JP2014086126A - 近接場光発生器および熱アシスト磁気記録ヘッド - Google Patents

Abstract

【課題】プラズモンジェネレータに多くの表面プラズモンを励起させる。
【解決手段】近接場光発生器は、導波路とプラズモンジェネレータ４０とを備えている。導波路は、コア２５とクラッドとを有している。コア２５は、プラズモンジェネレータ４０を挟むように配置された第１および第２のエバネッセント光発生面２５Ａｂ１，２５Ｂｃ１を有している。プラズモンジェネレータ４０は、外面を有し、この外面は、前端面４０ａと、第１のエバネッセント光発生面２５Ａｂ１に対して所定の間隔をもって対向する第１のプラズモン励起部４０ｂ１と、第２のエバネッセント光発生面２５Ｂｃ１に対して所定の間隔をもって対向する第２のプラズモン励起部４０ｃ１とを有している。
【選択図】図３

Description

本発明は、導波路とプラズモンジェネレータを備えた近接場光発生器、ならびにこの近接場光発生器を備えた熱アシスト磁気記録ヘッドに関する。

近年、磁気ディスク装置等の磁気記録装置では、高記録密度化に伴い、薄膜磁気ヘッドおよび記録媒体の性能向上が要求されている。薄膜磁気ヘッドとしては、基板に対して、読み出し用の磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ（Magnetoresistive）素子とも記す。）を有する再生ヘッド部と書き込み用の誘導型電磁変換素子を有する記録ヘッド部とを積層した構造の複合型薄膜磁気ヘッドが広く用いられている。磁気ディスク装置において、薄膜磁気ヘッドは、記録媒体の表面からわずかに浮上するスライダに設けられる。スライダは、記録媒体に対向する媒体対向面を有している。

磁気記録装置において、記録密度を高めるためには、記録媒体の磁性微粒子を小さくすることが効果的である。しかし、磁性微粒子を小さくすると、磁性微粒子の磁化の熱安定性が低下するという問題が発生する。この問題を解消するには、磁性微粒子の異方性エネルギーを大きくすることが効果的である。しかし、磁性微粒子の異方性エネルギーを大きくすると、記録媒体の保磁力が大きくなって、既存の磁気ヘッドでは情報の記録が困難になるという問題が発生する。

上述のような問題を解決する方法として、いわゆる熱アシスト磁気記録という方法が提案されている。この方法では、保磁力の大きな記録媒体を使用し、情報の記録時には、記録媒体のうち情報が記録される部分に対して記録磁界と同時に熱も加えて、その部分の温度を上昇させ保磁力を低下させて情報の記録を行う。情報が記録された部分は、その後、温度が低下して保磁力が大きくなり、磁化の熱安定性が高まる。以下、熱アシスト磁気記録に用いられる磁気ヘッドを、熱アシスト磁気記録ヘッドと呼ぶ。

熱アシスト磁気記録では、記録媒体に対して熱を加える方法としては、近接場光を用いる方法が一般的である。近接場光を発生させる方法としては、レーザ光によって励起されたプラズモンから近接場光を発生する金属片であるプラズモンジェネレータを用いる方法が知られている。また、一般的に、近接場光の発生に利用されるレーザ光は、スライダに設けられた導波路によって、スライダの媒体対向面の近傍に設けられたプラズモンジェネレータに導かれる。

特許文献１には、プラズモンジェネレータ（光射出部）に対してレーザ光を直接照射して、このプラズモンジェネレータにプラズモンを励起させるように構成された熱アシスト磁気記録ヘッドが開示されている。

特許文献２には、プラズモンジェネレータ（表面プラズモンアンテナ）を、導波路（コア）の外面に対して所定の間隔を開けて対向させて、導波路を伝播する光が導波路の外面で全反射して発生するエバネッセント光を利用して、プラズモンジェネレータに表面プラズモンを励起させるように構成された熱アシスト磁気記録ヘッドが開示されている。

特開２０１１−８６３６１号公報 特開２０１０−１６０８７２号公報

特許文献１に開示されているような、プラズモンジェネレータに対してレーザ光を直接照射してプラズモンジェネレータにプラズモンを励起させる構成では、以下のような多くの問題点があった。まず、この構成では、レーザ光の大部分がプラズモンジェネレータの表面で反射されたり、熱エネルギーに変換されてプラズモンジェネレータに吸収されたりすることから、レーザ光の近接場光への変換の効率が悪いという問題点があった。また、この構成では、プラズモンジェネレータが熱エネルギーを吸収することによって、プラズモンジェネレータの温度が大きく上昇し、その結果、プラズモンジェネレータが腐食するおそれがあるという問題点があった。また、この構成では、プラズモンジェネレータが、温度上昇に伴って膨張し、その結果、媒体対向面から突出して、プラズモンジェネレータが記録媒体を傷付けたり、プラズモンジェネレータが破損したりするおそれがあるという問題点があった。

特許文献２に開示されているような、エバネッセント光を利用して、プラズモンジェネレータに表面プラズモンを励起させる構成によれば、プラズモンジェネレータに対してレーザ光を直接照射する場合に比べて、レーザ光の近接場光への変換の効率を高めることができる。これにより、上述のような問題点を解消することができる。

ところで、特許文献２に開示されている熱アシスト磁気記録ヘッドでは、プラズモンジェネレータの外面のうちコアの外面に対向する部分の、プラズモンジェネレータの外面全体に対する割合が小さく、その結果、プラズモンジェネレータに多くの表面プラズモンを励起させることが難しいという問題点があった。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、エバネッセント光を利用して、プラズモンジェネレータに表面プラズモンを励起させる構成の近接場光発生器および熱アシスト磁気記録ヘッドであって、プラズモンジェネレータに多くの表面プラズモンを励起させることができるようにした近接場光発生器および熱アシスト磁気記録ヘッドを提供することにある。

本発明の近接場光発生器は、導波路と、第１および第２のギャップ部と、プラズモンジェネレータとを備えている。導波路は、光を伝播させるコアと、コアの周囲に配置されたクラッドとを有している。第１および第２のギャップ部は、それぞれコアの屈折率よりも小さい屈折率を有する誘電体材料よりなる。コアは、プラズモンジェネレータを挟むように配置された第１および第２のエバネッセント光発生面を有している。第１のエバネッセント光発生面は、コアを伝播する光に基づいて第１のエバネッセント光を発生する。第２のエバネッセント光発生面は、コアを伝播する光に基づいて第２のエバネッセント光を発生する。プラズモンジェネレータは、外面を有し、この外面は、前端面と、第１のエバネッセント光発生面に対して所定の間隔をもって対向する第１のプラズモン励起部と、第２のエバネッセント光発生面に対して所定の間隔をもって対向する第２のプラズモン励起部とを有している。第１のギャップ部は、第１のエバネッセント光発生面と第１のプラズモン励起部の間に介在している。第２のギャップ部は、第２のエバネッセント光発生面と第２のプラズモン励起部の間に介在している。

プラズモンジェネレータは、第１のプラズモン励起部において第１のエバネッセント光と結合することによって第１の表面プラズモンが励起され、第２のプラズモン励起部において第２のエバネッセント光と結合することによって第２の表面プラズモンが励起され、第１および第２の表面プラズモンが前端面に伝播され、この第１および第２の表面プラズモンに基づいて前端面より近接場光を発生するように構成されている。

前端面に平行なプラズモンジェネレータの断面であって、その断面の外縁の一部が第１および第２のプラズモン励起部によって形成された断面の形状は、第１、第２および第３および第４の辺によって構成された四角形である。第１の辺の全体は第１のプラズモン励起部によって形成され、第２の辺の全体は第２のプラズモン励起部によって形成され、第３の辺は、第１の辺の一端と第２の辺の一端とを接続し、第４の辺は、第１の辺の他端と第２の辺の他端とを接続している。

本発明の近接場光発生器において、プラズモンジェネレータの前記断面の形状は、矩形であってもよい。

また、本発明の近接場光発生器において、コアは、第１のエバネッセント光発生面を含む第１層と、第２のエバネッセント光発生面を含む第２層とを有し、第１層と第２層の間に、第１のギャップ部、プラズモンジェネレータおよび第２のギャップ部が挟まれていてもよい。

本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面と、媒体対向面に配置された端面を有し、情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する主磁極と、本発明の近接場光発生器とを備えている。プラズモンジェネレータの外面の前端面は、媒体対向面に配置されている。

本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドにおいて、プラズモンジェネレータの前記断面の形状は、矩形であってもよい。

また、本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドにおいて、第１のエバネッセント光発生面、第１のギャップ部、第１のプラズモン励起部、第２のプラズモン励起部、第２のギャップ部および第２のエバネッセント光発生面は、記録媒体の進行方向に沿って並んでいてもよい。

また、本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドにおいて、第１のエバネッセント光発生面、第１のギャップ部、第１のプラズモン励起部、第２のプラズモン励起部、第２のギャップ部および第２のエバネッセント光発生面は、トラック幅方向に沿って並んでいてもよい。

また、本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドにおいて、コアは、第１のエバネッセント光発生面を含む第１層と、第２のエバネッセント光発生面を含む第２層とを有し、第１層と第２層の間に、第１のギャップ部、プラズモンジェネレータおよび第２のギャップ部が挟まれていてもよい。この場合、第１層と第２層は、記録媒体の進行方向に沿って並び、主磁極の少なくとも一部は、第１層と第２層の一方と媒体対向面との間に配置されていてもよい。

本発明の近接場光発生器および熱アシスト磁気記録ヘッドでは、コアの第１および第２のエバネッセント光発生面より第１および第２のエバネッセント光が発生され、この第１および第２のエバネッセント光と結合することによって、プラズモンジェネレータの第１および第２のプラズモン励起部において第１および第２の表面プラズモンが励起される。そのため、本発明によれば、プラズモンジェネレータに多くの表面プラズモンを励起させることが可能になるという効果を奏する。

本発明の第１の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの要部を示す斜視図である。 本発明の第１の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドにおけるプラズモンジェネレータの形状および配置を示す斜視図である。 本発明の第１の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの要部を示す断面図である。 図３の４−４線で示す位置における断面を示す断面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの構成を示す断面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの第１の変形例におけるプラズモンジェネレータの近傍の部分を示す斜視図である。 本発明の第１の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの第２の変形例におけるプラズモンジェネレータの近傍の部分を示す斜視図である。 本発明の第１の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの第３の変形例の要部を示す断面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの第４の変形例の構成を示す断面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの第５の変形例の媒体対向面を示す正面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの第６の変形例の媒体対向面を示す正面図である。 本発明の第２の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの構成を示す断面図である。 本発明の第３の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの構成を示す断面図である。 本発明の第３の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。 本発明の第４の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの構成を示す断面図である。 本発明の第４の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。 本発明の第５の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの要部を示す斜視図である。 本発明の第５の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの要部を示す平面図である。 図１９の２０−２０線で示す位置における断面を示す断面図である。 本発明の第５の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの構成を示す断面図である。 本発明の第５の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。

［第１の実施の形態］
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。始めに、図１ないし図６を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの構成について説明する。図１は、熱アシスト磁気記録ヘッドの要部を示す斜視図である。図２は、プラズモンジェネレータの形状および配置を示す斜視図である。図３は、熱アシスト磁気記録ヘッドの要部を示す断面図である。図４は、図３の４−４線で示す位置における断面を示す断面図である。図５は、熱アシスト磁気記録ヘッドの構成を示す断面図である。図６は、熱アシスト磁気記録ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。

本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドは、垂直磁気記録用であり、回転する記録媒体の表面から浮上するスライダの形態を有している。記録媒体が回転すると、記録媒体とスライダとの間を通過する空気流によって、スライダに揚力が生じる。スライダは、この揚力によって記録媒体の表面から浮上するようになっている。

図５に示したように、熱アシスト磁気記録ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面６０を備えている。ここで、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向を以下のように定義する。Ｘ方向は、記録媒体のトラック横断方向すなわちトラック幅方向である。Ｙ方向は、媒体対向面６０に垂直な方向である。Ｚ方向は、スライダから見た記録媒体の進行方向である。Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向は互いに直交している。

図５および図６に示したように、熱アシスト磁気記録ヘッドは、アルミニウムオキサイド・チタニウムカーバイド（Ａｌ₂Ｏ₃・ＴｉＣ）等のセラミック材料よりなり、上面１ａを有する基板１と、この基板１の上面１ａ上に配置されたアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）等の絶縁材料よりなる絶縁層２と、この絶縁層２の上に配置された磁性材料よりなる下部シールド層３と、下部シールド層３を覆うように配置された絶縁膜である下部シールドギャップ膜４と、この下部シールドギャップ膜４の上に配置された再生素子としてのＭＲ（磁気抵抗効果）素子５と、このＭＲ素子５に接続された２つのリード（図示せず）と、ＭＲ素子５の上に配置された絶縁膜である上部シールドギャップ膜６と、この上部シールドギャップ膜６の上に配置された磁性材料よりなる上部シールド層７とを備えている。Ｚ方向は、基板１の上面１ａに垂直な方向でもある。

ＭＲ素子５の一端部は、記録媒体に対向する媒体対向面６０に配置されている。ＭＲ素子５には、ＡＭＲ（異方性磁気抵抗効果）素子、ＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果）素子あるいはＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）素子等の磁気抵抗効果を示す感磁膜を用いた素子を用いることができる。ＧＭＲ素子としては、磁気的信号検出用の電流を、ＧＭＲ素子を構成する各層の面に対してほぼ平行な方向に流すＣＩＰ（Current In Plane）タイプでもよいし、磁気的信号検出用の電流を、ＧＭＲ素子を構成する各層の面に対してほぼ垂直な方向に流すＣＰＰ（Current Perpendicular to Plane）タイプでもよい。

下部シールド層３から上部シールド層７までの部分は、再生ヘッド部を構成する。熱アシスト磁気記録ヘッドは、更に、上部シールド層７の上に配置された絶縁層８と、この絶縁層８の上に配置された磁性材料よりなる中間シールド層９と、この中間シールド層９の上に配置された非磁性材料よりなる非磁性層１０とを備えている。絶縁層８および非磁性層１０は、例えばアルミナによって形成されている。

熱アシスト磁気記録ヘッドは、更に、非磁性層１０の上に配置された磁性材料よりなるリターン磁極層１１と、非磁性層１０の上においてリターン磁極層１１の周囲に配置された絶縁層１２とを備えている。リターン磁極層１１は、媒体対向面６０に向いた端面を有し、この端面は、媒体対向面６０から離れた位置に配置されている。絶縁層１２は、例えばアルミナによって形成されている。

熱アシスト磁気記録ヘッドは、更に、媒体対向面６０の近傍においてリターン磁極層１１の一部の上に配置された連結層１３と、媒体対向面６０から離れた位置においてリターン磁極層１１の他の一部の上に配置された連結層１４と、リターン磁極層１１の残りの部分および絶縁層１２の上に配置された絶縁層１５と、この絶縁層１５の上に配置されたコイル１６とを備えている。連結層１３，１４は、磁性材料によって形成されている。連結層１３は、媒体対向面６０に向いた端面を有し、この端面は、媒体対向面６０から離れた位置に配置されている。コイル１６は、平面渦巻き形状をなし、連結層１４を中心として巻回されている。コイル１６は、銅等の導電材料によって形成されている。絶縁層１５は、例えばアルミナによって形成されている。

熱アシスト磁気記録ヘッドは、更に、コイル１６の巻線間ならびに連結層１３，１４およびコイル１６の周囲に配置された絶縁層１７と、連結層１３および絶縁層１７の上に配置された連結層１８と、連結層１４の上に配置された連結層１９と、連結層１８，１９の周囲においてコイル１６および絶縁層１７の上に配置された絶縁層２０とを備えている。連結層１８，１９は、磁性材料によって形成されている。連結層１８は、媒体対向面６０に配置された端面を有している。絶縁層１７，２０は、例えばアルミナによって形成されている。

熱アシスト磁気記録ヘッドは、更に、連結層１８の上に順に積層された連結層２１およびシールド層２４と、連結層１９の上に配置された２つの連結部２２Ａ，２２Ｂとを備えている。連結層２１、連結部２２Ａ，２２Ｂおよびシールド層２４は、磁性材料によって形成されている。連結層２１およびシールド層２４は、それぞれ、媒体対向面６０に配置された前端面と、その反対側の後端面とを有している。連結層２１およびシールド層２４の前端面の形状は、例えば矩形である。連結層２１の後端面における任意の位置の媒体対向面６０からの距離は、任意の位置が基板１の上面１ａから離れるに従って小さくなっている。シールド層２４の後端面は、媒体対向面６０に平行である。連結部２２Ａ，２２Ｂは、それぞれ、連結層１９の上に配置された第１層と、この第１層の上に順に配置された第２層、第３層および第４層とを有している。連結部２２Ａの第１層と連結部２２Ｂの第１層は、トラック幅方向（Ｘ方向）に並ぶように配置されている。

熱アシスト磁気記録ヘッドは、更に、シールド層２４の上方に配置された主磁極３０と、シールド層２４と主磁極３０との間に配置されたプラズモンジェネレータ４０とを備えている。主磁極３０は、媒体対向面６０に配置された前端面と、その反対側の後端面とを有している。主磁極３０の前端面の形状は、例えば矩形である。主磁極３０の後端面は、媒体対向面６０に平行である。

プラズモンジェネレータ４０は、後で説明する原理によって表面プラズモンが励起されるものである。本実施の形態では、プラズモンジェネレータ４０は、板状の形状を有している。プラズモンジェネレータ４０の厚み（Ｚ方向の寸法）は、媒体対向面６０からの距離によらずにほぼ一定である。プラズモンジェネレータ４０は、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｉｒのいずれか、またはこれらのうちの複数の元素よりなる合金によって形成されている。

熱アシスト磁気記録ヘッドは、更に、導波路と、誘電体層２７，２８，２９とを備えている。導波路は、光を伝播させるコア２５と、コア２５の周囲に配置されたクラッドとを有している。コア２５は、第１層２５Ａと第２層２５Ｂとを有している。クラッドは、クラッド層２３，２６，３１，３３を含んでいる。クラッド層２３は、連結層１９および絶縁層２０の上において連結層２１の周囲に配置されている。コア２５の第１層２５Ａは、クラッド層２３の上において、媒体対向面６０との間でシールド層２４を挟む位置に配置されている。クラッド層２６は、クラッド層２３の上において第１層２５Ａの周囲に配置されている。シールド層２４、第１層２５Ａおよびクラッド層２６の上面は平坦化されている。

誘電体層２７は、シールド層２４の上面、ならびに、第１層２５Ａおよびクラッド層２６の上面の一部の上に配置されている。プラズモンジェネレータ４０は、誘電体層２７の上に配置されている。図４に示したように、誘電体層２７は、第１層２５Ａとプラズモンジェネレータ４０の間に介在する第１のギャップ部２７Ａを含んでいる。

誘電体層２８は、誘電体層２７の上においてプラズモンジェネレータ４０の周囲に配置されている。誘電体層２９は、プラズモンジェネレータ４０および誘電体層２８の上に配置されている。主磁極３０は、誘電体層２９の上に配置されている。コア２５の第２層２５Ｂは、第１層２５Ａおよび誘電体層２９の上において、媒体対向面６０との間で主磁極３０を挟む位置に配置されている。図４に示したように、誘電体層２９は、第２層２５Ｂとプラズモンジェネレータ４０の間に介在する第２のギャップ部２９Ａを含んでいる。

クラッド層３１は、クラッド層２６および誘電体層２９の上において第２層２５Ｂの周囲に配置されている。クラッド層３３は、第２層２５Ｂおよびクラッド層３１の上に配置されている。

連結部２２Ａ，２２Ｂの第１層は、クラッド層２３に埋め込まれている。連結部２２Ａ，２２Ｂの第２層は、クラッド層２６に埋め込まれている。連結部２２Ａ，２２Ｂの第３層は、クラッド層３１に埋め込まれている。連結部２２Ａの第２層と連結部２２Ｂの第２層は、第１層２５Ａのトラック幅方向（Ｘ方向）の両側において、第１層２５Ａに対して間隔をあけて配置されている。連結部２２Ａの第３層と連結部２２Ｂの第３層は、第２層２５Ｂのトラック幅方向の両側において、第２層２５Ｂに対して間隔をあけて配置されている。

コア２５は、近接場光の発生に用いられるレーザ光を通過させる誘電体材料によって形成されている。コア２５には、図示しないレーザダイオードから出射されたレーザ光が入射され、このレーザ光はコア２５内を伝播する。クラッド層２３，２６，３１，３３および誘電体層２７〜２９は、コア２５の屈折率よりも小さい屈折率を有する誘電体材料によって形成されている。コア２５の材料としては、例えば、Ｔａ_２Ｏ_５等の酸化タンタルや酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）が用いられ、クラッド層２３，２６，３１，３３および誘電体層２７〜２９の材料としては、例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）やアルミナが用いられる。コア２５およびプラズモンジェネレータ４０の形状については、後で詳しく説明する。

熱アシスト磁気記録ヘッドは、更に、主磁極３０およびクラッド層３３の上に配置された磁性材料よりなる連結層３２を備えている。連結層３２は、媒体対向面６０に配置された前端面と、その反対側の後端面と、下面と、後端面と下面とを接続する第１および第２の接続面とを有している。連結層３２の前端面の形状は、例えば矩形である。連結層３２において、第１の接続面の一端は下面に接続され、他端は第２の接続面の一端に接続され、第２の接続面の他端は後端面に接続されている。第１の接続面における任意の位置の媒体対向面６０からの距離は、任意の位置が基板１の上面１ａから離れるに従って大きくなっている。下面および第２の接続面は、実質的に媒体対向面６０に垂直な方向（Ｙ方向）に延在している。後端面は、媒体対向面６０に平行である。

熱アシスト磁気記録ヘッドは、更に、連結層３２の周囲においてクラッド層３３の上に配置された誘電体層３４を備えている。連結部２２Ａ，２２Ｂの第４層は、クラッド層３３および誘電体層３４に埋め込まれている。連結層３２、連結部２２Ａ，２２Ｂの第４層および誘電体層３４の上面は平坦化されている。誘電体層３４は、例えば、クラッド層２３，２６，３１，３３と同じ材料によって形成されている。

熱アシスト磁気記録ヘッドは、更に、誘電体層３４の上に配置されたコイル３５と、コイル３５を覆うように配置された絶縁層３６と、連結層３２、連結部２２Ａ，２２Ｂ、誘電体層３４および絶縁層３６の上に配置された磁性材料よりなるヨーク層３７とを備えている。ヨーク層３７は、連結層３２と連結部２２Ａ，２２Ｂを磁気的に連結している。コイル３５は、平面渦巻き形状をなし、ヨーク層３７のうち連結部２２Ａ，２２Ｂの上に配置された部分を中心として巻回されている。コイル３５は、銅等の導電材料によって形成されている。絶縁層３６は、例えばアルミナによって形成されている。

熱アシスト磁気記録ヘッドは、更に、ヨーク層３７を覆うように配置された保護層３８を備えている。保護層３８は、例えばアルミナによって形成されている。

リターン磁極層１１からヨーク層３７までの部分は、記録ヘッド部を構成する。コイル１６，３５は、記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生する。シールド層２４、連結層２１，１８，１３、リターン磁極層１１、連結層１４，１９、連結部２２Ａ，２２Ｂ、ヨーク層３７、連結層３２および主磁極３０は、コイル１６，３５が発生する磁界に対応した磁束を通過させる磁路を形成する。コイル１６，３５は、上記磁路において、コイル１６によって発生された磁界に対応する磁束とコイル３５によって発生された磁界に対応する磁束が同じ方向に流れるように、直列または並列に接続されている。主磁極３０は、上記磁路を通過する磁束に基づいて、垂直磁気記録方式によって情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する。

以上説明したように、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面６０と再生ヘッド部と記録ヘッド部とを備えている。再生ヘッド部と記録ヘッド部は、基板１の上に積層されている。記録ヘッド部は、再生ヘッド部に対して、記録媒体の進行方向（Ｚ方向）の前側（トレーリング側）に配置されている。

記録ヘッド部は、コイル１６，３５と、主磁極３０と、本実施の形態に係る近接場光発生器とを備えている。近接場光発生器は、導波路と、第１および第２のギャップ部２７Ａ，２９Ａと、プラズモンジェネレータ４０とを備えている。導波路は、コア２５とクラッドとを有している。コア２５は、第１層２５Ａと第２層２５Ｂとを有している。クラッドは、クラッド層２３，２６，３１，３３を含んでいる。第１層２５Ａと第２層２５Ｂは、記録媒体の進行方向（Ｚ方向）に沿って並んでいる。第１のギャップ部２７Ａ、プラズモンジェネレータ４０および第２のギャップ部２９Ａは、第１層２５Ａと第２層２５Ｂとの間に挟まれている。主磁極３０の少なくとも一部は、第１層２５Ａと第２層２５Ｂの一方と媒体対向面６０との間に配置されている。本実施の形態では、主磁極３０は、プラズモンジェネレータ４０に対して記録媒体の進行方向（Ｚ方向）の前側に配置され、主磁極３０の全体が第２層２５Ｂと媒体対向面６０との間に配置されている。

以下、図１ないし図４を参照して、コア２５およびプラズモンジェネレータ４０の形状について詳しく説明する。図１および図３に示したように、コア２５の第１層２５Ａは、媒体対向面６０により近い端面２５Ａａと、上面２５Ａｂと、下面２５Ａｃと、２つの側面２５Ａｄ，２５Ａｅとを有している。端面２５Ａａは、第１の部分２５Ａａ１と、第１の部分２５Ａａ１のトラック幅方向（Ｘ方向）の両側に配置された第２の部分２５Ａａ２および第３の部分２５Ａａ３とを含んでいる。第１の部分２５Ａａ１は媒体対向面６０から離れた位置に配置されている。第２および第３の部分２５Ａａ２，２５Ａａ３は媒体対向面６０に配置されている。シールド層２４は、第１の部分２５Ａａ１と媒体対向面６０との間に配置されている。なお、シールド層２４は、第１層２５Ａに接していてもよいし、接していなくてもよい。後者の場合、シールド層２４と第１層２５Ａとの間に、クラッドの一部が介在していてもよい。

図１および図３に示したように、コア２５の第２層２５Ｂは、媒体対向面６０により近い端面２５Ｂａと、上面２５Ｂｂと、下面２５Ｂｃと、２つの側面２５Ｂｄ，２５Ｂｅとを有している。端面２５Ｂａは、第１の部分２５Ｂａ１と、第１の部分２５Ｂａ１のトラック幅方向（Ｘ方向）の両側に配置された第２の部分２５Ｂａ２および第３の部分２５Ｂａ３とを含んでいる。第１の部分２５Ｂａ１は媒体対向面６０から離れた位置に配置されている。第２および第３の部分２５Ｂａ２，２５Ｂａ３は媒体対向面６０に配置されている。主磁極３０は、第１の部分２５Ｂａ１と媒体対向面６０との間に配置されている。なお、主磁極３０は、第２層２５Ｂに接していてもよいし、接していなくてもよい。後者の場合、主磁極３０と第２層２５Ｂとの間に、クラッドの一部が介在していてもよい。

第２層２５Ｂの下面２５Ｂｃは、媒体対向面６０に近い順に配置された前部と後部とを含んでいる。後部は、媒体対向面６０から離れた位置において第１層２５Ａの上面２５Ａｂに接している。前部は、誘電体層２７，２９とプラズモンジェネレータ４０の厚みの分だけ、後部に対して上面２５Ａｂからより遠い位置に配置されている。

第１層２５Ａの上面２５Ａｂは、コア２５を伝播する光に基づいて第１のエバネッセント光を発生する第１のエバネッセント光発生面２５Ａｂ１を含んでいる。第２層２５Ｂの下面２５Ｂｃは、コア２５を伝播する光に基づいて第２のエバネッセント光を発生する第２のエバネッセント光発生面２５Ｂｃ１を含んでいる。第１および第２のエバネッセント光発生面２５Ａｂ１，２５Ｂｃ１は、プラズモンジェネレータ４０を挟むように配置されている。第１層２５Ａと第２層２５Ｂはコア２５の一部であることから、コア２５が第１および第２のエバネッセント光発生面２５Ａｂ１，２５Ｂｃ１を有しているとも言える。

図２および図３に示したように、プラズモンジェネレータ４０は、外面を有し、この外面は、媒体対向面６０に配置された前端面４０ａと、下面４０ｂと、上面４０ｃと、第１および第２の側面４０ｄ，４０ｅと、後端面４０ｆとを有している。下面４０ｂは、第１のエバネッセント光発生面２５Ａｂ１に対して、所定の間隔をもって対向する第１のプラズモン励起部４０ｂ１を含んでいる。上面４０ｃは、第２のエバネッセント光発生面２５Ｂｃ１に対して、所定の間隔をもって対向する第２のプラズモン励起部４０ｃ１を含んでいる。

図４に示したように、第１のギャップ部２７Ａは、第１のエバネッセント光発生面２５Ａｂ１と第１のプラズモン励起部４０ｂ１の間に介在している。第２のギャップ部２９Ａは、第２のエバネッセント光発生面２５Ｂｃ１と第２のプラズモン励起部４０ｃ１の間に介在している。第１のエバネッセント光発生面２５Ａｂ１、第１のギャップ部２７Ａ、第１のプラズモン励起部４０ｂ１、第２のプラズモン励起部４０ｃ１、第２のギャップ部２９Ａおよび第２のエバネッセント光発生面２５Ｂｃ１は、記録媒体の進行方向（Ｚ方向）に沿って並んでいる。

ここで、図４を参照して、前端面４０ａに平行なプラズモンジェネレータ４０の断面のうち、その断面の外縁の一部が第１および第２のプラズモン励起部４０ｂ１，４０ｃ１によって形成された断面（以下、励起部断面と言う。）の形状について説明する。励起部断面の形状は、以下で説明する第１の辺Ｅ１、第２の辺Ｅ２、第３の辺Ｅ３および第４の辺Ｅ４によって構成された四角形である。第１の辺Ｅ１の全体は、第１のプラズモン励起部４０ｂ１によって形成されている。第２の辺Ｅ２の全体は、第２のプラズモン励起部４０ｃ１によって形成されている。第３の辺Ｅ３は、第１の辺Ｅ１の一端と第２の辺Ｅ２の一端とを接続している。第４の辺Ｅ４は、第１の辺Ｅ１の他端と第２の辺Ｅ２の他端とを接続している。本実施の形態では特に、励起部断面の形状は、矩形である。

また、図２に示したように、プラズモンジェネレータ４０は、媒体対向面６０の近傍に配置された細幅部４１と、この細幅部４１よりも媒体対向面６０から遠い位置に配置された幅広部４２とを備えている。細幅部４１は、媒体対向面６０に配置された前端面を有している。細幅部４１の前端面は、プラズモンジェネレータ４０の前端面４０ａでもある。媒体対向面６０および基板１の上面１ａに平行な方向（Ｘ方向）についての細幅部４１における下面４０ｂおよび上面４０ｃの幅は、媒体対向面６０からの距離によらずに一定であってもよいし、媒体対向面６０に近づくに従って小さくなっていてもよい。幅広部４２は、細幅部４１に対して前端面４０ａとは反対側に位置して細幅部４１に連結されている。幅広部４２における下面４０ｂおよび上面４０ｃの幅は、細幅部４１との境界の位置では細幅部４１における幅と等しく、細幅部４１から離れるに従って大きくなっている。

前端面４０ａの幅（トラック幅方向（Ｘ方向）の寸法）は、媒体対向面６０における細幅部４１の幅によって規定される。前端面４０ａの幅は、例えば５〜４０ｎｍの範囲内である。また、前端面４０ａの高さ（Ｚ方向の寸法）は、媒体対向面６０における細幅部４１の高さによって規定される。前端面４０ａの高さは、例えば５〜４０ｎｍの範囲内である。

次に、本実施の形態における近接場光発生の原理と、近接場光を用いた熱アシスト磁気記録の原理について詳しく説明する。図示しないレーザダイオードから出射されたレーザ光はコア２５に入射される。図５に示したように、レーザ光５０は、コア２５内を媒体対向面６０に向けて伝播して、プラズモンジェネレータ４０の近傍に達する。コア２５の第１および第２のエバネッセント光発生面２５Ａｂ１，２５Ｂｃ１は、それぞれ、コア２５を伝播するレーザ光５０に基づいてエバネッセント光を発生する。すなわち、第１のエバネッセント光発生面２５Ａｂ１においてレーザ光５０が全反射することによって、第１のエバネッセント光発生面２５Ａｂ１は、第１のギャップ部２７Ａにしみ出す第１のエバネッセント光を発生し、第２のエバネッセント光発生面２５Ｂｃ１においてレーザ光５０が全反射することによって、第２のエバネッセント光発生面２５Ｂｃ１は、第２のギャップ部２９Ａにしみ出す第２のエバネッセント光を発生する。プラズモンジェネレータ４０では、第１のプラズモン励起部４０ｂ１において、第１のエバネッセント光と結合することによって第１の表面プラズモンが励起され、第２のプラズモン励起部４０ｃ１において、第２のエバネッセント光と結合することによって第２の表面プラズモンが励起される。第１および第２の表面プラズモンは前端面４０ａに伝播され、この第１および第２の表面プラズモンに基づいて前端面４０ａより近接場光が発生される。

前端面４０ａより発生された近接場光は、記録媒体に向けて照射され、記録媒体の表面に達し、記録媒体の磁気記録層の一部を加熱する。これにより、その磁気記録層の一部の保磁力が低下する。熱アシスト磁気記録では、このようにして保磁力が低下した磁気記録層の一部に対して、主磁極３０より発生される記録磁界を印加することによってデータの記録が行われる。

次に、本実施の形態に係る近接場光発生器および熱アシスト磁気記録ヘッド特有の効果について説明する。本実施の形態では、上述のように、コア２５の第１および第２のエバネッセント光発生面２５Ａｂ１，２５Ｂｃ１より第１および第２のエバネッセント光が発生され、この第１および第２のエバネッセント光と結合することによって、プラズモンジェネレータ４０の第１および第２のプラズモン励起部４０ｂ１，４０ｃ１において第１および第２の表面プラズモンが励起される。このように、本実施の形態では、プラズモンジェネレータ４０において互いに反対側に位置する第１および第２のプラズモン励起部４０ｂ１，４０ｃ１の両方で表面プラズモンが励起されるように、第１および第２のエバネッセント光発生面２５Ａｂ１，２５Ｂｃ１と第１および第２のプラズモン励起部４０ｂ１，４０ｃ１が構成されている。そのため、本実施の形態によれば、エバネッセント光発生面とプラズモン励起部がそれぞれ１つだけ存在する場合に比べて、プラズモンジェネレータ４０の外面のうちコア２５の外面に対向する部分の、プラズモンジェネレータ４０の外面全体に対する割合を大きくして、プラズモンジェネレータ４０に多くの表面プラズモンを励起させることが可能になる。

また、一般的に、レーザダイオードは、活性層と、活性層の両面に平行な方向の端に位置し、レーザ光の出射部を含む出射端面とを有している。レーザダイオードは、例えば、レーザ光の出射部が、熱アシスト磁気記録ヘッドの媒体対向面６０とは反対側の背面に配置されたコア２５の入射端に対向し、且つ活性層の両面が第１および第２のエバネッセント光発生面２５Ａｂ１，２５Ｂｃ１に対して平行になるように、コア２５に対して位置決めされている。この場合、レーザダイオードから出射されるレーザ光は、電界の振動方向が活性層の両面に対して垂直なＴＭモードの偏光であることが好ましい。この場合には、コア２５を伝播したレーザ光における電界の振動方向は、第１および第２のエバネッセント光発生面２５Ａｂ１，２５Ｂｃ１に対して垂直になる。これにより、第１および第２のプラズモン励起部４０ｂ１，４０ｃ１において、それぞれ、大きな強度の第１および第２の表面プラズモンを励起させることが可能になる。

ところで、コア２５の材料として用いられる酸化タンタルは、耐熱性に優れている。本実施の形態では、プラズモンジェネレータ４０は、コア２５の第１層２５Ａおよび第２層２５Ｂに挟まれている。そのため、本実施の形態によれば、コア２５を酸化タンタルによって形成することにより、プラズモンジェネレータ４０が発生する熱によってプラズモンジェネレータ４０およびその近傍の部分が脆弱化することを防止することができる。

次に、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法について説明する。この熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法は、複数の熱アシスト磁気記録ヘッドの基板１となる部分を含む基板上に、複数の熱アシスト磁気記録ヘッドの基板１以外の構成要素を形成して、それぞれ後に熱アシスト磁気記録ヘッドとなるヘッド予定部が複数列に配列された基礎構造物を作製する工程と、この基礎構造物を切断することによって複数のヘッド予定部を互いに分離して、複数の熱アシスト磁気記録ヘッドを形成する工程とを備えている。複数の熱アシスト磁気記録ヘッドを形成する工程では、切断によって形成された面を研磨して媒体対向面６０を形成する。

以下、１つの熱アシスト磁気記録ヘッドに注目して、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法について更に詳しく説明する。本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドは、本実施の形態に係る近接場光発生器を含んでいるため、以下の説明は、本実施の形態に係る近接場光発生器の製造方法の説明を含んでいる。本実施の形態に係る近接場光発生器の製造方法は、導波路を形成する工程と、誘電体層２７〜２９を形成する工程と、プラズモンジェネレータ４０を形成する工程とを備えている。導波路を形成する工程は、コア２５を形成する工程と、クラッド層２３，２６，３１，３３を形成する工程とを含んでいる。

本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法では、まず、基板１の上面１ａ上に、絶縁層２から連結層２１および連結部２２Ａ，２２Ｂのそれぞれの第１層までの部分を順に形成する。次に、連結層２１および連結部２２Ａ，２２Ｂのそれぞれの第１層を覆うように、クラッド層２３を形成する。次に、例えば化学機械研磨（以下、ＣＭＰと記す。）によって、連結層２１および連結部２２Ａ，２２Ｂのそれぞれの第１層が露出するまでクラッド層２３を研磨する。

次に、連結層２１の上にシールド層２４を形成し、クラッド層２３の上にコア２５の第１層２５Ａを形成し、連結部２２Ａ，２２Ｂのそれぞれの第１層の上に連結部２２Ａ，２２Ｂのそれぞれの第２層を形成する。次に、シールド層２４、第１層２５Ａおよび連結部２２Ａ，２２Ｂのそれぞれの第２層を覆うようにクラッド層２６を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、シールド層２４、第１層２５Ａおよび連結部２２Ａ，２２Ｂのそれぞれの第２層が露出するまで、クラッド層２６を研磨する。

次に、積層体の上面の上に誘電体層２７を形成する。次に、誘電体層２７の上にプラズモンジェネレータ４０および誘電体層２８を形成する。プラズモンジェネレータ４０は、例えば、誘電体層２７の上にプラズモンジェネレータ４０となる金属膜を形成し、この金属膜の一部をエッチングして、金属膜をパターニングすることによって形成される。次に、プラズモンジェネレータ４０および誘電体層２８の上に誘電体層２９を形成する。

次に、誘電体層２９の上に主磁極３０を形成し、誘電体層２９および第１層２５Ａの上に第２層２５Ｂを形成し、連結部２２Ａ，２２Ｂのそれぞれの第２層の上に連結部２２Ａ，２２Ｂのそれぞれの第３層を形成する。次に、主磁極３０、第２層２５Ｂおよび連結部２２Ａ，２２Ｂのそれぞれの第３層を覆うようにクラッド層３１を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、主磁極３０、第２層２５Ｂおよび連結部２２Ａ，２２Ｂのそれぞれの第３層が露出するまで、クラッド層３１を研磨する。

次に、積層体の上面全体の上に、後にクラッド層３３となる誘電体層を形成する。次に、この誘電体層を選択的にエッチングして、誘電体層に、積層体の上面のうち媒体対向面６０が形成される予定の位置の近傍の部分を露出させる開口部と、連結部２２Ａ，２２Ｂのそれぞれの第３層を露出させる２つの開口部を形成する。これにより、誘電体層はクラッド層３３となる。

次に、連結層３２、連結部２２Ａ，２２Ｂのそれぞれの第４層および誘電体層３４から保護層３８までの部分を順に形成する。次に、保護層３８の上面に配線や端子等を形成する。このようにして、基礎構造物が完成したら、この基礎構造物を切断することによって複数のヘッド予定部を互いに分離し、研磨による媒体対向面６０の形成、浮上用レールの作製等を行って、熱アシスト磁気記録ヘッドが完成する。

［変形例］
次に、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの第１ないし第６の変形例について説明する。始めに、図７を参照して、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの第１の変形例について説明する。図７は、第１の変形例におけるプラズモンジェネレータ４０の近傍の部分を示す斜視図である。第１の変形例では、誘電体層２８が設けられていない。誘電体層２９は、誘電体層２７の上面と、プラズモンジェネレータ４０の上面４０ｃ、側面４０ｄ，４０ｅおよび後端面４０ｆを覆っている。

次に、図８を参照して、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの第２の変形例について説明する。図８は、第２の変形例におけるプラズモンジェネレータ４０の近傍の部分を示す斜視図である。第２の変形例では、第１の変形例と同様に、誘電体層２８が設けられておらず、誘電体層２９は、誘電体層２７とプラズモンジェネレータ４０を覆っている。誘電体層２７，２９の平面形状（上方から見た形状）は、プラズモンジェネレータ４０の平面形状よりも大きく、その外縁がプラズモンジェネレータ４０の平面形状の外縁に沿った形状をなしている。コア２５の第２層２５Ｂの下面２５Ｂｃの前部は、プラズモンジェネレータ４０のトラック幅方向（Ｘ方向）の両側において第１層２５Ａの上面２５Ａｂに接している。

次に、図９を参照して、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの第３の変形例について説明する。図９は、熱アシスト磁気記録ヘッドの第３の変形例の要部を示す断面図である。第３の変形例では、プラズモンジェネレータ４０の上面４０ｃは、媒体対向面６０に近い順に配置された第１の傾斜部分４０ｃＡ、水平部分４０ｃＢおよび第２の傾斜部分４０ｃＣを含んでいる。第１および第２の傾斜部分４０ｃＡ，４０ｃＣは、それぞれ、媒体対向面６０により近い前端部と、その反対側の後端部とを有している。第１の傾斜部分４０ｃＡは、その後端部がその前端部に対して記録媒体の進行方向（Ｚ方向）の前側に配置されるように傾斜している。第２の傾斜部分４０ｃＣは、その後端部がその前端部に対して記録媒体の進行方向の後側に配置されるように傾斜している。水平部分４０ｃＢは、実質的に媒体対向面６０に垂直な方向（Ｙ方向）に延在している。

プラズモンジェネレータ４０の厚み（Ｚ方向の寸法）が小さくなると、表面プラズモンの励起効率が低下して、励起される表面プラズモンが少なくなる。そのため、プラズモンジェネレータ４０の厚みは、ある程度大きいことが好ましい。第３の変形例では、プラズモンジェネレータ４０の一部の厚み（Ｚ方向の寸法）は、媒体対向面６０から離れるに従って、徐々に大きくなっている。これにより、第３の変形例では、媒体対向面６０から離れた位置におけるプラズモンジェネレータ４０の厚みを大きくしながら、前端面４０ａのＺ方向の寸法を小さくすることができる。その結果、第３の変形例によれば、スポット径が小さく、且つ十分な強度の近接場光を発生させることが可能になる。

次に、図１０を参照して、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの第４の変形例について説明する。図１０は、熱アシスト磁気記録ヘッドの第４の変形例の構成を示す断面図である。第４の変形例では、主磁極３０の後端面における任意の位置の媒体対向面６０からの距離は、任意の位置が基板１の上面１ａから離れるに従って大きくなっている。また、シールド層２４の後端面における任意の位置の媒体対向面６０からの距離は、任意の位置が基板１の上面１ａから離れるに従って小さくなっている。連結層２１の後端面は、媒体対向面６０に平行である。なお、第４の変形例では、連結層３２に第１および第２の接続面が設けられていない。

次に、図１１を参照して、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの第５の変形例について説明する。図１１は、熱アシスト磁気記録ヘッドの第５の変形例の媒体対向面を示す正面図である。第５の変形例では、主磁極３０および連結層３２の前端面の形状は台形であり、主磁極３０および連結層３２の前端面のトラック幅方向（Ｘ方向）の幅は、基板１の上面１ａに近づくに従って、すなわちプラズモンジェネレータ４０に近づくに従って小さくなっている。

次に、図１２を参照して、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの第６の変形例について説明する。図１２は、熱アシスト磁気記録ヘッドの第６の変形例の媒体対向面を示す正面図である。第６の変形例では、熱アシスト磁気記録ヘッドは、シールド層２４の代わりに主磁極１３０を備え、主磁極３０の代わりに磁性材料よりなるシールド層１２４を備えている。

主磁極１３０は、連結層２１の上に配置され、その全体がコア２５の第１層２５Ａと媒体対向面６０との間に配置されている。主磁極１３０は、媒体対向面６０に配置された前端面と、その反対側の後端面とを有している。第６の変形例では、主磁極１３０および連結層２１の前端面の形状は台形であり、主磁極１３０および連結層２１の前端面のトラック幅方向（Ｘ方向）の幅は、基板１の上面１ａから離れるに従って、すなわちプラズモンジェネレータ４０に近づくに従って小さくなっている。図示しないが、主磁極１３０の後端面は、媒体対向面６０に平行である。

シールド層１２４の形状および配置は、主磁極３０と同じである。すなわち、シールド層１２４は、誘電体層２９の上に配置され、その全体がコア２５の第２層２５Ｂと媒体対向面６０との間に配置されている。シールド層１２４は、媒体対向面６０に配置された前端面と、その反対側の後端面とを有している。シールド層１２４の前端面の形状は、例えば矩形である。図示しないが、シールド層１２４の後端面は、媒体対向面６０に平行である。

［第２の実施の形態］
次に、図１３を参照して、本発明の第２の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドについて説明する。図１３は、熱アシスト磁気記録ヘッドの構成を示す断面図である。本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの構成は、以下の点で第１の実施の形態と異なっている。本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドでは、誘電体層２７は、コア２５の第１層２５Ａの上面２５Ａｂ全体を覆うように配置されている。従って、コア２５の第２層２５Ｂの下面２５Ｂｃは、第１層２５Ａの上面２５Ａｂには接しておらず、第２層２５Ｂの下面２５Ｂｃ全体が、誘電体層２７，２９とプラズモンジェネレータ４０または誘電体層２８の厚みの分だけ、第１層２５Ａの上面２５Ａｂに対して記録媒体の進行方向（Ｚ方向）の前側に配置されている。

本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。

［第３の実施の形態］
次に、図１４および図１５を参照して、本発明の第３の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドについて説明する。図１４は、熱アシスト磁気記録ヘッドの構成を示す断面図である。図１５は、熱アシスト磁気記録ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの構成は、以下の点で第１の実施の形態と異なっている。本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドでは、主磁極３０および連結層３２は、第１の実施の形態の第５の変形例と同様の形状を有している。すなわち、主磁極３０および連結層３２の前端面の形状は台形であり、主磁極３０および連結層３２の前端面のトラック幅方向（Ｘ方向）の幅は、基板１の上面１ａに近づくに従って、すなわちプラズモンジェネレータ４０に近づくに従って小さくなっている。また、本実施の形態では、シールド層２４および連結層２１が設けられておらず、コア２５の第１層２５Ａの端面２５Ａａの全体が媒体対向面６０に配置されている。なお、本実施の形態における連結層１８の媒体対向面６０に配置された端面のＸ方向の幅は、第１の実施の形態における図６に示した例に比べて大きくなっている。

なお、本実施の形態において、コア２５および誘電体層２７〜２９の構成は、第２の実施の形態と同じであってもよい。本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１または第２の実施の形態と同様である。

［第４の実施の形態］
次に、図１６および図１７を参照して、本発明の第４の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドについて説明する。図１６は、熱アシスト磁気記録ヘッドの構成を示す断面図である。図１７は、熱アシスト磁気記録ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの構成は、以下の点で第１の実施の形態と異なっている。本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドでは、第１の実施の形態におけるシールド層２４および連結層２１の代わりに、第１の実施の形態の第６の変形例で説明した主磁極１３０および連結層２１を備えている。なお、本実施の形態では、第１の実施の形態の第６の変形例で説明したシールド層１２４は設けられておらず、コア２５の第２層２５Ｂの端面２５Ｂａの全体が媒体対向面６０に配置されている。

また、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドは、コア２５の第２層２５Ｂおよびクラッド層３１，３３と、連結層３２および誘電体層３４との間に介在する誘電体層３９を備えている。誘電体層３９は、例えば、クラッド層２３，２６，３１，３３と同じ材料によって形成されている。

なお、本実施の形態において、コア２５および誘電体層２７〜２９の構成は、第２の実施の形態と同じであってもよい。本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１または第２の実施の形態と同様である。

［第５の実施の形態］
次に、図１８ないし図２２を参照して、本発明の第５の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドについて説明する。図１８は、熱アシスト磁気記録ヘッドの要部を示す斜視図である。図１９は、熱アシスト磁気記録ヘッドの要部を示す平面図である。図２０は、図１９の２０−２０線で示す位置における断面を示す断面図である。図２１は、熱アシスト磁気記録ヘッドの構成を示す断面図である。図２２は、熱アシスト磁気記録ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。

本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの構成は、以下の点で第１の実施の形態と異なっている。本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドは、第１の実施の形態における主磁極３０の代わりに主磁極７０を備え、プラズモンジェネレータ４０の代わりにプラズモンジェネレータ８０を備え、誘電体層２７，２８，２９の代わりに誘電体膜７６，７７および誘電体層７８を備えている。また、本実施の形態では、導波路は、コア２５の代わりにコア７５を有している。導波路のクラッドは、クラッド層２３，２６の代わりにクラッド層７３，７４を含んでいる。

コア７５の材料は、第１の実施の形態で説明したコア２５の材料と同様であり、プラズモンジェネレータ８０の材料は、第１の実施の形態で説明したプラズモンジェネレータ４０の材料と同様であり、クラッド層７３，７４、誘電体膜７６，７７および誘電体層７８の材料は、第１の実施の形態で説明したクラッド層２３，２６，３１，３３および誘電体層２７〜２９の材料と同様である。

また、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドは、絶縁層７１，７２を備えている。絶縁層７１は、連結層１９および絶縁層２０の上において連結層２１の周囲に配置されている。絶縁層７２は、絶縁層７１の上においてシールド層２４の周囲に配置されている。シールド層２４および絶縁層７２の上面は平坦化されている。本実施の形態では、連結部２２Ａ，２２Ｂの第１層は、絶縁層７１に埋め込まれている。連結部２２Ａ，２２Ｂの第２層は、絶縁層７２に埋め込まれている。絶縁層７１，７２は、例えばアルミナによって形成されている。

主磁極７０は、シールド層２４の上方に配置されている。主磁極７０は、媒体対向面６０に配置された前端面と、その反対側の後端面と、下面と、上面とを有している。主磁極７０の後端面は、媒体対向面６０に平行である。主磁極７０の下面における任意の位置の媒体対向面６０からの距離は、任意の位置が基板１の上面１ａから離れるに従って大きくなっている。主磁極７０の上面は、連結層３２の下面に接している。プラズモンジェネレータ８０は、シールド層２４と主磁極７０との間に配置されている。プラズモンジェネレータ８０は板状の形状を有している。媒体対向面６０および基板１の上面１ａに平行な方向（Ｘ方向）についてのプラズモンジェネレータ８０の幅は、媒体対向面６０からの距離によらずにほぼ一定である。

クラッド層７３は、シールド層２４および絶縁層７２の上に配置されている。また、クラッド層７３は、シールド層２４および絶縁層７２の上面の一部を露出させる開口部を有している。プラズモンジェネレータ８０は、クラッド層７３の開口部の上方に配置されている。クラッド層７３の開口部の平面形状（上方から見た形状）は、プラズモンジェネレータ８０の平面形状よりも大きく、その外縁がプラズモンジェネレータ８０の平面形状の外縁に沿った形状をなしている。

コア７５は、クラッド層７３の上に配置されている。また、コア７５は、第１層７５Ａと第２層７５Ｂとを有している。第１層７５Ａと第２層７５Ｂは、トラック幅方向（Ｘ方向）に沿って並んでいる。媒体対向面６０の近傍では、第１層７５Ａと第２層７５Ｂは、クラッド層７３の開口部のトラック幅方向（Ｘ方向）の両側に配置されている。クラッド層７４は、クラッド層７３の上において第１層７５Ａおよび第２層７５Ｂの周囲に配置されている。

誘電体膜７６は、シールド層２４、絶縁層７２および第１層７５Ａとプラズモンジェネレータ８０との間に介在するように配置されている。また、誘電体膜７６は、第１層７５Ａとプラズモンジェネレータ８０の間に介在する第１のギャップ部７６Ａを含んでいる。誘電体膜７７は、第２層７５Ｂとプラズモンジェネレータ８０および誘電体膜７６との間に介在するように配置されている。また、誘電体膜７７は、第２層７５Ｂとプラズモンジェネレータ８０の間に介在する第２のギャップ部７７Ａを構成している。第１のギャップ部７６Ａ、プラズモンジェネレータ８０および第２のギャップ部７７Ａは、第１層７５Ａと第２層７５Ｂとの間に挟まれている。誘電体層７８は、コア７５、プラズモンジェネレータ８０および誘電体膜７６，７７の上に配置されている。

主磁極７０は、誘電体層７８の上に配置されている。本実施の形態では、クラッド層３１は、主磁極７０の周囲においてコア７５（第１層７５Ａおよび第２層７５Ｂ）、クラッド層７４および誘電体層７８の上に配置されている。クラッド層３３は、クラッド層３１の上に配置されている。連結部２２Ａ，２２Ｂの第３層は、クラッド層７３，７４，３１に埋め込まれている。連結部２２Ａの第３層と連結部２２Ｂの第３層は、コア７５のトラック幅方向の両側において、コア７５に対して間隔をあけて配置されている。

以下、コア７５、プラズモンジェネレータ８０および誘電体膜７６，７７の形状および配置について更に詳しく説明する。図１８および図１９に示したように、コア７５の第１層７５Ａは、媒体対向面６０に配置された端面７５Ａａと、上面７５Ａｂと、下面７５Ａｃと、２つの側面７５Ａｄ，７５Ａｅとを有している。媒体対向面６０の近傍では、側面７５Ａｅは、クラッド層７３の上面における開口部の縁の真上に配置されている。誘電体膜７６は、第１層７５Ａの側面７５Ａｅ、クラッド層７３の開口部の壁面、ならびに、シールド層２４および絶縁層７２の上面に沿って配置されている。

図１８および図１９に示したように、コア７５の第２層７５Ｂは、媒体対向面６０に配置された端面７５Ｂａと、上面７５Ｂｂと、下面７５Ｂｃと、２つの側面７５Ｂｄ，７５Ｂｅとを有している。第２層７５Ｂの側面７５Ｂｄは、媒体対向面６０に近い順に配置された前部と後部とを含んでいる。後部は、媒体対向面６０から離れた位置において第１層７５Ａの側面７５Ａｅに接している。前部は、クラッド層７３の上面における開口部の縁の真上に配置され、クラッド層７３の開口部のトラック幅方向（Ｘ方向）の幅の分だけ、後部に対して側面７５Ａｅからより遠い位置に配置されている。誘電体膜７７は、第２層７５Ｂの側面７５Ｂｄの前部に沿って配置されている。

第１層７５Ａの側面７５Ａｅは、コア７５を伝播する光に基づいて第１のエバネッセント光を発生する第１のエバネッセント光発生面７５Ａｅ１を含んでいる。第２層７５Ｂの側面７５Ｂｄは、コア７５を伝播する光に基づいて第２のエバネッセント光を発生する第２のエバネッセント光発生面７５Ｂｄ１を含んでいる。第１および第２のエバネッセント光発生面７５Ａｅ１，７５Ｂｄ１は、プラズモンジェネレータ８０を挟むように配置されている。第１層７５Ａと第２層７５Ｂはコア７５の一部であることから、コア７５が第１および第２のエバネッセント光発生面７５Ａｅ１，７５Ｂｄ１を有しているとも言える。

図１８および図１９に示したように、プラズモンジェネレータ８０は、外面を有し、この外面は、媒体対向面６０に配置された前端面８０ａと、下面８０ｂと、上面８０ｃと、第１の側面である第１のプラズモン励起部８０ｄと、第２の側面である第２のプラズモン励起部８０ｅと、後端面８０ｆとを有している。下面８０ｂは、実質的に媒体対向面６０に垂直な方向に延在している。第１のプラズモン励起部８０ｄは、第１のエバネッセント光発生面７５Ａｅ１に対して、所定の間隔をもって対向している。第２のプラズモン励起部８０ｅは、第２のエバネッセント光発生面７５Ｂｄ１に対して、所定の間隔をもって対向している。

第１のギャップ部７６Ａは、第１のエバネッセント光発生面７５Ａｅ１と第１のプラズモン励起部８０ｄの間に介在している。第２のギャップ部７７Ａは、第２のエバネッセント光発生面７５Ｂｄ１と第２のプラズモン励起部８０ｅの間に介在している。第１のエバネッセント光発生面７５Ａｅ１、第１のギャップ部７６Ａ、第１のプラズモン励起部８０ｄ、第２のプラズモン励起部８０ｅ、第２のギャップ部７７Ａおよび第２のエバネッセント光発生面７５Ｂｄ１は、トラック幅方向（Ｘ方向）に沿って並んでいる。

ここで、図２０を参照して、前端面８０ａに平行なプラズモンジェネレータ８０の断面のうち、その断面の外縁の一部が第１および第２のプラズモン励起部８０ｄ，８０ｅによって形成された断面すなわち励起部断面の形状について説明する。励起部断面の形状は、以下で説明する第１の辺Ｅ１、第２の辺Ｅ２、第３の辺Ｅ３および第４の辺Ｅ４によって構成された四角形である。第１の辺Ｅ１の全体は、第１のプラズモン励起部８０ｄによって形成されている。第２の辺Ｅ２の全体は、第２のプラズモン励起部８０ｅによって形成されている。第３の辺Ｅ３は、第１の辺Ｅ１の一端と第２の辺Ｅ２の一端とを接続している。第４の辺Ｅ４は、第１の辺Ｅ１の他端と第２の辺Ｅ２の他端とを接続している。本実施の形態では特に、励起部断面の形状は、矩形である。

また、図１８に示したように、プラズモンジェネレータ８０は、媒体対向面６０の近傍に配置された細幅部８１と、この細幅部８１よりも媒体対向面６０から遠い位置に配置された幅広部８２とを備えている。細幅部８１は、媒体対向面６０に配置された前端面を有している。細幅部８１の前端面は、プラズモンジェネレータ８０の前端面８０ａでもある。細幅部８１における第１および第２のプラズモン励起部８０ｄ，８０ｅのＺ方向の寸法は、媒体対向面６０からの距離によらずに一定であってもよいし、媒体対向面６０に近づくに従って小さくなっていてもよい。幅広部８２は、細幅部８１に対して前端面８０ａとは反対側に位置して細幅部８１に連結されている。幅広部８２における第１および第２のプラズモン励起部８０ｄ，８０ｅのＺ方向の寸法は、細幅部８１との境界の位置では細幅部８１におけるＺ方向の寸法と等しく、細幅部８１から離れるに従って大きくなっている。

前端面８０ａの幅（トラック幅方向（Ｘ方向）の寸法）は、媒体対向面６０における細幅部８１の幅によって規定される。また、前端面８０ａの高さ（Ｚ方向の寸法）は、媒体対向面６０における細幅部８１の高さによって規定される。前端面８０ａの幅および高さは、例えば、第１の実施の形態で説明した前端面４０ａの幅および高さと同じである。

媒体対向面６０の近傍では、コア７５（第１層７５Ａおよび第２層７５Ｂ）の厚み（Ｚ方向の寸法）は、プラズモンジェネレータ８０の厚みとほぼ同じである。なお、媒体対向面６０から離れた位置において、コア７５の厚みは、プラズモンジェネレータ８０の最大の厚みよりも大きくなっていてもよい。

次に、本実施の形態における近接場光発生の原理について詳しく説明する。図示しないレーザダイオードから出射されたレーザ光はコア７５に入射される。図２１に示したように、レーザ光５０は、コア７５内を媒体対向面６０に向けて伝播して、プラズモンジェネレータ８０の近傍に達する。コア７５の第１および第２のエバネッセント光発生面７５Ａｅ１，７５Ｂｄ１は、それぞれ、コア７５を伝播するレーザ光５０に基づいてエバネッセント光を発生する。すなわち、第１のエバネッセント光発生面７５Ａｅ１においてレーザ光５０が全反射することによって、第１のエバネッセント光発生面７５Ａｅ１は、第１のギャップ部７６Ａにしみ出す第１のエバネッセント光を発生し、第２のエバネッセント光発生面７５Ｂｄ１においてレーザ光５０が全反射することによって、第２のエバネッセント光発生面７５Ｂｄ１は、第２のギャップ部７７Ａにしみ出す第２のエバネッセント光を発生する。プラズモンジェネレータ８０では、第１のプラズモン励起部８０ｄにおいて、第１のエバネッセント光と結合することによって第１の表面プラズモンが励起され、第２のプラズモン励起部８０ｅにおいて、第２のエバネッセント光と結合することによって第２の表面プラズモンが励起される。第１および第２の表面プラズモンは前端面８０ａに伝播され、この第１および第２の表面プラズモンに基づいて前端面８０ａより近接場光が発生される。

本実施の形態では、レーザダイオードは、例えば、活性層の両面が、第１層７５Ａの下面７５Ａｃおよび第２層７５Ｂの下面７５Ｂｃに対して平行になるように、コア７５に対して位置決めされている。この場合、レーザダイオードから出射されるレーザ光は、電界の振動方向が活性層の両面に対して平行なＴＥモードの偏光であることが好ましい。この場合には、コア７５を伝播したレーザ光における電界の振動方向は、第１および第２のエバネッセント光発生面７５Ａｅ１，７５Ｂｄ１に対して垂直になる。これにより、第１および第２のプラズモン励起部８０ｄ，８０ｅにおいて、それぞれ、大きな強度の第１および第２の表面プラズモンを励起させることが可能になる。

次に、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法について説明する。以下の説明は、本実施の形態に係る近接場光発生器の製造方法の説明を含んでいる。本実施の形態に係る近接場光発生器の製造方法は、導波路を形成する工程と、誘電体膜７６，７７および誘電体層７８を形成する工程と、プラズモンジェネレータ８０を形成する工程とを備えている。導波路を形成する工程は、コア７５を形成する工程と、クラッド層７３，７４，３１，３３を形成する工程とを含んでいる。

本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法では、まず、基板１の上面１ａ上に、絶縁層２からシールド層２４、絶縁層７２および連結部２２Ａ，２２Ｂのそれぞれの第２層までの部分を順に形成する。次に、積層体の上面全体の上にクラッド層７３を形成する。次に、クラッド層７３の上にコア７５の第１層７５Ａを形成する。次に、クラッド層７３を選択的にエッチングして、クラッド層７３に、シールド層２４および絶縁層７２の上面の一部を露出させる開口部を形成する。第１層７５Ａの側面７５Ａｅは、クラッド層７３の開口部における第１層７５Ａ側の縁の位置を規定する。

次に、第１層７５Ａの上面７５Ａｂおよび側面７５Ａｅ、クラッド層７３の開口部の壁面、ならびに、シールド層２４および絶縁層７２の上面に沿って、誘電体膜７６を形成する。次に、誘電体膜７６の表面に沿って、後にプラズモンジェネレータ８０となる金属膜を形成する。次に、金属膜のうち、第１層７５Ａの側面７５Ａｅとの間で誘電体膜７６を挟む位置に形成された部分が残り、シールド層２４および絶縁層７２の上面との間で誘電体膜７６を挟む位置に形成された部分が除去されるように、金属膜を選択的にエッチングする。次に、誘電体膜７６および金属膜の表面に沿って誘電体膜７７を形成する。

次に、誘電体膜７７のうち、第１層７５Ａの側面７５Ａｅとの間で誘電体膜７６および金属膜を挟む位置に形成された部分が残り、シールド層２４および絶縁層７２の上面との間で誘電体膜７６を挟む位置に形成された部分が除去されるように、誘電体膜７７を選択的にエッチングする。なお、誘電体膜７６，７７がクラッド層７３の上にも形成されている場合には、このエッチングによって、誘電体膜７６，７７のうちクラッド層７３の上に形成された部分を除去する。

次に、クラッド層７３の上にコア７５の第２層７５Ｂを形成する。第２層７５Ｂは、その側面７５Ｂｄが誘電体膜７７の表面および第１層７５Ａの側面７５Ａｅに接するように形成される。次に、第１層７５Ａおよび第２層７５Ｂを覆うようにクラッド層７４を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第１層７５Ａおよび第２層７５Ｂが露出するまで、金属膜、誘電体膜７６，７７およびクラッド層７４を研磨する。次に、媒体対向面６０が形成される予定の位置の近傍において、金属膜、誘電体膜７６，７７、第１層７５Ａ、第２層７５Ｂおよびクラッド層７４の一部をテーパーエッチングする。これにより、金属膜はプラズモンジェネレータ８０となる。

次に、コア７５（第１層７５Ａおよび第２層７５Ｂ）、プラズモンジェネレータ８０および誘電体膜７６，７７の上に、誘電体層７８を形成する。次に、誘電体層７８の上に主磁極７０を形成する。次に、クラッド層７３，７４を選択的にエッチングして、クラッド層７３，７４に、連結部２２Ａ，２２Ｂのそれぞれの第２層を露出させる２つの開口部を形成する。次に、連結部２２Ａ，２２Ｂのそれぞれの第２層の上に、連結部２２Ａ，２２Ｂのそれぞれの第３層を形成する。なお、連結部２２Ａ，２２Ｂのそれぞれの第３層を形成した後に、主磁極７０を形成してもよい。次に、主磁極７０および連結部２２Ａ，２２Ｂのそれぞれの第３層を覆うようにクラッド層３１を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、主磁極７０および連結部２２Ａ，２２Ｂのそれぞれの第３層が露出するまで、クラッド層３１を研磨する。その後の工程は、第１の実施の形態と同様である。

本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。

なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、請求の範囲の要件を満たす限り、導波路のコア、プラズモンジェネレータおよび主磁極の形状および配置は、各実施の形態に示した例に限られず、任意である。

２５…コア、２５Ａｂ１…第１のエバネッセント光発生面、２５Ｂｃ１…第２のエバネッセント光発生面、２７Ａ…第１のギャップ部、２９Ａ…第２のギャップ部、４０…プラズモンジェネレータ、４０ａ…前端面、４０ｂ１…第１のプラズモン励起部、４０ｃ１…第２のプラズモン励起部。

Claims (9)

1. 光を伝播させるコアと、前記コアの周囲に配置されたクラッドとを有する導波路と、
   それぞれ前記コアの屈折率よりも小さい屈折率を有する誘電体材料よりなる第１および第２のギャップ部と、
   プラズモンジェネレータとを備えた近接場光発生器であって、
   前記コアは、前記プラズモンジェネレータを挟むように配置された第１および第２のエバネッセント光発生面を有し、
   前記第１のエバネッセント光発生面は、前記コアを伝播する光に基づいて第１のエバネッセント光を発生し、
   前記第２のエバネッセント光発生面は、前記コアを伝播する光に基づいて第２のエバネッセント光を発生し、
   前記プラズモンジェネレータは、外面を有し、
   前記外面は、前端面と、前記第１のエバネッセント光発生面に対して所定の間隔をもって対向する第１のプラズモン励起部と、前記第２のエバネッセント光発生面に対して所定の間隔をもって対向する第２のプラズモン励起部とを有し、
   前記第１のギャップ部は、前記第１のエバネッセント光発生面と前記第１のプラズモン励起部の間に介在し、
   前記第２のギャップ部は、前記第２のエバネッセント光発生面と前記第２のプラズモン励起部の間に介在し、
   前記プラズモンジェネレータは、前記第１のプラズモン励起部において前記第１のエバネッセント光と結合することによって第１の表面プラズモンが励起され、前記第２のプラズモン励起部において前記第２のエバネッセント光と結合することによって第２の表面プラズモンが励起され、前記第１および第２の表面プラズモンが前記前端面に伝播され、この第１および第２の表面プラズモンに基づいて前記前端面より近接場光を発生するように構成され、
   前記前端面に平行な前記プラズモンジェネレータの断面であって、その断面の外縁の一部が前記第１および第２のプラズモン励起部によって形成された断面の形状は、第１、第２および第３および第４の辺によって構成された四角形であり、
   前記第１の辺の全体が前記第１のプラズモン励起部によって形成され、前記第２の辺の全体が前記第２のプラズモン励起部によって形成され、前記第３の辺は、前記第１の辺の一端と前記第２の辺の一端とを接続し、前記第４の辺は、前記第１の辺の他端と前記第２の辺の他端とを接続していることを特徴とする近接場光発生器。
2. 前記プラズモンジェネレータの前記断面の形状は、矩形であることを特徴とする請求項１記載の近接場光発生器。
3. 前記コアは、前記第１のエバネッセント光発生面を含む第１層と、前記第２のエバネッセント光発生面を含む第２層とを有し、
   前記第１層と第２層の間に、前記第１のギャップ部、プラズモンジェネレータおよび第２のギャップ部が挟まれていることを特徴とする請求項１記載の近接場光発生器。
4. 記録媒体に対向する媒体対向面と、
   前記媒体対向面に配置された端面を有し、情報を前記記録媒体に記録するための記録磁界を発生する主磁極と、
   請求項１記載の近接場光発生器とを備え、
   前記プラズモンジェネレータの前記外面の前記前端面は、前記媒体対向面に配置されていることを特徴とする熱アシスト磁気記録ヘッド。
5. 前記プラズモンジェネレータの前記断面の形状は、矩形であることを特徴とする請求項４記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
6. 前記第１のエバネッセント光発生面、第１のギャップ部、第１のプラズモン励起部、第２のプラズモン励起部、第２のギャップ部および第２のエバネッセント光発生面は、前記記録媒体の進行方向に沿って並んでいることを特徴とする請求項４記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
7. 前記第１のエバネッセント光発生面、第１のギャップ部、第１のプラズモン励起部、第２のプラズモン励起部、第２のギャップ部および第２のエバネッセント光発生面は、トラック幅方向に沿って並んでいることを特徴とする請求項４記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
8. 前記コアは、前記第１のエバネッセント光発生面を含む第１層と、前記第２のエバネッセント光発生面を含む第２層とを有し、
   前記第１層と第２層の間に、前記第１のギャップ部、プラズモンジェネレータおよび第２のギャップ部が挟まれていることを特徴とする請求項４記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
9. 前記第１層と第２層は、前記記録媒体の進行方向に沿って並び、前記主磁極の少なくとも一部は、前記第１層と第２層の一方と前記媒体対向面との間に配置されていることを特徴とする請求項８記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。

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