JP5615882B2 - ヒートシンク層を含む熱アシスト磁気記録ヘッド - Google Patents

Description

本発明は、記録媒体に近接場光を照射して記録媒体の保磁力を低下させて情報の記録を行う熱アシスト磁気記録に用いられる熱アシスト磁気記録ヘッドに関する。

近年、磁気ディスク装置等の磁気記録装置では、高記録密度化に伴い、薄膜磁気ヘッドおよび記録媒体の性能向上が要求されている。薄膜磁気ヘッドとしては、基板に対して、読み出し用の磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ（Magnetoresistive）素子とも記す。）を有する再生ヘッド部と書き込み用の誘導型電磁変換素子を有する記録ヘッド部とを積層した構造の複合型薄膜磁気ヘッドが広く用いられている。磁気ディスク装置において、薄膜磁気ヘッドは、記録媒体の表面からわずかに浮上するスライダに設けられる。

磁気記録装置において、記録密度を高めるためには、記録媒体の磁性微粒子を小さくすることが効果的である。しかし、磁性微粒子を小さくすると、磁性微粒子の磁化の熱安定性が低下するという問題が発生する。この問題を解消するには、磁性微粒子の異方性エネルギーを大きくすることが効果的である。しかし、磁性微粒子の異方性エネルギーを大きくすると、記録媒体の保磁力が大きくなって、既存の磁気ヘッドでは情報の記録が困難になるという問題が発生する。

上述のような問題を解決する方法として、いわゆる熱アシスト磁気記録という方法が提案されている。この方法では、保磁力の大きな記録媒体を使用し、情報の記録時には、記録媒体のうち情報が記録される部分に対して記録磁界と同時に熱も加えて、その部分の温度を上昇させ保磁力を低下させて情報の記録を行う。情報が記録された部分は、その後、温度が低下して保磁力が大きくなり、磁化の熱安定性が高まる。以下、熱アシスト磁気記録に用いられる磁気ヘッドを、熱アシスト磁気記録ヘッドと呼ぶ。

熱アシスト磁気記録では、記録媒体に対して熱を加える方法としては、近接場光を用いる方法が一般的である。近接場光を発生させる方法としては、レーザ光によって励起されたプラズモンから近接場光を発生する金属片であるプラズモンジェネレータを用いる方法が知られている。また、一般的に、近接場光の発生に利用されるレーザ光は、スライダに設けられた導波路によって、スライダの媒体対向面の近傍に設けられたプラズモンジェネレータに導かれる。

特許文献１には、導波路のコアの表面とプラズモンジェネレータ（近接場光発生素子）の表面とをギャップを介して対向させ、コアを伝播する光に基づいてコアの表面で発生するエバネッセント光を用いて、プラズモンジェネレータに表面プラズモンを励起させ、この表面プラズモンに基づいて近接場光を発生させる技術が開示されている。

近接場光の発生源としてプラズモンジェネレータを用いた熱アシスト磁気記録ヘッドでは、記録ヘッド部が、プラズモンジェネレータと、記録磁界を発生させる主磁極とを含む。プラズモンジェネレータと主磁極は、互いに近い位置に配置される。

特開２０１１−１４６０９７号公報

ところで、コアを伝播する光のエネルギーの一部は、プラズモンジェネレータにおいて熱に変換される。これにより、以下のような問題が発生する。まず、熱アシスト磁気記録ヘッドの動作中に、プラズモンジェネレータの温度が上昇する。また、プラズモンジェネレータで発生した熱が、プラズモンジェネレータの近傍に位置する主磁極へ伝わり、主磁極の温度も上昇する。その結果、プラズモンジェネレータおよび主磁極が膨張し、媒体対向面の一部が記録媒体に向けて突出する。すると、再生ヘッド部における媒体対向面に位置する端部が記録媒体から遠ざかってしまい、記録動作時にサーボ信号が読み取れなくなるという問題が発生する。また、プラズモンジェネレータや主磁極の温度上昇により、プラズモンジェネレータや主磁極が腐食したり、主磁極の温度上昇により、主磁極の磁気特性が劣化して記録ヘッド部の特性が劣化したりするおそれもある。

特許文献１には、プラズモンジェネレータの温度上昇を抑制するための以下のような技術が開示されている。すなわち、この技術では、主磁極の横（トラック幅方向両側）に、導電性を有する層を設け、この層とプラズモンジェネレータとを接触させている。上記明細書には、導電性を有する層の材料はＳｉＣ等の熱伝導率の高い非金属材料でもよい旨が記載されている。この技術では、プラズモンジェネレータで発生した熱を、導電性を有する層に直接伝えることで、プラズモンジェネレータの放熱性を高め、プラズモンジェネレータの温度上昇を抑制する。また、特許文献１には、プラズモンジェネレータの周辺の材料をＳｉＣとすることも開示されている。

特許文献１に開示された技術によれば、プラズモンジェネレータの温度上昇を抑制することができる。しかし、この技術では、プラズモンジェネレータから主磁極へ直接熱が伝わりやすく、プラズモンジェネレータが発生する熱から主磁極を保護することが難しいという問題点がある。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、プラズモンジェネレータおよび主磁極の温度上昇を抑制することができると共に、プラズモンジェネレータが発生する熱から主磁極を保護することができるようにした熱アシスト磁気記録ヘッドを提供することにある。

本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面と、情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する主磁極と、導波路と、プラズモンジェネレータとを備えている。導波路は、光を伝播させるコアと、コアの周囲に配置されたクラッドとを有している。プラズモンジェネレータは、コアを伝播する光に基づいてコアより発生されるエバネッセント光と結合することによって表面プラズモンが励起されるように構成されている。プラズモンジェネレータと主磁極は、記録媒体の進行方向に沿って並ぶように配置されている。

本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドは、更に、プラズモンジェネレータのトラック幅方向の両側に配置された２つの部分を有する第１のヒートシンク層と、主磁極のトラック幅方向の両側に配置された２つの部分を有する第２のヒートシンク層と、プラズモンジェネレータと主磁極の間に配置された非磁性層とを備えている。第１および第２のヒートシンク層の材料は、ＳｉＣまたはＡｌＮである。非磁性層の材料は、アルミナよりも２５℃における熱伝導率が小さい。

本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドにおいて、第２のヒートシンク層は、第１のヒートシンク層に接触していてもよい。

また、本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドにおいて、非磁性層の材料は、ＳｉＯ_２であってもよい。

また、本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドにおいて、第１のヒートシンク層の材料はＳｉＣであってもよい。この場合、熱アシスト磁気記録ヘッドは、更に、プラズモンジェネレータと第１のヒートシンク層との間に配置された絶縁膜を備えている。絶縁膜の材料は、アルミナであってもよい。

また、本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドにおいて、第１のヒートシンク層の材料はＡｌＮであってもよい。この場合、第１のヒートシンク層はプラズモンジェネレータに接触していてもよい。

本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドによれば、ＳｉＣまたはＡｌＮよりなる第１および第２のヒートシンク層を備えていることから、プラズモンジェネレータおよび主磁極の温度上昇を抑制することができる。更に、本発明では、アルミナよりも２５℃における熱伝導率が小さい材料よりなり、プラズモンジェネレータと主磁極の間に配置された非磁性層を備えていることから、プラズモンジェネレータから主磁極へ直接熱が伝わることを抑制でき、その結果、プラズモンジェネレータが発生する熱から主磁極を保護することができるという効果を奏する。

本発明の第１の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの要部を示す斜視図である。 本発明の第１の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの構成を示す断面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。 本発明の第１の実施の形態における第１のヒートシンク層を示す平面図である。 本発明の第１の実施の形態における第２のヒートシンク層を示す平面図である。 本発明の第１の実施の形態におけるプラズモンジェネレータを示す斜視図である。 本発明の第１の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法における一工程を示す断面図である。 図７に示した工程に続く工程を示す断面図である。 図８に示した工程に続く工程を示す断面図である。 図９に示した工程に続く工程を示す断面図である。 図１０に示した工程に続く工程を示す断面図である。 図１１に示した工程に続く工程を示す断面図である。 図１２に示した工程に続く工程を示す断面図である。 本発明の第１の実施の形態における変形例の熱アシスト磁気記録ヘッドの要部を示す斜視図である。 本発明の第２の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの構成を示す断面図である。 本発明の第２の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。 本発明の第２の実施の形態における第３のヒートシンク層を示す平面図である。 本発明の第２の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法における一工程を示す断面図である。 図１８に示した工程に続く工程を示す断面図である。 図１９に示した工程に続く工程を示す断面図である。 図２０に示した工程に続く工程を示す断面図である。 図２１に示した工程に続く工程を示す断面図である。 本発明の第３の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの構成を示す断面図である。 本発明の第４の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの要部を示す正面図である。 本発明の第４の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの構成を示す断面図である。 本発明の第４の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。 本発明の第４の実施の形態におけるプラズモンジェネレータを示す斜視図である。 本発明の第４の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法における一工程を示す断面図である。 図２８に示した工程に続く工程を示す断面図である。 図２９に示した工程に続く工程を示す断面図である。 本発明の第４の実施の形態における変形例の熱アシスト磁気記録ヘッドの要部を示す正面図である。

［第１の実施の形態］
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。始めに、図１ないし図５を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの構成について説明する。図１は、熱アシスト磁気記録ヘッドの要部を示す斜視図である。図２は、熱アシスト磁気記録ヘッドの構成を示す断面図である。図３は、熱アシスト磁気記録ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。図４は、第１のヒートシンク層を示す平面図である。図５は、第２のヒートシンク層を示す平面図である。

本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドは、垂直磁気記録用であり、回転する記録媒体の表面から浮上するスライダの形態を有している。記録媒体が回転すると、記録媒体とスライダとの間を通過する空気流によって、スライダに揚力が生じる。スライダは、この揚力によって記録媒体の表面から浮上するようになっている。

図２に示したように、熱アシスト磁気記録ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面８０を備えている。ここで、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向を以下のように定義する。Ｘ方向は、記録媒体のトラック横断方向すなわちトラック幅方向である。Ｙ方向は、媒体対向面８０に垂直な方向である。Ｚ方向は、スライダから見た記録媒体の進行方向である。Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向は互いに直交している。

