JP5558610B2 - プラズモンジェネレータを有する熱アシスト磁気記録ヘッド - Google Patents

Description

本発明は、記録媒体に近接場光を照射して記録媒体の保磁力を低下させて情報の記録を行う熱アシスト磁気記録に用いられる熱アシスト磁気記録ヘッドに関する。

近年、磁気ディスク装置等の磁気記録装置では、高記録密度化に伴い、薄膜磁気ヘッドおよび記録媒体の性能向上が要求されている。薄膜磁気ヘッドとしては、基板に対して、読み出し用の磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ（Magnetoresistive）素子とも記す。）を有する再生ヘッド部と書き込み用の誘導型電磁変換素子を有する記録ヘッド部とを積層した構造の複合型薄膜磁気ヘッドが広く用いられている。磁気ディスク装置において、薄膜磁気ヘッドは、記録媒体の表面からわずかに浮上するスライダに設けられる。スライダは、記録媒体に対向する媒体対向面を有している。この媒体対向面は、空気流入端（リーディング端）と空気流出端（トレーリング端）とを有している。

ここで、基準の位置に対して、よりリーディング端に近い位置をリーディング側と定義し、基準の位置に対して、よりトレーリング端に近い位置をトレーリング側と定義する。リーディング側は、スライダに対する記録媒体の進行方向の後側である。トレーリング側は、スライダに対する記録媒体の進行方向の前側である。

磁気記録装置において、記録密度を高めるためには、記録媒体の磁性微粒子を小さくすることが効果的である。しかし、磁性微粒子を小さくすると、磁性微粒子の磁化の熱安定性が低下するという問題が発生する。この問題を解消するには、磁性微粒子の異方性エネルギーを大きくすることが効果的である。しかし、磁性微粒子の異方性エネルギーを大きくすると、記録媒体の保磁力が大きくなって、既存の磁気ヘッドでは情報の記録が困難になるという問題が発生する。

上述のような問題を解決する方法として、いわゆる熱アシスト磁気記録という方法が提案されている。この方法では、保磁力の大きな記録媒体を使用し、情報の記録時には、記録媒体のうち情報が記録される部分に対して記録磁界と同時に熱も加えて、その部分の温度を上昇させ保磁力を低下させて情報の記録を行う。情報が記録された部分は、その後、温度が低下して保磁力が大きくなり、磁化の熱安定性が高まる。以下、熱アシスト磁気記録に用いられる磁気ヘッドを、熱アシスト磁気記録ヘッドと呼ぶ。

特許文献１には、記録媒体に対して熱を加える手段として電気抵抗ヒーターを用いた熱アシスト磁気記録ヘッドが記載されている。しかし、このヘッドでは、記録媒体の微小な領域のみを加熱することは困難であり、そのため、記録密度を高めることが困難である。

熱アシスト磁気記録において、記録媒体の微小な領域のみを加熱する方法としては、近接場光を用いる方法が知られている。近接場光を発生させる方法としては、レーザ光によって励起されたプラズモンから近接場光を発生する金属片であるプラズモンジェネレータを用いる方法が知られている。また、一般的に、近接場光の発生に利用されるレーザ光は、スライダに設けられた導波路によって、スライダの媒体対向面の近傍に設けられたプラズモンジェネレータに導かれる。

特許文献２には、導波路のコアの表面とプラズモンジェネレータの表面とをギャップを介して対向させ、コアを伝播する光に基づいてコアの表面で発生するエバネッセント光を用いて、プラズモンジェネレータに表面プラズモンを励起させ、この表面プラズモンに基づいて近接場光を発生させる技術が開示されている。

米国特許第７，０６８，４５３Ｂ２号明細書 米国特許出願公開第２０１１／００５８２７２Ａ１号明細書

近接場光の発生源としてプラズモンジェネレータを用いた熱アシスト磁気記録ヘッドでは、記録ヘッド部が、記録磁界を発生させる主磁極と、プラズモンジェネレータとを含む。主磁極は、媒体対向面に配置された端面を有している。プラズモンジェネレータは、媒体対向面に配置された近接場光発生部を有している。熱アシスト磁気記録ヘッドでは、主磁極の端面とプラズモンジェネレータの近接場光発生部とを近づけることが求められる。

磁気記録装置において、線記録密度を高めるためには、記録媒体のトラックに記録される信号磁化の向きを記録媒体の面に対して垂直な方向とする垂直磁気記録方式を用いると共に、トラック上において、トラックに沿った方向であるトラック長手方向の位置の変化に対する記録磁界強度の変化の勾配（以下、記録磁界強度の勾配と記す。）を大きくすることが有効である。これは、熱アシスト磁気記録を用いる磁気記録装置にも当てはまる。

特許文献２には、主磁極のリーディング側に、媒体対向面に配置された端面を有する下部シールドを設けることによって、記録磁界強度の勾配を大きくする技術が開示されている。しかし、同明細書に開示された熱アシスト磁気記録ヘッドでは、下部シールドと主磁極との間にコアとプラズモンジェネレータとが配置されているため、媒体対向面において、下部シールドの端面と主磁極の端面との間の距離が比較的大きい。そのため、この熱アシスト磁気記録ヘッドでは、下部シールドの機能が十分に発揮されにくいという問題点がある。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、主磁極、プラズモンジェネレータ、導波路およびシールドを含む熱アシスト磁気記録ヘッドであって、線記録密度を高めることができるようにした熱アシスト磁気記録ヘッドを提供することにある。

本発明の第１の態様の熱アシスト磁気記録ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面と、コイルと、主磁極と、シールドと、帰磁路部と、導波路と、プラズモンジェネレータとを備えている。コイルは、記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生する。主磁極は、媒体対向面に配置された第１の端面を有し、コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する。シールドは、磁性材料よりなり、媒体対向面に配置された第２の端面を有している。帰磁路部は、磁性材料よりなり、コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させ、主磁極、シールドおよび帰磁路部によって囲まれてコイルの一部が通過する空間が形成されるように、主磁極とシールドとを接続する。導波路は、媒体対向面に向いた前端面を有し光を伝播させるコアと、コアの周囲に配置されたクラッドとを有している。プラズモンジェネレータは、媒体対向面に配置された近接場光発生部を有し、コアを伝播する光に基づいてプラズモンジェネレータに表面プラズモンが励起され、この表面プラズモンに基づいて近接場光発生部より近接場光を発生するように構成されている。

第１の端面と第２の端面は、記録媒体の進行方向について異なる位置に配置されている。近接場光発生部は、第１の端面と第２の端面の間に配置されている。コアの前端面は、記録媒体の進行方向における両端に位置する第１および第２の端部を有し、第１の端部は、第２の端部よりも、近接場光発生部により近い位置にある。コアの前端面を、第１の端部と第２の端部の中間の位置から第１の端部までの第１の領域と、中間の位置から第２の端部までの第２の領域に分けたときに、主磁極とシールドの一方は、媒体対向面に垂直な方向から見て、コアの前端面のうちの第１の領域にのみオーバーラップする。なお、本明細書において、第１の端部と第２の端部の中間の位置とは、第１の端部と第２の端部の間の位置であって第１の端部と第２の端部の間の距離の１／２だけ第１の端部から離れた位置という意味である。

本発明の第１の態様の熱アシスト磁気記録ヘッドにおいて、主磁極とシールドの一方は、媒体対向面に垂直な方向から見て、コアの前端面のトラック幅方向の外側に配置された少なくとも１つの非オーバーラップ部分を有していてもよい。この場合、帰磁路部は、少なくとも１つの非オーバーラップ部分に接続されていてもよい。また、少なくとも１つの非オーバーラップ部分は、媒体対向面に垂直な方向から見て、コアの前端面のトラック幅方向の両側に配置された２つの非オーバーラップ部分であってもよい。

また、本発明の第１の態様の熱アシスト磁気記録ヘッドにおいて、主磁極とシールドの一方は、媒体対向面に垂直な方向から見て、第１の領域にオーバーラップする第１および第２の部分を有していてもよい。第１および第２の部分は、第１の領域におけるトラック幅方向の中心の両側に位置する。第１および第２の部分は、それぞれ、媒体対向面に垂直な方向の長さであって、第１の領域におけるトラック幅方向の中心から離れるに従って大きくなる長さを有していてもよい。

また、本発明の第１の態様の熱アシスト磁気記録ヘッドにおいて、第１の端面と第２の端面は、互いに５０〜３００ｎｍの範囲内の距離を隔てていてもよい。この距離は、５０〜１００ｎｍの範囲内であってもよい。

また、本発明の第１の態様の熱アシスト磁気記録ヘッドにおいて、コアは、コアを伝播する光に基づいてエバネッセント光を発生するエバネッセント光発生面を有し、プラズモンジェネレータは、エバネッセント光発生面に対して所定の間隔をもって対向するプラズモン励起部を有していてもよい。この場合、プラズモンジェネレータでは、プラズモン励起部において、エバネッセント光発生面より発生されるエバネッセント光と結合することによって表面プラズモンが励起され、この表面プラズモンが近接場光発生部に伝播され、この表面プラズモンに基づいて近接場光発生部より近接場光が発生される。

本発明の第２の態様の熱アシスト磁気記録ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面と、コイルと、主磁極と、導波路と、プラズモンジェネレータとを備えている。コイルは、記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生する。主磁極は、媒体対向面に配置された端面を有し、コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する。導波路は、媒体対向面に向いた前端面を有し光を伝播させるコアと、コアの周囲に配置されたクラッドとを有している。プラズモンジェネレータは、媒体対向面に配置された近接場光発生部を有し、コアを伝播する光に基づいてプラズモンジェネレータに表面プラズモンが励起され、この表面プラズモンに基づいて近接場光発生部より近接場光を発生するように構成されている。

コアの前端面は、記録媒体の進行方向における両端に位置する第１および第２の端部を有し、第１の端部は、第２の端部よりも、近接場光発生部により近い位置にある。コアの前端面を、第１の端部と第２の端部の中間の位置から第１の端部までの第１の領域と、中間の位置から第２の端部までの第２の領域に分けたときに、主磁極は、媒体対向面に垂直な方向から見て、コアの前端面のうちの第１の領域にのみオーバーラップする。

本発明の第２の態様の熱アシスト磁気記録ヘッドにおいて、主磁極は、媒体対向面に垂直な方向から見て、第１の領域にオーバーラップする第１および第２の部分を有していてもよい。第１および第２の部分は、第１の領域におけるトラック幅方向の中心の両側に位置する。第１および第２の部分は、それぞれ、媒体対向面に垂直な方向の長さであって、第１の領域におけるトラック幅方向の中心から離れるに従って大きくなる長さを有していてもよい。

また、本発明の第２の態様の熱アシスト磁気記録ヘッドにおいて、コアは、コアを伝播する光に基づいてエバネッセント光を発生するエバネッセント光発生面を有し、プラズモンジェネレータは、エバネッセント光発生面に対して所定の間隔をもって対向するプラズモン励起部を有していてもよい。この場合、プラズモンジェネレータでは、プラズモン励起部において、エバネッセント光発生面より発生されるエバネッセント光と結合することによって表面プラズモンが励起され、この表面プラズモンが近接場光発生部に伝播され、この表面プラズモンに基づいて近接場光発生部より近接場光が発生される。

本発明の第１の態様の熱アシスト磁気記録ヘッドでは、シールドと主磁極の一方は、媒体対向面に垂直な方向から見て、コアの前端面のうちの第１の領域にのみオーバーラップする。また、本発明の第２の態様の熱アシスト磁気記録ヘッドでは、主磁極は、媒体対向面に垂直な方向から見て、コアの前端面のうちの第１の領域にのみオーバーラップする。これらのことから、本発明の第１および第２の態様の熱アシスト磁気記録ヘッドによれば、近接場光発生部の近傍において、記録磁界強度の勾配が大きな記録磁界を発生させることが可能になり、その結果、線記録密度を高めることが可能になるという効果を奏する。

本発明の第１の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの要部を示す斜視図である。 本発明の第１の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの要部を示す正面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの構成を示す断面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの一部を示す平面図である。 本発明の第１の実施の形態における主磁極の第１の例を示す平面図である。 本発明の第１の実施の形態における主磁極の第２の例を示す平面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法における一工程を示す平面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法における一工程を示す断面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法における一工程を示す断面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法における一工程を示す斜視図である。 図８Ａないし図８Ｄに示した工程に続く工程を示す説明図である。 図９に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図１０に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図１１に示した工程に続く工程を示す説明図である。 本発明の第１の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの変形例の要部を示す斜視図である。 本発明の第１の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの変形例の一部を示す平面図である。 本発明の第２の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの要部を示す斜視図である。 本発明の第２の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの構成を示す断面図である。 本発明の第２の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。 本発明の第２の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの一部を示す平面図である。 本発明の第２の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法における一工程を示す平面図である。 本発明の第２の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法における一工程を示す断面図である。 本発明の第２の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法における一工程を示す断面図である。 本発明の第２の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法における一工程を示す斜視図である。 本発明の第２の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法における他の一工程を示す説明図である。 本発明の第２の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの変形例の要部を示す斜視図である。 本発明の第３の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの要部を示す斜視図である。 本発明の第３の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの構成を示す断面図である。 本発明の第４の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの要部を示す斜視図である。 本発明の第５の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの要部を示す斜視図である。 本発明の第５の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの要部を示す正面図である。 本発明の第５の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの構成を示す断面図である。 本発明の第５の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。 本発明の第５の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの一部を示す平面図である。 本発明の第５の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの他の一部を示す平面図である。 本発明の第６の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの要部を示す斜視図である。 本発明の第６の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの構成を示す断面図である。 本発明の第６の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。 本発明の第６の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの一部を示す平面図である。 本発明の第７の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの要部を示す斜視図である。 本発明の第７の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。 本発明の第７の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの一部を示す平面図である。 本発明の第８の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの要部を示す斜視図である。

［第１の実施の形態］
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。始めに、図１ないし図７を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの構成について説明する。図１は、熱アシスト磁気記録ヘッドの要部を示す斜視図である。図２は、熱アシスト磁気記録ヘッドの要部を示す正面図である。図３は、熱アシスト磁気記録ヘッドの構成を示す断面図である。図４は、熱アシスト磁気記録ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。図５は、熱アシスト磁気記録ヘッドの一部を示す平面図である。図６は、主磁極の第１の例を示す平面図である。図７は、主磁極の第２の例を示す平面図である。

本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドは、垂直磁気記録用であり、回転する記録媒体の表面から浮上するスライダの形態を有している。記録媒体が回転すると、記録媒体とスライダとの間を通過する空気流によって、スライダに揚力が生じる。スライダは、この揚力によって記録媒体の表面から浮上するようになっている。

図３に示したように、熱アシスト磁気記録ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面６０を備えている。ここで、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向を以下のように定義する。Ｘ方向は、記録媒体のトラック横断方向すなわちトラック幅方向である。Ｙ方向は、媒体対向面６０に垂直な方向である。Ｚ方向は、スライダから見た記録媒体の進行方向である。Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向は互いに直交している。

図３および図４に示したように、熱アシスト磁気記録ヘッドは、アルミニウムオキサイド・チタニウムカーバイド（Ａｌ₂Ｏ₃・ＴｉＣ）等のセラミック材料よりなり、上面１ａを有する基板１と、この基板１の上面１ａ上に配置されたアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）等の絶縁材料よりなる絶縁層２と、この絶縁層２の上に配置された磁性材料よりなる下部シールド層３と、下部シールド層３を覆うように配置された絶縁膜である下部シールドギャップ膜４と、この下部シールドギャップ膜４の上に配置された再生素子としてのＭＲ（磁気抵抗効果）素子５と、このＭＲ素子５に接続された２つのリード（図示せず）と、ＭＲ素子５の上に配置された絶縁膜である上部シールドギャップ膜６と、この上部シールドギャップ膜６の上に配置された磁性材料よりなる上部シールド層７とを備えている。Ｚ方向は、基板１の上面１ａに垂直な方向でもある。

ＭＲ素子５の一端部は、記録媒体に対向する媒体対向面６０に配置されている。ＭＲ素子５には、ＡＭＲ（異方性磁気抵抗効果）素子、ＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果）素子あるいはＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）素子等の磁気抵抗効果を示す感磁膜を用いた素子を用いることができる。ＧＭＲ素子としては、磁気的信号検出用の電流を、ＧＭＲ素子を構成する各層の面に対してほぼ平行な方向に流すＣＩＰ（Current In Plane）タイプでもよいし、磁気的信号検出用の電流を、ＧＭＲ素子を構成する各層の面に対してほぼ垂直な方向に流すＣＰＰ（Current Perpendicular to Plane）タイプでもよい。

下部シールド層３から上部シールド層７までの部分は、再生ヘッド部を構成する。熱アシスト磁気記録ヘッドは、更に、上部シールド層７の上に配置された絶縁層８と、この絶縁層８の上に配置された磁性材料よりなる中間シールド層９とを備えている。絶縁層８は、例えばアルミナによって形成されている。

熱アシスト磁気記録ヘッドは、更に、シールド１６と帰磁路部３０と導波路とを備えている。シールド１６および帰磁路部３０は、磁性材料によって形成されている。帰磁路部３０は、連結層３１，３２，３６，３７，３８，３９を有している。導波路は、光を伝播させるコア１３と、コア１３の周囲に配置されたクラッドとを有している。コア１３は、媒体対向面６０に向いた前端面１３ａと、上面であるエバネッセント光発生面１３ｂと、下面１３ｃと、２つの側面１３ｄ，１３ｅとを有している。シールド１６は、コア１３の前端面１３ａの近傍に配置されている。コア１３およびシールド１６の形状および配置については、後で詳しく説明する。

クラッドは、クラッド層１２，１４，１５を含んでいる。クラッド層１２は、中間シールド層９の上に配置されている。コア１３は、クラッド層１２の上に配置されている。連結層３１，３２は、コア１３のトラック幅方向（Ｘ方向）の両側において、コア１３に対して間隔をあけて、クラッド層１２の上に配置されている。クラッド層１４は、コア１３、シールド１６および連結層３１，３２の周囲においてクラッド層１２の上に配置されている。

連結層３１，３２は、それぞれ媒体対向面６０に垂直な方向（Ｙ方向）に延びている。連結層３１，３２のトラック幅方向（Ｘ方向）の幅は、媒体対向面６０の近傍では、媒体対向面６０からの距離によらずに一定であり、媒体対向面６０から離れた位置では、媒体対向面６０における幅よりも大きくなっている。連結層３６は、媒体対向面６０から離れた位置において連結層３１の上に配置されている。連結層３７は、媒体対向面６０から離れた位置において連結層３２の上に配置されている。クラッド層１５は、連結層３６，３７の周囲においてコア１３、クラッド層１４、シールド１６および連結層３１，３２の上に配置されている。

コア１３は、近接場光の発生に用いられるレーザ光を通過させる誘電体材料によって形成されている。コア１３には、図示しないレーザダイオードから出射されたレーザ光が入射され、このレーザ光はコア１３内を伝播する。クラッド層１２，１４，１５は、コア１３の屈折率よりも小さい屈折率を有する誘電体材料によって形成されている。コア１３の材料としては、例えば、Ｔａ_２Ｏ_５等の酸化タンタルや酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）が用いられ、クラッド層１２，１４，１５の材料としては、例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）やアルミナが用いられる。

熱アシスト磁気記録ヘッドは、更に、媒体対向面６０の近傍において、コア１３およびシールド１６の上方に配置された主磁極１９と、コア１３およびシールド１６の各々と主磁極１９との間に配置されたプラズモンジェネレータ４０とを備えている。プラズモンジェネレータ４０は、後で説明する原理によって表面プラズモンが励起されるものである。プラズモンジェネレータ４０は、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｉｒのいずれか、またはこれらのうちの複数の元素よりなる合金によって形成されている。主磁極１９およびプラズモンジェネレータ４０の形状および配置については、後で詳しく説明する。

熱アシスト磁気記録ヘッドは、更に、プラズモンジェネレータ４０の一部とクラッド層１５を覆うように配置された誘電体層１７と、プラズモンジェネレータ４０および誘電体層１７の上に配置された誘電体層１８とを備えている。誘電体層１７の厚み（Ｚ方向の寸法）は、媒体対向面６０から離れた位置且つプラズモンジェネレータ４０と主磁極１９の間において、媒体対向面６０から離れるに従って、徐々に大きくなった後、一定の大きさになっている。

連結層３６，３７の一部は、誘電体層１７，１８に埋め込まれている。連結層３８は、連結層３６，３７および誘電体層１８の上に配置されている。熱アシスト磁気記録ヘッドは、更に、主磁極１９および連結層３８の周囲に配置された誘電体層２４を備えている。主磁極１９、連結層３８および誘電体層２４の上面は平坦化されている。誘電体層１７，１８，２４は、例えば、クラッド層１２，１４，１５と同じ材料によって形成されている。

熱アシスト磁気記録ヘッドは、更に、誘電体層２４の上に配置されたコイル２５と、コイル２５を覆うように配置された絶縁層２６とを備えている。連結層３９は、主磁極１９、絶縁層２６および連結層３８の上に配置され、主磁極１９と連結層３８を磁気的に連結している。コイル２５は、平面渦巻き形状をなし、連結層３９のうち連結層３８の上に配置された部分を中心として巻回されている。コイル２５は、銅等の導電材料によって形成されている。絶縁層２６は、例えばアルミナによって形成されている。

熱アシスト磁気記録ヘッドは、更に、連結層３９を覆うように配置された保護層２７を備えている。保護層２７は、例えばアルミナによって形成されている。

クラッド層１２から連結層３９までの部分は、記録ヘッド部を構成する。コイル２５は、記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生する。シールド１６、帰磁路部３０（連結層３１，３２，３６〜３９）および主磁極１９は、コイル２５が発生する磁界に対応した磁束を通過させる磁路を形成する。主磁極１９は、コイル２５によって発生された磁界に対応する磁束を通過させて、垂直磁気記録方式によって情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する。

以上説明したように、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面６０と再生ヘッド部と記録ヘッド部とを備えている。再生ヘッド部と記録ヘッド部は、基板１の上に積層されている。記録ヘッド部は、再生ヘッド部に対して、記録媒体の進行方向（Ｚ方向）の前側（トレーリング側）に配置されている。

記録ヘッド部は、コイル２５と、主磁極１９と、導波路と、シールド１６と、帰磁路部３０と、プラズモンジェネレータ４０とを備えている。図３および図４に示したように、帰磁路部３０は、連結層３１，３２，３６〜３９を有し、主磁極１９、シールド１６および帰磁路部３０によって囲まれてコイル２５の一部が通過する空間が形成されるように、主磁極１９とシールド１６とを接続している。

導波路は、コア１３とクラッドとを有している。クラッドは、クラッド層１２，１４，１５を含んでいる。主磁極１９は、コア１３およびシールド１６に対して、記録媒体の進行方向（Ｚ方向）の前側に配置されている。コア１３は、前端面１３ａとエバネッセント光発生面１３ｂとを有している。プラズモンジェネレータ４０は、コア１３のエバネッセント光発生面１３ｂおよびシールド１６の上面の上方であって、コア１３およびシールド１６の各々と主磁極１９との間に配置されている。

以下、主磁極１９、シールド１６、コア１３およびプラズモンジェネレータ４０について詳しく説明する。始めに、図１および図５を参照して、プラズモンジェネレータ４０の形状について説明する。プラズモンジェネレータ４０は、下面であるプラズモン励起部４０ａと、上面４０ｂと、２つの側面４０ｃ，４０ｄと、前端面４０ｅと、後端面４０ｆとを有している。前端面４０ｅは、媒体対向面６０に配置され、プラズモン励起部４０ａ、上面４０ｂおよび２つの側面４０ｃ，４０ｄを連結している。前端面４０ｅは、プラズモン励起部４０ａの前端に位置する近接場光発生部４０ｇを有している。近接場光発生部４０ｇは、後で説明する原理によって近接場光を発生する。媒体対向面６０に平行なプラズモンジェネレータ４０の断面の形状は、例えば矩形である。プラズモンジェネレータ４０の厚み（Ｚ方向の寸法）は、媒体対向面６０からの距離によらずにほぼ一定である。

また、図５に示したように、プラズモンジェネレータ４０は、媒体対向面６０の近傍に配置された細幅部４１と、この細幅部４１よりも媒体対向面６０から遠い位置に配置された幅広部４２とを備えている。媒体対向面６０およびエバネッセント光発生面１３ｂに平行な方向（Ｘ方向）についての細幅部４１の幅は、媒体対向面６０からの距離によらずに一定であってもよいし、媒体対向面６０に近づくに従って小さくなっていてもよい。幅広部４２は、細幅部４１に対して前端面４０ｅとは反対側に位置して細幅部４１に連結されている。幅広部４２のトラック幅方向（Ｘ方向）の幅は、細幅部４１との境界の位置では細幅部４１と等しく、それ以外の位置では細幅部４１よりも大きくなっている。

前端面４０ｅの幅（トラック幅方向（Ｘ方向）の寸法）は、媒体対向面６０における細幅部４１の幅によって規定される。前端面４０ｅの幅は、例えば５〜４０ｎｍの範囲内である。また、前端面４０ｅの高さ（Ｚ方向の寸法）は、媒体対向面６０における細幅部４１の高さによって規定される。前端面４０ｅの高さは、例えば５〜４０ｎｍの範囲内である。

次に、図３、図６および図７を参照して、主磁極１９の形状について説明する。主磁極１９は、媒体対向面６０に配置された第１の端面１９ａと、その反対側の後端面１９ｂと、下面１９ｃと、上面１９ｄと、２つの側面１９ｅ，１９ｆとを有している。また、図６および図７に示したように、主磁極１９は、媒体対向面６０に配置された端面とその反対側の端部とを有する細幅部１９Ａと、細幅部１９Ａの端部に接続された幅広部１９Ｂとを含んでいる。幅広部１９Ｂのトラック幅方向（Ｘ方向）の幅は、細幅部１９Ａのトラック幅方向（Ｘ方向）の幅よりも大きい。

細幅部１９Ａのトラック幅方向の幅は、媒体対向面６０からの距離によらずにほぼ一定である。図６に示した主磁極１９の第１の例では、幅広部１９Ｂのトラック幅方向の幅は、細幅部１９Ａとの境界位置では細幅部１９Ａのトラック幅方向の幅と等しく、媒体対向面６０から離れるに従って、徐々に大きくなった後、一定の大きさになっている。図７に示した主磁極１９の第２の例では、幅広部１９Ｂのトラック幅方向の幅は、媒体対向面６０からの距離によらずにほぼ一定である。媒体対向面６０に垂直な方向（Ｙ方向）についての細幅部１９Ａの長さは、例えば０〜０．３μｍの範囲内である。この長さが０の場合は、細幅部１９Ａがなく、幅広部１９Ｂの端面が媒体対向面６０に配置される。

次に、図１ないし図３、図５を参照して、シールド１６およびコア１３の形状および配置について説明する。シールド１６は、媒体対向面６０に配置された第２の端面１６ａと、その反対側の後端面１６ｂと、下面１６ｃと、上面１６ｄと、２つの側面１６ｅ，１６ｆとを有している。また、シールド１６は、トラック幅方向（Ｘ方向）の寸法が、基板１の上面１ａに垂直な方向（Ｚ方向）の寸法よりも大きい形状を有している。

主磁極１９の第１の端面１９ａとシールド１６の第２の端面１６ａは、記録媒体の進行方向（Ｚ方向）について異なる位置に配置されている。本実施の形態では特に、第１の端面１９ａは、第２の端面１６ａに対して、記録媒体の進行方向の前側に配置されている。近接場光発生部４０ｇは、第１の端面１９ａと第２の端面１６ａの間に配置されている。ここで、図２に示したように、第１の端面１９ａと第２の端面１６ａとの間の距離を記号Ｄで表す。距離Ｄは、５０〜３００ｎｍの範囲内であることが好ましく、５０〜１００ｎｍの範囲内であることがより好ましい。

図２および図３に示したように、コア１３の前端面１３ａは、媒体対向面６０から離れた位置に配置された第１の部分１３ａ１と、媒体対向面６０に配置された第２の部分１３ａ２とを含んでいる。本実施の形態では、第２の部分１３ａ２は、第１の部分１３ａ１に対して記録媒体の進行方向の後側に配置されている。また、第１の部分１３ａ１と第２の部分１３ａ２の間には、段差が形成されている。なお、前端面１３ａは、その全体が媒体対向面６０から離れた位置に配置されていてもよい。

また、図１および図２に示したように、前端面１３ａは、記録媒体の進行方向（Ｚ方向）における両端に位置する第１の端部Ｅ１および第２の端部Ｅ２を有している。第１の端部Ｅ１は、第２の端部Ｅ２に対して、記録媒体の進行方向の前側に配置されている。従って、第１の端部Ｅ１は、第２の端部Ｅ２よりも、近接場光発生部４０ｇにより近い位置にある。第１の端部Ｅ１は、第１の部分１３ａ１の記録媒体の進行方向の前側の端部でもある。第２の端部Ｅ２は、第２の部分１３ａ２の記録媒体の進行方向の後側の端部でもある。

図２において、点線は、第１の端部Ｅ１と第２の端部Ｅ２の中間の位置を示している。以下、この中間の位置を記号Ｃで表す。また、前端面１３ａを、中間の位置Ｃから第１の端部Ｅ１までの第１の領域Ｒ１と、中間の位置Ｃから第２の端部Ｅ２までの第２の領域Ｒ２に分ける。第１の領域Ｒ１には、第１の部分１３ａ１と、第２の部分１３ａ２の一部が含まれる。第２の領域Ｒ２には、第２の部分１３ａ２の残りの部分が含まれる。

シールド１６は、媒体対向面６０に垂直な方向（Ｙ方向）から見て、コア１３の前端面１３ａのうちの第１の領域Ｒ１にのみオーバーラップしている。シールド１６は、特に、第１の領域Ｒ１のうちの第１の部分１３ａ１にのみオーバーラップしている。シールド１６の後端面１６ｂの一部は、第１の部分１３ａ１に対向している。なお、後端面１６ｂの一部は、第１の部分１３ａ１に接していてもよいし、接していなくてもよい。後者の場合には、後端面１６ｂの一部と第１の部分１３ａ１の間にクラッドの一部が介在していてもよい。

シールド１６は、媒体対向面６０に垂直な方向から見て第１の領域Ｒ１（第１の部分１３ａ１）にオーバーラップするオーバーラップ部分１６１と、オーバーラップ部分１６１のトラック幅方向（Ｘ方向）の両側に配置された２つの非オーバーラップ部分１６２，１６３とを有している。図５では、オーバーラップ部分１６１と非オーバーラップ部分１６２，１６３の境界を点線で示している。オーバーラップ部分１６１は、第１の領域Ｒ１のトラック幅方向の中心の両側に位置する第１の部分１６１Ａおよび第２の部分１６１Ｂを含んでいる。第１および第２の部分１６１Ａ，１６１Ｂは、媒体対向面６０に垂直な方向から見て第１の領域Ｒ１（第１の部分１３ａ１）にオーバーラップしている。図５に示したように、第１および第２の部分１６１Ａ，１６１Ｂは、それぞれ、媒体対向面６０に垂直な方向の長さであって、第１の領域Ｒ１におけるトラック幅方向の中心から離れるに従って大きくなる長さを有している。オーバーラップ部分１６１は、第１および第２の部分１６１Ａ，１６１Ｂの他に、第１の部分１６１Ａと第２の部分１６１Ｂの間に位置する第３の部分を含んでいてもよい。第３の部分における媒体対向面６０に垂直な方向の長さは、トラック幅方向の位置によらずに一定である。

２つの非オーバーラップ部分１６２，１６３は、媒体対向面６０に垂直な方向から見て、コア１３の前端面１３ａのトラック幅方向の両側に配置されている。従って、非オーバーラップ部分１６２，１６３は、前端面１３ａにオーバーラップしていない。媒体対向面６０に垂直な方向についての非オーバーラップ部分１６２，１６３のそれぞれの最大の長さは、同方向についてのオーバーラップ部分１６１の長さよりも大きい。帰磁路部３０の連結層３１は、非オーバーラップ部分１６２に接続されている。具体的には、連結層３１は、シールド１６の後端面１６ｂおよび下面１６ｃのうちの非オーバーラップ部分１６２に属する部分に接している。帰磁路部３０の連結層３２は、非オーバーラップ部分１６３に接続されている。具体的には、連結層３２は、シールド１６の後端面１６ｂおよび下面１６ｃのうちの非オーバーラップ部分１６３に属する部分に接している。

シールド１６の上面１６ｄとコア１３のエバネッセント光発生面１３ｂは、同一平面上に位置している。なお、後で、他の実施の形態で説明するように、上面１６ｄとエバネッセント光発生面１３ｂは、記録媒体の進行方向（Ｚ方向）について異なる位置に配置されていてもよい。プラズモンジェネレータ４０のプラズモン励起部４０ａは、上面１６ｄおよびエバネッセント光発生面１３ｂに対して所定の間隔をもって対向している。上面１６ｄおよびエバネッセント光発生面１３ｂの各々とプラズモン励起部４０ａとの間には、クラッド層１５の一部が介在している。

主磁極１９の下面１９ｃは、誘電体層１７，１８を介してプラズモンジェネレータ４０の上面４０ｂの一部に対向している。下面１９ｃの一部における任意の位置の基板１の上面１ａからの距離は、任意の位置が媒体対向面６０から離れるに従って大きくなっている。その結果、下面１９ｃの一部とコア１３のエバネッセント光発生面１３ｂとの間の距離は、媒体対向面６０から離れるに従って大きくなっている。これにより、本実施の形態によれば、コア１３を伝播する光の一部が主磁極１９に吸収されることを防止することができると共に、プラズモン励起部４０ａに励起された表面プラズモンの一部が主磁極１９に吸収されることを防止することができる。

次に、本実施の形態における近接場光発生の原理と、近接場光を用いた熱アシスト磁気記録の原理について詳しく説明する。図示しないレーザダイオードから出射されたレーザ光はコア１３に入射される。図３に示したように、レーザ光５０は、コア１３内を媒体対向面６０に向けて伝播して、プラズモンジェネレータ４０の近傍に達する。コア１３のエバネッセント光発生面１３ｂは、コア１３を伝播するレーザ光５０に基づいてエバネッセント光を発生する。すなわち、エバネッセント光発生面１３ｂにおいてレーザ光５０が全反射することによって、エバネッセント光発生面１３ｂは、クラッド層１５にしみ出すエバネッセント光を発生する。プラズモンジェネレータ４０では、プラズモン励起部４０ａにおいて、上記エバネッセント光と結合することによって表面プラズモンが励起され、この表面プラズモンが近接場光発生部４０ｇに伝播され、この表面プラズモンに基づいて近接場光発生部４０ｇより近接場光を発生する。

近接場光発生部４０ｇより発生された近接場光は、記録媒体に向けて照射され、記録媒体の表面に達し、記録媒体の磁気記録層の一部を加熱する。これにより、その磁気記録層の一部の保磁力が低下する。熱アシスト磁気記録では、このようにして保磁力が低下した磁気記録層の一部に対して、主磁極１９より発生される記録磁界を印加することによってデータの記録が行われる。

次に、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッド特有の作用および効果について説明する。本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドにおいて、シールド１６は、熱アシスト磁気記録ヘッドの外部から熱アシスト磁気記録ヘッドに印加された外乱磁界を取り込む。これにより、外乱磁界が主磁極１９に集中して取り込まれることによって記録媒体に対して誤った記録が行なわれることを防止することができる。また、シールド１６は、主磁極１９の第１の端面１９ａより発生されて記録媒体の面に垂直な方向以外の方向に広がる磁束を取り込んで、この磁束が記録媒体に達することを阻止する機能を有している。これにより、記録磁界強度の勾配を大きくすることができる。また、シールド１６と帰磁路部３０は、主磁極１９の第１の端面１９ａより発生されて、記録媒体を磁化した磁束を、主磁極１９に還流させる機能を有している。

ここで、特許文献２に開示されているような、下部シールドと主磁極との間にコアとプラズモンジェネレータとが配置された構成の比較例のヘッドについて考える。この比較例のヘッドでは、媒体対向面における主磁極の端面と下部シールドの端面との間の距離が、本実施の形態における主磁極１９の第１の端面１９ａとシールド１６の第２の端面１６ａとの間の距離Ｄよりも、少なくともコアの厚みの分だけ大きくなる。そのため、比較例のヘッドでは、下部シールドの機能が十分に発揮されず、記録磁界強度の勾配を大きくして線記録密度を高めることは難しい。

これに対し、本実施の形態では、シールド１６は、媒体対向面６０に垂直な方向から見て、コア１３の前端面１３ａのうち、主磁極１９により近い第１の領域Ｒ１にのみオーバーラップしている。これにより、本実施の形態によれば、比較例のヘッドに比べて、容易に、主磁極１９の第１の端面１９ａとシールド１６の第２の端面１６ａとを近づけることができる。具体的には、本実施の形態によれば、容易に、距離Ｄが５０〜３００ｎｍの範囲内となるように、第１の端面１９ａと第２の端面１６ａとを近づけることが可能である。その結果、本実施の形態によれば、前述のシールド１６の機能を効果的に発揮させて、記録磁界強度の勾配を大きくすることが可能になる。なお、距離Ｄの下限値５０ｎｍは、第１の端面１９ａと第２の端面１６ａの間に近接場光発生部４０ｇを配置するために必要な大きさである。記録磁界強度の勾配を大きくするためには、距離Ｄは小さい方がよい。これらのことから、距離Ｄは、５０〜３００ｎｍの範囲内であることが好ましく、５０〜１００ｎｍの範囲内であることがより好ましい。

また、本実施の形態では、プラズモンジェネレータ４０の近接場光発生部４０ｇは、媒体対向面６０において、第１の端面１９ａと第２の端面１６ａとの間に配置されている。これにより、近接場光発生部４０ｇの近傍において、記録磁界強度の勾配が大きな記録磁界を発生させることができる。これらのことから、本実施の形態によれば、線記録密度を高めることが可能になる。

なお、比較例のヘッドにおいて、コアの前端面を媒体対向面から離れた位置に配置し、コアの前端面と媒体対向面との間に下部シールドを配置することも考えられる。この場合には、下部シールドとコアの前端面が広い面積にわたって対向する。この構成では、コアを伝播する光が前端面を通過して下部シールドに入射し、下部シールドが加熱されて膨張し、下部シールドが記録媒体に向けて突出し、記録媒体に衝突しやすくなるという問題が発生する。これを防止するため、媒体対向面と記録媒体との距離を大きくすると、オーバーライト特性等の記録特性が劣化したり、エラーレートが大きくなったりするといった問題が発生する。これに対し、本実施の形態では、シールド１６は、媒体対向面６０に垂直な方向から見て、前端面１３ａのうちの第１の領域Ｒ１にのみオーバーラップしている。すなわち、前端面１３ａのうち少なくとも第２の領域Ｒ２と媒体対向面６０との間には、シールド１６が存在していない。これにより、本実施の形態によれば、シールド１６とコア１３の前端面１３ａが広い面積にわたって対向することがなく、上記の問題が発生することを防止することができる。

また、本実施の形態では、シールド１６は、トラック幅方向（Ｘ方向）の寸法が、基板１の上面１ａに垂直な方向（Ｚ方向）の寸法よりも大きい形状を有している。そのため、シールド１６が、前端面１３ａのうちの第１の領域Ｒ１にのみオーバーラップしていても、シールド１６のトラック幅方向の両側の２つの部分の少なくとも一方に、帰磁路部３０を接続することが可能である。

上記の問題の発生をより確実に防止するために、前端面１３ａのうち、媒体対向面６０に垂直な方向から見てシールド１６がオーバーラップする領域は、中間の位置Ｃよりも第１の端部Ｅ１により近い位置（第１の端部Ｅ１は含まない）から第１の端部Ｅ１までの領域のみであってもよい。例えば、前端面１３ａのうち、媒体対向面６０に垂直な方向から見てシールド１６がオーバーラップする領域は、第１の端部Ｅ１と第２の端部Ｅ２の間の位置であって第１の端部Ｅ１と第２の端部Ｅ２の間の距離の１／４だけ第１の端部Ｅ１から離れた位置から、第１の端部Ｅ１までの領域のみであってもよい。本実施の形態では、この要件を満たしている。

また、本実施の形態では、プラズモンジェネレータ４０のリーディング側であって、近接場光発生部４０ｇの近傍に、金属磁性材料よりなるシールド１６が設けられている。シールド１６の上面１６ｄは、プラズモンジェネレータ４０のプラズモン励起部４０ａに近いことから、この上面１６ｄにも表面プラズモンが励起される。そして、近接場光発生部４０ｇの近傍において、プラズモン励起部４０ａ上の表面プラズモンが発生する電気力線と、シールド１６の上面１６ｄ上の表面プラズモンが発生する電気力線とが互いに結ばれて、近接場光発生部４０ｇの近傍の狭い範囲内で、高密度の電気力線が発生する。これにより、近接場光発生部４０ｇより発生される近接場光の広がりが抑制される。このように、本実施の形態におけるシールド１６は、近接場光の広がりを抑制する機能も有する。そして、この機能により、本実施の形態によれば、トラック幅を縮小して、記録密度を高めることが可能になる。

また、本実施の形態では、シールド１６のオーバーラップ部分１６１は、第１および第２の部分１６１Ａ，１６１Ｂを含み、第１および第２の部分１６１Ａ，１６１Ｂの媒体対向面６０に垂直な方向の長さは、第１の領域Ｒ１におけるトラック幅方向の中心から離れるに従って大きくなっている。これにより、本実施の形態によれば、シールド１６の途中で磁束が飽和することを防止しながら、シールド１６の前述の機能を高めることができる。

次に、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法について説明する。この熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法は、複数の熱アシスト磁気記録ヘッドの基板１となる部分を含む基板上に、複数の熱アシスト磁気記録ヘッドの基板１以外の構成要素を形成して、それぞれ後に熱アシスト磁気記録ヘッドとなるヘッド予定部が複数列に配列された基礎構造物を作製する工程と、この基礎構造物を切断することによって複数のヘッド予定部を互いに分離して、複数の熱アシスト磁気記録ヘッドを形成する工程とを備えている。複数の熱アシスト磁気記録ヘッドを形成する工程では、切断によって形成された面を研磨して媒体対向面６０を形成する。

以下、１つの熱アシスト磁気記録ヘッドに注目して、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法を更に詳しく説明する。この熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法では、まず、基板１の上に、絶縁層２、下部シールド層３および下部シールドギャップ膜４を順に形成する。次に、下部シールドギャップ膜４の上にＭＲ素子５と、ＭＲ素子５に接続される図示しない２つのリードとを形成する。次に、ＭＲ素子５およびリードを覆うように上部シールドギャップ膜６を形成する。次に、上部シールドギャップ膜６の上に、上部シールド層７、絶縁層８、中間シールド層９およびクラッド層１２を順に形成する。

以下、図８Ａないし図８Ｄならびに図９ないし図１２を参照して、クラッド層１２を形成した後、シールド１６を形成するまでの工程について説明する。図８Ａないし図８Ｄならびに図９ないし図１２は、熱アシスト磁気記録ヘッドの製造過程における積層体を示している。図８Ａおよび図９ないし図１２の（ａ）は、積層体の一部を示す平面図である。図８Ｂ、図８Ｃ、図９ないし図１２の（ｂ）および（ｃ）は、積層体の一部を示す断面図である。図８Ｄは、積層体の一部を示す斜視図である。なお、図８Ｂないし図８Ｄ、図９ないし図１２の（ｂ）および（ｃ）では、クラッド層１２よりも下の部分を省略している。図８Ｂおよび図９ないし図１２の（ｂ）は、それぞれ、主磁極１９の第１の端面１９ａと交差し、媒体対向面６０および基板１の上面１ａに垂直な断面を示している。図８Ｃ、図９ないし図１２の（ｃ）は、それぞれ、積層体における媒体対向面６０が形成される予定の位置の断面を示している。図８Ａ、図８Ｂ、図９ないし図１２の（ａ）および（ｂ）において、記号“ＡＢＳ”は、媒体対向面６０が形成される予定の位置を表している。

図８Ａないし図８Ｄは、クラッド層１２を形成した後の工程を示している。この工程では、まず、クラッド層１２の上に、コア１３および連結層３１，３２を形成する。次に、コア１３および連結層３１，３２を覆うようにクラッド層１４を形成する。次に、例えば化学機械研磨（以下、ＣＭＰと記す。）によって、コア１３および連結層３１，３２が露出するまでクラッド層１４を研磨する。

図９は、次の工程を示す。この工程では、まず、積層体の上面の上に、シールド１６の平面形状に対応した形状の開口部７０ａを有するマスク７０を形成する。マスク７０は、後に容易に除去できるように、図９（ｂ）に示したように、アンダーカットを有する形状のものであることが好ましい。アンダーカットを有する形状のマスク７０としては、例えば、図９（ｂ）に示したように、下層７１と上層７２からなるものを用いることができる。上層７２は、フォトリソグラフィによってパターニングされたフォトレジストによって形成されている。下層７１は、例えば、上層７２をパターニングする際に用いられる現像液によって溶解される材料によって形成されている。

次に、マスク７０をエッチングマスクとして用いて、例えばイオンビームエッチングによって、コア１３、クラッド層１４および連結層３１，３２の一部をエッチングする。これにより、積層体に後に形成されるシールド１６を収容するための溝部が形成されると共に、コア１３の前端面１３ａの第１の部分１３ａ１が形成される。

図１０は、次の工程を示す。この工程では、例えばイオンビームデポジション法によって、積層体の上面全体の上に、後にシールド１６となる磁性層１６Ｐを形成する。磁性層１６Ｐを形成するための材料は、前述の溝部上およびマスク７０の上層７２の表面上に堆積する。このうち、溝部上に堆積した部分が磁性層１６Ｐとなる。磁性層１６Ｐは、その上面が、コア１３のエバネッセント光発生面１３ｂよりも上方に配置されるように形成される。

次に、図１１に示したように、マスク７０をリフトオフする。次に、図１２に示したように、磁性層１６Ｐの上面がエバネッセント光発生面１３ｂの位置に達するまで、例えばＣＭＰによって、磁性層１６Ｐの上面をわずかに研磨する。これにより、磁性層１６Ｐはシールド１６となる。

以下、図３および図４を参照して、シールド１６を形成した後の工程について説明する。まず、積層体の上面全体の上にクラッド層１５を形成する。次に、クラッド層１５の上に、プラズモンジェネレータ４０、誘電体層１７および誘電体層１８を順に形成する。次に、クラッド層１５および誘電体層１７，１８を選択的にエッチングして、クラッド層１５および誘電体層１７，１８に、連結層３１，３２の上面を露出させる２つの開口部を形成する。次に、この２つの開口部の位置で、連結層３１，３２の上に連結層３６，３７を形成する。次に、誘電体層１８の上に主磁極１９を形成し、誘電体層１８および連結層３６，３７の上に連結層３８を形成する。次に、主磁極１９および連結層３８を覆うように誘電体層２４を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、主磁極１９および連結層３８が露出するまで誘電体層２４を研磨する。

次に、誘電体層２４の上にコイル２５を形成する。次に、コイル２５を覆うように絶縁層２６を形成する。次に、主磁極１９、絶縁層２６および連結層３８の上に、連結層３９を形成する。次に、連結層３９を覆うように保護層２７を形成する。次に、保護層２７の上面に配線や端子等を形成する。このようにして、基礎構造物が完成したら、この基礎構造物を切断することによって複数のヘッド予定部を互いに分離し、研磨による媒体対向面６０の形成、浮上用レールの作製等を行って、熱アシスト磁気記録ヘッドが完成する。媒体対向面６０が形成されることにより、コア１３の前端面１３ａの第２の部分１３ａ２が形成される。

［変形例］
次に、図１３および図１４を参照して、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの変形例について説明する。図１３は、熱アシスト磁気記録ヘッドの変形例の要部を示す斜視図である。図１４は、熱アシスト磁気記録ヘッドの変形例の一部を示す平面図である。変形例では、シールド１６は、図２および図５に示したオーバーラップ部分１６１の代わりに、オーバーラップ部分１６４を有している。図１３では、オーバーラップ部分１６４と非オーバーラップ部分１６２，１６３の境界を点線で示している。オーバーラップ部分１６４は、媒体対向面６０に垂直な方向から見て第１の領域Ｒ１（図２参照）にオーバーラップしている。図１４に示したように、オーバーラップ部分１６４の媒体対向面６０に垂直な方向（Ｙ方向）の長さは、トラック幅方向（Ｘ方向）の位置によらずに一定である。媒体対向面６０に垂直な方向についての非オーバーラップ部分１６２，１６３のそれぞれの最大の長さは、同方向についてのオーバーラップ部分１６４の長さよりも大きい。

［第２の実施の形態］
次に、本発明の第２の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドについて説明する。始めに、図１５ないし図１８を参照して、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの構成について説明する。図１５は、熱アシスト磁気記録ヘッドの要部を示す斜視図である。図１６は、熱アシスト磁気記録ヘッドの構成を示す断面図である。図１７は、熱アシスト磁気記録ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。図１８は、熱アシスト磁気記録ヘッドの一部を示す平面図である。

本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの構成は、以下の点で第１の実施の形態と異なっている。本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドでは、帰磁路部３０は、連結層３１，３２の代わりに、連結層３３，３４，３５を有している。また、熱アシスト磁気記録ヘッドは、中間シールド層９とクラッド層１２との間に配置された非磁性材料よりなる非磁性層１０と、図示しない絶縁層とを備えている。連結層３３は、媒体対向面６０に配置された端面を有し、非磁性層１０とクラッド層１２との間に配置されている。媒体対向面６０から離れた位置における連結層３３のトラック幅方向（Ｘ方向）の幅は、媒体対向面６０における幅よりも大きい。図示しない絶縁層は、非磁性層１０とクラッド層１２との間において連結層３３の周囲に配置されている。非磁性層１０および図示しない絶縁層は、例えばアルミナによって形成されている。

連結層３４，３５は、媒体対向面６０の近傍に配置され、且つ、コア１３のトラック幅方向（Ｘ方向）の両側において、コア１３に対して間隔をあけて、連結層３３の上に配置されている。連結層３４は、シールド１６の非オーバーラップ部分１６２に接続されている。具体的には、連結層３４は、シールド１６の外面のうちの少なくとも下面１６ｃにおける非オーバーラップ部分１６２に属する部分に接している。連結層３５は、シールド１６の非オーバーラップ部分１６３に接続されている。具体的には、連結層３５は、シールド１６の外面のうちの少なくとも下面１６ｃにおける非オーバーラップ部分１６３に属する部分に接している。

本実施の形態では、連結層３６，３７は、それぞれ、第１層と、この第１層の上に配置された第２層とを有している。連結層３６の第１層と連結層３７の第１層は、連結層３４，３５よりも媒体対向面６０からより遠い位置に配置され、且つ、コア１３のトラック幅方向（Ｘ方向）の両側において、コア１３に対して間隔をあけて、連結層３３の上に配置されている。連結層３４，３５および連結層３６，３７のそれぞれの第１層の周囲には、クラッド層１２，１４が配置されている。連結層３６，３７のそれぞれの第２層の周囲には、クラッド層１５および誘電体層１７，１８が配置されている。連結層３８の下面は、連結層３６，３７のそれぞれの第２層の上面に接している。

次に、図１９Ａないし図１９Ｄおよび図２０を参照して、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法について説明する。図１９Ａないし図１９Ｄおよび図２０の（ａ）ないし（ｃ）は、熱アシスト磁気記録ヘッドの製造過程における積層体を示している。図１９Ａおよび図２０の（ａ）は、積層体の一部を示す平面図である。図１９Ｂ、図１９Ｃ、図２０の（ｂ）および（ｃ）は、積層体の一部を示す断面図である、図１９Ｄは、積層体の一部を示す斜視図である。なお、図１９Ｂないし図１９Ｄならびに図２０の（ｂ）および（ｃ）では、連結層３３よりも下の部分を省略している。図１９Ｂおよび図２０の（ｂ）は、それぞれ、主磁極１９の第１の端面１９ａと交差し、媒体対向面６０および基板１の上面１ａに垂直な断面を示している。図１９Ｃおよび図２０の（ｃ）は、それぞれ、積層体における媒体対向面６０が形成される予定の位置の断面を示している。図１９Ａ、図１９Ｂ、図２０の（ａ）および（ｂ）において、記号“ＡＢＳ”は、媒体対向面６０が形成される予定の位置を表している。

本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法は、中間シールド層９を形成する工程までは、第１の実施の形態と同様である。本実施の形態では、次に、非磁性層１０および連結層３３を順に形成する。次に、連結層３３を覆うように図示しない絶縁層を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、連結層３３が露出するまで図示しない絶縁層を形成する。次に、積層体の上面全体の上にクラッド層１２を形成する。次に、クラッド層１２を選択的にエッチングして、クラッド層１２に、連結層３３の上面を露出させる４つの開口部を形成する。次に、この４つの開口部の位置で、連結層３３の上に、連結層３４，３５と、連結層３６，３７のそれぞれの第１層を形成する。次に、クラッド層１２の上に、コア１３を形成する。なお、コア１３を形成した後に、連結層３４，３５と連結層３６，３７のそれぞれの第１層を形成してもよい。次に、コア１３、連結層３４，３５および連結層３６，３７のそれぞれの第１層を覆うようにクラッド層１４を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、コア１３、連結層３４，３５および連結層３６，３７のそれぞれの第１層が露出するまで、クラッド層１４を研磨する。図１９Ａないし図１９Ｄは、クラッド層１４を研磨した後の積層体を示している。

次に、第１の実施の形態と同様に、シールド１６を形成する。図２０は、シールド１６を形成した後の積層体を示している。次に、クラッド層１５、プラズモンジェネレータ４０、誘電体層１７および誘電体層１８を順に形成する。次に、クラッド層１５および誘電体層１７，１８を選択的にエッチングして、クラッド層１５および誘電体層１７，１８に、連結層３６，３７のそれぞれの第１層の上面を露出させる２つの開口部を形成する。次に、連結層３６，３７のそれぞれの第１層の上に、連結層３６，３７のそれぞれの第２層を形成する。その後の工程は、第１の実施の形態と同様である。

［変形例］
次に、図２１を参照して、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの変形例について説明する。図２１は、熱アシスト磁気記録ヘッドの変形例の要部を示す斜視図である。変形例では、シールド１６は、図１６および図１８に示したオーバーラップ部分１６１の代わりに、第１の実施の形態で説明したオーバーラップ部分１６４を有している。図２１では、オーバーラップ部分１６４と非オーバーラップ部分１６２，１６３の境界を点線で示している。

本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。

［第３の実施の形態］
次に、図２２および図２３を参照して、本発明の第３の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドについて説明する。図２２は、熱アシスト磁気記録ヘッドの要部を示す斜視図である。図２３は、熱アシスト磁気記録ヘッドの構成を示す断面図である。

本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの構成は、以下の点で第１の実施の形態と異なっている。本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドは、媒体対向面６０から離れた位置において誘電体層１８の上に配置された誘電体層２０を備えている。誘電体層２０の厚み（Ｚ方向の寸法）は、媒体対向面６０から離れるに従って、徐々に大きくなった後、一定の大きさになっている。本実施の形態では、主磁極１９は、誘電体層１８，２０の上に配置されている。連結層３６，３７の一部は、誘電体層２０に埋め込まれている。連結層３８は、連結層３６，３７および誘電体層２０の上に配置されている。誘電体層２４は、主磁極１９および連結層３８の周囲において誘電体層２０の上に配置されている。誘電体層２０は、例えばアルミナによって形成されている。

また、本実施の形態では、コア１３のエバネッセント光発生面１３ｂは、媒体対向面６０に近い順に配置された傾斜部分１３ｂ１と水平部分１３ｂ２とを含んでいる。傾斜部分１３ｂ１は、媒体対向面６０により近い前端部と、その反対側の後端部とを有している。傾斜部分１３ｂ１の前端部は、コア１３の前端面１３ａの第１の部分１３ａ１の記録媒体の進行方向（Ｚ方向）の前側の端部でもあり、前端面１３ａの第１の端部Ｅ１でもある。水平部分１３ｂ２は、傾斜部分１３ｂ１の後端部に接続されている。

また、本実施の形態では、プラズモンジェネレータ４０のプラズモン励起部４０ａは、媒体対向面６０に近い順に配置された傾斜部分４０ａ１と水平部分４０ａ２とを含んでいる。傾斜部分４０ａ１は、シールド１６の上面１６ｄの一部とエバネッセント光発生面１３ｂの傾斜部分１３ｂ１に対向し、媒体対向面６０に配置された前端部と、その反対側の後端部とを有している。水平部分４０ａ２は、エバネッセント光発生面１３ｂの水平部分１３ｂ２に対向し、傾斜部分４０ａ１の後端部に接続されている。近接場光発生部４０ｇは、傾斜部分４０ａ１の前端に位置している。

ここで、コア１３の内部を通過し、コア１３を伝播するレーザ光５０の進行方向に平行な仮想の直線を想定する。図２３において、符号Ｌを付した一点鎖線の直線は、上記仮想の直線を表している。仮想の直線Ｌは、コア１３の前端面１３ａと交差する。エバネッセント光発生面１３ｂの傾斜部分１３ｂ１およびプラズモン励起部４０ａの傾斜部分４０ａ１は、いずれも、媒体対向面６０に近づくに従って、仮想の直線Ｌからの距離が小さくなるように、仮想の直線Ｌに対して傾斜している。すなわち、傾斜部分１３ｂ１，４０ａ１は、それぞれ、その前端部がその後端部に対して記録媒体の進行方向（Ｚ方向）の後側に配置されるように傾斜している。なお、シールド１６の上面１６ｄの一部は、傾斜部分１３ｂ１に連続し、傾斜部分１３ｂ１と同様に傾斜している。

エバネッセント光発生面１３ｂの水平部分１３ｂ２とプラズモン励起部４０ａの水平部分４０ａ２は、いずれも、実質的に媒体対向面６０に垂直な方向（Ｙ方向）に延在している。

本実施の形態では、前述のように、エバネッセント光発生面１３ｂの一部である傾斜部分１３ｂ１とプラズモンジェネレータ４０のプラズモン励起部４０ａの一部である傾斜部分４０ａ１は、いずれも、媒体対向面６０に近づくに従って、仮想の直線Ｌからの距離が小さくなるように、仮想の直線Ｌに対して傾斜している。これにより、エバネッセント光発生面１３ｂが水平部分１３ｂ２のみを含み、プラズモン励起部４０ａが水平部分４０ａ２のみを含む場合、すなわち、エバネッセント光発生面１３ｂの全体とプラズモン励起部４０ａの全体が、それぞれ、コア１３を伝播するレーザ光５０の進行方向に平行に配置されている場合に比べて、コア１３を伝播するレーザ光５０のうち、エバネッセント光発生面１３ｂに到達するレーザ光５０の量を多くすることができる。その結果、本実施の形態によれば、エバネッセント光発生面１３ｂより多くのエバネッセント光を発生させて、プラズモンジェネレータ４０に多くの表面プラズモンを励起させることが可能になる。

なお、本実施の形態における帰磁路部３０の構成は、第２の実施の形態と同じであってもよい。本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１または第２の実施の形態と同様である。

