JP2008159158A - 熱アシスト磁気ヘッド - Google Patents

Abstract

【課題】近接場光発生板の尖端部以外からの近接場光の放射を抑制する。
【解決手段】媒体対向面を有する熱アシスト磁気ヘッドであって、端面が媒体対向面に露出する導波路と、その主面が媒体に対向するように導波路の媒体対向面に配置された導電性の近接場光発生板と、その主面が媒体に対向するように熱アシスト磁気ヘッドの媒体対向面に配置された導電性の近接場光散乱板と、を備え、媒体対向面に垂直な方向から見て、近接場光発生板の一端には尖端部を有し、近接場光散乱板は、媒体対向面に垂直な方向から見て、近接場光発生板の尖端部とは反対側の他端部に沿って配置され、媒体対向面に垂直な方向から見て、近接場光発生板の尖端部と他端部と結ぶ方向と直交する第１方向における近接場光散乱板の幅は、近接場光発生板の第１方向における幅よりも広い。
【選択図】図５

Description

本発明は、熱アシスト磁気記録方式により信号の書き込みを行う熱アシスト磁気ヘッド、この熱アシスト磁気ヘッドを備えたヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）及びこのＨＧＡを備えたハードディスク装置に関する。

ハードディスク装置の高記録密度化に伴い、薄膜磁気ヘッドのさらなる性能の向上が要求されている。記録密度を高めるために、Ｋ_Ｕの大きな磁性材料を記録媒体として用いる一方で、書き込み磁界印加の直前に記録媒体に熱を加えることによって磁性材料の保磁力を小さくして書き込みを行う、いわゆる熱アシスト磁気記録方式が提案されている。

このような熱アシスト磁気ヘッド記録装置として、特許文献１及び２及び非特許文献１には、媒体対向面に導電性の板状の近接場光発生板を配置し、これに対して裏面側から光を照射することにより近接場光を発生させる熱アシスト磁気ヘッドが開示されている。近接場光発生板の一端には尖った尖端部が形成されており、近接場光は主としてこの尖端部から放射される。
特開２００１−２５５２５４号公報 特開２００３−１１４１８４号公報 T. Matsumoto et al., Near-Field Optical Probe with A Beaked MetallicPlate for Thermally Assisted magnetic Recording, pp. 6-7, MORIS2006 WORKSHOP TechnicalDigest, June 6-8, 2003

しかしながら、上述の文献では、尖端部以外の部分、特に、尖端部とは反対側の他端からの近接場光の発生がおこり、所望の一点のみを集中的に加熱することが困難な場合があった。

従って、本発明の目的は、近接場光発生板の尖端部以外からの近接場光の放射を抑制可能な近接場光発生板、熱アシスト磁気ヘッド、この熱アシスト磁気ヘッドを備えたＨＧＡ及びこのＨＧＡを備えたハードディスク装置を提供することにある。

本発明にかかる熱アシスト磁気ヘッドは、媒体に対向する媒体対向面を有する熱アシスト磁気ヘッドであって、端面が前記媒体対向面に露出する導波路と、その主面が媒体に対向するように導波路の媒体対向面に配置された導電性の近接場光発生板と、その主面が媒体に対向するように熱アシスト磁気ヘッドの媒体対向面に配置された導電性の近接場光散乱板と、を備える。そして、媒体対向面に垂直な方向から見て、近接場光発生板の一端には尖端部を有し、近接場光散乱板は、近接場光発生板の一端とは反対側の他端部に沿って配置され、近接場光発生板の一端と他端と結ぶ方向と直交する第１方向における近接場光散乱板の幅は、近接場光発生板の第１方向における幅よりも広い。

これによれば、近接場光発生板の他端部からの近接場光の発生が近接場光散乱板により抑制される。

ここで、媒体対向面に垂直な方向から見て、第１方向は媒体走行方向と平行とされ、近接場光発生板の他端はトラック幅方向と平行とされ、近接場光散乱板はトラック幅方向に平行な２つの辺を有する台形または長方形であることが好ましい。

このような配置では、近接場光発生板及び近接場光散乱板の形成が容易である。

また、近接場光発生板と近接場光散乱板との距離は、媒体対向面と媒体との間の距離以下であることが好ましい。

これによれば、近接場光発生板の他端部近傍から発生する近接場光が媒体に到達することを特に効果的に抑制できる。

また、近接場光散乱板の第１方向における幅は、導波路を介して媒体対向面に到達する光のスポットの第１方向の幅よりも大きいことが好ましい。

これにより、近接場光散乱板からの近接場光の発生をより一層抑制することができる。

また、近接場光発生板と近接場光散乱板とは互いに異なる導電材料から形成されていることが好ましい。

これにより、硬度やエッチング速度を互いに代えることができ、媒体対向面の形成時に近接場光発生板を近接場光散乱板よりも媒体に向かって突出させることができ、場近接場光散乱板からの近接場光の発生をより抑制することができる。

また、本発明に係るヘッドジンバルアセンブリは、上述の熱アシスト磁気ヘッドと、熱アシスト磁気ヘッドを支持するサスペンジョンとを備えたヘッドジンバルアセンブリである。

また、本発明に係るハードディスク装置は、上述のヘッドジンバルアセンブリと、磁気記録媒体と、を備えている。

本発明によれば、近接場光発生板の尖端部以外からの近接場光放射を抑制可能であるので、媒体の所望の部分を選択的に加熱する事ができ、熱アシスト磁気記録方式による高密度記録を容易に実現できる。

以下に、本発明を実施するための形態について、添付図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図面において、同一の要素は、同一の参照番号を用いて示されている。また、図面中の構成要素内及び構成要素間の寸法比は、図面の見易さのため、それぞれ任意となっている。

図１は、本発明によるハードディスク装置及びＨＧＡ（ヘッドジンバルアセンブリ）の一実施形態における要部の構成を概略的に示す斜視図である。図２は、図１の熱アシスト磁気ヘッド２１の近傍の拡大斜視図である。ここで、ＨＧＡの斜視図においては、ＨＧＡの磁気ディスク表面に対向する側が上になって表示されている。

（ハードディスク装置）
図１の（Ａ）において、ハードディスク装置１は、スピンドルモータ１１の回転軸の回りを回転する複数の磁気記録媒体である磁気ディスク１０、熱アシスト磁気ヘッド２１をトラック上に位置決めするためのアセンブリキャリッジ装置１２、この熱アシスト磁気ヘッド２１の書き込み及び読み出し動作を制御し、さらに後に詳述する熱アシスト磁気記録用のレーザ光を発生させる光源であるレーザダイオードを制御するための記録再生及び発光制御回路（制御回路）１３を備える。

