを有する第１の細幅部と、第１の細幅部の端部に接続された第１の幅広部とを含んでいてもよい。第１の幅広部のトラック幅方向（Ｘ方向）の幅は、第１の細幅部のトラック幅方向の幅よりも大きい。第１の細幅部のトラック幅方向の幅は、媒体対向面８０からの距離によらずにほぼ一定である。第１の幅広部のトラック幅方向の幅は、第１の細幅部との境界位置では第１の細幅部のトラック幅方向の幅と等しく、媒体対向面８０から離れるに従って大きくなっている。なお、第１層３１は、第１の細幅部を含んでいなくてもよい。この場合、第１の幅広部が第１の端面部分３１ａを有する。

図１に示したように、第２層３２は、第２の端面部分３２ａとその反対側の端部とを有する第２の細幅部と、第２の細幅部の端部に接続された第２の幅広部とを含んでいてもよい。第２の幅広部のトラック幅方向（Ｘ方向）の幅は、第２の細幅部のトラック幅方向の幅よりも大きい。第２の細幅部のトラック幅方向の幅は、媒体対向面８０からの距離によらずにほぼ一定である。第２の幅広部のトラック幅方向の幅は、第２の細幅部との境界位置では第２の細幅部のトラック幅方向の幅と等しく、媒体対向面８０から離れるに従って、徐々に大きくなった後、一定の大きさになっている。なお、第２層３２は、第２の細幅部を含んでいなくてもよい。この場合、第２の幅広部が第２の端面部分３２ａを有する。

図２および図４に示したように、第１層３１は、更に、上面３１ｅと、下面３１ｆとを有している。図４に示したように、下面３１ｆは、プラズモンジェネレータ２０の上面２０ｃの第１の領域２０ｃ１に対向している。上面３１ｅは、媒体対向面８０に近い順に配置された第１の平坦部３１ｅ１、傾斜部３１ｅ２および第２の平坦部３１ｅ３を含んでいる。傾斜部３１ｅ２は、第１の平坦部３１ｅ１に接続された第１の端部と、第２の平坦部３１ｅ３に接続された第２の端部とを有している。傾斜部３１ｅ２は、その第２の端部がその第１の端部に対して記録媒体９０の進行方向の前側に配置されるように傾斜している。第１および第２の平坦部３１ｅ１，３１ｅ３は、実質的に媒体対向面８０に垂直な方向に延在している。

第１層３１の下面３１ｆとコア１６のエバネッセント光発生面１６ｂとの間の距離は、媒体対向面８０から離れるに従って大きくなっている。これにより、本実施の形態によれば、コア１６を伝搬する光の一部が主磁極３０に吸収されることを防止することができると共に、プラズモン励起部２０ｂに励起された表面プラズモンの一部が主磁極３０に吸収されることを防止することができる。

次に、図３および図４を参照して、ヒートシンク３４について説明する。ヒートシンク３４は、外面を有し、この外面は、プラズモンジェネレータ２０ならびに主磁極３０の第１層３１および第２層３２に対向する以下の第１ないし第５の部分を有している。第１の部分は、プラズモンジェネレータ２０の上面２０ｃの第２の領域２０ｃ２に対向している。第２の部分は、第１層３１の第１の後端面部分３１ｂに対向している。第３の部分は、第２層３２の第２の後端面部分３２ｂに対向している。第４の部分は、第２層３２の第３の側面３２ｃの少なくとも一部に対向している。第５の部分は、第２層３２の第４の側面３２ｄの少なくとも一部に対向している。図３には、第４の部分が第３の側面３２ｃの全体に対向し、第５の部分が第４の側面３２ｄの全体に対向している例を示している。プラズモンジェネレータ２０、第１層３１および第２層３２と、ヒートシンク３４の外面の第１ないし第５の部分との間には、非磁性金属膜３３が介在している。

次に、本実施の形態における近接場光発生の原理と、近接場光を用いた熱アシスト磁気記録の原理について詳しく説明する。図示しないレーザダイオードから出射されたレーザ光はコア１６に入射される。図５に示したように、レーザ光１５０は、コア１６内を媒体対向面８０に向けて伝搬して、プラズモンジェネレータ２０の近傍に達する。コア１６のエバネッセント光発生面１６ｂは、コア１６を伝搬するレーザ光１５０に基づいてエバネッセント光を発生する。すなわち、エバネッセント光発生面１６ｂにおいてレーザ光１５０が全反射することによって、エバネッセント光発生面１６ｂは、クラッド層１８にしみ出すエバネッセント光を発生する。プラズモンジェネレータ２０では、プラズモン励起部２０ｂにおいて、上記エバネッセント光と結合することによって表面プラズモンが励起され、この表面プラズモンが近接場光発生面２０ａに伝搬され、この表面プラズモンに基づいて近接場光発生面２０ａより近接場光を発生する。

近接場光発生面２０ａより発生された近接場光は、記録媒体９０に向けて照射され、記録媒体９０の表面に達し、記録媒体９０の磁気記録層の一部を加熱する。これにより、その磁気記録層の一部の保磁力が低下する。熱アシスト磁気記録では、このようにして保磁力が低下した磁気記録層の一部に対して、主磁極３０より発生される記録磁界を印加することによってデータの記録が行われる。

次に、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッド特有の作用および効果について説明する。記録媒体９０上には、近接場光のスポットが形成され、この近接場光のスポットによって熱スポットが生じる。記録媒体９０上の熱スポットサイズは、記録媒体９０上の光スポットサイズおよび近接場光発生面２０ａの幅よりも大きくなる。一方、主磁極３０の前端面３０ａにおいて、第１の端面部分３１ａと第２の端面部分３２ａのうち、第１の端面部分３１ａの方が近接場光発生面２０ａにより近い位置にある。第１の端面部分３１ａの幅は、近接場光発生面２０ａの幅と等しい。第１の端面部分３１ａから発生される磁界の広がり方は、一般的に、記録媒体９０上での熱の広がり方に比べて小さい。そのため、本実施の形態では、トラック幅は、第１の端面部分３１ａの幅で決まる。また、上記のように、第１の端面部分３１ａから発生される磁界の広がり方が、記録媒体９０上での熱の広がり方に比べて小さいことから、本実施の形態によれば、光スポットサイズを小さくする方法に比べて、トラック幅を小さくして、記録密度を高めることができる。

また、主磁極３０の前端面３０ａは、第１の端面部分３１ａよりもトラック幅方向についての幅が大きい第２の端面部分３２ａを含んでいる。これにより、本実施の形態によれば、前端面３０ａが第１の端面部分３１ａのみからなる場合に比べて、主磁極３０が多くの磁束を通過させることが可能になる。

以上のことから、本実施の形態によれば、トラック幅を小さくし、且つ主磁極３０から十分な大きさの記録磁界を発生させることが可能になる。

次に、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法について説明する。この熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法は、複数の熱アシスト磁気記録ヘッドの基板１となる部分を含むウェハ上に、複数の熱アシスト磁気記録ヘッドの基板１以外の構成要素を形成して、それぞれ後に熱アシスト磁気記録ヘッドとなるヘッド予定部が複数列に配列された基礎構造物を作製する工程と、この基礎構造物を切断することによって複数のヘッド予定部を互いに分離すると共に、複数のヘッド予定部の各々に媒体対向面８０を形成する工程（以下、媒体対向面８０を形成する工程と言う。）とを備えている。このようにして、複数の熱アシスト磁気記録ヘッドが作製される。

以下、１つの熱アシスト磁気記録ヘッドに注目して、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法を更に詳しく説明する。この熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法では、まず、基板１の上に、絶縁層２、下部シールド層３および下部シールドギャップ膜４を順に形成する。次に、下部シールドギャップ膜４の上にＭＲ素子５と、ＭＲ素子５に接続される図示しない２つのリードとを形成する。次に、ＭＲ素子５およびリードを覆うように上部シールドギャップ膜６を形成する。次に、上部シールドギャップ膜６の上に、上部シールド層７、絶縁層８、中間シールド層９および非磁性層１０を順に形成する。

次に、非磁性層１０の上にリターン磁極層１１を形成する。次に、リターン磁極層１１を覆うように図示しない絶縁層を形成する。次に、例えば化学機械研磨（以下、ＣＭＰと記す。）によって、リターン磁極層１１が露出するまで図示しない絶縁層を研磨する。次に、リターン磁極層１１の上に、シールド１２および連結部１３Ａ，１３Ｂのそれぞれの第１層を形成する。次に、積層体の上面全体の上に絶縁層１４を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、シールド１２および連結部１３Ａ，１３Ｂのそれぞれの第１層が露出するまで絶縁層１４を研磨する。

