JP5200090B2 - 熱アシスト磁気ヘッドおよびその製造方法並びにヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置 - Google Patents

Description

本発明は、近接場光を用いて熱アシスト磁気記録方式によって磁気記録媒体にデータを記録する熱アシスト磁気ヘッドおよびその製造方法並びに熱アシスト磁気ヘッドを備えたヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置に関する。

近年、磁気ディスク装置の高記録密度化に伴い、磁気記録媒体にデータを記録する薄膜磁気ヘッドのさらなる性能の向上が要求されている。従来、薄膜磁気ヘッドとして、例えば読み出し用の磁気抵抗効果素子（Magnetoresistive素子、以下「ＭＲ素子」ともいう）を有する再生ヘッドと、書き込み用の電磁コイル素子を有する記録ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁気ヘッドが広く用いられている。そして、磁気ディスク装置において、薄膜磁気ヘッドは、磁気記録媒体からごくわずかに浮上するスライダに設けられている。

ところで、磁気ディスク装置は、記録ヘッドを用いて磁気記録媒体上の磁性微粒子を磁化することによってデータを記録している。磁気記録媒体の記録密度を上げるためには、磁性微粒子の大きさを小さくすることが有効である。
しかし、磁性微粒子の大きさを小さくすると、体積の減少に伴い磁化が熱に対して不安定になり、磁気記録媒体に記録したデータが消える可能性が高まるという課題があった。この課題を解消するためには、磁性微粒子の持つ磁気エネルギーを大きくして磁化の安定性を高めることが有効である。ところが、磁性微粒子の持つ磁気エネルギーを大きくすると、磁気記録媒体の保磁力（磁化の反転しにくさ）が高まり、データの記録性能が低下するという課題があった。

このような課題を解決するため、従来、熱アシスト磁気記録とよばれる方法が提案されている。この熱アシスト磁気記録を採用している薄膜磁気ヘッド（以下、「熱アシスト磁気ヘッド」という）では、保磁力の大きな磁気記録媒体に対してデータを記録する際、磁気記録媒体のデータが記録される部分を瞬間的に加熱し、温度を上昇させてデータを記録する。

磁性微粒子は温度が上昇すると保磁力が低下するため、室温では保磁力の高い磁気記録媒体でも、瞬間的に加熱することによってデータを記録できるようになる。磁気記録媒体のデータが記録された部分はデータが記録された後、温度が低下して保磁力が高まる。そのため、熱アシスト磁気ヘッドを用いることによって、磁気ディスク装置では、磁性微粒子の微細化と記録の安定とを両立することができるようになる。

一方、従来の熱アシスト磁気ヘッドでは、磁気記録媒体を加熱するための手段として近接場光を用いている。光の波長よりも微小な開口に光が入射したとき、その光は開口からわずかに滲み出して開口付近に局在している。この開口付近に局在化している光が近接場光と呼ばれている。近接場光はレンズを用いて集光したスポット光よりもはるかに小さい領域に閉じ込められているため、近接場光を用いることによって磁気記録媒体のごく限られた微小な記録領域だけを加熱することができる。

そして、従来の熱アシスト磁気ヘッドにおいて、近接場光を発生させる方法として、微小な金属片であるプラズモンアンテナ（プラズモンプローブともいう）を用いる方法が知られている。この方法では、光導波路を介してプラズモンアンテナにレーザ光を導いて近接場光を発生させる。

従来のプラズモンアンテナとして、例えば特許文献１には金またはパラジウム等の金属からなり、三角形の薄い板状構造の光散乱体が開示されている。また、特許文献２には、金、銀、アルミニウム等の金属からなり、三角柱形状のプラズモンプローブが開示されている。さらに、特許文献３には、媒体対向面にまで達している先端を備えた２等辺三角形の近接場光発生部が開示されている。

特開２００５−４９０１号公報 特開２００７−２５７７５３号公報 特開２００７−１６４９３５号公報

前述のとおり、従来の熱アシスト磁気ヘッドでは、プラズモンアンテナにレーザ光を導くことによって表面プラズモンを励起し、その表面プラズモンに基づいて近接場光を発生させている。この近接場光が磁気記録媒体を加熱するための手段として用いられている。

しかしながら、プラズモンアンテナは近接場光を発生することに伴いそれ自身で熱を発生する。そして、プラズモンアンテナは大きさがきわめて微小であり、金、銀、アルミニウム、パラジウム等の金属からなるため、自身の発熱によって自己膨張を引き起こす。すると、熱アシスト磁気ヘッドは磁気記録媒体に対向する媒体対向面を有するが、プラズモンアンテナは媒体対向面に達する先端部を備えているため、その先端部が媒体対向面から磁気記録媒体に近づくように突出する。こうようなことから、従来の熱アシスト磁気ヘッドには磁気記録動作によって媒体対向面が突出し、磁気記録媒体に衝突しやすくなってしまうという課題があった。また、プラズモンアンテナは自身の発熱によって高温になると、溶解するおそれがある。そうすると、プラズモンアンテナの形状が変わってしまい、磁気記録媒体のごく微小な記録領域を集中的に加熱することが困難になる。

磁気記録装置における記録密度をより高めるためには、近接場光のスポット径がより小さい方が望ましい。スポット径が小さく、且つ十分な強度の近接場光を発生させるためには、プラズモンアンテナの先端部により多くの表面プラズモンを集中させることが効果的である。しかし、そうすると、先端部から強い電界強度を有する近接場光が発生するものの、発生する熱も増え、先端部が媒体対向面から突出しやすくなったり、溶解しやすくなるという課題もある。

本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、磁気記録動作に伴う媒体対向面の突出によるハードディスク装置の故障を防止するとともに、プラズモンアンテナの溶解を防止するための構造を備えた熱アシスト磁気ヘッドおよびその製造方法並びに熱アシスト磁気ヘッドを備えたヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、本発明は磁気記録媒体に対向する媒体対向面内に配置された磁極端面を備えた主磁極層と、磁気記録媒体を加熱するための近接場光を発生する発生端部が媒体対向面内に配置されている近接場光発生層と、その近接場光発生層に光を導く光導波路とを有する熱アシスト磁気ヘッドであって、近接場光発生層は、発生端部が一つの頂点となった三角形状の近接場光発生部を有し、かつ媒体対向面から媒体対向面と交差する奥行き方向に延びる三角柱状に形成され、光導波路は、発生端部から奥行き方向に延びる近接場光発生層の尾根部に介在層を介して対峙するように形成され、近接場光発生層を挟んで光導波路および主磁極層の反対側に配置され、かつ近接場光発生層の、光導波路および主磁極層から離れた側の底面に直に接する放熱層を有し、主磁極層は、磁極端面を備えた磁極端部層と、その磁極端部層に接合されているヨーク磁極層とを有し、磁極端部層は、光導波路のうちの媒体対向面に最も近い位置に配置される前端面よりも媒体対向面側に回り込んでその前端面に直に接し、かつ媒体対向面内において発生端部に介在層を介して対峙するように形成されている熱アシスト磁気ヘッドを特徴とする。

この熱アシスト磁気ヘッドでは、光導波路が近接場光発生層の尾根部に介在層を介して対峙し、しかも主磁極層の磁極端面が発生端部に介在層を介して対峙している。そのため、熱アシスト磁気ヘッドは、光導波路と主磁極層がともに発生端部との間にごく薄い介在層に応じた同じ微小距離を保ちつつ発生端部のごく近傍に配置される格好になっている。しかも、近接場光発生層の発生する熱が放熱層に伝達され、放熱層から近接場光発生層の外部に放散される。また、主磁極層が磁極端部層を有するため、光導波路を伝搬する光を主磁極層によって効率的に反射することができる。

上記熱アシスト磁気ヘッドにおいて、媒体対向面内に配置された磁極端面を備えたリターン磁極層と、主磁極層とリターン磁極層とを磁気的に連結する連結磁極層と、リターン磁極層の周りに巻回された下部薄膜コイルと、主磁極層のヨーク磁極層の周りに巻回された上部薄膜コイルとがつながった薄膜コイルとを更に有し、放熱層は、近接場光発生層と下部薄膜コイルとの間に配置され、放熱層における近接場光発生層に接する上面の反対側に配置された下面が、層間絶縁層を介して下部薄膜コイルに接していることが好ましい。

また、上記熱アシスト磁気ヘッドにおいて、磁極端部層は、光導波路の媒体対向面に沿った方向の厚さと等しい厚さを有し、ヨーク磁極層は、磁極端部層の近接場光発生層から離れた側の端面に接合され、かつ光導波路の近接場光発生層から離れた側の上面のうちの尾根部と対峙している対峙領域に接することが好ましい。

さらに、上記熱アシスト磁気ヘッドにおいて、下部薄膜コイルのうちの、媒体対向面から最も離れた位置に配置されている部分を最遠導体部としたときに、放熱層は、その最遠導体部よりも媒体対向面から離れた位置にまで達する大きさを備えた矩形板状に形成されていることが好ましい。

上記熱アシスト磁気ヘッドにおいて、放熱層は、媒体対向面から離れた位置に配置され、放熱層よりも硬度が小さい絶縁材からなり、放熱層と媒体対向面との間に配置された保護絶縁層を更に有することが好ましい。
このような保護絶縁層を有する場合、熱アシスト磁気ヘッドでは、媒体対向面を形成するための研磨を行った際、放熱層が媒体対向面から突出してしまうおそれがなくなる。

また、上記熱アシスト磁気ヘッドにおいて、放熱層は、奥行き方向全体にわたって近接場光発生層よりも幅広に形成されていることが好ましい。こうすると、放熱層に近接場光発生層に接していない部分が確保されるため、近接場光発生層の発生する熱が効率的に放散されるようになる。