アセンブリキャリッジ装置１２には、複数の駆動アーム１４が設けられている。これらの駆動アーム１４は、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）１５によってピボットベアリング軸１６を中心にして角揺動可能であり、この軸１６に沿った方向にスタックされている。各駆動アーム１４の先端部には、ＨＧＡ１７が取り付けられている。各ＨＧＡ１７には、熱アシスト磁気ヘッド２１が、各磁気ディスク１０の表面に対向するように設けられている。磁気ディスク１０の表面に対向する面が熱アシスト磁気ヘッド２１の媒体対向面Ｓ（エアベアリング面とも呼ばれる）である。なお、磁気ディスク１０、駆動アーム１４、ＨＧＡ１７及び熱アシスト磁気ヘッド２１は、単数であってもよい。

（ＨＧＡ）
ＨＧＡ１７は、図１の（Ｂ）に示すように、サスペンション２０の先端部に、熱アシスト磁気ヘッド２１を固着し、さらにその熱アシスト磁気ヘッド２１の端子電極に配線部材２０３の一端を電気的に接続して構成される。サスペンション２０は、ロードビーム２００と、このロードビーム２００上に固着され支持された弾性を有するフレクシャ２０１と、フレックシャの先端に板ばね状に形成されたタング部２０４と、ロードビーム２００の基部に設けられたベースプレート２０２と、フレクシャ２０１上に設けられておりリード導体及びその両端に電気的に接続された接続パッドからなる配線部材２０３とから主として構成されている。

配線部材としては、図２に示すように、記録信号用の一対の電極パッド２３７、２３７、読出信号用の一対の電極パッド２３８、２３８、光源駆動用の一対の電極パッド２４７、２４８を有している。

なお、本発明のＨＧＡ１７におけるサスペンションの構造は、以上述べた構造に限定されるものではないことは明らかである。なお、図示されていないが、サスペンション２０の途中にヘッド駆動用ＩＣチップを装着してもよい。

（熱アシスト磁気ヘッド）
図２〜図４に示すように、熱アシスト磁気ヘッド２１は、スライダ２２と、光源支持基板２３０及び熱アシスト磁気記録用の光源となるレーザダイオード４０を備えた光源ユニット２３とが、スライダ基板２２０の背面２２０１及び光源支持基板２３０の接着面２３００を接面させて接着、固定された構成を有している。ここで、スライダ基板２２０の背面２２０１は、スライダ２２の媒体対向面Ｓとは反対側の面である。また、光源支持基板２３０の底面２３０１がフレクシャ２０１のタング部２０４に、例えば、エポキシ樹脂等の接着剤により接着されている。

（スライダ）
スライダ２２は、スライダ基板２２０及びデータ信号の書き込み及び読み出しを行う磁気ヘッド部３２を備えている。

スライダ基板２２０は、板状を呈し、適切な浮上量を得るように加工された媒体対向面Ｓを有する。スライダ基板２２０は導電性のアルティック（Ａｌ_２Ｏ_３−ＴｉＣ）等から形成されている。

磁気ヘッド部３２は、スライダ基板２２０の媒体対向面Ｓに対して略垂直な側面である集積面２２０２に形成されている。磁気ヘッド部３２は、磁気情報を検出する磁気検出素子としてのＭＲ効果素子３３、磁界の生成により磁気情報を書き込む垂直（面内でも良い）磁気記録素子としての電磁コイル素子３４、ＭＲ効果素子３３及び電磁コイル素子３４の間を通して設けられている平面導波路としての導波路３５、磁気ディスクの記録層部分を加熱するための近接場光を発生させる近接場光発生板３６、不要な近接場光の発生を抑制するための近接場光散乱板３７、及び、これらＭＲ効果素子３３、電磁コイル素子３４、導波路３５、近接場光発生板３６及び近接場光散乱板３７等を覆うように集積面２２０２上に形成された絶縁層３８と、絶縁層３８の層面から露出した、ＭＲ効果素子３３に２つずつ接続されている一対の信号端子用の電極パッド３７１、３７１、電磁コイル素子３４に２つずつ接続されている一対の信号端子用の電極パッド３７３、３７３、及び、スライダ基板２２０と電気的に接続されているグランド用の電極パッド３７５を備えている。ＭＲ効果素子３３、電磁コイル素子３４及び近接場光発生板３６は、媒体対向面Ｓに露出している。以下、詳細に説明する。

図４は熱アシスト磁気ヘッド２１の磁気ヘッド部近傍の断面図である。図４に示すように、ＭＲ効果素子３３は、ＭＲ積層体３３２と、このＭＲ積層体３３２を挟む位置に配置されている下部シールド層３３０及び上部シールド層３３４とを含む。下部シールド層３３０及び上部シールド層３３４は、例えば、フレームめっき法を含むパターンめっき法等によって形成された厚さ０.５〜３μｍ程度のＮｉＦｅ、ＣｏＦｅＮｉ、ＣｏＦｅ、ＦｅＮ若しくはＦｅＺｒＮ等の磁性材料で構成することができる。上下部シールド層３３４及び３３０は、ＭＲ積層体３３２が雑音となる外部磁界の影響を受けることを防止する。

ＭＲ積層体３３２は、面内通電型（ＣＩＰ（Current In Plane））巨大磁気抵抗（ＧＭＲ（Giant Magneto Resistance））多層膜、垂直通電型（ＣＰＰ（CurrentPerpendicular to Plane））ＧＭＲ多層膜、又はトンネル磁気抵抗（ＴＭＲ（Tunnel Magneto Resistance））多層膜等の磁気抵抗効果膜を含み、非常に高い感度で磁気ディスクからの信号磁界を感受する。

ＭＲ積層体３３２は、例えば、ＴＭＲ効果多層膜を含む場合、ＩｒＭｎ、ＰｔＭｎ、ＮｉＭｎ、ＲｕＲｈＭｎ等からなる厚さ５〜１５ｎｍ程度の反強磁性層と、例えば強磁性材料であるＣｏＦｅ等、又はＲｕ等の非磁性金属層を挟んだ２層のＣｏＦｅ等から構成されており反強磁性層によって磁化方向が固定されている磁化固定層と、例えばＡｌ、ＡｌＣｕ等からなる厚さ０.５〜１ｎｍ程度の金属膜が真空装置内に導入された酸素によって又は自然酸化によって酸化された非磁性誘電材料からなるトンネルバリア層と、例えば強磁性材料である厚さ１ｎｍ程度のＣｏＦｅ等と厚さ３〜４ｎｍ程度のＮｉＦｅ等との２層膜から構成されておりトンネルバリア層を介して磁化固定層との間でトンネル交換結合をなす磁化自由層とが、順次積層された構造を有している。

ＭＲ効果素子３３と導波路３５との間には、下部シールド層３３０と同様の材料からなる素子間シールド層１４８が形成されている。素子間シールド層１４８は、ＭＲ効果素子３３を、電磁コイル素子３４より発生する磁界から遮断して読み出しの際の外来ノイズを防止する役割を果たす。また、素子間シールド層１４８と導波路３５との間に、さらに、バッキングコイル部が形成されていてもよい。バッキングコイル部は、電磁コイル素子３４から発生してＭＲ効果素子３３の上下部電極層を経由する磁束ループを打ち消す磁束を発生させて、磁気ディスクへの不要な書き込み又は消去動作である広域隣接トラック消去（ＷＡＴＥ）現象の抑制を図るものである。