［第４の実施の形態］
次に、図２４を参照して、本発明の第４の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドについて説明する。図２４は、熱アシスト磁気記録ヘッドの要部を示す斜視図である。本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの構成は、以下の点で第１の実施の形態と異なっている。本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドでは、シールド１６は、その上面１６ｄが、コア１３のエバネッセント光発生面１３ｂに対して、記録媒体の進行方向（Ｚ方向）の後側に配置されるように、その一部がコア１３に埋め込まれている。コア１３の前端面１３ａにおいて、第２の部分１３ａ２の一部は、シールド１６の第２の端面１６ａに対して、記録媒体の進行方向の前側に配置されている。前端面１３ａの第１の端部Ｅ１は、第２の部分１３ａ２の記録媒体の進行方向の前側の端部によって構成されている。

なお、本実施の形態における帰磁路部３０の構成は、第２の実施の形態と同じであってもよい。本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１または第２の実施の形態と同様である。

［第５の実施の形態］
次に、図２５ないし図３０を参照して、本発明の第５の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドについて説明する。図２５は、熱アシスト磁気記録ヘッドの要部を示す斜視図である。図２６は、熱アシスト磁気記録ヘッドの要部を示す正面図である。図２７は、熱アシスト磁気記録ヘッドの構成を示す断面図である。図２８は、熱アシスト磁気記録ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。なお、図２７および図２８では、第２の実施の形態で説明した図示しない絶縁層を符号１１で示している。図２９は、熱アシスト磁気記録ヘッドの一部を示す平面図である。図３０は、熱アシスト磁気記録ヘッドの他の一部を示す平面図である。

本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの構成は、以下の点で第２の実施の形態と異なっている。本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドでは、コア１３は、エバネッセント光発生面１３ｂで開口する溝部１３ｇを有している。溝部１３ｇは、コア１３の側面１３ｄ，１３ｅから媒体対向面６０にかけて形成されており、上方から見て媒体対向面６０にＹ字の下端が位置するほぼＹ字形状をなしている。

また、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドは、第２の実施の形態における主磁極１９およびシールド１６の代わりに、主磁極２１およびシールド２３を備えている。主磁極２１の一部は、溝部１３ｇに収容されている。シールド２３は、コア１３および主磁極２１に対して、記録媒体の進行方向（Ｚ方向）の前側に配置されている。プラズモンジェネレータ４０は、コア１３および主磁極２１の各々とシールド２３との間に配置されている。

主磁極２１は、媒体対向面６０に配置された第１の端面２１ａと、下面２１ｃと、上面２１ｄとを有している。主磁極２１の上面２１ｄとエバネッセント光発生面１３ｂは、同一平面上に位置している。なお、主磁極２１は、コア１３に接していてもよいし、接していなくてもよい。後者の場合には、主磁極２１とコア１３との間にクラッドの一部が介在していてもよい。また、主磁極２１は、トラック幅方向（Ｘ方向）の寸法が、基板１の上面１ａに垂直な方向（Ｚ方向）の寸法よりも大きい形状を有している。

シールド２３は、媒体対向面６０に配置された第２の端面２３ａと、その反対側の後端面２３ｂと、下面２３ｃと、上面２３ｄと、２つの側面２３ｅ，２３ｆとを有している。

主磁極２１の第１の端面２１ａは、シールド２３の第２の端面２３ａに対して、記録媒体の進行方向（Ｚ方向）の後側に配置されている。プラズモンジェネレータ４０の近接場光発生部４０ｇは、第１の端面２１ａと第２の端面２３ａの間に配置されている。

コア１３の前端面１３ａは、第１の実施の形態と同様に、第１の部分１３ａ１と第２の部分１３ａ２とを含んでいる。本実施の形態では、第２の部分１３ａ２は、主磁極２１の第１の端面２１ａのトラック幅方向（Ｘ方向）の両側および記録媒体の進行方向（Ｚ方向）の後側に配置されている。第１の部分１３ａ１は、溝部１３ｇの壁面のうち、媒体対向面６０に垂直な方向（Ｙ方向）から見て、第１の端面２１ａとオーバーラップする部分によって構成されている。前端面１３ａの第１の端部Ｅ１は、第１および第２の部分１３ａ１，１３ａ２のそれぞれの記録媒体の進行方向の前側の端部によって構成されている。前端面１３ａの第２の端部Ｅ２は、第２の部分１３ａ２の記録媒体の進行方向の後側の端部によって構成されている。

図２６において、第１の端部Ｅ１と第２の端部Ｅ２の中間の位置Ｃから第１の端部Ｅ１までの領域が前端面１３ａの第１の領域Ｒ１であり、中間の位置Ｃから第２の端部Ｅ２までの領域が前端面１３ａの第２の領域Ｒ２である。主磁極２１は、媒体対向面６０に垂直な方向から見て、コア１３の前端面１３ａのうちの第１の領域Ｒ１にのみオーバーラップしている。

主磁極２１は、コア１３の溝部１３ｇに収容されたオーバーラップ部分２１１と、媒体対向面６０に露出せず、オーバーラップ部分２１１のトラック幅方向（Ｘ方向）の両側に配置された２つの非オーバーラップ部分２１２，２１３とを有している。オーバーラップ部分２１１は、媒体対向面６０に垂直な方向から見て、第１の領域Ｒ１にオーバーラップしている。２つの非オーバーラップ部分２１２，２１３は、媒体対向面６０に垂直な方向から見て、コア１３の前端面１３ａのトラック幅方向の両側に配置されている。従って、非オーバーラップ部分２１２，２１３は、前端面１３ａにオーバーラップしていない。媒体対向面６０に垂直な方向についての非オーバーラップ部分２１２，２１３の最大の長さは、同方向についてのオーバーラップ部分２１１の長さよりも大きい。帰磁路部３０の連結層３４は、非オーバーラップ部分２１２に接続されている。具体的には、連結層３４は、主磁極２１の外面のうちの少なくとも下面２１ｃにおける非オーバーラップ部分２１２に属する部分に接している。帰磁路部３０の連結層３５は、非オーバーラップ部分２１３に接続されている。具体的には、連結層３５は、主磁極２１の外面のうちの少なくとも下面２１ｃにおける非オーバーラップ部分２１３に属する部分に接している。なお、本実施の形態では、連結層３３〜３５は、媒体対向面６０に露出していない。

図２９に示したように、オーバーラップ部分２１１は、第１の領域Ｒ１のトラック幅方向の中心の両側に位置する第１および第２の部分を含んでいる。第１および第２の部分は、媒体対向面６０に垂直な方向から見て第１の領域Ｒ１にオーバーラップしている。第１および第２の部分は、それぞれ、媒体対向面６０に垂直な方向の長さであって、第１の領域Ｒ１におけるトラック幅方向の中心から離れるに従って大きくなる長さを有している。オーバーラップ部分２１１は、第１および第２の部分の他に、第１の部分と第２の部分の間に位置する第３の部分を含んでいてもよい。第３の部分における媒体対向面６０に垂直な方向の長さは、トラック幅方向の位置によらずに一定である。

また、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドは、誘電体層１７，１８の代わりに、誘電体層２２を備えている。誘電体層２２は、プラズモンジェネレータ４０およびクラッド層１５を覆うように配置されている。シールド２３は、誘電体層２２の上に配置されている。帰磁路部３０の連結層３６，３７の一部は、誘電体層２２に埋め込まれている。帰磁路部３０の連結層３８は、連結層３６，３７および誘電体層２２の上に配置されている。誘電体層２４は、シールド２３および連結層３８の周囲において誘電体層２２の上に配置されている。帰磁路部３０の連結層３９は、媒体対向面６０に配置された端面を有し、シールド２３、誘電体層２４、絶縁層２６および連結層３８の上に配置され、シールド２３と連結層３８を磁気的に連結している。誘電体層２２は、例えばアルミナによって形成されている。

また、本実施の形態では、プラズモンジェネレータ４０の厚み（Ｚ方向の寸法）は、媒体対向面６０から離れるに従って、徐々に大きくなった後、一定の大きさになっている。プラズモンジェネレータ４０の厚み（Ｚ方向の寸法）が小さくなると、表面プラズモンの励起効率が低下して、励起される表面プラズモンが少なくなる。そのため、プラズモンジェネレータ４０の厚みは、ある程度大きいことが好ましい。本実施の形態では、プラズモンジェネレータ４０の一部の厚み（Ｚ方向の寸法）は、媒体対向面６０から離れるに従って、徐々に大きくなっている。これにより、本実施の形態では、媒体対向面６０から離れた位置におけるプラズモンジェネレータ４０の厚みを大きくしながら、前端面４０ｅのＺ方向の寸法を小さくすることができる。その結果、本実施の形態によれば、スポット径が小さく、且つ十分な強度の近接場光を発生させることが可能になる。

第１の実施の形態では、下部シールドとコアの前端面が広い面積にわたって対向する場合に発生する問題について説明した。この問題は、主磁極とコアの前端面が広い面積にわたって対向する場合にも発生する。本実施の形態では、主磁極２１は、媒体対向面６０に垂直な方向から見て、前端面１３ａのうちの第１の領域Ｒ１にのみオーバーラップしている。これにより、本実施の形態によれば、主磁極２１とコア１３の前端面１３ａが広い面積にわたって対向することがなく、上記の問題が発生することを防止することができる。

また、本実施の形態では、主磁極２１は、トラック幅方向（Ｘ方向）の寸法が、基板１の上面１ａに垂直な方向（Ｚ方向）の寸法よりも大きい形状を有している。そのため、主磁極２１が、前端面１３ａのうちの第１の領域Ｒ１にのみオーバーラップしていても、主磁極２１のトラック幅方向の両側の２つの部分の少なくとも一方に、帰磁路部３０を接続することが可能である。

また、上記の問題の発生をより確実に防止するために、前端面１３ａのうち、媒体対向面６０に垂直な方向から見て主磁極２１がオーバーラップする領域は、中間の位置Ｃよりも第１の端部Ｅ１により近い位置（第１の端部Ｅ１は含まない）から第１の端部Ｅ１までの領域のみであってもよい。例えば、前端面１３ａのうち、媒体対向面６０に垂直な方向から見て主磁極２１がオーバーラップする領域は、第１の端部Ｅ１と第２の端部Ｅ２の間の位置であって第１の端部Ｅ１と第２の端部Ｅ２の間の距離の１／４だけ第１の端部Ｅ１から離れた位置から、第１の端部Ｅ１までの領域のみであってもよい。本実施の形態では、この要件を満たしている。