また、近接場光発生部は、発生端部につながる２つの辺の長さが等しい２等辺三角形で形成され、かつ発生端部と対向する底辺部が放熱層側に配置されていることが好ましい。近接場光発生部がこのような形状で形成されていると、発生端部に表面プラズモンをより集中させることができる。

さらに、近接場光発生層は、尾根部が媒体対向面と直交状に交差する方向に沿って形成されているようにすることができる。こうすることによって、光導波路において、尾根部に対峙している部分が大きく確保される。

さらに、磁極端面は、発生端部に近づくにしたがい漸次幅が狭まる下向き窄まり形状で形成されていることが好ましい。

磁極端面がこのような形状で形成されていると、磁気記録媒体におけるデータが記録されるごく限られた微小な記録領域に対して、主磁極層から集中的に磁束を放出させることができる。

この場合、磁極端部層が発生端部に対峙している部分を中心として左右対称に形成された対称構造を有するようにすることができる。また、磁極端部層およびヨーク磁極層が発生端部に対峙している部分を中心として左右対称に形成された対称構造を有するようにすることもできる。

そして、光導波路は、媒体対向面と直交状に交差する方向に沿って形成されていることが好ましい。

また、光導波路は、尾根部に介在層を介して対峙している下面が平坦な平坦面になっていることが好ましい。

放熱層は、保護絶縁層よりも熱伝導率が大きくて熱膨張率が小さい非磁性材を用いて形成されていることが好ましい。

そして、本発明は、次の（１）から（７）までの各工程を有する熱アシスト磁気ヘッドの製造方法を提供する。
（１）積層体の表面に下部薄膜コイルを形成した後、その下部薄膜コイルの表面を被覆するようにして積層体の表面に層間絶縁層を形成する工程
（２）層間絶縁層の上に矩形板状の放熱層を形成する工程
（３）放熱層に直に接し、かつ磁気記録媒体を加熱するための近接場光を発生する発生端部が対向面予定位置内に配置されるようにして、対向面予定位置から対向面予定位置と交差する奥行き方向に延びる三角柱状の近接場光発生層を形成する工程
（４）近接場光発生層の上に介在層を形成する工程
（５）誘電体を用いて誘電体層を形成した後、その誘電体層の対向面予定位置側の一部分を除去して、近接場光発生層に光を導く光導波路を、近接場光発生層の尾根部に介在層を介して対峙するように形成する工程
（６）光導波路の対向面予定位置側に絶縁層を形成した後、その絶縁層に凹部を形成し、対向面予定位置に磁極端面が配置され、かつ介在層を介して発生端部に対峙し、さらに光導波路のうちの対向面予定位置に最も近い位置に配置される前端面に直に接するように、凹部に磁極端部層を形成する工程
（７）上部薄膜コイルを形成した後、その上部薄膜コイルを跨ぐようにして、磁極端部層に接合されるヨーク磁極層を形成する工程

上記熱アシスト磁気ヘッドの製造方法では、磁極端部層を形成する工程において、磁極端部層を光導波路の厚さと等しい厚さで形成し、ヨーク磁極層を形成する工程において、ヨーク磁極層を磁極端部層の近接場光発生層から離れた側の端面に接合し、かつ光導波路の近接場光発生層から離れた側の上面のうちの尾根部と対峙している対峙領域に接するように形成することが好ましい。

また、上記熱アシスト磁気ヘッドの製造方法は、放熱層を形成する工程において、下部薄膜コイルのうちの、対向面予定位置から最も離れた位置に配置されている部分を最遠導体部としたときに、放熱層をその最遠導体部よりも対向面予定位置から離れた位置にまで達する大きさを備えた矩形板状に形成することが好ましい。

また、上記熱アシスト磁気ヘッドの製造方法は、放熱層を形成する工程において、対向面予定位置から後退させて放熱層を形成し、放熱層と対向面予定位置との間に放熱層よりも硬度が小さい絶縁材を埋め込んで保護絶縁層を形成する工程を更に有することが好ましい。さらに、放熱層を形成する工程において、放熱層を奥行き方向全体にわたって近接場光発生層よりも幅広に形成することが好ましい。

そして、本発明は熱アシスト磁気ヘッドが形成されているスライダを備えたヘッドジンバルアセンブリであって、熱アシスト磁気ヘッドは、磁気記録媒体に対向する媒体対向面内に配置された磁極端面を備えた主磁極層と、磁気記録媒体を加熱するための近接場光を発生する発生端部が媒体対向面内に配置されている近接場光発生層と、その近接場光発生層に光を導く光導波路とを有し、近接場光発生層は、発生端部が一つの頂点となった三角形状の近接場光発生部を有し、かつ媒体対向面から媒体対向面と交差する奥行き方向に延びる三角柱状に形成され、光導波路は、発生端部から奥行き方向に延びる近接場光発生層の尾根部に介在層を介して対峙するように形成され、近接場光発生層を挟んで光導波路および主磁極層の反対側に配置され、かつ近接場光発生層の、光導波路および主磁極層から離れた側の底面に直に接する放熱層を有し、主磁極層は、磁極端面を備えた磁極端部層と、その磁極端部層に接合されているヨーク磁極層とを有し、磁極端部層は、光導波路のうちの媒体対向面に最も近い位置に配置される前端面よりも媒体対向面側に回り込んでその前端面に直に接し、かつ媒体対向面内において発生端部に介在層を介して対峙するように形成されているヘッドジンバルアセンブリを提供する。

また、本発明は熱アシスト磁気ヘッドを有するヘッドジンバルアセンブリと、熱アシスト磁気ヘッドに対向する磁気記録媒体とを備え、熱アシスト磁気ヘッドは、磁気記録媒体に対向する媒体対向面内に配置された磁極端面を備えた主磁極層と、磁気記録媒体を加熱するための近接場光を発生する発生端部が媒体対向面内に配置されている近接場光発生層と、その近接場光発生層に光を導く光導波路とを有し、近接場光発生層は、発生端部が一つの頂点となった三角形状の近接場光発生部を有し、かつ媒体対向面から媒体対向面と交差する奥行き方向に延びる三角柱状に形成され、光導波路は、発生端部から奥行き方向に延びる近接場光発生層の尾根部に介在層を介して対峙するように形成され、近接場光発生層を挟んで光導波路および主磁極層の反対側に配置され、かつ近接場光発生層の、光導波路および主磁極層から離れた側の底面に直に接する放熱層を有し、主磁極層は、磁極端面を備えた磁極端部層と、その磁極端部層に接合されているヨーク磁極層とを有し、磁極端部層は、光導波路のうちの媒体対向面に最も近い位置に配置される前端面よりも媒体対向面側に回り込んでその前端面に直に接し、かつ媒体対向面内において発生端部に介在層を介して対峙するように形成されているハードディスク装置を提供する。

以上詳述したように、本発明によれば、磁気記録動作に伴う媒体対向面の突出によるハードディスク装置の故障を防止するとともに、プラズモンアンテナの溶解を防止するための構造を備えた熱アシスト磁気ヘッドおよびその製造方法並びに熱アシスト磁気ヘッドを備えたヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置が得られる。

本発明の実施の形態に係る熱アシスト磁気ヘッドのＡＢＳと交差する方向に沿った図３の１−１線断面図である。 熱アシスト磁気ヘッドのＡＢＳを示す正面図である。 熱アシスト磁気ヘッドの要部を一部断面にして示した斜視図である。 図３の要部を拡大して示した斜視図である。 近接場光発生層を保護絶縁層および放熱層とともに示す斜視図である。 主磁極層を構成する磁極端部層とヨーク磁極層の一部を示す斜視図である。 磁極端部層とヨーク磁極層の一部を示す側面図である。 本発明の実施の形態に係る熱アシスト磁気ヘッドの製造工程を示す断面図で、（Ａ）は図１に対応した断面図、（Ｂ）は図２に対応した断面図である。 図８の後続の工程を示す断面図で、（Ａ）は図１に対応した断面図、（Ｂ）は図２に対応した断面図である。 図９の後続の工程を示す断面図で、（Ａ）は図１に対応した断面図、（Ｂ）は図２に対応した断面図である。 図１０の後続の工程を示す断面図で、（Ａ）は図１に対応した断面図、（Ｂ）は図２に対応した断面図である。 図１１の後続の工程を示す断面図で、（Ａ）は図１に対応した断面図、（Ｂ）は図２に対応した断面図である。 図１２の後続の工程を示す断面図で、（Ａ）は図１に対応した断面図、（Ｂ）は図２に対応した断面図である。 図１３の後続の工程を示す断面図で、（Ａ）は図１に対応した断面図、（Ｂ）は図２に対応した断面図である。 図１４の後続の工程を示す断面図で、（Ａ）は図１に対応した断面図、（Ｂ）は図２に対応した断面図である。 図１の熱アシスト磁気ヘッドを備えたハードディスク装置を示す斜視図である。 ＨＧＡの裏面側を示す斜視図である。 スライダを示す斜視図である。 熱アシスト磁気ヘッドを備えたスライダと、磁気記録媒体の一例を示す断面図である。 変形例に係る近接場光発生層を保護絶縁層および放熱層とともに示す斜視図である。 本発明の実施の形態に係る近接場光発生層および放熱層を示す平面図で（Ａ）は奥行き方向の全体が一様な幅に形成されている場合、（Ｂ）は背面側一部分の幅が小さく形成されている場合である。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、同一要素には同一符号を用い、重複する説明は省略する。
（熱アシスト磁気ヘッドの構造）
まず、図１から図４を参照して、本発明の実施の形態に係る熱アシスト磁気ヘッドの構造について説明する。ここで、図１は本発明の実施の形態に係る熱アシスト磁気ヘッド１００のエアベアリング面（以下「ＡＢＳ」ともいう）と交差する方向に沿った図３の１−１線断面図、図２は熱アシスト磁気ヘッド１００のＡＢＳ１０１を示す正面図である。また、図３は熱アシスト磁気ヘッド１００の要部を一部断面にして示した斜視図、図４は図３の要部を拡大して示した斜視図である。なお、図２において、左右の方向がトラック幅方向であり、上方向が磁気記録媒体の進行方向、紙面に垂直な方向が磁気記録媒体の表面に垂直な方向である。

熱アシスト磁気ヘッド１００は基板１と、基板１に積層された再生ヘッドおよび記録ヘッドを有し、磁気記録媒体に対向する媒体対向面としてのＡＢＳ１０１を有している。なお、以下では、熱アシスト磁気ヘッド１００の主要部の構造について説明し、主要部以外の部分の構造は後述する製造工程の中で説明する。

再生ヘッドは、ＡＢＳ１０１の近傍に配置された磁気的信号検出用のＭＲ素子５を有している。また、再生ヘッドは、下部シールド層３と、下部シールドギャップ膜４と、上部シールドギャップ膜６と、上部シールド層７とによって構成されている。

そして、基板１上に絶縁層２が形成されていて、その絶縁層２の上に磁性材からなる下部シールド層３が形成されている。また、下部シールド層３の上に絶縁膜としての下部シールドギャップ膜４が形成され、さらにその上にＭＲ素子５をシールドしている上部シールドギャップ膜６が形成されている。また、上部シールドギャップ膜６の上に磁性材からなる上部シールド層７が形成され、その上に絶縁層８が形成されている。

ＭＲ素子５は、ＡＭＲ（異方性磁気抵抗効果）素子、ＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果）素子、ＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）素子などの磁気抵抗効果を示す感磁膜によって構成されている。

ＧＭＲ素子は、ＣＩＰ（Current In Plane）タイプでもよいし、ＣＰＰ（Current Perpendicular to Plane）タイプでもよい。ＣＩＰタイプは、磁気的信号検出用の電流をＧＭＲ素子を構成する各層の面に対してほぼ平行な方向に流すタイプである。ＣＰＰタイプは、磁気的信号検出用の電流をＧＭＲ素子を構成する各層の面に対してほぼ垂直な方向に流すタイプである。

次に、記録ヘッドは下部薄膜コイル１０と、上部薄膜コイル１２と、リターン磁極層２０と、保護絶縁層２７と、近接場光発生層２８と、放熱層２９と、介在層３１と、主磁極層４０と、連結磁極層４７と、光導波路５１とを有し、これらが基板１上に積層された構成を有している。

下部薄膜コイル１０は、４つのターン部１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄを有している。下部薄膜コイル１０は、リターン磁極層２０の後述する後側磁極層２３の周りに平面渦巻き状に巻回されている。下部薄膜コイル１０は上部薄膜コイル１２とつながって一連のコイルを形成している。

ターン部１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０ＤはそれぞれＡＢＳ１０１からの距離が異なる位置に配置されている。これらのうち、ターン部１０ＤがＡＢＳ１０１から最も離れた位置に配置されている部分であり、本発明における最遠導体部としての構成を有している。また、ターン部１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄはフォトレジスト１１によって互いに絶縁されている。

上部薄膜コイル１２は、下部薄膜コイル１０と同様に４つのターン部を有している。各ターン部はフォトレジスト１３によって互いに絶縁されている。上部薄膜コイル１２は、主磁極層４０の後述するヨーク磁極層４２の周りに平面渦巻き状に巻回されている。

そして、下部薄膜コイル１０と上部薄膜コイル１２とに磁気記録媒体に記録されるデータに応じて変調された電流を流すと、その電流によって、下部薄膜コイル１０と上部薄膜コイル１２とが記録磁界を発生する。

リターン磁極層２０は接続磁極層２１と、前側磁極層２２および後側磁極層２３とを有している。接続磁極層２１はＡＢＳ１０１内に配置されている磁極端面２１ａを有し、その磁極端面２１ａよりもＡＢＳ１０１から離れた部分が絶縁層８の中に埋め込まれている。また、接続磁極層２１はターン部１０ＤよりもＡＢＳ１０１から離れた位置にまで達する大きさを有している。接続磁極層２１は下部薄膜コイル１０よりもＡＢＳ１０１側に前側磁極層２２が接合され、ターン部１０ＤよりもＡＢＳ１０１から離れた位置に後側磁極層２３が接合されている。

前側磁極層２２はＡＢＳ１０１から離れ、かつＡＢＳ１０１とターン部１０Ａとの間に配置されている。後側磁極層２３はターン部１０ＤよりもＡＢＳ１０１から離れた位置に配置され、接続磁極層２１と後述する下部磁極層４５とに接合されている。

リターン磁極層２０は磁束を主磁極層４０に戻すために設けられている。記録磁界による磁束が主磁極層４０の後述する磁極端面４１ａから磁気記録媒体に向けて放出されると、この磁束が磁気記録媒体（詳しくは図示しない軟磁性層）を経由してリターン磁極層２０に還流する。この磁束は連結磁極層４７を通過して主磁極層４０に到達する。

次に、図１から図４に加え、図５を参照して保護絶縁層２７と、近接場光発生層２８について説明する。ここで、図５は近接場光発生層２８を保護絶縁層２７および放熱層２９とともに示す斜視図である。

保護絶縁層２７は、表面の一部がＡＢＳ１０１に露出しており、ＡＢＳ１０１と放熱層２９との間に配置されている。保護絶縁層２７はＡＢＳ１０１からの奥行き（ＡＢＳ１０１と直交する方向のＡＢＳ１０１からの距離を「奥行き」ともいう）ｄ２７を有している。また、保護絶縁層２７は放熱層２９よりも硬度の小さい（つまり柔らかい）絶縁材からなり、例えばアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）を用いることができる。

近接場光発生層２８は近接場光発生部２８ａを有し、ＡＢＳ１０１から離れるようにして、ＡＢＳ１０１と直交状に交差する方向（以下「奥行き方向」という）に延びる三角柱状に形成されている。近接場光発生層２８は近接場光発生部２８ａのほか、近接場光発生部２８ａと対向している対向部２８ｂを有し、さらに近接場光発生部２８ａと対向部２８ｂとにつながる３つの矩形状の側面部２８ｃ、２８ｄ、２８ｅを有している。これら３つの側面部２８ｃ、２８ｄ、２８ｅのうち側面部２８ｅ（底面部ともいい、図５の斜線部分）だけが保護絶縁層２７と放熱層２９とに直に接しており、２つの側面部２８ｃ、２８ｄは保護絶縁層２７および放熱層２９から離れて斜め方向に起立している。２つの側面部２８ｃ、２８ｄは保護絶縁層２７および放熱層２９から離れた位置で互いに接しており、側面部２８ｃ、２８ｄが接している部分が尾根部２８ｈとなっている。尾根部２８ｈは発生端部２８ｆから奥行き方向に沿って直線状に形成されている。近接場光発生層２８は、尾根部２８ｈを境にして左右対称の構造になっている。

近接場光発生層２８は、ＡＢＳ１０１からの奥行きｄ２８を有している。奥行きｄ２８は奥行きｄ２７よりも大きくなっている（ｄ２８＞ｄ２７）。そのため、側面部２８ｅの大部分が放熱層２９の後述する上面２９ａに直に接している。

近接場光発生層２８はその周囲が誘電体層３０によって満たされている。誘電体層３０はアルミナ等の誘電体を用いて形成されている。ただし、図３、図４、図５では誘電体層３０の図示を省略している。

近接場光発生層２８は金属からなり、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｉｒのいずれか、またはこれらのうちの複数の元素からなる合金によって形成されている。

そして、近接場光発生部２８ａは全体がＡＢＳ１０１内に配置されている。近接場光発生部２８ａは発生端部２８ｆが一つの頂点となった２等辺三角形に形成されている。この２等辺三角形は後述する発生端部２８ｆにつながる２つの辺の長さが等しく形成されている。また、近接場光発生部２８ａは、発生端部２８ｆが保護絶縁層２７および放熱層２９から離れた一つの頂点となり、発生端部２８ｆと対向する底辺部２８ｇが保護絶縁層２７および放熱層２９側に配置されている。底辺部２８ｇのトラック幅方向の幅（横幅ともいう）は０．２μｍ程度である。発生端部２８ｆは、詳しくは後述するが、磁気記録媒体を加熱するための近接場光を発生する。

放熱層２９は近接場光発生層２８が発生する熱を近接場光発生層２８から取りこみ近接場光発生層２８の外部に放散するヒートシンクとしての機能を有している。この放熱層２９は次のような幅広構造を有している。この幅広構造とは、横幅が奥行き方向全体にわたって近接場光発生層２８よりも広い構造を意味している。放熱層２９は、例えば図２１（Ａ）に示すように、奥行き方向全体にわたって一定の横幅を有している。

放熱層２９は保護絶縁層２７の分だけＡＢＳ１０１から離れた位置（ＡＢＳ１０１から後退した位置）に配置されている。また、放熱層２９は近接場光発生層２８を挟んで主磁極層４０の反対側に配置され、近接場光発生層２８と下部薄膜コイル１０との間に配置されている。そして、放熱層２９は、その上面（本実施の形態では、基板１から離れた方の面を「上面」といい、その反対側を「下面」という）２９ａが近接場光発生層２８の側面部２８ｅ（すなわち、近接場光発生層２８の光導波路５１と反対側の側面）に直に接し、かつ下面２９ｂが層間絶縁層２６を介して下部薄膜コイル１０に接している。