ＭＲ積層体３３２の媒体対向面Ｓとは反対側のシールド層３３０、３３４間、シールド層３３０、３３４、１４８の媒体対向面Ｓとは反対側、下部シールド層３３０とスライダ基板２２０との間、及び、素子間シールド層１４８と導波路３５との間にはアルミナ等から形成された絶縁層３８が形成されている。

なお、ＭＲ積層体３３２がＣＩＰ−ＧＭＲ多層膜を含む場合、上下部シールド層３３４及び３３０の各々とＭＲ積層体３３２との間に、アルミナ等により形成されたアルミナ等の絶縁用の上下部シールドギャップ層がそれぞれ設けられる。さらに、図示は省略するが、ＭＲ積層体３３２にセンス電流を供給して再生出力を取り出すためのＭＲリード導体層が形成される。一方、ＭＲ積層体３３２がＣＰＰ−ＧＭＲ多層膜又はＴＭＲ多層膜を含む場合、上下部シールド層３３４及び３３０はそれぞれ上下部の電極層としても機能する。この場合、上下部シールドギャップ層とＭＲリード導体層とは不要であって省略される。

ＭＲ積層体３３２のトラック幅方向の両側には、図示は省略するが、磁区の安定化用の縦バイアス磁界を印加するための、ＣｏＴａ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＰｔ等の強磁性材料からなるハードバイアス層が形成される。

電磁コイル素子３４は、垂直磁気記録用が好ましく、図４に示すように、媒体対向面Ｓに露出する主磁極層３４０、ギャップ層３４１ａ、コイル絶縁層３４１ｂ、コイル層３４２、及び補助磁極層３４４を備えている。

主磁極層３４０は、コイル層３４２によって誘導された磁束を、書き込みがなされる磁気ディスク（媒体）の記録層まで収束させながら導くための導磁路である。ここで、主磁極層３４０の媒体対向面Ｓ側の端部のトラック幅方向（図４の奥行き方向）の幅及び積層方向（図４の左右方向）の厚みは、他の部分に比べて小さくすることが好ましい。この結果、高記録密度化に対応した微細で強い書き込み磁界を発生可能となる。具体的には、例えば、磁気ヘッド部を媒体対向面Ｓ側から見た図５に示すように、リーディング側すなわちスライダ基板２２０側の辺の長さがトレーリング側の辺の長さよりも短い逆台形となるように媒体対向面Ｓ側の主磁極層３４０の先端を先細にすることが好ましい。すなわち、主磁極層３４０の媒体対向面側の端面には、ロータリーアクチュエータでの駆動により発生するスキュー角の影響によって隣接トラックに不要な書き込み等を及ぼさないように、ベベル角θが付けられている。ベベル角θの大きさは、例えば、１５°程度である。実際に、書き込み磁界が主に発生するのは、トレーリング側の長辺近傍であり、磁気ドミナントの場合にはこの長辺の長さによって書き込みトラックの幅が決定される。

ここで、主磁極層３４０は、例えば、媒体対向面Ｓ側の端部での全厚が約０.０１〜約０.５μｍであって、この端部以外での全厚が約０.５〜約３.０μｍの、例えばフレームめっき法、スパッタリング法等を用いて形成されたＮｉ、Ｆｅ及びＣｏのうちいずれか２つ若しくは３つからなる合金、又はこれらを主成分として所定の元素が添加された合金等から構成されていることが好ましい。また、トラック幅は、例えば、１００ｎｍとすることができる。

図４に示すように、補助磁極層３４４の媒体対向面Ｓ側の端部は、補助磁極層３４４の他の部分よりも層断面が広いトレーリングシールド部を形成している。補助磁極層３４４は、主磁極層３４０の媒体対向面Ｓ側の端部とアルミナ等の絶縁材料により形成されたギャップ層３４１ａ，コイル絶縁層３４１ｂを介して対向している。このような補助磁極層３４４を設けることによって、媒体対向面Ｓ近傍における補助磁極層３４４と主磁極層３４０との間において磁界勾配がより急峻になる。この結果、信号出力のジッタが小さくなって読み出し時のエラーレートを小さくすることができる。

補助磁極層３４４は、例えば、厚さ約０.５〜約５μｍの、例えばフレームめっき法、スパッタリング法等を用いて形成されたＮｉ、Ｆｅ及びＣｏのうちいずれか２つ若しくは３つからなる合金、又はこれらを主成分として所定の元素が添加された合金等から構成されている。

ギャップ層３４１ａは、コイル層３４２と主磁極層３４０とを離間しており、例えば、厚さ約０.０１〜約０.５μｍの、例えばスパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いて形成されたＡｌ_２Ｏ_３又はＤＬＣ等から構成されている。

コイル層３４２は、例えば、厚さ約０.５〜約３μｍの、例えばフレームめっき法等を用いて形成されたＣｕ等から構成されている。主磁極層３４０の後端と補助磁極層３４４の媒体対向面Ｓから離れた部分とが結合され、コイル層３４２はこの結合部分を取り囲むように形成されている。コイル層３４２は、図４等において１層であるが、２層以上又はヘリカルコイルでもよい。

コイル絶縁層３４１ｂは、コイル層３４２と、補助磁極層３４４とを離間し、例えば、厚さ約０.１〜約５μｍの熱硬化されたアルミナやレジスト層等の電気絶縁材料から構成されている。

導波路３５は、ＭＲ効果素子３３と電磁コイル素子３４との間に位置していて集積面２２０２と平行に伸長しており、磁気ヘッド部３２の媒体対向面Ｓから、磁気ヘッド部３２の媒体対向面とは反対側の面３２ａまで伸びており、図６に示すように、矩形の板状のものである。導波路３５は、ともに媒体対向面Ｓに対して垂直に形成された、トラック幅方向において対向する２つの側面３５１ａ，３５１ｂ、集積面２２０２と平行な２つの上面３５２ａ、下面３５２ｂ、媒体対向面Ｓを形成する出口面３５３、及び、出口面３５３とは反対側の入口面３５４を有している。導波路３５の上面３５２ａ、下面３５２ｂ、２つの側面３５１ａ、３５１ｂは、導波路３５よりも屈折率が小さく導波路３５に対するクラッドとして機能する絶縁層３８と接している。

この導波路３５は、入口面３５４から入射した光を、この両側面３５１ａ、３５１ｂ、及び上面３５２ａ、下面３５２ｂで反射させつつ、媒体対向面Ｓ側の端面である出口面３５３に導くことが可能となっている。導波路３５の図６におけるトラック幅方向の幅Ｗ３５は例えば、１〜２００μｍとすることができ、厚みＴ３５は例えば２〜１０μｍとすることができ、高さＨ３５は１０〜３００μｍとすることができる。

