JP5497868B2 - テーパエッチング方法および近接場光発生器の製造方法 - Google Patents
テーパエッチング方法および近接場光発生器の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5497868B2 JP5497868B2 JP2012222704A JP2012222704A JP5497868B2 JP 5497868 B2 JP5497868 B2 JP 5497868B2 JP 2012222704 A JP2012222704 A JP 2012222704A JP 2012222704 A JP2012222704 A JP 2012222704A JP 5497868 B2 JP5497868 B2 JP 5497868B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- etching
- gas
- flow rate
- groove
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B44—DECORATIVE ARTS
- B44C—PRODUCING DECORATIVE EFFECTS; MOSAICS; TARSIA WORK; PAPERHANGING
- B44C1/00—Processes, not specifically provided for elsewhere, for producing decorative surface effects
- B44C1/22—Removing surface-material, e.g. by engraving, by etching
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/22—Apparatus or processes for the manufacture of optical heads, e.g. assembly
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
- G02B6/1226—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths involving surface plasmon interaction
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B2005/0002—Special dispositions or recording techniques
- G11B2005/0005—Arrangements, methods or circuits
- G11B2005/0021—Thermally assisted recording using an auxiliary energy source for heating the recording layer locally to assist the magnetization reversal
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
- Optical Head (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。始めに、図1ないし図3を参照して、本発明の第1の実施の形態における熱アシスト磁気記録ヘッドの構成について説明する。図1は、熱アシスト磁気記録ヘッドにおける媒体対向面の一部を示す正面図である。図2は、熱アシスト磁気記録ヘッドの構成を示す断面図である。図3は、熱アシスト磁気記録ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。
次に、本発明に第2の実施の形態について説明する。本実施の形態における熱アシスト磁気記録ヘッドでは、クラッド層21は、SiO2またはSiONによって構成されている。本実施の形態における熱アシスト磁気記録ヘッドのその他の構成は、第1の実施の形態と同様である。
Claims (8)
- 誘電体材料よりなり上面を有する被エッチング層をテーパエッチングする方法であって、
前記被エッチング層の前記上面の上に、開口部を有するエッチングマスクを形成する工程と、
前記被エッチング層に、所定の角度で交わる2つの壁面を有する溝部が形成されるように、反応性イオンエッチングによって、前記被エッチング層のうち前記開口部から露出する部分をテーパエッチングする工程とを備え、
前記テーパエッチングする工程は、前記被エッチング層のエッチングに寄与する第1のガスと側壁保護膜の堆積に寄与する第2のガスとを含むエッチングガスを用い、途中で、第1のガスの流量に対する第2のガスの流量の比を、大きくなるように変更し、
前記被エッチング層はSiO 2 またはSiONよりなり、
前記エッチングマスクは、Al元素を含み、
前記第2のガスは、N 2 を含むことを特徴とするテーパエッチング方法。 - 前記テーパエッチングする工程は、前記第1のガスの流量に対する第2のガスの流量の比を段階的に大きくすることを特徴とする請求項1記載のテーパエッチング方法。
- 前記テーパエッチングする工程は、前記第1のガスの流量に対する第2のガスの流量の比を連続的に大きくすることを特徴とする請求項1記載のテーパエッチング方法。
- 前記第1のガスは、Cl2およびBCl3を含むことを特徴とする請求項1記載のテーパエッチング方法。
- 導波路と、プラズモンジェネレータとを備え、
前記導波路は、光を伝播させるコアと、前記コアの周囲に配置されたクラッドとを有し、
前記コアは、上面を有し、
前記クラッドは、前記コアの上面の上方に配置された溝部を有するクラッド層を含み、
前記溝部は、所定の角度で交わる2つの壁面を有し、
前記プラズモンジェネレータは、前記2つの壁面に対向する2つの斜面と、前記2つの斜面が交わることによって形成されたエッジ部と、前記エッジ部の一端に位置し、近接場光を発生する近接場光発生部とを有し、
前記コアを伝播する前記光が前記コアの上面において全反射することによって、前記コアの上面からエバネッセント光が発生し、
前記エッジ部において、前記エバネッセント光と結合することによって表面プラズモンが励起され、この表面プラズモンが前記エッジ部に沿って前記近接場光発生部に伝播され、この表面プラズモンに基づいて前記近接場光発生部より前記近接場光が発生される近接場光発生器を製造する方法であって、
前記コアを形成する工程と、
前記クラッドを形成する工程と、
前記プラズモンジェネレータを形成する工程とを備え、
前記クラッドを形成する工程は、
誘電体材料よりなり上面を有する被エッチング層を形成する工程と、
前記被エッチング層の前記上面の上に、開口部を有するエッチングマスクを形成する工程と、
前記被エッチング層に前記溝部が形成されて前記被エッチング層が前記クラッド層になるように、反応性イオンエッチングによって、前記被エッチング層のうち前記開口部から露出する部分をテーパエッチングする工程とを含み、
前記テーパエッチングする工程は、前記被エッチング層のエッチングに寄与する第1のガスと側壁保護膜の堆積に寄与する第2のガスとを含むエッチングガスを用い、途中で、第1のガスの流量に対する第2のガスの流量の比を、大きくなるように変更し、
前記被エッチング層はSiO 2 またはSiONよりなり、
前記エッチングマスクは、Al元素を含み、
前記第2のガスは、N 2 を含むことを特徴とする近接場光発生器の製造方法。 - 前記テーパエッチングする工程は、前記第1のガスの流量に対する第2のガスの流量の比を段階的に大きくすることを特徴とする請求項5記載の近接場光発生器の製造方法。
- 前記テーパエッチングする工程は、前記第1のガスの流量に対する第2のガスの流量の比を連続的に大きくすることを特徴とする請求項5記載の近接場光発生器の製造方法。
- 前記第1のガスは、Cl2およびBCl3を含むことを特徴とする請求項5記載の近接場光発生器の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/353,834 US8703619B2 (en) | 2012-01-19 | 2012-01-19 | Taper-etching method and method of manufacturing near-field light generator |