さらに放熱層２９はターン部１０ＤよりもＡＢＳ１０１から離れた位置にまで達する大きさを備えた矩形板状に形成されている（図２１（Ａ）参照）。放熱層２９の厚さは例えば０．７μｍから１．２μｍ程度である。

そして、放熱層２９は前述したヒートシンクとしての機能を実現するため、例えば、ＳｉＣ（炭化ケイ素），ＡｌＮ，Ｓｉ_３Ｎ_４、Ｗ（タングステン）などを用いて形成することができる。特に放熱層２９は保護絶縁層２７よりも熱伝導率が大きくて熱膨張率が小さい非磁性材を用いることが好ましい。例えばＳｉＣは保護絶縁層２７を構成するアルミナよりも熱伝導率が大きくてアルミナよりも放熱作用に優れている。

そのため、ＳｉＣを用いて放熱層２９を形成すると、近接場光発生層２８が発生する熱は保護絶縁層２７よりも放熱層２９により多く伝達され、放熱層２９から近接場光発生層２８の外部に放散される。また、ＳｉＣはアルミナよりも熱膨張係数が小さい。そのため、ＳｉＣを用いることによって放熱層２９は近接場光発生層２８の熱が伝達されても膨張しにくい構造になる。

介在層３１は、近接場光発生層２８の尾根部２８ｈに沿うようにして、近接場光発生層２８および誘電体層３０の上面の上に直に形成されている。介在層３１は近接場光発生層２８および誘電体層３０と、主磁極層４０および光導波路５１とを電気的に分離している。介在層３１は光導波路５１よりも屈折率の低い誘電体を用いて形成され、例えばアルミナが用いられる。介在層３１は例えば１０〜７０ｎｍ程度の、主磁極層４０や光導波路５１と比べて極めて薄い厚さを有しているため、極薄介在層ともいう。

次に、主磁極層４０について図１から図５に加え、図６、図７を参照して説明する。ここで、図６は主磁極層４０を構成する磁極端部層４１とヨーク磁極層４２の一部を示す斜視図、図７は磁極端部層４１とヨーク磁極層４２の一部を示す側面図である。

主磁極層４０は、光導波路５１よりもＡＢＳ１０１側において、近接場光発生層２８の発生端部２８ｆに介在層３１を介して対峙するように形成されている。主磁極層４０は磁極端部層４１とヨーク磁極層４２とを有し、この両者が光導波路５１のトラック幅方向中間部分からある程度の幅の部分に外側から直に接している（詳しくは図３、図４参照）。また、磁極端部層４１とヨーク磁極層４２とは、発生端部２８ｆに対峙している部分を中心として、すなわち、後述する下端部４１ｂのトラック幅方向の中心部分を中心として左右対称に形成された対称構造を有している。

磁極端部層４１は介在層３１よりも上側に配置され、近接場光発生層２８を挟んで保護絶縁層２７および放熱層２９の反対側に配置されている。磁極端部層４１は特に図４、図６に示すようにＡＢＳ１０１内に配置されている磁極端面４１ａを有している。また、磁極端部層４１は最も下側（つまり、近接場光発生層２８側）に平坦な矩形状の下端部４１ｂが形成されていて、この下端部４１ｂが介在層３１を挟んで近接場光発生層２８の発生端部２８ｆと対峙している。

そして、磁極端部層４１は、下端部４１ｂを含む第１の磁極部４１ｃと、第１の磁極部４１ｃにつながる第２の磁極部４１ｄとを有し、この両者が形成する段差を備えた段差構造を有している。磁極端部層４１は、近接場光発生層２８よりも横幅が広く、上端部分の横幅は０．３μｍ〜０．５μｍ程度で形成されている。

第１の磁極部４１ｃは光導波路５１の後述する中段面５１ａよりも下側の部分であって、前面絶縁層３２の中に入り込み、下向き窄まり形状で形成されている。また、第１の磁極部４１ｃは光導波路５１の後述する下側前端面５１ｂに直に接している。

第２の磁極部４１ｄは中段面５１ａよりも上側の部分であって、下向き窄まり形状で形成されている。第２の磁極部４１ｄはＡＢＳ１０１側において第１の磁極部４１ｃに接続されている。また、第２の磁極部４１ｄは第１の磁極部４１ｃに接続されている部分の後側が中段面５１ａに直に接する矩形端面４１ｅになっている。さらに、第２の磁極部４１ｄは、最も上側がヨーク磁極層４２に接合される矩形端面４１ｆになり、背面側が光導波路５１の後述する上側前端面５１ｃに直に接する背面部４１ｇになっている。

なお、第１の磁極部４１ｃおよび第２の磁極部４１ｄにおいて、下向き窄まり形状とは、ＡＢＳ１０１にそって近接場光発生層２８に接近するにしたがい、トラック幅方向の幅が漸次狭まる形状を意味している。第１の磁極部４１ｃおよび第２の磁極部４１ｄが下向き窄まり形状で形成されているため、磁極端面４１ａも下向き窄まり形状であるが、磁極端面４１ａは全体として概ねＶ字ないしＵ字形状で形成されている。

ヨーク磁極層４２は、特に図３に示すように後側磁極層４２ａと、中間磁極層４２ｂと、中間磁極層４２ｃと、前側磁極層４２ｄとを有している。ヨーク磁極層４２は、ＡＢＳ１０１から奥行き方向に延び、上部薄膜コイル１２を跨いで連結磁極層４７につながる湾曲構造を有している。

後側磁極層４２ａは、上部薄膜コイル１２の４つのターン部よりもＡＢＳ１０１から離れた位置に配置されている。後側磁極層４２ａは、中間磁極層４２ｂよりも広い横幅（ヨーク磁極層４２の中で最も広い横幅）を有し、連結磁極層４７の後述する上部磁極層４６に接合されている。中間磁極層４２ｂは、上部薄膜コイル１２の上側に配置されている。中間磁極層４２ｂは、後側磁極層４２ａと中間磁極層４２ｃとに接続されていて、ＡＢＳ１０１に接近するにしたがい漸次狭くなった横幅を有し、かつＡＢＳ１０１に接近するにしたがい磁極端部層４１に近づく下向き湾曲構造で形成されている。

中間磁極層４２ｃは中間磁極層４２ｂと前側磁極層４２ｄとに接続されていて、ＡＢＳ１０１に接近するにしたがい中間磁極層４２ｂよりも狭くなった横幅を有している。また、中間磁極層４２ｃは、概ねＡＢＳ１０１に沿った方向に形成されている。

前側磁極層４２ｄは磁極端部層４１よりも横幅が広い矩形板状に形成されている。前側磁極層４２ｄはＡＢＳ１０１内に配置される磁極端面を有している。前側磁極層４２ｄは、底面部のＡＢＳ１０１側が磁極端部層４１の矩形端面４１ｆに接合され、その後側が光導波路５１の上面５１ｄに接している。上面５１ｄのうちの近接場光発生層２８と対峙している部分が対峙領域であるため、前側磁極層４２ｄは光導波路５１の対峙領域に接している。

次に、連結磁極層４７について説明する。連結磁極層４７は特に図３に示すように下部磁極層４５と上部磁極層４６とが接合された構成を有している。連結磁極層４７は下部薄膜コイル１０および上部薄膜コイル１２の４つのターン部よりもＡＢＳ１０１から離れた位置において光導波路５１を左右両側から挟むように配置され、光導波路５１の側面に接している。そして、下部磁極層４５が後側磁極層２３に接合され、上部磁極層４６が下部磁極層４５とヨーク磁極層４２とに接合されている。連結磁極層４７はリターン磁極層２０と主磁極層４０とを磁気的に連結し、リターン磁極層２０に戻ってきた磁束を主磁極層４０に戻す役割を有している。

さらに、光導波路５１について説明する。光導波路５１は近接場光発生層２８を挟んで放熱層２９の反対側に配置され、連結磁極層４７の間を通って（貫通して）後側からＡＢＳ１０１に近づき、かつ奥行き方向に形成されている。光導波路５１は図１〜図３には示されていない光ファイバ２０８が接続されている。光導波路５１には、半導体レーザ２０７が発生したレーザ光が光ファイバ２０８を介して入力される。光導波路５１はＴａ_２Ｏ_５などのレーザ光を通過させる誘電体を用いて形成され、０．４〜１．５μｍ程度の厚さを有している。なお、半導体レーザ２０７と光ファイバ２０８は図１６に示されている（両者について詳しくは後述する）。

光導波路５１は磁極端部層４１よりも後側に配置され、介在層３１に直に接しその介在層３１を介して近接場光発生層２８の尾根部２８ｈに対峙するように形成されている。光導波路５１は、図７に示すように、ＡＢＳ１０１側に中段面５１ａ、下側前端面５１ｂ、上側前端面５１ｃを有し、また、上面５１ｄおよび下面５１ｅを有している。光導波路５１は中段面５１ａ、下側前端面５１ｂ、上側前端面５１ｃ、上面５１ｄによる段差が形成された段差構造を有している。