導波路３５は、何れの部分においても、絶縁層３８を形成する材料よりも高い屈折率ｎを有する、例えばスパッタリング法等を用いて形成された誘電材料から構成されている。例えば、絶縁層３８が、ＳｉＯ_２（ｎ＝１.５）から形成されている場合、導波路３５は、Ａｌ_２Ｏ_３（ｎ＝１.６３）から形成されていてもよい。さらに、絶縁層３８が、Ａｌ_２Ｏ_３（ｎ＝１.６３）から形成されている場合、導波路３５は、Ｔａ_２Ｏ_５（ｎ＝２.１６）、Ｎｂ_２Ｏ_５（ｎ＝２.３３）、ＴｉＯ（ｎ＝２.３〜２.５５）又はＴｉＯ_２（ｎ＝２.３〜２.５５）から形成されていてもよい。導波路３５をこのような材料で構成することによって、材料そのものが有する良好な光学特性によるだけではなく、界面での全反射条件が整うことによって、レーザ光の伝播損失が小さくなり、近接場光の発生効率が向上する。

近接場光発生板３６は、図２、図４〜図７に示すように、導波路３５の出口面３５３に配置されている板状部材である。図４及び図６に示すように、近接場光発生板３６は、その主面が媒体対向面Ｓに露出して媒体と対向するように導波路３５の出口面３５３に埋設されている。図５に示すように、近接場光発生板３６は、媒体対向面Ｓから見て三角形状を呈し、導電材料により形成されている。導電材料としては、Ａｕ等の金属や合金、キャリアがドープされたＳｉやＧａＡｓ等の半導体、ＩＴＯ、酸化スズ等の金属酸化物等が挙げられる。具体的には、近接場光発生板３６は、それぞれ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ及びＡｌからなる群から選択される１種の金属又は複数種の合金から形成されていることが好ましい。

三角形の底辺３６ｄがスライダ基板２２０の集積面２２０２と平行すなわちトラック幅方向と平行に配置され、底辺３６ｄとは反対側の尖った尖端部３６ｃが底辺３６ｄよりも電磁コイル素子３４の主磁極層３４０側に配置されており、具体的には、尖端部３６ｃが主磁極層３４０のリーディング側エッジと対向するように配置されている。近接場光発生板３６の好ましい形態は、底辺３６ｄの両端の２つの底角がいずれも同じとされた二等辺三角形である。図５において、尖端部３６ｃの尖端の曲率半径は５〜１００ｎｍとすることが好ましい。

三角形の高さＨ３６は、入射されるレーザ光の波長よりも十分に小さく、２０〜４００ｎｍとすることが好ましい。底辺３６ｄの幅Ｗ３６は、入射されるレーザ光の波長よりも十分に小さく、２０〜４００ｎｍとすることが好ましい。図７における近接場光発生板３６の厚みＴ３６は１０〜１００ｎｍとすることが好ましい。

このような近接場光発生板３６が導波路３５の出口面３５３に設けられていると、近接場光発生板３６の内の尖端部３６ｃ近傍に電界が集中して尖端部３６ｃ近傍から媒体に向かって選択的に近接場光が発生する。これについては後で詳述する。

近接場光散乱板３７は、近接場光発生板３６の底辺３６ｄ及びその両角からの近接場光の発生を抑制するためのものである。図４〜図７に示すように、近接場光散乱板３７は、導波路３５の出口面３５３の近接場光発生板３６よりも主磁極３４０から離れた位置に配置された板状部材である。図４及び図６に示すように、近接場光発生板３６は、その主面が媒体対向面Ｓに露出して媒体と対向するように導波路３５の出口面３５３に埋設されている。

この近接場光散乱板３７は、図５に示すように、媒体対向面Ｓから見て長方形状を呈している。なお、長方形とは正方形を含む概念である。近接場光散乱板３７は、近接場光発生板３６の底辺３６ｄに沿って配置されている。近接場光散乱板３７と近接場光発生板３６とは絶縁層３８により所定距離Ｄ３６３７だけ離間されている。距離Ｄ３６３７は、近接場光散乱板３７と近接場光発生板３６とが絶縁層３８により電気的に絶縁されていれば特に限定されない。距離Ｄ３６３７は、図７に示すように、媒体対向面Ｓと磁気ディスク１０との間の距離として設定されるフライングハイトＦＨ以下とされることが好ましい。こうすることにより、近接場光発生板３６の底辺３６ｄ近傍から発生する近接場光が磁気ディスク１０に到達することを特に効果的に抑制できる。具体的には、例えば、フライングハイトＦＨは、５〜１５ｎｍである。

この近接場光散乱板３７は、導電材料により形成されている。導電材料としては、Ａｕ等の金属や合金、キャリアがドープされたＳｉやＧａＡｓ等の半導体、ＩＴＯ、酸化スズ等の金属酸化物等が挙げられる。具体的には、近接場光発生板３６は、それぞれ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ及びＡｌからなる群から選択される１種の金属又は複数種の合金から形成されていることが好ましい。ここで、導電材料は、近接場光発生板３６の導電材料と同じでも良いが異なっていても良い。異なる場合には、近接場光発生板３６に相対的に硬い又はエッチング速度の低い導電材料を用い、近接場光散乱板３７には相対的に軟らかい又はエッチング速度の高い導電材料を用いることが好ましい。後述するように、媒体対向面は研磨やエッチング等のラッピング工程により形成されるが、上述の要件を満たすことにより、ラッピングの速度の差に基づいて、例えば、図７の点線３７Ｓに示すように媒体対向面においてラッピング面に段差が生じ、近接場光散乱板３７の媒体対向面が近接場光発生板３６の媒体対向面よりも確実に磁気ディスク１０から離れることになり、近接場光発生板３６よりも近接場光散乱板３７の方が媒体に向かって突出して近接場光散乱板３７からも強い近接場光が発生してしまうという問題が起こりにくくなる。

図５に示すように、近接場光散乱板３７のトラック幅方向（第１方向）の幅Ｗ３７は、近接場光発生板３６のトラック幅方向（第１方向）の幅Ｗ３６よりも大きくされている。これにより、近接場光散乱板３７からの近接場光の発生を抑制することができる。また、近接場光散乱板３７のトラック幅方向（第１方向）の幅Ｗ３７は、導波路３５に供給されて媒体対向面Ｓに到達する光のスポットＬＢのトラック幅の径よりも大きくすることがより好ましい。これにより、近接場光散乱板３７に到達するエネルギーが広く分散され、近接場光散乱板３７からの近接場光の発生をより一層抑制することができる。具体的には、例えば、Ｗ３７＞３×Ｗ３６とすればよい。

近接場光散乱板３７の高さ（媒体移動方向の長さ）Ｈ３７（図５参照）は、特に限定されないが、少なくとも、近接場光発生板３６の高さＨ３６の２０％以上あることが好ましい。

さらに、図７における近接場光散乱板３７の厚みＴ３６は、１０〜１００ｎｍ程度が好ましく、製造方法を簡略化する観点から近接場光発生板３６と同一とすることが好ましい。

そして、このスライダ２２において、図２に示すように、電極パッド３７１、３７１がそれぞれフレクシャ２０１の電極パッド２３７、２３７にボンディングワイヤにより電気的に接続され、電極パッド３７３、３７３がそれぞれフレクシャ２０１の電極パッド２３８、２３８にボンディングワイヤにより接続され、これによりそれぞれ電磁コイル素子及びＭＲ効果素子が駆動される。また、図４のビアホール３７５ａによりスライダ基板２２０と電気的に接続された電極パッド３７５が、図２に示すように、フレクシャ２０１の電極パッド２４７とボンディングワイヤにより接続され、スライダ基板２２０の電位を電極パッド２４７により例えばグラウンド電位に制御できる。

（光源ユニット）
次いで、熱アシスト磁気ヘッド２１の光源ユニット２３の構成要素について説明する。

図２〜図４に示すように、光源ユニット２３は、光源支持基板２３０、及び、外形形状が板状のレーザダイオード（光源）４０を主として備える。

光源支持基板２３０はアルティック（Ａｌ_２Ｏ_３−ＴｉＣ）等からなる基板であり、スライダ基板２２０の背面２２０１に接着している接着面２３００を有している。図４に示すように、接着面２３００にはアルミナ等の断熱層２３０ａが形成されている。この接着面２３００を底面とした際の一つの側面である素子形成面２３０２上に、アルミナ等の絶縁材料から形成された絶縁層４１が設けられており、この絶縁層４１の上に、電極パッド４７、４８が形成され、電極パッド４７上にレーザダイオード４０が固定されている。

詳しくは、図２及び図３に示すように、電極パッド４７、４８は、絶縁層４１の表面かつ媒体対向面Ｓと交差する面４１１、言い換えると、スライダ基板２２０の集積面２２０２と平行な面４１１上に、レーザ駆動用に形成されている。電極パッド４７は、図４に示すように、絶縁層４１内に設けられたビアホール４７ａにより光源支持基板２３０と電気的に接続されている。また、電極パッド４７は、レーザダイオード４０駆動時の熱をビアホール４７ａを介して光源支持基板２３０側へ逃がすためのヒートシンクとしても機能する。

電極パッド４７は、図２に示すように、絶縁層４１の面４１１の中央部にトラック幅方向に伸びて形成されている。一方、電極パッド４８は、電極パッド４７からトラック幅方向に離間した位置に形成されている。各電極パッド４７、４８は、半田リフローによるフレクシャ２０１との接続のために、さらに、フレクシャ２０１側に向かって伸びている。

電極パッド４７、４８は、それぞれ、フレクシャ２０１の電極パッド２４７、２４８とリフロー半田により電気的に接続されており、これにより光源の駆動が可能となっている。また、電極パッド４７は上述のように光源支持基板２３０と電気的に接続されているため、電極パッド２４７により光源支持基板２３０の電位を例えばグラウンド電位に制御することが可能となっている。

電極パッド４７、４８は、例えば、厚さ１０ｎｍ程度のＴａ、Ｔｉ等からなる下地層を介して形成された、厚さ１〜３μｍ程度の、例えば真空蒸着法やスパッタリング法等を用いて形成されたＡｕ、Ｃｕ等の層から形成することができ。

そして、レーザダイオード４０は、電極パッド４７の上にＡｕ−Ｓｎ等の導電性の半田材料からなる半田層４２（図４参照）により電気的に接続されている。このとき、レーザダイオード４０は、電極パッド４７の一部のみを覆うように電極パッド４７に対して配置されている。

図８のように、レーザダイオード４０は、通常、光学系ディスクストレージに使用されるものと同じ構造を有していてよく、例えば、ｎ電極４０ａと、ｎ−ＧａＡｓ基板４０ｂと、ｎ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層４０ｃと、第１のＩｎＧａＡｌＰガイド層４０ｄと、多重量子井戸（ＩｎＧａＰ／ＩｎＧａＡｌＰ）等からなる活性層４０ｅと、第２のＩｎＧａＡｌＰガイド層４０ｆと、ｐ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層４０ｇと、^＊ｎ−ＧａＡｓ電流阻止層４０ｈと、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層４０ｉと、ｐ電極４０ｊとが順次積層された構造を有する。これらの多層構造の劈開面の前後には、全反射による発振を励起するためのＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３等からなる反射膜５０及び５１が成膜されており、レーザ光が放射される出光端４００には、一方の反射膜５０における活性層４０ｅの位置に開口が設けられている。このようなレーザダイオード４０は、膜厚方向に電圧が印加されることにより、出光端４００からレーザ光を出射する。

放射されるレーザ光の波長λ_Ｌは、例えば６００〜６５０ｎｍ程度である。ただし、近接場光発生板３６（図２）の金属材料に応じた適切な励起波長が存在することに留意しなければならない。例えば、近接場光発生板３６としてＡｕ及びその合金を用いる場合、レーザ光の波長λ_Ｌは、６００ｎｍ近傍が好ましい。

レーザダイオード４０の大きさは、上述したように、例えば、幅（Ｗ４０）が２００〜３５０μｍ、長さ（奥行き、Ｌ４０）が２５０〜６００μｍ、厚み（Ｔ４０）が６０〜２００μｍ程度である。ここで、レーザダイオード４０の幅Ｗ４０は、電流阻止層４０ｈの対向端の間隔を下限として、例えば、１００μｍ程度までに小さくすることができる。ただし、レーザダイオード４０の長さは、電流密度と関係する量であり、それほど小さくすることはできない。いずれにしても、レーザダイオード４０に関しては、搭載の際のハンドリングを考慮して、相当の大きさが確保されることが好ましい。

また、このレーザダイオード４０の駆動においては、ハードディスク装置内の電源が使用可能である。実際、ハードディスク装置は、通常、例えば２Ｖ程度の電源を備えており、レーザ発振動作には十分の電圧を有している。また、レーザダイオード４０の消費電力も、例えば、数十ｍＷ程度であり、ハードディスク装置内の電源で十分に賄うことができる。

そして、図４において、レーザダイオード４０のｎ電極４０ａが電極パッド４７にＡｕＳｎ等の半田層４２により固定されている。ここで、レーザダイオード４０の出光端４００が図４の下向きすなわち出光端４００が接着面２３００と平行になるようにレーザダイオード４０が光源支持基板２３０に固定されており、出光端４００はスライダ２２の導波路３５の入口面３５４と対向可能となっている。実際のレーザダイオード４０の固定においては、例えば、電極パッド４７の表面に厚さ０.７〜１μｍ程度のＡｕＳｎ合金の蒸着膜を成膜し、レーザダイオード４０を乗せた後、熱風ブロア下でホットプレート等による２００〜３００℃程度までの加熱を行って固定すればよい。また、図２及び図８に示すように、電極パッド４８と、レーザダイオード４０のｐ電極４０ｊと、がボンディングワイヤにより電気的に接続されている。なお、電極パッド４７と接続される電極は、ｎ電極４０ａでなくてもｐ電極４０ｊでもかまわず、この場合、ｎ電極４０ａが電極パッド４８とボンディングワイヤにより接続される。