次に、積層体の上面全体の上にクラッド層１５を形成する。次に、クラッド層１５を選択的にエッチングして、クラッド層１５に、連結部１３Ａ，１３Ｂのそれぞれの第１層の上面を露出させる２つの開口部を形成する。次に、連結部１３Ａ，１３Ｂのそれぞれの第１層の上に、連結部１３Ａ，１３Ｂのそれぞれの第２層を形成する。次に、クラッド層１５の上にコア１６を形成する。次に、積層体の上面全体の上にクラッド層１７を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、コア１６および連結部１３Ａ，１３Ｂのそれぞれの第２層が露出するまでクラッド層１７を研磨する。次に、積層体の上面全体の上にクラッド層１８を形成する。

以下、図９Ａないし図２３Ｂを参照して、クラッド層１８を形成した後、連結層３７、第１のヨーク部分４０の第１層４１および誘電体層４５を形成するまでの工程について説明する。図９Ａないし図２３Ｂは、熱アシスト磁気記録ヘッドの製造過程における積層体を示している。なお、図９Ａないし図２３Ｂでは、クラッド層１８よりも下の部分を省略している。図ｎＡ（ｎは９以上２３以下の整数）は、主磁極３０の前端面３０ａと交差し、媒体対向面８０および基板１の上面１ａに垂直な断面を示している。図ｎＢは、積層体における媒体対向面８０が形成される予定の位置の断面を示している。

図９Ａおよび図９Ｂは、クラッド層１８を形成した後の工程を示している。この工程では、まず、例えばスパッタ法によって、クラッド層１８の上に密着層１９を形成する。次に、例えばスパッタ法によって、密着層１９の上に、それぞれ後にプラズモンジェネレータ２０の多層膜部２１の各層となる複数の膜を順に形成して、これら複数の膜よりなる初期多層膜部２１Ｐを形成する。

次に、初期多層膜部２１Ｐの上に誘電体層２４を形成する。次に、誘電体層２４の上に、多層膜部２１の後端部の位置を規定するためのフォトレジストマスク８１を形成する。フォトレジストマスク８１は、フォトリソグラフィによってフォトレジスト層をパターニングして形成する。なお、これ以降の工程で形成されるフォトレジストマスクも、フォトレジストマスク８１と同様の方法で形成される。

図１０Ａおよび図１０Ｂは、次の工程を示す。この工程では、まず、フォトレジストマスク８１を用いて、例えば反応性イオンエッチング（以下、ＲＩＥと記す。）またはイオンビームエッチング（以下、ＩＢＥと記す。）によって、初期多層膜部２１Ｐをエッチングする。次に、フォトレジストマスク８１を除去する。

図１１Ａおよび図１１Ｂは、次の工程を示す。この工程では、例えばスパッタ法によって、密着層１９および初期多層膜部２１Ｐの上に、後にプラズモンジェネレータ２０の金属部２２となる初期金属部２２Ｐを形成する。なお、初期金属部２２Ｐは、積層体を３００〜４００℃の範囲内の温度に加熱しながら形成してもよい。これにより、熱アシスト磁気記録ヘッドの使用時に、プラズモンジェネレータ２０が発生する熱に起因して、プラズモンジェネレータ２０の金属部２２が変形することを防止することができる。

図１２Ａおよび図１２Ｂは、次の工程を示す。この工程では、まず、媒体対向面８０が形成される予定の位置から離れた位置において、初期金属部２２Ｐの上に、フォトレジストマスク８２を形成する。フォトレジストマスク８２は、初期金属部２２Ｐのうち、密着層１９の上に形成された部分のうちの一部のみを覆っている。次に、フォトレジストマスク８２を用いて、例えばＲＩＥまたはＩＢＥによって、初期金属部２２Ｐに傾斜面が形成されるように、初期金属部２２Ｐをテーパーエッチングする。このエッチングは、誘電体層２４が露出するまで行う。傾斜面は、後に金属部２２の上面の傾斜部となる部分を含んでいる。次に、フォトレジストマスク８２を除去する。図９Ａないし図１２Ｂに示した一連の工程により、初期多層膜部２１Ｐと初期金属部２２Ｐよりなる初期プラズモンジェネレータが形成される。

図１３Ａおよび図１３Ｂは、次の工程を示す。この工程では、まず、例えばスパッタ法によって、初期金属部２２Ｐおよび誘電体層２４の上に、非磁性金属膜２５を形成する。次に、例えばスパッタ法によって、非磁性金属膜２５の上に、主磁極３０の第１層３１を構成するための第１の磁性層３１Ｐを形成する。第１の磁性層３１Ｐは、その上面が、後に形成される第１層３１の上面３１ｅの第２の平坦部３１ｅ３（図４参照）よりも上方に配置されるように形成される。第１の磁性層３１Ｐは、第１層３１よりも大きな平面形状（上方から見た形状）を有している。

図１４Ａおよび図１４Ｂは、次の工程を示す。この工程では、第１の磁性層３１Ｐの上に、第１のマスク層８３および第２のマスク層８４を順に形成する。第１のマスク層８３は、例えばアルミナによって形成されている。第２のマスク層８４は、例えば炭素によって形成されている。第１および第２のマスク層８３，８４は、プラズモンジェネレータ２０の平面形状に対応した平面形状を有している。

図１５Ａおよび図１５Ｂは、次の工程を示す。この工程では、例えばＲＩＥまたはＩＢＥによって、以下のように第１の磁性層３１Ｐと初期プラズモンジェネレータをエッチングして、これらをパターニングする。まず、第１および第２のマスク層８３，８４をエッチングマスクとして用いて、第１の磁性層３１Ｐをエッチングし、続けて、エッチング後の第１の磁性層３１Ｐと第１および第２のマスク層８３，８４をエッチングマスクとして用いて、非磁性金属膜２５、誘電体層２４、初期プラズモンジェネレータおよび密着層１９をエッチングする。エッチング後の第１の磁性層３１Ｐは、第１層３１の第１の側面３１ｃを含む側面と、第１層３１の第２の側面３１ｄを含む側面とを有している。エッチング後の初期多層膜部２１Ｐと初期金属部２２Ｐは、それぞれ多層膜部２１と金属部２２になる。このようにして、エッチング後の初期プラズモンジェネレータによって、プラズモンジェネレータ２０が形成される。

図１６Ａおよび図１６Ｂは、次の工程を示す。この工程では、まず、密着層１９、プラズモンジェネレータ２０、誘電体層２４、非磁性金属膜２５、第１の磁性層３１Ｐ、第１のマスク層８３および第２のマスク層８４を覆うように、誘電体膜２６を形成する。次に、積層体の上面全体の上に周囲層２７を形成する。

図１７Ａおよび図１７Ｂは、次の工程を示す。この工程では、例えばＣＭＰによって、後に形成される第１層３１の上面３１ｅの第２の平坦部３１ｅ３の位置に達するまで、第１の磁性層３１Ｐ、誘電体膜２６、周囲層２７、第１のマスク層８３および第２のマスク層８４を研磨する。

図１８Ａおよび図１８Ｂは、次の工程を示す。この工程では、まず、媒体対向面８０が形成される予定の位置から離れた位置において、第１の磁性層３１Ｐの上に、フォトレジストマスク８５を形成する。次に、フォトレジストマスク８５を用いて、例えばＲＩＥまたはＩＢＥによって、第１の磁性層３１Ｐに第１層３１の上面３１ｅの第１の平坦部３１ｅ１および傾斜部３１ｅ２が形成されるように、誘電体膜２６、周囲層２７および第１の磁性層３１Ｐのそれぞれの一部をエッチングする。次に、フォトレジストマスク８５を除去する。

図１９Ａおよび図１９Ｂは、次の工程を示す。この工程では、まず、クラッド層１８および周囲層２７を選択的にエッチングして、クラッド層１８および周囲層２７に、連結部１３Ａ，１３Ｂ（図５参照）のそれぞれの第２層の上面を露出させる２つの開口部を形成する。次に、連結部１３Ａ，１３Ｂのそれぞれの第２層の上に、連結部１３Ａ，１３Ｂのそれぞれの第３層を形成する。また、周囲層２７および第１の磁性層３１Ｐの上に、主磁極３０の第２層３２を構成するための第２の磁性層３２Ｐを形成する。連結部１３Ａ，１３Ｂのそれぞれの第３層および第２の磁性層３２Ｐは、その上面が後に形成される第２層３２の上面よりも上方に配置されるように形成される。第２の磁性層３２Ｐは、第２層３２の平面形状に対応した平面形状を有している。また、第２の磁性層３２Ｐは、第２層３２の第２の後端面部分３２ｂを含む後端面と、第２層３２の第３の側面３２ｃを含む側面と、第２層３２の第４の側面３２ｄを含む側面とを有している。