中段面５１ａは奥行き方向に沿って平坦に形成され、第２の磁極部４１ｄに接している。下側前端面５１ｂはＡＢＳ１０１に沿って平坦に形成され、第１の磁極部４１ｃに接している。上側前端面５１ｃはＡＢＳ１０１に沿って平坦に形成され、第２の磁極部４１ｄに接している。上面５１ｄは光導波路５１の近接場光発生層２８から離れた側の平坦面であって奥行き方向に沿って形成され、ヨーク磁極層４２の前側磁極層４２ｄに接合されている。下面５１ｅは、光導波路５１の近接場光発生層２８側の平坦面であって奥行き方向に沿って形成され、介在層３１に直に接している。下面５１ｅは、ＡＢＳ１０１側の一部分が尾根部２８ｈに介在層３１を介して対峙している。

（熱アシスト磁気ヘッドの動作内容）
続いて、以上の構成を有する熱アシスト磁気ヘッドの磁気記録動作について説明すると次のとおりである。

磁気記録媒体に記録されるデータに応じて変調された電流が下部薄膜コイル１０と上部薄膜コイル１２とに流されると、下部薄膜コイル１０と上部薄膜コイル１２がその電流によって記録磁界を発生する。この記録磁界は主磁極層４０を通り、その記録磁界による磁束が磁極端面４１ａから磁気記録媒体に向けて放出される。この磁束によって磁気記録媒体に対するデータの記録が行われる。

一方、半導体レーザ２０７がレーザ光を発生すると、そのレーザ光が光ファイバ２０８を介して光導波路５１に伝達される。レーザ光は光導波路５１の内部をＡＢＳ１０１に向けて進行する。そして、光導波路５１のＡＢＳ１０１側に介在層３１を介して近接場光発生層２８が配置されているので、レーザ光は光導波路５１の内部をＡＢＳ１０１の近くまで進行すると、介在層３１を介して近接場光発生層２８に照射される。

このとき、光導波路５１の下側前端面５１ｂおよび上側前端面５１ｃと、上面５１ｄとに主磁極層４０が接しているため、光導波路５１を伝搬してきたレーザ光の一部が主磁極層４０によって反射される。そのため、より多くのレーザ光が近接場光発生層２８に照射される。また、磁極端部層４１とヨーク磁極層４２とが対称構造を有することによって、レーザ光が効率的に反射され、より多くのレーザ光が近接場光発生層２８に照射される。しかも、光導波路５１のトラック幅方向中間部分からある程度の幅の部分に主磁極層４０が接していて、その中間部分に近接場光発生層２８が配置されている。そのため、主磁極層４０によるレーザ光の反射が近接場光発生層２８への照射に対して極めて有効に作用する。つまり、主磁極層４０により反射されたレーザ光が近接場光発生層２８に対してより効率的に照射されるということである。

そして、光導波路５１には、光導波路５１よりも屈折率の小さい介在層３１が接している。そのため、光導波路５１から介在層３１にレーザ光が入射して全反射を起こしたさい、屈折率の小さい介在層３１の表面近傍にエバネッセント光がしみ出す。このエバネッセント光を用いることによって、その位相速度を表面プラズモンの位相速度に一致させることができ、近接場光発生層２８に表面プラズモンを励起することができる。

この表面プラズモンは、近接場光発生層２８のＡＢＳ１０１側に配置されている発生端部２８ｆに伝搬するが、発生端部２８ｆが２等辺三角形の近接場光発生部２８ａにおける等辺を挟んだ頂点となっているため、表面プラズモンが発生端部２８ｆに集中する。そして、発生端部２８ｆの近傍に非常に強い電界強度を有する近接場光が発生する。

この近接場光は発生端部２８ｆから磁気記録媒体に向けて照射され、磁気記録媒体の表面に達する。すると、その近接場光によって磁気記録媒体の磁気記録層におけるごく限られた微小領域が集中的に加熱される。そして、その磁気記録層では、記録磁界による磁束によってデータを記録できる程度にまで保磁力が低下する。

熱アシスト磁気ヘッド１００では、以上のようにして保磁力を低下させることができるので、高密度記録用の保磁力の高い磁気記録媒体に対しても、データを記録することができる。

ところが、熱アシスト磁気ヘッド１００では、近接場光の発生に伴い近接場光発生層２８の温度が著しく上昇する。近接場光発生層２８は金、銀、アルミニウム、パラジウム等の金属からなるため、自身の発熱によって自己膨張を引き起こす。そうすると近接場光発生層２８が磁気記録媒体に向かってＡＢＳ１０１から突出する。熱アシスト磁気ヘッド１００は、図１８に示すように後述するスライダ２３０に組み込まれており、このスライダ２３０は図１９に示すように磁気記録媒体２０２から極微小距離ｈだけ浮上している。近接場光発生層２８がＡＢＳ１０１から突出すれば、熱アシスト磁気ヘッド１００が磁気記録媒体２０２に衝突しやすくなってしまい、ハードディスク装置が故障しやすくなる。

その上、近接場光の発生に伴い近接場光発生層２８の温度が著しく上昇すると近接場光発生層２８の特に発生端部２８ｆが溶解してしまうおそれが生じる。そうすると、近接場光発生部２８ａの形状が変わってしまい、磁気記録媒体のごく微小な記録領域を集中的に加熱することが困難になる。

しかしながら、熱アシスト磁気ヘッド１００では、近接場光発生層２８に直に接する放熱層２９を有しているため、近接場光発生層２８の発生した熱は放熱層２９にダイレクトに伝達される。そして、近接場光発生層２８が発生した熱は放熱層２９から近接場光発生層２８の外部に逃げるようになる。そのため、近接場光発生層２８が自身の発熱による自己膨張を引き起こさないようになる。したがって、熱アシスト磁気ヘッド１００は近接場光発生層２８がＡＢＳ１０１から突出する事態を防止できるので、ハードディスク装置の故障を防止できる構造になっている。また、発生端部２８ｆが溶解してしまうおそれも解消されるため、発生端部２８ｆによって、磁気記録媒体のごく微小な記録領域を集中的に加熱することができる。

その上、放熱層２９はその奥行き方向全体にわたって近接場光発生層２８よりも幅広に形成されており、しかも平坦な板状に形成されている。そのため、放熱層２９は、上面２９ａにおいて、近接場光発生層２８に接していない部分が大きく確保されている。したがって、放熱層２９は近接場光発生層２８から伝達された熱を近接場光発生層２８の外部へと効率的に放散できるようになっている。さらに、放熱層２９がＳｉＣを用いて形成されているときは近接場光発生層２８の熱をより効率的に逃がすことができ、加熱されても膨張しにくい構造になる。

一方、熱アシスト磁気ヘッド１００では、放熱層２９をＡＢＳ１０１から後退させている。この点でも、熱アシスト磁気ヘッド１００では、ハードディスク装置の故障を防止できる構造になっている。

仮に、熱アシスト磁気ヘッド１００において、放熱層２９がアルミナよりも硬度が大きいＳｉＣのような非磁性材からなり、ＡＢＳ１０１内に露出している構造であったとする。そうすると、熱アシスト磁気ヘッド１００を製造するための積層体について、ＡＢＳ１０１を形成するための研磨を行った際、放熱層２９がＡＢＳ１０１から突出してしまうおそれがある。これは、放熱層２９がアルミナよりも硬度が高くて研磨されにくいがために残ってしまうからである。このような理由で放熱層２９がＡＢＳ１０１から突出してもハードディスク装置が故障しやすくなる。しかしながら、熱アシスト磁気ヘッド１００はこのような故障も防止できる構造になっている。その上、保護絶縁層２７がＡＢＳ１０１と放熱層２９との間に配置されているから、放熱層２９を保護することもできる。

一方、磁気記録動作を行う際、下部薄膜コイル１０に電流が流れる。すると、下部薄膜コイル１０は自らの電気抵抗によって発熱する。下部薄膜コイル１０は銅などの金属で構成されているから、発熱によって自己膨張を引き起こす。すると、前側磁極層２２がＡＢＳ１０１から押し出される格好になってしまい、この場合もハードディスク装置の故障の原因となる。

しかしながら、放熱層２９の下面２９ｂが層間絶縁層２６を介して下部薄膜コイル１０に接しているため、下部薄膜コイル１０の発生する熱も放熱層２９に伝達して、放熱層２９から下部薄膜コイル１０の外部に放散することができる。したがって、熱アシスト磁気ヘッド１００は、下部薄膜コイル１０の発熱によるハードディスク装置の故障も防止できる構造になっている。しかも、放熱層２９はターン部１０ＤよりもＡＢＳ１０１から離れた位置にまで達する大きさを備えているため、下部薄膜コイル１０の発生する熱をより効率的に放散することができる。

さらに加えて、光導波路５１を伝搬するレーザ光が主磁極層４０によって反射されてから近接場光発生層２８に照射され（レーザ光は近接場光発生層２８に間接的に照射され）、近接場光発生層２８に直接照射されないようになっている。そのため、熱アシスト磁気ヘッド１００では、レーザ光の直接照射による近接場光発生層２８の温度上昇を抑制でき、近接場光発生層２８の自己膨張や溶解がよりいっそう起きにくくなっている。したがって、熱アシスト磁気ヘッド１００は、ＡＢＳ１０１から近接場光発生層２８が突出する事態をより確実に防止し、ハードディスク装置の故障をより確実に防止することができる。しかも、熱アシスト磁気ヘッド１００は磁気記録媒体の微小領域を集中的に加熱することができる。