ここで、上述したＡｕＳｎ合金による半田付けをする場合、光源ユニットを例えば３００℃前後の高温に加熱することになるが、本実施形態によれば、この光源ユニット２３がスライダ２２とは別に製造されるため、スライダ内の磁気ヘッド部がこの高温の悪影響を受けずに済む。

そして、上述のスライダ２２の背面２２０１と光源ユニット２３の接着面２３００とが、図４に示すように、例えば、ＵＶ硬化型接着剤等の接着剤層４４により接着されており、レーザダイオード４０の出光端４００が導波路３５の入口面３５４と対向するように配置されている。

なお、レーザダイオード４０及び電極パッドの構成は、当然に、上述した実施形態に限定されるものではなく、例えば、レーザダイオード４０は、ＧａＡｌＡｓ系等、他の半導体材料を用いた他の構成のものであってもよい。さらに、レーザダイオード４０と電極との半田付けに、他のろう材を用いて行うことも可能である。さらにまた、レーザダイオード４０を、ユニット基板上に直接、半導体材料をエピタキシャル成長させることによって形成してもよい。

ここで、スライダ２２及び光源ユニット２３の大きさは任意であるが、例えば、スライダ２２は、トラック幅方向の幅７００μｍ×長さ（奥行き）８５０μｍ×厚み２３０μｍの、いわゆるフェムトスライダであってもよい。この場合、光源ユニット２３は、これとほぼ同じ幅及び長さを有することができる。実際、例えば、通常用いられるレーザダイオードの典型的な大きさは、幅２５０μｍ×長さ（奥行き）３５０μｍ×厚み６５μｍ程度であり、例えば、この大きさの光源支持基板２３０の側面にこの大きさのレーザダイオード４０を設置することが、十分に可能となっている。なお、光源支持基板２３０の底面に溝を設け、この溝内にレーザダイオード４０を設けることも可能である。

また、導波路３５の入口面３５４に達したレーザ光のファーフィールドパターンのスポットにおいて、トラック幅方向の径を、例えば０．５〜１．０μｍ程度とし、この径に直交する径を、例えば１〜５μｍ程度とすることができる。これに対応して、このレーザ光を受け取る導波路３５の厚みＴ３５（図６参照）を、例えばスポットよりも大きな２〜１０μｍ程度とし、導波路３５のトラック幅方向の幅Ｗ３５を、例えば１〜２００μｍ程度とすることが好ましい。

なお、断熱層２３０ａは、スライダ基板２２０の背面２２０１に形成されていてもよく、全く設けなくても実施は可能である。

（製造方法）
続いて、上述の熱アシスト磁気ヘッドの製造方法について簡単に説明する。

まず、スライダ２２を製造する。具体的には（図４参照）、スライダ基板２２０を用意し、公知の方法を用いてＭＲ効果素子３３及び素子間シールド層１４８を形成し、さらに下地としてＡｌ_２Ｏ_３等の絶縁層３８の一部（以下３８ａとする）を形成する。

続いて、導波路３５及び近接場光発生板３６を形成する。この工程を、図９及び図１０を参照して詳しく説明する。図９及び図１０は、導波路３５及び近接場光発生板３６の形成方法の一実施形態を説明する斜視図である。

まず、図９の（Ａ）に示すように、最初に、Ａｌ_２Ｏ_３等の絶縁層３８ａ上に、導波路３５の一部となる、絶縁層３８ａよりも屈折率の高いＴａ_２Ｏ_５等の誘電体膜３５ａを成膜し、その上に、所定のトラック幅にパターニングされた近接場光散乱板３７を形成する。その後、誘電体膜３５ａ及び近接場光散乱板３７上に誘電体膜３５ａと同じ材料で誘電体膜３５ｂを製膜し、その上に、導電性の近接場光発生板３６を製膜し、その上に、リフトオフ用の底部が窪んだレジストパターン１００２を形成する。

次いで、図９の（Ｂ）に示すように、イオンミリング法等を用いて、レジストパターン１００２の直下を除いて、近接場光発生板３６の不要部分を除去することにより、誘電体膜３５ｂの上に、下部が広い台形状の断面形状を有する近接場光発生板３６を形成する。

その後、図９の（Ｃ）に示すように、レジストパターン１００２を除去した後に、台形状の近接場光発生板３６の両斜面側からそれぞれイオンミリング法等により各斜面の一部をそれぞれ除去して、断面三角形状の近接場光発生板３６を形成する。

続いて、図９の（Ｄ）に示すように、近接場光発生板３６を覆うように誘電体膜３５ｂ上に誘電体膜３５ａと同じ材料による誘電体膜３５ｃを成膜し、将来媒体対向面が形成される側に近接場光発生板３６及び近接場光散乱板３７の端面を形成するためのレジストパターン１００３を積層し、図１０の（Ａ）に示すように、将来媒体対向面が形成される側とは反対側において、近接場光発生板３６、誘電体膜３５ｃ、近接場光散乱板３７及び誘電体膜３５ｂをイオンミリング法等により除去し、その後、除去した部分に誘電体膜３５ｂと同じ材料により誘電体膜３５ｄを成膜する。

さらに、図１０の（Ｂ）に示すように、誘電体膜３５ｃ、３５ｄ上に、さらに、誘電体膜３５ｂと同じ材料により誘電体膜３５ｅを積層し、所定の幅となるように、誘電体膜３５ａ，３５ｂ，３５ｃ，３５ｄ、３５ｅをパターニングすることにより、導波路３５がほぼ完成する。

さらに、その後、図１０の（Ｃ）に示すように、導波路３５を覆うように絶縁層３８ａと同じ材料で絶縁層３８ｂを更に形成することにより、クラッド層としての絶縁層３８が完成する。そして、近接場光発生板３６が露出している側から所定距離に渡って表面を除去することにより所定の厚みの近接場光発生板３６及び近接場光散乱板３７及び媒体対向面Ｓを形成する。

この表面除去方法は特に限定されず、例えば、機械的研磨や化学機械研磨（ＣＭＰ）等のラッピング（研磨）法、イオンビームエッチング、プラズマエッチング、反応性イオンエッチング、化学エッチング等のエッチング法や、これらの組み合わせ等の種々の方法により媒体対向面側の表面を所定厚み除去する工程である。

以上の工程により、近接場光発生板３６を備えた導波路３５を形成することができる。

その後、図４に示すように公知の方法により、電磁コイル素子３４を形成し、その後、アルミナ等による絶縁層３８を形成し、接続のための電極パッド３７１等を形成し、その後エアベアリング面やその裏面のラッピングを行うことによりスライダ２２が完成する。この後、スライダ２２の電磁コイル素子３４やＭＲ効果素子３３のテストを各スライダごとに行い良品を選別する。

続いて、光源ユニット２３を製造する。まず、図４に示すように、アルティック製等の光源支持基板２３０を用意し、その表面に公知の方法により断熱層２３０ａ、絶縁層４１及び電極パッド４７、４８を形成し、電極パッド４７の上にレーザダイオード４０をＡｕＳｎ等の導電性の半田材により固定し、その後、基板の切断分離等により所定の大きさに整形する。これにより、光源ユニット２３が完成する。このようにして得た光源ユニットも、レーザダイオードの特性評価、特に、高温連続通電試験による駆動電流のプロファイルを観察し、十分に寿命が長いと考えられるものを選択する。