図２および図３に示したように、熱アシスト磁気記録ヘッドは、アルミニウムオキサイド・チタニウムカーバイド（Ａｌ₂Ｏ₃・ＴｉＣ）等のセラミック材料よりなり、上面１ａを有する基板１と、この基板１の上面１ａ上に配置されたアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）等の絶縁材料よりなる絶縁層２と、この絶縁層２の上に配置された磁性材料よりなる下部シールド層３と、下部シールド層３を覆うように配置された絶縁膜である下部シールドギャップ膜４と、この下部シールドギャップ膜４の上に配置された再生素子としてのＭＲ（磁気抵抗効果）素子５と、このＭＲ素子５に接続された２つのリード（図示せず）と、ＭＲ素子５の上に配置された絶縁膜である上部シールドギャップ膜６と、この上部シールドギャップ膜６の上に配置された磁性材料よりなる上部シールド層７とを備えている。Ｚ方向は、基板１の上面１ａに垂直な方向でもある。

ＭＲ素子５の一端部は、記録媒体に対向する媒体対向面８０に配置されている。ＭＲ素子５には、ＡＭＲ（異方性磁気抵抗効果）素子、ＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果）素子あるいはＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）素子等の磁気抵抗効果を示す感磁膜を用いた素子を用いることができる。ＧＭＲ素子としては、磁気的信号検出用の電流を、ＧＭＲ素子を構成する各層の面に対してほぼ平行な方向に流すＣＩＰ（Current In Plane）タイプでもよいし、磁気的信号検出用の電流を、ＧＭＲ素子を構成する各層の面に対してほぼ垂直な方向に流すＣＰＰ（Current Perpendicular to Plane）タイプでもよい。

下部シールド層３から上部シールド層７までの部分は、再生ヘッド部を構成する。熱アシスト磁気記録ヘッドは、更に、上部シールド層７の上に配置された絶縁層８と、この絶縁層８の上に配置された磁性材料よりなる中間シールド層９と、この中間シールド層９の上に配置された非磁性材料よりなる非磁性層１０とを備えている。絶縁層８および非磁性層１０は、例えばアルミナによって形成されている。

熱アシスト磁気記録ヘッドは、更に、非磁性層１０の上に配置された磁性材料よりなるリターン磁極層１１と、非磁性層１０の上においてリターン磁極層１１の周囲に配置された絶縁層１２とを備えている。リターン磁極層１１は、媒体対向面８０に配置された端面を有している。絶縁層１２は、例えばアルミナによって形成されている。

熱アシスト磁気記録ヘッドは、更に、媒体対向面８０から離れた位置においてリターン磁極層１１の一部の上に配置された２つの連結部１４Ａ，１４Ｂと、リターン磁極層１１の他の部分および絶縁層１２の上に配置された絶縁層１６と、この絶縁層１６の上に配置されたコイル１７とを備えている。連結部１４Ａ，１４Ｂは、磁性材料によって形成されている。連結部１４Ａ，１４Ｂは、それぞれ、リターン磁極層１１の上に配置された第１層と、この第１層の上に順に配置された第２層、第３層および第４層とを有している。連結部１４Ａの第１層と連結部１４Ｂの第１層は、トラック幅方向（Ｘ方向）に並ぶように配置されている。コイル１７は、平面渦巻き形状をなし、連結部１４Ａ，１４Ｂの第１層を中心として巻回されている。コイル１７は、銅等の導電材料によって形成されている。絶縁層１６は、例えばアルミナによって形成されている。

熱アシスト磁気記録ヘッドは、更に、コイル１７の巻線間に配置された絶縁層１８と、コイル１７の周囲に配置された絶縁層１９と、コイル１７および絶縁層１８，１９の上に配置された絶縁層２０とを備えている。絶縁層１８は、例えばフォトレジストによって形成されている。絶縁層１９，２０は、例えばアルミナによって形成されている。連結部１４Ａ，１４Ｂの第１層は、絶縁層１６，１９に埋め込まれている。

熱アシスト磁気記録ヘッドは、更に、コア２５と、コア２５の周囲に配置されたクラッドとを有する導波路を備えている。コア２５は、媒体対向面８０により近い端面２５ａと、上面２５ｂと、下面２５ｃとを有している。端面２５ａは、媒体対向面８０に配置されていてもよいし、媒体対向面８０から離れた位置に配置されていてもよい。図１ないし図３には、端面２５ａが媒体対向面８０に配置された例を示している。

クラッドは、クラッド層２４，２６とギャップ層２７とを含んでいる。クラッド層２４は、絶縁層２０の上に配置されている。コア２５は、クラッド層２４の上に配置されている。クラッド層２６は、クラッド層２４の上においてコア２５の周囲に配置されている。コア２５の上面２５ｂおよびクラッド層２６の上面は平坦化されている。ギャップ層２７は、コア２５の上面２５ｂおよびクラッド層２６の上面の上に配置されている。

コア２５は、近接場光の発生に用いられるレーザ光を通過させる誘電体材料によって形成されている。コア２５には、図示しないレーザダイオードから出射されたレーザ光が入射され、このレーザ光はコア２５内を伝播する。コア２５は、コア２５を伝播する光に基づいてエバネッセント光を発生するエバネッセント光発生面を有している。本実施の形態では、コア２５の上面２５ｂが本発明におけるエバネッセント光発生面に対応する。

クラッド層２４，２６およびギャップ層２７は、コア２５の屈折率よりも小さい屈折率を有する誘電体材料によって形成されている。コア２５の材料としては、例えば、Ｔａ_２Ｏ_５等の酸化タンタルや酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）が用いられ、クラッド層２４，２６およびギャップ層２７の材料としては、例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）やアルミナが用いられる。

連結部１４Ａ，１４Ｂの第２層は、絶縁層２０およびクラッド層２４に埋め込まれている。連結部１４Ａ，１４Ｂの第３層は、クラッド層２６に埋め込まれている。連結部１４Ａの第３層と連結部１４Ｂの第３層は、コア２５のトラック幅方向（Ｘ方向）の両側において、コア２５に対して間隔をあけて配置されている。

熱アシスト磁気記録ヘッドは、更に、ギャップ層２７の上に配置された第１のヒートシンク層４５と、媒体対向面８０の近傍において、コア２５の上面２５ｂの上方に配置されたプラズモンジェネレータ５０と、プラズモンジェネレータ５０と第１のヒートシンク層４５およびギャップ層２７との間に配置された絶縁膜２８とを備えている。

第１のヒートシンク層４５の材料としては、ＳｉＣまたはＡｌＮが用いられる。ＳｉＣとＡｌＮは、いずれも、基板１以外の熱アシスト磁気記録ヘッドの大部分を構成するアルミナよりも２５℃における熱伝導率が大きい材料である。アルミナの２５℃における熱伝導率は３０Ｗ／ｍ・Ｋ程度である。ＳｉＣの２５℃における熱伝導率は７５Ｗ／ｍ・Ｋ程度である。ＡｌＮの２５℃における熱伝導率は１７０Ｗ／ｍ・Ｋ程度である。図１ないし図４には、特に、第１のヒートシンク層４５の材料がＳｉＣである例を示している。

プラズモンジェネレータ５０は、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｉｒのいずれか、またはこれらのうちの複数の元素よりなる合金によって形成されている。絶縁膜２８は、例えばアルミナによって形成されている。プラズモンジェネレータ５０の形状については、後で詳しく説明する。

図１、図３および図４に示したように、第１のヒートシンク層４５は、プラズモンジェネレータ５０のトラック幅方向（Ｘ方向）の両側に配置された２つの部分４５１，４５２を有している。部分４５１は、媒体対向面８０に配置された前端面４５１ａと、プラズモンジェネレータ５０に向いた側端面４５１ｂと、上面４５１ｃと、下面４５１ｄとを有している。部分４５２は、媒体対向面８０に配置された前端面４５２ａと、プラズモンジェネレータ５０に向いた側端面４５２ｂと、上面４５２ｃと、下面４５２ｄとを有している。

また、部分４５１は、前部４５１１と、この前部４５１１に対して媒体対向面８０からより遠い位置に配置された後部４５１２とを含んでいる。前部４５１１は、前端面４５１ａおよび側端面４５１ｂを含むと共に、前端面４５１ａとは反対側の後端部を有している。後部４５１２は、前部４５１１の後端部に連結されて、媒体対向面８０に垂直な方向（Ｙ方向）に延びている。同様に、部分４５２は、前部４５２１と、この前部４５２１に対して媒体対向面８０からより遠い位置に配置された後部４５２２とを含んでいる。前部４５２１は、前端面４５２ａおよび側端面４５２ｂを含むと共に、前端面４５２ａとは反対側の後端部を有している。後部４５２２は、前部４５２１の後端部に連結されて、媒体対向面８０に垂直な方向（Ｙ方向）に延びている。図４では、前部４５１１と後部４５１２との境界および前部４５２１と後部４５２２との境界を点線で示している。後部４５１２と後部４５２２は、上から見たときに、コア２５のトラック幅方向の両側であって、コア２５から十分離れた位置に配置されている。

熱アシスト磁気記録ヘッドは、更に、ギャップ層２７の上においてプラズモンジェネレータ５０、第１のヒートシンク層４５および絶縁膜２８の周囲に配置された誘電体層２９を備えている。誘電体層２９は、例えばＳｉＯ_２によって形成されている。

熱アシスト磁気記録ヘッドは、更に、コア２５との間にプラズモンジェネレータ５０を挟む位置に配置された磁性材料よりなる主磁極３１と、プラズモンジェネレータ５０と主磁極３１との間に配置された非磁性層３０とを備えている。非磁性層３０の材料としては、アルミナよりも２５℃における熱伝導率が小さい材料が用いられる。具体的には、非磁性層３０の材料としては、例えば、ＳｉＯ_２、３Ａｌ_２Ｏ_３・２ＳｉＯ_２（ムライト）、２ＭｇＯ・ＳｉＯ_２（フォルステライト）、ＭｇＯ・ＳｉＯ_２（ステアタイト）またはＺｒＯ_２（ジルコニア）が用いられる。非磁性層３０の材料としては、特に、２５℃における熱伝導率が１Ｗ／ｍ・Ｋ程度であるＳｉＯ_２が好ましい。主磁極３１の形状については、後で詳しく説明する。

熱アシスト磁気記録ヘッドは、更に、第１のヒートシンク層４５の上に配置された第２のヒートシンク層４６と、主磁極３１および第２のヒートシンク層４６の周囲に配置された誘電体層３２とを備えている。連結部１４Ａ，１４Ｂの第４層は、ギャップ層２７および誘電体層２９，３２に埋め込まれている。主磁極３１、第２のヒートシンク層４６、誘電体層３２および連結部１４Ａ，１４Ｂの第４層の上面は平坦化されている。第２のヒートシンク層４６の材料としては、ＳｉＣまたはＡｌＮが用いられる。誘電体層３２は、例えばＳｉＯ_２によって形成されている。