そして、以上の作用効果のほか、熱アシスト磁気ヘッド１００は次のような作用効果を奏する。

近接場光発生層２８は近接場光発生部２８ａを含み、ＡＢＳ１０１から奥行き方向に延び、発生端部２８ｆおよび尾根部２８ｈを有する三角柱状に形成され、底辺部２８ｇが放熱層２９側に配置されている。しかも、尾根部２８ｈに対して介在層３１を介して光導波路５１の平坦な下面５１ｅが対峙している。近接場光発生層２８は、３つの側面２８ｃ、２８ｄ、２８ｅを有するところ、そのうちの２つ（側面２８ｃ、２８ｄ）を活用してレーザ光を取り込める。したがって、近接場光発生層２８が広い領域からレーザ光を取り込めることになるので、光導波路５１の内部を進行してきたレーザ光が近接場光発生層２８の内部に効率的に導入される。そのうえ、尾根部２８ｈと光導波路５１とが奥行き方向に沿って形成されているから、光導波路５１における対峙領域の大きさが最大になり、レーザ光が近接場光発生層２８の内部によりいっそう効率的に導入される。

一方、近接場光発生層２８では、奥行き方向の全体にわたって表面プラズモンが励起されるようになる。すると、近接場光発生部２８ａが発生端部２８ｆを頂点とする２等辺三角形に形成されているから、発生端部２８ｆにより多くの表面プラズモンを集中させ、発生端部２８ｆからより強力な近接場光を発生させることができる。また、光導波路５１が極めて厚さの薄い介在層３１を介して尾根部２８ｈに対峙しており下面５１ｅが発生端部２８ｆのごく近傍に配置される格好になっている。そのため、光導波路５１を通るレーザ光を近接場光の発生に、より効率的に生かすことができる。下面５１ｅが平坦面であるから、光導波路５１を製造する手順が簡易になり、しかもレーザ光を近接場光発生層２８に効率的に伝達できるようになる。

そして、光導波路５１よりもＡＢＳ１０１側に磁極端部層４１が配置され、しかも、磁極端部層４１は光導波路５１と同じ介在層３１を介して発生端部２８ｆに対峙している。つまり、強力な近接場光を発生する発生端部２８ｆに限りなく近い超近傍位置に、光導波路５１と磁極端部層４１とが同じ微小距離を保ちながら配置された格好になっている。そのため、磁気記録媒体における発生端部２８ｆからの近接場光が照射されるごく限られた微小な領域（この領域はデータが記録される記録領域である）に対して、磁極端面４１ａから磁束を放出してデータを記録することができる。したがって、熱アシスト磁気ヘッド１００では、磁気記録媒体の微小な記録領域に対し、データの記録と加熱とを極めて効率よく行うことができる。

また、熱アシスト磁気ヘッド１００では、近接場光発生層２８、主磁極層４０および光導波路５１の３つが超近傍に配置された超近傍配置構造を有するが、近接場光発生層２８が著しく発熱すると近接場光発生層２８が突出したり、溶解するおそれが生じる。しかし、熱アシスト磁気ヘッド１００では、以上の超近傍配置構造を維持しながら、近接場光発生層２８の突出や溶解を皆無にするため、近接場光発生層２８を挟んで主磁極層４０および光導波路５１の反対側に前述した放熱層２９を形成している。このように、熱アシスト磁気ヘッド１００では、近接場光発生層２８、主磁極層４０および光導波路５１の３つが磁気記録媒体の極めて微小な記録領域に対するデータの記録と加熱とを行う上で、最も効率的な位置関係に配置されている。

一方、発生端部２８ｆに対峙する磁極端面４１ａは下向き窄まり形状に形成されている。そのため、磁気記録媒体のデータが記録されるごく限られた微小な記録領域に対して磁極端面４１ａから集中的に磁束を放出することができる。そして、その記録領域を発生端部２８ｆから発生した近接場光によって集中的かつ確実に加熱することができる。

さらに、光導波路５１の内側を進行するレーザ光の一部を主磁極層４０によって介在層３１に向けて反射させて近接場光発生層２８に導くことによって、介在層３１におけるエバネッセント光のしみ出しが良好となり、近接場光発生層２８によってより多くの表面プラズモンが励起される。

その上、主磁極層４０を構成する磁極端部層４１とヨーク磁極層４２とが光導波路５１の下側前端面５１ｂおよび上側前端面５１ｃと、上面５１ｄとに前述のようにして接している。そのため、光導波路５１の内側を進行するレーザ光の一部をより効率的に反射させることができる。

また、光導波路５１と近接場光発生層２８とが２つの側面２８ｃ、２８ｄから光を取り込めるように配置されているから、近接場光発生層２８は、２つの側面２８ｃ、２８ｄからエバネッセント光を効率的に取りこみ、表面プラズモンを効率的に発生することができる。

（熱アシスト磁気ヘッドの製造方法）
次に、前述の図１，図２とともに、図８（Ａ），（Ｂ）〜図１５（Ａ），（Ｂ）を参照して、前述の構造を有する熱アシスト磁気ヘッド１００の製造方法について説明する。

ここで、図８（Ａ）〜図１５（Ａ）は、熱アシスト磁気ヘッド１００の各製造工程における図１に対応した断面図、図８（Ｂ）〜図１５（Ｂ）は、同じく図２に対応した正面図である。各図において、（Ａ）の左側端面は後にＡＢＳ１０１となる位置（対向面予定位置）を示している。

まず、アルミニウムオキサイド・チタニウムカーバイド（Ａｌ_２Ｏ_３・ＴｉＣ）等のセラミック材料からなる基板１を準備する。そして、図８（Ａ）、（Ｂ）に示すように、その基板１の上に、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）等の絶縁材からなる絶縁層２と、磁性材からなる下部シールド層３と、下部シールドギャップ膜４とを順に形成する。

次に、ＭＲ素子５をシールドするように絶縁材を用いて上部シールドギャップ膜６を形成する。このとき、ＭＲ素子５に接続される図示しないリードを形成し、ＭＲ素子５およびリードを上部シールドギャップ膜６で覆う。それから、磁性材を用いて上部シールドギャップ膜６の上に上部シールド層７を形成する。

次に、上部シールド層７の上にアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）等の絶縁材を用いて絶縁層８を形成する。その後、絶縁層８のうちの対向面予定位置側を除去して、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅＮ等の磁性材を用いて接続磁極層２１を形成する。

そして、図９（Ａ）、（Ｂ）に示すように、積層体の表面全体にアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）等の絶縁材を用いて絶縁層２４を形成し、絶縁層２４のうちの前側磁極層２２を形成する部分と、後側磁極層２３を形成する部分とを除去する。

それから、積層体の表面における絶縁層２４の上に例えばフレームめっき法によって下部薄膜コイル１０を形成する。続いて、絶縁層２４の開口部分に例えばフレームめっき法によって、前側磁極層２２と後側磁極層２３とを形成する。これまでの工程を経ることによって、図９（Ａ）、（Ｂ）に示す状態が得られる。なお、下部薄膜コイル１０と、前側磁極層２２、後側磁極層２３とを形成する順序を変更し、前側磁極層２２および後側磁極層２３を下部薄膜コイル１０よりも前に形成してもよい。

次に、図１０（Ａ）、（Ｂ）に示すように、積層体の表面にフォトレジストを塗布し、その後、所定のフォトマスクを用いてパターニングを行い、前側磁極層２２、後側磁極層２３および下部薄膜コイル１０を被覆するフォトレジスト層７０を形成する。さらに、積層体の表面にアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）等の絶縁材を用いて、後に絶縁層２５となる絶縁層７１を形成する。

その後、図１１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、下部薄膜コイル１０が現われるまで積層体の表面を例えば化学機械研摩（以下「ＣＭＰ」という）により研摩して、積層体表面の平坦化を行う。すると、下部薄膜コイル１０がフォトレジスト１１によって絶縁されている状態が得られる。

続いて、図１２（Ａ）、（Ｂ）に示すように、下部薄膜コイル１０の露出している表面を被覆するようにして、積層体の表面全体にアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）等の絶縁材を用いて層間絶縁層２６を形成する。次に、層間絶縁層２６のうちの後側磁極層２３が形成されている部分を除去して、後に下部磁極層４５となる磁性層を形成する。

それから、ＳｉＣ等の非磁性材を用いて放熱層２９を形成する。このとき、放熱層２９はターン部１０Ｄよりも対向面予定位置から離れた位置にまで達する大きさの矩形板状に形成する。また、放熱層２９は対向面予定位置から後退させて（離して）形成する。

さらに、積層体の表面全体にアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）等の絶縁材を用いて絶縁層を形成し、放熱層２９が現われるまで積層体の表面を例えばＣＭＰにより研摩して積層体表面の平坦化を行う。こうすることにより、放熱層２９と対向面予定位置との間に絶縁材２７ａを埋め込み、放熱層２９の後側に絶縁材２７ｂ（絶縁材２７ａ、２７ｂについては図３参照）を埋め込むようにして保護絶縁層２７を形成することができる。また、後側磁極層２３につながる下部磁極層４５が形成される。

そして、図１３（Ａ）、（Ｂ）に示すように、発生端部が対向面予定位置に配置され、かつ底面が保護絶縁層２７および放熱層２９に直に接するようにして、例えばスパッタリングにより棒状の金属層を形成する。それから、その金属層を例えばイオンビームエッチング等により成形して三角柱状の近接場光発生層２８を形成する。

次に、例えば原子層堆積法（Atomic Layer Deposition）により、積層体の表面全体に誘電体層３０を形成して、近接場光発生層２８の周囲を誘電体層３０によって満たす。その後、例えば原子層堆積法（Atomic Layer Deposition）によりアルミナ等の誘電体を用いて積層体の表面全体に介在層３１を形成する。

その後、主磁極層４０および光導波路５１と、連結磁極層４７の上部磁極層４６を次のようにして形成する。

まず、図１４（Ａ）、（Ｂ）に示すように、Ｔａ_２Ｏ_５等のレーザ光を通過させる誘電体を用いて誘電体層を形成し、この誘電体層の対向面予定位置側の一部分を除去して光導波路５１を形成する。このとき、光導波路５１は、近接場光発生層２８における対向面予定位置から離れた柱状部分に介在層３１を介して接続するようにして形成する。

続いて、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）等の絶縁材を用いて光導波路５１の対向面予定位置側に絶縁層３２を形成する。そして、絶縁層３２に対し、近接場光発生層２８の発生端部２８ｆに対峙するようにして、磁極端面４１ａの形状に応じた凹部を形成する。そして、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅ等の磁性材を用いてスパッタリングにより、対向面予定位置に磁極端面４１ａが配置されるようにして、絶縁層３２の凹部に磁極端部層４１を形成する一方、下部磁極層４５に接続される上部磁極層４６を形成する。このとき、磁極端面４１ａは発生端部２８ｆに対峙させて形成する。

次に、図１５（Ａ）、（Ｂ）に示すように、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）等の絶縁材を用いて積層体の表面全体に絶縁層３３（厚さが１．２μｍ程度）を形成し、その絶縁層３３の対向面予定位置側の一部と、上部磁極層４６の形成されている部分とを除去する。その後、絶縁層３３の上に例えばフレームめっき法によって上部薄膜コイル１２を形成する。

続いて、積層体の表面にフォトレジストを塗布し、その後、所定のフォトマスクを用いてパターニングを行い、上部薄膜コイル１２を被覆するフォトレジスト層１３を形成する。それから、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅ等の磁性材を用いて対向面予定位置に前側磁極層４２ｄが配置され、かつ上部薄膜コイル１２を跨いで上部磁極層４６に接続されるようにしてヨーク磁極層４２を形成する。すると、主磁極層４０が形成される。さらに、積層体の表面全体に、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）等の絶縁材からなるオーバーコート層３４を形成すると、熱アシスト磁気ヘッド１００が製造される。

（変形例）
前述した熱アシスト磁気ヘッド１００は近接場光発生層２８の代わりに図２０に示す近接場光発生層８８を形成してもよい。ここで、図２０は、近接場光発生層８８を保護絶縁層２７、放熱層２９および中間層８９とともに示す斜視図である。

近接場光発生層８８は、近接場光発生層２８と比較して、近接場光発生部８８ａの形状が異なる点と、中間層８９を介して放熱層２９に接している点とで相違し、他は一致している。

近接場光発生部２８ａは、発生端部２８ｆを含む近接場光発生部２８ａの全体がＡＢＳ１０１内に配置される２等辺三角形に形成されている。これに対し、近接場光発生部８８ａは、発生端部８８ｆだけがＡＢＳ１０１内に配置されている。つまり、近接場光発生部８８ａは発生端部８８ｆ以外の部分がＡＢＳ１０１よりも後側に（後退した位置に）配置されている。このような近接場光発生層８８でも、近接場光発生層２８と同様に発生端部８８ｆから近接場光を発生することができる。中間層８９は、アルミナ等の誘電体で形成されている。このような構成でも、近接場光発生層８８の熱を放熱層２９に伝達して放散することができるので、近接場光発生層８８の自己膨張による突出を防止でき、ハードディスク装置の故障を防止することができる。また、発生端部８８ｆの溶解も防止できる。

また、前述した放熱層２９は、図２１（Ａ）に示すように、奥行き方向の全体が一様な幅に形成されている。放熱層２９は、奥行き方向全体にわたって近接場光発生層２８よりも幅広に形成されていればよく、図２１（Ｂ）に示すように、背面側一部分の幅が小さく形成され、奥行き方向の全体が一様な幅でなくてもよい。

（ヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置の実施の形態）
次に、ヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置の実施の形態について、図１６、図１７、図１８を参照して説明する。

図１６は、上述の熱アシスト磁気ヘッド１００を備えたハードディスク装置２０１を示す斜視図である。ハードディスク装置２０１は、高速回転するハードディスク（磁気記録媒体）２０２と、ヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ：Head Gimbals Assembly）２１０とを有している。ハードディスク装置２０１は、ＨＧＡ２１０を作動させて、ハードディスク２０２の記録面に、データの記録および再生を行う装置である。ハードディスク２０２は、複数枚（図では４枚）のディスクを有している。各ディスクは、それぞれの記録面が熱アシスト磁気ヘッド１００に対向している。

ハードディスク装置２０１は、アセンブリキャリッジ装置２０３によってスライダ２３０をトラック上に位置決めする。また、ハードディスク装置２０１は、複数の駆動アーム２０９を有している。各駆動アームは、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）２０５によってピボットベアリング軸２０６を中心に回動し、ピボットベアリング軸２０６に沿った方向にスタックされている。そして、各駆動アームの先端にＨＧＡ２１０が取りつけられている。

さらに、ハードディスク装置２０１は、加熱用のレーザ光を発生する半導体レーザ(semiconductor laser)２０７と、記録再生および半導体レーザ２０７の発光を制御する制御回路（control circuit）２０４と、レーザ光をスライダ２３０に導く光ファイバ２０８とを有している。

次に、ＨＧＡ２１０について図１７を参照して説明する。図１７はＨＧＡ２１０の裏面側を示す斜視図である。ＨＧＡ２１０は、サスペンション２２０の先端部分にスライダ２３０が固着されている。また、ＨＧＡ２１０では、配線部材２２４の一端部がスライダ２３０の端子電極に電気的に接続されている。

そして、サスペンション２２０は、ロードビーム２２２と、ロードビーム２２２の基部に設けられているベースプレート２２１と、ロードビーム２２２上の先端側からベースプレート２２１の手前側にかけて固着して支持され、弾性を備えたフレクシャ２２３と、配線部材２２４とを有している。配線部材２２４はリード導体およびその両端に電気的に接続された接続パッドを有している。

次に、スライダ２３０について図１８を参照して説明する。図１８はスライダ２３０を示す斜視図である。スライダ２３０はＡＢＳ１０１を有するスライダ基板２３１と、素子形成部２３３とを有し、光ファイバ２０８の出力端部が挿入されている。そして、素子形成部２３３のＡＢＳ１０１に熱アシスト磁気ヘッド１００が形成されている。

ハードディスク装置２０１は、ＨＧＡ２１０を回転させると、スライダ２３０がハードディスク２０２の半径方向、すなわち、トラックラインを横切る方向に移動する。

このようなＨＧＡ２１０およびハードディスク装置２０１は熱アシスト磁気ヘッド１００を有しているから、近接場光発生層２８のＡＢＳ１０１からの突出に起因する故障を防止できて、近接場光発生層２８の溶解を防止できる構造になっている。

なお、上記の実施の形態では、薄膜コイルが連結磁極層または主磁極層の周りに平面渦巻き状に巻回されているタイプを例にとって説明しているが、本発明は、薄膜コイルが主磁極層の周りに巻回されているタイプの熱アシスト磁気ヘッドについても適用がある。

以上の説明は、本発明の実施の形態についての説明であって、この発明の装置及び方法を限定するものではなく、様々な変形例を容易に実施することができる。又、各実施形態における構成要素、機能、特徴あるいは方法ステップを適宜組み合わせて構成される装置又は方法も本発明に含まれるものである。

本発明を適用することにより、磁気記録動作に伴う媒体対向面の突出によるハードディスク装置の故障を防止するとともに、プラズモンアンテナの溶解を防止することができる。本発明は熱アシスト磁気ヘッドおよびその製造方法並びに熱アシスト磁気ヘッドを備えたヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置の分野で利用することができる。

１０…下部薄膜コイル、１２…上部薄膜コイル、２０…リターン磁極層、２８，８８…近接場光発生層、２７…保護絶縁層、２８ａ…近接場光発生部、２８ｆ…発生端部、２８ｇ…底辺部、２８ｈ…尾根部、２９…放熱層、３１…介在層、４０…主磁極層、４１…磁極端部層、４１ａ…磁極端面、４２…ヨーク磁極層、５１…光導波路、５１ｂ…下側前端面、５１ｃ…上側前端面、１００…熱アシスト磁気ヘッド、１０１…ＡＢＳ、２０１…ハードディスク装置、２０２…ハードディスク。

Claims (21)

