JP4450032B2 - 熱アシスト磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ及びハードディスク装置 - Google Patents
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Description
本発明は、熱アシスト磁気記録方式により信号の書き込みを行う熱アシスト磁気ヘッド、この熱アシスト磁気ヘッドを備えたヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）及びこのＨＧＡを備えたハードディスク装置に関する。
ハードディスク装置の高記録密度化に伴い、薄膜磁気ヘッドのさらなる性能の向上が要求されている。薄膜磁気ヘッドとしては、磁気抵抗（ＭＲ）効果素子等の磁気検出素子と電磁コイル素子等の電磁変換素子とを積層した構造である複合型薄膜磁気ヘッドが広く用いられており、これらの素子によって磁気記録媒体である磁気ディスクにデータ信号が読み書きされる。
一般に、磁気記録媒体は、いわば磁性微粒子が集合した不連続体であり、それぞれの磁性微粒子は単磁区構造となっている。ここで、１つの記録ビットは、複数の磁性微粒子から構成されている。従って、記録密度を高めるためには、磁性微粒子を小さくして、記録ビットの境界の凹凸を減少させなければならない。しかし、磁性微粒子を小さくすると、体積減少に伴う磁化の熱安定性の低下が問題となる。
磁化の熱安定性の目安は、ＫＵＶ／ｋＢＴで与えられる。ここで、ＫＵは磁性微粒子の磁気異方性エネルギー、Ｖは１つの磁性微粒子の体積、ｋＢはボルツマン定数、Ｔは絶対温度である。磁性微粒子を小さくするということは、まさにＶを小さくすることであり、そのままではＫＵＶ／ｋＢＴが小さくなって熱安定性が損なわれる。この問題への対策として、同時にＫＵを大きくすることが考えられるが、このＫＵの増加は、記録媒体の保磁力の増加をもたらす。これに対して、磁気ヘッドによる書き込み磁界強度は、ヘッド内の磁極を構成する軟磁性材料の飽和磁束密度でほぼ決定されてしまう。従って、保磁力が、この書き込み磁界強度の限界から決まる許容値を超えると書き込みが不可能となってしまう。
このような磁化の熱安定性の問題を解決する方法として、ＫＵの大きな磁性材料を用いる一方で、書き込み磁界印加を印加する際に、光源からの光の照射によって記録媒体の一部に熱を加え、保磁力を小さくして磁気記録素子による書き込みを行う、いわゆる熱アシスト磁気記録方式が提案されている（例えば特許文献１〜５参照）。
特開平１０−１６２４４４号公報
特開２００１−２５５２５４号公報
特開２００４−１５８０６７号公報
IEEE Trans. Magn. Vol. 41, p2817(2005)
特開２００６−１８５５４８号公報
ところで、特許文献１の図８等には、スライダの裏面にレーザダイオード用の支持基板を配置し、支持基板に固定したレーザダイオードの光をスライダに設けた導波路を介して記録媒体側に導く態様が開示されている。このような態様において、スライダの電磁変換素子や磁気読取素子と、サスペンションに設けられた電極との電気的接続を取ることが容易ではない。
例えば、スライダに、電磁変換素子や磁気読取素子に対して電気的に接続された電極をそれぞれ設け、これらの電極と、サスペンションの電極とをボンディングワイヤにより接続することが考えられる。しかしながら、ボンディングワイヤの数が増えると、組立工程でワイヤが他の物体と接触することによる不良の恐れが増える。したがって、ボンディングワイヤの数を減らしたい。
本発明は、このような課題に鑑みてなされたものであり、歩留まりのよい熱アシスト磁気ヘッド、この熱アシスト磁気ヘッドを備えたＨＧＡ及びこのＨＧＡを備えたハードディスク装置を提供することを目的とする。
本発明に係る熱アシスト磁気ヘッドは、媒体対向面を有するスライダと、スライダの前記媒体対向面とは反対側の面上に配置された光源ユニットと、を備える。スライダは、スライダ基板と、電磁変換素子と、媒体対向面とは反対面から光を受け入れて媒体対向面側に導く導波路と、電磁変換素子に対して電気的に接続された素子用電極と、を有する。光源ユニットは、スライダ基板に対して固定された光源支持基板と、導波路に光を供給可能となるように光源支持基板に対して固定された光源と、スライダ側からスライダとは反対側まで伸びかつ両端部が前記光源ユニットの表面に露出したリードと、を有する。スライダの素子用電極はスライダの媒体対向面とは反対側の面に光源ユニットに覆われることなく露出し、又は、スライダの素子用電極はスライダの媒体対向面の側面に露出している。光源ユニットのリードのスライダ側の端部と、スライダの素子用電極とが、半田付けされている。
また他の発明に係る熱アシスト磁気ヘッドは、スライダが、スライダ基板と、電磁変換素子と、電圧が印加される磁気検出素子と、媒体対向面とは反対面から光を受け入れて媒体対向面側に導く導波路と、磁気検出素子に対して電気的に接続された素子用電極と、を有し、他の構成は、上記熱アシスト磁気ヘッドと同様である
これらによれば、スライダの素子に対して電気を供給するための素子用電極を、半田、光源ユニットのリードを介して、ボンディングワイヤを介することなく、サスペンションの電極と電気的に接続することが可能となる。したがって、ボンディングワイヤに起因する不良を減らすことができる。
ここで、光源ユニットのリードの両端部が光源ユニットの同一の側面上に露出し、スライダの素子用電極はスライダの媒体対向面とは反対側の面に光源ユニットに覆われることなく露出していることが好ましい。
これにより、同一面側から、サスペンションの電極と光源ユニットのリードとの半田付け、及び、光源ユニットのリードとスライダの素子用電極との半田付けが容易である。
また、光源及びリードは光源支持基板の同一の側面上に配置され、リードにおける、スライダ側の端部と、スライダとは反対側の端部と、の間の中間部が、光源ユニットの表面に露出せずに絶縁層に覆われており、絶縁層上には光源用電極が設けられ、光源用電極上に光源が配置されることが好ましい。
これによれば、光源支持基板の同一の側面上に、光源、リード、光源用電極を形成しているので、製造が容易である。また、光源用電極と、リードとが互いに電気的に絶縁された状態でオーバーパスするので、光源支持基板の一の側面の面積を有効利用しつつ、光源用電極の幅や長さを大きくすることができる。したがって、光源と光源用電極とを電気的に接続しやすい上に、光源用電極に対して光源に覆われない部分を形成させることが容易であり、この覆われない部分を用いて、光源の発光テストなどを好適に行える。