その後、図１１（Ａ）に示すように、良品とされた光源ユニット２３の接着面２３００と、良品とされたスライダ２２の背面２２０１のいずれか又は両方にＵＶ硬化型接着剤４４ａを塗布する。ＵＶ硬化型接着剤としては、ＵＶ硬化型エポキシ樹脂や、ＵＶ硬化型アクリル樹脂等が挙げられる。また、光源ユニット２３とスライダ２２との接着に、ＵＶ硬化型接着剤以外の接着剤例えば、レーザダイオード４０と電極パッド４７との接着に用いたＡｕＳｎ等の半田層を用いても実施は可能である。

そして、図１１（Ｂ）に示すように、光源ユニット２３の接着面２３００とスライダ２２の背面２２０１とを重ね合わせた後、電極パッド４７，４８間に電圧を印加してレーザダイオード４０を発光させると共に、導波路３５の出口面３５３に光検出器ＤＴを対向配置し、光源ユニット２３とスライダ２２とを相対的に図１１（Ｂ）の矢印方向に移動させ、最も光検出器ＤＴの出力が高くなる位置を探し出し、その位置で、外部からＵＶ硬化型接着剤に紫外線を照射することによりＵＶ硬化型接着剤４４ａを硬化させ、これによりレーザダイオードの光軸と導波路３５の光軸とを合わせた状態で光源ユニット２３とスライダ２２との接着をすることができる。

（作用）
続いて、本実施形態にかかる熱アシスト磁気ヘッド２１の作用について説明する。

書き込み又は読み出し動作時には、熱アシスト磁気ヘッド２１は、回転する磁気ディスク（媒体）１０の表面上において流体力学的に所定の浮上量をもって浮上する。この際、ＭＲ効果素子３３及び電磁コイル素子３４の媒体対向面Ｓ側の端が磁気ディスク１０と微小なスペーシングを介して対向することによって、データ信号磁界の感受による読み出しとデータ信号磁界の印加による書き込みとが行われる。

ここで、データ信号の書き込みの際、光源ユニット２３から導波路３５を通って伝播してきたレーザ光が近接場光発生板３６に到達し、近接場光発生板３６から近接場光が発生する。この近接場光によって、後述するように、熱アシスト磁気記録を行うことが可能となる。

ここで、近接場光は、入射されるレーザ光の波長及び導波路３５の形状にも依存するが、一般に、媒体対向面Ｓから見て近接場光発生板３６の境界で最も強い強度を有する。特に、本実施形態では、図４において、レーザダイオード４０の積層方向が図４の左右方向とされており、近接場光発生板３６に到達する光の電界ベクトルは図４の左右方向、すなわち、図５の上下方向となる。したがって、近接場光発生板３６の尖端部３６ｃ近傍にて強い近接場光の放射が起こる。そして、磁気ディスクの記録層部分を光により加熱する熱アシスト作用において、この尖端部３６ｃ近傍と対向する部分が、主要な加熱作用部分となる。

この近接場光の電界強度は、入射光に比べて桁違いに強く、この非常に強力な近接場光が、磁気ディスク表面の対向する局所部分を急速に加熱する。これにより、この局所部分の保磁力が、書き込み磁界による書き込みが可能な大きさまでに低下するので、高密度記録用の高保磁力の磁気ディスクを使用しても、電磁コイル素子３４による書き込みが可能となる。なお、近接場光は、媒体対向面Ｓから磁気ディスクの表面に向かって、例えば１０〜３０ｎｍ程度の深さまで到達する。従って、１０ｎｍ又はそれ以下の浮上量である現状において、近接場光は、十分に記録層部分に到達することができる。また、このように発生する近接場光のトラック幅方向の幅や媒体移動方向の幅は、上述の近接場光の到達深さと同程度であって、また、この近接場光の電界強度は、距離が離れるに従って指数関数的に減衰するので、非常に局所的に磁気ディスクの記録層部分を加熱することができる。

ところで、尖端部３６ｃだけでなく近接場光発生板３６の他端側の底辺３６ｄやその両端の角部からも近接場光が発生することが考えられる。しかしながら、本実施形態では、図７に示すように、電界ベクトルの方向に突出する尖端部３６ｃとは反対側の近接場光発生板３６の他端部である底辺３６ｄに沿って、近接場光散乱板３７が設けられている。したがって、近接場光散乱板３７による電磁波のエネルギーの吸収散乱等により、近接場光発生板３６の底辺３６ｄやその両角からの近接場光の発生は効果的に抑制される。また、近接場光散乱板３７のトラック方向の幅Ｗ３７が近接場光散乱板３７のトラック幅方向の幅Ｗ３７よりも広いので、近接場光散乱板３７からの近接場光の発生もほとんど問題とならない。したがって、所望の場所すなわち近接場光発生板３６の尖端部３６ｃから選択的に近接場光を発生させることができるのである。

このような熱アシスト磁気記録方式を採用することにより、高保磁力の磁気ディスクに垂直磁気記録用の薄膜磁気ヘッドを用いて書き込みを行い、記録ビットを極微細化することによって、例えば、１Ｔbits／in^２級の記録密度を達成することも可能となり得る。

なお、本実施形態では、光源ユニット２３を用いることによって、スライダ２２の導波路３５の入口面（端面）３５４に、導波路３５の層面に平行な方向に伝播するレーザ光を入射させることができる。すなわち、集積面２２０２と媒体対向面Ｓとが垂直である構成を有する熱アシスト磁気ヘッド２１において、適切な大きさ及び方向を有するレーザ光が、確実に供給可能となる。その結果、磁気ディスクの記録層の加熱効率が高い熱アシスト磁気記録を実現可能としている。

また、本実施形態によれば、磁気ヘッド部３２がスライダ基板２２０に固定され、光源であるレーザダイオード４０が光源支持基板２３０にそれぞれ別に固定されているので、スライダ基板２２０に固定された電磁コイル素子３４と、光源支持基板２３０に固定されたレーザダイオード４０とをそれぞれ独立に試験した上で、良品であるスライダ２２と良品である光源ユニット２３とを互いに固定することにより良品である熱アシスト磁気ヘッド２１を歩留まり良く製造できる。

また、磁気ヘッド部３２がスライダ基板２２０の側面に設けられているので、従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を用いて磁気ヘッド部３２の電磁コイル素子３４やＭＲ効果素子３３等を容易に形成できる。

さらに、レーザダイオード４０が媒体対向面Ｓから離れた位置かつスライダ２２の近傍にあるので、レーザダイオード４０から発生する熱による電磁コイル素子３４やＭＲ効果素子３３等への悪影響やレーザダイオード４０と磁気ディスク１０との接触等の可能性が抑制されると共に、光ファイバ、レンズ、ミラー等が必須では無いので光の伝播損失が低減でき、さらに、磁気記録装置全体の構造も簡単にできる。