1. 磁気記録媒体に対向する媒体対向面内に配置された磁極端面を備えた主磁極層と、前記磁気記録媒体を加熱するための近接場光を発生する発生端部が前記媒体対向面内に配置されている近接場光発生層と、該近接場光発生層に光を導く光導波路とを有する熱アシスト磁気ヘッドであって、
   前記近接場光発生層は、前記発生端部が一つの頂点となった三角形状の近接場光発生部を有し、かつ前記媒体対向面から前記媒体対向面と交差する奥行き方向に延びる三角柱状に形成され、
   前記光導波路は、前記発生端部から前記奥行き方向に延びる前記近接場光発生層の尾根部に介在層を介して対峙するように形成され、
   前記近接場光発生層を挟んで前記光導波路および前記主磁極層の反対側に配置され、かつ前記近接場光発生層の、前記光導波路および前記主磁極層から離れた側の底面に直に接する放熱層を有し、
   前記主磁極層は、前記磁極端面を備えた磁極端部層と、該磁極端部層に接合されているヨーク磁極層とを有し、
   前記磁極端部層は、前記光導波路のうちの前記媒体対向面に最も近い位置に配置される前端面よりも前記媒体対向面側に回り込んで該前端面に直に接し、かつ前記媒体対向面内において前記発生端部に前記介在層を介して対峙するように形成されている熱アシスト磁気ヘッド。
2. 前記媒体対向面内に配置された磁極端面を備えたリターン磁極層と、
   前記主磁極層と前記リターン磁極層とを磁気的に連結する連結磁極層と、
   前記リターン磁極層の周りに巻回された下部薄膜コイルと、前記主磁極層の前記ヨーク磁極層の周りに巻回された上部薄膜コイルとがつながった薄膜コイルとを更に有し、
   前記放熱層は、前記近接場光発生層と前記下部薄膜コイルとの間に配置され、
   前記放熱層における前記近接場光発生層に接する上面の反対側に配置された下面が、層間絶縁層を介して前記下部薄膜コイルに接している請求項１記載の熱アシスト磁気ヘッド。
3. 前記磁極端部層は、前記光導波路の前記媒体対向面に沿った方向の厚さと等しい厚さを有し、
   前記ヨーク磁極層は、前記磁極端部層の前記近接場光発生層から離れた側の端面に接合され、かつ前記光導波路の前記近接場光発生層から離れた側の上面のうちの前記尾根部と対峙している対峙領域に接する請求項１または２記載の熱アシスト磁気ヘッド。
4. 前記下部薄膜コイルのうちの、前記媒体対向面から最も離れた位置に配置されている部分を最遠導体部としたときに、前記放熱層は、該最遠導体部よりも前記媒体対向面から離れた位置にまで達する大きさを備えた矩形板状に形成されている請求項２または３記載の熱アシスト磁気ヘッド。
5. 前記放熱層は、前記媒体対向面から離れた位置に配置され、
   前記放熱層よりも硬度が小さい絶縁材からなり、前記放熱層と前記媒体対向面との間に配置された保護絶縁層を更に有する請求項１〜４のいずれか一項記載の熱アシスト磁気ヘッド。
6. 前記放熱層は、前記奥行き方向全体にわたって前記近接場光発生層よりも幅広に形成されている請求項４または５記載の熱アシスト磁気ヘッド。
7. 前記近接場光発生部は、前記発生端部につながる２つの辺の長さが等しい２等辺三角形で形成され、かつ前記発生端部と対向する底辺部が前記放熱層側に配置されている請求項１〜５のいずれか一項記載の熱アシスト磁気ヘッド。
8. 前記近接場光発生層は、前記尾根部が前記媒体対向面と直交状に交差する方向に沿って形成されている請求項１〜６のいずれか一項記載の熱アシスト磁気ヘッド。
9. 前記磁極端面は、前記発生端部に近づくにしたがい漸次幅が狭まる下向き窄まり形状で形成されている請求項１〜８のいずれか一項記載の熱アシスト磁気ヘッド。
10. 前記磁極端部層が前記発生端部に対峙している部分を中心として左右対称に形成された対称構造を有する請求項１〜９のいずれか一項記載の熱アシスト磁気ヘッド。
11. 前記磁極端部層および前記ヨーク磁極層が前記発生端部に対峙している部分を中心として左右対称に形成された対称構造を有する請求項１〜１０のいずれか一項記載の熱アシスト磁気ヘッド。
12. 前記光導波路は、前記媒体対向面と直交状に交差する方向に沿って形成されている請求項１〜１０のいずれか一項記載の熱アシスト磁気ヘッド。
13. 前記光導波路は、前記尾根部に前記介在層を介して対峙している下面が平坦な平坦面になっている請求項１〜１２のいずれか一項記載の熱アシスト磁気ヘッド。
14. 前記放熱層は、前記保護絶縁層よりも熱伝導率が大きくて熱膨張率が小さい非磁性材を用いて形成されている請求項５〜１３のいずれか一項記載の熱アシスト磁気ヘッド。
15. 積層体の表面に下部薄膜コイルを形成した後、該下部薄膜コイルの表面を被覆するようにして前記積層体の表面に層間絶縁層を形成する工程と、
    前記層間絶縁層の上に矩形板状の放熱層を形成する工程と、
    前記放熱層に直に接し、かつ磁気記録媒体を加熱するための近接場光を発生する発生端部が対向面予定位置内に配置されるようにして、前記対向面予定位置から前記対向面予定位置と交差する奥行き方向に延びる三角柱状の近接場光発生層を形成する工程と、
    前記近接場光発生層の上に介在層を形成する工程と、
    誘電体を用いて誘電体層を形成した後、該誘電体層の前記対向面予定位置側の一部分を除去して、前記近接場光発生層に光を導く光導波路を、前記近接場光発生層の尾根部に前記介在層を介して対峙するように形成する工程と、
    前記光導波路の前記対向面予定位置側に絶縁層を形成した後、該絶縁層に凹部を形成し、前記対向面予定位置に磁極端面が配置され、かつ前記介在層を介して前記発生端部に対峙し、さらに前記光導波路のうちの前記対向面予定位置に最も近い位置に配置される前端面に直に接するように、前記凹部に磁極端部層を形成する工程と、
    上部薄膜コイルを形成した後、該上部薄膜コイルを跨ぐようにして、前記磁極端部層に接合されるヨーク磁極層を形成する工程とを有する熱アシスト磁気ヘッドの製造方法。
16. 前記磁極端部層を形成する工程において、前記磁極端部層を前記光導波路の厚さと等しい厚さで形成し、
    前記ヨーク磁極層を形成する工程において、前記ヨーク磁極層を前記磁極端部層の前記近接場光発生層から離れた側の端面に接合し、かつ前記光導波路の前記近接場光発生層から離れた側の上面のうちの前記尾根部と対峙している対峙領域に接するように形成する請求項１５記載の熱アシスト磁気ヘッドの製造方法。
17. 前記放熱層を形成する工程において、前記下部薄膜コイルのうちの、前記対向面予定位置から最も離れた位置に配置されている部分を最遠導体部としたときに、前記放熱層を該最遠導体部よりも前記対向面予定位置から離れた位置にまで達する大きさを備えた矩形板状に形成する請求項１５または１６記載の熱アシスト磁気ヘッドの製造方法。
18. 前記放熱層を形成する工程において、前記対向面予定位置から後退させて前記放熱層を形成し、
    前記放熱層と前記対向面予定位置との間に前記放熱層よりも硬度が小さい絶縁材を埋め込んで保護絶縁層を形成する工程を更に有する請求項１５〜１７のいずれか一項記載の熱アシスト磁気ヘッドの製造方法。
19. 前記放熱層を形成する工程において、前記放熱層を前記奥行き方向全体にわたって前記近接場光発生層よりも幅広に形成する請求項１５〜１８のいずれか一項記載の熱アシスト磁気ヘッドの製造方法。
20. 熱アシスト磁気ヘッドが形成されているスライダを備えたヘッドジンバルアセンブリであって、
    前記熱アシスト磁気ヘッドは、磁気記録媒体に対向する媒体対向面内に配置された磁極端面を備えた主磁極層と、前記磁気記録媒体を加熱するための近接場光を発生する発生端部が前記媒体対向面内に配置されている近接場光発生層と、該近接場光発生層に光を導く光導波路とを有し、
    前記近接場光発生層は、前記発生端部が一つの頂点となった三角形状の近接場光発生部を有し、かつ前記媒体対向面から前記媒体対向面と交差する奥行き方向に延びる三角柱状に形成され、
    前記光導波路は、前記発生端部から前記奥行き方向に延びる前記近接場光発生層の尾根部に介在層を介して対峙するように形成され、
    前記近接場光発生層を挟んで前記光導波路および前記主磁極層の反対側に配置され、かつ前記近接場光発生層の、前記光導波路および前記主磁極層から離れた側の底面に直に接する放熱層を有し、
    前記主磁極層は、前記磁極端面を備えた磁極端部層と、該磁極端部層に接合されているヨーク磁極層とを有し、
    前記磁極端部層は、前記光導波路のうちの前記媒体対向面に最も近い位置に配置される前端面よりも前記媒体対向面側に回り込んで該前端面に直に接し、かつ前記媒体対向面内において前記発生端部に前記介在層を介して対峙するように形成されているヘッドジンバルアセンブリ。
21. 熱アシスト磁気ヘッドを有するヘッドジンバルアセンブリと、前記熱アシスト磁気ヘッドに対向する磁気記録媒体とを備え、
    前記熱アシスト磁気ヘッドは、磁気記録媒体に対向する媒体対向面内に配置された磁極端面を備えた主磁極層と、前記磁気記録媒体を加熱するための近接場光を発生する発生端部が前記媒体対向面内に配置されている近接場光発生層と、該近接場光発生層に光を導く光導波路とを有し、
    前記近接場光発生層は、前記発生端部が一つの頂点となった三角形状の近接場光発生部を有し、かつ前記媒体対向面から前記媒体対向面と交差する奥行き方向に延びる三角柱状に形成され、
    前記光導波路は、前記発生端部から前記奥行き方向に延びる前記近接場光発生層の尾根部に介在層を介して対峙するように形成され、
    前記近接場光発生層を挟んで前記光導波路および前記主磁極層の反対側に配置され、かつ前記近接場光発生層の、前記光導波路および前記主磁極層から離れた側の底面に直に接する放熱層を有し、
    前記主磁極層は、前記磁極端面を備えた磁極端部層と、該磁極端部層に接合されているヨーク磁極層とを有し、
    前記磁極端部層は、前記光導波路のうちの前記媒体対向面に最も近い位置に配置される前端面よりも前記媒体対向面側に回り込んで該前端面に直に接し、かつ前記媒体対向面内において前記発生端部に前記介在層を介して対峙するように形成されているハードディスク装置。