図２０Ａおよび図２０Ｂは、次の工程を示す。この工程では、まず、第２の磁性層３２Ｐをエッチングマスクとして用いて、例えばＩＢＥによって、第１の磁性層３１Ｐをエッチングする。これにより、第１の磁性層３１Ｐに第１の後端面部分３１ｂが形成されて、第１の磁性層３１Ｐは第１層３１となる。次に、プラズモンジェネレータ２０の金属部２２、周囲層２７、第１層３１および第２の磁性層３２Ｐを覆うように、非磁性金属膜３３を形成する。

図２１Ａおよび図２１Ｂは、次の工程を示す。この工程では、プラズモンジェネレータ２０の金属部２２、周囲層２７および第２の磁性層３２Ｐを覆うように、非磁性金属膜３３の上に、ヒートシンク３４を構成するための非磁性金属層３４Ｐを形成する。

図２２Ａおよび図２２Ｂは、次の工程を示す。この工程では、まず、積層体の上面全体の上に誘電体層３５（図５および図６参照）を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第２層３２の上面の位置に達するまで、連結部１３Ａ，１３Ｂのそれぞれの第３層、第２の磁性層３２Ｐ、非磁性金属膜３３、非磁性金属層３４Ｐおよび誘電体層３５を研磨する。これにより、第２の磁性層３２Ｐは第２層３２となり、主磁極３０が完成する。また、これにより、非磁性金属層３４Ｐはヒートシンク３４となる。

図２３Ａおよび図２３Ｂは、次の工程を示す。この工程では、まず、ヒートシンク３４の上に非磁性金属膜３６を形成する。次に、第２層３２、誘電体層３５および非磁性金属膜３６の上に第１のヨーク部分４０の第１層４１を形成し、連結部１３Ａ，１３Ｂのそれぞれの第３層および誘電体層３５の上に連結層３７（図５参照）を形成する。次に、積層体の上面全体の上に誘電体層４５（図５および図６参照）を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第１層４１および連結層３７が露出するまで、誘電体層４５を研磨する。

以下、図５および図６を参照して、図２３Ａおよび図２３Ｂに示した工程よりも後の工程について説明する。この工程では、まず、第１のヨーク部分４０の第１層４１の上に第２層４２を形成し、連結層３７の上に連結層３８を形成する。次に、積層体の上面全体の上に絶縁膜５３を形成する。次に、絶縁膜５３の上に、コイル５０の第１層５１を形成する。次に、積層体の上面全体の上に絶縁層５４を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第２層４２、連結層３８および第１層５１が露出するまで、絶縁膜５３および絶縁層５４を研磨する。

次に、コイル５０の第１層５１および絶縁層５４の上に、絶縁層５５を形成する。次に、第１のヨーク部分４０の第２層４２の上に第３層４３を形成し、連結層３８の上に連結層３９を形成する。次に、積層体の上面全体の上に絶縁膜５６を形成する。次に、絶縁層５５および絶縁膜５６を選択的にエッチングして、絶縁層５５および絶縁膜５６に、コイル５０の第１層５１のコイル接続部５１Ｅ（図７参照）を露出させる開口部を形成する。次に、絶縁膜５６およびコイル接続部５１Ｅの上に、コイル５０の第２層５２を形成する。次に、積層体の上面全体の上に絶縁層５７を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第３層４３、連結層３９および第２層５２が露出するまで、絶縁膜５６および絶縁層５７を研磨する。

次に、コイル５０の第２層５２および絶縁層５７の上に、絶縁層５８を形成する。次に、第１のヨーク部分４０の第３層４３、連結層３９および絶縁層５８の上に、第１のヨーク部分４０の第４層４４を形成する。次に、積層体の上面全体の上に絶縁層５９を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第４層４４が露出するまで絶縁層５９を研磨する。次に第４層４４および絶縁層５９を覆うように保護層６０を形成する。次に、保護層６０の上面に配線や端子等を形成する。このようにして、基礎構造物が完成したら、媒体対向面８０を形成する工程が行われる。この後、媒体対向面８０を覆う保護膜を形成してもよい。媒体対向面８０が形成されることによって、ヘッド予定部は熱アシスト磁気記録ヘッドとなる。

媒体対向面８０を形成する工程は、基礎構造物を切断することによってヘッド予定部に形成された面を研磨する工程と、研磨された面に、スライダを浮上させるためのレールを形成する工程とを含んでいる。

上記研磨する工程では、媒体対向面８０に露出する複数の層の材料の違いに起因して複数の層の研磨量が異なって、媒体対向面８０に凹凸が生じる場合がある。

また、上記研磨する工程では、金属材料の研磨くずが延びてスメアが発生する場合がある。そこで、媒体対向面８０を形成する工程は、上記研磨する工程の後で、スメアを除去するために、例えばＩＢＥによって、研磨面をわずかにエッチングする工程を含んでいてもよい。

本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法では、主磁極３０の第１層３１を構成するための第１の磁性層３１Ｐをエッチングマスクとして用いて、初期多層膜部２１Ｐと初期金属部２２Ｐよりなる初期プラズモンジェネレータをエッチングして、プラズモンジェネレータ２０を形成する。これにより、本実施の形態によれば、主磁極３０の前端面３０ａの第１の端面部分３１ａの第１および第２の端縁Ｅ１，Ｅ２と、プラズモンジェネレータ２０の近接場光発生面２０ａの第３および第４の端縁Ｅ３，Ｅ４が、前述の位置関係になるように、プラズモンジェネレータ２０および主磁極３０を自己整合的に形成することができる。

［第２の実施の形態］
次に、図２４および図２５を参照して、本発明の第２の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドについて説明する。図２４は、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの要部を示す正面図である。図２５は、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの要部を示す断面図である。

本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの構成は、以下の点で第１の実施の形態と異なっている。本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドは、プラズモンジェネレータ２０および主磁極３０の第１層３１の周囲に配置されたヒートシンク４６を備えている。ヒートシンク４６は、プラズモンジェネレータ２０において発生した熱と、プラズモンジェネレータ２０から第１層３１に伝わった熱を、プラズモンジェネレータ２０および第１層３１の外部に放散する機能を有している。ヒートシンク４６は、例えば、第１の実施の形態で説明したヒートシンク３４と同じ材料によって形成されている。ヒートシンク３４，４６は、いずれも、本発明におけるヒートシンクに対応する。

本実施の形態では、周囲層２７の上面の位置が、第１の実施の形態と異なっている。図２４に示したように、本実施の形態では、周囲層２７の上面は、第１の実施の形態よりも、基板１の上面１ａ（図５および図６参照）により近い位置にある。ヒートシンク４６は、周囲層２７の上に配置されている。

ヒートシンク４６は、外面を有し、この外面は、以下の第６および第７の部分を有している。第６の部分は、第１層３１の第１の側面３１ｃの少なくとも一部に対向する。第７の部分は、第１層３１の第２の側面３１ｄの少なくとも一部に対向する。図２４には、第６の部分が第１の側面３１ｃの全体に対向し、第７の部分が第２の側面３１ｄの全体に対向している例を示している。本実施の形態では、第６の部分はプラズモンジェネレータ２０の側面２０ｅ（図２参照）の一部にも対向し、第７の部分はプラズモンジェネレータ２０の側面２０ｆ（図２参照）の一部にも対向している。プラズモンジェネレータ２０および第１層３１と、ヒートシンク３４の外面の第６および第７の部分との間には、誘電体膜２６が介在している。

ヒートシンク３４の一部は、ヒートシンク４６の上方に位置している。ヒートシンク３４の他の一部は、プラズモンジェネレータ２０および周囲層２７の上方に位置している。ヒートシンク４６、プラズモンジェネレータ２０および周囲層２７と、ヒートシンク３４の間には、非磁性金属膜３３が介在している。

本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドは、更に、主磁極３０の第２層３２とヒートシンク４６との間に介在する非磁性金属膜４７を備えている。非磁性金属膜４７は、ヒートシンク４６を構成する材料が第２層３２に拡散することを防止して、主磁極３０の磁気特性が劣化することを防止する機能を有している。非磁性金属膜４７は、例えば、第１の実施の形態で説明した非磁性金属膜２５と同じ材料によって形成されている。

また、熱アシスト磁気記録ヘッドは、第１の実施の形態で説明した非磁性金属膜３６の代わりに、誘電体層４８を備えている。なお、誘電体層４８は、後で説明する図３３Ａおよび図３３Ｂに示されている。誘電体層４８は、ヒートシンク３４と第１のヨーク部分４０の第１層４１との間に介在している。誘電体層４８は、例えばアルミナによって形成されている。また、本実施の形態では、第１層４１の媒体対向面８０に向いた端面は、媒体対向面８０から離れた位置に配置されている。

本実施の形態では、ヒートシンク４６は、ヒートシンク３４よりも、プラズモンジェネレータ２０および第１層３１により近い位置に配置されている。これにより、本実施の形態によれば、プラズモンジェネレータ２０において発生した熱と、プラズモンジェネレータ２０から第１層３１に伝わった熱を、より効果的に、プラズモンジェネレータ２０および第１層３１の外部に放散させることができる。

次に、図２６Ａないし図３３Ｂを参照して、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法について説明する。図２６Ａないし図３３Ｂは、熱アシスト磁気記録ヘッドの製造過程における積層体を示している。なお、図２６Ａないし図３３Ｂでは、クラッド層１８よりも下の部分を省略している。図ｎＡ（ｎは２６以上３３以下の整数）は、主磁極３０の前端面３０ａと交差し、媒体対向面８０および基板１の上面１ａ（図５および図６参照）に垂直な断面を示している。図ｎＢは、積層体における媒体対向面８０が形成される予定の位置の断面を示している。

本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法は、図１７Ａおよび図１７Ｂに示した工程までは、第１の実施の形態と同様である。図２６Ａおよび図２６Ｂは、次の工程を示す。この工程では、例えばウエットエッチングによって、周囲層２７の一部をエッチングする。このエッチングは、エッチング後の周囲層２７の上面が、後に形成される主磁極３０の第１層３１の上面３１ｅの第１の平坦部３１ｅ１（図２５参照）よりも、基板１の上面１ａ（図５および図６参照）により近い位置に達するまで行う。図２６Ａおよび図２６Ｂに示した例では、エッチング後の周囲層２７の上面は、プラズモンジェネレータ２０の多層膜部２１の上面よりも、基板１の上面１ａからより遠い位置にある。

図２７Ａおよび図２７Ｂは、次の工程を示す。この工程では、まず、プラズモンジェネレータ２０の金属部２２、周囲層２７および第１の磁性層３１Ｐを覆うように、ヒートシンク４６を構成するための非磁性金属層４６Ｐを形成する。なお、第１の実施の形態で説明したように、第１の磁性層３１Ｐは、主磁極３０の第１層３１を構成するための磁性層である。次に、例えばＣＭＰによって、第１の磁性層３１Ｐが露出するまで、非磁性金属層４６Ｐを研磨する。

図２８Ａおよび図２８Ｂは、次の工程を示す。この工程では、まず、媒体対向面８０が形成される予定の位置から離れた位置において、第１の磁性層３１Ｐおよび非磁性金属層４６Ｐの上に、フォトレジストマスク８６を形成する。フォトレジストマスク８６は、フォトリソグラフィによってフォトレジスト層をパターニングして形成する。次に、フォトレジストマスク８６を用いて、例えばＲＩＥまたはＩＢＥによって、第１の磁性層３１Ｐに第１層３１の上面３１ｅの第１の平坦部３１ｅ１および傾斜部３１ｅ２が形成されるように、誘電体膜２６、第１の磁性層３１Ｐおよび非磁性金属層４６Ｐのそれぞれの一部をエッチングする。これにより、非磁性金属層４６Ｐはヒートシンク４６となる。次に、フォトレジストマスク８６を除去する。

図２９Ａおよび図２９Ｂは、次の工程を示す。この工程では、まず、図１９Ａおよび図１９Ｂに示した工程と同様に、クラッド層１８および周囲層２７をエッチングした後、図５に示した連結部１３Ａ，１３Ｂのそれぞれの第３層を形成する。次に、ヒートシンク４６の上に、第１の磁性層３１Ｐの上面を露出させる開口部を有する非磁性金属膜４７を形成する。次に、第１の磁性層３１Ｐおよび非磁性金属膜４７の上に、主磁極３０の第２層３２を構成するための第２の磁性層３２Ｐを形成する。第２の磁性層３２Ｐの形状は、第１の実施の形態と同じである。

図３０Ａおよび図３０Ｂは、次の工程を示す。この工程では、まず、第２の磁性層３２Ｐをエッチングマスクとして用いて、例えばＩＢＥによって、第１の磁性層３１Ｐおよび非磁性金属膜４７をエッチングする。これにより、第１の磁性層３１Ｐは第１層３１となる。次に、プラズモンジェネレータ２０の金属部２２、周囲層２７、第１層３１、第２の磁性層３２Ｐおよびヒートシンク４６を覆うように、非磁性金属膜３３を形成する。

図３１Ａおよび図３１Ｂは、次の工程を示す。この工程では、プラズモンジェネレータ２０の金属部２２、周囲層２７、第２の磁性層３２Ｐおよびヒートシンク４６を覆うように、非磁性金属膜３３の上に、ヒートシンク３４を構成するための非磁性金属層３４Ｐを形成する。

図３２Ａおよび図３２Ｂは、次の工程を示す。この工程では、図２２Ａおよび図２２Ｂに示した工程と同様に、誘電体層３５を形成した後、連結部１３Ａ，１３Ｂのそれぞれの第３層、非磁性金属膜３３、第２の磁性層３２Ｐ、非磁性金属層３４Ｐおよび誘電体層３５を研磨する。これにより、第２の磁性層３２Ｐは第２層３２となり、主磁極３０が完成する。また、これにより、非磁性金属層３４Ｐはヒートシンク３４となる。

図３３Ａおよび図３３Ｂは、次の工程を示す。この工程では、まず、積層体の上面全体の上に誘電体層４８を形成する。次に、誘電体層４８を選択的にエッチングして、誘電体層４８に、第２層３２の上面を露出させる開口部と、連結部１３Ａ，１３Ｂのそれぞれの第３層の上面を露出させる開口部を形成する。次に、第２層３２および誘電体層４８の上に第１のヨーク部分４０の第１層４１を形成し、連結部１３Ａ，１３Ｂのそれぞれの第３層および誘電体層３５の上に連結層３７（図５参照）を形成する。次に、積層体の上面全体の上に誘電体層４５を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第１層４１および連結層３７が露出するまで、誘電体層４５を研磨する。その後の工程は、第１の実施の形態と同様である。

本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。

［第３の実施の形態］
次に、本発明の第３の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドについて説明する。本実施の形態では、主磁極３０は、第１層３１と第２層３２によって構成されずに、１つの磁性層によって構成されている。本実施の形態における主磁極３０の形状および配置は、第１の実施の形態における主磁極３０と同じである。

第１の実施の形態と同様に、本実施の形態においても、図３に示したように、主磁極３０の第１の端面部分３１ａの第１の端縁Ｅ１と近接場光発生面２０ａの第３の端縁Ｅ３は、第１の仮想の直線Ｌ１上に位置し、第１の端面部分３１ａの第２の端縁Ｅ２と近接場光発生面２０ａの第４の端縁Ｅ４は、第２の仮想の直線Ｌ２上に位置している。

以下、図３４ないし図３７を参照して、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法について説明する。図３４ないし図３７は、熱アシスト磁気記録ヘッドの製造過程における積層体を示している。なお、図３４ないし図３７では、クラッド層１８よりも下の部分を省略している。図３４ないし図３７は、それぞれ、積層体における媒体対向面８０が形成される予定の位置の断面を示している。

本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法は、図１２Ａおよび図１２Ｂに示した工程までは、第１の実施の形態と同様である。図３４は、次の工程を示す。この工程では、まず、例えばスパッタ法によって、後にプラズモンジェネレータ２０の金属部２２となる初期金属部２２Ｐ（図１２Ｂ参照）と誘電体層２４の上に、非磁性金属膜２５を形成する。次に、非磁性金属膜２５の上に、初期多層膜部２１Ｐと初期金属部２２Ｐよりなる初期プラズモンジェネレータをパターニングするためのエッチングマスク８７を形成する。エッチングマスク８７は、フォトリソグラフィによってフォトレジスト層をパターニングして形成する。エッチングマスク８７は、プラズモンジェネレータ２０の平面形状に対応した平面形状を有している。

図３５は、次の工程を示す。この工程では、まず、エッチング後の初期プラズモンジェネレータによってプラズモンジェネレータ２０が形成されるように、エッチングマスク８７を用いて、例えばＲＩＥまたはＩＢＥによって、非磁性金属膜２５、誘電体層２４、初期プラズモンジェネレータおよび密着層１９をエッチングする。

次に、密着層１９、プラズモンジェネレータ２０（多層膜部２１および金属部２２）、誘電体層２４、非磁性金属膜２５およびエッチングマスク８７を覆うように、誘電体膜２６を形成する。次に、プラズモンジェネレータ２０およびエッチングマスク８７の周囲に、周囲層２７を形成する。具体的には、まず、エッチングマスク８７を残したまま、積層体の上面全体の上に、後に周囲層２７となる誘電体層を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、非磁性金属膜２５のうち、プラズモンジェネレータ２０の金属部２２の上面の平坦部（図４参照）の上に配置された部分が露出するまで、誘電体膜２６、誘電体層およびエッチングマスク８７を研磨する。誘電体層のうち、プラズモンジェネレータ２０およびエッチングマスク８７の周囲に残った部分が、周囲層２７となる。

図３５は、次の工程を示す。この工程では、プラズモンジェネレータ２０および周囲層２７によって凹部８８が形成されるように、エッチングマスク８７を除去する。

図３６は、次の工程を示す。この工程では、まず、クラッド層１８および周囲層２７を選択的にエッチングして、クラッド層１８および周囲層２７に、図５に示した連結部１３Ａ，１３Ｂのそれぞれの第２層の上面を露出させる２つの開口部を形成する。次に、連結部１３Ａ，１３Ｂのそれぞれの第２層の上に、連結部１３Ａ，１３Ｂのそれぞれの第３層を形成する。また、一部が凹部８８内に収容されるように、周囲層２７および非磁性金属膜２５の上に、本実施の形態における主磁極３０を構成するための磁性層１３０Ｐを形成する。連結部１３Ａ，１３Ｂのそれぞれの第３層および磁性層１３０Ｐは、その上面が後に形成される本実施の形態における主磁極３０の上面よりも上方に配置されるように形成される。

次に、図２０Ａおよび図２０Ｂに示した工程と同様に、非磁性金属膜２５、周囲層２７および磁性層１３０Ｐを覆うように、非磁性金属膜３３を形成する。次に、図２１Ａおよび図２１Ｂに示した工程と同様に、プラズモンジェネレータ２０の金属部２２、周囲層２７および磁性層１３０Ｐを覆うように、非磁性金属膜３３の上に、ヒートシンク３４を構成するための非磁性金属層３４Ｐを形成する。次に、図２２Ａおよび図２２Ｂに示した工程と同様に、積層体の上面全体の上に誘電体層３５を形成した後、例えばＣＭＰによって、主磁極３０の上面の位置に達するまで、連結部１３Ａ，１３Ｂのそれぞれの第３層、非磁性金属膜３３、磁性層１３０Ｐ、非磁性金属層３４Ｐおよび誘電体層３５を研磨する。これにより、磁性層１３０Ｐは本実施の形態における主磁極３０となり、非磁性金属層３４Ｐはヒートシンク３４となる。その後の工程は、第１の実施の形態と同様である。

本実施の形態では、プラズモンジェネレータ２０のパターニングに用いたエッチングマスク８７を除去して凹部８８を形成し、一部が凹部８８内に収容されるように、主磁極３０を構成するための磁性層１３０Ｐを形成する。これにより、本実施の形態によれば、本実施の形態における主磁極３０の前端面３０ａの第１の端面部分３１ａの第１および第２の端縁Ｅ１，Ｅ２と、プラズモンジェネレータ２０の近接場光発生面２０ａの第３および第４の端縁Ｅ３，Ｅ４が、前述の位置関係になるように、プラズモンジェネレータ２０および主磁極３０を自己整合的に形成することができる。

本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。

［第４の実施の形態］
次に、図３８ないし図４２を参照して、本発明の第４の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドについて説明する。図３８は、熱アシスト磁気記録ヘッドの要部を示す斜視図である。図３９は、熱アシスト磁気記録ヘッドの構成を示す断面図である。図４０は、熱アシスト磁気記録ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。図４１は、本実施の形態におけるコイルの第１層を示す平面図である。図４２は、本実施の形態におけるコイルの第２層を示す平面図である。

本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの構成は、以下の点で第１の実施の形態と異なっている。本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドは、シールド１２の代わりに、磁性材料よりなるシールド６１を備えている。また、本実施の形態では、第１の実施の形態における帰磁路部Ｒの構成要素のうち、第１のヨーク部分４０以外の構成要素、すなわち、リターン磁極層１１、連結部１３Ａ，１３Ｂおよび連結層３７〜３９が設けられていない。代わりに、本実施の形態における帰磁路部Ｒは、第２のヨーク部分６９Ａと、第１の柱状部分７０と、第２の柱状部分６３と、第３の柱状部分６４とを含んでいる。また、本実施の形態では、リターン磁極層１１の周囲に配置された図示しない絶縁層および絶縁層１４が設けられていない。

シールド６１は、非磁性層１０の上に配置されている。図３８に示したように、シールド６１は、媒体対向面８０に配置された端面６１ａと、この端面６１ａとは反対側の後端面６１ｂと、上面６１ｃとを有している。主磁極３０の前端面３０ａとシールド６１の端面６１ａは、記録媒体９０の進行方向について互いに異なる位置に配置されている。本実施の形態では、シールド６１の端面６１ａは、主磁極３０の前端面３０ａに対して、記録媒体９０の進行方向の後側に配置されている。

また、シールド６１は、中央部分６１Ａと、この中央部分６１Ａのトラック幅方向（Ｘ方向）の両側に配置された第１の側方部分６１Ｂおよび第２の側方部分６１Ｃとを有している。中央部分６１Ａにおける媒体対向面８０に垂直な方向の長さは、トラック幅方向の位置によらずに一定である。媒体対向面８０に垂直な方向についての側方部分６１Ｂ，６１Ｃのそれぞれの最大の長さは、同方向についての中央部分６１Ａの長さよりも大きい。

本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドは、非磁性層１０の上においてシールド６１の周囲に配置された絶縁層６２を備えている。絶縁層６２は、例えばアルミナによって形成されている。

本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドは、更に、磁性材料よりなる磁性層６９を備えている。磁性層６９は、誘電体層４５に埋め込まれている。また、磁性層６９は、第１のヨーク部分４０の第１層４１に対して所定の間隔を開けて配置されている。

図３８に示したように、磁性層６９は、媒体対向面８０に向いた前端面６９ａと、下面６９ｂと、上面６９ｃとを有している。磁性層６９の前端面６９ａは、第１の部分６９ａ１と、第１の部分６９ａ１のトラック幅方向の両側に位置する第２の部分６９ａ２および第３の部分６９ａ３とを含んでいる。第１の部分６９ａ１は、そのトラック幅方向における中心が最も媒体対向面８０から遠くなるように凹んだ形状を有している。第１の部分６９ａ１は、第１のヨーク部分４０の第１層４１を囲むように配置されている。第２および第３の部分６９ａ２，６９ａ３は、媒体対向面８０に配置されている。

磁性層６９は、主要部分である第２のヨーク部分６９Ａを含んでいる。磁性層６９は、更に、第２のヨーク部分６９Ａに連結され、媒体対向面８０の近傍において第１のヨーク部分４０の第１層４１のトラック幅方向の両側に配置された２つの連結部６９Ｂ，６９Ｃを含んでいる。図３８では、第２のヨーク部分６９Ａと連結部６９Ｂ，６９Ｃとの境界を点線で示している。連結部６９Ｂは、前端面６９ａの第２の部分６９ａ２を含んでいる。連結部６９Ｃは、前端面６９ａの第３の部分６９ａ３を含んでいる。

本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドは、更に、それぞれ磁性材料よりなる４つの磁性層６５，６６，６７，６８を備えている。磁性層６５，６７は、クラッド層１５，１７に埋め込まれている。また、磁性層６５，６７は、媒体対向面８０の近傍においてコア１６のトラック幅方向の両側に配置されている。磁性層６６，６８は、それぞれ磁性層６５，６７の上に配置され、クラッド層１８、周囲層２７および誘電体層３５に埋め込まれている。また、磁性層６６，６８は、媒体対向面８０の近傍においてプラズモンジェネレータ２０および主磁極３０のトラック幅方向の両側に配置されている。

磁性層６５，６６は、クラッド層１５，１７，１８、周囲層２７および誘電体層３５を貫通して、シールド６１の一部と磁性層６９の一部とを接続している。磁性層６５，６６は、それぞれ、媒体対向面８０に配置された前端面と、上面と、下面とを有している。磁性層６５の下面は、シールド６１の上面６１ｃのうち、第１の側方部分６１Ｂに属する部分に接している。磁性層６５の上面は、磁性層６６の下面に接している。磁性層６６の上面は、磁性層６９の下面６９ｂのうち、連結部６９Ｂに属する部分に接している。

また、磁性層６７，６８は、クラッド層１５，１７，１８、周囲層２７および誘電体層３５を貫通して、シールド６１の他の一部と磁性層６９の他の一部とを接続している。磁性層６７，６８は、それぞれ、媒体対向面８０に配置された前端面と、上面と、下面とを有している。磁性層６７の下面は、シールド６１の上面６１ｃのうち、第２の側方部分６１Ｃに属する部分に接している。磁性層６７の上面は、磁性層６８の下面に接している。磁性層６８の上面は、磁性層６９の下面６９ｂのうち、連結部６９Ｃに属する部分に接している。

第２の柱状部分６３は、磁性層６５，６６と、磁性層６９の連結部６９Ｂとによって構成されている。第３の柱状部分６４は、磁性層６７，６８と、磁性層６９の連結部６９Ｃとによって構成されている。図３８および図４０に示したように、第２の柱状部分６３と第３の柱状部分６４は、プラズモンジェネレータ２０および主磁極３０のトラック幅方向の両側に、それぞれプラズモンジェネレータ２０および主磁極３０に対して間隔を開けて配置されている。

前述のように、磁性層６５〜６９は、いずれも磁性材料によって形成されていることから、第２および第３の柱状部分６３，６４も、それぞれ磁性材料によって形成されている。

第１の柱状部分７０は、記録媒体９０の進行方向において互いに反対側に位置する第１の端部７０ａと第２の端部７０ｂを有している。本実施の形態では、第１の端部７０ａは、第１の柱状部分７０における記録媒体９０の進行方向の前側（トレーリング側）の端に位置し、第２の端部７０ｂは、第１の柱状部分７０における記録媒体９０の進行方向の後側（リーディング側）の端に位置している。

また、第１の柱状部分７０は、第１層７１と第２層７２とを有している。第１層７１は、第２の端部７０ｂを含み、主磁極３０よりも媒体対向面８０からより遠い位置において磁性層６９の上面６９ｃの一部の上に配置されている。第２層７２は、第１の端部７０ａを含み、第１層７１の上に配置されている。

本実施の形態では、コイル５０の第１層５１は、第１の柱状部分７０の第１層７１の周りに約３回巻かれている。コイル５０の第２層５２は、第１の柱状部分７０の第２層７２の周りに約３回巻かれている。第１のヨーク部分４０の第４層４４は、第１のヨーク部分４０の第３層４３、第１の柱状部分７０の第２層７２および絶縁層５８の上に配置されている。

以上説明したように、本実施の形態における帰磁路部Ｒは、第１のヨーク部分４０と、第２のヨーク部分６９Ａと、第１の柱状部分７０と、第２の柱状部分６３と、第３の柱状部分６４とを含んでいる。図３８および図３９に示したように、第１のヨーク部分４０、第２のヨーク部分６９Ａおよび第１の柱状部分７０は、コア１６に対して、記録媒体９０の進行方向における同じ側に配置されている。本実施の形態では、第１のヨーク部分４０、第２のヨーク部分６９Ａおよび第１の柱状部分７０は、コア１６に対して、記録媒体９０の進行方向の前側（トレーリング側）に位置している。第１の柱状部分７０は、第１の端部７０ａと第２の端部７０ｂを有し、且つ媒体対向面８０から離れた位置にある。図３８に示したように、第２および第３の柱状部分６３，６４は、第１の柱状部分７０よりも、媒体対向面８０により近い位置にある。

第１のヨーク部分４０は、主磁極３０と、第１の柱状部分７０の第１の端部７０ａとを接続している。第２の柱状部分６３と第３の柱状部分６４は、プラズモンジェネレータ２０のトラック幅方向の両側に配置されて、シールド６１に接続されている。第２のヨーク部分６９Ａは、第１の柱状部分７０の第２の端部７０ｂに接続され、且つ第２および第３の柱状部分６３，６４を介してシールド６１に接続されている。

シールド６１は、第１の実施の形態で説明したシールド１２の機能と同様の機能を有している。すなわち、シールド６１は、熱アシスト磁気記録ヘッドの外部から熱アシスト磁気記録ヘッドに印加された外乱磁界を取り込む機能と、主磁極３０の前端面３０ａより発生されて記録媒体９０の面に垂直な方向以外の方向に広がる磁束を取り込んで、この磁束が記録媒体９０に達することを阻止する機能と、主磁極３０の前端面３０ａより発生されて、記録媒体９０の一部を磁化した磁束を、主磁極３０に還流させる機能を有している。

次に、図４１および図４２を参照して、本実施の形態におけるコイル５０の形状および配置について詳しく説明する。図４１に示したように、コイル５０の第１層５１は、第１の柱状部分７０の第１層７１の周りに約３回巻かれている。また、第１層５１は、第１の実施の形態で説明したコイル接続部５１Ｅの他に、第１の柱状部分７０の第１層７１と媒体対向面８０との間に配置されて媒体対向面８０に平行に直線的に延びる３つの導体部分（以下、直線的導体部分と言う。）５１Ａ，５１Ｂ，５１Ｃを有している。直線的導体部分５１Ａ〜５１Ｃは、媒体対向面８０側からこの順に、媒体対向面８０に垂直な方向に並んでいる。直線的導体部分５１Ａ〜５１Ｃは、それぞれ、媒体対向面８０に垂直な方向（Ｙ方向）について一定の幅を有している。図４１では、直線的導体部分５１Ａ〜５１Ｃのそれぞれのトラック幅方向（Ｘ方向）の両端の位置を点線で示している。これは、他の直線的導体部分を示す他の図においても同様である。

図４２に示したように、コイル５０の第２層５２は、第１の柱状部分７０の第２層７２の周りに約３回巻かれている。また、第２層５２は、第１の実施の形態で説明したコイル接続部５２Ｓの他に、第１の柱状部分７０の第２層７２と媒体対向面８０との間に配置された３つの直線的導体部分５２Ａ，５２Ｂ，５２Ｃを有している。直線的導体部分５２Ａ〜５２Ｃは、それぞれ、媒体対向面８０に垂直な方向（Ｙ方向）について一定の幅を有している。

次に、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッド特有の作用および効果について説明する。本実施の形態では、プラズモンジェネレータ２０の近接場光発生面２０ａは、主磁極３０の前端面３０ａとシールド６１の端面６１ａの間に配置されている。コア１６の一部は、プラズモンジェネレータ２０の近傍に位置する。コア１６と帰磁路部Ｒは、互いに接触することなく横切るように構成されている。より具体的に説明すると、帰磁路部Ｒのうち第２および第３の柱状部分６３，６４は、コア１６に接触することなく、コア１６のトラック幅方向の両側に配置されている。

本実施の形態では、第１のヨーク部分４０、第２のヨーク部分６９Ａおよび第１の柱状部分７０が、コア１６に対して、記録媒体９０の進行方向における同じ側に配置され、コイル５０は、第１の柱状部分７０の周りに巻回されている。本実施の形態では、第２および第３の柱状部分６３，６４におけるトラック幅方向外側の端部同士の距離に関わらず、第１の柱状部分７０のトラック幅方向の幅を小さくすることができる。これにより、本実施の形態によれば、コイル５０の全長を短くすることができる。

また、高周波帯域における記録特性を向上させるためには、主磁極３０および帰磁路部Ｒによって形成される磁路の長さを短くすることが望ましい。そのためには、第１の柱状部分７０を、媒体対向面８０に近づけることが効果的である。本実施の形態では、コイル５０は、トラック幅方向の幅が小さい第１の柱状部分７０の周りに巻回されている。そのため、第１の柱状部分７０を媒体対向面８０に近づけても、第１の柱状部分７０の第１層７１と媒体対向面８０との間に配置されたコイル５０の第１層５１の直線的導体部分５１Ａ〜５１Ｃと、第１の柱状部分７０の第２層７２と媒体対向面８０との間に配置されたコイル５０の第２層５２の直線的導体部分５２Ａ〜５２Ｃが長くなることを防止できる。これにより、本実施の形態によれば、コイル５０の抵抗値が大きくなりすぎることなく、第１の柱状部分７０を媒体対向面８０に近づけることが可能になる。以上のことから、本実施の形態によれば、磁路の長さを短くしながら、コイル５０の全長を短くすることが可能になる。その結果、本実施の形態によれば、高周波帯域における記録特性に優れ、且つコイル５０の抵抗値が小さい熱アシスト磁気記録ヘッドを実現することができる。

また、本実施の形態によれば、コイル５０の抵抗値を小さくすることによって、コイル５０の発熱量を少なくすることができる。これにより、本実施の形態によれば、コイル５０の周辺の要素が膨張して、媒体対向面８０の一部が記録媒体９０に向けて突出し、記録媒体９０に衝突しやすくなるという問題が発生することを防止することができる。また、本実施の形態によれば、媒体対向面８０と記録媒体９０との距離を小さくして、オーバーライト特性等の記録特性を向上させることができる。

本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。

［第５の実施の形態］
次に、図４３を参照して、本発明の第５の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドについて説明する。図４３は、熱アシスト磁気記録ヘッドの要部を示す正面図である。なお、図４３では、第１の実施の形態で説明した密着層１９、非磁性金属膜２５，３３および誘電体膜２６を省略している。