本発明に係るヘッドジンバルアセンブリは、上記の熱アシスト磁気ヘッドと、熱アシスト磁気ヘッドを支持するサスペンションと、を備える。
本発明に係るハードディスク装置は、上記のヘッドジンバルアセンブリと、磁気記録媒体と、を備える。
本発明によれば、歩留まりのよい熱アシスト磁気ヘッド、この熱アシスト磁気ヘッドを備えたＨＧＡ及びこのＨＧＡを備えたハードディスク装置を提供できる。
以下に、本発明を実施するための形態について、添付図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図面において、同一の要素は、同一の参照番号を用いて示されている。また、図面中の構成要素内及び構成要素間の寸法比は、図面の見易さのため、それぞれ任意となっている。
（第一実施形態）
（ハードディスク装置）
図１は、実施の形態に係るハードディスク装置の斜視図である。
（ハードディスク装置）
図１は、実施の形態に係るハードディスク装置の斜視図である。
ハードディスク装置１は、スピンドルモータ１１の回転軸の回りを回転する複数の磁気記録媒体である磁気ディスク１０、熱アシスト磁気ヘッド２１をトラック上に位置決めするためのアセンブリキャリッジ装置１２、この熱アシスト磁気ヘッド２１のライト及びリード動作を制御し、さらに後に詳述する熱アシスト磁気記録用のレーザ光を発生させる光源であるレーザダイオードを制御するためのリードライト制御回路１３を備えている。
アセンブリキャリッジ装置１２には、複数の駆動アーム１４が設けられている。これらの駆動アーム１４は、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）１５によってピボットベアリング軸１６を中心にして揺動可能であり、この軸１６に沿った方向に積層されている。各駆動アーム１４の先端部には、ヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）１７が取り付けられている。各ＨＧＡ１７には、熱アシスト磁気ヘッド２１が、各磁気ディスク１０の表面に対向するように設けられている。磁気ディスク１０の表面に対向する面が熱アシスト磁気ヘッド２１の媒体対向面Ｓ（エアベアリング面とも呼ばれる）である。なお、磁気ディスク１０、駆動アーム１４、ＨＧＡ１７及び熱アシスト磁気ヘッド２１は、単数であってもよい。（ＨＧＡ）
図２は、ＨＧＡ１７の斜視図である。同図は、ＨＧＡ１７の媒体対向面Ｓを上にして示してある。
ＨＧＡ１７は、サスペンション２０の先端部に、熱アシスト磁気ヘッド２１を固着し、さらにその熱アシスト磁気ヘッド２１の端子電極に配線部材２０３の一端を電気的に接続して構成される。サスペンション２０は、ロードビーム２００と、このロードビーム２００上に固着され支持された弾性を有するフレクシャ２０１と、フレックシャの先端に板ばね状に形成されたタング部２０４と、ロードビーム２００の基部に設けられたベースプレート２０２と、フレクシャ２０１上に設けられておりリード導体及びその両端に電気的に接続された接続パッドからなる配線部材２０３とから主として構成されている。
なお、ＨＧＡ１７におけるサスペンションの構造は、以上述べた構造に限定されるものではないことは明らかである。なお、図示されていないが、サスペンション２０の途中にヘッド駆動用ＩＣチップを装着してもよい。
（熱アシスト磁気ヘッド）
図３は、図１に示した熱アシスト磁気ヘッド２１の近傍の拡大斜視図である。図４は、図３の熱アシスト磁気ヘッド２１の主要部を媒体対向面Ｓから見た図、図５は図３の熱アシスト磁気ヘッド２１のＶ−Ｖ矢視図、図６は図３の熱アシスト磁気ヘッド２１のＶＩ−ＶＩ矢視図である。
図３は、図１に示した熱アシスト磁気ヘッド２１の近傍の拡大斜視図である。図４は、図３の熱アシスト磁気ヘッド２１の主要部を媒体対向面Ｓから見た図、図５は図３の熱アシスト磁気ヘッド２１のＶ−Ｖ矢視図、図６は図３の熱アシスト磁気ヘッド２１のＶＩ−ＶＩ矢視図である。
熱アシスト磁気ヘッド２１は、光源支持基板２３０及び熱アシスト磁気記録用の光源となるレーザダイオード４０を備えた光源ユニット２３と、スライダ基板２２０及び磁気ヘッド部３２を有するスライダ２２とが、スライダ基板２２０の背面２２０１及び光源支持基板２３０の接着面２３００を接面させて接着され、固定された構成を有している。ここで、スライダ基板２２０の背面２２０１は、スライダ２２の媒体対向面Ｓとは反対側の面である。また、光源支持基板２３０の底面２３０１がフレクシャ２０１のタング部２０４に、例えば、エポキシ樹脂等の接着剤４５により接着されている（図５、図６参照）。
スライダ２２は、スライダ基板２２０及びデータ信号の書き込み及び読み出しを行う磁気ヘッド部３２を備えている。
スライダ基板２２０は、板状を呈し、適切な浮上量を得るように加工された（図示省略）媒体対向面Ｓを有する。スライダ基板２２０は導電性のアルティック（Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ）等から形成されている。
磁気ヘッド部３２は、図３〜図５に示すように、スライダ基板２２０の媒体対向面Ｓに対して略垂直な側面である集積面２２０２に形成されている。磁気ヘッド部３２は、磁気情報を検出する磁気検出素子としてのＭＲ効果素子３３、磁界の生成により磁気情報を書き込む垂直（面内でも良い）電磁変換素子としての電磁コイル素子３４、ＭＲ効果素子３３及び電磁コイル素子３４の間を通して設けられている平面導波路としての導波路３５、磁気ディスクの記録層部分を加熱するための近接場光を発生させる近接場光発生部（プラズモン・プローブとも呼ばれる）３６、及び、これらＭＲ効果素子３３、電磁コイル素子３４、導波路３５及び近接場光発生部３６を覆うように集積面２２０２上に形成されたクラッドとして機能する絶縁層３８とを備えている。
更に、磁気ヘッド部３２は、図３に示すように、磁気ヘッド部３２における媒体対向面Ｓとは反対側の面３２ａに露出するように形成された素子用電極３７１、３７２、３７３、３７４、３７５、３７６を備えている。素子用電極３７１、３７２は、ＭＲ効果素子３３の入力端子にそれぞれ電気的に接続されている。素子用電極３７３、３７４は、電磁コイル素子３４の入力端子、より具体的には、コイルの両端にそれぞれ電気的に接続されている。素子用電極３７５、３７６は、スライダ基板２２０をグランド電位にするためのもの、或いは、スライダ内に設けられた図示しないヒータ用のものでる。スライダ基板２２０をグラウンド電位にする場合には、図示は省略するが、素子用電極３７５を、ビアホール等を介して、スライダ基板２２０と電気的に接続させればよい。
ここで、光源ユニット２３は、スライダ２２の磁気ヘッド部３２の面３２ａにおいて、素子用電極３７１〜３７６や導波路３５を露出させるように、すなわち、素子用電極３７１〜３７６の全てを覆わないように配置されている。
図４及び図５に示すように、ＭＲ効果素子３３、電磁コイル素子３４、及び近接場光発生部３６の各端面は、媒体対向面Ｓ上に露出している。
ＭＲ効果素子３３は、図５に示すように、ＭＲ積層体３３２と、このＭＲ積層体３３２を挟む位置に配置されている下部シールド層３３０及び上部シールド層３３４とを含む。下部シールド層３３０及び上部シールド層３３４は、例えば、フレームめっき法を含むパターンめっき法等によって形成された厚さ０．５〜３μｍ程度のＮｉＦｅ、ＣｏＦｅＮｉ、ＣｏＦｅ、ＦｅＮ若しくはＦｅＺｒＮ等の磁性材料で構成することができる。上下部シールド層３３４及び３３０は、ＭＲ積層体３３２が雑音となる外部磁界の影響を受けることを防止する。
ＭＲ積層体３３２は、面内通電型（ＣＩＰ（Ｃｕｒｒｅｎｔ Ｉｎ Ｐｌａｎｅ））巨大磁気抵抗（ＧＭＲ（Ｇｉａｎｔ Ｍａｇｎｅｔｏ Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ））多層膜、垂直通電型（ＣＰＰ（Ｃｕｒｒｅｎｔ Ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ ｔｏ Ｐｌａｎｅ））ＧＭＲ多層膜、又はトンネル磁気抵抗（ＴＭＲ（Ｔｕｎｎｅｌ Ｍａｇｎｅｔｏ Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ））多層膜等の磁気抵抗効果膜を含み、非常に高い感度で磁気ディスクからの信号磁界を感受する。
ＭＲ積層体３３２は、例えば、ＴＭＲ効果多層膜を含む場合、ＩｒＭｎ、ＰｔＭｎ、ＮｉＭｎ、ＲｕＲｈＭｎ等からなる厚さ５〜１５ｎｍ程度の反強磁性層と、例えば強磁性材料であるＣｏＦｅ等、又はＲｕ等の非磁性金属層を挟んだ２層のＣｏＦｅ等から構成されており反強磁性層によって磁化方向が固定されている磁化固定層と、例えばＡｌ、ＡｌＣｕ等からなる厚さ０．５〜１ｎｍ程度の金属膜が真空装置内に導入された酸素によって又は自然酸化によって酸化された非磁性誘電材料からなるトンネルバリア層と、例えば強磁性材料である厚さ１ｎｍ程度のＣｏＦｅ等と厚さ３〜４ｎｍ程度のＮｉＦｅ等との２層膜から構成されておりトンネルバリア層を介して磁化固定層との間でトンネル交換結合をなす磁化自由層とが、順次積層された構造を有している。
ＭＲ効果素子３３と導波路３５との間には、下部シールド層３３０と同様の材料からなる素子間シールド層１４８が形成されている。素子間シールド層１４８は、ＭＲ効果素子３３を、電磁コイル素子３４より発生する磁界から遮断して読み出しの際の外来ノイズを防止する役割を果たす。
ＭＲ積層体３３２の媒体対向面Ｓとは反対側のシールド層３３０、３３４間、シールド層３３０、３３４、１４８の媒体対向面Ｓとは反対側、下部シールド層３３０とスライダ基板２２０との間、及び、素子間シールド層１４８と導波路３５との間にはアルミナ等から形成された絶縁層３８が形成されている。
なお、ＭＲ積層体３３２がＣＩＰ−ＧＭＲ多層膜を含む場合、上下部シールド層３３４及び３３０の各々とＭＲ積層体３３２との間に、アルミナ等により形成されたアルミナ等の絶縁用の上下部シールドギャップ層がそれぞれ設けられる。さらに、図示は省略するが、ＭＲ積層体３３２にセンス電流を供給して再生出力を取り出すためのＭＲリード導体層が形成される。一方、ＭＲ積層体３３２がＣＰＰ−ＧＭＲ多層膜又はＴＭＲ多層膜を含む場合、上下部シールド層３３４及び３３０はそれぞれ上下部の電極層としても機能する。この場合、上下部シールドギャップ層とＭＲリード導体層とは不要であって省略される。
ＭＲ積層体３３２のトラック幅方向の両側には、磁区の安定化用の縦バイアス磁界を印加するための、ＣｏＴａ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＰｔ等の強磁性材料からなるハードバイアス層（不図示）が形成される。
電磁コイル素子３４は、垂直磁気記録用が好ましく、図５に示すように、主磁極層３４０、ギャップ層３４１ａ、コイル絶縁層３４１ｂ、コイル層３４２、及び補助磁極層３４４を備えている。
主磁極層３４０は、コイル層３４２によって誘導された磁束を、書き込みがなされる磁気ディスク（媒体）の記録層まで収束させながら導くための導磁路である。ここで、主磁極層３４０の媒体対向面Ｓ側の端部のトラック幅方向（図５の紙面奥行き方向）の幅及び積層方向（図５の左右方向）の厚みは、他の部分に比べて小さくすることが好ましい。この結果、高記録密度化に対応した微細で強い書き込み磁界を発生可能となる。
主磁極層３４０に磁気的に結合した補助磁極層３４４の媒体対向面Ｓ側の端部は、補助磁極層３４４の他の部分よりも層断面が広いトレーリングシールド部を形成している。補助磁極層３４４は、主磁極層３４０の媒体対向面Ｓ側の端部とアルミナ等の絶縁材料により形成されたギャップ層（クラッド）３４１ａ，コイル絶縁層３４１ｂを介して対向している。
補助磁極層３４４は、例えば、厚さ約０．５〜約５μｍの、例えばフレームめっき法、スパッタリング法等を用いて形成されたＮｉ、Ｆｅ及びＣｏのうちいずれか２つ若しくは３つからなる合金、又はこれらを主成分として所定の元素が添加された合金等から構成されている。
ギャップ層３４１ａは、コイル層３４２と主磁極層３４０とを離間しており、例えば、厚さ約０．０１〜約０．５μｍの、例えばスパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いて形成されたＡｌ２Ｏ３又はＤＬＣ等から構成されている。
コイル層３４２は、例えば、厚さ約０．５〜約３μｍの、例えばフレームめっき法等を用いて形成されたＣｕ等から構成されている。主磁極層３４０の後端と補助磁極層３４４の媒体対向面Ｓから離れた部分とが結合され、コイル層３４２はこの結合部分を取り囲むように形成されている。
コイル絶縁層３４１ｂは、コイル層３４２と、補助磁極層３４４とを離間し、例えば、厚さ約０．１〜約５μｍの熱硬化されたアルミナやレジスト層等の電気絶縁材料から構成されている。
図４に示すように、リーディング側すなわちスライダ基板２２０側の辺の長さがトレーリング側の辺の長さよりも短い逆台形となるように、媒体対向面Ｓ側の主磁極層３４０の先端は、先細り形状にされている。
主磁極層３４０の媒体対向面側の端面には、ロータリーアクチュエータでの駆動により発生するスキュー角の影響によって隣接トラックに不要な書き込み等を及ぼさないように、ベベル角θが付けられている。ベベル角θの大きさは、例えば、１５°程度である。実際に、書き込み磁界が主に発生するのは、トレーリング側の長辺近傍であり、磁気ドミナントの場合には、この長辺の長さによって書き込みトラックの幅が決定される。
ここで、主磁極層３４０は、例えば、媒体対向面Ｓ側の端部での全厚が約０．０１〜約０．５μｍであって、この端部以外での全厚が約０．５〜約３．０μｍの、例えばフレームめっき法、スパッタリング法等を用いて形成されたＮｉ、Ｆｅ及びＣｏのうちいずれか２つ若しくは３つからなる合金、又はこれらを主成分として所定の元素が添加された合金等から構成されていることが好ましい。また、トラック幅は、例えば、１００ｎｍとすることができる。
導波路３５は、図５に示すように、ＭＲ効果素子３３と電磁コイル素子３４との間に位置していて集積面２２０２と平行に延びており、磁気ヘッド部３２の媒体対向面Ｓから、磁気ヘッド部３２の媒体対向面Ｓとは反対側の面３２ａまで延びており、本例では矩形の板状のものである。図４に示すように、導波路３５の、トラック幅方向において対向する２つの側面３５１ａ，３５１ｂ、及び、集積面２２０２と平行な２つの側面３５２ａ、側面３５２ｂは、導波路３５よりも屈折率が小さくコアとしての導波路３５に対するクラッドとして機能する絶縁層３８と接している。
図５に戻って、導波路３５の厚み方向をＸ軸、幅方向をＹ軸、長手方向をＺ軸とした場合、レーザダイオード４０の発光面からＺ軸に沿って出射された光は、光入射面３５４に入射する。導波路３５は、光入射面３５４から入射した光を、その側面で反射させつつ、媒体対向面Ｓ側の端面である光出射面３５３に導くことが可能となっている。図４に示す、導波路３５のトラック幅方向の幅Ｗ３５は例えば、１〜２００μｍとすることができ、厚みＴ３５は例えば２〜１０μｍとすることができ、図５に示す高さＨ３５は１０〜３００μｍとすることができる。
導波路３５は、何れの部分においても、絶縁層３８を形成する材料よりも高い屈折率ｎを有する、例えばスパッタリング法等を用いて形成された誘電材料から構成されている。例えば、クラッドとしての絶縁層３８が、ＳｉＯ２（ｎ＝１．５）から形成されている場合、導波路３５は、Ａｌ２Ｏ３（ｎ＝１．６３）から形成されていてもよい。さらに、絶縁層３８が、Ａｌ２Ｏ３（ｎ＝１．６３）から形成されている場合、導波路３５は、Ｔａ２Ｏ５（ｎ＝２．１６）、Ｎｂ２Ｏ５（ｎ＝２．３３）、ＴｉＯ（ｎ＝２．３〜２．５５）又はＴｉＯ２（ｎ＝２．３〜２．５５）から形成されていてもよい。導波路３５をこのような材料で構成することによって、材料そのものが有する良好な光学特性によるだけではなく、界面での全反射条件が整うことによって、レーザ光の伝播損失が小さくなり、近接場光の発生効率が向上する。
近接場光発生部３６は、図４及び図５に示すように、導波路３５の光出射面３５３に配置されている板状部材である。近接場光発生部３６は、図５に示すように、その端面が媒体対向面Ｓに露出するように導波路３５の光出射面３５３に埋設されている。近接場光発生部３６は、図４に示すように、媒体対向面Ｓから見て三角形状を呈し、導電材料により形成されている。導電材料としては、Ａｕ等の金属や合金等が挙げられる。
三角形の底辺３６ｄがスライダ基板２２０の集積面２２０２と平行すなわちトラック幅方向と平行に配置され、底辺３６ｄと向き合う尖った尖端部３６ｃが底辺３６ｄよりも電磁コイル素子３４の主磁極層３４０側に配置されており、具体的には、尖端部３６ｃが主磁極層３４０のリーディング側エッジと対向するように配置されている。近接場光発生部３６の好ましい形態は、底辺３６ｄの両端の２つの底角がいずれも同じとされた二等辺三角形である。
近接場光発生部３６の三角形の高さＨ３６は、入射されるレーザ光の波長よりも十分に小さく、２０〜４００ｎｍとすることが好ましい。底辺３６ｄの幅Ｗ３６は、入射されるレーザ光の波長よりも十分に小さく、２０〜４００ｎｍとすることが好ましい。先端部３６ｃを与える頂点の角度は例えば６０度である。
近接場光発生部３６の厚みは１０〜１００ｎｍとすることが好ましい。このような導波路３５、近接場光発生部３６等は、リフトオフ法等のフォトリソグラフィー技術等を用いて容易に形成できる。
そして、レーザダイオード４０からの光が近接場光発生部３６に照射されることで主として尖端部３６ｃから近接場光が発生する。これは、近接場光発生部３６に光を照射すると、近接場光発生部３６を構成する金属内の電子がプラズマ振動し、その先端部において電界の集中が生じるためと考えられる。
このような近接場光発生部３６から発生する近接場光は、入射されるレーザ光の波長及び導波路３５の形状にも依存するが、一般に、媒体対向面Ｓから見て近接場光発生部３６の境界で最も強い強度を有する。特に、本実施形態では、近接場光発生部３６に到達する光の電界ベクトルは、レーザダイオード４０の積層方向（Ｘ方向）となる。したがって、先端３６１ｃ近傍にて最も強い近接場光の放射が起こる。すなわち、磁気ディスクの記録層部分を光により加熱する熱アシスト作用において、この先端３６１ｃ近傍と対向する部分が、主要な加熱作用部分となる。
この近接場光の電界強度は、入射光に比べて桁違いに強く、この非常に強力な近接場光が、磁気ディスク表面の対向する局所部分を急速に加熱する。これにより、この局所部分の保磁力が、書き込み磁界による書き込みが可能な大きさまでに低下するので、高密度記録用の高保磁力の磁気ディスクを使用しても、電磁コイル素子３４による書き込みが可能となる。なお、近接場光は、媒体対向面Ｓから磁気ディスクの表面に向かって、１０〜３０ｎｍ程度の深さまで到達する。従って、１０ｎｍ又はそれ以下の浮上量である現状において、近接場光は、十分に記録層部分に到達することができる。また、このように発生する近接場光のトラック幅方向の幅や媒体移動方向の幅は、上述の近接場光の到達深さと同程度であって、また、この近接場光の電界強度は、距離が離れるに従って指数関数的に減衰するので、非常に局所的に磁気ディスクの記録層部分を加熱することができる。光ドミナントの場合には、この近接場光の径によって書き込みトラックの幅が決定される。
なお、近接場光発生部３６の形状は、上述のものに限定されず、様々な変形が可能である。
（光源ユニット）
次いで、図３〜図６を参照して、熱アシスト磁気ヘッド２１の光源ユニット２３の構成要素について説明する。
次いで、図３〜図６を参照して、熱アシスト磁気ヘッド２１の光源ユニット２３の構成要素について説明する。
光源ユニット２３は、光源支持基板２３０、外形形状が板状のレーザダイオード（光源）４０、リード４７１、４７２、４７３、４７４、４７５、４７６、及び、光源用電極４７、４８を主として備えている。
光源支持基板２３０はアルティック（Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ）等からなる基板であり、図５に示すように、スライダ基板２２０の背面２２０１に接着している接着面２３００を有している。接着面２３００にはアルミナ等の断熱層２３０ａが形成されている。この接着面２３００を底面とした際の一つの側面である素子形成面２３０２上に、絶縁材料から形成された絶縁層４１が設けられており、この絶縁層４１の上に、図３に示すように、光源用電極４７、４８が形成され、光源用電極４７上にレーザダイオード４０が固定されている。また、絶縁層４１中に、リード４７１〜４７６が設けられている。
絶縁層４１の材料は、特に限定されないが、熱伝導性が高い電気絶縁材料であることが好ましく、例えば、ＡｌＮ，ダイアモンドライクカーボン、ＳｉＣ等が挙げられる。また、絶縁層４１の厚みは特に限定されないが、例えば、０．１〜１００μｍとすることが好ましい。
リード４７１〜４７６は、図３に示すように、絶縁層４１中に埋設されている。各リード４７１〜４７６は、媒体対向面Ｓに対して垂直な方向、すなわち、光源ユニット２３の厚み方向にそれぞれ伸びている。リード４７１〜４７６におけるスライダ２２側の端部４７１ａ〜４７６ａは、光源ユニット２３の側面を形成する絶縁層４１の表面４１１から露出している。また、リード４７１〜４７６におけるスライダ２２とは反対側の端部４７１ｂ〜４７６ｂも、絶縁層４１の表面４１１から露出している。これに対して、スライダ側の端部４７１ａ〜４７６ａと、スライダ２２とは反対側の端部４７１ｂ〜４７６ｂとの間に位置する中間部４７１ｃ〜４７６ｃは、絶縁層４１に覆われており、絶縁層４１の表面４１１に露出していない。
このようなリードは、例えば、Ａｕ、Ｃｕ等の金属を用い、フォトリソグラフィー法及びメッキ法等を利用して製造することができる。
そして、図３及び図６に示すように、スライダ２２の素子用電極３７１〜３７６が、それぞれ、光源ユニット２３のリード４７１〜４７６のスライダ２２側の端部４７１ａ〜４７６ａに対して、リフローされた半田２５０により電気的に接続されている。
配線部材２０３を構成する一対の配線は、図３に示すように、サスペンション２０の電極２７３、２７４に接続され、電極２７３、２７４は、リフロー半田２５２を介してリード４７３、４７４のスライダ２２とは離れた側の端部４７３ｂ、４７４ｂと電気的に接続されており、電磁コイル素子３４（図４等参照）の両端に電圧の印加が可能となっている。一対の素子用電極３７１間に電圧を印加すると、電磁変換素子としての電磁コイル素子３４に通電が行われ、書き込み磁界が発生する。
配線部材２０３を構成する別の一対の配線は、サスペンション２０の電極２７１、２７２に接続されており、電極２７１、２７２は、リフロー半田２５２を介してリード４７１、４７２のスライダ２２とは離れた側の端部４７１ｂ、４７２ｂと電気的に接続されており、ＭＲ効果素子３３（図４参照）の両端に電圧を印加可能となっている。一対の電極２７１、２７２間に電圧を印加するとＭＲ効果素子３３にセンス電流が流れる。記録媒体に書き込まれた情報は、ＭＲ効果素子３３にセンス電流を流すことで読み出すことができる。
配線部材２０３を構成する別の一対の配線は、サスペンション２０の電極２７５、２７６に接続されており、電極２７５、２７６は、リフロー半田２５２を介してリード４７５、４７６のスライダ２２とは離れた側の端部４７５ｂ、４７６ｂと電気的に接続されており、これにより、例えば、絶縁層中にヒータ等がある場合にこれに電圧を印加可能となっている。また、一方の電位により、スライダ２２のスライダ基板２２０のグランドを取ることも可能である。
光源用電極４７は、図３に示すように、絶縁層４１の面４１１の中央部にトラック幅方向に延びて形成されている。ここで、光源用電極４７は、リード４７３、４７４、４７６の各中間部４７３ｃ、４７４ｃ、４７６ｃの上方を、絶縁層４１を間に介在させた状態で通過するように配置され、これらをオーバーパスしている。一方、光源用電極４８は、光源用電極４７からトラック幅方向に離間した位置に形成されている。光源用電極４８は、リード４７１、４７２、４７５の各中間部４７１ｃ、４７２ｃ、４７５ｃの上方を、絶縁層４１を間に介在させた状態で通過するように配置され、これらをオーバーパスしている。各光源用電極４７、４８は、半田リフローによるフレクシャ２０１との接続のために、さらに、フレクシャ２０１側に向かって延びている。
光源用電極４７は、図５に示すように、絶縁層４１内に設けられたビアホール４７ａにより光源支持基板２３０と電気的に接続されている。また、光源用電極４７は、レーザダイオード４０駆動時の熱をビアホール４７ａを介して光源支持基板２３０側へ逃がすためのヒートシンクとしても機能する。また、光源用電極４７は光源支持基板２３０と電気的に接続されているため、電極２４７により光源支持基板２３０の電位を例えばグラウンド電位に制御することが可能となっている。
光源用電極４７、４８は、例えば、厚さ１０ｎｍ程度のＴａ、Ｔｉ等からなる下地層を介して形成された、厚さ１〜３μｍ程度の、例えば真空蒸着法やスパッタリング法等を用いて形成されたＡｕ、Ｃｕ等の層から形成することができる。
そして、レーザダイオード４０は、光源用電極４７の上にＡｕ−Ｓｎ等の導電性の半田材料からなる半田層４２（図５参照）により電気的に接続されている。このとき、レーザダイオード４０は、光源用電極４７の一部のみを覆うように光源用電極４７に対して配置されている。