本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第２の実施の形態と同様である。

［第６の実施の形態］
次に、図３１ないし図３４を参照して、本発明の第６の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドについて説明する。図３１は、熱アシスト磁気記録ヘッドの要部を示す斜視図である。図３２は、熱アシスト磁気記録ヘッドの構成を示す断面図である。図３３は、熱アシスト磁気記録ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。図３４は、熱アシスト磁気記録ヘッドの一部を示す平面図である。

本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの構成は、以下の点で第５の実施の形態と異なっている。本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドでは、帰磁路部３０は、連結層３３〜３５の代わりに、第１の実施の形態で説明した連結層３１，３２を有している。連結層３１は、主磁極２１の非オーバーラップ部分２１２に接続されている。連結層３２は、主磁極２１の非オーバーラップ部分２１３に接続されている。なお、本実施の形態では、連結層３１，３２は、媒体対向面６０に露出していない。また、本実施の形態では、第１の実施の形態と同様に、非磁性層１０および絶縁層１１が設けられていない。

本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１または第５の実施の形態と同様である。

［第７の実施の形態］
次に、図３５ないし図３７を参照して、本発明の第７の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドについて説明する。図３５は、熱アシスト磁気記録ヘッドの要部を示す斜視図である。図３６は、熱アシスト磁気記録ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。図３７は、熱アシスト磁気記録ヘッドの一部を示す平面図である。

本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの構成は、以下の点で第５の実施の形態と異なっている。本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドでは、シールド２３の第２の端面２３ａのトラック幅方向（Ｘ方向）の幅は、コア１３の前端面１３ａの幅よりも小さく、主磁極２１の第１の端面２１ａの幅よりも大きい。また、帰磁路部３０の連結層３９の媒体対向面６０に配置された端面のトラック幅方向（Ｘ方向）の幅は、第２の端面２３ａの幅とほぼ同じである。連結層３９のトラック幅方向（Ｘ方向）の幅は、媒体対向面６０の近傍では、媒体対向面６０からの距離によらずに一定であり、媒体対向面６０から離れた位置では、媒体対向面６０における幅よりも大きくなっている。

なお、本実施の形態における帰磁路部３０の構成は、第６の実施の形態と同じであってもよい。本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第５または第６の実施の形態と同様である。

［第８の実施の形態］
次に、図３８を参照して、本発明の第８の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドについて説明する。図３８は、熱アシスト磁気記録ヘッドの要部を示す斜視図である。本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの構成は、以下の点で第５の実施の形態と異なっている。本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドでは、主磁極２１は、その上面２１ｄが、コア１３のエバネッセント光発生面１３ｂに対して、記録媒体の進行方向（Ｚ方向）の後側に配置されるように、その一部がコア１３に埋め込まれている。また、コア１３の前端面１３ａにおいて、第２の部分１３ａ２の一部は、主磁極２１の第１の端面２１ａに対して、記録媒体の進行方向の前側に配置されている。前端面１３ａの第１の端部Ｅ１は、第２の部分１３ａ２の記録媒体の進行方向の前側の端部によって構成されている。

なお、本実施の形態における帰磁路部３０の構成は、第６の実施の形態と同じであってもよい。また、本実施の形態におけるシールド２３および連結層３９の形状は、第７の実施の形態と同じであってもよい。本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第５ないし第７のいずれかの実施の形態と同様である。

なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、主磁極またはシールドは、非オーバーラップ部分を１つだけ有していてもよい。また、請求の範囲の要件を満たす限り、導波路のコア、プラズモンジェネレータおよび主磁極の形状および配置は、各実施の形態に示した例に限られず、任意である。

１３…コア、１３ａ…前端面、１６…シールド、１６ａ…第２の端面、１９…主磁極、１９ａ…第１の端面、４０…プラズモンジェネレータ、４０ｇ…近接場光発生部。

Claims (10)

1. 記録媒体に対向する媒体対向面と、
   前記記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生するコイルと、
   前記媒体対向面に配置された第１の端面を有し、前記コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって前記情報を前記記録媒体に記録するための記録磁界を発生する主磁極と、
   磁性材料よりなり、前記媒体対向面に配置された第２の端面を有するシールドと、
   磁性材料よりなり、前記コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させる帰磁路部であって、前記主磁極、シールドおよび帰磁路部によって囲まれて前記コイルの一部が通過する空間が形成されるように、前記主磁極と前記シールドとを接続する帰磁路部と、
   前記媒体対向面に向いた前端面を有し光を伝播させるコアと、前記コアの周囲に配置されたクラッドとを有する導波路と、
   前記媒体対向面に配置された近接場光発生部を有するプラズモンジェネレータであって、前記コアを伝播する光に基づいて前記プラズモンジェネレータに表面プラズモンが励起され、この表面プラズモンに基づいて前記近接場光発生部より近接場光を発生するように構成されたプラズモンジェネレータとを備えた熱アシスト磁気記録ヘッドであって、
   前記第１の端面と前記第２の端面は、前記記録媒体の進行方向について異なる位置に配置され、
   前記近接場光発生部は、前記第１の端面と前記第２の端面の間に配置され、
   前記コアの前端面は、前記記録媒体の進行方向における両端に位置する第１および第２の端部を有し、前記第１の端部は、前記第２の端部よりも、前記近接場光発生部により近い位置にあり、
   前記コアの前端面を、前記第１の端部と第２の端部の中間の位置から前記第１の端部までの第１の領域と、前記中間の位置から前記第２の端部までの第２の領域に分けたときに、前記主磁極と前記シールドの一方は、前記媒体対向面に垂直な方向から見て、前記コアの前端面のうちの前記第１の領域にのみオーバーラップすることを特徴とする熱アシスト磁気記録ヘッド。
2. 前記主磁極と前記シールドの一方は、前記媒体対向面に垂直な方向から見て、前記コアの前端面のトラック幅方向の外側に配置された少なくとも１つの非オーバーラップ部分を有し、
   前記帰磁路部は、前記少なくとも１つの非オーバーラップ部分に接続されていることを特徴とする請求項１記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
3. 前記少なくとも１つの非オーバーラップ部分は、前記媒体対向面に垂直な方向から見て、前記コアの前端面のトラック幅方向の両側に配置された２つの非オーバーラップ部分であることを特徴とする請求項２記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
4. 前記主磁極と前記シールドの一方は、前記媒体対向面に垂直な方向から見て、前記第１の領域にオーバーラップする第１および第２の部分を有し、
   前記第１および第２の部分は、前記第１の領域におけるトラック幅方向の中心の両側に位置し、
   前記第１および第２の部分は、それぞれ、前記媒体対向面に垂直な方向の長さであって、前記第１の領域におけるトラック幅方向の中心から離れるに従って大きくなる長さを有していることを特徴とする請求項１記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
5. 前記第１の端面と前記第２の端面は、互いに５０〜３００ｎｍの範囲内の距離を隔てていることを特徴とする請求項１記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
6. 前記第１の端面と前記第２の端面との間の距離は、５０〜１００ｎｍの範囲内であることを特徴とする請求項５記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
7. 前記コアは、コアを伝播する光に基づいてエバネッセント光を発生するエバネッセント光発生面を有し、
   前記プラズモンジェネレータは、前記エバネッセント光発生面に対して所定の間隔をもって対向するプラズモン励起部を有し、
   前記プラズモンジェネレータでは、前記プラズモン励起部において、前記エバネッセント光発生面より発生されるエバネッセント光と結合することによって前記表面プラズモンが励起され、この表面プラズモンが前記近接場光発生部に伝播され、この表面プラズモンに基づいて前記近接場光発生部より前記近接場光が発生されることを特徴とする請求項１記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
8. 記録媒体に対向する媒体対向面と、
   前記記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生するコイルと、
   前記媒体対向面に配置された端面を有し、前記コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって前記情報を前記記録媒体に記録するための記録磁界を発生する主磁極と、
   前記媒体対向面に向いた前端面を有し光を伝播させるコアと、前記コアの周囲に配置されたクラッドとを有する導波路と、
   前記媒体対向面に配置された近接場光発生部を有するプラズモンジェネレータであって、前記コアを伝播する光に基づいて前記プラズモンジェネレータに表面プラズモンが励起され、この表面プラズモンに基づいて前記近接場光発生部より近接場光を発生するように構成されたプラズモンジェネレータとを備えた熱アシスト磁気記録ヘッドであって、
   前記コアの前端面は、前記記録媒体の進行方向における両端に位置する第１および第２の端部を有し、前記第１の端部は、前記第２の端部よりも、前記近接場光発生部により近い位置にあり、
   前記コアの前端面を、前記第１の端部と第２の端部の中間の位置から前記第１の端部までの第１の領域と、前記中間の位置から前記第２の端部までの第２の領域に分けたときに、前記主磁極は、前記媒体対向面に垂直な方向から見て、前記コアの前端面のうちの前記第１の領域にのみオーバーラップすることを特徴とする熱アシスト磁気記録ヘッド。
9. 前記主磁極は、前記媒体対向面に垂直な方向から見て、前記第１の領域にオーバーラップする第１および第２の部分を有し、
   前記第１および第２の部分は、前記第１の領域におけるトラック幅方向の中心の両側に位置し、
   前記第１および第２の部分は、それぞれ、前記媒体対向面に垂直な方向の長さであって、前記第１の領域におけるトラック幅方向の中心から離れるに従って大きくなる長さを有していることを特徴とする請求項８記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
10. 前記コアは、コアを伝播する光に基づいてエバネッセント光を発生するエバネッセント光発生面を有し、
    前記プラズモンジェネレータは、前記エバネッセント光発生面に対して所定の間隔をもって対向するプラズモン励起部を有し、
    前記プラズモンジェネレータでは、前記プラズモン励起部において、前記エバネッセント光発生面より発生されるエバネッセント光と結合することによって前記表面プラズモンが励起され、この表面プラズモンが前記近接場光発生部に伝播され、この表面プラズモンに基づいて前記近接場光発生部より前記近接場光が発生されることを特徴とする請求項８記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。

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