本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの構成は、以下の点で第１の実施の形態と異なっている。本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドは、第１の実施の形態におけるシールド１２の代わりに、磁性材料よりなるシールド１２０を備えている。シールド１２０は、リーディングシールド１２１と、第１のサイドシールド１２４と、第２のサイドシールド１２５と、第１の連結部１２２と、第２の連結部１２３とを含んでいる。

リーディングシールド１２１は、コア１６に対して記録媒体９０の進行方向の後側（リーディング側）に配置されている。本実施の形態では、リーディングシールド１２１は、図５および図６に示したリターン磁極層１１の上に配置されている。また、リーディングシールド１２１は、媒体対向面８０に配置された端面１２１ａと、上面と、下面とを有している。端面１２１ａは、コア１６の前端面１６ａに対して記録媒体９０の進行方向の後側（リーディング側）に配置されている。リーディングシールド１２１のその他の特徴は、第１の実施の形態におけるシールド１２と同様である。

第１および第２のサイドシールド１２４，１２５は、主磁極３０の第１層３１のトラック幅方向（Ｘ方向）の両側に配置されている。本実施の形態では、第１および第２のサイドシールド１２４，１２５は、クラッド層１８および周囲層２７に埋め込まれている。第１および第２のサイドシールド１２４，１２５と第１層３１との間には、周囲層２７と誘電体膜２６（図３参照）が介在している。また、第１のサイドシールド１２４は、媒体対向面８０に配置された第１のサイドシールド端面１２４ａと、上面と、下面とを有している。第２のサイドシールド１２５は、媒体対向面８０に配置された第２のサイドシールド端面１２５ａと、上面と、下面とを有している。第１および第２のサイドシールド端面１２４ａ，１２５ａは、主磁極３０の前端面３０ａの第１の端面部分３１ａに対して、トラック幅方向の両側に配置されている。

第１および第２の連結部１２２，１２３は、コア１６のトラック幅方向の両側に配置されている。第１の連結部１２２は、クラッド層１５，１７を貫通して、リーディングシールド１２１と第１のサイドシールド１２４を連結している。第１の連結部１２２は、媒体対向面８０に配置された前端面と、上面と、下面とを有している。第１の連結部１２２の下面は、リーディングシールド１２１の上面の一部に接している。第１の連結部１２２の上面は、第１のサイドシールド１２４の下面に接している。

第２の連結部１２３は、クラッド層１５，１７を貫通して、リーディングシールド１２１と第２のサイドシールド１２５を連結している。第２の連結部１２３は、媒体対向面８０に配置された前端面と、上面と、下面とを有している。第２の連結部１２３の下面は、リーディングシールド１２１の上面の他の一部に接している。第２の連結部１２３の上面は、第２のサイドシールド１２５の下面に接している。

また、シールド１２０は、媒体対向面８０に配置された端面を有している。シールド１２０の端面は、リーディングシールド１２１の端面１２１ａ、第１のサイドシールド１２４の第１のサイドシールド端面１２４ａおよび第２のサイドシールド１２５の第２のサイドシールド端面１２５ａを含んでいる。本実施の形態では、プラズモンジェネレータ２０の近接場光発生面２０ａは、主磁極３０の端面３０ａとリーディングシールド１２１の端面１２１ａとの間に配置されている。

また、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドは、媒体対向面８０の近傍において主磁極３０の第２層３２の周囲に配置された非磁性材料よりなる非磁性層４９を備えている。本実施の形態では、図３ないし図６に示したヒートシンク３４は、媒体対向面８０から離れた位置において第１層３１および第２層３２のそれぞれの一部と非磁性層４９の周囲に配置されている。非磁性層４９を構成する非磁性材料は、絶縁材料でもよいし、非磁性金属材料でもよい。非磁性層４９を構成する絶縁材料としては、例えば酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）やアルミナが用いられる。非磁性層４９を構成する非磁性金属材料としては、例えばＲｕやＮｉＣｒが用いられる。

なお、図４３に示した例では、主磁極３０の前端面３０ａの第２の端面部分３２ａのトラック幅方向（Ｘ方向）についての幅は、第１の端面部分３１ａから離れるに従って大きくなっている。しかし、第２の端面部分３２ａの幅は、第１の実施の形態と同様に、第１の端面部分３１ａからの距離によらずに一定であってもよい。

本実施の形態では、シールド１２０の端面は、主磁極３０の前端面３０ａの第１の端面部分３１ａに対してトラック幅方向の両側に配置された第１および第２のサイドシールド端面１２４ａ，１２５ａを含んでいる。そのため、本実施の形態におけるシールド１２０は、主磁極３０の前端面３０ａの第１の端面部分３１ａより発生されてトラック幅方向に広がる磁束を取り込んで、この磁束が記録媒体９０に達することを阻止することができる。これにより、本実施の形態によれば、第１および第２のサイドシールド端面１２４ａ，１２５ａがない場合に比べて、トラック幅方向における記録磁界の強度の分布を急峻にすることができ、その結果、トラック密度を高めることができる。また、本実施の形態によれば、第１および第２のサイドシールド端面１２４ａ，１２５ａがない場合に比べて、記録媒体９０上に湾曲した形状に形成される磁化遷移領域を直線的な形状に近づけることができ、その結果、線記録密度を高めることができる。以上説明した作用および効果と第１の実施の形態で説明した作用および効果とが相俟って、本実施の形態によれば、記録密度をより高めることができる。

本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。

［第６の実施の形態］
次に、図４４を参照して、本発明の第６の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドについて説明する。図４４は、熱アシスト磁気記録ヘッドの要部を示す正面図である。なお、図４４では、第４の実施の形態（第１の実施の形態）で説明した密着層１９、非磁性金属膜２５，３３および誘電体膜２６を省略している。

本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの構成は、以下の点で第４の実施の形態と異なっている。本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドは、第４の実施の形態におけるシールド６１の代わりに磁性材料よりなるシールド１６０を備え、第４の実施の形態における磁性層６６の代わりに磁性材料よりなる磁性層１６２，１６３を備え、第４の実施の形態における磁性層６８の代わりに磁性材料よりなる磁性層１６４，１６５を備えている。また、熱アシスト磁気記録ヘッドは、第５の実施の形態で説明した非磁性層４９を備えている。

シールド１６０は、リーディングシールド１６１と、第１のサイドシールド１６２Ａと、第２のサイドシールド１６４Ａとを含んでいる。リーディングシールド１６１は、コア１６に対して記録媒体９０の進行方向の後側（リーディング側）に配置されている。本実施の形態では、リーディングシールド１６１は、図３９および図４０に示した非磁性層１０の上に配置されている。また、リーディングシールド１６１は、媒体対向面８０に配置された端面１６１ａと、上面と、下面とを有している。端面１６１ａは、コア１６の前端面１６ａに対して記録媒体９０の進行方向の後側（リーディング側）に配置されている。リーディングシールド１６１のその他の特徴は、第４の実施の形態におけるシールド６１と同様である。

第１および第２のサイドシールド１６２Ａ，１６４Ａは、主磁極３０の第１層３１のトラック幅方向（Ｘ方向）の両側に配置されている。本実施の形態では、第１および第２のサイドシールド１６２Ａ，１６４Ａは、周囲層２７に埋め込まれている。第１および第２のサイドシールド１６２Ａ，１６４Ａと第１層３１との間には、周囲層２７と誘電体膜２６（図３参照）が介在している。また、第１のサイドシールド１６２Ａは、媒体対向面８０に配置された第１のサイドシールド端面１６２Ａａを有している。第２のサイドシールド１６４Ａは、媒体対向面８０に配置された第２のサイドシールド端面１６４Ａａを有している。第１および第２のサイドシールド端面１６２Ａａ，１６４Ａａは、主磁極３０の前端面３０ａの第１の端面部分３１ａに対して、トラック幅方向の両側に配置されている。

また、シールド１６０は、媒体対向面８０に配置された端面を有している。シールド１６０の端面は、リーディングシールド１６１の端面１６１ａ、第１のサイドシールド１６２Ａの第１のサイドシールド端面１６２Ａａおよび第２のサイドシールド１６４Ａの第２のサイドシールド端面１６４Ａａを含んでいる。本実施の形態では、プラズモンジェネレータ２０の近接場光発生面２０ａは、主磁極３０の端面３０ａとリーディングシールド１６１の端面１６１ａとの間に配置されている。