また、図３に示すように、サスペンション２０の配線部材２０３を構成する配線の１つは電極２４７に接続され、電極２４７は光源ユニット２３の光源用電極４７とリフロー半田２５２を介して接続されている。また、別の配線は電極２４８に接続され、電極２４８は光源用電極４８とリフロー半田２５２により接続されている。従って、電極２４７，２４８間に駆動電流を供給するとレーザダイオード４０が発光する。
なお、リフロー半田２５０、２５２の形成方法は、いわゆるソルダーボールボンディングといわれる方法を使えばよく、具体的には、溶融した半田ボールを一対の電極に対して超音波等によりそれぞれ接合し、その後、レーザ等により半田ボールを加熱してリフローし、電極間をリフロー半田２５０により接合すればよい。半田の材料は特に限定されないが、Ａｕ、Ｓｎ、Ｐｂやこれらの合金等が挙げられる。
図７は、レーザダイオード４０の斜視図である。
レーザダイオード４０は、通常、光学系ディスクストレージに使用されるものと同じ構造を有していてよく、例えば、ｎ電極４０ａと、ｎ−ＧａＡｓ基板４０ｂと、ｎ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層４０ｃと、第１のＩｎＧａＡｌＰガイド層４０ｄと、多重量子井戸（ＩｎＧａＰ／ＩｎＧａＡｌＰ）等からなる活性層４０ｅと、第２のＩｎＧａＡｌＰガイド層４０ｆと、ｐ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層４０ｇと、＊ｎ−ＧａＡｓ電流阻止層４０ｈと、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層４０ｉと、ｐ電極４０ｊとが順次積層された構造を有する。これらの多層構造の劈開面の前後には、全反射による発振を励起するためのＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３等からなる反射膜５０及び５１が成膜されており、レーザ光が放射される出光端４００には、一方の反射膜５０における活性層４０ｅの位置に開口が設けられている。このようなレーザダイオード４０は、膜厚方向に電圧が印加されることにより、出光端４００からレーザ光を出射する。
放射されるレーザ光の波長λＬに関しては、上述のように近接場光発生部３６の形状及び金属材料、及び導波路３５を構成する材料の屈折率ｎを考慮して、適当な波長λＬのレーザ光を出射するレーザダイオードを選択する。
レーザダイオード４０の大きさは、上述したように、例えば、幅（Ｗ４０）が２００〜３５０μｍ、長さ（奥行き、Ｌ４０）が２５０〜６００μｍ、厚み（Ｔ４０）が６０〜２００μｍ程度である。ここで、レーザダイオード４０の幅Ｗ４０は、電流阻止層４０ｈの対向端の間隔を下限として、例えば、１００μｍ程度までに小さくすることができる。ただし、レーザダイオード４０の長さは、電流密度と関係する量であり、それほど小さくすることはできない。いずれにしても、レーザダイオード４０に関しては、搭載の際のハンドリングを考慮して、相当の大きさが確保されることが好ましい。
また、このレーザダイオード４０の駆動においては、ハードディスク装置内の電源が使用可能である。実際、ハードディスク装置は、通常、例えば２Ｖ程度の電源を備えており、レーザ発振動作には十分の電圧を有している。また、レーザダイオード４０の消費電力も、例えば、数十ｍＷ程度であり、ハードディスク装置内の電源で十分に賄うことができる。
レーザダイオード４０のｎ電極４０ａが光源用電極４７にＡｕＳｎ等の半田層４２（図４参照）により固定されている。ここで、レーザダイオード４０の出光端（光出射面）４００が図４の下向き（−Ｚ方向）、すなわち出光端４００が接着面２３００と平行になるようにレーザダイオード４０が光源支持基板２３０に固定されており、出光端４００はスライダ２２の導波路３５の光入射面３５４と対向可能となっている。実際のレーザダイオード４０の固定においては、例えば、光源用電極４７の表面に厚さ０．７〜１μｍ程度のＡｕＳｎ合金の蒸着膜を成膜し、レーザダイオード４０を乗せた後、熱風ブロア下でホットプレート等による２００〜３００℃程度までの加熱を行って固定すればよい。
また、光源用電極４８と、レーザダイオード４０のｐ電極４０ｊと、がボンディングワイヤにより電気的に接続されている。なお、ボンディングワイヤを使用せず、絶縁層４１に段差を設けて光源用電極４８とレーザダイオード４０のｐ電極４０ｊとの距離を近づけ、これらをＡｕＳｎ等の半田で電気的に接続してもよい。また、光源用電極４７と接続される電極は、ｎ電極４０ａでなくｐ電極４０ｊでもかまわず、この場合、ｎ電極４０ａが光源用電極４８とボンディングワイヤ等により接続される。
ここで、上述したＡｕＳｎ合金による半田付けをする場合、光源ユニットを例えば３００℃前後の高温に加熱することになるが、本実施形態によれば、この光源ユニット２３がスライダ２２とは別に製造されるため、スライダ内の磁気ヘッド部がこの高温の悪影響を受けずに済む。また、磁気ヘッド部３２と光源ユニット２３が分離されているので、磁気ヘッドの検査及び、光源ユニットのレーザダイオードの取り付け状況の検査を別々に行うことができ、良品同士を組み合わせることにより、全体としての歩留まりの向上も図ることができる。
そして、上述のスライダ２２の背面２２０１と光源ユニット２３の接着面２３００とが、例えば、ＵＶ硬化型接着剤等の接着剤層４４（図５参照）により接着されており、レーザダイオード４０の出光端４００が導波路３５の光入射面３５４と対向するように配置されている。
なお、レーザダイオード４０及び光源用電極の構成は、当然に、上述した実施形態に限定されるものではなく、例えば、レーザダイオード４０は、ＧａＡｌＡｓ系等、他の半導体材料を用いた他の構成のものであってもよい。さらに、レーザダイオード４０と電極との半田付けに、他のろう材を用いて行うことも可能である。さらにまた、レーザダイオード４０を、ユニット基板上に直接、半導体材料をエピタキシャル成長させることによって形成してもよい。
なお、スライダ２２及び光源ユニット２３の大きさは任意であるが、例えば、スライダ２２は、トラック幅方向の幅７００μｍ×長さ（奥行き）８５０μｍ×厚み２３０μｍの、いわゆるフェムトスライダであってもよい。この場合、光源ユニット２３は、これとほぼ同じ幅及び長さを有することができる。実際、例えば、通常用いられるレーザダイオードの典型的な大きさは、幅２５０μｍ×長さ（奥行き）３５０μｍ×厚み６５μｍ程度であり、例えば、この大きさの光源支持基板２３０の側面にこの大きさのレーザダイオード４０を設置することが、十分に可能となっている。なお、光源支持基板２３０の底面に溝を設け、この溝内にレーザダイオード４０を設けることも可能である。
また、導波路３５の光入射面３５４に達したレーザ光の遠視野像（ファーフィールドパターン）のスポットにおいて、トラック幅方向の径を、例えば０．５〜１．０μｍ程度とし、この径に直交する径を、例えば１〜５μｍ程度とすることができる。これに対応して、このレーザ光を受け取る導波路３５の厚みＴ３５を、例えばスポットよりも大きな２〜１０μｍ程度とし、導波路３５のトラック幅方向の幅（Ｗ３５）を、例えば１〜２００μｍ程度とすることが好ましい。
（作用）
続いて、本実施形態にかかる熱アシスト磁気ヘッド２１の作用について説明する。
続いて、本実施形態にかかる熱アシスト磁気ヘッド２１の作用について説明する。
書き込み又は読み出し動作時には、熱アシスト磁気ヘッド２１は、回転する磁気ディスク（媒体）１０の表面上において流体力学的に所定の浮上量をもって浮上する。この際、ＭＲ効果素子３３及び電磁コイル素子３４の媒体対向面Ｓ側の端が磁気ディスク１０と微小なスペーシングを介して対向することによって、データ信号磁界の感受による読み出しとデータ信号磁界の印加による書き込みとが行われる。
ここで、データ信号の書き込みの際、光源ユニット２３から導波路３５を通って伝播してきたレーザ光が近接場光発生部３６に到達し、近接場光発生部３６から近接場光が発生する。したがって、媒体対向面に対向する磁気記録媒体の所定の記録領域の温度が上昇し、記録領域の保磁力が一時的に低下する。この保磁力の低下期間内に電磁コイル素子３４に通電を行い、書き込み磁界を発生させることで、記録領域に情報を書き込むことができる。
熱アシスト磁気記録方式を採用することにより、高保磁力の磁気ディスクに垂直磁気記録用の薄膜磁気ヘッドを用いて書き込みを行い、記録ビットを極微細化することによって、例えば、１Ｔｂｉｔｓ／ｉｎ２級の記録密度を達成することも可能となり得る。
そして、本実施形態では、光源ユニット２３を用いることによって、スライダ２２の導波路３５の光入射面（端面）３５４に、導波路３５の層面に平行な方向に伝播するレーザ光を入射させることができる。すなわち、集積面２２０２と媒体対向面Ｓとが垂直である構成を有する熱アシスト磁気ヘッド２１において、適切な大きさ及び方向を有するレーザ光が、確実に供給可能となる。その結果、磁気ディスクの記録層の加熱効率が高い熱アシスト磁気記録を実現可能となる。
そして、本実施形態によれば、スライダ２２の電磁コイル素子３４やＭＲ効果素子３３等の素子に対して電圧を供給すべくスライダ２２に設けられた素子用電極３７１〜３７６が、スライダ２２の媒体対向面Ｓとは反対側の面３２ａに光源ユニット２３に覆われることなく露出し、リフロー半田２５０及び、光源ユニットの側面４１１に露出するリード４７１〜４７６を介して、ボンディングワイヤを介することなくサスペンション２０の電極と電気的に接続される。したがって、ボンディングワイヤに起因する不良を減らすことができる。
また、リード４７１〜４７６のスライダ２２とは反対側の端部４７１ｂ〜４７６ｂが、絶縁層４１の面４１１上に露出している。これにより、サスペンション２０と、リード４７１〜４７６とを容易に接続できる。
さらに、リード４７１〜４７６の中間部４７１ｃ〜４７１ｃが絶縁層４１に覆われており、光源用電極４７、４８が、絶縁層４１を介して中間部４７１ｃ〜４７１ｃを覆うように配置されている。これにより、光源支持基板２３０の同一の側面２３０２上に、レーザダイオード４０、リード４７１〜４７６、光源用電極４７、４８を形成しているので、製造が容易である。また、光源用電極４７、４８が、電気的に絶縁された状態でリード４７１〜４７６をオーバーパスするので、光源支持基板２３０の一の側面２３０２の少ない面積を有効利用しつつ、光源用電極４７、４８の幅や長さを大きくすることができる。したがって、レーザダイオード４０と光源用電極４７とを電気的に接続しやすい上に、光源用電極４７に対してレーザダイオード４０に覆われない部分を形成させることが容易であり、この覆われない部分及び面積の広い光源用電極４８に対して、電圧印加用プローブ等を接触させることにより、レーザダイオード４０の発光テストなどを好適に行える。
（第二実施形態）
続いて、本発明に係る第二実施形態について、図８を参照して説明する。第二実施形態が、第一実施形態と異なる点は、スライダ２２においてトラック幅方向の最も外側に配置された素子用電極３７１、３７４であるので、これについてのみ説明する。
続いて、本発明に係る第二実施形態について、図８を参照して説明する。第二実施形態が、第一実施形態と異なる点は、スライダ２２においてトラック幅方向の最も外側に配置された素子用電極３７１、３７４であるので、これについてのみ説明する。
本実施形態において、素子用電極３７１及び３７４は、さらに、スライダ２２におけるトラック幅方向の面３８ｂ、３８ｃ、すなわち、媒体対向面Ｓの側面にもそれぞれ露出している。そして、リード４７１のスライダ側の端部４７１ａ、４７４ａは、スライダと対向する面も露出しており、リード４７１のスライダ側の端部４７１ａ、４７４ａのスライダ対向面と、素子用電極３７１、３７４の側面とが、それぞれ、リフロー半田２５０により電気的に接続されている。本実施形態においても、ボンディングワイヤを削減することができる。
本発明は上記実施形態に限定されずに様々な変形態様が可能である。
例えば、光源はレーザダイオードに限定されず、ＬＥＤ等の他の発光素子でも実施可能である。
例えば、光源はレーザダイオードに限定されず、ＬＥＤ等の他の発光素子でも実施可能である。
また、上記実施形態では、リード４７１〜４７６は、光源ユニット２３の側面４１１においてリフロー半田２５２によってサスペンション２０の電極と接続されているが、リード４７１〜４７６のスライダ２２とは反対側の面、すなわち、サスペンション２０と対向する面によってサスペンション２０とリフロー半田等によって電気的に接続されていてもよい。
また、光源ユニット２３の側面４１１のトラック幅が十分に広い場合等には、光源用電極４７、４８がリード４７１〜４７６の中間部４７１ｃ〜４７６ｃをオーバーパスさせなくてもよく、この場合、リード４７１〜４７６をトラック幅の両端側にそれぞれ寄せ、トラック幅方向の中央部に光源用電極４７、４８を設けることができ、この場合には、中間部４７１ｃ〜４７６ｃも表面に露出していてよい。
また、上記実施形態では、電磁コイル素子３４、ＭＲ効果素子３３等の素子すべてが、素子用電極３７１〜３７６、リフロー半田２５０、リード４７１〜４７６によって、ワイヤボンディングすることなくサスペンション２０の電極と接続されているが、いずれか１つの素子についてのみ、上述の接続方法をとっても本発明の実施は可能である。
また、電磁コイル素子３４が、長手磁気記録用であってもかまわない。この場合、主磁極層３４０及び補助磁極層３４４の代わりに、下部磁極層及び上部磁極層が設けられ、さらに、下部磁極層及び上部磁極層の媒体対向面Ｓ側の端部に挟持された書き込みギャップ層が設けられる。この書き込みギャップ層位置からの漏洩磁界によって書き込みが行われる。
また、近接光発生部は、三角形状または台形状の板を、その頂点同士または短辺同士が所定距離離間して対向するように一対配置した、いわゆる「蝶ネクタイ型」構造でも実施可能である。また、近接場光発生部として、板に替えて微小開口にしてもよく、近接場光発生部を設けずに直接レーザ光を記録媒体に当てる形態でも実施は可能である。
また、コイル層３４２は、図４等において１層であるが、２層以上又はヘリカルコイルでもよい。
また、断熱層２３０ａは、スライダ基板２２０の背面２２０１に形成されていてもよく、全く設けなくても実施は可能である。
また、光源ユニット２３とスライダ２２との接着に、ＵＶ硬化型接着剤以外の接着剤例えば、レーザダイオード４０と光源用電極４７との接着に用いたＡｕＳｎ等の半田層を用いても実施は可能である。
また、上述の例では、導波路３５の形状として直線導波路を用いたが、これはＹＺ平面内における外形形状が放物線を描くパラボラ型の導波路とし、その焦点位置に近接場光発生部を配置してもよく、また、ＹＺ平面内における外形形状を楕円形状などとしてもよく、媒体に近い側の先端が先細となるテーパ形状でもよい。なお、上記熱アシスト磁気ヘッド及びＨＧＡを備えたハードディスク装置では、書き込み動作中記録媒体の加熱不足による書き込み不良の発生が十分に防止され、また、サイドイレーズの発生が十分に防止される。
以上述べた実施形態は全て本発明を例示的に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することができる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均等範囲によってのみ規定されるものである。
１…ハードディスク装置、１０…磁気ディスク（記録媒体）、１７…ヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）、２０…サスペンション、２１…熱アシスト磁気ヘッド、２２…スライダ、２２０…スライダ基板、２２０２…集積面、２３…光源ユニット、２３０…光源支持基板、３２…磁気ヘッド部、３３…ＭＲ効果素子（磁気検出素子）、３４…電磁コイル素子（電磁変換素子）、３５…導波路、３５３…光出射面、３５４…光入射面（端面）、３６…近接場光発生部、４０…レーザダイオード（光源）、４７、４８…光源用電極、３７１〜３７６…素子用電極、４７１〜４７６…リード、２５０、２５２…リフロー半田、４００…出光端、Ｓ…媒体対向面。
Claims (6)
- 媒体対向面を有するスライダと、前記スライダの前記媒体対向面とは反対側の面上に配置された光源ユニットと、を備え、
前記スライダは、スライダ基板と、電磁変換素子と、前記媒体対向面とは反対面から光を受け入れて前記媒体対向面側に導く導波路と、前記電磁変換素子に対して電気的に接続された素子用電極と、を有し、
前記光源ユニットは、前記スライダ基板に対して固定された光源支持基板と、前記導波路に光を供給可能となるように前記光源支持基板に対して固定された光源と、前記スライダ側から前記スライダとは反対側まで伸びかつ両端部が前記光源ユニットの表面に露出したリードと、を有し、
前記スライダの素子用電極は前記スライダの前記媒体対向面とは反対側の面に前記光源ユニットに覆われることなく露出し、又は、前記スライダの素子用電極は前記スライダの前記媒体対向面の側面に露出し、
前記光源ユニットのリードのスライダ側の端部と、前記スライダの素子用電極とが、半田付けされている熱アシスト磁気ヘッド。 - 媒体対向面を有するスライダと、前記スライダの前記媒体対向面とは反対側の面上に配置された光源ユニットと、を備え、
前記スライダは、スライダ基板と、電磁変換素子と、電圧が印加される磁気検出素子と、前記媒体対向面とは反対面から光を受け入れて前記媒体対向面側に導く導波路と、前記磁気検出素子に対して電気的に接続された素子用電極と、を有し、
前記光源ユニットは、前記スライダ基板に対して固定された光源支持基板と、前記導波路に光を供給可能となるように前記光源支持基板に対して固定された光源と、前記スライダ側から前記スライダとは反対側まで伸びかつ両端部が前記光源ユニットの表面に露出したリードと、を有し、
前記スライダの素子用電極は前記スライダの前記媒体対向面とは反対側の面に前記光源ユニットに覆われることなく露出し、又は、前記スライダの素子用電極は前記スライダの前記媒体対向面の側面に露出し
前記光源ユニットのリードのスライダ側の端部と、前記スライダの素子用電極とが、半田付けされている熱アシスト磁気ヘッド。 - 前記光源ユニットのリードの両端部が前記光源ユニットの同一の側面上に露出し、前記スライダの素子用電極は前記スライダの前記媒体対向面とは反対側の面に前記光源ユニットに覆われることなく露出している請求項１又は２に記載の熱アシスト磁気ヘッド。
- 前記光源及び前記リードは前記光源支持基板の同一の側面上に配置され、
前記リードにおける、前記スライダ側の端部と、前記スライダとは反対側の端部と、の間の中間部が、前記光源ユニットの表面に露出せずに絶縁層に覆われており、
前記絶縁層上には光源用電極が設けられ、
前記光源用電極上に前記光源が配置された請求項３記載の熱アシスト磁気ヘッド。 - 請求項１〜３のいずれか記載の熱アシスト磁気ヘッドと、
前記熱アシスト磁気ヘッドを支持するサスペンションと、を備えたヘッドジンバルアセンブリ。 - 請求項５に記載のヘッドジンバルアセンブリと、
磁気記録媒体と、を備えたハードディスク装置。
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