図１、図３および図５に示したように、第２のヒートシンク層４６は、主磁極３１のトラック幅方向（Ｘ方向）の両側に配置された２つの部分４６１，４６２を有している。部分４６１は、媒体対向面８０に配置された前端面４６１ａと、主磁極３１に接する側端面４６１ｂと、上面４６１ｃと、下面４６１ｄとを有している。部分４６２は、媒体対向面８０に配置された前端面４６２ａと、主磁極３１に接する側端面４６２ｂと、上面４６２ｃと、下面４６２ｄとを有している。本実施の形態では、第２のヒートシンク層４６は、第１のヒートシンク層４５に接触している。具体的には、第２のヒートシンク層４６の部分４６１の下面４６１ｄは、第１のヒートシンク層４５の部分４５１の上面４５１ｃに接触し、第２のヒートシンク層４６の部分４６２の下面４６２ｄは、第１のヒートシンク層４５の部分４５２の上面４５２ｃに接触している。

また、部分４６１は、前部４６１１と、この前部４６１１に対して媒体対向面８０からより遠い位置に配置された後部４６１２とを含んでいる。前部４６１１は、前端面４６１ａおよび側端面４６１ｂを含むと共に、前端面４６１ａとは反対側の後端部を有している。後部４６１２は、前部４６１１の後端部に連結されて、媒体対向面８０に垂直な方向（Ｙ方向）に延びている。同様に、部分４６２は、前部４６２１と、この前部４６２１に対して媒体対向面８０からより遠い位置に配置された後部４６２２とを含んでいる。前部４６２１は、前端面４６２ａおよび側端面４６２ｂを含むと共に、前端面４６２ａとは反対側の後端部を有している。後部４６２２は、前部４６２１の後端部に連結されて、媒体対向面８０に垂直な方向（Ｙ方向）に延びている。図５では、前部４６１１と後部４６１２との境界および前部４６２１と後部４６２２との境界を点線で示している。後部４６１２と後部４６２２は、上から見たときに、コア２５のトラック幅方向の両側であって、コア２５から十分離れた位置に配置されている。

熱アシスト磁気記録ヘッドは、更に、誘電体層３２の上に配置されたコイル３８と、コイル３８を覆うように配置された絶縁層３９と、主磁極３１、連結部１４Ａ，１４Ｂ、誘電体層３２および絶縁層３９の上に配置された磁性材料よりなるヨーク層４２とを備えている。ヨーク層４２は、主磁極３１と連結部１４Ａ，１４Ｂを磁気的に連結している。コイル３８は、平面渦巻き形状をなし、ヨーク層４２のうち連結部１４Ａ，１４Ｂの上に配置された部分を中心として巻回されている。コイル３８は、銅等の導電材料によって形成されている。絶縁層３９は、例えばフォトレジストによって形成されている。

熱アシスト磁気記録ヘッドは、更に、ヨーク層４２を覆うように配置された保護層４４を備えている。保護層４４は、例えばアルミナによって形成されている。

リターン磁極層１１からヨーク層４２までの部分は、記録ヘッド部を構成する。コイル１７，３８は、記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生する。リターン磁極層１１、連結部１４Ａ，１４Ｂ、ヨーク層４２および主磁極３１は、コイル１７，３８が発生する磁界に対応した磁束を通過させる磁路を形成する。コイル１７，３８は、主磁極３１において、コイル１７によって発生された磁界に対応する磁束とコイル３８によって発生された磁界に対応する磁束が同じ方向に流れるように、直列または並列に接続されている。主磁極３１は、コイル１７によって発生された磁界に対応する磁束とコイル３８によって発生された磁界に対応する磁束とを通過させて、垂直磁気記録方式によって情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する。

以上説明したように、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面８０と再生ヘッド部と記録ヘッド部とを備えている。再生ヘッド部と記録ヘッド部は、基板１の上に積層されている。記録ヘッド部は、再生ヘッド部に対して、記録媒体の進行方向（Ｚ方向）の前側（トレーリング側）に配置されている。

再生ヘッド部は、再生素子としてのＭＲ素子５と、媒体対向面８０側の一部がＭＲ素子５を挟んで対向するように配置された、ＭＲ素子５をシールドするための下部シールド層３および上部シールド層７と、ＭＲ素子５と下部シールド層３との間に配置された下部シールドギャップ膜４と、ＭＲ素子５と上部シールド層７との間に配置された上部シールドギャップ膜６とを備えている。

記録ヘッド部は、コイル１７，３８と、主磁極３１と、導波路と、プラズモンジェネレータ５０とを備えている。導波路は、光を伝播させるコア２５と、コア２５の周囲に配置されたクラッドとを有している。本実施の形態では、特に、コア２５は、図示しないレーザダイオードから出射されたレーザ光を伝播させる。クラッドは、クラッド層２４，２６とギャップ層２７とを含んでいる。

コア２５は、上面２５ｂを有している。プラズモンジェネレータ５０は、コア２５の上面２５ｂの上方に配置されている。プラズモンジェネレータ５０と主磁極３１は、記録媒体の進行方向（Ｚ方向）に沿って並ぶように配置されている。本実施の形態では、特に、主磁極３１は、プラズモンジェネレータ５０に対して、記録媒体の進行方向（Ｚ方向）の前側に配置されている。

次に、図１、図２、図４および図６を参照して、プラズモンジェネレータ５０の形状の一例について詳しく説明する。図６は、プラズモンジェネレータ５０を示す斜視図である。なお、図６では、ギャップ層２７、絶縁膜２８および第１のヒートシンク層４５の図示を省略している。図６に示したように、プラズモンジェネレータ５０は、媒体対向面８０の近傍に配置された伝播部５１と、この伝播部５１よりも媒体対向面８０から遠い位置に配置された幅変化部分５２とを備えている。

伝播部５１は、下面５１ａと、その反対側の上面５１ｂと、互いに反対側に位置して下面５１ａと上面５１ｂとを連結する第１の側面５１ｃおよび第２の側面５１ｄと、媒体対向面８０に配置され、下面５１ａ、上面５１ｂ、第１の側面５１ｃおよび第２の側面５１ｄを連結する前端面５１ｅとを有している。

下面５１ａは、基板１の上面１ａに平行であり、コア２５の上面２５ｂに対して所定の間隔をもって対向している。第１の側面５１ｃは、第１のヒートシンク層４５の部分４５１の側端面４５１ｂに向いている。第２の側面５１ｄは、第１のヒートシンク層４５の部分４５２の側端面４５２ｂに向いている。第１の側面５１ｃと側端面４５１ｂとの間、ならびに、第２の側面５１ｄと側端面４５２ｂとの間には、絶縁膜２８の一部が介在している。前端面５１ｅは、下面５１ａの一端に位置し、表面プラズモンに基づいて近接場光を発生する近接場光発生部５１ｇを含んでいる。

上面５１ｂは、傾斜部５１ｂ１を含んでいる。傾斜部５１ｂ１における任意の位置の伝播部５１の下面５１ａからの距離は、任意の位置が前端面５１ｅに近づくに従って小さくなっている。上面５１ｂは、傾斜部５１ｂ１に対して媒体対向面８０により近い位置または媒体対向面８０からより遠い位置に配置されて傾斜部５１ｂ１に続く平坦部を含んでいてもよい。この平坦部は、下面５１ａに平行である。

媒体対向面８０に平行な伝播部５１の断面の形状は、例えば矩形である。媒体対向面８０および基板１の上面１ａに平行な方向（Ｘ方向）についての伝播部５１の幅は、媒体対向面８０からの距離によらずに一定であってもよいし、媒体対向面８０に近づくに従って小さくなっていてもよい。前端面５１ｅの幅（トラック幅方向（Ｘ方向）の寸法）は、媒体対向面８０における伝播部５１の幅によって規定される。前端面５１ｅの幅は、例えば５〜４０ｎｍの範囲内である。また、前端面５１ｅの高さ（Ｚ方向の寸法）は、媒体対向面８０における伝播部５１の高さによって規定される。前端面５１ｅの高さは、例えば５〜４０ｎｍの範囲内である。

幅変化部分５２は、伝播部５１に対して前端面５１ｅとは反対側に位置して伝播部５１に連結されている。幅変化部分５２は、下面５２ａと、その反対側の上面５２ｂと、互いに反対側に位置して下面５２ａと上面５２ｂとを連結する第１の側面５２ｃおよび第２の側面５２ｄと、下面５２ａ、上面５２ｂ、第１の側面５２ｃおよび第２の側面５２ｄを連結する後端面５２ｅとを有している。

下面５２ａは、伝播部５１の下面５１ａに連続するように、下面５１ａに対して媒体対向面８０からより遠い位置に配置されている。上面５２ｂは、伝播部５１の上面５１ｂに連続するように、上面５１ｂに対して媒体対向面８０からより遠い位置に配置されている。第１の側面５２ｃは、伝播部５１の第１の側面５１ｃに連続するように、第１の側面５１ｃに対して媒体対向面８０からより遠い位置に配置されている。第２の側面５２ｄは、伝播部５１の第２の側面５１ｄに連続するように、第２の側面５１ｄに対して媒体対向面８０からより遠い位置に配置されている。

下面５２ａは、基板１の上面１ａに平行であり、コア２５の上面２５ｂに対して所定の間隔をもって対向している。第１の側面５２ｃは、第１のヒートシンク層４５の部分４５１の側端面４５１ｂに向いている。第２の側面５２ｄは、第１のヒートシンク層４５の部分４５２の側端面４５２ｂに向いている。第１の側面５２ｃと側端面４５１ｂとの間、ならびに、第２の側面５２ｄと側端面４５２ｂとの間には、絶縁膜２８の他の一部が介在している。

媒体対向面８０に平行な幅変化部分５２の断面の形状は、例えば矩形である。幅変化部分５２は、伝播部５１の下面５１ａおよび前端面５１ｅに平行な方向（媒体対向面８０および基板１の上面１ａに平行な方向と同じ）についての幅を有している。この幅は、前端面５１ｅに近づくに従って小さくなり、伝播部５１との境界の位置では伝播部５１の幅と等しくなっている。コア２５の上面２５ｂに対向する幅変化部分５２の下面５２ａの幅は、媒体対向面８０に近づくに従って小さくなり、伝播部５１の下面５１ａとの境界の位置では、下面５１ａの幅と等しくなっている。