磁性層１６２は、前記第１のサイドシールド１６２Ａと、連結部１６２Ｂとを含んでいる。図４４では、第１のサイドシールド１６２Ａと連結部１６２Ｂの境界を点線で示している。磁性層６５，１６３および連結部１６２Ｂは、クラッド層１５，１７，１８、周囲層２７、非磁性層４９および誘電体層３５（図３９参照）を貫通して、リーディングシールド１６１の一部と磁性層６９の一部とを接続している。磁性層６５，１６３および連結部１６２Ｂは、それぞれ、媒体対向面８０に配置された前端面と、上面と、下面とを有している。磁性層６５の下面は、リーディングシールド１６１の上面の一部に接している。磁性層６５の上面は、連結部１６２Ｂの下面に接している。連結部１６２Ｂの上面は、磁性層１６３の下面に接している。磁性層１６３の上面は、磁性層６９の下面６９ｂ（図３８参照）のうち、連結部６９Ｂに属する部分に接している。

磁性層１６４は、前記第２のサイドシールド１６４Ａと、連結部１６４Ｂとを含んでいる。図４４では、第２のサイドシールド１６４Ａと連結部１６４Ｂの境界を点線で示している。磁性層６７，１６５および連結部１６４Ｂは、クラッド層１５，１７，１８、周囲層２７、非磁性層４９および誘電体層３５（図３９参照）を貫通して、リーディングシールド１６１の他の一部と磁性層６９の他の一部とを接続している。磁性層６７，１６５および連結部１６４Ｂは、それぞれ、媒体対向面８０に配置された前端面と、上面と、下面とを有している。磁性層６７の下面は、リーディングシールド１６１の上面の他の一部に接している。磁性層６７の上面は、連結部１６４Ｂの下面に接している。連結部１６４Ｂの上面は、磁性層１６５の下面に接している。磁性層１６５の上面は、磁性層６９の下面６９ｂ（図３８参照）のうち、連結部６９Ｃに属する部分に接している。

本実施の形態では、帰磁路部Ｒの第２の柱状部分６３は、磁性層６５，１６３と、磁性層１６２の連結部１６２Ｂと、磁性層６９の連結部６９Ｂとによって構成されている。帰磁路部Ｒの第３の柱状部分６４は、磁性層６７，１６５と、磁性層１６４の連結部１６４Ｂと、磁性層６９の連結部６９Ｃとによって構成されている。第２の柱状部分６３は、リーディングシールド１６１と第１のサイドシールド１６２Ａに接続されている。第３の柱状部分６４は、リーディングシールド１６１と第２のサイドシールド１６４Ａに接続されている。

なお、図４４に示した例では、主磁極３０の前端面３０ａの第２の端面部分３２ａのトラック幅方向（Ｘ方向）についての幅は、第１の端面部分３１ａから離れるに従って大きくなっている。しかし、第２の端面部分３２ａの幅は、第１の実施の形態と同様に、第１の端面部分３１ａからの距離によらずに一定であってもよい。

本実施の形態では、シールド１６０の端面は、主磁極３０の前端面３０ａの第１の端面部分３１ａに対してトラック幅方向の両側に配置された第１および第２のサイドシールド端面１６２Ａａ，１６４Ａａを含んでいる。これにより、本実施の形態によれば、第５の実施の形態で説明した第１および第２のサイドシールド端面１２４ａ，１２５ａに基づく作用および効果と同様の作用および効果が得られる。

本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１、第４または第５の実施の形態と同様である。

なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、請求の範囲の要件を満たす限り、主磁極３０およびプラズモンジェネレータ２０の形状および配置は、各実施の形態に示した例に限られず、任意である。

２０…プラズモンジェネレータ、２０ａ…近接場光発生面、３０…主磁極、３０ａ…前端面、３１ａ…第１の端面部分、３２ａ…第２の端面部分。

Claims (2)

1. 熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法であって、
   前記熱アシスト磁気記録ヘッドは、
   記録媒体に対向する媒体対向面と、
   前記記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生するコイルと、
   前記媒体対向面に配置された前端面を有する主磁極と、
   光を伝搬させるコアと、前記コアの周囲に配置されたクラッドとを有する導波路と、
   前記媒体対向面に配置された近接場光発生面を有するプラズモンジェネレータとを備えた熱アシスト磁気記録ヘッドであって、
   前記主磁極は、前記コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、前記情報を前記記録媒体に記録するための記録磁界を前記前端面より発生するように構成され、
   前記プラズモンジェネレータは、前記コアを伝搬する光に基づいて前記プラズモンジェネレータに表面プラズモンが励起され、この表面プラズモンに基づいて前記近接場光発生面より近接場光を発生するように構成され、
   前記主磁極の前記前端面と前記近接場光発生面は、前記記録媒体の進行方向について互いに異なる位置に配置され、
   前記主磁極の前記前端面は、第１の端面部分と、前記第１の端面部分に連続する第２の端面部分とを含み、
   前記第２の端面部分は、前記第１の端面部分よりも前記近接場光発生面からより遠い位置にあり、且つ前記第１の端面部分よりもトラック幅方向についての幅が大きく、
   前記第１の端面部分は、トラック幅方向の両側に位置する第１および第２の端縁を有し、
   前記近接場光発生面は、矩形であり、且つトラック幅方向の両側に位置する第３および第４の端縁を有し、
   前記第１の端縁と前記第３の端縁は、第１の仮想の直線上に位置し、
   前記第２の端縁と前記第４の端縁は、前記第１の仮想の直線に平行な第２の仮想の直線上に位置し、
   前記製造方法は、
   前記導波路を形成する工程と、
   前記プラズモンジェネレータおよび前記主磁極を形成する工程と、
   前記コイルを形成する工程とを含み、
   前記主磁極は、第１層と、前記第１層の上に積層された第２層とを有するように形成され、前記第１層は前記第１の端面部分を有し、前記第２層は前記第２の端面部分を有し、
   前記プラズモンジェネレータおよび前記主磁極を形成する工程は、
   初期プラズモンジェネレータを形成する工程と、
   前記主磁極の前記第１層を構成するための第１の磁性層を形成する工程と、
   エッチング後の前記初期プラズモンジェネレータによって前記プラズモンジェネレータが形成されるように、前記第１の磁性層をエッチングマスクとして用いて前記初期プラズモンジェネレータをエッチングする工程と、
   前記第１の磁性層の上に、前記主磁極の前記第２層を構成するための第２の磁性層を形成する工程とを含むことを特徴とする熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法。
2. 熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法であって、
   前記熱アシスト磁気記録ヘッドは、
   記録媒体に対向する媒体対向面と、
   前記記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生するコイルと、
   前記媒体対向面に配置された前端面を有する主磁極と、
   光を伝搬させるコアと、前記コアの周囲に配置されたクラッドとを有する導波路と、
   前記媒体対向面に配置された近接場光発生面を有するプラズモンジェネレータとを備えた熱アシスト磁気記録ヘッドであって、
   前記主磁極は、前記コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、前記情報を前記記録媒体に記録するための記録磁界を前記前端面より発生するように構成され、
   前記プラズモンジェネレータは、前記コアを伝搬する光に基づいて前記プラズモンジェネレータに表面プラズモンが励起され、この表面プラズモンに基づいて前記近接場光発生面より近接場光を発生するように構成され、
   前記主磁極の前記前端面と前記近接場光発生面は、前記記録媒体の進行方向について互いに異なる位置に配置され、
   前記主磁極の前記前端面は、第１の端面部分と、前記第１の端面部分に連続する第２の端面部分とを含み、
   前記第２の端面部分は、前記第１の端面部分よりも前記近接場光発生面からより遠い位置にあり、且つ前記第１の端面部分よりもトラック幅方向についての幅が大きく、
   前記第１の端面部分は、トラック幅方向の両側に位置する第１および第２の端縁を有し、
   前記近接場光発生面は、矩形であり、且つトラック幅方向の両側に位置する第３および第４の端縁を有し、
   前記第１の端縁と前記第３の端縁は、第１の仮想の直線上に位置し、
   前記第２の端縁と前記第４の端縁は、前記第１の仮想の直線に平行な第２の仮想の直線上に位置し、
   前記製造方法は、
   前記導波路を形成する工程と、
   前記プラズモンジェネレータおよび前記主磁極を形成する工程と、
   前記コイルを形成する工程とを含み、
   前記プラズモンジェネレータおよび前記主磁極を形成する工程は、
   初期プラズモンジェネレータを形成する工程と、
   前記初期プラズモンジェネレータをパターニングするためのエッチングマスクを形成する工程と、
   エッチング後の前記初期プラズモンジェネレータによって前記プラズモンジェネレータが形成されるように、前記エッチングマスクを用いて前記初期プラズモンジェネレータをエッチングする工程と、
   前記プラズモンジェネレータおよび前記エッチングマスクの周囲に、誘電体材料よりなる周囲層を形成する工程と、
   前記プラズモンジェネレータおよび前記周囲層によって凹部が形成されるように、前記エッチングマスクを除去する工程と、
   一部が前記凹部内に収容されるように、前記主磁極を構成するための磁性層を形成する工程とを含むことを特徴とする熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法。

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