US13/353,834 | 2012-01-19 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013149944A JP2013149944A (ja) | 2013-08-01 |
JP5497868B2 true JP5497868B2 (ja) | 2014-05-21 |
Family
ID=48796398
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012222704A Expired - Fee Related JP5497868B2 (ja) | 2012-01-19 | 2012-10-05 | テーパエッチング方法および近接場光発生器の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8703619B2 (ja) |
JP (1) | JP5497868B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8638645B1 (en) * | 2012-11-13 | 2014-01-28 | Sae Magnetics (H.K.) Ltd. | Thermally assisted magnetic head slider having plasmon unit formed with a recess |
FR3002689B1 (fr) * | 2013-02-25 | 2016-10-28 | Commissariat Energie Atomique | Procede de gravure autolimitant a niveaux multiples |
CN105122106B (zh) * | 2013-04-04 | 2019-02-01 | 加州理工学院 | 纳米级等离子体激元场效应调制器 |
US9275869B2 (en) | 2013-08-02 | 2016-03-01 | Lam Research Corporation | Fast-gas switching for etching |
US10615073B2 (en) * | 2015-02-15 | 2020-04-07 | Acm Research (Shanghai) Inc. | Method for removing barrier layer for minimizing sidewall recess |
CN105355550B (zh) * | 2015-12-02 | 2018-05-01 | 中国科学院微电子研究所 | Iii族氮化物低损伤刻蚀方法 |
US10204644B1 (en) * | 2016-05-23 | 2019-02-12 | Seagate Technology Llc | Magnetic write transducer with flat pole section |
JP2019057560A (ja) | 2017-09-20 | 2019-04-11 | 東芝メモリ株式会社 | 磁気抵抗効果素子および磁気抵抗効果素子の製造方法 |
CN110098114A (zh) * | 2018-01-31 | 2019-08-06 | 东莞新科技术研究开发有限公司 | 半导体长形条及其加工方法 |
KR20230004014A (ko) * | 2021-06-30 | 2023-01-06 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 제조 방법 |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3686721D1 (de) * | 1986-10-08 | 1992-10-15 | Ibm | Verfahren zur herstellung einer kontaktoeffnung mit gewuenschter schraege in einer zusammengesetzten schicht, die mit photoresist maskiert ist. |
JPS63278338A (ja) * | 1987-05-11 | 1988-11-16 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
US4919748A (en) * | 1989-06-30 | 1990-04-24 | At&T Bell Laboratories | Method for tapered etching |
TW297919B (ja) * | 1995-03-06 | 1997-02-11 | Motorola Inc | |
US5728608A (en) * | 1995-10-11 | 1998-03-17 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Tapered dielectric etch in semiconductor devices |
JPH10125653A (ja) * | 1996-10-17 | 1998-05-15 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
US6784108B1 (en) * | 2000-08-31 | 2004-08-31 | Micron Technology, Inc. | Gas pulsing for etch profile control |
JP2005217085A (ja) * | 2004-01-29 | 2005-08-11 | Sony Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JP2007142258A (ja) * | 2005-11-21 | 2007-06-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2007194284A (ja) * | 2006-01-17 | 2007-08-02 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理方法、プラズマ処理装置、及び記憶媒体 |
WO2007094087A1 (ja) * | 2006-02-13 | 2007-08-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | ドライエッチング方法、微細構造形成方法、モールド及びその製造方法 |
US8120137B2 (en) * | 2008-05-08 | 2012-02-21 | Micron Technology, Inc. | Isolation trench structure |
JP2009277774A (ja) * | 2008-05-13 | 2009-11-26 | Sharp Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
US8139447B2 (en) * | 2009-04-08 | 2012-03-20 | Headway Technologies, Inc. | Heat-assisted magnetic recording head with near-field light generating element |
US8089830B2 (en) * | 2009-05-13 | 2012-01-03 | Tdk Corporation | Near-field light generating device including near-field light generating element with edge part opposed to waveguide |
JP2010272758A (ja) * | 2009-05-22 | 2010-12-02 | Hitachi High-Technologies Corp | 被エッチング材のプラズマエッチング方法 |