次に、図１、図２および図５を参照して、主磁極３１の形状の一例について説明する。主磁極３１は、媒体対向面８０に配置された第１の端面３１ａと、第１の端面３１ａとは反対側の第２の端面３１ｂと、下面３１ｃと、上面３１ｄと、２つの側面３１ｅ，３１ｆとを有している。下面３１ｃの一部は、非磁性層３０を介して伝播部５１の上面５１ｂの傾斜部５１ｂ１に対向している。下面３１ｃにおける任意の位置の基板１の上面１ａからの距離は、任意の位置が媒体対向面８０から離れるに従って大きくなっている。側面３１ｅは、第２のヒートシンク層４６の部分４６１の側端面４６１ｂに接触している。側面３１ｆは、第２のヒートシンク層４６の部分４６２の側端面４６２ｂに接触している。

なお、プラズモンジェネレータ５０および主磁極３１の形状は、図１，２，４，５，６を参照して説明した上記の例に限られない。

次に、本実施の形態における近接場光発生の原理と、近接場光を用いた熱アシスト磁気記録の原理について詳しく説明する。図示しないレーザダイオードから出射されたレーザ光はコア２５に入射される。図２に示したように、レーザ光６０は、コア２５内を媒体対向面８０に向けて伝播して、プラズモンジェネレータ５０の近傍に達する。プラズモンジェネレータ５０は、このコア２５を伝播する光に基づいてコア２５より発生されるエバネッセント光と結合することによって表面プラズモンが励起されるように構成されている。より詳しく説明すると、プラズモンジェネレータ５０は、コア２５のエバネッセント光発生面（上面２５ｂ）に対して所定の間隔をもって対向するプラズモン励起部を有している。本実施の形態では、プラズモン励起部は、伝播部５１の下面５１ａおよび幅変化部分５２の下面５２ａによって構成されている。コア２５では、エバネッセント光発生面（上面２５ｂ）において、レーザ光６０が全反射することによって、ギャップ層２７内にしみ出すエバネッセント光が発生する。そして、プラズモンジェネレータ５０のプラズモン励起部のうち少なくとも幅変化部分５２の下面５２ａにおいて、上記エバネッセント光と結合することによって、表面プラズモンが励起される。

幅変化部分５２の下面５２ａに励起された表面プラズモンは、下面５２ａを伝播して伝播部５１の下面５１ａに到達し、更に下面５１ａを伝播して近接場光発生部５１ｇに到達する。その結果、近接場光発生部５１ｇにおいて表面プラズモンが集中し、この表面プラズモンに基づいて、近接場光発生部５１ｇから近接場光が発生する。この近接場光は、記録媒体に向けて照射され、記録媒体の表面に達し、記録媒体の磁気記録層の一部を加熱する。これにより、その磁気記録層の一部の保磁力が低下する。熱アシスト磁気記録では、このようにして保磁力が低下した磁気記録層の一部に対して、主磁極３１より発生される記録磁界を印加することによってデータの記録が行われる。

次に、図２および図３を参照して、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法について説明する。本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法は、複数の熱アシスト磁気記録ヘッドの基板１となる部分を含む基板上に、複数の熱アシスト磁気記録ヘッドの基板１以外の構成要素を形成して、それぞれ後に熱アシスト磁気記録ヘッドとなるヘッド予定部が複数列に配列された基礎構造物を作製する工程と、この基礎構造物を切断することによって複数のヘッド予定部を互いに分離して、複数の熱アシスト磁気記録ヘッドを形成する工程とを備えている。複数の熱アシスト磁気記録ヘッドを形成する工程では、切断によって形成された面を研磨して媒体対向面８０を形成する。

以下、１つの熱アシスト磁気記録ヘッドに注目して、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法を更に詳しく説明する。本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法では、まず、基板１の上に、絶縁層２、下部シールド層３および下部シールドギャップ膜４を順に形成する。次に、下部シールドギャップ膜４の上にＭＲ素子５と、ＭＲ素子５に接続される図示しない２つのリードとを形成する。次に、ＭＲ素子５およびリードを覆うように上部シールドギャップ膜６を形成する。次に、上部シールドギャップ膜６の上に、上部シールド層７、絶縁層８、中間シールド層９および非磁性層１０を順に形成する。

次に、非磁性層１０の上にリターン磁極層１１を形成する。次に、リターン磁極層１１を覆うように絶縁層１２を形成する。次に、例えば化学機械研磨（以下、ＣＭＰと記す。）によって、リターン磁極層１１が露出するまで絶縁層１２を研磨する。次に、リターン磁極層１１および絶縁層１２の上に、絶縁層１６を形成する。

次に、絶縁層１６を選択的にエッチングして、絶縁層１６に、リターン磁極層１１の上面を露出させる２つの開口部を形成する。次に、この２つの開口部の位置で、リターン磁極層１１の上に、連結部１４Ａ，１４Ｂのそれぞれの第１層を形成する。次に、絶縁層１６の上にコイル１７を形成する。次に、コイル１７の巻線間に絶縁層１８を形成する。次に、積層体の上面全体の上に絶縁層１９を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、連結部１４Ａ，１４Ｂのそれぞれの第１層、コイル１７および絶縁層１８が露出するまで絶縁層１９を研磨する。次に、連結部１４Ａ，１４Ｂのそれぞれの第１層、コイル１７および絶縁層１８，１９の上に、絶縁層２０を形成する。

次に、絶縁層２０を選択的にエッチングして、絶縁層２０に、連結部１４Ａ，１４Ｂのそれぞれの第１層の上面を露出させる２つの開口部を形成する。次に、連結部１４Ａ，１４Ｂのそれぞれの第１層の上に、連結部１４Ａ，１４Ｂのそれぞれの第２層を形成する。次に、連結部１４Ａ，１４Ｂのそれぞれの第２層を覆うようにクラッド層２４を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、連結部１４Ａ，１４Ｂのそれぞれの第２層が露出するまでクラッド層２４を研磨する。

次に、連結部１４Ａ，１４Ｂのそれぞれの第２層の上に、連結部１４Ａ，１４Ｂのそれぞれの第３層を形成する。次に、クラッド層２４の上にコア２５を形成する。次に、積層体の上面全体の上にクラッド層２６を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、連結部１４Ａ，１４Ｂのそれぞれの第３層およびコア２５が露出するまでクラッド層２６を研磨する。次に、連結部１４Ａ，１４Ｂのそれぞれの第３層、コア２５およびクラッド層２６の上に、ギャップ層２７を形成する。

次に、絶縁膜２８、誘電体層２９，３２、非磁性層３０、主磁極３１、第１のヒートシンク層４５、第２のヒートシンク層４６およびプラズモンジェネレータ５０を形成する。この工程については、後で詳しく説明する。

次に、ギャップ層２７および誘電体層２９，３２を選択的にエッチングして、ギャップ層２７および誘電体層２９，３２に、連結部１４Ａ，１４Ｂのそれぞれの第３層の上面を露出させる２つの開口部を形成する。次に、連結部１４Ａ，１４Ｂのそれぞれの第３層の上に、連結部１４Ａ，１４Ｂのそれぞれの第４層を形成する。

次に、誘電体層３２の上にコイル３８を形成する。次に、コイル３８を覆うように絶縁層３９を形成する。次に、主磁極３１、連結部１４Ａ，１４Ｂのそれぞれの第４層、誘電体層３２および絶縁層３９の上に、ヨーク層４２を形成する。次に、ヨーク層４２を覆うように保護層４４を形成する。次に、保護層４４の上面に配線や端子等を形成する。

このようにして、基礎構造物が完成したら、この基礎構造物を切断することによって複数のヘッド予定部を互いに分離し、媒体対向面８０の研磨、浮上用レールの作製等を行って、熱アシスト磁気記録ヘッドが完成する。

次に、図７ないし図１３を参照して、絶縁膜２８、誘電体層２９，３２、非磁性層３０、主磁極３１、第１のヒートシンク層４５、第２のヒートシンク層４６およびプラズモンジェネレータ５０を形成する工程について詳しく説明する。図７ないし図１３は、熱アシスト磁気記録ヘッドの製造過程における積層体の一部を示す断面図である。図７ないし図１３は、それぞれ、積層体における媒体対向面８０が形成される予定の位置における断面を示している。

図７は、ギャップ層２７を形成した後の工程を示している。この工程では、ギャップ層２７の上に、後に第１のヒートシンク層４５となる第１のヒートシンク材料層４５Ｐを形成する。

図８は、次の工程を示す。この工程では、まず、第１のヒートシンク材料層４５Ｐの上に、後に形成される第１のヒートシンク層４５の２つの部分４５１，４５２の平面形状に対応した平面形状を有する図示しないフォトレジストマスクを形成する。このフォトレジストマスクは、フォトリソグラフィによってフォトレジスト層をパターニングして形成する。次に、フォトレジストマスクをエッチングマスクとして用いて、例えば反応性イオンエッチング（以下、ＲＩＥと記す。）によって、第１のヒートシンク材料層４５Ｐをエッチングする。これにより、第１のヒートシンク材料層４５Ｐは、２つの部分４５１Ｐ，４５２Ｐに分離される。ギャップ層２７は、第１のヒートシンク材料層４５ＰをＲＩＥによってエッチングする際にエッチングを停止させるエッチングストッパとして機能する。次に、フォトレジストマスクを除去する。

図９は、次の工程を示す。この工程では、まず、図８に示した積層体の上に、後に媒体対向面８０が形成される予定の位置の近傍に形成された開口部を有する図示しないフォトレジストマスクを形成する。次に、積層体の上面全体の上に絶縁膜２８を形成する。次に、例えばスパッタ法によって、積層体の上面全体の上に、後にプラズモンジェネレータ５０となる金属膜５０Ｐを形成する。次に、フォトレジストマスクを除去する。

図１０は、次の工程を示す。この工程では、まず、積層体の上面全体の上に誘電体層２９を形成する。なお、誘電体層２９は、図１０には現れていない。次に、例えばＣＭＰによって、第１のヒートシンク材料層４５Ｐの上面が露出するまで絶縁膜２８、誘電体層２９および金属膜５０Ｐを研磨する。

図１１は、次の工程を示す。この工程では、研磨後の金属膜５０Ｐの上面に傾斜部５１ｂ１が形成されるように、絶縁膜２８、誘電体層２９、第１のヒートシンク材料層４５Ｐおよび金属膜５０Ｐのそれぞれの一部を、エッチングによって除去する。このエッチングは、例えば以下のようにして行われる。まず、研磨後の金属膜５０Ｐの上面のうち、少なくとも、後に幅変化部分５２の上面５２ｂとなる部分を覆うフォトレジストマスクを形成する。次に、このフォトレジストマスクをエッチングマスクとして用いて、例えばイオンビームエッチング（以下、ＩＢＥと記す。）によって、絶縁膜２８、誘電体層２９、第１のヒートシンク材料層４５Ｐおよび金属膜５０Ｐのそれぞれの一部のうち、フォトレジストマスクによって覆われていない部分をテーパエッチングする。これにより、傾斜部５１ｂ１が形成される。次に、フォトレジストマスクを除去する。これにより、金属膜５０Ｐはプラズモンジェネレータ５０となる。また、これにより、第１のヒートシンク材料層４５Ｐの２つの部分４５１Ｐ，４５２Ｐは、それぞれ２つの部分４５１，４５２となり、第１のヒートシンク層４５が完成する。

図１２は、次の工程を示す。この工程では、まず、プラズモンジェネレータ５０を覆うように非磁性層３０を形成する。次に、積層体の上面全体の上に、後に第２のヒートシンク層４６となる第２のヒートシンク材料層４６Ｐを形成する。

図１３は、次の工程を示す。この工程では、まず、第２のヒートシンク材料層４６Ｐの上に、後に形成される第２のヒートシンク層４６の２つの部分４６１，４６２の平面形状に対応した平面形状を有する図示しないフォトレジストマスクを形成する。次に、フォトレジストマスクをエッチングマスクとして用いて、例えばＲＩＥによって、第２のヒートシンク材料層４６Ｐをエッチングする。これにより、第２のヒートシンク材料層４６Ｐは、２つの部分４６１，４６２に分離され、第２のヒートシンク層４６が完成する。非磁性層３０は、第２のヒートシンク材料層４６ＰをＲＩＥによってエッチングする際にエッチングを停止させるエッチングストッパとして機能する。次に、フォトレジストマスクを除去する。

次に、積層体の上面全体の上に誘電体層３２を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第２のヒートシンク層４６の上面が露出するまで誘電体層３２を研磨する。次に、誘電体層３２および第２のヒートシンク層４６の上に、後に形成される主磁極３１の平面形状に対応した形状の開口部を有する図示しないフォトレジストマスクを形成する。次に、フォトレジストマスクをエッチングマスクとして用いて、例えばＲＩＥまたはＩＢＥによって、誘電体層３２のうちフォトレジストマスクの開口部から露出する部分をテーパエッチングして、誘電体層３２に、主磁極３１を収容する収容部を形成する。次に、フォトレジストマスクを除去する。次に、誘電体層３２の収容部内に主磁極３１を形成する。

次に、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの作用および効果について説明する。本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドは、プラズモンジェネレータ５０のトラック幅方向（Ｘ方向）の両側に配置された２つの部分４５１，４５２を有する第１のヒートシンク層４５と、主磁極３１のトラック幅方向（Ｘ方向）の両側に配置された２つの部分４６１，４６２を有する第２のヒートシンク層４６と、プラズモンジェネレータ５０と主磁極３１の間に配置された非磁性層３０とを備えている。

ここで、第１および第２のヒートシンク層４５，４６ならびに非磁性層３０の代わりに、それぞれアルミナよりなる層が設けられた比較例のヘッドについて考える。この比較例のヘッドでは、プラズモンジェネレータ５０の放熱性を高める対策が採られていないため、コア２５を伝播する光のエネルギーの一部がプラズモンジェネレータ５０において熱に変換されると、プラズモンジェネレータ５０の温度が大きく上昇する。また、プラズモンジェネレータ５０で発生した熱が、プラズモンジェネレータ５０の近傍に位置する主磁極３１へ伝わり、主磁極３１の温度も上昇する。その結果、プラズモンジェネレータ５０および主磁極３１が膨張し、媒体対向面８０の一部が記録媒体に向けて突出して、記録動作時にサーボ信号が読み取れなくなるという問題が顕著に発生する。また、プラズモンジェネレータ５０や主磁極３１の温度上昇により、プラズモンジェネレータ５０や主磁極３１が腐食したり、主磁極３１の温度上昇により、主磁極３１の磁気特性が劣化して記録ヘッド部の特性が劣化したりするおそれもある。

これに対し、本実施の形態では、プラズモンジェネレータ５０の近傍に第１のヒートシンク層４５が設けられ、主磁極３１の近傍に第２のヒートシンク層４６が設けられている。第１および第２のヒートシンク層４５，４６の材料は、アルミナよりも２５℃における熱伝導率が大きいＳｉＣまたはＡｌＮである。従って、本実施の形態によれば、第１のヒートシンク層４５によってプラズモンジェネレータ５０の放熱性を高め、第２のヒートシンク層４６によって主磁極３１の放熱性を高めることができる。その結果、本実施の形態によれば、プラズモンジェネレータ５０および主磁極３１の温度上昇を抑制することができる。

また、本実施の形態では、プラズモンジェネレータ５０と主磁極３１の間に非磁性層３０が設けられている。非磁性層３０の材料は、アルミナよりも２５℃における熱伝導率が小さい材料である。従って、本実施の形態によれば、比較例のヘッドに比べて、プラズモンジェネレータ５０から主磁極３１へ直接熱が伝わることを抑制できる。その結果、本実施の形態によれば、プラズモンジェネレータ５０が発生する熱から主磁極３１を保護することができる。

以上のことから、本実施の形態によれば、比較例のヘッドにおいて発生が懸念される前述の問題が発生することを防止することができる。

また、本実施の形態では、第２のヒートシンク層４６は、第１のヒートシンク層４５に接触している。これにより、本実施の形態によれば、第１および第２のヒートシンク層４５，４６によって構成されるヒートシンク層全体の体積を大きくして、より効果的に、プラズモンジェネレータ５０および主磁極３１の放熱性を高めることができる。

ところで、第１のヒートシンク層４５の材料として用いられるＳｉＣは導電性を有している。本実施の形態によれば、プラズモンジェネレータ５０と第１のヒートシンク層４５との間に配置された絶縁膜２８を備えていることから、プラズモンジェネレータ５０と第１のヒートシンク層４５を絶縁することができる。これにより、導電性の第１のヒートシンク層４５によって、プラズモンジェネレータ５０における表面プラズモンの励起や伝播が影響を受けることを防止することができる。

また、本実施の形態では、第２のヒートシンク層４６は、主磁極３１に接触している。これにより、本実施の形態によれば、より効果的に、主磁極３１の放熱性を高めることができる。

以下、本実施の形態におけるその他の効果について説明する。本実施の形態では、プラズモンジェネレータ５０は、伝播部５１と幅変化部分５２とを有している。コア２５の上面２５ｂに対向する幅変化部分５２の下面５２ａの幅は、媒体対向面８０に近づくに従って小さくなり、下面５１ａとの境界の位置では、下面５１ａの幅と等しくなっている。本実施の形態によれば、幅変化部分５２が設けられていない場合に比べて、コア２５の上面２５ｂに対向するプラズモンジェネレータ５０の下面の面積を大きくして、より多くの表面プラズモンを励起させることができる。これにより、本実施の形態によれば、十分な強度の近接場光を発生させることが可能になる。

ところで、プラズモンジェネレータ５０の厚み（Ｚ方向の寸法）が小さくなると、表面プラズモンの励起効率が低下して、励起される表面プラズモンが少なくなる。そのため、プラズモンジェネレータ５０の厚みは、ある程度大きいことが好ましい。本実施の形態では、伝播部５１の上面５１ｂは、傾斜部５１ｂ１を含んでいる。傾斜部５１ｂ１における任意の位置の伝播部５１の下面５１ａからの距離は、任意の位置が前端面５１ｅに近づくに従って小さくなる。これにより、本実施の形態では、媒体対向面８０から離れた位置におけるプラズモンジェネレータ５０の厚みを大きくしながら、前端面５１ｅのＺ方向の寸法を小さくすることができる。その結果、本実施の形態によれば、スポット径が小さく、且つ十分な強度の近接場光を発生させることが可能になる。

［変形例］
次に、図１４を参照して、本実施の形態における変形例の熱アシスト磁気記録ヘッドについて説明する。図１４は、本実施の形態における変形例の熱アシスト磁気記録ヘッドの要部を示す斜視図である。変形例の熱アシスト磁気記録ヘッドでは、第１のヒートシンク層４５の材料はＡｌＮである。ＡｌＮは、絶縁体である。また、変形例では、絶縁膜２８が設けられておらず、第１のヒートシンク層４５はプラズモンジェネレータ５０に接触している。変形例の熱アシスト磁気記録ヘッドのその他の構成は、図１ないし図５に示した熱アシスト磁気記録ヘッドと同様である。この変形例によれば、第１のヒートシンク層４５がプラズモンジェネレータ５０に接触していることから、より効果的に、プラズモンジェネレータ５０の放熱性を高めることができる。

［第２の実施の形態］
次に、本発明の第２の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドについて説明する。始めに、図１５ないし図１７を参照して、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドが第１の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドと異なる点について説明する。図１５は、熱アシスト磁気記録ヘッドの構成を示す断面図である。図１６は、熱アシスト磁気記録ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。図１７は、第３のヒートシンク層を示す平面図である。本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドは、第１の実施の形態における連結部１４Ａ，１４Ｂの第１層の代わりに、磁性材料よりなる連結層１５を備えている。本実施の形態では、コイル１７は、連結層１５を中心として巻回されている。連結部１４Ａ，１４Ｂの第２層は、連結層１５の上に配置されている。連結層１５の周囲には絶縁層１６，１８が配置されている。

本実施の形態では、リターン磁極層１１の端面は、媒体対向面８０から離れた位置に配置されている。リターン磁極層１１の端面と媒体対向面８０との間には絶縁層１２の一部が介在している。

また、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドは、媒体対向面８０の近傍においてリターン磁極層１１の上に配置された磁性材料よりなる連結層１３を備えている。連結層１３は、媒体対向面８０に向いた端面を有し、この端面は、媒体対向面８０から離れた位置に配置されている。連結層１３の端面と媒体対向面８０との間には絶縁層１６，１９の一部が介在している。

熱アシスト磁気記録ヘッドは、更に、連結層１３および絶縁層１９の上に配置された磁性材料よりなる連結層２１を備えている。連結層２１は、媒体対向面８０に配置された端面を有している。連結層２１の周囲にはクラッド層２４が配置されている。

熱アシスト磁気記録ヘッドは、更に、連結層２１の上に配置された磁性材料よりなるシールド２２を備えている。シールド２２は、媒体対向面８０において主磁極３１の第１の端面３１ａに対して記録媒体の進行方向（Ｚ方向）の後側に配置された第１の端面２２ａと、その反対側の第２の端面２２ｂと、主磁極３１に向いた上面２２ｃと、下面２２ｄと、２つの側面２２ｅ，２２ｆとを有している。第２の端面２２ｂは、基板１の上面１ａに垂直な方向に対して傾いている。第２の端面２２ｂにおける任意の位置の媒体対向面８０からの距離は、任意の位置が基板１の上面１ａからから離れるに従って小さくなっている。

プラズモンジェネレータ５０の近接場光発生部５１ｇ（図６参照）は、媒体対向面８０において、主磁極３１の第１の端面３１ａとシールド２２の第１の端面２２ａとの間に配置されている。シールド２２の上面２２ｃと主磁極３１との間には、プラズモンジェネレータ５０の少なくとも一部は存在するが、コア２５のいかなる部分も存在しない。本実施の形態では、コア２５は、媒体対向面８０との間でシールド２２を挟む位置に配置されている。コア２５の端面２５ａは、シールド２２の第２の端面２２ｂに接触している。

また、プラズモンジェネレータ５０は、媒体対向面８０に垂直な方向（Ｙ方向）について、シールド２２の上面２２ｃの長さよりも大きい長さを有している。本実施の形態では、プラズモンジェネレータ５０のプラズモン励起部は、伝播部５１の下面５１ａおよび幅変化部分５２の下面５２ａのうち、コア２５のエバネッセント光発生面（上面２５ｂ）に対向する部分によって構成されている。上記プラズモン励起部とコア２５のエバネッセント光発生面（上面２５ｂ）は、シールド２２の上面２２ｃよりも媒体対向面８０からより遠い位置にある。

熱アシスト磁気記録ヘッドは、更に、連結層２１およびクラッド層２４の上に配置された第３のヒートシンク層４７を備えている。シールド２２、コア２５および第３のヒートシンク層４７の周囲にはクラッド層２６（図１参照）が配置されている。ギャップ層２７は、シールド２２の上面、第３のヒートシンク層４７の上面、コア２５の上面２５ｂおよびクラッド層２６の上面の上に配置されている。第３のヒートシンク層４７の材料としては、ＳｉＣまたはＡｌＮが用いられる。

図１６および図１７に示したように、第３のヒートシンク層４７は、シールド２２のトラック幅方向（Ｘ方向）の両側に配置された２つの部分４７１，４７２を有している。部分４７１は、媒体対向面８０に配置された前端面４７１ａと、シールド２２に接する側端面４７１ｂと、上面と、下面とを有している。部分４７２は、媒体対向面８０に配置された前端面４７２ａと、シールド２２に接する側端面４７２ｂと、上面と、下面とを有している。

また、部分４７１は、前部４７１１と、この前部４７１１に対して媒体対向面８０からより遠い位置に配置された後部４７１２とを含んでいる。前部４７１１は、前端面４７１ａおよび側端面４７１ｂを含むと共に、前端面４７１ａとは反対側の後端部を有している。後部４７１２は、前部４７１１の後端部に連結されて、媒体対向面８０に垂直な方向（Ｙ方向）に延びている。同様に、部分４７２は、前部４７２１と、この前部４７２１に対して媒体対向面８０からより遠い位置に配置された後部４７２２とを含んでいる。前部４７２１は、前端面４７２ａおよび側端面４７２ｂを含むと共に、前端面４７２ａとは反対側の後端部を有している。後部４７２２は、前部４７２１の後端部に連結されて、媒体対向面８０に垂直な方向（Ｙ方向）に延びている。図１７では、前部４７１１と後部４７１２との境界および前部４７２１と後部４７２２との境界を点線で示している。後部４７１２と後部４７２２は、上から見たときに、コア２５のトラック幅方向の両側であって、コア２５から十分離れた位置に配置されている。

シールド２２の側面２２ｅは、第３のヒートシンク層４７の部分４７１の側端面４７１ｂに接触している。シールド２２の側面２２ｆは、第３のヒートシンク層４７の部分４７２の側端面４７２ｂに接触している。

熱アシスト磁気記録ヘッドは、更に、主磁極３１の上に配置された磁性材料よりなる連結層３３と、連結部１４Ａ，１４Ｂの第４層および誘電体層３２の上に配置された磁性材料よりなる連結層３４と、連結層３３，３４の周囲に配置された誘電体層３５とを備えている。誘電体層３５は、例えばＳｉＯ_２によって形成されている。連結層３３は、媒体対向面８０に配置された端面を有している。

熱アシスト磁気記録ヘッドは、更に、連結層３３の上に配置された磁性材料よりなる連結層３６と、連結層３４の上に配置された磁性材料よりなる連結層３７とを備えている。本実施の形態では、コイル３８は、誘電体層３５の上に配置され、連結層３７を中心として巻回されている。また、絶縁層３９は、コイル３８の巻線間および周囲ならびに連結層３６，３７の周囲に配置されている。

熱アシスト磁気記録ヘッドは、更に、連結層３６および絶縁層３９の周囲に配置された絶縁層４０と、コイル３８および絶縁層３９，４０の上に配置された絶縁層４１とを備えている。本実施の形態では、ヨーク層４２は、連結層３６，３７および絶縁層４１の上に配置されている。ヨーク層４２は、連結層３６と連結層３７を磁気的に連結している。熱アシスト磁気記録ヘッドは、更に、ヨーク層４２の周囲に配置された絶縁層４３を備えている。絶縁層４０，４１，４３は、例えばアルミナによって形成されている。本実施の形態では、保護層４４は、ヨーク層４２と絶縁層４３を覆うように配置されている。

連結層２１，１３、リターン磁極層１１、連結層１５、連結部１４Ａ，１４Ｂ、連結層３４，３７、ヨーク層４２および連結層３６，３３は、帰磁路部８１を構成する。帰磁路部８１は、コイル１７，３８によって発生された磁界に対応する磁束を通過させる。帰磁路部８１は、主磁極３１、シールド２２および帰磁路部８１によって囲まれてコイル１７，３８のそれぞれの一部が通過する空間が形成されるように、主磁極３１とシールド２２とを接続している。連結層１３，２１は、シールド２２とリターン磁極層１１とを磁気的に連結している。

次に、シールド２２の機能と、本実施の形態の効果について説明する。シールド２２は、熱アシスト磁気記録ヘッドの外部から熱アシスト磁気記録ヘッドに印加された外乱磁界を取り込む。これにより、外乱磁界が主磁極３１に集中して取り込まれることによって記録媒体に対して誤った記録が行なわれることを防止することができる。また、シールド２２は、主磁極３１の端面３１ａより発生されて記録媒体の面に垂直な方向以外の方向に広がる磁束を取り込んで、この磁束が記録媒体に達することを阻止する機能を有している。これにより、トラックに沿った方向であるトラック長手方向の位置の変化に対する記録磁界強度の変化の勾配（以下、記録磁界強度の勾配と記す。）を大きくすることができる。また、シールド２２と帰磁路部８１は、主磁極３１の端面３１ａより発生されて、記録媒体を磁化した磁束を、主磁極３１に還流させる機能を有している。

また、本実施の形態では、近接場光発生部５１ｇは、媒体対向面８０において、主磁極３１の端面３１ａとシールド２２の端面２２ａとの間に配置されている。これにより、近接場光発生部５１ｇの近傍において、記録磁界強度の勾配が大きな記録磁界を発生させることができる。これらのことから、本実施の形態によれば、線記録密度を高めることが可能になる。

本実施の形態において、シールド２２は、主磁極３１と同様にプラズモンジェネレータ５０の近傍に位置する。そのため、シールド２２の放熱性を高める対策が採られていない場合には、シールド２２の温度が上昇して、第１の実施の形態で説明した比較例のヘッドにおける主磁極３１に関して発生する問題が、シールド２２に関して発生する。これに対し、本実施の形態では、シールド２２の近傍に第３のヒートシンク層４７が設けられている。第３のヒートシンク層４７の材料は、ＳｉＣまたはＡｌＮである。従って、本実施の形態によれば、シールド２２の放熱性を高めて、シールド２２の温度上昇を抑制することができる。

また、本実施の形態では、第３のヒートシンク層４７は、シールド２２に接触している。これにより、本実施の形態によれば、より効果的に、シールド２２の放熱性を高めることができる。

次に、図１８ないし図２２を参照して、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法について説明する。図１８ないし図２２は、熱アシスト磁気記録ヘッドの製造過程における積層体の一部を示す断面図である。図１８ないし図２２において、（ａ）は、それぞれ、主磁極３１の端面３１ａと交差し、媒体対向面８０および基板１の上面１ａに垂直な断面を示している。図１８ないし図２２において、（ｂ）は、それぞれ、積層体における媒体対向面８０が形成される予定の位置の断面を示している。

本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法は、絶縁層１２を研磨する工程までは、第１の実施の形態と同様である。図１８は、絶縁層１２を研磨した後の積層体を示している。

図１９は、次の工程を示す。この工程では、まず、リターン磁極層１１および絶縁層１２の上に、絶縁層１６を形成する。次に、絶縁層１６を選択的にエッチングして、絶縁層１６に、リターン磁極層１１の上面を露出させる２つの開口部を形成する。次に、この２つの開口部の位置で、リターン磁極層１１の上に、連結層１３，１５を形成する。次に、絶縁層１６の上にコイル１７を形成する。次に、コイル１７の巻線間および周囲ならびに連結層１３，１５の周囲に絶縁層１８を形成する。次に、積層体の上面全体の上に絶縁層１９を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、連結層１３，１５、コイル１７および絶縁層１８が露出するまで絶縁層１９を研磨する。

図２０は、次の工程を示す。この工程では、まず、積層体の上面全体の上に絶縁層２０を形成する。次に、絶縁層２０を選択的にエッチングして、絶縁層２０に、連結層１３の上面を露出させる開口部と、連結層１５の上面を露出させる２つの開口部とを形成する。次に、連結層１３および絶縁層１９の上に連結層２１を形成し、連結層１５の上に連結部１４Ａ，１４Ｂのそれぞれの第２層を形成する。次に、積層体の上面全体の上にクラッド層２４を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、連結部１４Ａ，１４Ｂのそれぞれの第２層および連結層２１が露出するまでクラッド層２４を研磨する。

次に、積層体の上面全体の上に、後に第３のヒートシンク層４７となる第３のヒートシンク材料層４７Ｐを形成する。次に、第３のヒートシンク材料層４７Ｐの上に、コア２５の平面形状に対応した形状の開口部を有する図示しないフォトレジストマスクを形成する。次に、フォトレジストマスクをエッチングマスクとして用いて、例えばＲＩＥによって、第３のヒートシンク材料層４７Ｐをエッチングして、第３のヒートシンク材料層４７Ｐに、コア２５を収容するための収容部を形成する。次に、フォトレジストマスクを除去する。次に、第３のヒートシンク材料層４７Ｐの収容部内にコア２５を形成する。

図２１は、次の工程を示す。この工程では、まず、第３のヒートシンク材料層４７Ｐの上に、後に形成される第３のヒートシンク層４７の２つの部分４７１，４７２の平面形状に対応した平面形状を有する図示しないフォトレジストマスクを形成し、コア２５の上に図示しない他のフォトレジストマスクを形成する。次に、これらのフォトレジストマスクをエッチングマスクとして用いて、例えばＲＩＥによって、第３のヒートシンク材料層４７Ｐをエッチングする。これにより、第３のヒートシンク材料層４７Ｐは、２つの部分４７１，４７２に分離され、第３のヒートシンク層４７が完成する。

次に、連結部１４Ａ，１４Ｂのそれぞれの第２層の上に連結部１４Ａ，１４Ｂのそれぞれの第３層を形成し、連結層２１の上にシールド２２を形成する。次に、積層体の上面全体の上にクラッド層２６を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、連結部１４Ａ，１４Ｂのそれぞれの第３層、シールド２２、コア２５および第３のヒートシンク層４７が露出するまでクラッド層２６を研磨する。

図２２は、次の工程を示す。この工程では、まず、積層体の上面全体の上にギャップ層２７を形成する。次に、第１の実施の形態における図７ないし図１３を参照して説明した工程と同様に、絶縁膜２８、誘電体層２９，３２、非磁性層３０、主磁極３１、第１のヒートシンク層４５、第２のヒートシンク層４６およびプラズモンジェネレータ５０を形成する。次に、ギャップ層２７および誘電体層２９，３２を選択的にエッチングして、ギャップ層２７および誘電体層２９，３２に、連結部１４Ａ，１４Ｂのそれぞれの第３層の上面を露出させる２つの開口部を形成する。次に、連結部１４Ａ，１４Ｂのそれぞれの第３層の上に、連結部１４Ａ，１４Ｂのそれぞれの第４層を形成する。

以下、図１５および図１６を参照して、図２２に示した工程の後の工程について説明する。まず、主磁極３１および誘電体層３２の上に連結層３３を形成し、連結部１４Ａ，１４Ｂのそれぞれの第４層および誘電体層３２の上に連結層３４を形成する。次に、積層体の上面全体の上に誘電体層３５を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、連結層３３，３４が露出するまで誘電体層３５を研磨する。

次に、連結層３３の上に連結層３６を形成し、連結層３４の上に連結層３７を形成する。次に、誘電体層３５の上にコイル３８を形成する。次に、コイル３８の巻線間および周囲ならびに連結層３６，３７の周囲に絶縁層３９を形成する。次に、積層体の上面全体の上に絶縁層４０を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、連結層３６，３７、コイル３８および絶縁層３９が露出するまで絶縁層４０を研磨する。

次に、積層体の上面全体の上に絶縁層４１を形成する。次に、絶縁層４１を選択的にエッチングして、絶縁層４１に、連結層３６の上面を露出させる開口部と、連結層３７の上面を露出させる開口部を形成する。次に、連結層３６，３７および絶縁層４１の上に、ヨーク層４２を形成する。次に、積層体の上面全体の上に絶縁層４３を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、ヨーク層４２が露出するまで、絶縁層４３を研磨する。次に、ヨーク層４２および絶縁層４３を覆うように保護層４４を形成する。その後の工程は、第１の実施の形態と同様である。

なお、本実施の形態においても、第１の実施の形態における変形例と同様に、第１のヒートシンク層４５の材料はＡｌＮであってもよい。この場合、絶縁膜２８は設けられていなくてもよく、第１のヒートシンク層４５は、プラズモンジェネレータ５０に接触していてもよい。本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。

［第３の実施の形態］
次に、本発明の第３の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドについて説明する。始めに、図２３を参照して、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドが第２の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドと異なる点について説明する。図２３は、熱アシスト磁気記録ヘッドの構成を示す断面図である。本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドでは、コア２５の位置が第２の実施の形態と異なっている。本実施の形態では、コア２５は、媒体対向面８０との間で主磁極３１を挟む位置に配置されている。具体的には、コア２５は、誘電体層２９および非磁性層３０の上に配置されている。コア２５の端面２５ａは、主磁極３１の第２の端面３１ｂに接触している。

コア２５の下面２５ｃとプラズモンジェネレータ５０の上面との間には、非磁性層３０の一部が介在している。コア２５のトラック幅方向（Ｘ方向）の両側には、第２のヒートシンク層４６の部分４６１の後部４６１２と部分４６２の後部４６２２が、コア２５に対して間隔をあけて配置されている。コア２５、主磁極３１および第２のヒートシンク層４６の周囲には、誘電体層３２（図１５参照）が配置されている。コア２５、誘電体層３２および第２のヒートシンク層４６の上には、誘電体層３５が配置されている。

また、本実施の形態の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドは、連結部１４Ａ，１４Ｂの第２層の代わりに、連結層２３を備えている。連結層２３は、連結層１５の上に配置されている。連結部１４Ａ，１４Ｂの第３層は、連結層２３の上に配置されている。連結層２３の周囲には、絶縁層２０およびクラッド層２４が配置されている。

また、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドでは、連結層３４が設けられていない。代わりに、連結部１４Ａ，１４Ｂは、それぞれ第４層の上に配置された第５層を有している。連結部１４Ａ，１４Ｂの第５層は、誘電体層３５に埋め込まれている。連結層３７は、連結部１４Ａ，１４Ｂの第５層および誘電体層３５の上に配置されている。本実施の形態では、帰磁路部８１は、連結層２１，１３、リターン磁極層１１、連結層１５，２３、連結部１４Ａ，１４Ｂ、連結層３７、ヨーク層４２および連結層３６，３３によって構成されている。

また、本実施の形態では、誘電体層２９，３２，３５および非磁性層３０が導波路のクラッドとして機能する。本実施の形態における誘電体層２９，３２，３５は、コア２５の屈折率よりも小さい屈折率を有する誘電体材料によって形成されている。誘電体層２９，３２，３５の材料としては、例えば、ＳｉＯ_２やアルミナが用いられる。本実施の形態における非磁性層３０は、コア２５の屈折率よりも小さい屈折率を有し、且つアルミナよりも２５℃における熱伝導率が小さい誘電体材料によって形成されている。非磁性層３０の材料としては、例えばＳｉＯ_２が用いられる。

次に、本実施の形態における近接場光発生の原理について説明する。本実施の形態では、コア２５の下面２５ｃが本発明におけるエバネッセント光発生面に対応する。また、プラズモンジェネレータ５０のプラズモン励起部は、伝播部５１の上面５１ｂおよび幅変化部分５２の上面５２ｂのうち、コア２５のエバネッセント光発生面（下面２５ｃ）に対向する部分によって構成されている。第１の実施の形態で説明したように、図示しないレーザダイオードから出射されたレーザ光はコア２５に入射される。図２３に示したように、レーザ光６０は、コア２５内を媒体対向面８０に向けて伝播して、プラズモンジェネレータ５０の近傍に達する。ここで、コア２５のエバネッセント光発生面（下面２５ｃ）において、レーザ光６０が全反射することによって、非磁性層３０内にしみ出すエバネッセント光が発生する。そして、プラズモンジェネレータ５０のプラズモン励起部において、上記エバネッセント光と結合することによって、表面プラズモンが励起される。

本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第２の実施の形態と同様である。

［第４の実施の形態］
次に、本発明の第４の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドについて説明する。始めに、図２４ないし図２７を参照して、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドが第２の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドと異なる点について説明する。図２４は、熱アシスト磁気記録ヘッドの要部を示す正面図である。図２５は、熱アシスト磁気記録ヘッドの構成を示す断面図である。図２６は、熱アシスト磁気記録ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。図２７は、プラズモンジェネレータを示す斜視図である。本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドでは、第１のヒートシンク層４５の部分４５１の側端面４５１ｂと部分４５２の側端面４５２ｂは、それぞれ、基板１の上面１ａから離れるに従って互いの距離が大きくなるように、それぞれ基板１の上面１ａに垂直な方向に対して傾いている。また、第１のヒートシンク層４５は、側端面４５１ｂ，４５２ｂによって構成された溝部を有している。この溝部は、媒体対向面８０に垂直な方向に延びている。この溝部の媒体対向面８０に平行な断面の形状はＶ字形状である。

また、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドは、第２の実施の形態における絶縁膜２８、非磁性層３０、主磁極３１およびプラズモンジェネレータ５０の代わりに、絶縁膜６１、非磁性層６２、主磁極６３およびプラズモンジェネレータ７０を備えている。絶縁膜６１、非磁性層６２、主磁極６３およびプラズモンジェネレータ７０は、それぞれ、絶縁膜２８、非磁性層３０、主磁極３１およびプラズモンジェネレータ５０と同じ材料によって形成されていてもよい。絶縁膜６１は、第１のヒートシンク層４５の部分４５１の側端面４５１ｂおよび上面４５１ｃ、ならびに、部分４５２の側端面４５２ｂおよび上面４５２ｃに沿って配置されている。

プラズモンジェネレータ７０は、絶縁膜６１の上に配置され、絶縁膜６１と同様の形状を有している。プラズモンジェネレータ７０は、側壁部７１と、側壁部７２と、拡張部分７３，７４とを有している。側壁部７１，７２および拡張部分７３，７４は、それぞれ板状の形状を有している。側壁部７１は、絶縁膜６１を介して側端面４５１ｂに対向する第１の斜面を有している。側壁部７２は、絶縁膜６１を介して側端面４５２ｂに対向する第２の斜面を有している。拡張部分７３は、側壁部７１の上端から、側壁部７１，７２の両方から離れる方向に拡張して、絶縁膜６１を介して上面４５１ｃの上に配置されている。拡張部分７４は、側壁部７２の上端から、側壁部７１，７２の両方から離れる方向に拡張して、絶縁膜６１を介して上面４５２ｃの上に配置されている。なお、プラズモンジェネレータ７０は、拡張部分７３，７４を有していなくてもよい。

また、プラズモンジェネレータ７０は、媒体対向面８０に配置された前端面７０ａを有している。前端面７０ａは、表面プラズモンに基づいて近接場光を発生する近接場光発生部７０ｇを含んでいる。また、プラズモンジェネレータ７０は、上記第１の斜面と第２の斜面が交わることによって形成されたエッジ部７０ｅを有している。エッジ部７０ｅは、コア２５の上面２５ｂに対して所定の間隔をあけて、媒体対向面８０に垂直な方向（Ｙ方向）に延びている。上記第１の斜面と第２の斜面がなす角度は、側端面４５１ｂ，４５２ｂがなす角度と等しい。近接場光発生部７０ｇは、エッジ部７０ｅの一端に位置している。

非磁性層６２は、絶縁膜６１との間にプラズモンジェネレータ７０を挟むように、プラズモンジェネレータ７０に沿って配置され、プラズモンジェネレータ７０と同様の形状を有している。

主磁極６３は、媒体対向面８０に配置された端面６３ａと、下端部６３ｃと、上面６３ｄと、２つの側面６３ｅ，６３ｆとを有している。側面６３ｅは、第２のヒートシンク層４６の部分４６１の側端面４６１ｂに接触している。側面６３ｆは、第２のヒートシンク層４６の部分４６２の側端面４６２ｂに接触している。

主磁極６３は、プラズモンジェネレータ７０の側壁部７１，７２に沿った非磁性層６２の一部によって形成された空間内に収容された第１の部分６３１と、第１の部分６３１よりもコア２５から遠い位置に配置された第２の部分６３２とを有している。図２４では、第１の部分６３１と第２の部分６３２との境界を二点鎖線で示している。

なお、プラズモンジェネレータ７０および主磁極６３の形状は、図２４ないし図２７を参照して説明した上記の例に限られない。例えば、プラズモンジェネレータ７０は、エッジ部７０ｅの代わりに平面部を含んでいてもよい。平面部は、幅変化部分を含んでいてもよい。幅変化部分では、媒体対向面８０および基板１の上面１ａに平行な方向（Ｘ方向）についての幅が、媒体対向面８０に近づくに従って小さくなる。また、プラズモンジェネレータ７０は、エッジ部と、このエッジ部よりも媒体対向面８０から遠い位置に配置されてエッジ部に連結された平面とを含んでいてもよい。

次に、本実施の形態における近接場光発生の原理について説明する。第１の実施の形態で説明したように、図示しないレーザダイオードから出射されたレーザ光はコア２５に入射される。図２５に示したように、レーザ光６０は、コア２５内を媒体対向面８０に向けて伝播して、プラズモンジェネレータ７０の近傍に達する。ここで、コア２５のエバネッセント光発生面（上面２５ｂ）において、レーザ光６０が全反射することによって、ギャップ層２７内にしみ出すエバネッセント光が発生する。プラズモンジェネレータ７０は、コア２５のエバネッセント光発生面（上面２５ｂ）に対して所定の間隔をもって対向するプラズモン励起部を有している。本実施の形態では、プラズモン励起部は、エッジ部７０ｅおよびその近傍の部分によって構成されている。プラズモンジェネレータ７０のプラズモン励起部において、上記エバネッセント光と結合することによって、表面プラズモンが励起される。プラズモン励起部に励起された表面プラズモンは、エッジ部７０ｅを伝播して近接場光発生部７０ｇに到達する。その結果、近接場光発生部７０ｇにおいて表面プラズモンが集中し、この表面プラズモンに基づいて、近接場光発生部７０ｇから近接場光が発生する。

次に、図２８ないし図３０を参照して、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法について説明する。図２８ないし図３０は、熱アシスト磁気記録ヘッドの製造過程における積層体の一部を示す断面図である。図２８ないし図３０において、（ａ）は、それぞれ、主磁極３１の端面３１ａと交差し、媒体対向面８０および基板１の上面１ａに垂直な断面を示している。図２８ないし図３０において、（ｂ）は、それぞれ、積層体における媒体対向面８０が形成される予定の位置の断面を示している。

本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法は、ギャップ層２７を形成する工程までは、第２の実施の形態と同様である。

図２８は、ギャップ層２７を形成した後の工程を示している。この工程では、まず、ギャップ層２７の上に、後に第１のヒートシンク層４５となる第１のヒートシンク材料層を形成する。次に、第１のヒートシンク材料層の上に、後に形成される第１のヒートシンク層４５の２つの部分４５１，４５２の平面形状に対応した平面形状を有する図示しないフォトレジストマスクを形成する。次に、フォトレジストマスクをエッチングマスクとして用いて、例えばＲＩＥによって、第１のヒートシンク材料層をエッチングする。これにより、第１のヒートシンク材料層は、２つの部分４５１，４５２に分離され、第１のヒートシンク層４５が完成する。なお、第１のヒートシンク材料層をエッチングする際には、部分４５１の側端面４５１ｂと部分４５２の側端面４５２ｂが、それぞれ基板１の上面１ａに垂直な方向に対して傾くように、第１のヒートシンク材料層をテーパエッチングする。次に、フォトレジストマスクを除去する。

図２９は、次の工程を示す。この工程では、まず、積層体の上面全体の上に絶縁膜６１を形成する。次に、絶縁膜６１の上にプラズモンジェネレータ７０を形成する。次に、積層体の上面全体の上に非磁性層６２を形成する。次に、例えばフレームめっき法によって、非磁性層６２の上に主磁極６３を形成する。次に、非磁性層６２の一部と主磁極６３を覆う図示しないフォトレジストマスクを形成する。次に、フォトレジストマスクをエッチングマスクとして用いて、例えばＲＩＥによって、絶縁膜６１および非磁性層６２のうち、主磁極６３およびフォトレジストマスクの下に存在する部分以外の部分を除去する。次に、フォトレジストマスクを除去する。

図３０は、次の工程を示す。この工程では、まず、積層体の上面全体の上に、後に第２のヒートシンク層４６となる第２のヒートシンク材料層を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、主磁極６３が露出するまで第２のヒートシンク材料層を研磨する。次に、第２のヒートシンク材料層の上に、後に形成される第２のヒートシンク層４６の２つの部分４６１，４６２の平面形状と主磁極３１の平面形状に対応した平面形状を有する図示しないフォトレジストマスクを形成する。次に、フォトレジストマスクをエッチングマスクとして用いて、例えばＲＩＥによって、第２のヒートシンク材料層をエッチングする。これにより、第２のヒートシンク材料層は、２つの部分４６１，４６２に分離され、第２のヒートシンク層４６が完成する。次に、フォトレジストマスクを除去する。その後の工程は、第２の実施の形態と同様である。

本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第２の実施の形態と同様である。

［変形例］
次に、図３１を参照して、本実施の形態における変形例の熱アシスト磁気記録ヘッドについて説明する。図３１は、本実施の形態における変形例の熱アシスト磁気記録ヘッドの要部を示す正面図である。変形例の熱アシスト磁気記録ヘッドでは、第１のヒートシンク層４５の材料はＡｌＮである。また、変形例では、絶縁膜６１が設けられておらず、第１のヒートシンク層４５はプラズモンジェネレータ７０に接触している。変形例の熱アシスト磁気記録ヘッドのその他の構成は、図２４ないし図２６に示した熱アシスト磁気記録ヘッドと同様である。この変形例によれば、第１のヒートシンク層４５がプラズモンジェネレータ７０に接触していることから、より効果的に、プラズモンジェネレータ７０の放熱性を高めることができる。

なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、請求の範囲の要件を満たす限り、導波路のコア、プラズモンジェネレータ、主磁極ならびに第１および第２のヒートシンク層の形状および配置は、各実施の形態に示した例に限られない。例えば、本発明では、主磁極は、プラズモンジェネレータに対して、記録媒体の進行方向（Ｚ方向）の後側に配置されていてもよい。

３０…非磁性層、３１…主磁極、４５…第１のヒートシンク層、４６…第２のヒートシンク層、５０…プラズモンジェネレータ。

Claims (6)

1. 記録媒体に対向する媒体対向面と、
   前記媒体対向面に配置された端面を有し、情報を前記記録媒体に記録するための記録磁界を発生する主磁極と、
   光を伝播させるコアと、前記コアの周囲に配置されたクラッドとを有する導波路と、
   前記媒体対向面に配置された近接場光発生部を有するプラズモンジェネレータであって、前記コアを伝播する光に基づいて前記コアより発生されるエバネッセント光と結合することによって表面プラズモンが励起され、この表面プラズモンに基づいて前記近接場光発生部より近接場光を発生するように構成されたプラズモンジェネレータと、
   磁性材料よりなり、前記媒体対向面に配置された端面を有するシールドとを備えた熱アシスト磁気記録ヘッドであって、
   前記プラズモンジェネレータと主磁極は、前記記録媒体の進行方向に沿って並ぶように配置され、
   前記近接場光発生部は、前記媒体対向面において、前記主磁極の端面と前記シールドの端面との間に配置され、
   前記熱アシスト磁気記録ヘッドは、更に、
   前記プラズモンジェネレータのトラック幅方向の両側に配置された２つの部分を有する第１のヒートシンク層と、
   前記主磁極のトラック幅方向の両側に配置された２つの部分を有する第２のヒートシンク層と、
   前記シールドのトラック幅方向の両側に配置された２つの部分を有する第３のヒートシンク層と、
   前記プラズモンジェネレータと主磁極の間に配置された非磁性層とを備え、
   前記第１ないし第３のヒートシンク層の材料は、ＳｉＣまたはＡｌＮであり、
   前記非磁性層の材料は、アルミナよりも２５℃における熱伝導率が小さいことを特徴とする熱アシスト磁気記録ヘッド。
   
2. 前記第２のヒートシンク層は、前記第１のヒートシンク層に接触していることを特徴とする請求項１記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
3. 前記非磁性層の材料は、ＳｉＯ_２であることを特徴とする請求項１記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
4. 前記第１のヒートシンク層の材料はＳｉＣであり、前記熱アシスト磁気記録ヘッドは、更に、前記プラズモンジェネレータと第１のヒートシンク層との間に配置された絶縁膜を備えたことを特徴とする請求項１記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
5. 前記絶縁膜の材料はアルミナであることを特徴とする請求項４記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
6. 前記第１のヒートシンク層の材料はＡｌＮであり、前記第１のヒートシンク層は、前記プラズモンジェネレータに接触していることを特徴とする請求項１記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。

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