なお、レーザダイオード４０の配置方法は上述の記載に限定されず、スライダ基板２２０と光源支持基板２３０とが一体化されたものであっても良く、また、光ファイバ等によりレーザダイオード４０からの光を導波路３５や近接場光発生板３６に導いてもよい。さらに、スライダ基板２２０の媒体対向面に導波路３５及び近接場光発生板３６を配置しても本発明の実施は可能である。

また、電磁コイル素子３４が、長手磁気記録用であってもかまわない。この場合、主磁極層３４０及び補助磁極層３４４の代わりに、下部磁極層及び上部磁極層が設けられ、さらに、下部磁極層及び上部磁極層の媒体対向面Ｓ側の端部に挟持された書き込みギャップ層が設けられる。この書き込みギャップ層位置からの漏洩磁界によって書き込みが行われる。

また、近接場光発生板３６の形状も、上述のものに限られず、一端に尖端部３６ｃを有する形状であれば良く、たとえば、三角形でなく尖端部３６ｃの尖端がやや平らになった台形状等でも実施可能である。台形の場合でも上底（尖端部）とは反対側の下底（状手によりも長い）に沿って近接場光散乱板３７を設ければよい。また、三角形状または台形状の板をその尖端部同士が所定距離離間して対向するように一対配置した、いわゆる「蝶ネクタイ型」構造でも実施可能である。この「蝶ネクタイ型」構造においては、その中心部に非常に強い電界の集中が発生する。蝶ネクタイ構造の場合には、各板の尖端部とは反対側に沿ってそれぞれ近接場光散乱板を設ければよい。

また、媒体対向面に垂直な方向から見たときの近接場光散乱板３７の形状も、近接場光発生板３６の他端部に沿って配置されていれば長方形には限定されず、例えば、図１２に示すような台形状等でも良い。

さらに、近接場光散乱板３７が形成される場所も、必ずしも導波路３５中に配置される必要は無く、例えば、図１３に示すように、クラッドとなる絶縁層３８内に導波路３５と接するように設けられていても良い。

さらに、近接場光発生板３６の尖端部３６ｃの突出方向は、必ずしも媒体移動方向でなくても良く、例えば、図５の近接場光発生板３６及び近接場光散乱板３７を、これらの相対位置をそのままにした状態で９０度回転した形態、すなわち、尖端部３６ｃがトラック幅方向に突出している形態でも実施は可能である。

また、近接場光発生板の製法も上述のものに限定されず、例えば、媒体対向面側からミリング法等により導波路の端面に近接場光発生板を収容するトレンチを掘り、そのトレンチ内に導電材料をスパッタリング等により埋め込むことにより形成しても良い。

以上述べた実施形態は全て本発明を例示的に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することができる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均等範囲によってのみ規定されるものである。

図１は、本発明によるハードディスク装置及びＨＧＡの一実施形態における要部の構成を概略的に示す斜視図である。 図２は、図１のＨＧＡの先端付近の拡大斜視図である。 図３は、図１の熱アシスト磁気ヘッドの構成を概略的に示す斜視図である。 図４は、図３の熱アシスト磁気ヘッドの媒体対向面に垂直な断面図である。 図５は、図４の熱アシスト磁気ヘッドの媒体対向面から見た概略図である。 図６は、図３の熱アシスト磁気ヘッドにおける導波路及び近接場光発生板を示す斜視図である。 図７は、図４の近接場光発生板の拡大図である。 図８は、レーザダイオードの構成を示す概略斜視図である。 図９は、導波路及び近接場光発生板の製造方法を（Ａ）〜（Ｄ）の順に示す斜視図である。 図１０は、導波路及び近接場光発生板の製造方法を（Ａ）〜（Ｄ）の順に示す図９に続く斜視図である。 図１１は、熱アシスト磁気ヘッドの製造方法を（Ａ），（Ｂ）の順に示す斜視図である。 図１２は、他の熱アシスト磁気ヘッドの媒体対向面から見た概略図である。 図１３は、さらに他の熱アシスト磁気ヘッドの媒体対向面から見た概略図である。

符号の説明

１…ハードディスク装置、１０…磁気ディスク（記録媒体）、１７…ヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）、２０…サスペンジョン、２１…熱アシスト磁気ヘッド、２２…スライダ、２２０…スライダ基板、２２０２…集積面、２３…光源ユニット、２３０…光源支持基板、３２…磁気ヘッド部、３３…ＭＲ効果素子（磁気検出素子）、３４…電磁コイル素子（磁気記録素子）、３５…導波路、３５４…入口面（端面）、３６…近接場光発生板、３６ａ…尖端部（一端部）、３７ｄ…底辺（他端部）３７…近接場光散乱板、４０…レーザダイオード（光源）、４００…出光端、Ｓ…媒体対向面

Claims (7)

1. 媒体対向面を有する熱アシスト磁気ヘッドであって、
   端面が前記媒体対向面に露出する導波路と、
   その主面が前記媒体に対向するように前記導波路の媒体対向面に配置された導電性の近接場光発生板と、
   その主面が前記媒体に対向するように前記熱アシスト磁気ヘッドの媒体対向面に配置された導電性の近接場光散乱板と、を備え、
   前記媒体対向面に垂直な方向から見て、前記近接場光発生板の一端には尖端部を有し、
   前記近接場光散乱板は、前記媒体対向面に垂直な方向から見て、前記近接場光発生板の前記尖端部とは反対側の他端部に沿って配置され、
   前記媒体対向面に垂直な方向から見て、前記近接場光発生板の前記尖端部と前記他端部と結ぶ方向と直交する第１方向における前記近接場光散乱板の幅は、前記近接場光発生板の前記第１方向における幅よりも広い熱アシスト磁気ヘッド。
2. 前記媒体対向面に垂直な方向から見て、
   前記第１方向は媒体走行方向と平行とされ、前記近接場光発生板の前記他端はトラック幅方向と平行とされ、前記近接場光散乱板はトラック幅方向に平行な２つの辺を有する台形または長方形である請求項１に記載の熱アシスト磁気ヘッド。
3. 前記近接場光発生板と前記近接場光散乱板との距離は、前記媒体対向面と前記媒体との間の距離以下である請求項１又は２に記載の熱アシスト磁気ヘッド。
4. 前記近接場光散乱板の前記第１方向における幅は、前記導波路を介して媒体対向面に到達する光のスポットの前記第１方向の幅よりも大きい請求項１〜３のいずれか記載の熱アシスト磁気ヘッド。
5. 前記近接場光発生板と前記近接場光散乱板とは互いに異なる導電材料から形成された請求項１〜４のいずれか記載の熱アシスト磁気ヘッド。
6. 請求項１〜５のいずれか１項記載の熱アシスト磁気ヘッドと、前記熱アシスト磁気ヘッドを支持するサスペンジョンとを備えたヘッドジンバルアセンブリ。
7. 請求項６に記載のヘッドジンバルアセンブリと、磁気記録媒体と、を備えたハードディスク装置。

Images