US7911883B2 (en) * | 2009-06-26 | 2011-03-22 | Headway Technologies, Inc. | Near-field light generating element having two different angles |
US8243560B2 (en) * | 2009-12-23 | 2012-08-14 | Headway Technologies, Inc. | Heat-assisted magnetic recording head including internal mirrors of first and second inclined surfaces |
US8325441B2 (en) * | 2010-03-31 | 2012-12-04 | Headway Technologies, Inc. | Thermally assisted magnetic head, method of manufacturing the same, head gimbal assembly, and hard disk drive |
US8349198B2 (en) * | 2010-06-14 | 2013-01-08 | Headway Technologies, Inc. | Method of manufacturing near-field light generator including waveguide and plasmon generator |
JP5623323B2 (ja) * | 2011-03-28 | 2014-11-12 | パナソニック株式会社 | 基板のプラズマ処理方法 |
US8461050B2 (en) * | 2011-06-10 | 2013-06-11 | Headway Technologies, Inc. | Taper-etching method and method of manufacturing near-field light generator |
JP2013004606A (ja) * | 2011-06-14 | 2013-01-07 | Rohm Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
US8576674B2 (en) * | 2011-10-27 | 2013-11-05 | Headway Technologies, Inc. | Plasmon generator including two portions made of different metals |
JP5891405B2 (ja) * | 2011-12-27 | 2016-03-23 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 基板のプラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 |
US8400884B1 (en) * | 2012-01-19 | 2013-03-19 | Headway Technologies, Inc. | Method of manufacturing plasmon generator |
-
2012
- 2012-01-19 US US13/353,834 patent/US8703619B2/en active Active
- 2012-10-05 JP JP2012222704A patent/JP5497868B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-02-25 US US14/189,574 patent/US8921232B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20130186854A1 (en) | 2013-07-25 |
US8703619B2 (en) | 2014-04-22 |
JP2013149944A (ja) | 2013-08-01 |
US20140175053A1 (en) | 2014-06-26 |
US8921232B2 (en) | 2014-12-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5497868B2 (ja) | テーパエッチング方法および近接場光発生器の製造方法 | |
JP5001414B2 (ja) | 近接場光発生素子を備えた熱アシスト磁気記録ヘッド | |
JP5001413B2 (ja) | 近接場光発生素子を備えた熱アシスト磁気記録ヘッド | |
JP5323737B2 (ja) | 収容層の溝部内に収容された近接場光発生素子を備えた近接場光発生装置 | |
JP5330366B2 (ja) | 導波路とプラズモン発生器を備えた近接場光発生器の製造方法 | |
US9236082B2 (en) | Near-field light generator including a waveguide and a plasmon generator | |
US9208806B2 (en) | Near-field light generator including a waveguide and a plasmon generator | |
US8711663B1 (en) | Plasmon generator includes three metal layers for thermally-assisted magnetic recording | |
JP5586762B2 (ja) | プラズモンジェネレータの製造方法 | |
JP2014059941A (ja) | プラズモンジェネレータを有する熱アシスト磁気記録ヘッド | |
US8867170B1 (en) | Multilayer plasmon generator | |
JP2013097855A (ja) | 異なる金属よりなる2つの部分を含むプラズモンジェネレータ | |
JP5713460B2 (ja) | プラズモンジェネレータの製造方法 | |
JP5586642B2 (ja) | テーパエッチング方法および近接場光発生器の製造方法 | |
US8848494B2 (en) | Plasmon generator including two portions made of different metals | |
JP5646683B2 (ja) | プラズモンジェネレータを有する熱アシスト磁気記録ヘッド | |
US8400884B1 (en) | Method of manufacturing plasmon generator | |
US8465658B2 (en) | Method of forming main pole of thermally-assisted magnetic recording head | |
JP4996731B2 (ja) | 近接場光発生素子の製造方法および熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法 | |
JP5816672B2 (ja) | 導波路とプラズモンジェネレータを備えた近接場光発生器の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131126 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131203 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140212 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140304 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140306 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5497868 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |